JP2004214548A - 部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法、および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】能動部品で発生した熱を効率よく放熱することができる部品内蔵基板型モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の部品内蔵基板型モジュール３０は、マザーボード１０に電気的に接続するためのものであって、絶縁層４ａ〜４ｉと、絶縁層４ａ〜４ｉに支持された配線５ａ〜５ｉと、導体ビア６ａ〜６ｆと、受動部品２５と、配線５ａ〜５ｉに電気的に接続される能動部品１とを備えている。能動部品１は互いに対面する第１主面と第２主面とを有し、かつ能動部品１の第１主面側には配線５ａ〜５ｈが位置している。さらに部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１の第２主面に絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱部材９である放熱板１２と放熱バンプ１３とを備えている。放熱部材９は能動部品１の第２主面に接触し、かつマザーボード１０に接触するために設けられており、かつ能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明の部品内蔵基板型モジュール３０は、マザーボード１０に電気的に接続するためのものであって、絶縁層４ａ〜４ｉと、絶縁層４ａ〜４ｉに支持された配線５ａ〜５ｉと、導体ビア６ａ〜６ｆと、受動部品２５と、配線５ａ〜５ｉに電気的に接続される能動部品１とを備えている。能動部品１は互いに対面する第１主面と第２主面とを有し、かつ能動部品１の第１主面側には配線５ａ〜５ｈが位置している。さらに部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１の第２主面に絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱部材９である放熱板１２と放熱バンプ１３とを備えている。放熱部材９は能動部品１の第２主面に接触し、かつマザーボード１０に接触するために設けられており、かつ能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法、および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体の高密度、高機能化が一層求められている。このような要求に対し、能動部品となる半導体チップをコンデンサ、抵抗などの受動部品とともに基板中に内蔵させた部品内蔵基板型モジュールの提案がなされている。
【０００３】
このような部品内蔵基板型モジュールの従来例として、特開平１１−２２０２６２号公報には、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の内部および主面に能動部品や受動部品などの電子部品およびインナービアが形成されていて、この電気絶縁性基板が積層されている構成の部品内蔵基板型モジュールが記載されている。
【０００４】
なお、特開平１１−１０３１４７号公報には、電子部品が印刷配線基板（本体基板）上に直接搭載された構成が記載されている。しかし、この電子部品はベアチップなどであり、能動部品となる半導体チップ以外に受動部品を含むものではないため、上記の部品内蔵基板型モジュールには該当しない。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１０３１４７号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平１１−２２０２６２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１１−２２０２６２号公報記載の部品内蔵基板型モジュールは、モジュールの小型化および強度保持のために、半導体ベアーチップなどよりなる能動部品が電気絶縁性基板の中に埋め込まれた構成を有している。この電気絶縁性基板は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなっており、その熱伝導性は低い。このため、能動部品で発生した熱は主に電気絶縁性基板を介して放熱されることになるが、この電気絶縁体基板の熱導電性が低いため、能動部品が発生する大量の熱を効率よく放熱することができないという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、能動部品で発生した熱を効率よく放熱することができる部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法ならびに部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の部品内蔵基板型モジュールは、本体基板に電気的に接続するための部品内蔵基板型モジュールであって、絶縁層と、絶縁層に支持された導電層と、導電層に電気的に接続される能動素子を有する半導体チップとを備えている。半導体チップは互いに対面する第１主面と第２主面とを有し、かつ半導体チップの第１主面側には導電層が位置している。さらに部品内蔵基板型モジュールは、半導体チップの第２主面に絶縁層よりも高い熱伝導率を有する第１の放熱部材を備えている。第１の放熱部材は半導体チップの第２主面に接触し、かつ本体基板に接触するために設けられており、かつ能動素子と電気的に絶縁されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００１１】
図１を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０は、部品内蔵基板型モジュール３０とマザーボード１０とからなる。
【００１２】
部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１と、放熱部材９と、受動部品２５と、接続バンプ７、８と、絶縁層４ａ〜４ｉと、配線５ａ〜５ｉと、ビア導体６ａ〜６ｆとを主に有している。
【００１３】
能動部品１は能動素子を有する半導体チップであり、互いに対向する第１および第２主面を有している。能動部品１の能動素子としてはたとえば数値演算プロセッサ、パワーアンプなどがある。能動部品１の第１主面には複数の接続バンプ８が形成されており、複数の接続バンプ８の各々は、能動部品１の能動素子などと電気的に接続されている。この接続バンプ８は、能動部品１の第１主面側に位置する配線５ｈに直接接続され、かつ他の配線５ａ〜５ｇ、５ｉとビア導体６ａ〜６ｆとを介して受動部品２５や接続バンプ７に電気的に接続されている。
【００１４】
受動部品２５は、インダクタ、キャパシタ、抵抗、コイルなどであるが、本実施の形態ではたとえばキャパシタ２およびインダクタ３である。キャパシタ２は導電層２ａ、２ｃの各々と導電層２ｄとが互いに絶縁を維持しながら絶縁層４ｃ、４ｅを挟んで対向する構成を有している。また、導電層２ａと導電層２ｃとはビア導体２ｂにより電気的に接続されている。また、インダクタ３は導電層３ａ、３ｂよりなっている。
【００１５】
能動部品１の第２主面には、放熱部材９が接触するように形成されている。放熱部材９は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。放熱部材９は、能動部品１の第２主面全面に接する放熱板１２と、放熱板１２の表面に接する複数個の放熱バンプ１３とを有している。放熱板１２と放熱バンプ１３との各々は絶縁層４ａ〜４ｉよりも熱伝導率が高い材質よりなっている。
【００１６】
なお、絶縁層４ａ〜４ｉと配線５ａ〜５ｉとビア導体６ａ〜６ｆとはたとえば以下のような積層構造を構成している。
【００１７】
絶縁層４ａ〜４ｉの各々は積層されている。配線５ａは、絶縁層４ａの表面に形成されていて、外部に露出している。配線５ｂは絶縁層４ａと絶縁層４ｂとの間に形成されている。キャパシタ２とインダクタ３との各々は、絶縁層４ｂと絶縁層４ｆとの間に形成されている。配線５ｃ、５ｄは絶縁層４ｆと絶縁層４ｇとの間に形成されている。配線５ｅ、５ｆは絶縁層４ｇと絶縁層４ｆとの間に形成されている。配線５ｇ、５ｈは絶縁層４ｈと絶縁層４ｉとの間に形成されている。能動部品１は絶縁層４ｉ内に形成されており、これにより能動部品１の第２主面および接続バンプ８が形成された第１主面の領域以外は絶縁層４ｉに覆われている。配線５ｉは絶縁層４ｉの表面に形成されていて、外部に露出している。また、配線５ｉは接続バンプ７と電気的に接続されている。
【００１８】
ビア導体６ａ、６ｂの各々は、絶縁層４ｈ内に形成されていて、ビア導体６ａ、６ｂにより配線５ｅと配線５ｇまたは配線５ｈとが電気的に接続されている。ビア導体６ｃ、６ｄの各々は絶縁層４ｇ、４ｈ内に形成されていて、ビア導体６ｃにより配線５ｃと配線５ｈとが電気的に接続されている。また、ビア導体６ｄにより配線５ｄと配線５ｇとが電気的に接続されている。ビア導体６ｅ、６ｆの各々は絶縁層４ｉ内に形成されていて、ビア導体６ｅ、６ｆの各々により配線５ｇと配線５ｉとが電気的に接続されている。
【００１９】
上記のような部品内蔵基板型モジュール３０がマザーボード１０に搭載されている。搭載に際して、部品内蔵基板型モジュール３０の接続バンプ７がマザーボード１０の表面に形成された配線など（図示せず）に電気的に接続されており、かつ放熱部材９がマザーボード１０の表面に直接接触されている。
【００２０】
なお、絶縁層４ａ〜４ｉとしてはたとえばエポキシ樹脂などが用いられる。配線５ａ〜５ｆおよびビア導体６ａ〜６ｆとしてはたとえば銅などが用いられる。放熱板１２としてはたとえば銅や窒化アルミニウムなどが用いられる。放熱板１２はたとえばシリコーン系の接着剤などで能動部品１と接着されている。接続バンプ７、８および放熱バンプ１３としては、たとえばはんだや金などが用いられる。はんだの熱伝導率は約３０Ｗ／ｍ・Ｋであり、金の熱伝導率は約３００Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００２１】
本実施の形態においては、能動部品１は第２主面側において放熱部材９と接触している。また、放熱バンプ１３と放熱板１２とは絶縁層４ａ〜４ｉよりも熱伝導率が高い。したがって、能動部品１で発生した大量の熱は、放熱部材９である放熱板１２および放熱バンプ１３を介してマザーボード１０へ放出される。以上の作用により、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１で発生した熱を直接外部へ放熱する構成や絶縁層４ａ〜４ｉを介して放熱する構成よりも効率よく放熱することができる。
【００２２】
ここで、マザーボード１０は部品内蔵基板型モジュール３０に比べて熱容量が大きい。また、マザーボード１０の表面には通常銅箔が形成されていて、マザーボード１０はこの銅箔を通じて効率よく放熱を行なうことができる。したがって、能動部品１で発生した熱が放熱部材９を介してマザーボード１０に放出されてもマザーボード１０が大きく温度上昇することはない。したがって、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０の放熱性も向上する。
【００２３】
また、本実施の形態においては、能動部品１の第２主面側に放熱バンプ１３が形成されている。放熱バンプ１３は、配線５ｈとの電気的な接続に用いられる接続バンプ１４とは異なり、専ら放熱を行なうための構成である。この放熱バンプ１３は表面積が大きい形状を有しているので、一層効率よく能動部品１で発生した熱を放熱することができる。
【００２４】
さらに、本実施の形態においては、能動部品１は絶縁層４ｉ内に設置されている。このため、能動部品１と部品内蔵基板型モジュール３０とが一体化した構成となるので、部品内蔵基板型モジュール３０を一層小型化することができる。
【００２５】
続いて、本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０の製造方法について説明する。
【００２６】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を示す断面図である。
【００２７】
図２（ａ）を参照して、まず、絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ａ〜５ｈとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５とを有する部品内蔵基板２１が作製される。なお、図２（ａ）〜（ｃ）においては、説明の便宜上、部品内蔵基板２１内の絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｆとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５との構成についての図示は省略されている。
【００２８】
次に、図２（ｂ）を参照して、第１主面に接続バンプ８が形成された能動部品１と部品内蔵基板２１の主面に形成された配線５ｈと接続するように、能動部品１の第１主面側が部品内蔵基板２１に設置される。これにより、能動部品１の能動素子と配線５ｈとが電気的に接続される。
【００２９】
次に、図２（ｃ）を参照して、能動部品１の第２主面を露出するように能動部品１の周囲が絶縁層４ｉで覆われる。配線５ｇと電気的に接続するビア導体６ｅ、６ｆが絶縁層４ｉ内に形成される。次に、放熱板１２と放熱バンプ１３とが能動部品１の第２主面に形成されるとともに、配線５ｉと接続バンプ７とが絶縁層４ｉ表面に形成される。放熱板１２と放熱バンプ１３とを有する放熱部材９は能動部品１の能動素子と電気的に接続されるように形成される。また、配線５ｉと接続バンプ７とはビア導体６ｅまたは６ｆを介して配線５ｇに電気的に接続されるように形成される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３０が作製される。
【００３０】
最後に、図１を参照して、部品内蔵基板型モジュール３０の上下を逆にして、部品内蔵基板型モジュール３０とマザーボード１０とが接続バンプ７を介して電気的に接続され、かつ能動部品１とマザーボード１０とが放熱板１２と放熱バンプ１３とを介して接続される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３０を搭載した基板４０が作製される。
【００３１】
本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールの製造方法によれば、放熱バンプ１３を能動部品１の第２主面に形成するとともに、接続バンプ７を絶縁層４ｉ表面に形成することができる。したがって、放熱バンプ１３と接続バンプ７とを同一の工程により形成することができるので、放熱性の高い部品内蔵基板型モジュール３０および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０を少ない工程数で容易に作製することが可能である。
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００３２】
図３を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４１においては、能動部品１が第１主面上に複数の放熱バンプ１４を有している。複数の放熱バンプ１４の各々は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されていて、能動部品１の第１主面側に位置する放熱板１５ａと接続されている。能動部品１の第１主面と対向する領域の絶縁層４ａ〜４ｈには、電気配線用とは別の放熱用の孔１１ａ、１１ｂが、放熱板１５ａを露出するように開口されている。孔１１ａ、１１ｂの内壁面には放熱板１５ｂが各々形成されている。絶縁層４ａ〜４ｉの能動部品１が配置された面側とは逆側の面上には、孔１１ａ、１１ｂが開口された領域上を覆うように放熱板１５ｃを介してヒートシンク２３が取りつけられている。放熱板１５ｃは、放熱板１５ｂとヒートシンク２３との双方に接触している。
【００３３】
なお、これ以外の構成については図１に示す実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
本実施の形態においては、能動部品１で発生した大量の熱は、放熱板１２および放熱バンプ１３を介してマザーボード１０へ放出されるとともに、さらに放熱バンプ１４、放熱板１５ａ、孔１１ａ、１１ｂ、放熱板１５ｂ、放熱板１５ｃおよびヒートシンク２３を介して外部へ放出される。以上の作用により、部品内蔵基板型モジュール３１は、能動部品１の第１主面側からも放熱部材を介して放熱可能となるので、能動部品１で発生した熱を一層効率よく放熱することができる。
【００３５】
また、本実施の形態においては、部品内蔵基板型モジュール３１はヒートシンク２３をさらに備えている。これにより、孔１１ａ、１１ｂによって伝えられた熱が広い表面積のヒートシンク２３から放熱されるので、能動部品１で発生した熱を一層効率よく放熱することができる。
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００３６】
図４を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２においては、図１に示す実施の形態１の構成と比較して、絶縁層４ｉとビア導体６ｅ、６ｆと配線５ｉとが省略されている。これにより、能動部品１は絶縁層内に設置されず、外部に露出している。また、接続バンプ７は配線５ｇに電気的に接続されていて、これにより、部品内蔵基板型モジュール３２は接続バンプ７を介してマザーボード１０と電気的に接続されている。
【００３７】
能動部品１は第２主面が放熱性接着剤２２によってマザーボード１０に接着されている。これにより、放熱性接着剤２２は能動部品１の第２主面に接触し、かつマザーボード１０に接触している。放熱性接着剤２２は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。放熱性接着剤２２は絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する。なお、放熱性接着剤２２としては、たとえばＤＭ６０３０ＨＫ（ダイマット製）、ＣＦ３３５０（エマーソン＆カミング製）、サーコン（Ｒ）ＧＲ（富士高分子工業製）、ＡＤ−７００２（利昌工業製）、ＴＣ−５０ＴＸＳ（信越シリコーン製）、ＤＡ６５２３（東レダウコーニング製）などが挙げられる。
【００３８】
なお、これ以外の構成については図３に示す実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
本実施の形態においては、絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤２２によって、能動部品１の第２主面はマザーボード１０に接着されている。したがって、放熱性接着剤２２を放熱部材として、能動部品１で発生した大量の熱が放熱性接着剤２２を介してマザーボード１０へ放出される。以上の作用により、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３２および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２は、能動部品１で発生した熱を直接外部へ放熱する構成や絶縁層４ａ〜４ｉを介して放熱する構成よりも効率よく放熱することができる。
【００４０】
また、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３２および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２においては、絶縁層４ｉとビア導体６ｅ、６ｆと配線５ｉとが形成されていないので、図３に示す実施の形態２の構成よりも簡易な構成で効率よく放熱することができる。また、能動部品１が外部に露出した構成になっているので、さらに放熱性を向上することができる。
【００４１】
続いて、本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２の製造方法について説明する。
【００４２】
図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を示す断面図である。
【００４３】
図５（ａ）を参照して、まず、絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｈとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５と放熱板１５ａ〜１５ｃと孔１１ａ、１１ｂとを有する部品内蔵基板２１が作製される。なお、図５（ａ）〜（ｄ）においては、説明の便宜上、部品内蔵基板２１内の絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｆとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５との図示は省略されている。
【００４４】
次に、図５（ｂ）を参照して、部品内蔵基板２１の主面にマザーボード１０と電気的に接続するための接続バンプ７が形成される。
【００４５】
次に、図５（ｃ）を参照して、配線５ｈと、第１主面に接続バンプ８および放熱バンプ１４が形成された能動素子を有する能動部品１とが接続バンプ８を介して電気的に接続され、能動部品１が部品内蔵基板２１の主面上に配置される。また、能動部品１と、部品内蔵基板２１の主面に形成された放熱板１５ａとが放熱バンプ１４を介して接続される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３２が作製される。
【００４６】
次に、図５（ｄ）を参照して、部品内蔵基板型モジュール３２の上下を逆にして、部品内蔵基板型モジュール３２とマザーボード１０とが接続バンプ７を介して電気的に接続される。また、能動部品１の第２主面とマザーボード１０とが絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤２２によって接着される。
【００４７】
最後に、図４を参照して、放熱板１５ｃの上にヒートシンク２３が設置される。これにより、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２が作製される。
【００４８】
本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールの製造方法によれば、能動部品１とマザーボード１０とを絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤を用いて接着する。これにより、部品内蔵基板型モジュール３２をマザーボード１０上に固定できるとともに、能動部品１で発生した熱をマザーボード１０へ放出可能な構成が容易に作製可能である。
【００４９】
実施の形態１においては、配線５ｂ〜５ｈの各々が絶縁層４ａ〜４ｉの各々の層と層との間に形成されている場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層が絶縁層に支持されていればよい。
【００５０】
実施の形態１においては、導電層として配線５ａ〜５ｆと、ビア導体６ａ〜６ｆと、受動部品２５であるキャパシタ２とインダクタ３という構成について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層であればよい。
【００５１】
実施の形態１においては、絶縁層４ａ〜４ｉの各々の層の表面に配線５ａ〜５ｆが形成されている場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層が絶縁層に支持された構成であればよい。
【００５２】
実施の形態１においては、放熱板１２と放熱バンプ１３とが放熱部材９となる場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、放熱部材は絶縁層よりも熱伝導率の高い構成であればよい。
【００５３】
実施の形態３においては、放熱性接着剤２２について製品名を挙げたが、本発明の放熱性接着剤はこれらの製品に限られるものではなく、絶縁層よりも高い熱伝導率を有する接着剤であればよい。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明の部品内蔵基板型モジュールにおいては、能動素子を有する半導体チップは第２主面側において放熱部材と接触している。また、放熱部材は絶縁層よりも熱伝導率が高い。したがって、能動素子を有する半導体チップで発生した大量の熱は、放熱部材を介して本体基板へ放出される。以上の作用により、能動部品で発生した熱を効率よく放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第１工程を示す断面図（ａ）、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第２工程を示す断面図（ｂ）、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第３工程を示す断面図（ｃ）である。
【図３】本発明の実施の形態２における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第１工程を示す断面図（ａ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第２工程を示す断面図（ｂ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第３工程を示す断面図（ｃ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第４工程を示す断面図（ｄ）である。
【符号の説明】
１ 能動部品、２ キャパシタ、２ａ，２ｃ，２ｄ，３ａ，３ｂ 導電層、２ｂ，６ａ〜６ｆ ビア導体、３ インダクタ、４ａ〜４ｉ 絶縁層、５ａ〜５ｉ配線、７，８ 接続バンプ、９ 放熱部材、１０ マザーボード、１１ａ，１１ｂ 孔、１２ 放熱板、１３，１４ 放熱バンプ、１５ａ〜１５ｃ 放熱板、２１ 部品内蔵基板、２２ 放熱性接着剤、２３ ヒートシンク、２５ 受動部品、３０，３１，３２ 部品内蔵基板型モジュール、４０，４１，４２ 部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板。
【発明の属する技術分野】
本発明は、部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法、および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体の高密度、高機能化が一層求められている。このような要求に対し、能動部品となる半導体チップをコンデンサ、抵抗などの受動部品とともに基板中に内蔵させた部品内蔵基板型モジュールの提案がなされている。
【０００３】
このような部品内蔵基板型モジュールの従来例として、特開平１１−２２０２６２号公報には、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の内部および主面に能動部品や受動部品などの電子部品およびインナービアが形成されていて、この電気絶縁性基板が積層されている構成の部品内蔵基板型モジュールが記載されている。
【０００４】
なお、特開平１１−１０３１４７号公報には、電子部品が印刷配線基板（本体基板）上に直接搭載された構成が記載されている。しかし、この電子部品はベアチップなどであり、能動部品となる半導体チップ以外に受動部品を含むものではないため、上記の部品内蔵基板型モジュールには該当しない。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１０３１４７号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平１１−２２０２６２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１１−２２０２６２号公報記載の部品内蔵基板型モジュールは、モジュールの小型化および強度保持のために、半導体ベアーチップなどよりなる能動部品が電気絶縁性基板の中に埋め込まれた構成を有している。この電気絶縁性基板は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなっており、その熱伝導性は低い。このため、能動部品で発生した熱は主に電気絶縁性基板を介して放熱されることになるが、この電気絶縁体基板の熱導電性が低いため、能動部品が発生する大量の熱を効率よく放熱することができないという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、能動部品で発生した熱を効率よく放熱することができる部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法ならびに部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の部品内蔵基板型モジュールは、本体基板に電気的に接続するための部品内蔵基板型モジュールであって、絶縁層と、絶縁層に支持された導電層と、導電層に電気的に接続される能動素子を有する半導体チップとを備えている。半導体チップは互いに対面する第１主面と第２主面とを有し、かつ半導体チップの第１主面側には導電層が位置している。さらに部品内蔵基板型モジュールは、半導体チップの第２主面に絶縁層よりも高い熱伝導率を有する第１の放熱部材を備えている。第１の放熱部材は半導体チップの第２主面に接触し、かつ本体基板に接触するために設けられており、かつ能動素子と電気的に絶縁されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００１１】
図１を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０は、部品内蔵基板型モジュール３０とマザーボード１０とからなる。
【００１２】
部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１と、放熱部材９と、受動部品２５と、接続バンプ７、８と、絶縁層４ａ〜４ｉと、配線５ａ〜５ｉと、ビア導体６ａ〜６ｆとを主に有している。
【００１３】
能動部品１は能動素子を有する半導体チップであり、互いに対向する第１および第２主面を有している。能動部品１の能動素子としてはたとえば数値演算プロセッサ、パワーアンプなどがある。能動部品１の第１主面には複数の接続バンプ８が形成されており、複数の接続バンプ８の各々は、能動部品１の能動素子などと電気的に接続されている。この接続バンプ８は、能動部品１の第１主面側に位置する配線５ｈに直接接続され、かつ他の配線５ａ〜５ｇ、５ｉとビア導体６ａ〜６ｆとを介して受動部品２５や接続バンプ７に電気的に接続されている。
【００１４】
受動部品２５は、インダクタ、キャパシタ、抵抗、コイルなどであるが、本実施の形態ではたとえばキャパシタ２およびインダクタ３である。キャパシタ２は導電層２ａ、２ｃの各々と導電層２ｄとが互いに絶縁を維持しながら絶縁層４ｃ、４ｅを挟んで対向する構成を有している。また、導電層２ａと導電層２ｃとはビア導体２ｂにより電気的に接続されている。また、インダクタ３は導電層３ａ、３ｂよりなっている。
【００１５】
能動部品１の第２主面には、放熱部材９が接触するように形成されている。放熱部材９は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。放熱部材９は、能動部品１の第２主面全面に接する放熱板１２と、放熱板１２の表面に接する複数個の放熱バンプ１３とを有している。放熱板１２と放熱バンプ１３との各々は絶縁層４ａ〜４ｉよりも熱伝導率が高い材質よりなっている。
【００１６】
なお、絶縁層４ａ〜４ｉと配線５ａ〜５ｉとビア導体６ａ〜６ｆとはたとえば以下のような積層構造を構成している。
【００１７】
絶縁層４ａ〜４ｉの各々は積層されている。配線５ａは、絶縁層４ａの表面に形成されていて、外部に露出している。配線５ｂは絶縁層４ａと絶縁層４ｂとの間に形成されている。キャパシタ２とインダクタ３との各々は、絶縁層４ｂと絶縁層４ｆとの間に形成されている。配線５ｃ、５ｄは絶縁層４ｆと絶縁層４ｇとの間に形成されている。配線５ｅ、５ｆは絶縁層４ｇと絶縁層４ｆとの間に形成されている。配線５ｇ、５ｈは絶縁層４ｈと絶縁層４ｉとの間に形成されている。能動部品１は絶縁層４ｉ内に形成されており、これにより能動部品１の第２主面および接続バンプ８が形成された第１主面の領域以外は絶縁層４ｉに覆われている。配線５ｉは絶縁層４ｉの表面に形成されていて、外部に露出している。また、配線５ｉは接続バンプ７と電気的に接続されている。
【００１８】
ビア導体６ａ、６ｂの各々は、絶縁層４ｈ内に形成されていて、ビア導体６ａ、６ｂにより配線５ｅと配線５ｇまたは配線５ｈとが電気的に接続されている。ビア導体６ｃ、６ｄの各々は絶縁層４ｇ、４ｈ内に形成されていて、ビア導体６ｃにより配線５ｃと配線５ｈとが電気的に接続されている。また、ビア導体６ｄにより配線５ｄと配線５ｇとが電気的に接続されている。ビア導体６ｅ、６ｆの各々は絶縁層４ｉ内に形成されていて、ビア導体６ｅ、６ｆの各々により配線５ｇと配線５ｉとが電気的に接続されている。
【００１９】
上記のような部品内蔵基板型モジュール３０がマザーボード１０に搭載されている。搭載に際して、部品内蔵基板型モジュール３０の接続バンプ７がマザーボード１０の表面に形成された配線など（図示せず）に電気的に接続されており、かつ放熱部材９がマザーボード１０の表面に直接接触されている。
【００２０】
なお、絶縁層４ａ〜４ｉとしてはたとえばエポキシ樹脂などが用いられる。配線５ａ〜５ｆおよびビア導体６ａ〜６ｆとしてはたとえば銅などが用いられる。放熱板１２としてはたとえば銅や窒化アルミニウムなどが用いられる。放熱板１２はたとえばシリコーン系の接着剤などで能動部品１と接着されている。接続バンプ７、８および放熱バンプ１３としては、たとえばはんだや金などが用いられる。はんだの熱伝導率は約３０Ｗ／ｍ・Ｋであり、金の熱伝導率は約３００Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００２１】
本実施の形態においては、能動部品１は第２主面側において放熱部材９と接触している。また、放熱バンプ１３と放熱板１２とは絶縁層４ａ〜４ｉよりも熱伝導率が高い。したがって、能動部品１で発生した大量の熱は、放熱部材９である放熱板１２および放熱バンプ１３を介してマザーボード１０へ放出される。以上の作用により、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３０は、能動部品１で発生した熱を直接外部へ放熱する構成や絶縁層４ａ〜４ｉを介して放熱する構成よりも効率よく放熱することができる。
【００２２】
ここで、マザーボード１０は部品内蔵基板型モジュール３０に比べて熱容量が大きい。また、マザーボード１０の表面には通常銅箔が形成されていて、マザーボード１０はこの銅箔を通じて効率よく放熱を行なうことができる。したがって、能動部品１で発生した熱が放熱部材９を介してマザーボード１０に放出されてもマザーボード１０が大きく温度上昇することはない。したがって、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０の放熱性も向上する。
【００２３】
また、本実施の形態においては、能動部品１の第２主面側に放熱バンプ１３が形成されている。放熱バンプ１３は、配線５ｈとの電気的な接続に用いられる接続バンプ１４とは異なり、専ら放熱を行なうための構成である。この放熱バンプ１３は表面積が大きい形状を有しているので、一層効率よく能動部品１で発生した熱を放熱することができる。
【００２４】
さらに、本実施の形態においては、能動部品１は絶縁層４ｉ内に設置されている。このため、能動部品１と部品内蔵基板型モジュール３０とが一体化した構成となるので、部品内蔵基板型モジュール３０を一層小型化することができる。
【００２５】
続いて、本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０の製造方法について説明する。
【００２６】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を示す断面図である。
【００２７】
図２（ａ）を参照して、まず、絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ａ〜５ｈとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５とを有する部品内蔵基板２１が作製される。なお、図２（ａ）〜（ｃ）においては、説明の便宜上、部品内蔵基板２１内の絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｆとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５との構成についての図示は省略されている。
【００２８】
次に、図２（ｂ）を参照して、第１主面に接続バンプ８が形成された能動部品１と部品内蔵基板２１の主面に形成された配線５ｈと接続するように、能動部品１の第１主面側が部品内蔵基板２１に設置される。これにより、能動部品１の能動素子と配線５ｈとが電気的に接続される。
【００２９】
次に、図２（ｃ）を参照して、能動部品１の第２主面を露出するように能動部品１の周囲が絶縁層４ｉで覆われる。配線５ｇと電気的に接続するビア導体６ｅ、６ｆが絶縁層４ｉ内に形成される。次に、放熱板１２と放熱バンプ１３とが能動部品１の第２主面に形成されるとともに、配線５ｉと接続バンプ７とが絶縁層４ｉ表面に形成される。放熱板１２と放熱バンプ１３とを有する放熱部材９は能動部品１の能動素子と電気的に接続されるように形成される。また、配線５ｉと接続バンプ７とはビア導体６ｅまたは６ｆを介して配線５ｇに電気的に接続されるように形成される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３０が作製される。
【００３０】
最後に、図１を参照して、部品内蔵基板型モジュール３０の上下を逆にして、部品内蔵基板型モジュール３０とマザーボード１０とが接続バンプ７を介して電気的に接続され、かつ能動部品１とマザーボード１０とが放熱板１２と放熱バンプ１３とを介して接続される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３０を搭載した基板４０が作製される。
【００３１】
本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールの製造方法によれば、放熱バンプ１３を能動部品１の第２主面に形成するとともに、接続バンプ７を絶縁層４ｉ表面に形成することができる。したがって、放熱バンプ１３と接続バンプ７とを同一の工程により形成することができるので、放熱性の高い部品内蔵基板型モジュール３０および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４０を少ない工程数で容易に作製することが可能である。
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００３２】
図３を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４１においては、能動部品１が第１主面上に複数の放熱バンプ１４を有している。複数の放熱バンプ１４の各々は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されていて、能動部品１の第１主面側に位置する放熱板１５ａと接続されている。能動部品１の第１主面と対向する領域の絶縁層４ａ〜４ｈには、電気配線用とは別の放熱用の孔１１ａ、１１ｂが、放熱板１５ａを露出するように開口されている。孔１１ａ、１１ｂの内壁面には放熱板１５ｂが各々形成されている。絶縁層４ａ〜４ｉの能動部品１が配置された面側とは逆側の面上には、孔１１ａ、１１ｂが開口された領域上を覆うように放熱板１５ｃを介してヒートシンク２３が取りつけられている。放熱板１５ｃは、放熱板１５ｂとヒートシンク２３との双方に接触している。
【００３３】
なお、これ以外の構成については図１に示す実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
本実施の形態においては、能動部品１で発生した大量の熱は、放熱板１２および放熱バンプ１３を介してマザーボード１０へ放出されるとともに、さらに放熱バンプ１４、放熱板１５ａ、孔１１ａ、１１ｂ、放熱板１５ｂ、放熱板１５ｃおよびヒートシンク２３を介して外部へ放出される。以上の作用により、部品内蔵基板型モジュール３１は、能動部品１の第１主面側からも放熱部材を介して放熱可能となるので、能動部品１で発生した熱を一層効率よく放熱することができる。
【００３５】
また、本実施の形態においては、部品内蔵基板型モジュール３１はヒートシンク２３をさらに備えている。これにより、孔１１ａ、１１ｂによって伝えられた熱が広い表面積のヒートシンク２３から放熱されるので、能動部品１で発生した熱を一層効率よく放熱することができる。
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【００３６】
図４を参照して、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２においては、図１に示す実施の形態１の構成と比較して、絶縁層４ｉとビア導体６ｅ、６ｆと配線５ｉとが省略されている。これにより、能動部品１は絶縁層内に設置されず、外部に露出している。また、接続バンプ７は配線５ｇに電気的に接続されていて、これにより、部品内蔵基板型モジュール３２は接続バンプ７を介してマザーボード１０と電気的に接続されている。
【００３７】
能動部品１は第２主面が放熱性接着剤２２によってマザーボード１０に接着されている。これにより、放熱性接着剤２２は能動部品１の第２主面に接触し、かつマザーボード１０に接触している。放熱性接着剤２２は能動部品１の能動素子と電気的に絶縁されている。放熱性接着剤２２は絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する。なお、放熱性接着剤２２としては、たとえばＤＭ６０３０ＨＫ（ダイマット製）、ＣＦ３３５０（エマーソン＆カミング製）、サーコン（Ｒ）ＧＲ（富士高分子工業製）、ＡＤ−７００２（利昌工業製）、ＴＣ−５０ＴＸＳ（信越シリコーン製）、ＤＡ６５２３（東レダウコーニング製）などが挙げられる。
【００３８】
なお、これ以外の構成については図３に示す実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
本実施の形態においては、絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤２２によって、能動部品１の第２主面はマザーボード１０に接着されている。したがって、放熱性接着剤２２を放熱部材として、能動部品１で発生した大量の熱が放熱性接着剤２２を介してマザーボード１０へ放出される。以上の作用により、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３２および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２は、能動部品１で発生した熱を直接外部へ放熱する構成や絶縁層４ａ〜４ｉを介して放熱する構成よりも効率よく放熱することができる。
【００４０】
また、本実施の形態の部品内蔵基板型モジュール３２および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２においては、絶縁層４ｉとビア導体６ｅ、６ｆと配線５ｉとが形成されていないので、図３に示す実施の形態２の構成よりも簡易な構成で効率よく放熱することができる。また、能動部品１が外部に露出した構成になっているので、さらに放熱性を向上することができる。
【００４１】
続いて、本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２の製造方法について説明する。
【００４２】
図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法を示す断面図である。
【００４３】
図５（ａ）を参照して、まず、絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｈとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５と放熱板１５ａ〜１５ｃと孔１１ａ、１１ｂとを有する部品内蔵基板２１が作製される。なお、図５（ａ）〜（ｄ）においては、説明の便宜上、部品内蔵基板２１内の絶縁層４ａ〜４ｈと配線５ｂ〜５ｆとビア導体６ａ〜６ｄと受動部品２５との図示は省略されている。
【００４４】
次に、図５（ｂ）を参照して、部品内蔵基板２１の主面にマザーボード１０と電気的に接続するための接続バンプ７が形成される。
【００４５】
次に、図５（ｃ）を参照して、配線５ｈと、第１主面に接続バンプ８および放熱バンプ１４が形成された能動素子を有する能動部品１とが接続バンプ８を介して電気的に接続され、能動部品１が部品内蔵基板２１の主面上に配置される。また、能動部品１と、部品内蔵基板２１の主面に形成された放熱板１５ａとが放熱バンプ１４を介して接続される。これにより、部品内蔵基板型モジュール３２が作製される。
【００４６】
次に、図５（ｄ）を参照して、部品内蔵基板型モジュール３２の上下を逆にして、部品内蔵基板型モジュール３２とマザーボード１０とが接続バンプ７を介して電気的に接続される。また、能動部品１の第２主面とマザーボード１０とが絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤２２によって接着される。
【００４７】
最後に、図４を参照して、放熱板１５ｃの上にヒートシンク２３が設置される。これにより、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板４２が作製される。
【００４８】
本実施の形態における部品内蔵基板型モジュールの製造方法によれば、能動部品１とマザーボード１０とを絶縁層４ａ〜４ｉよりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤を用いて接着する。これにより、部品内蔵基板型モジュール３２をマザーボード１０上に固定できるとともに、能動部品１で発生した熱をマザーボード１０へ放出可能な構成が容易に作製可能である。
【００４９】
実施の形態１においては、配線５ｂ〜５ｈの各々が絶縁層４ａ〜４ｉの各々の層と層との間に形成されている場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層が絶縁層に支持されていればよい。
【００５０】
実施の形態１においては、導電層として配線５ａ〜５ｆと、ビア導体６ａ〜６ｆと、受動部品２５であるキャパシタ２とインダクタ３という構成について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層であればよい。
【００５１】
実施の形態１においては、絶縁層４ａ〜４ｉの各々の層の表面に配線５ａ〜５ｆが形成されている場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、導電層が絶縁層に支持された構成であればよい。
【００５２】
実施の形態１においては、放熱板１２と放熱バンプ１３とが放熱部材９となる場合について示したが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、放熱部材は絶縁層よりも熱伝導率の高い構成であればよい。
【００５３】
実施の形態３においては、放熱性接着剤２２について製品名を挙げたが、本発明の放熱性接着剤はこれらの製品に限られるものではなく、絶縁層よりも高い熱伝導率を有する接着剤であればよい。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明の部品内蔵基板型モジュールにおいては、能動素子を有する半導体チップは第２主面側において放熱部材と接触している。また、放熱部材は絶縁層よりも熱伝導率が高い。したがって、能動素子を有する半導体チップで発生した大量の熱は、放熱部材を介して本体基板へ放出される。以上の作用により、能動部品で発生した熱を効率よく放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第１工程を示す断面図（ａ）、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第２工程を示す断面図（ｂ）、本発明の実施の形態１における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第３工程を示す断面図（ｃ）である。
【図３】本発明の実施の形態２における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第１工程を示す断面図（ａ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第２工程を示す断面図（ｂ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第３工程を示す断面図（ｃ）、本発明の実施の形態３における部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法の第４工程を示す断面図（ｄ）である。
【符号の説明】
１ 能動部品、２ キャパシタ、２ａ，２ｃ，２ｄ，３ａ，３ｂ 導電層、２ｂ，６ａ〜６ｆ ビア導体、３ インダクタ、４ａ〜４ｉ 絶縁層、５ａ〜５ｉ配線、７，８ 接続バンプ、９ 放熱部材、１０ マザーボード、１１ａ，１１ｂ 孔、１２ 放熱板、１３，１４ 放熱バンプ、１５ａ〜１５ｃ 放熱板、２１ 部品内蔵基板、２２ 放熱性接着剤、２３ ヒートシンク、２５ 受動部品、３０，３１，３２ 部品内蔵基板型モジュール、４０，４１，４２ 部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板。
Claims (9)
- 本体基板に電気的に接続するための部品内蔵基板型モジュールであって、
絶縁層と、
前記絶縁層に支持された導電層と、
前記導電層に電気的に接続される能動素子を有する半導体チップとを備え、
前記半導体チップは互いに対面する第１主面と第２主面とを有し、かつ前記半導体チップの前記第１主面側に前記導電層が位置しており、さらに
前記半導体チップの前記第２主面に接触し、かつ前記本体基板に接触するために設けられ、かつ前記能動素子と電気的に絶縁され、かつ前記絶縁層よりも高い熱伝導率を有する放熱部材を備えた、部品内蔵基板型モジュール。 - 前記放熱部材は、前記半導体チップの前記第２主面側に形成されたバンプ部を有する、請求項１に記載の部品内蔵基板型モジュール。
- 前記半導体チップは前記絶縁層内に設置されている、請求項１または２に記載の部品内蔵基板型モジュール。
- 前記絶縁層は、前記半導体チップの前記第１主面と対向する領域に電気配線用とは別の放熱用の孔を有していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の部品内蔵基板型モジュール。
- 前記絶縁層の前記半導体チップが配置された面側とは逆側の面上であって、前記放熱用の孔が開口された領域上を覆うように取りつけられたヒートシンクをさらに備えることを特徴とする、請求項４に記載の部品内蔵基板型モジュール。
- 請求項１から５のいずれかに記載の前記部品内蔵基板型モジュールと、前記部品内蔵基板型モジュールを搭載した前記本体基板とを備え、前記部品内蔵基板型モジュールと前記本体基板とが電気的に接続するように、かつ前記放熱部材が前記本体基板と接触するように前記部品内蔵基板型モジュールは前記本体基板に搭載されている、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板。
- 第１の絶縁層と導電層とを有する部品内蔵基板を作製する工程と、
半導体チップの能動素子が前記導電層と電気的に接続するように、前記半導体チップの第１主面側を前記部品内蔵基板に設置する工程と、
前記第１主面の裏面となる前記半導体チップの第２主面を露出するように前記半導体チップの周囲を第２の絶縁層で覆う工程と、
前記能動素子と電気的に絶縁された放熱部材を前記半導体チップの前記第２主面に形成するとともに、前記導電層と電気的に接続する導電部を前記第２の絶縁層表面に形成する工程とを備えた、部品内蔵基板型モジュールの製造方法。 - 請求項７に記載の方法により製造された部品内蔵基板型モジュールと本体基板とを前記導電部を介して電気的に接続し、かつ前記半導体チップと前記本体基板とを前記放熱部材を介して接続する工程とを有する、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法。
- 絶縁層と導電層とを有する部品内蔵基板を作製する工程と、
前記部品内蔵基板の主面上に本体基板と電気的に接続するための第１の導電部を設ける工程と、
能動素子を有する半導体チップと前記導電層とを第２の導電部を介して電気的に接続して、前記部品内蔵基板の前記主面上に前記半導体チップを設置する工程と、
前記部品内蔵基板と前記第１および前記第２の導電部と前記半導体チップとを有する部品内蔵基板型モジュールと前記本体基板とを前記第１の導電部を介して電気的に接続し、かつ前記半導体チップと前記本体基板とを前記絶縁層よりも高い熱伝導率を有する放熱性接着剤を用いて接着する工程とを備えた、部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法。
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