FR2906406A1 - Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. - Google Patents
Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2906406A1 FR2906406A1 FR0653943A FR0653943A FR2906406A1 FR 2906406 A1 FR2906406 A1 FR 2906406A1 FR 0653943 A FR0653943 A FR 0653943A FR 0653943 A FR0653943 A FR 0653943A FR 2906406 A1 FR2906406 A1 FR 2906406A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- sacrificial
- mask
- layer
- sacrificial mask
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 53
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 3
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque (100), comportant au moins les étapes de :a) dépôt d'une couche de passivation (12) à base de semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face arrière d'un substrat (2) à base de semi-conducteur cristallin,b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation d'un premier masque sacrificiel comportant au moins une ouverture traversante,c) dépôt d'une couche (20) de semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité au moins dans l'ouverture,d) suppression du premier masque sacrificiel, laissant subsister, au niveau de l'ouverture du premier masque sacrificiel, au moins un plot (20) de semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité.
Description
1 PROCEDE DE REALISATION DE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION EN
FACE ARRIERE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne la réalisation de cellules photovoltaïques, et particulièrement de cellules à contacts et à hétérojonction de type amorphe/cristallin en face arrière. Deux types de structure photovoltaïque permettent actuellement d'obtenir des rendements de conversion supérieurs à 21 % lors d'essais en laboratoire et proches de 20 % en production industrielle. La première structure, communément appelée HIT ( Heterojunction wïth Intrinsic Thin layers en anglais, ou hétérojonction à couches fines intrinsèques) comporte une hétérojonction formée par le dépôt de fines couches de silicium amorphe sur une base 20 de silicium cristallin. Cette structure, entièrement réalisée à basse température, c'est-à-dire à des températures inférieures ou égales à environ 200 C permet d'obtenir de bonnes passivations de surface et d'atteindre de hautes valeurs de tensions en circuit 25 ouvert par rapport aux procédés classiques de réalisation de cellule photovoltaïque dont les températures atteintes durant leur mise en oeuvre est d'environ 850 C. Le document US 5 213 628 décrit une telle structure. 15 2906406 2 La seconde structure comporte une jonction et un ensemble de contacts sur une face opposée, dite face arrière, à la face avant de la cellule photovoltaïque, c'est-à-dire la face destinée à 5 recevoir un rayonnement lumineux. Cette structure est communément appelée RCC ( Rear Contact Oeil en anglais, ou cellule à contacts arrières) ou IBC ( Interdigitated Back Contact ). Elle permet d'atteindre des hautes densités de courants grâce à 10 l'absence de contacts sur la face avant. Les documents WO 03/083955 et FR 2 880 989 décrivent ce type de structure. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque à hétérojonction en face arrière qui soit industriellement viable et améliorant les performances des cellules fabriquées. Pour cela, la présente invention propose un 20 procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face arrière d'un substrat à base d'au moins un 25 semiconducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation d'un premier masque sacrificiel comportant au moins une ouverture traversante, 2906406 3 c) dépôt d'une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité au moins dans l'ouverture, d) suppression du premier masque 5 sacrificiel, laissant subsister, au niveau de l'ouverture du premier masque sacrificiel, au moins un plot de semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité. Les techniques employées dans ce procédé 10 permettent à la cellule photovoltaïque de n'être exposée qu'à des températures sensiblement inférieures ou égales à environ 200 C durant la réalisation de la face arrière de la cellule, ce qui ne serait pas possible avec, par exemple, une couche de passivation 15 en face arrière à base de nitrure de silicium. De plus, l'utilisation de semi-conducteur amorphe intrinsèque sur la face arrière du substrat permet d'obtenir une excellente passivation de la face arrière de ce substrat.
La présente invention concerne également un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face arrière d'un substrat à base d'au moins un semi-conducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation d'un premier masque sacrificiel, c) dépôt, dans au moins un motif formé par 30 le premier masque de gravure, d'une couche de 2906406 4 semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité, d) suppression du premier masque sacrificiel.
5 Le procédé, objet de la présente invention, peut comporter en outre après l'étape d) au moins les étapes de : e) réalisation par sérigraphie d'un second masque sacrificiel, le second masque sacrificiel 10 recouvrant au moins le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité, f) dépôt, dans au moins un motif formé par le second masque sacrificiel, d'une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de 15 conductivité, opposé au premier type de conductivité, g) suppression du second masque sacrificiel, laissant subsister, au niveau du motif du second masque sacrificiel, au moins un plot de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité.
20 Les zones de silicium amorphe dopé en face arrière forment l'hétérojonction de la cellule photovoltaïque. Grâce à l'utilisation de la sérigraphie, la réalisation de l'hétérojonction est faite avec une grande précision (+/- 20 m) par rapport 25 aux techniques classiques de dépôt PECVD ou CVD catalytique à travers des masques métalliques, les précisions atteintes étant de l'ordre d'environ +/- 500 pin avec ces techniques. De plus, lors d'un dépôt PECVD pour la réalisation de l'hétérojonction d'une cellule photovoltaïque, les propriétés du plasma risquent d'être modifiées en fonction du nombre de 2906406 5 dépôts établis sur les masques pour former 1'hétérojonction. L'utilisation de masques sacrificiels permet d'avoir un procédé industriellement viable, 5 contrairement aux procédés de l'art antérieur utilisant des couches de la cellule photovoltaïque servant également de masques de gravure, ces couches pouvant être endommagées lors des étapes de gravure. Enfin, ce procédé permet d'obtenir des 10 cellules photovoltaïques à fort rendement de conversion, par exemple supérieur à 22%. Le procédé peut comporter, avant l'étape a) de dépôt de la couche de passivation, une étape de dépôt d'une couche à base d'au moins un semi-conducteur 15 amorphe sur une face avant du substrat, opposée à la face arrière du substrat. Le semi-conducteur amorphe de la couche déposée du côté de la face avant du substrat peut être intrinsèque ou dopé du même type, ou du type opposé, de 20 conductivité que le type de conductivité du substrat. Il est ainsi possible de réaliser en face avant un champ de surface, réduisant les recombinaisons au niveau de cette face, lorsque le type de dopage est opposé à celui du substrat, ou une jonction flottante 25 lorsque le dopage est similaire à celui du substrat. Le procédé peut comporter, après l'étape de dépôt de la couche à base de semi-conducteur amorphe sur la face avant du substrat, une étape de dépôt d'une couche antireflet sur ladite couche à base de semi- 30 conducteur amorphe.
2906406 6 L'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une première couche sacrificielle à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de 5 silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'un premier masque de gravure selon un motif similaire au motif du premier masque sacrificiel, 10 - suppression par gravure des parties de la première couche sacrificielle non recouvertes par le premier masque de gravure, les parties restantes de la première couche sacrificielle formant le premier masque sacrificiel, 15 - suppression du premier masque de gravure. Dans une variante, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une première couche sacrificielle 20 à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du premier masque 25 sacrificiel, formant dans la première couche sacrificielle le premier masque sacrificiel. Selon une autre variante, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base 30 de polymère et/ou d'oxyde formant le premier masque sacrificiel.
2906406 7 L'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de 5 silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, dépôt par sérigraphie d'un second masque de gravure selon un motif similaire au motif du second masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la seconde couche sacrificielle non recouvertes par le second masque de gravure, les parties restantes de la seconde couche sacrificielle formant le second masque sacrificiel, - suppression du second masque de gravure. Dans un variante, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre les étapes de . - dépôt d'une seconde couche sacrificielle 20 à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du second masque 25 sacrificiel, formant dans la seconde couche sacrificielle le second masque sacrificiel. Selon une autre variante, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base 30 de polymère et/ou d'oxyde formant le second masque sacrificiel.
10 15 2906406 8 Le procédé peut comporter, avant l'étape d) de suppression du premier masque sacrificiel, une étape de dépôt de métallisations. Le procédé peut comporter, avant l'étape g) 5 de suppression du second masque sacrificiel, une étape de dépôt de métallisations. Dans une autre variante, le procédé peut comporter, après l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel, une étape de dépôt de 10 métallisations sur le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité et sur le semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité par évaporation et/ou pulvérisation à travers un masque métallique.
15 Lorsque les métallisations sont réalisées par évaporation ou pulvérisation à travers un masque métallique, les précisions de dépôt sont supérieures aux précisions obtenues par un dépôt assisté par plasma. Ainsi, les métallisations peuvent couvrir une 20 surface maximale sur le semi-conducteur amorphe dopé, optimisant ainsi le confinement optique des rayons lumineux entrants dans la cellule photovoltaïque. De plus, l'utilisation des techniques d'évaporation et de pulvérisation permet d'obtenir des métallisations à 25 faible résistance de contact entre celles-ci et le semi-conducteur amorphe dopé. Enfin, le procédé peut comporter en outre, avant la ou les étapes de dépôt de métallisations, une étape de dépôt par pulvérisation d'oxyde transparent 30 conducteur sur le semi-conducteur amorphe dopé, les 2906406 9 métallisations étant ensuite déposées sur l'oxyde transparent conducteur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à 5 la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A à 1R représentent les 10 étapes d'un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, - les figures 2A à 2I représentent les étapes d'un procédé de réalisation de cellule 15 photovoltaïque, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à 20 faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.
25 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles.
2906406 10 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures lA à 1R qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque 100 selon un 5 premier mode de réalisation. On considère tout d'abord un substrat 2 à base d'au moins un semi-conducteur (figure 1A). Ce substrat 2 comporte une face avant 4 texturée et une face arrière 6 polie. Ise substrat 2 peut être à base 10 de silicium monocristallin ou multicristallin, de type P ou N. Comme représenté sur la figure 1B, une première couche 8, par exemple une couche mince d'épaisseur comprise entre environ 1 nm et 5 nm, de 15 silicium amorphe hydrogéné, dopé ou intrinsèque, est déposée sur la face avant 4 du substrat 2. Cette couche 8 peut également être à base de carbure de silicium amorphe hydrogéné, dopé ou intrinsèque. De préférence, la première couche 8 comporte une grande largeur de 20 bande interdite (supérieure à 1,8 eV ou 2 eV) afin de limiter l'absorption du spectre solaire. Cette première couche 8 est déposée par PECVD (Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) à une température par exemple comprise entre environ 200 C et 400 C, cette 25 température étant adaptée en fonction de la nature de la première couche 8. Si la première couche 8 est dopée du type de conductivité opposé au type de conductivité du substrat 2, lors du fonctionnement de la cellule photovoltaïque 100, un champ de surface avant se forme 30 au niveau de la face avant 4 et de la première couche 8, permettant la réduction des recombinaisons au niveau 2906406 11 de cette interface. Il est également possible de former une jonction flottante si la première couche 8 dopée est du même type de conductivité que le substrat 2. Une couche antireflet 10, représentée sur 5 la figure 1C, par exemple à base de nitrure de silicium, est déposée par PECVD à une température comprise entre environ 150 C et 400 C, sur la première couche 8. Cette couche 10 peut par exemple avoir une d'épaisseur comprise entre environ 60 nm et 80 nm.
10 Une couche de passivation 12 à base de silicium amorphe intrinsèque hydrogéné a-Si:H est déposée par PECVD sur la face arrière 6 du substrat 2 (figure 1D). L'épaisseur de cette couche de passivation 12 peut par exemple être comprise entre environ 1 nm et 15 50 nm. Une première couche sacrificielle 14 est ensuite déposée sur la couche de passivation 12, comme cela est représenté sur la figure 1E. Cette première couche sacrificielle 14 est déposée par PECVD, à une 20 température inférieure ou égale à environ 200 C afin de ne pas recristalliser le silicium amorphe préalablement déposé des couches 8 et 12. Cette première couche sacrificielle 14 peut être à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium, et/ou de nitrure de 25 silicium. Un premier masque de gravure 16 est déposé sur la première couche sacrificielle 14 (figure 1F). Ce premier masque de gravure 16 est réalisé par sérigraphie d'une pâte à base de polymère résistante à 30 l'acide et pouvant être dissoute par un solvant. L'utilisation d'un système de reconnaissance de mires 2906406 12 permet d'obtenir une excellente précision, par exemple comprises entre environ 50 pin et 100 Eun, en terme d'alignement par sérigraphie. Comme représenté sur la figure 1G, les 5 parties de la première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque de gravure 16 sont gravées au contact d'un bain d'acide fluorhydrique. Seules les parties de la première couche sacrificielle 14 se trouvant sous les motifs formés par le premier 10 masque de gravure 16 sont encore présentes. Ainsi, le motif formé par le premier masque de gravure 16 est reporté au niveau de la première couche sacrificielle 14. La couche de passivation 12 n'est pas attaquée par l'acide. Le premier masque 16 est ensuite supprimé par 15 un solvant (figure 1H). On obtient alors un premier masque sacrificiel 14. Selon une première variante, il est possible de remplacer les étapes de dépôt du premier masque de gravure 16, de gravure des parties de la 20 première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque de gravure 16 et de suppression du premier masque de gravure 16, c'est-à-dire des trois étapes représentées sur les figures 1F à 1H, par une étape de dépôt par sérigraphie d'une pâte dite HF , 25 selon un motif inverse au motif du premier masque de gravure 16, gravant directement la première couche sacrificielle après activation par chauffage (entre 130 C et 150 C) localement pour former le premier masque sacrificiel 14. Une étape de rinçage permet 30 d'éliminer les résidus de gravure et la pâte HF. Selon une seconde variante, il peut également être envisagé 2906406 13 de remplacer les étapes de dépôt de la première couche sacrificielle 14, de dépôt du premier masque de gravure 16, de gravure des parties de la première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque 5 de gravure 16 et de suppression du premier masque de gravure 16, par une étape de dépôt direct par sérigraphie d'une pâte de polymère ou d'oxyde, tel du verre d'oxyde, selon un motif identique au motif du premier masque sacrificiel 14 représenté sur la figure 10 1H. Ces variantes permettent de réduire le nombre d'étapes du procédé de réalisation de cellules photovoltaïques. Comme représenté sur la figure lI, une couche 18 de silicium amorphe dopé d'un premier type de 15 conductivité, ici N, est déposée par PECVD à température égale à environ 200 C, sur le premier masque sacrificiel 14 et sur les parties de la couche de passivation 12 non recouvertes par le premier masque sacrificiel 14. Cette couche 18 a par exemple une 20 épaisseur comprise entre environ 5 nm et 30 nm. Le premier masque sacrificiel 14 est gravé par de l'acide fluorhydrique et le silicium amorphe dopé de la couche 18 se trouvant sur le premier masque sacrificiel 14 est retiré, par exemple par lift-off 25 (décollement par élimination de la sous-couche) (figure 1J). Ainsi, des plots 20 de silicium amorphe dopé N sont formés sur la couche de silicium amorphe intrinsèque 12. Une seconde couche sacrificielle 22 (figure 30 1K) est déposée par PECVD, par exemple à une température inférieure ou égale à environ 200 C afin de 2906406 14 ne pas recristalliser le silicium amorphe préalablement déposé des couches 8 et 12 et des plots 20, sur le silicium amorphe de la couche 12 et les plots 20. Cette seconde couche sacrificielle 22 peut par exemple être à 5 base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium. Un second masque de gravure 24 est déposé sur la seconde couche sacrificielle 22, au niveau des plots 20 de silicium amorphe dopé N (figure IL). Ce 10 second masque de gravure 24 est déposé par sérigraphie d'une pâte à base de polymère résistante à l'acide et pouvant être dissoute par un solvant. Là encore, l'utilisation d'un système de reconnaissance de mires permet d'obtenir des précisions, par exemple comprises 15 entre environ 50 pin et 100 fun, en terme d'alignement par sérigraphie. Comme représenté sur la figure 1M, les parties de la seconde couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 sont 20 gravées au contact d'un bain d'acide fluorhydrique. Seules les parties de la seconde couche sacrificielle 22 se trouvant sous les motifs formés par le second masque de gravure 24 sont encore présentes. Ainsi, le motif formé par le second masque de gravure 24 est 25 reporté au niveau de la seconde couche sacrificielle 22, réalisant un second masque sacrificiel 22. La couche de passivation 12 n'est pas attaquée par l'acide. Le second masque de gravure 24 est ensuite supprimé par un solvant (figure 1N).
30 De manière analogue à la première variante expliquée ci-dessus, il est possible de remplacer les 2906406 15 étapes de dépôt du second masque de gravure 24, de gravure des parties de la seconde couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 et de suppression du second masque de gravure 24, 5 c'est-à-dire des trois étapes représentées sur les figures 1L à 1N, par une étape de dépôt par sérigraphie d'une pâte dite HF , selon un motif inverse au motif du second masque de gravure 24, gravant directement la seconde couche sacrificielle localement pour former le 10 second masque sacrificiel 22. Une étape de rinçage permet d'éliminer les résidus de gravure et la pâte HF. Selon la seconde variante, les étapes de dépôt de la seconde couche sacrificielle 22, dépôt du second masque de gravure 24, de gravure des parties de la seconde 15 couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 et de suppression du second masque de gravure 24, peuvent être remplacées par une étape de dépôt direct par sérigraphie d'une pâte à base de polymère ou d'oxyde, tel du verre d'oxyde, selon un 20 motif identique au motif du second masque sacrificiel 22 représenté sur la figure 1N. Comme représenté sur la figure 10, une couche 26 de silicium amorphe dopé d'un second type de conductivité, ici P, est déposée par PECVD à 25 température égale à environ 200 C, sur le second masque sacrificiel 22 et sur les parties de la couche de passivation 12 non recouvertes par le second masque sacrificiel 22. Cette couche 26 a par exemple une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 30 nm.
30 Le second masque sacrificiel 22 est gravé par de l'acide fluorhydrique et le silicium amorphe 2906406 16 dopé de la couche 26 se trouvant sur le second masque sacrificiel 22 est enlevé par lift-off (figure 1P). Ainsi, des plots 28 de silicium amorphe dopé P sont formés sur la couche de silicium amorphe intrinsèque 5 12. On obtient ainsi une hétérojonction formée par les plots 20, 28 de silicium amorphes N et P et le substrat 2 à base de silicium cristallin, au niveau de la face arrière de la cellule photovoltaïque 100. On réalise ensuite les métallisations de la 10 cellule solaire 100. Pour cela, on dépose sélectivement un métal 30, par exemple à base d'aluminium, et/ou de cuivre et/ou d'argent, par exemple par évaporation, à travers un masque dont le motif est sensiblement similaire au motif formé par les plots 20 et 28 de 15 silicium amorphe dopé N et P, ou tel que les métallisations déposées soit disposées sur les plots 20 et 28 (figure 1Q). La surface de métallisation déposée est de préférence la plus grande possible afin d'améliorer le confinement optique lors d'utilisation 20 d'un substrat de silicium mince (épaisseur inférieure à environ 200 m). L'épaisseur des contacts 30 peut être augmentée jusqu'à une épaisseur par exemple d'environ 20 m par un dépôt autocatalytique ou par électrodéposition (figure 1R). On obtient alors des 25 métallisations permettant une excellente conduction du courant, limitant ainsi les pertes par résistance. Les figures 2A à 2I représentent partiellement les étapes de réalisation d'une cellule photovoltaïque 200 selon un second mode de réalisation.
30 Tout d'abord, on réalise des étapes similaires à celles décrites précédemment dans le 2906406 17 premier mode de réalisation correspondant aux figures 1A à lI. On a alors le substrat 2 comportant au niveau de la face avant la première couche 8 et la couche antireflet 10, et au niveau de la face arrière la 5 couche de passivation 12 sur laquelle sont disposés les plots du premier masque sacrificiel 14 recouverts de la couche de silicium amorphe dopé N 18. On réalise alors, comme représenté sur la figure 2A, le dépôt d'une couche d'oxyde transparent 10 conducteur (ITO) 32 et de métallisations 30, par exemple par pulvérisation. Puis, on grave le premier masque sacrificiel 14, formant alors des plots 20 de silicium amorphe dopé N recouverts de la couche d'ITO 32 et des métallisations 30 (figure 2B). L'oxyde 32 et 15 les métallisations 30 se trouvant sur le premier masque sacrificiel 14 sont éliminés lors de l'étape de gravure du premier masque sacrificiel 14. De manière similaire au premier mode de réalisation et tel que représenté aux figures 2C à 2I, 20 on réalise les plots 28 de silicium amorphe dopé P. Avant l'étape d'élimination du second masque sacrificiel 22, une couche d'oxyde transparent conducteur (ITO) 32 et des métallisations 30 sont déposées (figure 2H). L'oxyde 32 et les métallisations 25 30 disposées sur le second masque sacrificiel 22 sont éliminés lors de l'étape de gravure du second masque sacrificiel 22, l'oxyde 32 et les métallisations 30 ne subsistant que sur les plots 28 de silicium amorphe dopé P.
30 Les première et seconde variantes décrites précédemment pour le premier mode de réalisation 2906406 18 peuvent également s'appliquer à ce second mode de réalisation. 5
Claims (14)
1. Procédé de réalisation de cellule photovoltaïque (100, 200), comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation (12) à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face (6) arrière d'un substrat (2) à base d'au moins un semi-conducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation (12) d'un premier masque sacrificiel (14) comportant au moins une ouverture traversante, c) dépôt d'une couche (18, 20) de semi-15 conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité au moins dans l'ouverture, d) suppression du premier masque sacrificiel (14), laissant subsister, au niveau de l'ouverture du premier masque sacrificiel (14), au 20 moins un plot (20) de semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité.
2. Procédé selon la revendication 1, comportant, avant l'étape a) de dépôt de la couche de 25 passivation (12), une étape de dépôt d'une couche (8) à base d'au moins un semi-conducteur amorphe sur une face (4) avant du substrat (2) opposée à la face arrière (6) du substrat (2). 30
3. Procédé selon la revendication 2, comportant après l'étape de dépôt de la couche (8) à 2906406 20 base de semi-conducteur amorphe sur la face avant (4) du substrat (2), une étape de dépôt d'une couche antireflet (10) sur ladite couche (8) à base de semi-conducteur amorphe. 5
4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant les étapes de : -dépôt d'une première couche sacrificielle 10 (14) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'un premier masque de gravure (16) selon un motif similaire au motif du 15 premier masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la première couche sacrificielle non recouvertes par le premier masque de gravure (16), les parties restantes de la première couche sacrificielle formant le premier 20 masque sacrificiel (14), - suppression du premier masque de gravure (16).
5. Procédé selon l'une des revendications 25 1 à 3, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant les étapes de : -dépôt d'une première couche sacrificielle (14) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de 30 passivation, 2906406 21 - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du premier masque sacrificiel, formant dans la première couche sacrificielle le premier masque sacrificiel (14). 5
6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base de polymère et/ou d'oxyde formant le 10 premier masque sacrificiel (14).
7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre après l'étape d), les étapes de : e) réalisation par sérigraphie d'un second masque sacrificiel (22), le second masque sacrificiel (22) recouvrant au moins le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité (20), f) dépôt, dans au moins un motif formé par le second masque sacrificiel (22), d'une couche (26, 28) de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, g) suppression du second masque sacrificiel (22), laissant subsister, au niveau du motif du second masque sacrificiel (22), au moins un plot (28) de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité. 2906406 22
8. Procédé selon la revendication 7, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle 5 (22) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, -dépôt par sérigraphie d'un second masque de gravure (24) selon un motif similaire au motif du 10 second masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la seconde couche sacrificielle non recouvertes par le second masque de gravure (24), les parties restantes de la seconde couche sacrificielle formant le second 15 masque sacrificiel (22), -suppression du second masque de gravure (24).
9. Procédé selon la revendication 7, 20 l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle (22) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de 25 passivation, -dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du second masque sacrificiel, formant dans la seconde couche sacrificielle le second masque sacrificiel (22). 2906406 23
10. Procédé selon la revendication 7, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base de polymère et/ou d'oxyde formant le second masque 5 sacrificiel (22).
11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, comportant avant l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel (22), une étape de dépôt de 10 métallisations (30).
12. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, comportant après l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel (22), une étape de dépôt de 15 métallisations (30) sur le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité (20) et sur le semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité (28) par évaporation et/ou pulvérisation à travers un masque métallique. 20
13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant avant l'étape d) de suppression du premier masque sacrificiel (14), une étape de dépôt de métallisations (30). 25
14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, comportant en outre, avant la ou les étapes de dépôt de métallisations (30), une étape de dépôt par pulvérisation d'oxyde transparent conducteur (32) sur 30 le semi-conducteur amorphe dopé (20, 28), les 2906406 24 métallisations (30) étant ensuite déposées sur l'oxyde transparent conducteur (32). 5
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0653943A FR2906406B1 (fr) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. |
EP07803574A EP2067174A2 (fr) | 2006-09-26 | 2007-09-21 | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere |
US12/442,853 US7972894B2 (en) | 2006-09-26 | 2007-09-21 | Method of producing a photovoltaic cell with a heterojunction on the rear face |
PCT/EP2007/060016 WO2008037658A2 (fr) | 2006-09-26 | 2007-09-21 | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere |
JP2009528733A JP2010504636A (ja) | 2006-09-26 | 2007-09-21 | 背面ヘテロ接合太陽電池製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0653943A FR2906406B1 (fr) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2906406A1 true FR2906406A1 (fr) | 2008-03-28 |
FR2906406B1 FR2906406B1 (fr) | 2008-12-19 |
Family
ID=37963592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0653943A Active FR2906406B1 (fr) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7972894B2 (fr) |
EP (1) | EP2067174A2 (fr) |
JP (1) | JP2010504636A (fr) |
FR (1) | FR2906406B1 (fr) |
WO (1) | WO2008037658A2 (fr) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2996163A3 (fr) * | 2008-12-24 | 2016-04-06 | Intellectual Keystone Technology LLC | Dispositif de conversion photoélectrique et son procédé de fabrication |
CN114883424A (zh) * | 2022-05-25 | 2022-08-09 | 中国科学院电工研究所 | 一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070169808A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Kherani Nazir P | Solar cell |
KR101142861B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2012-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US7927910B2 (en) * | 2009-06-28 | 2011-04-19 | Sino-American Silicon Products Inc. | Manufacturing method of solar cell |
KR101146736B1 (ko) | 2009-09-14 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
US9012766B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-04-21 | Silevo, Inc. | Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells |
KR20110071375A (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-29 | 현대중공업 주식회사 | 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 |
US8524524B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-03 | General Electric Company | Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells |
US9214576B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-12-15 | Solarcity Corporation | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices |
US20120012170A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-19 | Institutt For Energiteknikk | Processed silicon wafer, silicon chip, and method and apparatus for production thereof |
US9773928B2 (en) | 2010-09-10 | 2017-09-26 | Tesla, Inc. | Solar cell with electroplated metal grid |
US9800053B2 (en) | 2010-10-08 | 2017-10-24 | Tesla, Inc. | Solar panels with integrated cell-level MPPT devices |
WO2012132616A1 (fr) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 三洋電機株式会社 | Procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique |
JP5842173B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-01-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
WO2012132766A1 (fr) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 三洋電機株式会社 | Dispositif de conversion photoélectrique et son procédé de fabrication |
GB2491209B (en) * | 2011-05-27 | 2013-08-21 | Renewable Energy Corp Asa | Solar cell and method for producing same |
US9054256B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-06-09 | Solarcity Corporation | Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application |
CN102214719B (zh) * | 2011-06-10 | 2013-05-01 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 基于n型硅片的背接触异质结太阳电池 |
JP6048940B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2016-12-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
KR20130050721A (ko) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
US20130146136A1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-06-13 | Kyoung-Jin Seo | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
JP2013125890A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
US20130157409A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Kaushik Vaidya | Selective atomic layer deposition of passivation layers for silicon-based photovoltaic devices |
KR101948206B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2019-02-14 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 태양 전지와, 이의 제조 방법 |
JP6032911B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-11-30 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2013145008A1 (fr) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 三菱電機株式会社 | Elément photovoltaïque, procédé de fabrication de celui-ci et module à cellules solaires |
CN104137269B (zh) * | 2012-05-14 | 2016-12-28 | 三菱电机株式会社 | 光电变换装置及其制造方法、光电变换模块 |
JP6103867B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-03-29 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
JP2014072209A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Sharp Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
MX351564B (es) | 2012-10-04 | 2017-10-18 | Solarcity Corp | Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metálicas galvanizadas. |
US9865754B2 (en) | 2012-10-10 | 2018-01-09 | Tesla, Inc. | Hole collectors for silicon photovoltaic cells |
US10074755B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-09-11 | Tesla, Inc. | High efficiency solar panel |
WO2014110520A1 (fr) | 2013-01-11 | 2014-07-17 | Silevo, Inc. | Fabrication de modules de piles photovoltaïques à électrodes à faible résistivité |
JP2014158017A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Sharp Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
JP2014183073A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Sharp Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
WO2014157525A1 (fr) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | シャープ株式会社 | Élément de conversion photoélectrique |
WO2014162979A1 (fr) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | シャープ株式会社 | Dispositif de conversion photoélectrique |
US9624595B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-04-18 | Solarcity Corporation | Electroplating apparatus with improved throughput |
KR102045001B1 (ko) * | 2013-06-05 | 2019-12-02 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US9577134B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap |
WO2015122257A1 (fr) * | 2014-02-13 | 2015-08-20 | シャープ株式会社 | Élément de conversion photoélectrique |
US20150270421A1 (en) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Advanced Back Contact Solar Cells |
JPWO2015189878A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2017-04-20 | 国立大学法人福島大学 | 太陽電池及びその製造方法 |
US10309012B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-06-04 | Tesla, Inc. | Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing |
EP3170209B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2018-12-12 | Tesla, Inc. | Cellule solaire à contact arrière interdigité |
WO2016072415A1 (fr) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | シャープ株式会社 | Élément de conversion photoélectrique |
US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
US9947822B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-04-17 | Tesla, Inc. | Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells |
WO2016147565A1 (fr) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Cellule de batterie solaire |
KR101689471B1 (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-26 | 한양대학교 산학협력단 | 금속 칼코겐 화합물 박막 및 그 제조 방법 |
DE102015112046A1 (de) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren zur Herstellung einseitig angeordneter strukturierter Kontakte in einer Schichtanordnung für ein photovoltaisches Bauelement |
US9761744B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-12 | Tesla, Inc. | System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer |
US9842956B2 (en) | 2015-12-21 | 2017-12-12 | Tesla, Inc. | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures |
CN105449042A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 钝化发射极背表面电池的制备方法 |
US9496429B1 (en) | 2015-12-30 | 2016-11-15 | Solarcity Corporation | System and method for tin plating metal electrodes |
US10115838B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | Photovoltaic structures with interlocking busbars |
US10672919B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-06-02 | Tesla, Inc. | Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
JP7053892B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-04-12 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
JP7274899B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-05-17 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
KR102365141B1 (ko) * | 2019-09-17 | 2022-02-21 | 울산과학기술원 | 공극을 포함하는 투명 태양전지 및 이의 제조방법 |
JP7458834B2 (ja) | 2020-03-12 | 2024-04-01 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5134090A (en) * | 1982-06-18 | 1992-07-28 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating patterned epitaxial silicon films utilizing molecular beam epitaxy |
US6500731B1 (en) * | 1999-09-22 | 2002-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor device module |
WO2003083955A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Ebara Corporation | Element photovoltaique et procede de fabrication |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292485A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
US5053083A (en) * | 1989-05-08 | 1991-10-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Bilevel contact solar cells |
US5213628A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JP3203078B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
JPH06204532A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Canon Inc | 太陽電池のグリッド電極の製造方法 |
DE19910816A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-10-05 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern |
JP4169463B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
ATE368302T1 (de) * | 2001-11-26 | 2007-08-15 | Shell Solar Gmbh | Solarzelle mit rückseite-kontakt und herstellungsverfahren dazu |
JP3902534B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2007-04-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置及びその製造方法 |
US7170001B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
JP4155899B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2008-09-24 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
FR2880989B1 (fr) | 2005-01-20 | 2007-03-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee |
US7860841B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-12-28 | Sap Ag | Method and apparatus to support mass changes to business objects in an integrated computer system |
US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
FR2906405B1 (fr) * | 2006-09-22 | 2008-12-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de regions dopees dans un substrat et de cellule photovoltaique |
WO2009052511A2 (fr) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Belano Holdings, Ltd. | Piles solaires à monosilicium |
US8779280B2 (en) * | 2009-08-18 | 2014-07-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
-
2006
- 2006-09-26 FR FR0653943A patent/FR2906406B1/fr active Active
-
2007
- 2007-09-21 EP EP07803574A patent/EP2067174A2/fr not_active Withdrawn
- 2007-09-21 WO PCT/EP2007/060016 patent/WO2008037658A2/fr active Application Filing
- 2007-09-21 JP JP2009528733A patent/JP2010504636A/ja active Pending
- 2007-09-21 US US12/442,853 patent/US7972894B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5134090A (en) * | 1982-06-18 | 1992-07-28 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating patterned epitaxial silicon films utilizing molecular beam epitaxy |
US6500731B1 (en) * | 1999-09-22 | 2002-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor device module |
WO2003083955A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Ebara Corporation | Element photovoltaique et procede de fabrication |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2996163A3 (fr) * | 2008-12-24 | 2016-04-06 | Intellectual Keystone Technology LLC | Dispositif de conversion photoélectrique et son procédé de fabrication |
CN114883424A (zh) * | 2022-05-25 | 2022-08-09 | 中国科学院电工研究所 | 一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法 |
CN114883424B (zh) * | 2022-05-25 | 2023-11-21 | 中国科学院电工研究所 | 一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2067174A2 (fr) | 2009-06-10 |
US7972894B2 (en) | 2011-07-05 |
WO2008037658A2 (fr) | 2008-04-03 |
US20100087031A1 (en) | 2010-04-08 |
FR2906406B1 (fr) | 2008-12-19 |
JP2010504636A (ja) | 2010-02-12 |
WO2008037658A3 (fr) | 2008-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2906406A1 (fr) | Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere. | |
EP1839341B1 (fr) | Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee | |
EP1903617B1 (fr) | Procédé de réalisation de régions dopées dans un substrat et de cellules photovoltaïques | |
AU2015210421B9 (en) | Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell | |
US9466750B2 (en) | Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell | |
US8679889B2 (en) | Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell | |
EP1903615B1 (fr) | Procédé de métallisation de cellules photovoltaïques à multiples recuits | |
US20130233378A1 (en) | High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using semiconductor wafers | |
US20100147368A1 (en) | Photovoltaic cell with shallow emitter | |
CA2683524A1 (fr) | Cellule photovoltaique a emetteur peu profond | |
JP2010129872A (ja) | 太陽電池素子 | |
EP1618611B1 (fr) | Procede de realisation d un dispositif semi-conducteur a met allisations auto-alignees. | |
CN111742416B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
WO2016203013A1 (fr) | Procede de realisation d'une cellule photovoltaique a heterojonction | |
EP3314670A1 (fr) | Procede d'isolation des bords d'une cellule photovoltaique a heterojonction | |
FR2878374A1 (fr) | Cellule solaire a heterojonction et a metallisation enterree | |
EP2876689B1 (fr) | Procédé de formation d'une cellule photovoltaïque | |
WO2009150741A1 (fr) | Procédé de fabrication de dispositif photovoltaïque | |
FR2994767A1 (fr) | Procede de realisation de contacts electriques d'un dispositif semi-conducteur | |
EP4199122A1 (fr) | Cellule photovoltaïque a contacts passives et a revêtement antireflet | |
EP4336569A1 (fr) | Cellule photovoltaique a contacts passives en double face et comportant des portions d'otc localisées sous les métallisations avant |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |