EP3325265A1

EP3325265A1 - Substrat für elektrische schaltkreise und verfahren zur herstellung eines derartigen substrates

Info

Publication number: EP3325265A1
Application number: EP16745646.6A
Authority: EP
Inventors: Andreas Meyer; Karsten Schmidt
Original assignee: Rogers Germany GmbH
Current assignee: Rogers Germany GmbH
Priority date: 2015-07-17
Filing date: 2016-07-18
Publication date: 2018-05-30
Also published as: DE102015111667A1; KR102311944B1; WO2017013073A1; US20180200990A1; WO2017013075A1; KR20180030150A; US10821704B2; EP3325264A1; JP6894425B2; CN107848246A; US20180200989A1; KR20180030151A; US10940671B2; JP2018523593A; CN107848245A; JP6803369B2; JP2018533197A; KR102295797B1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Substrat (1) für elektrische Schaltkreise umfassend zumindest eine mittels Walzplattieren hergestellte erste Verbundschicht (2), die nach dem Walzplattieren zumindest eine Kupferschicht (3) und eine daran anschließende Aluminiumschicht (4) aufweist, bei dem zumindest die von Kupferschicht (3) abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht (4) zur Erzeugung einer Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus Aluminiumoxid eloxiert ist, und bei dem die Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus Aluminiumoxid über zumindest eine Klebstoffschicht (6, 6') mit einer Metallschicht (7) oder zumindest einer zweiten Verbundschicht (2') oder zumindest einer Papierkeramikschicht (11) verbunden ist.

Description

Substrat für elektrische Schaltkreise und Verfahren zur Herstellung eines derartigen

Substrates Die Erfindung betrifft ein Substrat für elektrische Schaltkreise sowie ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Substrates.

Substrate für elektrische Schaltkreise in Form von Leiterplatten sind hinlänglich bekannt.

Derartige Substrate sind hierzu mehrschichtig ausgebildet und weisen zumindest eine Isolationsschicht und zumindest eine mit dieser Isolationsschicht verbundene

Metallschicht oder Metallisierung auf. Die Metallschicht oder Metallisierung ist flächig mit der Isolationsschicht entweder direkt oder ggf. über weitere Metall- oder

Isolationsschichten verbunden und ist zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontakten, Kontakt- und/oder Anschlussflächen in mehrere Metallisierungsflächenabschnitte strukturiert.

Insbesondere bei Verwendung derartiger Substrate im Bereich der Leistungselektronik, und zwar so genannte„low voltage"-Anwendungen, beispielsweise zum Aufbau von Leistungshalbleiter-Modulen in einem Spannungsbereich von kleiner 2,5 kV, ist es erforderlich, dass die Substrate bzw. die Isolationsschicht eine hohe

Isolationsfestigkeit, d.h. Spannungs- und Durchschlagfestigkeit aufweisen. Im Bereich der Leistungselektronik kommen daher häufig Metall-Keramik-Substrate zum Einsatz, deren Isolationsschicht durch zumindest eine eine hohe

Isolationsfestigkeit aufweisende Keramikschicht gebildet ist. Die Keramikschicht ist beispielsweise aus einer Oxid-, Nitrid- oder Karbidkeramik wie Aluminiumoxid (AI2O3) oder Aluminiumnitrid (AIN) oder Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid (SiC) oder aus Aluminiumoxid mit Zirkonoxid (Al2O3 + ZrO2) hergestellt.

Zur flächigen Verbindung der Keramikschicht mit zumindest einer eine Metallisierung bildenden Metallschicht finden abhängig vom verwendeten Keramikmaterial und/oder dem zu bondenden Metall der Metallschicht unterschiedliche, an sich bekannte Herstellungsverfahren Verwendung, und zwar beispielsweise ein„Direct-Copper- Bonding"-Verfahren, ein„Direct-Aluminium-Bonding"-Verfahren und ein„Active- Metal-Bonding"-Verfahren. Nachteilig sind derartige Herstellungsverfahren

prozesstechnisch aufwendig und kosten intensiv. Auch ist bei der Verwendung von herkömmlichen Keramikschichten die Formgebung eingeschränkt.

Ferner sind Verfahren zur Herstellung von hochgefüllten Papieren bekannt, bei denen beim Papierherstellungsprozess das Papiergefüge bis zu 85 Gew.-% mit funktionalen Füllstoffen angereichert wird, beispielsweise mit einem sinterfähigen keramischen Pulver, hoch adsorptiven Pulver oder Pulver mit guter Wärmeleitfähigkeit. Aus dem mit einem sinterfähigen keramischen Pulver, beispielsweise Aluminiumoxid-Pulver angereicherten präkeramischen Papier wird ggf. nach einem weiterer

Verformungsprozess durch thermische Umsetzung, u.a. Durchführung einer zweistufigen thermischen Umsetzung ein so genanntes Sinterpapier bzw. eine Papierkeramik hergestellt. Im Rahmen der ersten Stufe der thermischen Umsetzung werden die organischen Komponenten der präkeramischen Papiere, beispielsweise Zellstoff, Stärke und Latex oxidativ entfernt, wodurch ein so genannter„Braunling" entsteht. Anschließend wird in einer zweiten Stufe der thermischen Umsetzung der „Braunling" gesintert und es entsteht ein keramischer Werkstoff mit der typischen Biegefestigkeit einer Keramik. Die Mikrostruktur dieses Sinterpapiers bzw. der Papierkeramik zeigt u.a. die für Keramiken typische Materialeigenschaften, beispielsweise auch eine hohe Isolationsfestigkeit. Bei derartigen Papierkeramiken können die Vorteile von keramischen Materialien mit den papiertechnischen

Vorteilen, beispielsweise der einfachen Verformung und des geringen Gewichts miteinander verbunden werden.

Ausgehend vom voranstehend genannten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Substrat für elektrische Schaltkreise sowie ein zugehöriges Verfahren zur Herstellung eines derartigen Substrates aufzuzeigen, welches im Vergleich zu den bekannten Herstellungsverfahren einfach und kostengünstig ist. Die Aufgabe wird durch ein Substrat gemäß dem Patentanspruch 1 und ein Verfahren gemäß den Patentanspruch 1 5 gelöst.

Der wesentliche Aspekt des erfindungsgemäßen Substrates für elektrische Schaltkreise ist darin zu sehen, dass zumindest eine mittels Walzplattieren hergestellte erste Verbundschicht vorgesehen ist, die nach dem Walzplattieren zumindest eine

Kupferschicht und eine daran anschließende Aluminiumschicht aufweist. Zumindest die von Kupferschicht abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht ist zur Erzeugung einer Eloxal- bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid eloxiert und die Eloxal- bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid über zumindest eine

Klebstoffschicht mit einer Metallschicht oder zumindest einer zweiten Verbundschicht oder einer Papierkeramikschicht verbunden ist. Die walzplattierte Verbundschicht ist schnell, einfach und kostengünstig herstellbar und vorteilhaft als Rollen- oder

Plattenware hergestellt und in den Folgeprozessen verarbeitet werden. Die

erforderliche Isolationsfestigkeit des Substrates wird durch die Erzeugung einer Isolationsschicht aus Aluminiumoxid durch entsprechendes Oxidieren der

Aluminiumschicht erreicht, deren Schichtdicke abhängig von den erforderlichen Isolationseigenschaften gewählt sein kann. Hierbei kann die Metallschicht eine Kühlfunktion übernehmen und eine entsprechende Materialstärke und/oder

Oberflächenvergrößerung aufweisen. Bei Verwendung einer zweiten Verbundschicht, die vorzugsweise analog zur ersten Verbundschicht aufgebaut ist, kann die

Isolationsfestigkeit, insbesondere die Spannungs- und Durchschlagfestigkeit noch weiter erhöht werden. Alternativ kann durch die Verwendung einer

Papierkeramikschicht die Isolationsfestigkeit ebenfalls verbessert werden.

Vorteilhaft weist die zweite Verbundschicht ebenfalls eine Eloxal- bzw.

Isolationsschicht auf und die Eloxal- bzw. Isolationsschichten der ersten und zweiten Verbundschicht sind über die zumindest eine Klebstoffschicht miteinander verbunden, d.h. es besteht eine direkte Verbindung zwischen den beiden Verbundschichten über zumindest eine Klebstoffschicht.

Alternativ sind die erste und zweite Verbundschicht über zumindest eine weitere Zwischenschicht mittels jeweils einer Klebstoffschicht miteinander verbunden.

Die Zwischenschicht ist in einer Ausführungsvariante durch eine Aluminiumschicht gebildet, die zur Erzeugung zweier gegenüberliegender Eloxal- bzw.

Isolationsschichten aus Aluminiumoxid an ihren einander gegenüberliegenden

Oberflächenseiten eloxiert ist. Alternativ kann die Zwischenschicht durch eine dritte Verbundschicht umfassend eine Aluminiumschicht, eine Kupferschicht und eine weitere Aluminiumschicht gebildet sein, wobei jeweils die von der Kupferschicht abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschichten zur Erzeugung zweier gegenüberl iegender Eloxal- bzw.

Isolationsschichten aus Aluminiumoxid eloxiert sind.

Die Eloxal- bzw. Isolationsschichten aus Aluminiumoxid der ersten Verbundschicht ist vorzugsweise über eine Klebstoffschicht mit der einen Eloxal- bzw. Isolationsschichten aus Aluminiumoxid der jeweil igen Zwischenschicht und die Eloxal- bzw.

Isolationsschichten aus Aluminiumoxid der zweiten Verbundschicht über eine weitere Klebstoffschicht mit der anderen Eloxal- bzw. Isolationsschichten aus Aluminiumoxid der jeweil igen Zwischenschicht verbunden. Durch den beschriebenen Aufbau der Zwischenschichten kann eine verbesserte Wärmespreizung und -ableitung sowie eine verbesserte Isolationsfestigkeit erzielt werden.

In einer Ausführungsvariante ist die jeweil ige Aluminiumschicht ledigl ich über einen Teil ihrer Schichtdicke eloxiert bzw. die Schichtdicke der aus der zumindest teilweise umgewandelten Aluminiumschicht hergestel lten Isolationsschicht beträgt zwischen 5 /vm und 50 vm.

Alternativ kann zumindest eine Aluminiumschicht des Substrates vol lständig eloxiert sein und damit die Aluminiumschicht vollständig in die Eloxal- bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid umgewandelt sein. Insbesondere bei Aluminiumschichten geringer Schichtdicke ist eine vol lständige U mwandlung eine Eloxalschicht vorteilhaft, da eine Verunreinigung des Ätzbades zur Einbringung einer Strukturierung in die Kupferschicht durch die Aluminiumschichten vermieden werden kann.

Vorteilhaft weist d ie Kupferschicht eine Schichtdicke zwischen 35 μνη und 2 mm, die Aluminiumschicht eine Schichtdicke zwischen 1 0 /vm und 300 μνη und die

Metal lschicht eine Schichtdicke zwischen 300 vm und 50 mm auf.

In einer Ausführungsvariante der Erfindung weist zumindest eine Aluminiumschicht eine vor der Durchführung des Eloxal-Verfahrens eingebrachte Profilierung auf, die beispielsweise eine Vielzahl von pyramiden- oder prismenförmigen Ausnehmungen umfasst. Hierdurch wird die Oberfläche der im Nachgang erzeugten Eloxal- bzw. Isolationsschicht vergrößert und damit die Haftkraft der Klebeverbindung sowie die Wärmeleitfähigkeit des Substrates verbessert. Bei direkter Verbindung zweier

Verbundschichten über eine Klebstoffschicht sind die Profilierungen der jeweiligen Aluminiumschichten aneinander angepasst, und zwar derart, dass diese ineinander verzahnen.

Vorteilhaft findet eine Klebstoffschicht Verwendung, die aus einem Epoxidharz- Klebstoff, Acryl-Klebstoff oder Polyurethan-Klebstoff hergestellt ist. Der zur Herstellung der Klebstoffschicht verwendete Klebstoff weist in einer vorteilhaften

Ausführungsvariante eine niedrige Viskosität auf, um in ggf. vorhanden Risse in den Oberflächen der Isolationsschichten eindringen und dies ausfüllen zu können. Damit werden Einschlüsse im Substrat, insbesondere im Verbindungsbereich vermieden, die zu einer Verschlechterung der Isolationsfestigkeit führen würden.

Vorteilhaft ist zumindest eine der Kupferschichten zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontakt- und/oder Anschlussflächen in mehrere Metallisierungsabschnitte strukturiert. Vorzugsweise wird die Kupferschicht der Verbundschicht strukturiert und bildet die Layoutseite des Substrats aus. Bei entsprechender Dicke des Substrates, insbesondere Verwendung zweier Verbundschichten und ggf. einer weiteren Zwischenschicht kann auch eine Strukturierung beider Metallisierungen des Substrates durchgeführt werden.

Ebenfalls ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates für elektrische Schaltkreise, bei dem aus einer Kupferfolie und zumindest einer Aluminiumfolie mittels Walzplattieren zumindest eine erste Verbundschicht hergestellt wird, die zumindest eine Kupferschicht und eine daran anschließende

Aluminiumschicht aufweist, bei dem zumindest die von Kupferschicht abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht eloxiert wird und dadurch eine Eloxal- bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid erzeugt wird, wobei die erzeugte Eloxal- bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid über zumindest eine Klebstoffschicht mit einer Metallschicht oder zumindest einer zweiten Verbundschicht verklebt wird.

Die Ausdrucke„näherungsweise",„im Wesentlichen" oder„etwa" bedeuten im Sinne der Erfindung Abweichungen vom jeweils exakten Wert um +/- 10%, bevorzugt um +/- 5% und/oder Abweichungen in Form von für die Funktion unbedeutenden

Änderungen.

Weiterbildungen, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Figuren. Dabei sind alle beschriebenen und/oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination grundsätzlich Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Ansprüchen oder deren

Rückbeziehung. Auch wird der Inhalt der Ansprüche zu einem Bestandteil der Beschreibung gemacht.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine vereinfachte schematische Schnittdarstellung durch ein

erfindungsgemäßes Substrat umfassend eine erste Verbundschicht und eine Metallschicht,

Fig. 2 eine vereinfachte Schnittdarstellung durch eine alternative

Ausführungsform eines erfindungsgemäßes Substrates umfassend eine erste und zweite Verbundschicht,

Fig. 3 eine vereinfachte Schnittdarstellung durch eine weitere alternative

Ausführungsform eines erfindungsgemäßes Substrates umfassend eine erste und zweite Verbundschicht mit einer Zwischenschicht,

Fig. 4 eine vereinfachte Schnittdarstellung durch eine wiederum alternative

Ausführungsform eines erfindungsgemäßes Substrates umfassend eine erste bis dritte Verbundschicht,

Fig. 5 eine vereinfachte Schnittdarstellung durch eine weitere alternative

Ausführungsform eines erfindungsgemäßes Substrates umfassend eine erste und zweite Verbundschicht mit jeweils profilierter Isolationsschicht, eine vereinfachte schematische Schnittdarstellung durch ein

erfindungsgemäßes Substrat mit einer Papierkeramikschicht,

Fig. 7 eine vereinfachte schematische Schnittdarstellung durch ein Substrat gemäß Fig. 6 mit einer unterschiedlich aufgebauten Verbundschicht und einer Lotverbindung zur Papierkeramikschicht und

Fig. 8 eine schematische Schnittdarstellung durch ein Eloxalbad zum Eloxieren der Aluminiumschicht bzw. Aluminiumlegierungsschicht einer walzplattierten Verbundschicht.

Figur 1 zeigt in vereinfachter schematischer Darstellung einen Schnitt durch ein erfindungsgemäß ausgebildetes Substrat 1 für elektrische Schaltkreise, welches einen plattenförmigen und mehrschichten Aufbau aufweist, d.h. in der Form einer

Leiterplatte ausgebildet ist.

Das erfindungsgemäße Substrat 1 besteht in einer ersten Ausführungsvariante aus zumindest einer ersten Verbundschicht 2, die durch Walzplattieren einer Kupferfol mit zumindest einer Aluminiumfolie hergestellt ist. Demgemäß weist die erste Verbundschicht 2 eine Kupferschicht 3 und eine daran anschließende

Aluminiumschicht 4 auf.

Die Aluminiumschicht 4 ist zur Erzeugung einer Isolationsschicht 5 aus

Aluminiumoxid eloxiert, und zwar erstreckt sich die Isolationsschicht 5 aus

Aluminiumoxid bzw. Eloxalschicht von der von der Kupferschicht 3 abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht 4 über zumindest einen Teil der

Aluminiumschicht 4, d.h. ein Teil der Aluminiumschicht 4 der ersten Verbundschicht 2 wird einem an sich bekannten Eloxal-Verfahren, und zwar einer anodischen Oxidation unterzogen und dadurch in eine Isolationsschicht 5 aus Aluminiumoxid bzw. Eloxalschicht umgewandelt. Die Isolationsschicht 5 aus Aluminiumoxid weist eine hohe Spannungs- und Durchschlagfestigkeit und eine Wärmeleitfähigkeit zwischen 8 W/mK und 30 W/mK auf. Die Isolationsschicht 5 des erfindungsgemäß ausgebildeten Substrates 1 ist über eine Klebstoffschicht 6 beispielsweise mit einer Metal lschicht 7 verbunden bzw. verklebt. Die Klebstoffschicht 6 erstreckt sich vorzugsweise vollständig über die Oberfläche der Isolationsschicht 5. Die Metallschicht 7 kann beispielsweise durch eine weitere Aluminiumschicht oder eine Aluminiumplatte zu Kühlzwecken gebildet sein. Die Metal lschicht 7 bildet in einer bevorzugten Ausführungsvariante einen Kühlkörper aus und kann an der der Klebstoffschicht 6 gegenüberliegenden Oberflächenseite eine Profil ierung zur Oberflächenvergrößerung aufweisen, die unterschiedlichster Gestalt, insbesondere im H inblick auf Form, Anordnung und Tiefe vorhandener

Ausnehmungen ausgebildet sein kann.

Als Kleber zur Erzeugung der Klebstoffschicht 6 können unterschiedl iche, zum Kleben von Aluminiumdioxid geeignete Klebstoffe Verwendung finden, beispielsweise Epoxidharz-Klebstoffe, Acryl-Klebstoffe oder Polyurethan-Klebstoffe. Bevorzugt finden Kleber bzw. Klebstoffe niedriger Viskosität Verwendung, um die poröse Oberfläche der erzeugten Eloxalschicht bzw. Isolationsschicht 5 aus Aluminiumoxid zu verfül len und damit die Isolationsfestigkeit des Substrates 1 weiter zu erhöhen.

Die Kupferschicht 3 weist innerhalb der ersten Verbundschicht 1 eine Schichtdicke d 1 zwischen 35 /vm und 2 mm und die Aluminiumschicht 4 eine Schichtdicke d2 zwischen 1 0 μνη und 300 μνη, wobei die Schichtdicke d3 der aus der zumindest teilweise umgewandelten Aluminiumschicht 4 hergestel lten Isolationsschicht 5 zwischen 5 μιη und 50 μιη beträgt. In einer Ausführungsvariante der Erfindung kann die Aluminiumschicht 4 auch vollständig eloxiert sein, d.h. die vol lständig eloxierte Aluminiumschicht 4 bildet die Isolationsschicht 5. Die Klebstoffschicht 6 weist vorzugsweise eine Schichtdicke d4 zwischen 1 μνη und 20 auf. Die Schichtdicke d5 der Metal lschicht 7 beträgt zwischen 300 μνη und 50 mm.

Das Substrat 1 dient als Leiterplatten für elektrische oder elektronische Schaltkreise oder Schaltungsmodule, insbesondere für elektronische Leistungsschaltungen. H ierzu wird zumindest die Kupferschicht 3 der ersten Verbundschicht 1 mittels an sich bekannter Maskierungs- und Ätztechnologien in mehrere Metal l isierungsabschnitte strukturiert, die beispielsweise Leiterbahnen, Kontakt- und/oder Anschlussflächen ausbilden. Vorzugsweise erfolgt die Strukturierung der Kupferschicht 3 der ersten Verbundschicht 1 nach der Herstel lung des Substrates 1 . Aufgrund der sehr dünnen Eloxalschicht bzw. Isolationsschicht 5 wird vorzugsweise nur eine der

Metal l isierungen des Substrates 1 , und zwar die Kupferschicht 3 der ersten

Verbundschicht 2 strukturiert, um eine ausreichende Stabil ität des Substrates 1 sicherzustel len. Bei einer entsprechenden, Stabil itätsverstärkend Zwischenschicht ist jedoch auch eine Strukturierung beider Metal l isierungen des Substrates 1 ,

beispielsweise der Metal lschicht 7 mögl ich. Die Strukturierung der Kupferschicht 3 der ersten Verbundschicht 2 erfolgt vorzugsweise bis zur Eloxalschicht bzw.

Isolationsschicht 5 aus Aluminiumoxid.

Fig. 2 zeigt eine alternative Ausführungsvariante des Substrates 1 gemäß Figur 1 , bei der anstelle der Metallschicht 7 eine zweite Verbundschicht 2' über die

Klebstoffschicht 6 mit der ersten Verbundschicht 2 verbunden ist. In der dargestel lten Ausführungsform weisen die erste und zweite Verbundschicht 2, 2' einen ähnlichen, vorzugsweise identischen Aufbau auf, d.h. die zweite Verbundschicht 2' umfasst ebenfal ls eine Kupferschicht 3', eine daran anschl ießende Aluminiumschicht 4', die an ihrer der Kupferschicht 3' gegenüberliegenden Oberflächenseite zumindest teilweise in eine Isolationsschicht 5' aus Aluminiumoxid bzw. Eloxalschicht mittels Eloxieren umgewandelt ist. Die im Verbund damit einander gegenüberl iegenden

Isolationsschichten 5, 5' werden über die Klebstoffschicht 6 beispielsweise direkt miteinander verbunden. Durch das Vorsehen zweier Isolationsschichten 5, 5' erhöht sich die Isolationsfestigkeit des Substrates 1 weiter.

Bei der Fertigung werden zunächst die erste und zweite Verbundschicht 2, 2' hergestellt, vorzugsweise aus derselben walzplattierten Verbundwerkstoffschicht, und dann eine Klebstoffschicht 6 auf zumindest eine der Isolationsschichten 5, 5', vorzugsweise beide Isolationsschichten 5, 5' aufgebracht, die derart vorbereiteten Verbundschichten 2, 2' werden anschließend zusammengeführt und miteinander verklebt bzw. laminiert. Der Kleber bzw. Klebstoff der Klebstoffschicht 6 wird im Anschluss daran ausgehärtet, beispielsweise durch entsprechende Beaufschlagung mit Druck und/oder Temperatur.

Im Anschluss daran wird zumindest eine der Kupferschichten 3, 3' mittels an sich bekannter Maskierungs- und Ätztechniken zur Ausbildung mehrere Metallisierungsabschnitte strukturiert. Nach einer Endreinigung des bereits

strukturierten Substrates 1 kann noch eine Kantenversiegelung durchgeführt werden, was jedoch nicht zwingend erforderlich ist. Auch ist eine Herstellung der erfindungsgemäßen Substrate 1 in Form von

Mehrfachsubstraten möglich, welche nach erfolgter Fertigung zu den gewünschten „Einzel"-Substraten 1 vereinzelt werden. Die Vereinzelung erfolgt bei den

erfindungsgemäßen Substraten 1 beispielsweise mittels mechanischer

Bearbeitungsvorgänge wie beispielsweise Sägen, Schneiden oder Stanzen oder unter Verwendung einer Lasereinheit. Demnach erstreckt sich die unstrukturierte

Metallschicht 7 unterschiedlich zum Stand der Technik vorzugsweise auch bis zum Rand der Schnittkante des jeweiligen Substrates 1 .

Fig. 3 zeigt eine weitere alternative Ausführungsvariante eines erfindungsgemäßen Substrates 1 , bei der zur weiteren Erhöhung der Spannungs- und Durchschlagfestigkeit zwischen der ersten und zweiten Verbundschicht 2, 2' gemäß der Ausführungsvariante nach Fig. 2 noch eine zusätzliche Aluminiumschicht 4" angeordnet ist, deren Ober- und Unterseite zur Erzeugung einer Isolationsschicht 5" aus Aluminiumoxid jeweils eloxiert sind. Alternativ kann auch nur eine Isolationsschicht 5" aus Aluminiumoxid vorgesehen sein, d.h. die zusätzliche Aluminiumschicht 4" ist vollständig eloxiert. Die Isolationsschicht bzw. Isolationsschichten 5" sind über jeweils eine Klebstoffschicht 6, 6' mit den Isolationsschichten 5, 5' der ersten und zweiten Verbundschicht 2, 2' verbunden. In einer weiteren alternativen Ausführungsvariante gemäß Fig. 4 ist zwischen der ersten und zweiten Verbundschicht 2, 2' des Substrates 1 gemäß Fig. 2 eine dritte Verbundschicht 2"' bestehend aus einer mittleren Kupferschicht 3" deren Ober- und Unterseite mit einer Aluminiumschicht 4", 4"' versehen ist, wobei die jeweilige Aluminiumschicht 4", 4"' analog zu vorgenannten Ausführungsbeispielen jeweils eine Isolationsschicht 5" aufweist. Die Verbindung der Isolationsschichten 5, 5', 5" der ersten bis dritten Verbundschicht 2, 2', 2" erfolgt wiederum über jeweils eine

Klebstoffschicht 6, 6'. Vorteilhaft kann die Kupferschicht 3" ebenfalls elektrisch genutzt werden und beispielsweise in mehrere Metallisierungsabschnitte strukturiert sein. Versteht sich, dass auch mehrere mittlere Kupferschichten 3" vorgesehen sein können.

Zur Verbesserung der Wärmeübertragungseigenschaften des Substrates 1 ist in einer alternativen Ausführungsvariante gemäß Fig. 5 in die jeweilige Aluminiumschicht 4, 4' vor der Durchführung des Eloxal-Verfahrens eine Profilierung eingebracht,

beispielsweise in der Form von pyramiden- oder prismenförmigen Ausnehmungen. Das Einbringen der Profilierung in die jeweilige Aluminiumschicht 4, 4' kann beispielsweise durch Prägen mittels Walzen oder durch Rädeln erfolgen. Hierdurch ist der thermische Widerstand des Substrates 1 nochmals reduzierbar. Vorzugsweise findet hier eine Aluminiumschicht 4, 4' mit einer erhöhten Schichtdicke d2 zwischen 0,1 mm und 1 mm Verwendung.

Auch können in einer nicht dargestellten Ausführungsvariante Kupferschicht 3, 3' mit größeren Schichtdicken d1 der ersten und/oder zweiten Verbundschicht 2, 2' gemäß Fig. 2 und 5 vor der Herstellung der Klebeverbindung 6, und zwar insbesondere nach dem Eloxieren der Aluminiumschicht 4, 4' bereits vor strukturiert werden,

vorzugsweise durch Stanzen, Lasern oder Wasserstrahlschneiden, d.h. ohne

Verwendung einer aufwendigen Maskierungs- und Ätztechnologie. Hierdurch ist eine Reduzierung der Isograbenbreiten zwischen den strukturierten Kupferabschnitten möglich.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung derartiger Substrate 1 werden die Verbundschichten 2, 2', 2" durch Walzplattieren einer Kupferfolie mit einer

Aluminiumfolie bzw. einer Aluminiumfolie, einer Kupferfolie und einer weiteren

Aluminiumfolie hergestellt, und zwar vorzugsweise in Form eines Bandes. Es versteht sich jedoch, dass die beschriebenen Verbundschichten 2, 2', 2" als Plattenwaren gefertigt werden können. Damit können die zwar walzplattierten, jedoch noch nicht eloxierten Verbundschichten 2, 2', 2" vorteilhaft entweder als Band auf einer Rolle oder in Plattenform für den weiteren Fertigungsprozess bereitgestellt werden.

Das anschließende Eloxieren der Aluminiumschicht 4, 4' der vorbereiteten

Verbundschicht 2, 2', 2" erfolgt vorzugsweise in einer Durchlaufanlage oder in einem entsprechenden Tauchbecken. Schließlich werden die eloxierten Verbundschichten 2, 2' durch Aufbringen der Klebstoffschicht 6, 6' entweder miteinander oder mit der Metallschicht 7 verbunden. Vor oder nach dem vollständigen Aushärten der

Klebstoffschicht 6, 6' erfolgt ein Schneiden der Bandware bzw. Plattenware und anschließendes Trocknen. Die getrockneten Einzellagen bzw. Platten, welche jeweils als Mehrfachsubstrate ausgebildet sein können, werden anschließend mittels bekannter Maskierungs- und Ätztechnologien maskiert und geätzt und dadurch eine vorgegebene Strukturierung zumindest einer der Kupferschichten 3, 3' vorgenommen. Alternativ kann bei Kupferschichten 3, 3' erhöhter Schichtdicke die Strukturierung der

Kupferschichten 3, 3' durch Stanzen oder Schneiden mittels einer Lasereinheit oder einer Wasserstrahleinheit erfolgen. Nach Durchführung einer Schlussreinigung können die Substrate 1 vereinzelt werden, und zwar vorzugsweise unter Verwendung einer Lasereinheit oder eines mechanischen Trennungsverfahrens.

Unter Kupferschicht 3, 3', 3" wir auch im erfindungsgemäßen Sinne auch eine

Kupferlegierungsschicht verstanden.

Bei einer alternativen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Substrate 10 gemäß der Fig. 6 und 7 wird die Isolationsfestigkeit des Substrates 10 dadurch noch erhöht, dass anstelle der Metallschicht 7 eine Papierkeramikschicht 1 1 Verwendung findet. Hierzu weist das Substrat 10 eine Verbundschicht 12 mit einer Metallschicht 1 3 und zumindest einer Aluminiumschicht 14 auf. Die Aluminiumschicht 14 der

Verbundschicht 12 ist somit ebenfalls zumindest teilweise eloxiert ausgebildet, so dass eine Eloxalschicht 1 5 entsteht, die wiederum über eine Klebstoffschicht 16 mit der Papierkeramikschicht 1 1 verbunden ist. Die Eloxalschicht 15 dient hierbei

insbesondere als Haftverbesserer, um die an sich glatte Oberfläche der

Aluminiumschicht 14 durch die aufgeraute Eloxalschicht 1 5 zu ersetzen, die eine hohe Haftkraft der Klebeverbindung zwischen der Papierkeramikschicht 1 1 und der

Verbundschicht 12 gewährleistet. Unter einer Papierkeramikschicht 1 1 wird hierbei ein bei der Papierherstellung mit einem sinterfähigen keramischen Pulver, vorzugsweise Aluminiumoxid-Pulver angereichertes Papiergefüge verstanden, aus dem ein präkeramisches Papiergefüge erzeugt wird. Vorzugsweise beträgt der Anteil des sinterfähigen keramischen Pulvers am Gesamtvolumen des präkeramischen Papiergefüges zwischen 80 und 90 Gew.-%. Das präkeramische Papiergefüge wird einem zweistufigen thermischen U msetzungsprozess unterzogen und in erster Stufe aus dem präkeramisches

Papiergefüge („Grünl ing") zunächst ein„Braunl ing" erzeugt, bei dem die organischen Komponenten des präkeramischen Papiergefüges, beispielsweise Zel lstoff, Stärke und Latex oxidativ entfernt sind. Anschl ießend wird in der zweiten Stufe der„Braunl ing" einem Sinterprozess zugeführt, wodurch ein keramischer Werkstoff, und zwar die Papierkeramik mit den typischen Materialeigenschaften eines Keramikmaterials entsteht, wie beispielsweise einer hohen Biege- und Isolationsfestigkeit. Die

Papierkeramikschicht 1 1 ist jedoch im Vergleich zu einer herkömml ichen

Keramikschicht leichter und vor der Durchführung des thermischen

U msetzungsprozesses individuell verformbar. Auch kann vorteilhaft das

Ausgangsmaterial der Papierkeramikschicht 1 1 , und zwar das präkeramischen

Papiergefüge aufgrund der Verformbarkeit als Rol lenware gelagert und

weiterverarbeitet werden. Die erfindungsgemäß verwendete Papierkeramikschicht 1 1 weist beispielsweise eine Schichtdicke d6 zwischen 50 vm und 600 vm, vorzugsweise 80 μνη und 1 50 μνη auf und besitzt ein E-Modul zwischen 90 σ Pa und 1 50 σ Pa.

Die Strukturierung der Metal lschicht 1 3 erfolgt wiederum mittels an sich bekannter Maskierungs- und Ätztechnologien, vorzugsweise nach Herstel lung der

Klebeverbindung mit der Papierkeramikschicht 1 1 .

In einer weiteren Ausführungsvariante findet eine Verbundschicht 12' Verwendung, die neben der Kupferschicht 1 3 und der Aluminiumschicht 14 eine daran

anschl ießende Aluminium-Sil izium-Schicht 18, welche ebenfal ls durch Walzplattieren hergestel lt ist, und zwar wird vorzugsweise zunächst ein Verbund aus der

Aluminiumschicht 1 4 eine daran anschließende Aluminium-Silizium-Schicht 1 8 durch Walzplattieren erzeugt und dieser Verbund erneut mit der Kupferschicht 1 3

walzplattiert. Die Aluminium-Sil izium-Schicht 1 8 der Verbundschicht 1 2' ist über eine Lotschicht 1 9 mit der Papierkeramikschicht 1 1 verbunden. Ein entsprechend ausgebildetes Substrat 1 0 ist beispielsweise in Fig. 7 schematisch dargestel lt. Das Verlöten der aus Aluminiumoxid hergestel lten Papierkeramikschicht 1 1 erfolgt unter Schutzgas, beispielsweise N2 oder AR, und unter Ausnutzung des Aluminium- Sil izium-Eutektikums. Erfindungsgemäß werden bei Verwendung eines Klebers mit niedriger Viskosität u.a. auch in den Isolationsschichten 5, 5' bestehende Risse ausgegossen, indem die Verbundschicht 2, 2' entsprechend erwärmt wird, jedoch unterhalb der

Aushärtetemperatur des Klebers, um gezielt an Schwachstellen Risse zu erzeugen, in die der Kleber anschließend eindringen kann. Auch werden durch Verwendung der entsprechenden Prozesstemperatur von 120°C bis zu 1 60°C bestehende Risse aufgeweitet und können damit einfach mit Kleber verfüllt werden. Die

Temperaturerhöhung kann hierbei stufenartig oder kontinuierlich über einen vorgegebenen Zeitraum erfolgen. Vorteilhaft erfolgt bei einer stufenartigen

Temperaturerhöhung ein Ausdampfen von im Kleber eventuell enthaltener

Bindemittel. Die Aushärtetemperaturen gängiger Kleber liegen hierbei bei

beispielsweise über 180 °C. Zur Verbesserung der Leitfähigkeit der verwendeten Klebstoffe können dieser in einer Ausführungsvariante der Erfindung auch mit

Nanofasern angereicht sein.

Vorzugsweise weisen die mittels Walzplattieren hergestellten Verbundschichten 2, 2' eine im Vergleich zu den Kupferschichten 3, 3' deutlich dünnere Aluminiumschicht 4, 4', 4" auf, und zwar beträgt die Schichtdicke d2 der Aluminiumschicht 4, 4', 4" weniger als die Hälfte der Schichtdicke d1 der Kupferschichten 3, 3', vorzugsweise sogar weniger als ein Drittel der Schichtdicke d1 der Kupferschichten 3, 3'.

Insbesondere hier ist eine vollständige Umwandlung der Aluminiumschicht 4, 4', 4" durch entsprechendes Eloxieren in die Isolationsschicht 5, 5', 5" vorteilhaft, da eine Verunreinigung des Ätzbades durch Lösen von Aluminium aus der zumindest teilweise vorhandenen Aluminiumschicht 4, 4', 4" vermieden werden kann. Vorzugsweise wird somit die nach der Umwandlung in die Isolationsschicht 5, 5', 5" verbleibende Schichtdicke der Aluminiumschicht 4, 4', 4" so gering wie möglich gehalten.

Auch kann die Klebeverbindung zwischen den unterschiedlichen Verbundschichten bzw. Schichten nach erfolgten Auftragen des Klebers im Verbund mittels Laminieren bzw. Walzen erfolgen, um die Schickdicke d4 der Klebstoffschicht 6 gering zu halten.

Ferner können die Substrate 1 nach dem Kleberauftrag mit Vakuum beaufschlagt werden, um ggf. vorhandene Gaseinflüsse in der Eloxalschicht bzw. Isolationsschicht 5 aus Aluminiumoxid, die zu einer Erhöhung und damit Verschlechterung der

Isolationsfestigkeit beitragen, entfernen zu können.

In einer weiteren Ausführungsvariante weist die jeweilige Klebstoffschicht 6, 6', 6" zumindest zwei unterschiedliche Klebstoffe auf, die vorzugsweise schichtartig hintereinander aufgetragen werden. Beispielsweise können Klebstoffe

unterschiedlicher Viskosität Verwendung finden, wobei der eine Klebstoff mit geringerer Viskosität zum Verfüllen von Fehlstellen wie Rissen oder Poren in der jeweiligen Eloxalschicht 5, 5', 5"und der weitere Klebstoff mit höher Viskosität zur Herstellung der Klebeverbindung des Schichtenverbundes vorgesehen wird.

Beispielsweise kann das Verkleben mit einem Epoxidkleber und das Verfüllen der Fehlstellen nur mit reinem Epoxid, d.h. ohne Härteranteil erfolgen. Vorteilhaft kann das Epoxid bei einer höheren Temperatur im Vergleich zum Epoxykleber verarbeitet werden, um dessen Viskosität herabzusetzen. Auch kann überschüssiges

Verfüllmaterial, insbesondere Epoxid entfernt werden, so dass im Wesentlichen nur noch in den Fehlstellen Epoxid verbleibt. Im nächsten Schritt wird dann der

Epoxidkleber aufgebracht. Der Härteranteil des Epoxidklebers diffundiert hierbei auch in das reine, bereits verarbeitete Epoxid in den gefüllten Fehlstellen und härtet diese ebenfalls mit aus.

Bei Eloxieren von walzplattierten Verbundschichten 25 umfassend eine Kupferschicht oder Kupferlegierungsschicht 23 und eine Aluminiumschicht oder

Aluminiumlegierungsschicht 24 ist es zwingend erforderlich, dass keinesfalls beide Metalle in Kontakt mit dem Elektrolyt 21 eines Eloxalbades 20 kommen, da ansonsten über die Kupferschicht oder Kupferlegierungsschicht 23 eine Art Kurzschluss parallel zur eloxierenden Oberfläche der Aluminiumschicht oder Aluminiumlegierungsschicht 24 erzeugt wird. Dieser Kurzschluss verhindert, dass sich über die dünne Oxidschicht (AI2O3), welche üblicherweise vor er Eloxalbehandlung bereits vorhanden ist, eine ausreichende Spannung aufbauen kann. Diese entstehende Spannung durchschlägt jeweils lokal die dünne Oxidschicht (AI2O3) und führt zur Oxidation des darunter befindlichen Aluminium zu Aluminiumoxid. Figur 8 zeigt anhand einer schematischen Zeichnung ein entsprechendes Eloxalbad 20 mit einer Kathode 22 und der durch die Kupferschicht oder Kupferlegierungsschicht 23 gebildete Anode, an welcher eine Gleichspannung U anliegt. Die Erfinder haben erkannt, dass dem Entstehen eines derartigen Kurzschlusses dadurch entgegengewirkt werden kann, dass eine vollständige Maskierung oder Abdeckung der Oberflächen der Kupferschichten 23 durch ein rahmenförmiges Abdeckelement erfolgt, d.h. der Kontakt des Elektrolyt 21 zur Kupferschichten 23 wird effektiv verhindert, wohingegen der für das Eloxieren erforderliche Kontakt zur Aluminiumschicht 24 weiterhin gegeben ist. Die Maskierung kann in einer alternativen Ausführungsvariante auch durch Aufbringen einer Schutzfolie oder eines Schutzlackes oder einer Kombinationen davon erfolgen. Gemein ist diesen Verfahren jeweils die abdichtende Wirkung gegenüber dem Elektrolyt 1 1 .

In einer alternativen Ausführungsvariante erfolgt eine Maskierung oder Abdeckung des elektrischen Feldes durch Hilfselektroden 26, beispielsweise metallische Bleche oder Komponenten, die mit einer entsprechenden Beschichtung versehen sein können und die gegen die verwendeten chemischen Bestandteile des Eloxalbades 20 sowie die vorliegenden elektrischen Felder beständig ist. Die Hilfselektroden 26 werden elektrisch mit der Anode verbunden, so dass die Geleichspannung U bzw. das entstehende elektrische Feld zwischen Hilfselektrode 26 und Oberfläche des

Kupferschicht 23 der Verbundschicht 25 gleich Null ist. Dadurch ist keine

„mechanische" Abdichtung der Oberflächen der Kupferschichten erforderlich, sofern keine chemische Behandlung der Kupferschicht 3 erfolgt. Die„Abdichtung" der Kupferschicht 23 erfolgt somit kontaktlos.

In einer vorteilhaften Ausführungsvariante ist der Abstand x zwischen der

rahmenartigen Hilfselektrode 25 und der Aluminiumschicht bzw.

Aluminiumlegierungsschicht 24 der darin aufgenommenen Verbundschicht 25 größer als 0mm, jedoch kleiner als 10mm, vorzugsweise zwischen 0 und 1 mm.

Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, dass zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne dass dadurch der der Erfindung zugrunde liegend Erfindungsgedanke verlassen wird. Bezugszeichenliste

1 Substrat

2 erste Verbundschicht

2' zweite Verbundschicht

2" dritte Verbundschicht

3, 3', 3" Kupferschicht

4, 4', 4", 4'" Aluminiumschicht

5, 5', 5" Eloxalschicht bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid

6, 6', 6" Klebstoffschicht

7 Metallschicht

10 Substrat

1 1 Papierkeramikschicht

12, 12' Verbundschicht

1 3 Metallschicht, insbesondere Kupferschicht

14 Aluminiumschicht

15 Eloxalschicht bzw. Isolationsschicht aus Aluminiumoxid 16 Klebstoffschicht

18 Aluminium-Silizium-Schicht

19 Lotschicht

20 Eloxalbad

21 Elektrolyt

22 Kathode

23 Kupferschicht bzw. Kupferlegierungsschicht

24 Aluminiumschicht bzw. Aluminiumlegierungsschicht

25 Verbundschicht

26 Hilfselektrode

P Profilierung

d1 - d6 Schichtdicken

U Gleichspannung X Abstand

Claims

Patentansprüche

1 . Substrat (1 , 10) für elektrische Schaltkreise umfassend zumindest eine mittels Walzplattieren hergestellte erste Verbundschicht (2), die nach dem

Walzplattieren zumindest eine Kupferschicht (3) und eine daran anschließende Aluminiumschicht (4) aufweist, bei dem zumindest die von Kupferschicht (3) abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht (4) zur Erzeugung einer Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus Aluminiumoxid eloxiert ist, und bei dem die Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus Aluminiumoxid über zumindest eine Klebstoffschicht (6, 6') mit einer Metallschicht (7) oder zumindest einer zweiten Verbundschicht (2') oder zumindest einer Papierkeramikschicht (1 1 ) verbunden ist.

2. Substrat nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite

Verbundschicht (2') analog zur ersten Verbundschicht (2) aufgebaut ist.

3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Verbundschicht (2') eine Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5') aufweist und die Eloxal- bzw. Isolationsschichten (5, 5') der ersten und zweiten Verbundschicht (2, 2') über die zumindest eine Klebstoffschicht (6) miteinander verbunden sind.

4. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Verbundschicht (2, 2') über zumindest eine weitere Zwischenschicht mittels jeweils einer Klebstoffschicht (6, 6') miteinander verbunden sind.

5. Substrat nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht durch eine Aluminiumschicht (4") gebildet ist, die zur Erzeugung zweier gegenüberliegender Eloxal- bzw. Isolationsschichten (5") aus Aluminiumoxid an ihren einander gegenüberliegenden Oberflächenseiten eloxiert ist.

6. Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht durch eine dritte Verbundschicht (5") umfassend eine Aluminiumschicht (4"), eine Kupferschicht (3") und eine weitere Aluminiumschicht (4"') gebildet ist, wobei jeweils die von der Kupferschicht (3") abgewandten Oberflächenseiten der Aluminiumschichten (4", 4"') zur Erzeugung zweier gegenüberl iegender Eloxal- bzw. Isolationsschichten (5") aus Aluminiumoxid eloxiert sind.

7. Substrat nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Eloxalbzw. Isolationsschichten (5) aus Aluminiumoxid der ersten Verbundschicht (5) über eine Klebstoffschicht (6) mit der einen Eloxal- bzw. Isolationsschichten (5") aus Aluminiumoxid der Zwischenschicht und die Eloxal- bzw.

Isolationsschichten (5') aus Aluminiumoxid der zweiten Verbundschicht (5') über eine weitere Klebstoffschicht (6') mit der anderen Eloxal- bzw.

Isolationsschichten (5") aus Aluminiumoxid der Zwischenschicht verbunden ist.

8. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Aluminiumschicht (4, 4', 4") über einen Teil ihrer

Schichtdicke (d2) eloxiert ist und/oder dass die Schichtdicke (d3) der aus der zumindest teilweise umgewandelten Aluminiumschicht (4, 4', 4") hergestel lten Isolationsschicht (5, 5', 5") zwischen 5 vm und 50 jum beträgt.

9. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass

zumindest eine Aluminiumschicht (4, 4', 4") des Substrates (1 ) vollständig eloxiert ist und die Aluminiumschicht (4) vol lständig in die Eloxal- bzw.

Isolationsschicht (5) aus Al uminiumoxid umgewandelt ist.

10. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupferschicht (3, 3', 3") eine Schichtdicke (d 1 ) zwischen 35 μιτι und 2 mm, die Aluminiumschicht (4, 4', 4") eine Schichtdicke (d2) zwischen 1 0 μνη und 300 jum und die Metal lschicht (7) eine Schichtdicke (d5) zwischen 300 μνη und 50 mm aufweist.

1 1 . Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Aluminiumschicht (4, 4', 4") eine vor der Durchführung des Eloxal-Verfahrens eingebrachte Profil ierung (P) aufweist, die beispielsweise eine Vielzahl von pyramiden- oder prismenförmigen Ausnehmungen umfasst.

12. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Verbundschicht (2, 2') durch Walzplattieren einer Kupferfolie mit zumindest einer Aluminiumfolie hergestellt sind.

13. Substrat nach der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstoffschicht (6, 6', 6") aus einem Epoxidharz-Klebstoff, Acryl-Klebstoff oder Polyurethan-Klebstoff hergestellt ist und/oder dass der zur Herstellung der Klebstoffschicht (6, 6', 6") verwendete Klebstoff eine niedrige Viskosität aufweist.

14. Substrat nach der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Kupferschichten (3, 3') zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontakt- und/oder Anschlussflächen in mehrere Metallisierungsabschnitte strukturiert ist.

15. Verfahren zur Herstellung eines Substrates (1, 10) für elektrische Schaltkreise, bei dem aus einer Kupferfolie und zumindest einer Aluminiumfolie mittels Walzplattieren zumindest eine erste Verbundschicht (2, 2') hergestellt wird, die zumindest eine Kupferschicht (3, 3') und eine daran anschließende

Aluminiumschicht (4, 4') aufweist, bei dem zumindest die von Kupferschicht (3, 3') abgewandten Oberflächenseite der Aluminiumschicht (4, 4') eloxiert wird und dadurch eine Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus Aluminiumoxid erzeugt wird, und bei dem die erzeugte Eloxal- bzw. Isolationsschicht (5) aus

Aluminiumoxid über zumindest eine Klebstoffschicht (6, 6') mit einer

Metallschicht (7) oder zumindest einer zweiten Verbundschicht (2') oder zumindest einer Papierkeramikschicht (11 ) verklebt wird.