JPH08213511A

JPH08213511A - 金属膜、混成集積回路基板及び混成集積回路基板の成形方法と製造方法及び混成集積回路基板用導体の製造方法

Info

Publication number: JPH08213511A
Application number: JP4408795A
Authority: JP
Inventors: Makoto Fukuda; 誠福田; Takeshi Shimizu; 剛清水; Masayoshi Tadano; 政義多々納; Yukio Uchida; 幸夫内田
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 1994-03-03
Filing date: 1995-03-03
Publication date: 1996-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度実装可能な、しかもワイヤーボンディ
ング性に優れる混成集積回路基板を提供できることを目
的とする。【構成】最外層の少なくとも一層がＡｌであり、Ｃｕ
とＡｌが交互に積層された金属膜であって、最外層のＡ
ｌ層の少なくとも一層の表面にＡｌ酸化層を有すること
を特徴とする。またＡｌ酸化層の少なくとも一層の厚さ
が０．１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。
さらに、最外層のＡｌ層の少なくとも一層の厚みが、
０．５μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする。
上記金属膜からなり、最小導体幅及び最小導体間隔が４
００μｍ未満であることを特徴とする。混成集積回路基
板の製造方法であって、最外層にＡｌ酸化層を有する回
路導体を形成した後、ワイヤーボンディング工程前にＡ
ｌ酸化層を除去することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム（Ａｌ）
層と銅（Ｃｕ）層からなる金属膜と該金属膜を用いて高
密度実装性に優れ、しかもワイヤーボンディング性に優
れる混成集積回路基板並びに該混成集積回路基板の成形
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】抵抗やコンデンサ、インダクタンス等の
電気部品チップや半導体、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等を
搭載した混成配線回路基板においては、近年の軽薄短小
時代に即して、一層の高集積化、高密度実装化が要求さ
れている。かかるより高密度の実装を達成するために、
各部品を接続して機能する回路、特に回路導体は、より
小さな導体幅、導体間隔を持つことが要求される。しか
し、単に導体幅、導体間隔のみを小さくしようとする
と、回路導体の断面積が小さくなり抵抗値も増加するの
で、回路導体に流れる電流による熱発生が大きくなって
しまう。その結果、混成集積回路基板自体の温度が高ま
り、回路部品が誤動作を起こしたり、寿命が短くなると
いう問題が発生する。そのため、導体の厚みを厚くしな
がら、導体幅及び導体間隔を小さくすることが試みられ
てきたが、エッチング速度の速度制御が容易でない等の
理由から、４００μｍ未満の小さな導体幅或いは導体間
隔を有する混成集積回路を得ることはできなかった。

【０００３】さらに、高密度実装化に関しては、回路導
体と半導体素子等の部品をＡｌリード線（以下、単にワ
イヤーという。）を介し、超音波にて溶融接続するワイ
ヤーボンディング法が公知であるが、ワイヤーボンディ
ングをより厚い回路導体の厚みで、しかもより小さな導
体幅、導体間隔を有する回路導体について、安定して、
確実に達成できるようにすることが重要である。従来、
ワイヤーボンディングでは、ワイヤーと回路導体との接
続が密接になるように、配線パターンの回路が形成され
たＣｕ層上に、貴金属メッキもしくはＮｉ等の卑金属メ
ッキを施すか、またはＣｕ層上にＡｌ片等のワイヤーボ
ンディングが可能な金属片を接合する必要があった。し
かし、貴金属メッキやＮｉメッキは高価であるだけでな
く、均一なメッキ面を得ることが難しく、ワイヤーボン
ディング性能は不安定であり、また金属片を接合する方
法では金属片の数が多いと、回路形成作業が煩雑になる
という問題があった。

【０００４】また、ワイヤーボンディングに優れる回路
導体を提供する方法が、特開昭５８ー４８４３２号公報
に開示されている。この技術によれば、金属基板上に絶
縁物層、アルミニウムー銅クラッド箔を順に積層して一
体化してなる積層物において、アルミニウムー銅クラッ
ド箔をエッチングして配線回路を形成させ、さらにエッ
チングしてアルミニウム回路を形成させ、該アルミニウ
ム回路と半導体とを超音波振動法によりアルミニウムリ
ード線で固着させる混成集積回路の製法が開示されてい
る。これにより、高分子樹脂絶縁層を有する銅箔回路で
は絶縁層が低ヤング率であるためワイヤーボンディング
を行えば、超音波がにげる現象を防止でき、ボンディン
グ条件も向上するという効果を奏している。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、上記の回
路形成法に従って、Ｃｕ層を厚くしたＡｌとＣｕとの複
層金属膜を用いて回路形成する場合、回路導体のエッチ
ング時間の増加に伴い、Ａｌ層部もエッチング液と接触
しているので同時にエッチングされ、その結果、得られ
たＡｌ回路において、優れたＡｌワイヤーボンディング
性が失われるという問題が発生する。これに対し、Ａｌ
層部の厚みを増加することで、エッチング液からのエッ
チングを抑えようとすると、次に続くＡｌ回路をアルカ
リエッチングで形成する際に、サイドエッチングが激し
くなり、高密度実装に適したＡｌ回路を形成することが
困難になるという問題があった。

【０００６】即ち、配線パターンの回路導体の導体幅、
導体間隔を小さくするためにはＡｌ回路をできるだけ薄
いことが望ましいが、一方ワイヤーボンディング性に優
れるためにはＡｌ回路が厚いほうが望ましいという相反
する関係がある。本発明はこれらの問題を解決するため
鋭意検討した結果、本願発明に開示する金属膜を用い、
また形成方法に従う時に、導体幅、導体間隔が４００μ
ｍ未満で、高密度実装可能な、しかもワイヤーボンディ
ング性に優れる混成集積回路基板を提供できることを見
いだしたのである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、最外層の少なくとも一層がＡｌであ
り、ＣｕとＡｌが交互に積層された金属膜であって、該
最外層のＡｌ層の少なくとも一層の表面にＡｌ酸化層を
有することを特徴とする混成集積回路用金属膜であり、
より具体的には、上記Ａｌ酸化層の少なくとも一層の厚
さが０．１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とし、
また上記最外層のＡｌ層の少なくとも一層の厚みが、
０．５μｍ以上４０μｍ以下である混成集積回路に用い
られる金属膜を提供するものである。かかる構成によ
り、本金属膜はＡｌ酸化層のエッチング耐性による２段
階のエッチングにもサイドエッチングに耐え、回路導体
による回路パターンを正確に且つ安定に取り出すことが
できる。

【０００８】また、本発明によれば、最小導体幅及び最
小導体間隔が４００μｍ未満であることを特徴とする混
成集積回路基板、及び最外層にＡｌ酸化層を有する回路
導体を形成した後、ワイヤーボンディング工程前にＡｌ
酸化層を除去することを特徴とする混成集積回路基板の
製造方法を提供するものである。上記金属膜のエッチン
グ特性により、最小導体幅及び最小導体間隔が４００μ
ｍ未満であっても、超音波振動法等によるワイヤーボン
ディングの際に確実な固着が実施できることがわかっ
た。

【０００９】以下、具体的に本願発明について、図を参
照しつつ説明する。

【００１０】図１乃至図４は、本発明による金属膜の一
例を示す断面図であり、図５は図１に例示の金属膜を用
いた混成集積回路基板の回路形成前の状況（以下、母板
という）を示す断面図である。さらに、図８は、図５を
経て作られる混成集積回路基板の一例を示す断面図であ
る。また、図９は本発明による混成集積回路基板の他の
一例を示す断面図である。

【００１１】本発明による金属膜は、Ｃｕ層とＡｌ層が
交互に積層され、最外層の少なくとも一層がＡｌ層であ
る構造を有するもののうち、最外層のＡｌ層の少なくと
も一層の表面にＡｌ酸化層を有するものである。Ｃｕ層
とＡｌ層の層数については、図２に例示したようにおの
おの一層づつの場合であっても、また、図１、図３及び
図４に例示したように、Ｃｕ層及びＡｌ層のそれぞれが
複数層であってもよい。また、本発明の金属膜を構成す
るＣｕ、Ａｌについては、電気抵抗の小さな高純度のも
のが好ましく、少なくとも９９％以上の純度であれば良
いが、それぞれを主成分とする合金をも用いることがで
きる。また、本発明はＣｕとＡｌの組合せについてのも
ので、他の組合せについては金属膜の形成手段やコスト
の面で推奨できない。また、金属膜とは金属箔をも含む
薄い金属のフィルム形状のもので、基板の上に印刷、メ
ッキ、、スプレー、蒸着やプラズマスパッタリング等で
形成しても、延ばして平たくしたものでもよい。

【００１２】以下、図１をもって、さらに詳細に説明す
る。図１において、３はＣｕ膜で、圧延、展延、展伸し
た厚さ９〜１０００μｍが好ましく、薄すぎれば抵抗値
が増加して回路導体として熱を発生し、厚すぎれば所定
の導体幅を得るためのエッチング時間がかかりすぎる。
また、２０，２０’はＡｌ層で、Ｃｕ膜にメッキ、蒸
着、スパッタリング法により積層する。さらに１，１’
はＡｌ酸化層で、Ａｌ層２０，２０’表面に陽極酸化法
や大気中での熱処理酸化法等で積層する。また、混成集
積回路基板用としては、図１で、下方のＡｌ酸化層１’
面がベース基板に面するものと仮定する。

【００１３】最外層のＡｌ層２０，２０’の表面にある
Ａｌ酸化層１，１’の少なくとも一層１の厚さは、０．
１μｍ以上２．０μｍ以下である。最外層Ａｌ層２０の
表面にＡｌ酸化層１を存在させれば、導体回路形成時の
エッチングにおいて、最外層のＡｌ層２０がエッチング
されにくくなるので、サイドエッチング等の不良発生を
防止できる。しかし、一方でＡｌ酸化層１があまりにも
厚くなると、ワイヤーボンディング性が不良となる。本
発明者らは、エッチングを行なうときにはＡｌ酸化層１
を存在させ、しかもワイヤーボンディングを行う時には
Ａｌ酸化層１を存在させなければ、本発明の当初目的が
達成できると考え、実験的に検討を重ね、本発明に至っ
たものである。

【００１４】また、図２において、３はＣｕ膜で、ベー
ス基板に積層する場合は蒸着、溶融精製、電解、陰イオ
ン交換精製法により、膜単体としては上記圧延、展伸等
により形成する。また、２０はＡｌ層で、例えば三層電
解法、偏析法、帯溶融法等や電気メッキ、真空蒸着等に
より、Ｃｕ膜３上に積層する。さらに１はＡｌ酸化層
で、硫酸系陽極酸化処理により形成する。

【００１５】また、図３において、３はＣｕ膜で、２は
Ａｌ膜であり、例えば下層のＣｕ膜３にメッキ、蒸着等
でＡｌ膜２を形成し、その上にＣｕ膜３をメッキ、蒸着
等で形成する。２０は同じくＡｌ膜で、上層のＣｕ膜３
の上にメッキ、蒸着等で形成する。あるいは、下層のＣ
ｕ膜３にメッキ、蒸着等でＡｌ膜２を形成して複合層を
得て、更にこの複合層を２層積層し、圧延、接合するこ
とによっても得ることができる。ここで、１はＡｌ酸化
層で、陽極酸化法等でＡｌ膜２０上に形成する。図３に
示す金属膜をベース基板上に形成する場合は、ベース基
板上に順次、溶融浸せきメッキや金属溶射メッキして行
き、Ａｌ酸化層で陽極酸化法等を適用する。又はベース
基板上に順次蒸着してもよい。

【００１６】図４においては、Ｃｕ層が２層でＡｌ層が
３層の例を示したもので、２０，２０’はＡｌ層、２も
同様にＡｌ層、３はＣｕ層、１はＡｌ酸化層であり、形
成方法は図３の方法と同じでよい。また、ベース基板上
に積層する場合においても同様である。

【００１７】上記図２〜図４においても、図１と同様
に、最外層のＡｌ層２０，２０’の表面にあるＡｌ酸化
層１，１’の少なくとも一層１の厚さは、０．１μｍ以
上２．０μｍ以下で、最外層Ａｌ層２０の表面にＡｌ酸
化層１を存在させれば、導体回路形成時のエッチングに
おいて、最外層のＡｌ層２０がエッチングされにくくな
るので、サイドエッチング等の不良発生を防止できる。
一方で、Ａｌ酸化層１があまりにも厚くなると、ワイヤ
ーボンディング性が不良となる。

【００１８】上述の金属膜の内、図１に示す金属膜を例
にベース基板上に積層した混成集積回路基板の例を図５
に示す。図において、５はＡｌ板、Ｆｅ板などのベース
基板としての金属板で、４は絶縁物としての樹脂で、金
属板５上に溶融固着又は接着固着する。１，１’は図１
で説明したようにＡｌ酸化層で、２０，２０’はＡｌ
層、３はＣｕ層である。また、ベース基板としては、ア
ルミナ、ベリリア、ステアサイト、チタン酸バリウム等
のセラミック、あるいはポリイミド、ガラスーエポキ
シ、紙ーフェノール等の樹脂あるいは複合材でもよく、
耐性、強度が維持できればこれらのセラミック、樹脂あ
るいは複合材に直接金属膜を形成してもよい。

【００１９】図６は、上記Ａｌ酸化層１の厚みに対する
回路導体のエッチング特性を示すグラフである。図６に
例示するように、サイドエッチング等を起こさずに良好
な導体回路がえられるＡｌ酸化層１の厚みは、０．１μ
ｍ以上であれば良い。また、混成集積回路基板のワイヤ
ーボンディングを施すに当たり、回路導体の洗浄を目的
に、アルカリ脱脂またはバフ研磨を施すのが一般的であ
るが、この洗浄操作を積極的に行なうことで、回路導体
の表面のＡｌ酸化層部分の数μｍの部分を安定に除去す
ることができる。Ａｌ酸化層１の厚さの上限について
は、上記の操作によって除かれる厚み以内であることが
好ましい。２μｍを越える場合には、Ａｌ酸化層１の除
去に余計な手間と費用が掛かり、得策ではない。

【００２０】最外層のＡｌ層２０，２０’の表面にある
Ａｌ酸化層１，１’の一方のＡｌ酸化層１’の存在は、
特に必須のものではないが、Ｃｕ層３に対して対象的に
積層して金属膜及びＡｌ酸化層を形成し、そのままベー
ス基板に絶縁物層を介して接合するために好都合であ
り、特に、硫酸系陽極酸化法では、硫酸系液剤に浸析し
て積層するので、一方のＡｌ酸化層１’を除去する工程
が不要となる。

【００２１】また、上記金属膜中、最外層のＡｌ層２
０，２０’のうち少なくとも一層２０の厚みは０．５μ
ｍ以上４０μｍ以下である。最外層のＡｌ層２０は、ワ
イヤーボンディングをする時にワイヤーと直接的に接合
されるので重要である。最外層のＡｌ層２０の厚みが
０．５μｍ未満の場合には、回路導体を形成するエッチ
ングの際にエッチングされてしまい、表面にＡｌ層２０
が無くなることがある。最外層のＡｌ層２０がなくなる
と、リード線とのワイヤーボンディング性が不良とな
る。また、図７には最外層のＡｌ層の厚みに対する回路
導体の最小導体幅のグラフを示すが、Ａｌ層の厚みが４
０μｍを越える場合には、Ａｌ層２０で構成される回路
導体の導体幅及び導体間隔を４００μｍ未満に制限する
ことができなくなり、従来の混成集積回路における最小
導体幅や間隔と同様になり、高密度の実装が困難にな
る。

【００２２】金属膜全体の厚みについては、混成集積回
路基板の用途、目的に応じて、いろいろなものが選択さ
れる。一般的には、９μｍ〜１０００μｍであり、大電
流用との場合には３５μｍ〜１０００μｍが、制御用の
小電流用との場合には９μｍ〜７０μｍの厚みのものが
用いられる。

【００２３】また、本発明の金属膜は、Ａｌ膜とＣｕ膜
との圧着クラッド法、Ａｌ膜をメッキ基体とした電気Ｃ
ｕメッキ法、Ｃｕ膜をメッキ基体とした電気Ａｌメッキ
法、或いはＣｕ膜をメッキ基体として蒸着Ａｌメッキ法
等のＣｕ層とＡｌ層を積層する方法、或いは、前記方法
で得られた金属膜の複数をクラッド圧着、ロール圧着等
の積層圧着する方法、更に、最外層のＡｌ層の表面を陽
極酸化や大気中で熱処理してＡｌ酸化層とする方法等を
組み合わせて製造されるのが好ましいが、いずれの方法
によるものであっても構わない。

【００２４】次に、金属膜は、図５に例示するように絶
縁物層４を介してベース基板５上に積層される。絶縁物
層４に面する最外層がＣｕ層３の場合には、その表面を
予めエッチング処理し、粗化することで、前記絶縁物層
４との接合・接着強度を高めることができる。この時の
エッチング液としては、アンモニアー過酸化水素系の軽
いエッチング液が適する。

【００２５】ベース基板５としては、アルミニウム、鉄
等の金属を用いることができるが、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム等のセラミック、或いは、エポキシ、
フェノール等の樹脂であってもよい。このうち、小さな
導体幅、及び導体間隔を有していて、高密度実装に適す
るベース基材としては、熱放散性に優れるという理由か
ら、金属、とりわけアルミニウムあるいはその合金が好
ましく用いられる。絶縁物層４は、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂等の接着性を有する樹脂からなり、ベース基
材５上に直接形成された後に金属膜と接合したり、ある
いは、金属膜上に形成した後にベース基材５上に一体的
に形成して積層することで得られるが、ベース基材５か
らの熱放散を助長する目的で、電気絶縁性の無機物、例
えば酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化
硼素等、或いはこれらの混合物を充填してもよい。

【００２６】図８は、本発明の一例を示す混成集積回路
基板の断面の模式図である。ベース基板５上に絶縁物層
４を介して、回路パターンとしてＡｌ酸化層の１’、Ａ
ｌ層２０１’、Ｃｕ層３１およびＡｌ層２０１が積層さ
れた構造をなしていて、Ｃｕ回路３１の一部には、必要
に応じて回路素子として抵抗、コンデンサや半導体６が
半田層８を介して配置され、また半導体６はＡｌリード
線（ワイヤー）７を介しＡｌ回路２０１に電気的に接続
されている。ここで、Ｃｕ回路３１およびＡｌ回路２０
１，２０１’は、相互に積層した複合膜からエッチング
されて形成されるので、相互に直接的に接している。

【００２７】具体的には、例えば図５に示す混成集積回
路基板上にスクリーン印刷法でＡｌ酸化層１の上からレ
ジストを塗布し、Ａｌ層とＣｕ層の両方に対してエッチ
ング可能な塩化第二鉄等でエッチングし、配線回路を形
成する。その後レジストを取り除いた後、Ａｌ層導電回
路を必要とする部分に再びレジストを塗布し、Ａｌ層を
選択的に溶解できるアルカリエッチング液で不必要な部
分のＡｌ層を取り除くとともにＣｕ層を露出させる。そ
して、レジストを取り除いた後、露出したＣｕ層導電回
路上に半田８を介して、混成集積回路部品の例えば半導
体６やチップ抵抗等を搭載固着した後、混成集積回路部
品とＡｌ回路導体とをＡｌリード線ワイヤー７により超
音波振動法等で固着する。而して、回路導体の導体幅や
導体間隔を４００μｍ未満とすることができ、ボンディ
ング特性の良い高密度に実装された混成集積回路を得る
ことができる。

【００２８】また、図９には、本発明の他の一例を示す
混成集積回路基板の断面の模式図である。図において、
ベース基板５上に絶縁物層４を介して、回路パターンと
して、Ａｌ層２０１’、Ｃｕ層３１およびＡｌ層２０１
が積層された構造をなしていて、Ｃｕ回路３１の一部に
は、必要に応じて回路素子として抵抗、コンデンサや半
導体６が半田層８を介して配置され、また半導体６はＡ
ｌリード線（ワイヤー）７を介しＡｌ回路２０１に電気
的に接続されている。ここで、Ｃｕ回路３１およびＡｌ
回路２０１，２０１’は、相互に積層した複合膜から、
上述のごとく２段階でエッチングされて形成されるの
で、相互に直接的に接している。この場合にも、回路導
体の導体幅や導体間隔を従来より極めて狭くでき、混成
集積回路上の回路パターンの占有面積を小さくできるの
で、実装密度を高めることが可能となる。

【００２９】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。

【００３０】〔実施例１〕厚さ３００μｍのＣｕ膜の片
面に電気メッキ法で厚み５μｍのＡｌメッキを施して、
Ａｌ層とＣｕ層との複層金属膜を図２に示す構成で作成
した。この複層金属膜のＡｌ層表面を硫酸系陽極酸化処
理液にて処理し、厚み１μｍのＡｌ酸化層を形成し、混
成集積回路基板用の金属膜を作成した。この金属膜のＣ
ｕ層表面をアンモニアー過酸化水素系の液で軽くエッチ
ングを施した。

【００３１】上記金属膜を、厚さ１．５μｍのＡｌ板
に、厚み１００μｍのシリカ含有エポキシ樹脂からなる
絶縁物層を介して積層し、回路形成用の母板を作成し
た。この母板にスクリーン印刷法にてレジストを塗布
し、Ａｌ層とＣｕ層の両者に対してエッチング効果を有
する塩化第２鉄水溶液でエッチングして回路導体を形成
した。

【００３２】レジストを除去した後、Ａｌ回路導体を必
要とする部分に再びレジストを塗布し、アルカリエッチ
ング液により選択的に不必要なＡｌ層を取り除いてＣｕ
回路導体を露出させた。レジストを取り除いた後に、Ｃ
ｕ回路導体上に半田を介して半導体を搭載し、更に、半
導体とＡｌ回路導体とをワイヤーを用い、超音波振動法
で固着させた。前記ワイヤーボンディングにおいて、何
等の異常も見いだされなかった。

【００３３】更に、Ａｌメッキにて形成されるＡｌ層の
厚みを０．５〜５０μｍの範囲で変化させたこと以外
は、上記と同一の操作をして得られた混成集積回路基板
について、製作可能な導体幅と導体間隔を測定した。こ
の結果を、最外層のＡｌ層の厚みとともに、図７に示し
た。最外層のＡｌ層の厚みが０．５μｍ以上４０μｍ以
下の範囲にある時、導体幅が２５０μｍ以上４００μｍ
未満の混成集積回路が得られることが明らかである。な
お、導体幅が２５０μｍ以上としたのは、エッチング液
材やエッチング時間との関係で導体幅が制限されたもの
で、本発明がこの数字に影響されるものではなく、導体
幅が４００μｍ未満の回路導体を形成できることが実証
される。

【００３４】〔実施例２〕厚さ３００μｍのＣｕ膜の両
面に電気メッキ法で厚み５μｍのＡｌメッキを施して、
Ａｌ層とＣｕ層との複層金属膜を作成した。この複層金
属膜のＡｌ層表面を硫酸系陽極酸化処理液にて処理し、
厚みを１μｍのＡｌ酸化層を形成し、混成集積回路用の
金属膜を作成した。

【００３５】上記の金属膜を用い、実施例１と同一の処
理を施して、混成集積回路基板を作成した。この際のワ
イヤーボンディングにおいて、何等の異常も見いだされ
なかった。

【００３６】〔比較例１〕混成集積回路用金属膜の作成
において、最外層のＡｌ層の表面を硫酸系陽極酸化処理
液にて処理し、厚み１μｍのＡｌ酸化層を形成すること
を行わなかった以外は、実施例１と同一の方法で混成集
積回路基板を作成した。この混成集積回路基板はワイヤ
ーボンディング性が不良であった。

【００３７】〔比較例２〕混成集積回路用金属膜の作成
において、最外層のＡｌ層の厚さ５０μｍとしたこと以
外は、実施例２と同一の方法で混成集積回路基板を作成
したところ、Ａｌ回路導体の導体幅が３００μｍに設計
した部位でエッチング性が悪く、しかもワイヤーボンデ
ィング性が不良であった。

【００３８】

【発明の効果】本発明の混成集積回路基板は、上述のよ
うに、導体幅及び導体間隔が従来得られなかった４００
μｍ未満であり、高密度実装に適する。また、本発明に
よれば、前記の導体幅および導体間隔が４００μｍ未満
と小さく、従って高密度実装可能な、しかもワイヤーボ
ンディング性に優れる混成集積回路基板を容易に得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による金属膜の一例を示す断面図であ
る。

【図２】本発明による金属膜の他の一例を示す断面図で
ある。

【図３】本発明による金属膜の他の一例を示す断面図で
ある。

【図４】本発明による金属膜の他の一例を示す断面図で
ある。

【図５】本発明による金属膜を用いた混成集積回路基板
用の母板の一例を示す断面図である。

【図６】最外層のＡｌ層の表面上のＡｌ酸化層の厚みと
回路導体形成時のエッチング特性との関係を示すグラフ
である。

【図７】最外層のＡｌ層の厚みと作成可能な最小の導体
幅及び導体間隔との関係を示すグラフである。

【図８】本発明による金属膜を用いた混成集積回路基板
の一例を示す断面図である。

【図９】本発明による金属膜を用いて作成した混成集積
回路基板の他の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１，１’ Ａｌ酸化層２Ａｌ層３Ｃｕ層４絶縁物層５ベース基板６半導体７Ａｌリード線８半田２０最外層のＡｌ層３０最外層のＣｕ層３１Ｃｕ層から形成されるＣｕ回路導体２０１最外層のＡｌ層から形成されるＡｌ回路導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者内田幸夫大阪府堺市石津西町５番地日新製鋼株式会社鉄鋼研究所表面処理研究部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】最外層の少なくとも一層がＡｌ層であ
り、Ｃｕ層とＡｌ層が交互に積層された金属膜であっ
て、前記最外層のＡｌ層の少なくとも一層の表面にＡｌ
酸化層を有することを特徴とする金属膜。
【請求項２】前記Ａｌ酸化層の少なくとも一層の厚さ
が０．１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする請
求項１に記載の金属膜。
【請求項３】前記最外層のＡｌ層の少なくとも一層の
厚みが、０．５μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴
とする請求項１に記載の金属膜。
【請求項４】請求項１、２又は３に記載の金属膜から
なり、最小導体幅及び最小導体間隔が４００μｍ未満で
あることを特徴とする混成集積回路基板。
【請求項５】請求項１、２又は３に記載の金属膜を、
ベース基板上の絶縁物層の上位に形成したことを特徴と
する混成集積回路基板。
【請求項６】請求項１乃至３のいずれかに記載の金属
膜を積層した混成集積回路基板の成形方法であって、前
記最外層にＡｌ酸化層を有する導体回路を形成した後、
ワイヤーボンディング工程前に該Ａｌ酸化層を除去する
ことを特徴とする混成集積回路基板の成形方法。
【請求項７】請求項１乃至３のいずれかに記載の金属
膜を積層した混成集積回路基板の製造方法であって、前
記Ｃｕ層に、厚さ０．５〜４０μｍの前記Ａｌ層と、厚
さ０．１〜２μｍの前記Ａｌ酸化層を順次積層したこと
を特徴とする混成集積回路基板の製造方法。
【請求項８】最外層の少なくとも一層がＡｌ層で、Ｃ
ｕ層とＡｌ層が交互に積層された金属膜と、該金属膜の
前記最外層の少なくとも一層のＡｌ層の表面に形成され
たＡｌ酸化層と、前記金属膜下に形成された絶縁物層
と、該絶縁物層下に形成されたベース基材とから成る混
成集積回路基板用導体の製造方法であって、前記Ａｌ酸化層の厚さが０．１〜２μｍを有し、前記混
成集積回路基板を最小導体幅又は最小導体間隔を４００
μｍ未満とするエッチングを行なうことを特徴とする混
成集積回路基板用導体の製造方法。