JPH0477702B2 - - Google Patents
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Description
［産業上の利用分野］
本発明は電子部品用銅張りセラミツクス基板の
製造方法に関する。 ［従来の技術］ セラミツクスと金属の接合法についてはこれま
でに多くの方法が知られているが、その中で現在
パワーモジユール用銅張りセラミツク基板の製造
方法として実用化されている方法は特公昭57−
13515号公報及び特公昭60−4154号公報に開示さ
れている方法である。特公昭57−13515号公報に
開示されている方法は要約すると「金属部材
（銅）とセラミツク基板（アルミナ）とを接触さ
せて配置し、制御された反応性（酸素）雰囲気内
で該金属の共晶融体を形成してセラミツク基板と
金属部材とを結合する」ものであり、特公昭60−
4154号公報に開示されている方法は「銅部材また
はセラミツク基体上に200〜5000Åの厚さの銅酸
化物層を形成し、これをセラミツク基体または銅
部材と接触させて配置し、不活性雰囲気中におい
て加熱して銅と銅酸化物の亜共晶融体を形成して
銅部材とセラミツク基体とを結合する」ものであ
る。 特公昭60−4154号公報の方法は特公昭57−
13515号公報の方法を改良したものであるが、両
方法とも銅の融点よりも低い温度に加熱して銅部
材とアルミナ基体との間に銅と銅酸化物との共晶
融体を形成する点において非常に類似している。
この融体は冷却中に凝固し、銅と銅酸化物の混合
した領域（以下、共晶領域と呼ぶ）を形成する
が、この共晶領域は通常50ミクロン以下の薄い層
をなしているために実質的に銅部材が直接アルミ
ナ基体に接合しているとみなすことができる。 この方法によつて製造される銅張りセラミツク
基板は熱伝導性が良好である他、銅の熱膨張率が
見掛け上アルミナの線膨張率に近い値となるため
にシリコン半導体を直接ハンダ付けしても熱応力
が大きくならないなどの優れた特性を有している
のでパワーモジユールなどの半導体部品用の基板
として使用されている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述の銅張りセラミツク基板に
は次のような欠点がある。即ち、パワーモジユー
ル等の半導体部品の組み立てにおいて、水素雰囲
気でハンダ付けをする場合に、接合界面の酸素濃
度が減少するために接合力が著しく低下する。ま
た、JIS C5030「電子部品の温度サイクル試験」
を行なうと銅とセラミツクの熱膨張率の差に起因
して第２図のように銅部材２，３′とセラミツク
基体１の接合端部Ａ，Ｂよりセラミツク基体に割
れ１ａ，１ｂが発生する。 本発明者らはこのような銅張りセラミツク基板
の欠点の原因とその改良方法について鋭意研究し
たところ以下に述べる知見を得た。即ち、上述の
接合法においては共晶融体中の酸素が結合剤とな
つてアルミナとの濡れが生じているために、水素
還元作用によつて界面の酸素の濃度が低下する。
これに加えて水素還元反応H2＋１／202＝H2Oに
よつて生じた水蒸気の逃げ場がないために接合界
面のミクロボイド内に集積し、その圧力によつて
一層接合力が低下することが明らかとなつた。ま
た、銅とアルミナの間の共晶領域は非常に薄く且
つ実質的に銅と変わらない熱膨張率を有するため
に熱応力が第２図のＡ部に集中してアルミナ基体
が割れることが判明した。 従来の方法で第３図ｂ，ｃのように銅部材２あ
るいはアルミナ基体１の表面に酸化銅３の層を形
成して銅−酸化銅の共晶温度（1065℃）以上に加
熱する。酸化銅層の形成方法としては加熱前に銅
部材を酸化するか、もしくはアルミナ基体上に酸
化物ペーストを印刷することもできるし、第３図
ａのように酸素を含む雰囲気中で銅部材とアルミ
ナ基体を組み合わせたものを加熱して銅部材表面
を酸化することもできる。共晶温度以上に加熱さ
れた状態では第３図ｄのように銅／酸化銅共晶融
体４がアルミナ基体１を濡らして接合界面に広が
る。冷却に伴つて該融体は凝固分解して銅と酸化
銅の混合物となる。この結果、第３図ｅのような
接合部の構造となる。つまり、この方法において
該共晶融体４が銅部材２とアルミナ基体１とを接
合する「ろう材」の役割を果たしており、酸素が
結合剤の役目をしているのである。 このような接合体において、共晶領域５の厚さ
は通常50ミクロン以下の薄い層であり、該領域内
の酸化銅粒子の密度も低いために実質的には銅部
材２が直接アルミナ基体１と接合しているとみな
せる。従つて、銅の熱膨張による応力が直接アル
ミナに作用し、上述の割れを発生し易い。また、
不活性雰囲気や還元性雰囲気中で高温に加熱する
と接合界面の酸素濃度が低下するために接合力が
低下する。特に、水素還元を行なうと、H2＋
１／202＝H2O反応により生じる水蒸気ガスが界
面から逃散できないために界面のミクロボイドに
集積して内圧を形成する。このために一層接合力
が低下するのである。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者らは係る知見に基づいてこれらの欠点
を改善するためにアルミナ自身の反応による接
合、熱応力の緩和、水蒸気の逃げ易い界面構
造の観点から更に鋭意研究して本発明を完成させ
た。 即ち、本発明はアルミナ基体表面に銅／アルミ
ニウム共晶酸化物層を形成し、該酸化物層上に銅
部材を配置して不活性雰囲気中で1065〜1083℃の
温度に加熱し、次に冷却することにより該アルミ
ナ基体と該銅部材を接合することを特徴とする電
子部品用銅張りセラミツク基板の製造方法に係
る。 ［作用］ 本発明における接合のメカニズムはおよそ次の
ように説明できる。即ち、第１図ａのように先ず
アルミナ基体１の上に酸化銅３の層を形成してこ
れを1050〜1200℃に加熱すると第１図ｂのように
酸化銅／アルミナ共晶融体６を形成される。これ
を冷却すると第１図ｃのように該融体は凝固し、
酸化銅３と銅／アルミニウム酸化物７とに分解し
て銅／アルミニウム共晶酸化物層８を形成する。
アルミナと酸化銅の共晶温度は雰囲気中の酸素濃
度により変化するので加熱雰囲気に応じて加熱温
度を適宜選択すればよい。また、酸化銅層は必ず
しも加熱前に形成する必要はなく、金属銅を加熱
中に酸化してもよい。更に、銅／アルミニウム共
晶酸化物層８の表面に酸化銅が１部未反応のまま
で残存していても実質的効果において変わりな
い。該酸化銅層の形成方法はペーストの印刷、塗
布、薄膜法、溶射などの公知の種々の方法を採用
できるが３〜20ミクロンの厚さが適当である。次
に、第１図ｄに示すのように、銅／アルミニウム
共晶酸化物層８上に銅部材２を設置し、上述の酸
化銅と銅部材２とを1065〜1083℃に加熱すると共
晶反応によつて第１図ｅのように銅／酸化銅共晶
融体４を形成する。この銅／酸化銅共晶融体４は
銅／アルミニウム共晶酸化物層８とも容易に濡れ
て接合界面に広がり、冷却中に凝固して銅と酸化
銅とに分解して共晶領域５を形成するので結局接
合部は第１図ｆのような構造となる。なお、1065
℃は共晶温度であり、1083℃は銅の融点であるか
ら銅部材を溶解することなく接合するためには
1065〜1083に加熱しなければならない。つまり、
本発明においては、銅／アルミニウム共晶酸化物
層８と共晶領域５を中間材として銅とアルミナを
接合していることに特徴がある。 銅／アルミニウム共晶酸化物層８と共晶領域５
の熱膨張率は銅よりも小さいために銅の膨張、収
縮に起因する熱応力は直接アルミナ基体に作用せ
ずに緩和されることになる。このため温度サイク
ル試験においてもアルミナ基体に割れが発生する
のを防止する効果がある。また、このような接合
体を水素還元すると酸化銅−銅界面から酸素が除
去されて酸化銅は金属銅へ還元される。つまり水
素が酸化銅の還元に消費されるので銅と酸化銅の
接合力が低下しない。更に酸化銅は前述の共晶酸
化物中に埋め込まれた構造となつているためにア
ンカー効果によつて接合力が維持される。 銅部材として銅板を使用する場合には銅板の厚
さが0.1mm以下になると剛性が低下するために変
形し易く、また、接合時に膨れを発生し易いため
に好ましくない。このような場合には銅板を使用
する代わりに銅ペーストを使用することができ
る。 更に、共晶酸化物層を多孔質にすることによつ
て水素還元反応によつて発生する水蒸気ガスの逃
散を容易にし且つ熱応力をより効果的に緩和する
ことができる。多孔質状態とするためには幾つか
の方法があるが、最も簡便な方法は酸化銅ペース
トを印刷または塗布し、これを焼成する方法であ
る。 ［実施例］ 以下に実施例を挙げて本発明方法を更に説明す
る。 実施例 １ 酸化第２銅（CuO）75重量部に対してα−テル
ピネオール及びフタル酸ジ−ｎ−ブチルを主成分
とするバインダ25重量部を混練して作製した酸化
銅ペーストを250メツシユ、乳剤厚さ4μmのスク
リーンを用いて厚さ0.635mm、縦横100mmの96％ア
ルミナ基板上に印刷した。乾燥後、250℃、10分
間の脱バインダ処理を行ない、1050℃、1080℃、
1100℃に５分間加熱して冷却した。この上に厚さ
0.3mm、縦横93mmの銅板を配置して窒素雰囲気中
で1075℃、４分間加熱し、次に、冷却することに
より銅板を接合して本発明の電子部品用セラミツ
ク基板を得た。 次に、得られた電子部品用セラミツク基板にス
クリーン印刷にてマスキングを施してから塩化第
２鉄でエツチングして銅回路を形成し、パワーモ
ジユール基板を作製した。このようにして作製さ
れた基板を水素50％、窒素50％の混合ガス中で
350℃に10分間加熱し、次に冷却した。 水素還元処理の前後で90゜ピール試験を実施し
て接合力の低下率を（Ａ−Ｂ）／Ａ（％）で評価
した。ここで、Ａは還元前ピール強度、Ｂは還元
後ピール強度である。 更に、基板を−40℃〜150℃の温度でJIS
C5030に定める温度サイクル試験を行なつた。所
定回数反復後、基板の銅をエツチングによつて溶
解し、カラーチエツク液に24時間浸漬して割れを
検出した。割れ長さと銅回路長さの比を割れ率
（％）と定義して割れ感受性を評価した。 その結果を従来基板の性能と比較すると第１表
のように本発明の基板は水素還元による接合力の
低下率が０であり、温度サイクル試験における割
れ率も著しく低く、改善効果が顕著である。
製造方法に関する。 ［従来の技術］ セラミツクスと金属の接合法についてはこれま
でに多くの方法が知られているが、その中で現在
パワーモジユール用銅張りセラミツク基板の製造
方法として実用化されている方法は特公昭57−
13515号公報及び特公昭60−4154号公報に開示さ
れている方法である。特公昭57−13515号公報に
開示されている方法は要約すると「金属部材
（銅）とセラミツク基板（アルミナ）とを接触さ
せて配置し、制御された反応性（酸素）雰囲気内
で該金属の共晶融体を形成してセラミツク基板と
金属部材とを結合する」ものであり、特公昭60−
4154号公報に開示されている方法は「銅部材また
はセラミツク基体上に200〜5000Åの厚さの銅酸
化物層を形成し、これをセラミツク基体または銅
部材と接触させて配置し、不活性雰囲気中におい
て加熱して銅と銅酸化物の亜共晶融体を形成して
銅部材とセラミツク基体とを結合する」ものであ
る。 特公昭60−4154号公報の方法は特公昭57−
13515号公報の方法を改良したものであるが、両
方法とも銅の融点よりも低い温度に加熱して銅部
材とアルミナ基体との間に銅と銅酸化物との共晶
融体を形成する点において非常に類似している。
この融体は冷却中に凝固し、銅と銅酸化物の混合
した領域（以下、共晶領域と呼ぶ）を形成する
が、この共晶領域は通常50ミクロン以下の薄い層
をなしているために実質的に銅部材が直接アルミ
ナ基体に接合しているとみなすことができる。 この方法によつて製造される銅張りセラミツク
基板は熱伝導性が良好である他、銅の熱膨張率が
見掛け上アルミナの線膨張率に近い値となるため
にシリコン半導体を直接ハンダ付けしても熱応力
が大きくならないなどの優れた特性を有している
のでパワーモジユールなどの半導体部品用の基板
として使用されている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述の銅張りセラミツク基板に
は次のような欠点がある。即ち、パワーモジユー
ル等の半導体部品の組み立てにおいて、水素雰囲
気でハンダ付けをする場合に、接合界面の酸素濃
度が減少するために接合力が著しく低下する。ま
た、JIS C5030「電子部品の温度サイクル試験」
を行なうと銅とセラミツクの熱膨張率の差に起因
して第２図のように銅部材２，３′とセラミツク
基体１の接合端部Ａ，Ｂよりセラミツク基体に割
れ１ａ，１ｂが発生する。 本発明者らはこのような銅張りセラミツク基板
の欠点の原因とその改良方法について鋭意研究し
たところ以下に述べる知見を得た。即ち、上述の
接合法においては共晶融体中の酸素が結合剤とな
つてアルミナとの濡れが生じているために、水素
還元作用によつて界面の酸素の濃度が低下する。
これに加えて水素還元反応H2＋１／202＝H2Oに
よつて生じた水蒸気の逃げ場がないために接合界
面のミクロボイド内に集積し、その圧力によつて
一層接合力が低下することが明らかとなつた。ま
た、銅とアルミナの間の共晶領域は非常に薄く且
つ実質的に銅と変わらない熱膨張率を有するため
に熱応力が第２図のＡ部に集中してアルミナ基体
が割れることが判明した。 従来の方法で第３図ｂ，ｃのように銅部材２あ
るいはアルミナ基体１の表面に酸化銅３の層を形
成して銅−酸化銅の共晶温度（1065℃）以上に加
熱する。酸化銅層の形成方法としては加熱前に銅
部材を酸化するか、もしくはアルミナ基体上に酸
化物ペーストを印刷することもできるし、第３図
ａのように酸素を含む雰囲気中で銅部材とアルミ
ナ基体を組み合わせたものを加熱して銅部材表面
を酸化することもできる。共晶温度以上に加熱さ
れた状態では第３図ｄのように銅／酸化銅共晶融
体４がアルミナ基体１を濡らして接合界面に広が
る。冷却に伴つて該融体は凝固分解して銅と酸化
銅の混合物となる。この結果、第３図ｅのような
接合部の構造となる。つまり、この方法において
該共晶融体４が銅部材２とアルミナ基体１とを接
合する「ろう材」の役割を果たしており、酸素が
結合剤の役目をしているのである。 このような接合体において、共晶領域５の厚さ
は通常50ミクロン以下の薄い層であり、該領域内
の酸化銅粒子の密度も低いために実質的には銅部
材２が直接アルミナ基体１と接合しているとみな
せる。従つて、銅の熱膨張による応力が直接アル
ミナに作用し、上述の割れを発生し易い。また、
不活性雰囲気や還元性雰囲気中で高温に加熱する
と接合界面の酸素濃度が低下するために接合力が
低下する。特に、水素還元を行なうと、H2＋
１／202＝H2O反応により生じる水蒸気ガスが界
面から逃散できないために界面のミクロボイドに
集積して内圧を形成する。このために一層接合力
が低下するのである。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者らは係る知見に基づいてこれらの欠点
を改善するためにアルミナ自身の反応による接
合、熱応力の緩和、水蒸気の逃げ易い界面構
造の観点から更に鋭意研究して本発明を完成させ
た。 即ち、本発明はアルミナ基体表面に銅／アルミ
ニウム共晶酸化物層を形成し、該酸化物層上に銅
部材を配置して不活性雰囲気中で1065〜1083℃の
温度に加熱し、次に冷却することにより該アルミ
ナ基体と該銅部材を接合することを特徴とする電
子部品用銅張りセラミツク基板の製造方法に係
る。 ［作用］ 本発明における接合のメカニズムはおよそ次の
ように説明できる。即ち、第１図ａのように先ず
アルミナ基体１の上に酸化銅３の層を形成してこ
れを1050〜1200℃に加熱すると第１図ｂのように
酸化銅／アルミナ共晶融体６を形成される。これ
を冷却すると第１図ｃのように該融体は凝固し、
酸化銅３と銅／アルミニウム酸化物７とに分解し
て銅／アルミニウム共晶酸化物層８を形成する。
アルミナと酸化銅の共晶温度は雰囲気中の酸素濃
度により変化するので加熱雰囲気に応じて加熱温
度を適宜選択すればよい。また、酸化銅層は必ず
しも加熱前に形成する必要はなく、金属銅を加熱
中に酸化してもよい。更に、銅／アルミニウム共
晶酸化物層８の表面に酸化銅が１部未反応のまま
で残存していても実質的効果において変わりな
い。該酸化銅層の形成方法はペーストの印刷、塗
布、薄膜法、溶射などの公知の種々の方法を採用
できるが３〜20ミクロンの厚さが適当である。次
に、第１図ｄに示すのように、銅／アルミニウム
共晶酸化物層８上に銅部材２を設置し、上述の酸
化銅と銅部材２とを1065〜1083℃に加熱すると共
晶反応によつて第１図ｅのように銅／酸化銅共晶
融体４を形成する。この銅／酸化銅共晶融体４は
銅／アルミニウム共晶酸化物層８とも容易に濡れ
て接合界面に広がり、冷却中に凝固して銅と酸化
銅とに分解して共晶領域５を形成するので結局接
合部は第１図ｆのような構造となる。なお、1065
℃は共晶温度であり、1083℃は銅の融点であるか
ら銅部材を溶解することなく接合するためには
1065〜1083に加熱しなければならない。つまり、
本発明においては、銅／アルミニウム共晶酸化物
層８と共晶領域５を中間材として銅とアルミナを
接合していることに特徴がある。 銅／アルミニウム共晶酸化物層８と共晶領域５
の熱膨張率は銅よりも小さいために銅の膨張、収
縮に起因する熱応力は直接アルミナ基体に作用せ
ずに緩和されることになる。このため温度サイク
ル試験においてもアルミナ基体に割れが発生する
のを防止する効果がある。また、このような接合
体を水素還元すると酸化銅−銅界面から酸素が除
去されて酸化銅は金属銅へ還元される。つまり水
素が酸化銅の還元に消費されるので銅と酸化銅の
接合力が低下しない。更に酸化銅は前述の共晶酸
化物中に埋め込まれた構造となつているためにア
ンカー効果によつて接合力が維持される。 銅部材として銅板を使用する場合には銅板の厚
さが0.1mm以下になると剛性が低下するために変
形し易く、また、接合時に膨れを発生し易いため
に好ましくない。このような場合には銅板を使用
する代わりに銅ペーストを使用することができ
る。 更に、共晶酸化物層を多孔質にすることによつ
て水素還元反応によつて発生する水蒸気ガスの逃
散を容易にし且つ熱応力をより効果的に緩和する
ことができる。多孔質状態とするためには幾つか
の方法があるが、最も簡便な方法は酸化銅ペース
トを印刷または塗布し、これを焼成する方法であ
る。 ［実施例］ 以下に実施例を挙げて本発明方法を更に説明す
る。 実施例 １ 酸化第２銅（CuO）75重量部に対してα−テル
ピネオール及びフタル酸ジ−ｎ−ブチルを主成分
とするバインダ25重量部を混練して作製した酸化
銅ペーストを250メツシユ、乳剤厚さ4μmのスク
リーンを用いて厚さ0.635mm、縦横100mmの96％ア
ルミナ基板上に印刷した。乾燥後、250℃、10分
間の脱バインダ処理を行ない、1050℃、1080℃、
1100℃に５分間加熱して冷却した。この上に厚さ
0.3mm、縦横93mmの銅板を配置して窒素雰囲気中
で1075℃、４分間加熱し、次に、冷却することに
より銅板を接合して本発明の電子部品用セラミツ
ク基板を得た。 次に、得られた電子部品用セラミツク基板にス
クリーン印刷にてマスキングを施してから塩化第
２鉄でエツチングして銅回路を形成し、パワーモ
ジユール基板を作製した。このようにして作製さ
れた基板を水素50％、窒素50％の混合ガス中で
350℃に10分間加熱し、次に冷却した。 水素還元処理の前後で90゜ピール試験を実施し
て接合力の低下率を（Ａ−Ｂ）／Ａ（％）で評価
した。ここで、Ａは還元前ピール強度、Ｂは還元
後ピール強度である。 更に、基板を−40℃〜150℃の温度でJIS
C5030に定める温度サイクル試験を行なつた。所
定回数反復後、基板の銅をエツチングによつて溶
解し、カラーチエツク液に24時間浸漬して割れを
検出した。割れ長さと銅回路長さの比を割れ率
（％）と定義して割れ感受性を評価した。 その結果を従来基板の性能と比較すると第１表
のように本発明の基板は水素還元による接合力の
低下率が０であり、温度サイクル試験における割
れ率も著しく低く、改善効果が顕著である。
【表】
実施例 ２
実施例１と同様の方法でパワーモジユール基板
を作製した。ただし、本例では酸化銅ペーストを
印刷する際のスクリーンの乳剤厚さを4μmと8μm
の両者を用い、ペースト焼成温度は1075℃と1095
℃とした。また、基板の銅回路を形成した後、無
電解ニツケルメツキにより3μmの厚さのニツケル
メツキを施した。水素還元処理条件は同様である
が、温度サイクル試験は−40℃〜125℃の温度域
で行なつた。結果を従来基板の性能と比較する
と、第２表のように本発明の基板は従来基板に比
べて格段に優れた性能を示している。
を作製した。ただし、本例では酸化銅ペーストを
印刷する際のスクリーンの乳剤厚さを4μmと8μm
の両者を用い、ペースト焼成温度は1075℃と1095
℃とした。また、基板の銅回路を形成した後、無
電解ニツケルメツキにより3μmの厚さのニツケル
メツキを施した。水素還元処理条件は同様である
が、温度サイクル試験は−40℃〜125℃の温度域
で行なつた。結果を従来基板の性能と比較する
と、第２表のように本発明の基板は従来基板に比
べて格段に優れた性能を示している。
【表】
［発明の効果］
以上の説明によつて理解されるように、本発明
方法により製造された電子部品用銅張りセラミツ
ク基板はその接合原理において従来法とは基本的
に異なり、水素還元による接合力の低下や温度サ
イクル試験におけるセラミツク基体の割れという
パワーモジユール用基板に要求される基本性能に
おいて著しく優れた性能を提供するものである。
方法により製造された電子部品用銅張りセラミツ
ク基板はその接合原理において従来法とは基本的
に異なり、水素還元による接合力の低下や温度サ
イクル試験におけるセラミツク基体の割れという
パワーモジユール用基板に要求される基本性能に
おいて著しく優れた性能を提供するものである。
第１図ａ〜ｆは本発明における工程と接合原理
を説明する図であり、第２図は従来基板において
発生する割れの位置と形状を示す図であり、第３
図ａ〜ｅは従来基板の接合方法におけるアルミナ
基体と銅部材の組み合わせ法及び接合原理を説明
する図である。図中、１……アルミナ基体、２…
…銅部材、３……酸化銅、４……銅／酸化銅共晶
融体、５……共晶領域、６……酸化銅／アルミナ
共晶融体、７……銅／アルミニウム酸化物、８…
…銅／アルミニウム共晶酸化物層。
を説明する図であり、第２図は従来基板において
発生する割れの位置と形状を示す図であり、第３
図ａ〜ｅは従来基板の接合方法におけるアルミナ
基体と銅部材の組み合わせ法及び接合原理を説明
する図である。図中、１……アルミナ基体、２…
…銅部材、３……酸化銅、４……銅／酸化銅共晶
融体、５……共晶領域、６……酸化銅／アルミナ
共晶融体、７……銅／アルミニウム酸化物、８…
…銅／アルミニウム共晶酸化物層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミナ基体表面に銅／アルミニウム共晶酸
化物層を形成し、該酸化物層上に銅部材を配置し
て不活性雰囲気中で1065〜1083℃の温度に加熱
し、次に冷却することにより該アルミナ基体と該
銅部材を接合することを特徴とする電子部品用銅
張りセラミツク基板の製造方法。 ２ 銅／アルミニウム共晶酸化物層が酸化銅とア
ルミナの共晶反応により形成されたものである特
許請求の範囲第１項記載の電子部品用銅張りセラ
ミツク基板の製造方法。 ３ 銅／アルミニウム共晶酸化物層が多孔質であ
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の電子
部品用銅張りセラミツク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271688A JPH01201085A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子部品用銅張りセラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271688A JPH01201085A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子部品用銅張りセラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201085A JPH01201085A (ja) | 1989-08-14 |
| JPH0477702B2 true JPH0477702B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=12090533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2271688A Granted JPH01201085A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子部品用銅張りセラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201085A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6236915B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-11-29 | 富士電機株式会社 | はんだ付け方法および半導体装置の製造方法 |
| FR3030506A1 (fr) * | 2014-12-18 | 2016-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Piece en ceramique metallisee, son procede de preparation, et procede pour assembler cette piece avec une piece en metal ou en ceramique. |
| CN114230359B (zh) * | 2020-09-09 | 2023-03-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷覆铜板及其制备方法 |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP2271688A patent/JPH01201085A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01201085A (ja) | 1989-08-14 |
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