ES2565681T3 - Método para fabricar un cuerpo hueco hecho de plástico que tiene una capa de barrera en su superficie interior - Google Patents
Método para fabricar un cuerpo hueco hecho de plástico que tiene una capa de barrera en su superficie interior Download PDFInfo
- Publication number
- ES2565681T3 ES2565681T3 ES07711926.1T ES07711926T ES2565681T3 ES 2565681 T3 ES2565681 T3 ES 2565681T3 ES 07711926 T ES07711926 T ES 07711926T ES 2565681 T3 ES2565681 T3 ES 2565681T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- hollow body
- regions
- fluoride
- preform
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 41
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 239000002828 fuel tank Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 38
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004483 ATR-FTIR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-ene Chemical compound CC(C)(C)C=C PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- YPDSOAPSWYHANB-UHFFFAOYSA-N [N].[F] Chemical compound [N].[F] YPDSOAPSWYHANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008366 buffered solution Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007347 radical substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical group 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/24—Lining or labelling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F14/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F14/18—Monomers containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/126—Halogenation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J9/00—Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof
- C08J9/22—After-treatment of expandable particles; Forming foamed products
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C49/48—Moulds
- B29C49/4823—Moulds with incorporated heating or cooling means
- B29C2049/4825—Moulds with incorporated heating or cooling means for cooling moulds or mould parts
- B29C2049/483—Moulds with incorporated heating or cooling means for cooling moulds or mould parts in different areas of the mould at different temperatures, e.g. neck, shoulder or bottom
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/02—Combined blow-moulding and manufacture of the preform or the parison
- B29C49/04—Extrusion blow-moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C49/4273—Auxiliary operations after the blow-moulding operation not otherwise provided for
- B29C49/42828—Coating or painting the article
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C49/48—Moulds
- B29C49/4823—Moulds with incorporated heating or cooling means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2009/00—Layered products
- B29L2009/005—Layered products coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/712—Containers; Packaging elements or accessories, Packages
- B29L2031/7172—Fuel tanks, jerry cans
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
- Y10T428/1352—Polymer or resin containing [i.e., natural or synthetic]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Blow-Moulding Or Thermoforming Of Plastics Or The Like (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
Método para la producción de un cuerpo hueco hecho de plástico que tiene una superficie interior fluorada, que presenta un efecto barrera localmente selectivo, por el hecho de que en una o más regiones definidas de la superficie interior, la ocupación de flúor se desvía de la ocupación media de flúor en al menos ± 10 %, preferiblemente en al menos ± 30 %, y más preferiblemente en al menos ± 50 %, que comprende las siguientes etapas del método: - extrusión de una preforma a partir de un termoplástico, - soplado de la preforma para dar un cuerpo hueco dentro de un molde soporte enfriado cerrado, con un fluido de manera que el cuerpo hueco llene los contornos interiores del molde soporte, y - llenado del cuerpo hueco con un gas que contiene flúor durante el proceso de refrigeración, en donde: (i) - la anchura de la abertura del troquel de extrusión se varía de manera que una o más zonas definidas de la preforma tengan diferentes espesores de la pared predeterminados; - por lo cual durante dicho soplado de la preforma los espesores de la pared se aumentan o reducen en una o más regiones definidas del cuerpo hueco y de este modo la refrigeración de la superficie interior en dichas regiones definidas se efectúa más lentamente o más rápidamente, y el flúor se incorpora en las regiones definidas de la superficie interior en mayor o menor medida, debido a las temperaturas más altas o más bajas de las regiones definidas. o (j) - la refrigeración se reduce en una o más zonas definidas del molde soporte y la refrigeración de aquellas regiones de la superficie interior del cuerpo hueco que son congruentes con estas zonas, tiene lugar más lentamente, el flúor se incorpora por lo tanto en mayor medida en las regiones congruentes de la superficie interior debido a las temperaturas más altas de las regiones congruentes.
Description
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
DESCRIPCION
Metodo para fabricar un cuerpo hueco hecho de plastico que tiene una capa de barrera en su superficie interior
La invencion se refiere a un metodo para la produccion de un cuerpo hueco hecho de plastico, cuya superficie interior tiene un recubrimiento con un efecto barrera localmente selectivo.
El uso de plasticos para la produccion de recipientes para gases y llquidos industriales esta limitado, entre otras cosas, por la permeacion de los gases, vapores y disolventes a traves de la pared del recipiente. Una posibilidad de reducir la permeacion a traves de la pared del recipiente hecho de plastico es el recubrimiento de la superficie interior del recipiente con una capa de barrera que inhibe la permeacion.
Se utilizan varios metodos para la formacion de capas de barrera hechas de plastico, que inhiben la permeacion, tales como, por ejemplo, fluoracion, recubrimiento, coextrusion y el tratamiento de la superficie con resinas de capa de barrera.
En la fluoracion, la superficie del pollmero es sometida al ataque por fluor elemental. Para los cuerpos huecos hechos de plastico, ha demostrado ser particularmente util la fluoracion en fase gaseosa en la que un gas de tratamiento que contiene fluor actua brevemente sobre la superficie interior del cuerpo hueco. En el caso mas sencillo, por ejemplo, en el caso de un cuerpo hueco hecho de polietileno, se produce una sustitucion de radicales libres por etapas de los enlaces CH por los enlaces CF.
La fluoracion de las superficies de los plasticos no solo influye en el comportamiento de permeacion en un alto grado, sino que tambien son influenciadas la resistencia a la abrasion, la estabilidad qulmica, termica y mecanica, el comportamiento de adhesion y la humectabilidad.
El documento DE 35 11 743 A1 describe un metodo para la fabrication de un cuerpo hueco que tiene una superficie interior fluorada, en el cual una preforma que comprende un termoplastico es extruida a traves de un troquel extrusor anular y despues soplada para dar un cuerpo hueco dentro de un molde soporte cerrado, utilizando un gas de tratamiento que contiene fluor de tal manera que el cuerpo hueco llena los contornos interiores del molde soporte. Se especifica aqul un cierto perlodo de tiempo durante el cual el gas de tratamiento que contiene fluor permanece en el cuerpo hueco y actua sobre la superficie interior del mismo. Una vez transcurrido el tiempo de action especificado, el cuerpo hueco se lava con un gas inerte y se retira el molde soporte. Este metodo se denomina fluoracion en llnea puesto que la fluoracion y la fabricacion del cuerpo hueco tienen lugar simultaneamente.
Ademas, los documentos DE 24 01 948 Al y DE 26 44 508 A1 presentan metodos para la llamada fluoracion fuera de llnea en los que se lleva a cabo una fluoracion en fase gaseosa sobre cuerpos huecos o modelados acabados hechos de plastico.
Dependiendo de las condiciones de reaction de la fluoracion, se producen capas fluoradas que tienen estructuras muy diferentes. Para conseguir ciertos efectos de superficie ventajosos y reproducibles de forma unica, es de considerable importancia para el comportamiento del material, el cumplimiento exacto de ciertos parametros de estructura de una superficie fluorada. Estos son principalmente el espesor de la capa, la uniformidad de ocupacion del fluor, la distribution de los grupos CHF, CF2 y CF3 y el perfil de profundidad. Ademas, se debe tener en cuenta la diferente reactividad de superficie de muchos plasticos, que ocasionalmente varla incluso de lote a lote. Por lo tanto, se requieren el mantenimiento y la selection de ciertas condiciones de reaccion para la formacion de capas fluoradas definidas.
En la fluoracion en fase gaseosa segun la tecnica anterior, se producen capas de barrera cuya ocupacion media de fluor esta determinada por los parametros del proceso, pero la ocupacion local de fluor puede variar de una manera incontrolada alrededor de la ocupacion media de fluor. Por ejemplo, surgen tales variaciones si el gas de tratamiento que contiene fluor fluye dentro del cuerpo hueco y zonas con baja turbulencia del gas. Debido a la insuficiente turbulencia de gas, el reemplazo del gas de tratamiento gastado por gas de tratamiento fresco y por lo tanto la alimentation de fluor se ven obstaculizados de manera que la superficie de plastico es ocupada con fluor en menor grado en estas areas. Mediante etapas del metodo adecuado, tales como el llenado alternativo del cuerpo hueco con gas de tratamiento que contiene fluor y con gas de lavado inerte, se pueden reducir dichas variaciones locales de la ocupacion de fluor. Sin embargo, estas medidas dan lugar a mayor complejidad y mayores costes.
Ademas, es deseable para diversas aplicaciones industriales que aquellas regiones de un recipiente que esten sometidas a una carga alta tengan mejor efecto barrera. Un ejemplo tlpico de esto es la region de retroceso de un deposito de combustible, a traves de la cual fluyen grandes cantidades de combustible en operation normal. Con el fin de asegurar el efecto barrera requerido en las regiones sometidas a carga alta, los parametros del proceso, tales como el contenido en fluor, la duration de accion y la temperatura del gas de tratamiento que contiene fluor se regulan en la fluoracion en fase gaseosa de manera que la ocupacion media de fluor en todo el deposito de combustible alcance o supere el valor requerido en las regiones sometidas a carga alta. Aquellas regiones del
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
deposito de combustible que estan sometidas a una carga inferior se proporcionan con una ocupacion de fluor que en parte supera considerablemente el grado requerido.
Los cuerpos huecos hechos de plastico que tienen una superficie interior fluorada que son conocidos en la tecnica anterior tienen la desventaja de que la ocupacion media de fluor tiene un alto valor y que la ocupacion de fluor local varla de una manera incontrolada. Los procedimientos de produccion asociados tienen las desventajas de un mayor uso de fluor y/o de una mayor duracion del procedimiento.
Se puede hacer referencia tambien a los siguientes documentos que ilustran la tecnica anterior de este campo tecnico: EP-568 135, US-3 647 613, US-3 862 284, US-4 861, 250, US-5 244 615, y JP-633 19 119, pero como se ha mencionado antes, ninguno de estos documentos ensena condiciones que permitan una fluoracion selectiva para diferentes zonas del cuerpo hueco.
Por consiguiente, es el objetivo de la invencion proporcionar un metodo que permita la produccion de un cuerpo hueco hecho de plastico que tiene una superficie interior con un efecto barrera localmente selectivo.
Este objetivo se consigue por el metodo segun la reivindicacion 1, indicado mas adelante en esta memoria.
El desarrollo adicional de la invencion es evidente a partir de las caracterlsticas de las reivindicaciones 2 a 8.
La invencion se describe en mas detalle a continuacion con referencia a las figuras y sobre la base de ejemplos de trabajo.
La Figura 1a muestra una vista esquematica de una region definida,
La Figura 1b muestra esquematicamente la ocupacion de fluor en el borde de la region definida, y La Figura 2 muestra un grafico con los valores medidos de los ejemplos de trabajo 1 a 4.
La Figura 1a muestra esquematicamente una seccion 1 de la pared de un cuerpo hueco que tiene una superficie 2 interior fluorada y una region definida 3, estando rodeada la region definida 3 por una zona de borde 4 de una anchura 5. La anchura 5 de la zona de borde 4 puede variar a lo largo de la circunferencia de la region definida 3.
La Figura 1b muestra esquematicamente la curva de ocupacion de fluor 6 en la zona del borde 4, designando el numero 7 la disminucion o el aumento de la ocupacion de fluor 6 sobre la anchura 5 de la zona del borde 4.
El cuerpo hueco hecho de plastico, producido segun la invencion, tiene una superficie interior fluorada 2, desviandose la ocupacion de fluor de la ocupacion media de fluor en al menos ± 10 % en una o mas regiones definidas 3 de la superficie interior 2. En una realizacion preferida de la invencion, la ocupacion de fluor en las regiones definidas se desvla del valor medio en al menos ± 30 %, en particular en al menos ± 50 %.
Ademas, las regiones definidas 3 estan rodeadas por una zona de borde 4 en la cual la ocupacion de fluor 6 muestra un aumento o disminucion monotonico continuo. La anchura 5 de la zona de borde es de 1 a 15 mm y puede variar a lo largo de la circunferencia de la region definida 3. Aqul y en lo que sigue, el cociente de aumento/disminucion de la ocupacion de fluor 7 y la anchura 5 de la zona de borde 4 se designa como gradiente de borde de la ocupacion de fluor. El gradiente de borde se expresa en la unidad de %.cm-1 (tanto por ciento de aumento/disminucion de la ocupacion de fluor por cm), estando basado el porcentaje indicado en la ocupacion media de fluor (= 100 %).
Segun la invencion, las regiones definidas 3 de la superficie interior se delimitan de su entorno por una zona de borde 4 que tiene una anchura de 1 a 15 mm, siendo el gradiente de borde de la ocupacion de fluor, basado en la ocupacion media de fluor de la superficie interior, mayor que o igual a 6 % cm-1, en particular mayor que o igual a 20 % cm-1 y particularmente preferiblemente mayor que o igual a 33 % cm-1.
La ocupacion media de fluor y el espesor de la pared del cuerpo hueco segun la invencion son de 5 a 120 pg/cm2 y de 0,5 a 20 mm, respectivamente.
En una realizacion preferida de la invencion, el espesor de la pared y la ocupacion de fluor en las regiones mencionadas anteriormente varlan de una manera correlacionada de modo que las regiones que tienen un espesor de pared grande tienen una alta ocupacion de fluor y viceversa, como es evidente a partir de los valores numericos de los ejemplos 1-4.
El cuerpo hueco preferiblemente consiste en un termoplastico. Los termoplasticos son moldeables a su temperatura especlfica de reblandecimiento; consisten en pollmeros y copollmeros de poliestireno, poliacrilonitrilo, cloruro de polivinilo y poliolefinas. Las mezclas termoplasticas preferiblemente utilizadas son pollmeros de poliolefinas o copollmeros de los siguientes monomeros: etileno, propileno, 1-buteno, 1-penteno, 4-metil-1-penteno, 3-metil-1- buteno y 3,3-dimetil-1-buteno. Estas mezclas pueden contener tambien opcionalmente constituyentes tales como pigmentos, cargas, agentes mateantes, plastificantes, retardantes de llama, agentes antiestaticos y otros materiales
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
conocidos para influir en las propiedades flsicas y qulmicas del producto termoplastico acabado. Estas mezclas pueden contener tambien otros plasticos mezclados con una poliolefina.
En particular, el cuerpo hueco segun la invencion esta en la forma de un deposito de combustible.
Los metodos segun la invencion para la produccion de un cuerpo hueco hecho de plastico, cuya superficie interior tiene un recubrimiento que tiene un efecto barrera localmente selectivo, se basan en la fluoracion en fase gaseosa en los modos en llnea y fuera de llnea. Aqul, el cuerpo hueco se llena con un gas de tratamiento que tiene un contenido de fluor de 0,1 a 25 % en volumen una vez o varias veces durante un cierto tiempo de accion - en el intervalo de unos segundos a una hora. La temperatura del gas de tratamiento se ajusta entre -120 °C y 35 °C, dependiendo del contenido de fluor, del tiempo de accion, de la temperatura de la pared del cuerpo hueco y de la ocupacion media de fluor deseada sobre la superficie interior. Una vez transcurrido el tiempo de reaccion, el cuerpo hueco se lava con un gas inerte con el fin de eliminar el gas de tratamiento que contiene fluor, y opcionalmente se repite el procedimiento. La reaccion del fluor elemental presente en el gas de tratamiento con el plastico de la superficie interior del cuerpo hueco es altamente exotermica y puede dar lugar a la combustion del plastico cuando se sobrepasan los parametros crlticos de proceso. Este efecto desventajoso se contrarresta por medio de refrigeracion del cuerpo hueco y/o del gas de tratamiento.
Ademas de fluor, el gas de tratamiento contiene sustancialmente un gas inerte, tal como nitrogeno, argon, helio y similares. Opcionalmente, se anaden al gas de tratamiento aditivos tales como oxlgeno, monoxido de carbono y dioxido de carbono o mezclas de estos gases, para mejorar la colorabilidad y el efecto barrera con respecto al aceite, y se anaden cloro y bromo y mezclas de estos gases a dicho gas de tratamiento para reducir la inflamabilidad.
El Indice de sustitucion de la reaccion qulmica que lleva a la incorporacion de fluor en el plastico de la superficie interior del cuerpo hueco depende sustancialmente de la temperatura y de la concentracion de fluor. La reaccion tiene lugar mas rapidamente y el Indice de sustitucion aumenta al aumentar la temperatura y la activacion, respectivamente. Reclprocamente, resulta un Indice de sustitucion mas alto con un aumento de la temperatura, debido al curso exotermico de la reaccion. Una condicion previa para el mantenimiento de la reaccion es el suministro de fluor elemental. Si la temperatura cae por debajo de un cierto valor, la reaccion qulmica tiene lugar muy lentamente y el Indice de sustitucion tiende a cero, incluso con un suministro suficiente de fluor.
El metodo segun la invencion para la produccion de un cuerpo hueco hecho de plastico que tiene una superficie interior fluorada por medio de fluoracion en fase gaseosa utiliza la dependencia de la temperatura de la reaccion qulmica entre el fluor y el plastico.
Segun uno de los modos de implementation de la invencion, el metodo segun la invencion se lleva a cabo mediante extrusion soplado con fluoracion en llnea. En primer lugar, es extruida una preforma a partir de un termoplastico, variando la anchura de la abertura del troquel de extrusion de manera que una o mas zonas definidas de la preforma tengan diferentes espesores de pared predeterminados. A partir de entonces, la preforma se sopla en primer lugar con un fluido - preferiblemente nitrogeno - para dar un cuerpo hueco dentro de un molde soporte enfriado cerrado de manera que el cuerpo hueco llene los contornos interiores del molde soporte, aumentando o reduciendo el espesor de la pared en una o mas regiones definidas del cuerpo hueco y efectuando la refrigeracion de la superficie interior mas lentamente o mas rapidamente. Despues del modelado y antes del final del proceso de refrigeracion, el cuerpo hueco se llena completamente con el gas que contiene fluor, incorporandose el fluor en las regiones definidas de la superficie interior en mayor o menor medida debido a las temperaturas mas altas o mas bajas. El espesor de la pared de la preforma y por lo tanto del cuerpo hueco se ajusta de una manera controlada variando la anchura de la abertura del troquel de extrusion por medio de elementos finales de control dirigidos por ordenador durante la extrusion de la preforma. Para este fin se utiliza con frecuencia un cabezal de extrusion cuyo troquel exterior es fijo mientras que el mandril interior, que tiene una superficie lateral de forma especial, es ajustable verticalmente. Durante la extrusion, el mandril se mueve verticalmente, con el resultado de que la anchura de la abertura entre el troquel exterior y el mandril interior cambia. Se utilizan cabezales de extrusion que tienen ajuste combinado de la anchura de la abertura axial y radial para la produccion de perfiles de espesor de pared complejos. El molde soporte consiste tlpicamente en dos bloques solidos de aluminio, estando cortada en cada uno de los bloques una mitad del molde exterior del cuerpo hueco a producir. Ademas, los bloques tienen una multiplicidad de perforaciones a traves de las cuales pasa el agua, que tiene una temperatura en el intervalo de 5 a 15 °C, para refrigeracion.
Segun uno de los modos de implementacion de la invencion de la extrusion por soplado con fluoracion en llnea, una preforma que comprende un termoplastico es extruida y soplada en primer lugar con un fluido - preferiblemente nitrogeno - para dar un cuerpo hueco dentro de un molde soporte enfriado cerrado de manera que el cuerpo hueco llena los contornos interiores del molde soporte, reduciendo la refrigeracion en una o mas zonas definidas del molde soporte y realizando mas lentamente la refrigeracion de aquellas regiones de la superficie interior del cuerpo hueco que son congruentes con estas zonas. Despues del modelado y antes del final del proceso de refrigeracion, el cuerpo hueco se llena completamente con un gas que contiene fluor, siendo incorporado el fluor en mayor medida a las regiones congruentes de la superficie interior debido a las temperaturas mas altas de las regiones congruentes.
5
10
15
20
25
30
35
Con el fin de influir en la refrigeracion del cuerpo hueco de una manera controlada, las zonas definidas de los contornos interiores del molde soporte se recubren con una pintura termicamente aislante. Como resultado, en las zonas definidas, la transferencia de calor desde el cuerpo hueco al molde soporte se reduce y la refrigeracion del cuerpo hueco se hace mas lenta. Alternativamente, la refrigeracion se reduce reduciendo la cantidad de agua de refrigeracion que fluye a traves del molde soporte en las zonas definidas. Para este fin, el suministro de agua de refrigeracion se estrangula localmente o se reduce el numero y/o la seccion transversal de las perforaciones de refrigeracion en el molde soporte.
Ejemplos
Los siguientes ejemplos 1 a 4 explican la invencion. En particular, se describe la relacion entre el espesor de la pared y la ocupacion de fluor. Para los ejemplos 1 a 4, se produjo en cada caso, un deposito de combustible de plastico (PFT) que tiene una superficie interior fluorada, mediante extrusion soplado y fluoracion en llnea. El termoplastico utilizado era HDPE negro (Lupolen 4261 A SW 63200 de Basell N.V.) que tiene una densidad de 1,000 g/cm3. En contraste con la extrusion soplado con fluoracion en llnea conocida en la tecnica anterior, se vario la anchura de la abertura del troquel de extrusion durante la extrusion de la preforma de manera que los depositos de combustible de plastico modelados tuvieran una pluralidad de regiones definidas con diferentes espesores de pared predeterminados en el intervalo de 4,4 a 7,3 mm. Las preformas extruidas se soplaron con nitrogeno en un molde soporte refrigerado por agua. Despues de la conformacion de los depositos de combustible de plastico, se efectuo la fluoracion en llnea con una mezcla gaseosa de fluor-nitrogeno con contenidos de fluor entre 1 y 2,5 % en volumen a una presion de 980 kPa y en tiempos de tratamiento de 15 a 25 segundos.
Para determinar la ocupacion de fluor, se sacaron por perforacion de los depositos de combustible de plastico producidos, piezas de ensayo con una superficie interior fluorada de aproximadamente 0,2 cm2 y se analizaron qulmicamente utilizando un Analizador de fluoruro Modelo 9000 F de Antek Instruments, que opera segun el siguiente metodo: combustion del volumen de muestra en una corriente de oxlgeno a una temperatura de 1050 °C, siendo convertidos cuantitativamente los compuestos organicos de fluor en fluoruro de hidrogeno; precipitation del gas HF formado en la combustion en una solution tamponada, y medida del contenido de fluoruro de la solution obtenida por medio de un electrodo sensible a iones.
El espesor de la pared de las piezas de ensayo se determino antes de la perforacion de los depositos de combustible de plastico por medio de ultrasonidos.
Se midieron los gradientes de la ocupacion de fluor por medio de espectroscopia de fotoelectrones (PSE/ESCA) y espectroscopia infrarroja con transformada de Fourier de reflexion total (ATR-FTIR. Para la calibration de los valores relativos medidos por PES/ATR-FTIR, se midio una muestra de referencia con una ocupacion de fluor homogenea por PES/ATR-FTIR, y se determino despues cuantitativamente la ocupacion de fluor utilizando el Analizador de fluoruro.
Tabla 1
- Ejemplo
- Espesor de la pared [mm] Ocupacion de fluor [pg.cm-2] Ocupacion media de fluor [pg.cm-2] Ocupacion de fluor/espesor de la pared* [pg.cm"2/mm]
- 1
- 4,4 36 48 22
- 4,9
- 38
- 5,3
- 44
- 6,4
- 51
- 6,7
- 71
- 2
- 4,4 46 68 13
- 5,5
- 59
- 6,0
- 74
- 6,4
- 93
- 3
- 5,5 65 78 29
- 6,4
- 91
- 4
- 4,9 27 36 9
- 5,7
- 33
- 7,3
- 48
* Aumento de la ocupacion de fluor por mm de espesor de la pared, segun regresion lineal de los valores medidos.
Los resultados de las medidas para los ejemplos 1 a 4 se muestran en la Tabla 1. Para la ocupacion de fluor, se determinaron los valores en el intervalo de 27 a 91 pg/cm2. La relacion entre la ocupacion de fluor y el espesor de la pared se aproximo en cada caso mediante llneas rectas (regresion lineal). Las pendientes obtenidas a partir de la regresion lineal se muestran asimismo en la Tabla 1 y estan en el intervalo de 9 a 29 pg.cm"2/mm.
5
La Figura 2 muestra los valores medidos de los ejemplos 1 a 4 en forma grafica. Ademas de los valores medidos representados por los simbolos, el grafico muestra las lineas de tendencia (presentadas como lineas solidas o de puntos), que se determinaron sobre la base de regresion lineal.
Claims (8)
- 510152025303540REIVINDICACIONES1. Metodo para la produccion de un cuerpo hueco hecho de plastico que tiene una superficie interior fluorada, que presenta un efecto barrera localmente selectivo, por el hecho de que en una o mas regiones definidas de la superficie interior, la ocupacion de fluor se desvla de la ocupacion media de fluor en al menos ± 10 %, preferiblemente en al menos ± 30 %, y mas preferiblemente en al menos ± 50 %, que comprende las siguientes etapas del metodo:- extrusion de una preforma a partir de un termoplastico,- soplado de la preforma para dar un cuerpo hueco dentro de un molde soporte enfriado cerrado, con un fluido de manera que el cuerpo hueco llene los contornos interiores del molde soporte, y- llenado del cuerpo hueco con un gas que contiene fluor durante el proceso de refrigeracion, en donde:(i) - la anchura de la abertura del troquel de extrusion se varla de manera que una o mas zonas definidas de la preforma tengan diferentes espesores de la pared predeterminados;- por lo cual durante dicho soplado de la preforma los espesores de la pared se aumentan o reducen en una o mas regiones definidas del cuerpo hueco y de este modo la refrigeracion de la superficie interior en dichas regiones definidas se efectua mas lentamente o mas rapidamente, y el fluor se incorpora en las regiones definidas de la superficie interior en mayor o menor medida, debido a las temperaturas mas altas o mas bajas de las regiones definidas.o(j) - la refrigeracion se reduce en una o mas zonas definidas del molde soporte y la refrigeracion de aquellas regiones de la superficie interior del cuerpo hueco que son congruentes con estas zonas, tiene lugar mas lentamente, el fluor se incorpora por lo tanto en mayor medida en las regiones congruentes de la superficie interior debido a las temperaturas mas altas de las regiones congruentes.
- 2. El metodo segun la reivindicacion 1, caracterizado porque el fluido utilizado para el soplado de la preforma es nitrogeno.
- 3. El metodo segun cualquiera de las reivindicaciones 1 o 2, caracterizado porque la ocupacion media de fluor es 5 a 120 pg/cm2.
- 4. El metodo segun una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque las regiones definidas de la superficie interior estan delimitadas de su entorno por una zona de borde que tiene una anchura de 1 a 15 mm y porque la ocupacion de fluor en la zona de borde muestra un aumento o disminucion continuo monotonico, siendo el gradiente de borde de la ocupacion de fluor, basado en la ocupacion media de fluor de la superficie interior, mayor que o igual a 6 % cm-1, en particular mayor que o igual a 20 % cm-1 y en particular preferiblemente mayor que o igual a 33 % cm-1.
- 5. El metodo segun la reivindicacion 4, caracterizado porque el espesor de la pared del cuerpo hueco es de 0,5 a 20 mm.
- 6. El metodo segun la reivindicacion 5, caracterizado porque el espesor de la pared varla y porque la ocupacion de fluor esta correlacionada con el espesor de la pared de tal modo que las regiones que tienen una alta densidad de ocupacion de fluor por area unitaria tienen un espesor de pared grande y viceversa
- 7. El metodo segun cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el cuerpo hueco consiste en un termoplastico.
- 8. El metodo segun la reivindicacion 7, caracterizado porque el cuerpo hueco es un deposito de combustible.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006012367 | 2006-03-17 | ||
DE102006012367.0A DE102006012367B4 (de) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Verfahren zur Herstellung eines Hohlkörpers aus Kunststoff mit innenseitiger Sperrschicht |
PCT/EP2007/002182 WO2007107262A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-03-13 | Hollow body made of plastic having a barrier layer on its inner surface and a method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2565681T3 true ES2565681T3 (es) | 2016-04-06 |
Family
ID=38235277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES07711926.1T Active ES2565681T3 (es) | 2006-03-17 | 2007-03-13 | Método para fabricar un cuerpo hueco hecho de plástico que tiene una capa de barrera en su superficie interior |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110305856A1 (es) |
EP (1) | EP1999198B1 (es) |
KR (1) | KR101392003B1 (es) |
CN (1) | CN101415755B (es) |
DE (1) | DE102006012367B4 (es) |
ES (1) | ES2565681T3 (es) |
PL (1) | PL1999198T3 (es) |
WO (1) | WO2007107262A1 (es) |
ZA (1) | ZA200807153B (es) |
Families Citing this family (194)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008059125A1 (de) * | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Air Liquide Deutschland Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Funktionalisierung eines Zielbereiches einer Oberfläche |
EP2365027A1 (de) | 2010-03-09 | 2011-09-14 | HAKA.Gerodur AG | Kunststoffrohr mit einer fluorierten Innen- und/oder Aussenoberfläche |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115975240A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-04-18 | 山东锐华氟业有限公司 | 一种pe桶离线氟化方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL31483A (en) * | 1968-02-02 | 1972-02-29 | British Resin Prod Ltd | Plastics containers for fuel storage |
US3862284A (en) * | 1973-05-10 | 1975-01-21 | Air Prod & Chem | Process for producing blow molded thermoplastic articles having improved barrier properties |
JPS63319119A (ja) * | 1987-06-24 | 1988-12-27 | Mazda Motor Corp | ブロ−成形装置 |
US4861250A (en) * | 1988-08-29 | 1989-08-29 | The Dow Chemical Company | Mold sulfonation system |
US5100607A (en) * | 1989-04-04 | 1992-03-31 | Robbins Edward S Iii | Blow-molding methods to form containers having upper and lower sections of different thicknesses |
US5068075A (en) * | 1989-07-19 | 1991-11-26 | Graham Engineering Corporation | Method of blow molding aseptic bottles |
DE4212969A1 (de) * | 1992-04-18 | 1993-10-21 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Barriereschichten für Abmischungen aus polaren und unpolaren Stoffen auf der inneren Oberfläche von Hohlkörpern aus thermoplastischen Kunststoffen |
BE1005831A3 (fr) * | 1992-04-29 | 1994-02-15 | Solvay | Procede pour la production de corps creux impermeables et corps creux ainsi obtenus. |
US5244615A (en) * | 1992-12-03 | 1993-09-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for the production of permeation resistant containers |
BE1008320A3 (fr) * | 1994-04-19 | 1996-04-02 | Solvay | Procede pour le traitement superficiel d'articles comprenant au moins une matiere plastique. |
US5702786A (en) * | 1996-04-22 | 1997-12-30 | Greif Bros. Corporation | Process for preparing thermoplastic polyolefin resin articles of reduced hydrocarbon permeability |
-
2006
- 2006-03-17 DE DE102006012367.0A patent/DE102006012367B4/de active Active
-
2007
- 2007-03-13 CN CN2007800095211A patent/CN101415755B/zh active Active
- 2007-03-13 PL PL07711926T patent/PL1999198T3/pl unknown
- 2007-03-13 ES ES07711926.1T patent/ES2565681T3/es active Active
- 2007-03-13 EP EP07711926.1A patent/EP1999198B1/en active Active
- 2007-03-13 US US12/282,369 patent/US20110305856A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-13 WO PCT/EP2007/002182 patent/WO2007107262A1/en active Application Filing
-
2008
- 2008-08-19 ZA ZA200807153A patent/ZA200807153B/xx unknown
- 2008-09-16 KR KR1020087022594A patent/KR101392003B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102006012367B4 (de) | 2015-07-16 |
PL1999198T3 (pl) | 2016-06-30 |
WO2007107262A1 (en) | 2007-09-27 |
EP1999198A1 (en) | 2008-12-10 |
EP1999198B1 (en) | 2016-02-03 |
US20110305856A1 (en) | 2011-12-15 |
CN101415755A (zh) | 2009-04-22 |
CN101415755B (zh) | 2012-01-18 |
ZA200807153B (en) | 2009-05-27 |
KR101392003B1 (ko) | 2014-05-07 |
KR20080108461A (ko) | 2008-12-15 |
DE102006012367A1 (de) | 2007-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2565681T3 (es) | Método para fabricar un cuerpo hueco hecho de plástico que tiene una capa de barrera en su superficie interior | |
JP5005692B2 (ja) | プラスチックを材料とする気泡構造体を製造するプロセスおよびこのプロセスを実行するための装置 | |
DK154615B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af hullegemer af to eller flere lag | |
JP6536280B2 (ja) | 発泡成形用樹脂、発泡成形体の製造方法 | |
US9694515B2 (en) | Overmolded container having an inner foamed layer | |
KR20060132725A (ko) | 발포 벽을 갖는 용기 | |
EP1795449B2 (en) | Flat container comprising thermoplastic resin and method for molding the same | |
JP5563768B2 (ja) | ポリオレフィン系樹脂発泡ブロー成形体 | |
CN110167738A (zh) | 食品用容器的制造方法 | |
WO2019044650A1 (ja) | 発泡成形用樹脂、発泡成形体、発泡成形体の製造方法 | |
US5443868A (en) | Blow-molded multi-layer containers having excellent surface luster and process for producing the same | |
KR101291941B1 (ko) | 발포타입 폴리프로필렌 테이프 제조 방법 | |
ES2745107T3 (es) | Artículo fabricado a base de plásticos y procedimientos para la formación de dicho artículo | |
JP4060452B2 (ja) | 発泡ブロー成形品の製造方法及び発泡ブロー成形品 | |
JP2013248798A (ja) | 高密度ポリエチレン樹脂製容器及びその成形方法 | |
Dealy et al. | Role of Rheology in Melt Processing | |
WO2023189213A1 (ja) | 発泡性ポリアミド系樹脂粒子の製造方法、及びポリアミド系樹脂発泡粒子の製造方法及びポリアミド系樹脂発泡粒子 | |
JPH0332453B2 (es) | ||
Gamache et al. | Evaluation of stresses in a two-layer co-extruded LDPE melt blown film | |
JP2013248797A (ja) | 高密度ポリエチレン樹脂製容器及びその成形方法 | |
JPH0639918A (ja) | インフレーションフィルムの成形方法及びその装置 | |
JPS5971834A (ja) | プラスチツクパイプの成形方法および装置 | |
JPH0427519A (ja) | ポリスチレン系樹脂発泡シートの製造方法 | |
JP2012509786A (ja) | 発泡壁を有する容器の外観を変化させる方法 | |
JPH03274137A (ja) | 中空成形品の製造方法 |