WO2020195834A1 - 電子装置 - Google Patents

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大佳 國枝
林　宏樹
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株式会社デンソー
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Definitions

  • This disclosure relates to electronic devices.
  • PoP Package on Package
  • the present disclosure has been made in view of the above problems, and an object of the present disclosure is to provide an electronic device having improved reliability by improving heat dissipation.
  • the electronic device includes an upper package including an upper chip, a lower package including a lower chip, a printed circuit board including the upper package and the lower package stacked on the upper side, and the lower package. , A heat diffusion layer arranged in the vicinity of the lower chip.
  • heat is efficiently propagated from the lower chip to the heat diffusion layer, so that heat is efficiently released from the lower chip.
  • the heat dissipation of the entire electronic device can be improved, so that it is possible to provide an electronic device with improved reliability.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of an electronic device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the electronic device viewed from above, and is a conceptual diagram showing a schematic configuration of the heat dissipation area.
  • FIG. 3 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of the electronic device according to the second embodiment.
  • FIG. 4 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of an electronic device according to a second embodiment, and is an enlarged view of a region S in FIG.
  • the electronic device according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
  • the same elements as those described above will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the metal case 14 side of the electronic device 1 is upward, and the printed circuit board 16 side is downward.
  • the electronic device 1 As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device 1 according to the first embodiment is a so-called PoP in which two IC packages are laminated.
  • the electronic device 1 includes a printed circuit board 16 (Printed Circuit Board, hereinafter referred to as PCB), a lower package 12, an upper package 10, and a metal case 14 that covers them.
  • the electronic device 1 has a substantially rectangular shape as a flat plate.
  • the upper package 10 and the lower package 12 provided in the electronic device 1 also have a substantially rectangular shape as a flat plate.
  • the lower package 12 and the upper package 10 are stacked and arranged on the upper part of the PCB 16.
  • a plurality of solder balls 20 are arranged between the upper package 10 and the lower package 12.
  • the upper package 10 and the lower package 12 are connected by a plurality of solder balls 20.
  • a plurality of solder balls 22 are arranged between the lower package 12 and the PCB 16.
  • the lower package 12 and the PCB 16 are connected by a plurality of solder balls 22.
  • a thermal interface material 18 (Thermal Interface Material, hereinafter referred to as TIM) is provided between the upper surface of the upper package 10 and the inner ceiling surface of the metal case 14.
  • TIM18 is composed of a substance having high thermal conductivity, and is composed of, for example, silicon and graphite. The TIM 18 is in contact with the upper surface of the upper package 10 and the inner ceiling surface of the metal case 14, and the heat from the upper package 10 is propagated to the metal kale 14.
  • the upper package 10 includes an upper chip 10a, an upper layer 10b, and a lower layer 10c.
  • the upper chip 10a is arranged on the lower layer 10c.
  • the upper surface and side surfaces of the upper chip 10a are covered with the upper layer 10b.
  • the upper chip 10a may be configured such that the upper surface and a part of the side surface are covered with the upper layer 10b.
  • the upper chip 10a is an integrated circuit in which a plurality of transistors, wiring, and the like are mounted on a semiconductor substrate (not shown), the lower layer 10c is, for example, a printed circuit board, and the upper layer 10b is, for example, a mold resin.
  • the upper tip 10a has a substantially rectangular shape as a flat plate.
  • the lower package 12 includes a lower chip 12a, an upper layer 12b, an intermediate layer 12c, a lower layer 12d, and a heat diffusion layer 26.
  • the lower chip 12a is arranged on the lower layer 12d, and a part of the upper surface and the side surface is contacted and covered by the heat diffusion layer 26.
  • the heat diffusion layer 26 is arranged at least in the vicinity of the lower chip 12a.
  • the lateral dimension of the heat diffusion layer 26 is larger than the lateral dimension of the lower chip 12a, and the area of the upper surface of the heat diffusion layer 26 is larger than the area of the upper surface of the lower chip 12a.
  • the lower chip 12a and the heat diffusion layer 26 have a substantially rectangular shape as a flat plate.
  • the intermediate layer 12c is in contact with the side surface of the lower chip 12a and the lower half of the heat diffusion layer 26 and covers a part of these side surfaces and the lower surface of the heat diffusion layer 26. Further, the upper layer 12b is located on the intermediate layer 12c and covers a part of the upper surface and the side surface of the heat diffusion layer 26.
  • the intermediate layer 12c includes a stack via 24 located laterally to the lower insert 12a and the heat diffusion layer 26 and in contact with the upper layer 12b and the lower layer 12d.
  • the stack via 24 is, for example, a solder ball made of solder.
  • a solder ball made of solder.
  • one containing lead and tin as main components may be used, one having copper added thereto, or a lead-free solder containing no lead may be used.
  • a through hole may be provided in the intermediate layer 12c, and a metal such as copper may be embedded in the through hole to form an embedded metal.
  • the heat diffusion layer 26 is made of a substance having a high thermal conductivity, and is configured to have a higher thermal conductivity than the surrounding material, for example, a mold resin.
  • the heat diffusion layer 26 is made of, for example, a metal such as copper or graphite.
  • the heat diffusion layer 26 propagates the heat generated from the lower chip 12a by coming into contact with the lower chip 12a, and further dissipates heat from the surface of the heat diffusion layer 26. Most of the heat dissipated from the heat diffusion layer 26 propagates while diffusing upward with a spread having a predetermined angle. This diffused heat propagates to the metal case 14.
  • the heat dissipation area A is shown so as to be located on the lower surface of the metal case 14.
  • the heat dissipation area A of the electronic device 1 is at least larger than the flat area of the lower chip 12a.
  • the heat dissipation area A is larger than the area of the heat diffusion layer 26.
  • the angle at which heat diffuses from the heat diffusion layer 26 to the metal case 14 differs depending on the material and the like existing between the heat diffusion layer 26 and the metal case 14.
  • the planar shape of the heat radiating area A has a substantially rectangular shape, reflecting the shape of the heat diffusion layer 26 that transfers heat to the metal case 14.
  • the lower chip 12a is an integrated circuit in which a plurality of transistors and wirings are formed on a semiconductor substrate (not shown), the upper layer 12b and the lower layer 12d are, for example, a printed circuit board, and the intermediate layer 12c is, for example, a mold resin.
  • the thermal conductivity of the heat diffusion layer 26 is configured to be at least higher than that of the intermediate layer 12c, that is, higher than that of the mold resin.
  • the heat diffusion layer 26 is arranged in the vicinity of the lower chip 12a, contacts and covers the upper surface of the lower chip 12a, and the thermal conductivity of the heat diffusion layer 26 is larger than that of the mold resin constituting the intermediate layer 12c.
  • the heat generated from the lower chip 12a propagates to the heat diffusion layer 26, is thermally diffused from the heat diffusion layer 26, reaches the metal case 14, and is dissipated to the outside.
  • the heat diffusion layer The thermal conductivity of 26 is configured to be greater than that of the molded resin. Therefore, heat is efficiently propagated from the lower chip 12a to the heat diffusion layer 26. As a result, heat is efficiently released from the lower tip 12a.
  • the upper surface of the heat diffusion layer 26 has a larger area than the upper surface of the lower chip 12a, and the heat diffusion layer 26 is arranged between the upper package 10 and the metal case 14. According to this configuration, the heat generated in the lower chip 12a propagates to the heat diffusion layer 26. That is, the heat generated by the lower chip 12a is transferred to the heat diffusion layer 26 which covers the upper part of the lower chip 12a and has a larger upper surface area than the lower chip 12a, and the heat propagated to the heat diffusion layer 26 is the heat. It is dissipated from the upper surface of the heat diffusion layer 26.
  • the heat from the heat diffusion layer 26 spreads over the heat dissipation area A and propagates to the metal case 14.
  • the heat generated by the lower chip 12a is efficiently propagated to the metal case 14 via the heat diffusion layer 26, so that the heat dissipation of the entire electronic device 1 can be improved. This makes it possible to provide an electronic device with improved reliability.
  • the electronic device 1 has substantially the same configuration as that of the first embodiment, but differs in the following points.
  • the lower package 12 includes a lower chip 12a, an upper layer 12e, an intermediate layer 12f, and a lower layer 12g from the top.
  • the lower chip 12a is arranged on the lower layer 12d.
  • the heat diffusion layer 30 and the heat diffusion portion 32 are arranged in the vicinity of the lower chip 12a.
  • the heat diffusion layer 30 is provided in the upper layer 12e directly above the intermediate layer 12f in which the lower chip 12a is arranged.
  • a substance having high thermal conductivity is used, and is composed of, for example, a metal such as copper.
  • the upper layer 12e is a PCB, and as shown in FIG. 4, includes a plurality of wiring layers 13 and a heat diffusion layer 30 inside.
  • the wiring layer 13 is a wiring layer constituting the circuit of the upper layer 12e which is a PCB.
  • the wiring layer 13 and the heat diffusion layer 30 are made of the same material.
  • the film thickness of the heat diffusion layer 30 is larger than that of the wiring layer 13.
  • the heat diffusion layer 30 is provided at the lowest layer among the wiring layers provided at the upper layer 12e. That is, the heat diffusion layer 30 is made of the same material as the wiring layer 13, and is configured as the lowest layer of the plurality of wiring layers provided in the upper layer 12e. Further, in this case, the heat diffusion layer 30 is configured to be thicker than the wiring layer 13.
  • the heat transfer efficiency is improved by increasing the thickness of the heat diffusion layer 30. Since the size of the plane of the heat diffusion layer 30 is larger than the area of the upper surface of the lower chip 12a, the heat propagated from the lower chip 12a can be efficiently propagated to the heat diffusion layer 30.
  • a plurality of heat diffusion portions 32 provided so as to penetrate the intermediate layer 12f vertically, that is, in the thickness direction are provided.
  • the heat diffusion unit 32 is, for example, a solder ball made of solder.
  • the heat diffusing unit 32 one containing lead and tin as main components may be used, one to which copper is added, or a lead-free solder containing no lead may be used.
  • the heat diffusion portion 32 may be configured as a through electrode formed by providing a through hole in the intermediate layer 12f and embedding a metal such as copper in the through hole.
  • the heat diffusion layer 30 and the heat diffusion unit 32 are configured to have a higher thermal conductivity than the materials surrounding the heat diffusion layer 30 and the heat diffusion unit 32, for example, a mold resin.
  • the following effects are obtained.
  • the same effect as that of the electronic device 1 according to the first embodiment can be obtained.
  • the heat diffusion layer 30 is configured as the wiring layer 13 provided in the upper layer 12b, the heat diffusion layer 30 can be formed by using the wiring formation step. Therefore, the heat diffusion layer 30 can be easily formed.
  • the heat diffusion layer 30 is provided as the lowest layer in the upper layer 12e directly above the lower chip 12a, the heat diffusion layer 30 can be arranged in the vicinity of the lower chip 12a. Further, the thickness of the heat diffusion layer 30 is made thicker than that of the wiring layer 13. Therefore, the heat transfer efficiency from the lower chip 12a to the heat diffusion layer 30 is improved, and the heat generated by the lower chip 12a can be efficiently propagated to the heat diffusion layer 30.
  • the heat diffusion portion 32 is arranged in the vicinity of the lower chip 12a in the lateral direction.
  • the heat generated in the lateral direction of the lower chip 12a propagates to the heat diffusion unit 32, and can be transmitted from the heat diffusion unit 32 to the upper layer 12e connected to the heat diffusion unit 32 and propagated to the heat diffusion layer 30. Therefore, due to the presence of the heat diffusion unit 32, the heat generated by the lower chip 12a is efficiently propagated to the metal case 14, so that the heat dissipation of the entire electronic device 1 can be further improved.

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Abstract

電子装置は、上チップ（１０ａ）を備える上パッケージ（１０）と、下チップ（１２ａ）を備える下パッケージ（１２）と、前記上パッケージ、及び前記下パッケージを上部に積層して備えるプリント基板（１６）と、前記下パッケージにおいて、下チップの近傍に配置される熱拡散層（２６、３０）と、を備える。

Description

電子装置 関連出願の相互参照
　本出願は、２０１９年３月２８日に出願された日本出願番号２０１９－０６３３１３号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、電子装置に関する。
　２つのＩＣパッケージを積層して形成されたＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ　ｏｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）を、プリント基板に実装した電子装置が知られている。
米国特許第９７４６８８９号明細書 米国特許出願公開第２０１７／０２９４４２２号明細書
　上記電子装置の場合、下側のＩＣパッケージで発生した熱の放熱が十分にできないという問題が有る。特に下側のＩＣパッケージの発熱が、上側のＩＣパッケージの発熱より大きい場合にこの課題が顕著となる。
　本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、放熱性を向上させることにより、信頼性が向上した電子装置を提供することである。
　本開示の一態様において、電子装置は、上チップを備える上パッケージと、下チップを備える下パッケージと、前記上パッケージ、及び前記下パッケージを上部に積層して備えるプリント基板と、前記下パッケージにおいて、下チップの近傍に配置される熱拡散層と、を備える。
　本開示の一態様に係る電子装置によれば、下チップから熱拡散層へ熱が効率的に伝播するため、下チップからの熱の放出が効率的に実施される。これにより、電子装置全体の放熱性を向上させることができるため、信頼性が向上した電子装置を提供することができる。
　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。その図面は、
図１は、第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す縦断面図であり、 図２は、電子装置を上方向から見た平面図であり、放熱面積の概略構成を示す概念図であり、 図３は、第２実施形態に係る電子装置の概略構成を示す縦断面図であり、 図４は、第２実施形態に係る電子装置の概略構成を示す縦断面図であり、図３の領域Ｓを拡大した図である。
　以下、本開示の実施形態に係る電子装置について図面を参照して説明する。以下の説明において前出と同様の要素については同様の符号を付し、その説明については省略する。また、図において、電子装置１の金属ケース１４側を上方向、プリント基板１６側を下方向とする。
　（第１実施形態）
　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る電子装置１は、２つのＩＣパッケージを積層した所謂ＰｏＰである。電子装置１は、プリント基板１６（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄ、以下、ＰＣＢと称する）と、下パッケージ１２、上パッケージ１０、及びこれらを覆う金属ケース１４を備えている。電子装置１は平板略矩形状をなしている。電子装置１に備えられる上パッケージ１０及び下パッケージ１２も平板略矩形状をなしている。
　ＰＣＢ１６の上部には下パッケージ１２及び上パッケージ１０が積層されて配置される。上パッケージ１０と下パッケージ１２との間には複数のはんだボール２０が配置されている。上パッケージ１０と下パッケージ１２とは複数のはんだボール２０により接続されている。下パッケージ１２とＰＣＢ１６との間には複数のはんだボール２２が配置されている。下パッケージ１２とＰＣＢ１６とは、複数のはんだボール２２により接続されている。
　上パッケージ１０の上面と金属ケース１４の内側天井面との間にはサーマルインターフェースマテリアル１８（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ、以下ＴＩＭと称する）が設けられている。ＴＩＭ１８は熱伝導率が高い物質で構成されており、例えばシリコン、グラファイトを含んで構成されている。ＴＩＭ１８は上パッケージ１０の上面と金属ケース１４の内側天井面とに接触し、上パッケージ１０からの熱を金属ケール１４に伝播させている。
　上パッケージ１０は、上チップ１０ａ、上層１０ｂ、下層１０ｃを備えている。上チップ１０ａは下層１０ｃ上に配置されている。上チップ１０ａは上層１０ｂにより上面及び側面を覆われている。なお、上チップ１０ａは上層１０ｂにより上面及び側面の一部が覆われた構成としてもよい。上チップ１０ａは図示しない半導体基板に複数のトランジスタ及び配線等を搭載した集積回路であり、下層１０ｃは例えばプリント基板、上層１０ｂは例えばモールド樹脂である。上チップ１０ａは平板略矩形状をなしている。
　下パッケージ１２は、下チップ１２ａ、上層１２ｂ、中間層１２ｃ、下層１２ｄ及び熱拡散層２６を備えている。下チップ１２ａは下層１２ｄ上に配置されており、上面及び側面の一部を熱拡散層２６により接触して覆われている。熱拡散層２６は少なくとも下チップ１２ａの近傍に配置されている。熱拡散層２６の横方向寸法は下チップ１２ａの横方向寸法よりも大きく、熱拡散層２６の上面の面積は下チップ１２ａの上面の面積よりも大きい。下チップ１２ａ、及び熱拡散層２６は平板略矩形状をなしている。
　中間層１２ｃは下チップ１２ａの側面及び熱拡散層２６の下半分程度に接触してこれらの側面及び熱拡散層２６の下面の一部を覆っている。また、上層１２ｂは中間層１２ｃの上に位置し、熱拡散層２６の上面及び側面の一部を覆っている。中間層１２ｃには、下チップ１２ａ及び熱拡散層２６の横方向に位置し、上層１２ｂと下層１２ｄに接触するスタックビア２４を備えている。
　スタックビア２４は例えばはんだで構成されたはんだボールである。スタックビア２４としては、鉛とスズを主成分とするものを用いてもよいし、さらに銅が添加されたもの、あるいは、鉛を含まない鉛フリーはんだを用いてもよい。あるいは、中間層１２ｃに貫通孔を設け、貫通孔内に例えば銅などの金属を埋め込んで形成した埋め込み金属として構成してもよい。
　熱拡散層２６は、熱伝導率が高い物質が用いられ、周囲の材料、例えばモールド樹脂よりも熱伝導率が大きくなるように構成される。熱拡散層２６としては、例えば銅などの金属やグラファイト等により構成される。熱拡散層２６は下チップ１２ａに接触することにより下チップ１２ａから発生する熱を伝播し、更に熱拡散層２６の表面から熱放散する。熱拡散層２６から放散された熱のほとんどは、所定の角度を有した広がりをもって上方向に拡散しつつ伝播していく。この拡散した熱が金属ケース１４に伝播する。
　この時、図１及び図２に示す様に、下チップ１２ａから熱拡散層２６に伝播し、更に、その熱量を大きく損ねることなく金属ケース１４に伝熱できる面積を放熱面積Ａと称する。図１及び図２においては、放熱面積Ａを、金属ケース１４の下面に位置するように示している。熱が、下チップ１２ａ→熱拡散層２６→金属ケース１４のように伝播すると、熱が伝播する面積も大きくなる。電子装置１の上方向から見て、放熱面積Ａは少なくとも下チップ１２ａの平面積よりも大きい。また、電子装置１の上方向から見て、放熱面積Ａは熱拡散層２６の面積よりも大きい。なお、熱拡散層２６から金属ケース１４に至るまでに熱が拡散する角度は熱拡散層２６と金属ケース１４の間に存在する材質等に応じて異なる。この場合、放熱面積Ａの平面形状は、金属ケース１４に熱を伝える熱拡散層２６の形状を反映して、略矩形状をなしている。
　下チップ１２ａは図示しない半導体基板に複数のトランジスタ及び配線等を形成した集積回路であり、上層１２ｂ及び下層１２ｄは例えばプリント基板、中間層１２ｃは例えばモールド樹脂である。熱拡散層２６の熱伝導率は少なくとも中間層１２ｃよりも高くなるように、すなわちモールド樹脂よりも高くなるように構成されている。
　上記に説明した第１実施形態に係る電子装置１によれば以下の効果を奏する。
　熱拡散層２６は下チップ１２ａの近傍に配置され、下チップ１２ａの上面に接触して覆い、また、熱拡散層２６の熱伝導率は、中間層１２ｃを構成するモールド樹脂よりも大きい。この場合、下チップ１２ａから発生した熱は、熱拡散層２６に伝播し、熱拡散層２６から熱拡散されて金属ケース１４に到達して外部に放散されるが、上記構成により、熱拡散層２６の熱伝導率は、モールド樹脂よりも大きく構成される。このため、下チップ１２ａから熱拡散層２６へ熱が効率的に伝播する。これにより、下チップ１２ａからの熱の放出が効率的に実施される。
　また、熱拡散層２６の上面は下チップ１２ａの上面よりも面積が大きく、熱拡散層２６は、上パッケージ１０と金属ケース１４との間に配置されている。この構成によれば、下チップ１２ａで発生した熱は熱拡散層２６に伝播する。つまり、下チップ１２ａで発生した熱は、下チップ１２ａの上方を覆い、下チップ１２ａよりも上面の面積が大きい熱拡散層２６に伝達され、更に、熱拡散層２６に伝播した熱は、当該熱拡散層２６の上面から放散される。
　そして、熱拡散層２６からの熱は、放熱面積Ａに広がって金属ケース１４に伝播する。このような構成とすることで、下チップ１２ａの発熱が、熱拡散層２６を介して、効率的に金属ケース１４に伝播するため、電子装置１全体の放熱性を向上させることができる。これにより信頼性が向上した電子装置を提供することができる。
　（第２実施形態）
　次に第２実施形態について、図３及び図４を参照して説明する。第２実施形態において、電子装置１は第１実施形態とほぼ同様の構成を備えるが、以下の点で異なっている。
　下パッケージ１２は、下チップ１２ａ、上から、上層１２ｅ、中間層１２ｆ、下層１２ｇを備えている。下チップ１２ａは下層１２ｄ上に配置されている。熱拡散層３０、及び熱拡散部３２は下チップ１２ａの近傍に配置されている。
　図３及び図４に示されるように、熱拡散層３０は、下チップ１２ａの配置される中間層１２ｆの直上の上層１２ｅに備えられている。熱拡散層３０としては、熱伝導率が高い物質が用いられ、例えば銅などの金属等により構成される。
　上層１２ｅはＰＣＢであり、図４に示す様に、内部に複数の配線層１３と熱拡散層３０とを含んでいる。配線層１３はＰＣＢである上層１２ｅの回路を構成する配線層である。配線層１３と熱拡散層３０は同じ材質で形成されている。熱拡散層３０の膜厚は配線層１３よりも大きい。また、熱拡散層３０は上層１２ｅに設けられた配線層のなかで最下層に設けられたものである。つまり、熱拡散層３０は配線層１３と同様の材料で形成されており、上層１２ｅに備えられた複数の配線層の最下層として構成されている。また、この場合、熱拡散層３０は配線層１３よりも厚さが厚くなるように構成されている。熱拡散層３０の厚さを大きくすることで熱伝播効率が向上する。熱拡散層３０の平面の大きさは下チップ１２ａの上面の面積よりも大きく構成されているため、下チップ１２ａから伝播する熱を熱拡散層３０に効率的に伝播させることができる。
　また、第２実施形態では、中間層１２ｆを上下すなわち厚さ方向に貫通するように設けられた複数の熱拡散部３２を備えている。熱拡散部３２は、例えばはんだで構成されたはんだボールである。熱拡散部３２としては、鉛とスズを主成分とするものを用いてもよいし、さらに銅が添加されたもの、あるいは、鉛を含まない鉛フリーはんだを用いてもよい。あるいは、熱拡散部３２は、中間層１２ｆに貫通孔を設け、貫通孔内に例えば銅などの金属を埋め込んで形成した貫通電極として構成してもよい。熱拡散層３０、及び熱拡散部３２は、熱拡散層３０及び熱拡散部３２の周囲の材料、例えばモールド樹脂よりも熱伝導率が大きくなるように構成される。
　上記に説明した第２実施形態に係る電子装置１によれば以下の効果を奏する。
　第２実施形態に係る電子装置１によれば、第１実施形態に係る電子装置１と同様の効果を得る。更に、熱拡散層３０は、上層１２ｂに備えられた配線層１３として構成されるため、配線形成工程を用いて熱拡散層３０を形成可能となる。このため、熱拡散層３０の形成が容易となる。また、熱拡散層３０を、下チップ１２ａの直上の上層１２ｅ中の最下層として備えるため下チップ１２ａの近傍に熱拡散層３０を配置させることができる。更に熱拡散層３０の厚さを配線層１３よりも厚く構成している。このため下チップ１２ａから熱拡散層３０への熱伝播効率が向上し、下チップ１２ａの発熱を、効率的に熱拡散層３０に伝播させることができる。
　また、下チップ１２ａの横方向の近傍に、熱拡散部３２を配置する。下チップ１２ａの横方向に伝播した発熱は熱拡散部３２に伝播し、熱拡散部３２からこれに接続された上層１２ｅに伝わって熱拡散層３０に伝播させることができる。従って、熱拡散部３２の存在により、更に、下チップ１２ａの発熱が、効率的に金属ケース１４に伝播するため、電子装置１全体の放熱性を更に向上させることができる。
　本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
 

Claims (11)

  1. 　上チップ（１０ａ）を備える上パッケージ（１０）と、
    　下チップ（１２ａ）を備える下パッケージ（１２）と、
    　前記上パッケージ、及び前記下パッケージを上部に積層して備えるプリント基板（１６）と、
    　前記下パッケージにおいて、前記下チップの近傍に配置される熱拡散層（２６、３０）と、を備える電子装置。
  2. 　前記熱拡散層（２６）は、前記下チップの上面に接触して覆う請求項１に記載の電子装置。
  3. 　前記熱拡散層（２６、３０）の上面は、前記下チップの上面よりも面積が大きい請求項１または２に記載の電子装置。
  4. 　前記熱拡散層の熱伝導率は、モールド樹脂よりも大きい請求項１から３の何れか一項に記載の電子装置。
  5. 　さらに、前記上パッケージの上面を覆う金属ケース（１４）を備え、
    　前記熱拡散層は、前記上パッケージと前記金属ケースとの間に配置されている請求項１から４の何れか一項に記載の電子装置。
  6. 　前記熱拡散層（２６）は、前記下チップに接触している請求項１から５の何れか一項に記載の電子装置。
  7. 　前記下チップの近傍に設けられた貫通電極である熱拡散部（３２）を更に備える請求項１から６の何れか一項に記載の電子装置。
  8. 　前記下パッケージは上層（１２ｅ）、中間層（１２ｆ）、及び下層（１２ｇ）を備え、前記上層は複数の配線層（１３）を備えており、
    　前記熱拡散層（３０）は、前記上層に備えられた配線層である請求項１から７の何れか一項に記載の電子装置。
  9. 　前記上層は、前記下チップの直上に位置する請求項８に記載の電子装置。
  10. 　前記熱拡散層の厚さは、前記配線層よりも厚い請求項８または９に記載の電子装置。
  11. 　前記熱拡散層は、複数の前記配線層の内の最下層である請求項８から１０の何れか一項に記載の電子装置。
     
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