JPS62214632A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPS62214632A JPS62214632A JP61057439A JP5743986A JPS62214632A JP S62214632 A JPS62214632 A JP S62214632A JP 61057439 A JP61057439 A JP 61057439A JP 5743986 A JP5743986 A JP 5743986A JP S62214632 A JPS62214632 A JP S62214632A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は混成集積回路に関し、特に金属基板を用いる混
成集積回路の改良に関する。
成集積回路の改良に関する。
（ロ）従来の技術
従来の混成集積回路は第３図に示す如く、セラミック基
板（１０）上に貴金属の粉末を含むペーストの印刷、焼
成により、厚膜（１１）を形成し、半導体チップと基板
回路の接続の際のハンダ流出を防止するため絶縁材料か
らなるダム（１３）を設け、厚膜の配線上をハンダメッ
キ（１２）で覆った後、あらかじめ配線端子にハンダバ
ンブを形成した半導体チップ（１４）の表面を基板（１
０）の方向に向は基板（１０）に接続していた。
板（１０）上に貴金属の粉末を含むペーストの印刷、焼
成により、厚膜（１１）を形成し、半導体チップと基板
回路の接続の際のハンダ流出を防止するため絶縁材料か
らなるダム（１３）を設け、厚膜の配線上をハンダメッ
キ（１２）で覆った後、あらかじめ配線端子にハンダバ
ンブを形成した半導体チップ（１４）の表面を基板（１
０）の方向に向は基板（１０）に接続していた。
上述した同様の技術は特開昭５９−１０６１４０号公報
に記載されている。
に記載されている。
しかし、上述した混成集積回路では基板にセラミック基
板を用いるために機械的な強度が弱く、高価で且つ放熱
作用がわるい欠点があった。
板を用いるために機械的な強度が弱く、高価で且つ放熱
作用がわるい欠点があった。
そこで、第３図に示す如く、熱伝導性良好なアルミニウ
ム基板（２０）を用い、その基板（２ｏ）表面に酸化ア
ルミニウム膜（２１）を形成して、更にその上面に絶縁
樹脂（２２）を介して導電路（２３）を形成した後、そ
の導電路（２３）上に半導体素子（２４）をフェイスダ
ウン接続して斯上した欠点を解決していた。
ム基板（２０）を用い、その基板（２ｏ）表面に酸化ア
ルミニウム膜（２１）を形成して、更にその上面に絶縁
樹脂（２２）を介して導電路（２３）を形成した後、そ
の導電路（２３）上に半導体素子（２４）をフェイスダ
ウン接続して斯上した欠点を解決していた。
しかしながら、上述したアルミニウム基板（２０〉の熱
膨張率αが２４Ｘ１０−’／”Ｃ１これに対し半導体素
子（２４）の熱膨張率αが２．４Ｘ１０弓／℃と両者の
熱膨張率αが著しく異なり、温度サイクルによって半導
体素子（２４）とアルミニウム基板（２０）とを接続す
るハンダにクラックが発生する危惧を有していた。
膨張率αが２４Ｘ１０−’／”Ｃ１これに対し半導体素
子（２４）の熱膨張率αが２．４Ｘ１０弓／℃と両者の
熱膨張率αが著しく異なり、温度サイクルによって半導
体素子（２４）とアルミニウム基板（２０）とを接続す
るハンダにクラックが発生する危惧を有していた。
斯上した欠点を除去するために第３図に示す如く、銅板
（３１）、インバー（３２）、銅板（３１）の３ Ｊｆ
ｊ構造の金属基板（３０）を発明した。この３層構造基
板（３０）によれば、金属基板（３０）の熱膨張率αを
著しく低下させることができ半導体素子の熱膨張率αと
緩和することができるので金属基板と半導体素子とを接
続するハンダにクラックが発生しない利点を有していた
。
（３１）、インバー（３２）、銅板（３１）の３ Ｊｆ
ｊ構造の金属基板（３０）を発明した。この３層構造基
板（３０）によれば、金属基板（３０）の熱膨張率αを
著しく低下させることができ半導体素子の熱膨張率αと
緩和することができるので金属基板と半導体素子とを接
続するハンダにクラックが発生しない利点を有していた
。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、斯上した銅板、インバー、銅板の３層構
造基板の銅板上に直接樹脂層および銅箔を貼着すると銅
板の表面が圧延工程によって極めて緻密で平滑に形成さ
れるため、ハンダリフロ一工程において、金属基板を３
２０°Ｃ前後まで加熱すると絶縁樹脂層からガスが発生
した際、そのガスによって銅板、即ち、金属基板と樹脂
層とが剥離して銅箔を押し上げる欠点を有していた。
造基板の銅板上に直接樹脂層および銅箔を貼着すると銅
板の表面が圧延工程によって極めて緻密で平滑に形成さ
れるため、ハンダリフロ一工程において、金属基板を３
２０°Ｃ前後まで加熱すると絶縁樹脂層からガスが発生
した際、そのガスによって銅板、即ち、金属基板と樹脂
層とが剥離して銅箔を押し上げる欠点を有していた。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、第１
図に示す如く、銅板（２）、インバー（３）、銅板（２
）の３層構造からなる金属基板（１）上にアルミメッキ
層（４）を設け、そのアルミメッキ層（４）上に陽極酸
化により酸化アルミニウム膜（５）を設けて解決するも
のである。
図に示す如く、銅板（２）、インバー（３）、銅板（２
）の３層構造からなる金属基板（１）上にアルミメッキ
層（４）を設け、そのアルミメッキ層（４）上に陽極酸
化により酸化アルミニウム膜（５）を設けて解決するも
のである。
（＊）作用
この様に銅板（２）、インバー（３〉、銅板（２）の３
層構造の金属基板（１）上にアルミメッキ層（４）およ
び酸化アルミニウム膜（５）を設けることにより、その
酸化アルミニウム膜（５）の表面が多孔質で形成される
ため樹脂層（６）との密着力がよくなり、樹脂層（６）
の剥離を防止することができる。
層構造の金属基板（１）上にアルミメッキ層（４）およ
び酸化アルミニウム膜（５）を設けることにより、その
酸化アルミニウム膜（５）の表面が多孔質で形成される
ため樹脂層（６）との密着力がよくなり、樹脂層（６）
の剥離を防止することができる。
（へ）実施例
以下に本発明を第１図に示した実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
金属基板（１）は銅板（２）、インバー（３）、銅板（
２）の夫々の積層比を１：３：１の割合で１０〜３０１
−□Ｈ／ａｍ”の圧力のローラでクラッド処理を行い、
圧延工程で所定の厚さになるまで伸した後、プレス加工
で所定め大きさに打抜き形成される。その基板（１）表
面に電解メッキ法等によってアルミニウムをメッキしア
ルミメッキ層（４）が形成され、更にその表面に陽極酸
化処理を行い酸化アルミニウム膜り５）が形成される。
２）の夫々の積層比を１：３：１の割合で１０〜３０１
−□Ｈ／ａｍ”の圧力のローラでクラッド処理を行い、
圧延工程で所定の厚さになるまで伸した後、プレス加工
で所定め大きさに打抜き形成される。その基板（１）表
面に電解メッキ法等によってアルミニウムをメッキしア
ルミメッキ層（４）が形成され、更にその表面に陽極酸
化処理を行い酸化アルミニウム膜り５）が形成される。
インバー（３）はニッケル３６％、鉄６４％の合金であ
り、その熱膨張率αは１．５Ｘ１０−’／’Ｃである。
り、その熱膨張率αは１．５Ｘ１０−’／’Ｃである。
金属基板（１）上にアルミメッキ、！（４）および酸化
アルミニウム膜（５）を形成した後、その面上に絶縁樹
脂層（６）および導電路（７）となる銅箔が貼着される
。絶縁樹脂Ｍ！！（４）はエポキシ樹脂等が用いられる
。次に、銅箔を所定のパターンにエツチングして導電路
（７）を形成し、その導電路（７）上に半導体素子（８
）のバンブ電極と対応する位置にＡｕを蒸着してハンダ
をディップしハンダリフロ一工程で金属基板（１）を３
２０°Ｃ前後に加熱し金属基板（１）上に半導体素子（
８）をフェイスダウン接続する。
アルミニウム膜（５）を形成した後、その面上に絶縁樹
脂層（６）および導電路（７）となる銅箔が貼着される
。絶縁樹脂Ｍ！！（４）はエポキシ樹脂等が用いられる
。次に、銅箔を所定のパターンにエツチングして導電路
（７）を形成し、その導電路（７）上に半導体素子（８
）のバンブ電極と対応する位置にＡｕを蒸着してハンダ
をディップしハンダリフロ一工程で金属基板（１）を３
２０°Ｃ前後に加熱し金属基板（１）上に半導体素子（
８）をフェイスダウン接続する。
断る本発明に依れば、銅板（２）、インバー（３）、銅
板（２）の３層構造の金属基板（１）上にアルミメッキ
層（４）を介して酸化アルミニウム膜（５）を設けるこ
とにより、その酸化アルミニウム膜（５）の表面が多孔
質で形成されるため絶縁樹脂層（６）が孔の中へ浸透し
密着性がよくなり、基板（１）を３２０″Ｃ前後に加熱
しても従来の様な樹脂層（６）の剥離が発生しない利点
を有する。
板（２）の３層構造の金属基板（１）上にアルミメッキ
層（４）を介して酸化アルミニウム膜（５）を設けるこ
とにより、その酸化アルミニウム膜（５）の表面が多孔
質で形成されるため絶縁樹脂層（６）が孔の中へ浸透し
密着性がよくなり、基板（１）を３２０″Ｃ前後に加熱
しても従来の様な樹脂層（６）の剥離が発生しない利点
を有する。
（ト）発明の効果
上述の如く、本発明に依れば、銅板、インバー、銅板の
３層構造の金属基板上にアルミメッキ層を介して酸化ア
ルミニウム膜を設けることにより、酸化アルミニウム膜
の表面に形成された孔に樹脂が浸透するので、酸化アル
ミニウム膜と樹脂層との密着が強固になり、ハンダリフ
ロ一工程において基板を加熱した際、樹脂層からガスが
発生しても従来発生していた樹脂層の剥離を防止するこ
とができる。
３層構造の金属基板上にアルミメッキ層を介して酸化ア
ルミニウム膜を設けることにより、酸化アルミニウム膜
の表面に形成された孔に樹脂が浸透するので、酸化アル
ミニウム膜と樹脂層との密着が強固になり、ハンダリフ
ロ一工程において基板を加熱した際、樹脂層からガスが
発生しても従来発生していた樹脂層の剥離を防止するこ
とができる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図乃至第４
図は従来例を示す断面図である。 （１）・・・金属基板、 （２）・・・銅板、 （３
）・・・インバ第１図 第２図 仇３図 第４図
図は従来例を示す断面図である。 （１）・・・金属基板、 （２）・・・銅板、 （３
）・・・インバ第１図 第２図 仇３図 第４図
Claims (1)
- （１）両面が銅板で構成され、その間にインバーが設け
られた３層構造の金属基板と、該金属基板上に設けられ
たアルミメッキ層と、該アルミメッキ層上に設けられた
酸化アルミニウム膜と、該酸化アルミニウム膜上に絶縁
樹脂を介して設けられた所望形状の導電路と、該導電路
上に複数の半導体素子が設けられたことを特徴とする混
成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057439A JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057439A JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214632A true JPS62214632A (ja) | 1987-09-21 |
| JPH0450744B2 JPH0450744B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=13055686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61057439A Granted JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62214632A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| WO1995010172A1 (de) * | 1993-10-07 | 1995-04-13 | MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MüNCHEN GMBH | Metallkernleiterplatte zum einschieben in das gehäuse eines elektronikgerätes |
| JP2012099782A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 放熱基板 |
| JP2018533197A (ja) * | 2015-07-17 | 2018-11-08 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ | 電気回路基板および同型の基板の製造方法 |
| CN110113880A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-08-09 | 广东生益科技股份有限公司 | 金属基覆铜箔层压板及其制备方法 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61057439A patent/JPS62214632A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| WO1995010172A1 (de) * | 1993-10-07 | 1995-04-13 | MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MüNCHEN GMBH | Metallkernleiterplatte zum einschieben in das gehäuse eines elektronikgerätes |
| US5677514A (en) * | 1993-10-07 | 1997-10-14 | Mtu Motoren- Und Turbinen-Union Muenchen Gmbh | Metal-core PC board for insertion into the housing of an electronic device |
| JP2012099782A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 放熱基板 |
| JP2018533197A (ja) * | 2015-07-17 | 2018-11-08 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ | 電気回路基板および同型の基板の製造方法 |
| CN110113880A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-08-09 | 广东生益科技股份有限公司 | 金属基覆铜箔层压板及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450744B2 (ja) | 1992-08-17 |
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