JP2003173929A - キャパシタ層形成用の積層板及びその製造方法 - Google Patents
キャパシタ層形成用の積層板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた電気容量を確保することの出来るプリン
ト配線板用のキャパシタ層形成用の積層板及びその積層
板を用いた内層コア材等を提供する。 【解決手段】アルミニウム層／改質アルミナバリア層／
電極銅層の三層の層構造を備え、当該改質アルミナバリ
ア層は、アルミニウム板若しくはアルミニウム箔の片面
をアノード処理して均一酸化層であるアルミナバリア層
を形成し、当該アルミナバリア層を形成したアルミニウ
ム材を水中で煮沸処理して得られるものであり、当該改
質アルミナバリア層を誘電体層として用いることを特徴
とするキャパシタ層形成用の積層板等を用いる。
ト配線板用のキャパシタ層形成用の積層板及びその積層
板を用いた内層コア材等を提供する。 【解決手段】アルミニウム層／改質アルミナバリア層／
電極銅層の三層の層構造を備え、当該改質アルミナバリ
ア層は、アルミニウム板若しくはアルミニウム箔の片面
をアノード処理して均一酸化層であるアルミナバリア層
を形成し、当該アルミナバリア層を形成したアルミニウ
ム材を水中で煮沸処理して得られるものであり、当該改
質アルミナバリア層を誘電体層として用いることを特徴
とするキャパシタ層形成用の積層板等を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板等の製造に用いるキャパシタ層形成用の積層板及びそ
の製造方法に関する。
板等の製造に用いるキャパシタ層形成用の積層板及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの演算速度は、日進
月歩、飛躍的に向上しており、一般家庭で用いるパーソ
ナルコンピュータでさえ、そのクロック周波数は、ＧＨ
ｚに達しており、信号伝達速度がより高速化していくこ
とは避けられない。そして、オフィスオトーメーション
化、社内ＬＡＮシステムが一般化し、社会全体に渡る情
報ネットが整備されるにつれ、複数コンピュータの情報
管理の必要性から、コンピュータ周辺機器としてのサー
バーの使用が広汎に普及してきた。
月歩、飛躍的に向上しており、一般家庭で用いるパーソ
ナルコンピュータでさえ、そのクロック周波数は、ＧＨ
ｚに達しており、信号伝達速度がより高速化していくこ
とは避けられない。そして、オフィスオトーメーション
化、社内ＬＡＮシステムが一般化し、社会全体に渡る情
報ネットが整備されるにつれ、複数コンピュータの情報
管理の必要性から、コンピュータ周辺機器としてのサー
バーの使用が広汎に普及してきた。
【０００３】このサーバーは、一般的に、大量の情報を
集中管理することのできる大容量メモリーを備え、しか
も複数のコンピュータの同時アクセスを可能とするだけ
の高速演算性能が求められるのである。従って、サーバ
ー内での信号伝達は、より速いものであることが求めら
れ、且つ、誤動作の少ないもので無ければならない。
集中管理することのできる大容量メモリーを備え、しか
も複数のコンピュータの同時アクセスを可能とするだけ
の高速演算性能が求められるのである。従って、サーバ
ー内での信号伝達は、より速いものであることが求めら
れ、且つ、誤動作の少ないもので無ければならない。
【０００４】以上に述べたような使用環境を達成するた
めには、中央演算子（ＣＰＵ）の回路設計、ＩＣチップ
の性能等が重要となるが、これらを実装するプリント配
線板の回路設計も非常に重要となってくる。プリント配
線板製造業者間では、上述した信号伝達速度の高速化に
対応すべく、構造面からはプリント配線板の多層化、回
路配置の面からは回路設計の変更による信号伝達距離の
短縮化等の種々の工夫がなされてきた。
めには、中央演算子（ＣＰＵ）の回路設計、ＩＣチップ
の性能等が重要となるが、これらを実装するプリント配
線板の回路設計も非常に重要となってくる。プリント配
線板製造業者間では、上述した信号伝達速度の高速化に
対応すべく、構造面からはプリント配線板の多層化、回
路配置の面からは回路設計の変更による信号伝達距離の
短縮化等の種々の工夫がなされてきた。
【０００５】特に、キャパシタは、デバイスの作動電源
を安定供給するための役割を果たすものであり、プリン
ト配線板の外層に配置するものが一般的であったが、薄
層化が可能で、しかも優れた特性が得られるとの理由か
ら、多層プリント配線板の内層に、両面銅張積層板を用
いて形成する方法が普及してきている。そして、このキ
ャパシタ層を形成するために薄い種々のキャパシタ層形
成材料が提唱されてきた。
を安定供給するための役割を果たすものであり、プリン
ト配線板の外層に配置するものが一般的であったが、薄
層化が可能で、しかも優れた特性が得られるとの理由か
ら、多層プリント配線板の内層に、両面銅張積層板を用
いて形成する方法が普及してきている。そして、このキ
ャパシタ層を形成するために薄い種々のキャパシタ層形
成材料が提唱されてきた。
【０００６】例えば、このキャパシタ層形成材料として
は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４
絶縁基材を誘電体層として用いて、その両面に銅箔を張
り付けたいわゆる両面銅張積層板であったり、ガラスク
ロス等の骨格材を含まない誘電層を備えた両面銅張積層
板等が用いられてきた。
は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４
絶縁基材を誘電体層として用いて、その両面に銅箔を張
り付けたいわゆる両面銅張積層板であったり、ガラスク
ロス等の骨格材を含まない誘電層を備えた両面銅張積層
板等が用いられてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来提
唱されてきたキャパシタ層の形成材料は、誘電体層を形
成する際に、その厚さを薄くして使用することが非常に
困難であり、その結果、形成したキャパシタの電気容量
を大きくすることも困難となっていたのである。
唱されてきたキャパシタ層の形成材料は、誘電体層を形
成する際に、その厚さを薄くして使用することが非常に
困難であり、その結果、形成したキャパシタの電気容量
を大きくすることも困難となっていたのである。
【０００８】即ち、ＦＲ−４基材を用いた両面銅張積層
板としての内蔵キャパシタ層形成材料は、絶縁層内に骨
材としてのガラスクロスが存在しているため、薄くする
際の厚さ制御に一定の限界があり、しかも、銅箔とＦＲ
−４基材とを積層して熱間プレス成形して銅張積層板と
したときの表面にガラスクロスの持つうねり形状が現れ
る場合もあり、完全にフラットな形状とすることが困難
である。そして、ガラスクロスを骨格材として用いたプ
リプレグを絶縁層形成に用いても、プリプレグの限界厚
さは５０μｍ程度であり、これ以下の厚さとすることは
不可能であった。
板としての内蔵キャパシタ層形成材料は、絶縁層内に骨
材としてのガラスクロスが存在しているため、薄くする
際の厚さ制御に一定の限界があり、しかも、銅箔とＦＲ
−４基材とを積層して熱間プレス成形して銅張積層板と
したときの表面にガラスクロスの持つうねり形状が現れ
る場合もあり、完全にフラットな形状とすることが困難
である。そして、ガラスクロスを骨格材として用いたプ
リプレグを絶縁層形成に用いても、プリプレグの限界厚
さは５０μｍ程度であり、これ以下の厚さとすることは
不可能であった。
【０００９】そして、更なる高容量化の可能な材料が求
められ、片面に樹脂層を設けた銅箔である樹脂付銅箔を
２枚用いて、樹脂面同士を重ね合わせて積層することで
キャパシタ層を形成するための薄い両面銅張積層板を製
造することが試みられてきた。この方法であれば、誘電
体層として用いる樹脂層に骨格材が入っていないため樹
脂層を薄くすることが容易に可能であり、結果として、
誘電体層となる絶縁層厚も、上述したＦＲ−４材を用い
た場合に比べれば、２０μｍ以下の非常に薄いものとす
ることが可能となり、キャパシタ容量の１ｎＦ／ｃｍ２
〜２ｎＦ／ｃｍ ２への高電気容量化が図れた。ところ
が、この方法でも、樹脂付銅箔の樹脂層の厚さ制御は、
ミクロンオーダーであり、更なる誘電体層の薄層化は不
可能であった。
められ、片面に樹脂層を設けた銅箔である樹脂付銅箔を
２枚用いて、樹脂面同士を重ね合わせて積層することで
キャパシタ層を形成するための薄い両面銅張積層板を製
造することが試みられてきた。この方法であれば、誘電
体層として用いる樹脂層に骨格材が入っていないため樹
脂層を薄くすることが容易に可能であり、結果として、
誘電体層となる絶縁層厚も、上述したＦＲ−４材を用い
た場合に比べれば、２０μｍ以下の非常に薄いものとす
ることが可能となり、キャパシタ容量の１ｎＦ／ｃｍ２
〜２ｎＦ／ｃｍ ２への高電気容量化が図れた。ところ
が、この方法でも、樹脂付銅箔の樹脂層の厚さ制御は、
ミクロンオーダーであり、更なる誘電体層の薄層化は不
可能であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明に係る発
明者等は鋭意研究の結果、導電性を有さない酸化被膜
を、キャパシタの誘電体層として用いて、キャパシタ層
構成材料を提供することに想到したのである。以下、本
件発明について説明する。
明者等は鋭意研究の結果、導電性を有さない酸化被膜
を、キャパシタの誘電体層として用いて、キャパシタ層
構成材料を提供することに想到したのである。以下、本
件発明について説明する。
【００１１】第１のキャパシタ層形成用の積層板は、
「アルミニウム層／改質アルミナバリア層／電極銅層の
三層の層構造を備え、当該改質アルミナバリア層は、ア
ルミニウム板若しくはアルミニウム箔（以下、「アルミ
ニウム材」と称する。）の片面をアノード処理して均一
酸化層であるアルミナバリア層を形成し、当該アルミナ
バリア層を形成したアルミニウム材を水中で煮沸処理し
て得られるものであり、当該改質アルミナバリア層を誘
電体層として用いることを特徴とするキャパシタ層形成
用の積層板。」としている。この第１のキャパシタ層形
成用の積層板１ａの模式断面図を、図１に示している。
なお、ここで明記しておくが、本件明細書において使用
した断面図は、あくまでも模式図であり、その場での層
構成が明確に把握できるように記載しているのであり、
各層の厚さが現実の製品に対応したものではない。
「アルミニウム層／改質アルミナバリア層／電極銅層の
三層の層構造を備え、当該改質アルミナバリア層は、ア
ルミニウム板若しくはアルミニウム箔（以下、「アルミ
ニウム材」と称する。）の片面をアノード処理して均一
酸化層であるアルミナバリア層を形成し、当該アルミナ
バリア層を形成したアルミニウム材を水中で煮沸処理し
て得られるものであり、当該改質アルミナバリア層を誘
電体層として用いることを特徴とするキャパシタ層形成
用の積層板。」としている。この第１のキャパシタ層形
成用の積層板１ａの模式断面図を、図１に示している。
なお、ここで明記しておくが、本件明細書において使用
した断面図は、あくまでも模式図であり、その場での層
構成が明確に把握できるように記載しているのであり、
各層の厚さが現実の製品に対応したものではない。
【００１２】そして、その製造方法として、「アルミ
ニウム材を電解液中でアノード分極して、１μｍ厚以下
の均一酸化層であるアルミナバリア層をアルミニウム材
の表面に形成するバリア層形成工程（以下、ここで得ら
れたものを「アルミナバリア層付アルミニウム材」と称
する。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材
を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質処理して改質
アルミナバリア層とする煮沸改質工程、 改質アルミ
ナバリア層の表面に、無電解メッキ法若しくは気相蒸着
法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、当該
薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に銅を析出さ
せる電極銅層形成工程、を備えることを特徴とするアル
ミニウム層／改質アルミナバリア層／電極銅層の三層の
層構造を有し改質アルミナバリア層を誘電体層として用
いるキャパシタ層形成用の積層板の製造方法。」として
いる。
ニウム材を電解液中でアノード分極して、１μｍ厚以下
の均一酸化層であるアルミナバリア層をアルミニウム材
の表面に形成するバリア層形成工程（以下、ここで得ら
れたものを「アルミナバリア層付アルミニウム材」と称
する。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材
を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質処理して改質
アルミナバリア層とする煮沸改質工程、 改質アルミ
ナバリア層の表面に、無電解メッキ法若しくは気相蒸着
法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、当該
薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に銅を析出さ
せる電極銅層形成工程、を備えることを特徴とするアル
ミニウム層／改質アルミナバリア層／電極銅層の三層の
層構造を有し改質アルミナバリア層を誘電体層として用
いるキャパシタ層形成用の積層板の製造方法。」として
いる。
【００１３】ここでは、キャパシタ層形成用の積層板１
ａという物を、一部に製法をもって特定している。従っ
て、請求項に記載の製造方法を主体的に説明しつつ、そ
の方法で得られたキャパシタ層形成用の積層板をも説明
することとする。
ａという物を、一部に製法をもって特定している。従っ
て、請求項に記載の製造方法を主体的に説明しつつ、そ
の方法で得られたキャパシタ層形成用の積層板をも説明
することとする。
【００１４】本件発明に言うキャパシタ層形成用の積層
板１ａは、アルミニウム板若しくはアルミニウム箔と称
する材料を、キャパシタ層形成用の積層板を得るための
出発材料として用いるのである。ここで、「アルミニウ
ム板若しくはアルミニウム箔」としたのは、一般的には
箔と称する物は２００μｍ厚以下の金属材であり、２０
０μｍを越えると板と分類されるようであるが、学術的
にも明確な区分けがないため、このような記載を採用し
たのである。そして。本件明細書では、これらのものを
指し示す用語として、記述を簡潔且つ理解しやすくする
ために、単に「アルミニウム材」と称する事としている
のである。
板１ａは、アルミニウム板若しくはアルミニウム箔と称
する材料を、キャパシタ層形成用の積層板を得るための
出発材料として用いるのである。ここで、「アルミニウ
ム板若しくはアルミニウム箔」としたのは、一般的には
箔と称する物は２００μｍ厚以下の金属材であり、２０
０μｍを越えると板と分類されるようであるが、学術的
にも明確な区分けがないため、このような記載を採用し
たのである。そして。本件明細書では、これらのものを
指し示す用語として、記述を簡潔且つ理解しやすくする
ために、単に「アルミニウム材」と称する事としている
のである。
【００１５】アルミニウム材２を構成する材質には、い
わゆる純アルミニウムと称される９９．９９％純度のも
のから、マンガン、クロム等の合金元素が含有した物ま
でも含む概念として用いている。但し、アルミニウム材
の中で、合金元素は完全に固溶した状態ではなく、分散
粒子として偏析し易く、特に、マンガン、クロム、銅
は、以下に述べるアノード処理で酸化被膜を形成する際
に、アノード被膜の色調を変化させる作用があり、含有
量が多いほどアルミニウムよりも優先的に電解液中に溶
解するものとなり、均一なアルミニウムの酸化被膜を形
成することが困難になるものと考えられる。従って、可
能な限り純度の高いアルミニウム材を用いることが望ま
しい。
わゆる純アルミニウムと称される９９．９９％純度のも
のから、マンガン、クロム等の合金元素が含有した物ま
でも含む概念として用いている。但し、アルミニウム材
の中で、合金元素は完全に固溶した状態ではなく、分散
粒子として偏析し易く、特に、マンガン、クロム、銅
は、以下に述べるアノード処理で酸化被膜を形成する際
に、アノード被膜の色調を変化させる作用があり、含有
量が多いほどアルミニウムよりも優先的に電解液中に溶
解するものとなり、均一なアルミニウムの酸化被膜を形
成することが困難になるものと考えられる。従って、可
能な限り純度の高いアルミニウム材を用いることが望ま
しい。
【００１６】まず、図５（ａ）のアルミナバリア層形成
工程で、このアルミニウム材２をアノード処理するので
ある。アノード処理という用語は、金属材を溶液中でア
ノード分極して、その表面に酸化物層、水酸化物層等を
形成する被膜形成反応を意味する。本件明細書では、ア
ルミニウム材２をアノード電極として用い、アノード分
極することで酸化物（アルミナ）被膜を形成するための
処理を示すものとして用いている。ここで用いる電解液
には、アルミニウムのアノード処理として、広く知られ
た陽極酸化処理に用いることの出来る溶液であって、非
気孔性酸化被膜の形成が容易なものを用いることが望ま
しい。
工程で、このアルミニウム材２をアノード処理するので
ある。アノード処理という用語は、金属材を溶液中でア
ノード分極して、その表面に酸化物層、水酸化物層等を
形成する被膜形成反応を意味する。本件明細書では、ア
ルミニウム材２をアノード電極として用い、アノード分
極することで酸化物（アルミナ）被膜を形成するための
処理を示すものとして用いている。ここで用いる電解液
には、アルミニウムのアノード処理として、広く知られ
た陽極酸化処理に用いることの出来る溶液であって、非
気孔性酸化被膜の形成が容易なものを用いることが望ま
しい。
【００１７】その電解液を、より具体的に言えば、ホウ
酸溶液、ホウ酸アンモニウム溶液、アジピン酸アンモニ
ウム溶液、リン酸アンモニウム溶液、酒石酸アンモニウ
ム溶液等である。これらの電解液濃度及び溶液温度等
は、形成する非気孔性酸化被膜の厚さ、化成電圧等に応
じて任意に調節するものであり、特段の限定を要するも
のではない。
酸溶液、ホウ酸アンモニウム溶液、アジピン酸アンモニ
ウム溶液、リン酸アンモニウム溶液、酒石酸アンモニウ
ム溶液等である。これらの電解液濃度及び溶液温度等
は、形成する非気孔性酸化被膜の厚さ、化成電圧等に応
じて任意に調節するものであり、特段の限定を要するも
のではない。
【００１８】アルミニウムのアノード処理は、電解液濃
度、時間、温度、電流密度を広く変化させて行うことが
可能であり、これらの各要因を変化させることによりア
ルミニウム材の表面に形成する酸化被膜の厚さ、性質が
異なってくるのである。これらの条件の設定には、特段
の限定はなく、工程に会わせて任意に条件選択すればよ
い。但し、本件発明では、アルミニウムのアノード処理
の代表である陽極酸化と称する操作のように、ノンポー
ラスな非気孔性酸化被膜の上に、ポーラスな気孔性被膜
を形成するものではなく、図２に示したように走査電子
顕微鏡観察像から明らかなように、酸化被膜の成長を滑
らかな非気孔性酸化被膜の状態で止めなければならない
のである。本件明細書では、この非気孔性酸化被膜のこ
とを、アルミナバリア層と称しているのである。この非
気孔性酸化被膜であるアルミナバリア層の厚さは、一般
に３μｍ厚以下のものとして製造することが可能であ
る。
度、時間、温度、電流密度を広く変化させて行うことが
可能であり、これらの各要因を変化させることによりア
ルミニウム材の表面に形成する酸化被膜の厚さ、性質が
異なってくるのである。これらの条件の設定には、特段
の限定はなく、工程に会わせて任意に条件選択すればよ
い。但し、本件発明では、アルミニウムのアノード処理
の代表である陽極酸化と称する操作のように、ノンポー
ラスな非気孔性酸化被膜の上に、ポーラスな気孔性被膜
を形成するものではなく、図２に示したように走査電子
顕微鏡観察像から明らかなように、酸化被膜の成長を滑
らかな非気孔性酸化被膜の状態で止めなければならない
のである。本件明細書では、この非気孔性酸化被膜のこ
とを、アルミナバリア層と称しているのである。この非
気孔性酸化被膜であるアルミナバリア層の厚さは、一般
に３μｍ厚以下のものとして製造することが可能であ
る。
【００１９】ところが、ここで製造する非気孔性のアル
ミニウム酸化物（アルミナ）の層を、キャパシタとして
用いる誘電体層として用いることを考えれば、均一な厚
さとして作り込むことが必要となる。ここで、アルミナ
バリア層６の形成過程を考えてみるに、アルミニウム材
を電解液に入れ、アノード分極すると、アルミニウム材
２の表面から酸素が発生し、たちまちアルミニウム材２
の表面はアルミニウムの酸化物であるアルミナ成分へと
変化していく、そして、アルミニウム材２の表面近傍で
発生する酸素は、その後アルミナ層を拡散しながらアル
ミナバリア層６が成長していくことになる。印可する化
成電圧１Ｖあたり、１．３ｎｍ〜１．４ｎｍの厚さで成
長するようである。ところが、アルミナ層自体は、電気
的に不動態化しているため、アルミナバリア層６が成長
し、厚くなるほど徐々に電気を通さなくなり、酸素発生
量も低下するため、アルミナバリア層６の成長限界が存
在する。
ミニウム酸化物（アルミナ）の層を、キャパシタとして
用いる誘電体層として用いることを考えれば、均一な厚
さとして作り込むことが必要となる。ここで、アルミナ
バリア層６の形成過程を考えてみるに、アルミニウム材
を電解液に入れ、アノード分極すると、アルミニウム材
２の表面から酸素が発生し、たちまちアルミニウム材２
の表面はアルミニウムの酸化物であるアルミナ成分へと
変化していく、そして、アルミニウム材２の表面近傍で
発生する酸素は、その後アルミナ層を拡散しながらアル
ミナバリア層６が成長していくことになる。印可する化
成電圧１Ｖあたり、１．３ｎｍ〜１．４ｎｍの厚さで成
長するようである。ところが、アルミナ層自体は、電気
的に不動態化しているため、アルミナバリア層６が成長
し、厚くなるほど徐々に電気を通さなくなり、酸素発生
量も低下するため、アルミナバリア層６の成長限界が存
在する。
【００２０】そこで、最終的にキャパシタとして用いる
ときの電気容量の安定性から考えるに、均一なアルミナ
バリア層６が形成出来ていると考えられるのは、１μｍ
以下の厚さであると判断できた。即ち、アルミナバリア
層６が１μｍを越えたと考えられる厚さにしようとする
と、アルミナバリア層６の成長はアルミナバリア層６の
内部の酸素の拡散律速に支配され、アルミナバリア層６
に存在すると考えられるマイクロクラック部分等の拡散
容易な部分に集中して成長が起こる可能性が高くなり、
全体的に見た場合にアルミナバリア層６の厚さに不均一
が生じやすくなるものと考えられるのである。この結果
を裏付けるものとしては、３０ｃｍ角の厚さ１００μｍ
のアルミニウム箔を用いてキャパシタ層形成用の積層板
を製造し、その領域内で複数のポイントにおいて電気容
量を測定すると、アルミナバリア層６を１μｍ以下にし
た場合と、アルミナバリア層６を２μｍ程度にした場合
とでは、測定する部位による電気容量の値のバラツキに
大きな差が生じ、２μｍの方がバラツキが大きくなるの
である。
ときの電気容量の安定性から考えるに、均一なアルミナ
バリア層６が形成出来ていると考えられるのは、１μｍ
以下の厚さであると判断できた。即ち、アルミナバリア
層６が１μｍを越えたと考えられる厚さにしようとする
と、アルミナバリア層６の成長はアルミナバリア層６の
内部の酸素の拡散律速に支配され、アルミナバリア層６
に存在すると考えられるマイクロクラック部分等の拡散
容易な部分に集中して成長が起こる可能性が高くなり、
全体的に見た場合にアルミナバリア層６の厚さに不均一
が生じやすくなるものと考えられるのである。この結果
を裏付けるものとしては、３０ｃｍ角の厚さ１００μｍ
のアルミニウム箔を用いてキャパシタ層形成用の積層板
を製造し、その領域内で複数のポイントにおいて電気容
量を測定すると、アルミナバリア層６を１μｍ以下にし
た場合と、アルミナバリア層６を２μｍ程度にした場合
とでは、測定する部位による電気容量の値のバラツキに
大きな差が生じ、２μｍの方がバラツキが大きくなるの
である。
【００２１】以上のようにして、アルミニウム板若しく
はアルミニウム箔（以下、「アルミニウム材」と称す
る。）を電解液中でアノード分極して、１μｍ厚以下の
均一酸化層であるアルミナバリア層６をアルミニウム材
２の表面に形成するのが、アルミナバリア層形成工程で
ある。本件明細書では説明の都合上、ここで得られたも
のを「アルミナバリア層付アルミニウム材」と称してい
るのである。アルミナバリア層６の厚さを１μｍ以下と
表現しているが、最も最適な厚さは、化成電圧１Ｖあた
りの成長膜厚を１．４ｎｍとしたときに、３０Ｖ〜７０
０Ｖの化成電圧を用いて得られる４０ｎｍ〜９８０ｎｍ
の範囲である（以下、ｎｍ表示の値を用いて説明す
る。）。４０ｎｍ未満の厚さの場合には、アルミナバリ
ア層の成長が中途半端であり、最終的に得られるキャパ
シタの電気容量にバラツキが生じやすく、９８０ｎｍを
越えた厚さにしようとすると、この時点で気孔性酸化被
膜が生成することになるからである。
はアルミニウム箔（以下、「アルミニウム材」と称す
る。）を電解液中でアノード分極して、１μｍ厚以下の
均一酸化層であるアルミナバリア層６をアルミニウム材
２の表面に形成するのが、アルミナバリア層形成工程で
ある。本件明細書では説明の都合上、ここで得られたも
のを「アルミナバリア層付アルミニウム材」と称してい
るのである。アルミナバリア層６の厚さを１μｍ以下と
表現しているが、最も最適な厚さは、化成電圧１Ｖあた
りの成長膜厚を１．４ｎｍとしたときに、３０Ｖ〜７０
０Ｖの化成電圧を用いて得られる４０ｎｍ〜９８０ｎｍ
の範囲である（以下、ｎｍ表示の値を用いて説明す
る。）。４０ｎｍ未満の厚さの場合には、アルミナバリ
ア層の成長が中途半端であり、最終的に得られるキャパ
シタの電気容量にバラツキが生じやすく、９８０ｎｍを
越えた厚さにしようとすると、この時点で気孔性酸化被
膜が生成することになるからである。
【００２２】次に、このアルミナバリア層付アルミニウ
ム材Ａを、沸騰した水中に入れ、煮沸処理するのであ
る。煮沸処理は、アルミナバリア層付アルミニウム材Ａ
を、沸騰した水中に入れ、煮沸することによりアルミナ
バリア層６を改質するのである。この煮沸処理により、
改質したアルミナバリア層６を「改質アルミナバリア層
３」と称し、その観察状態を示しているのが図３に示し
た走査型電子顕微鏡像である。図２に示した走査型電子
顕微鏡像と比較することで明らかとなるが、平滑であっ
たアルミナバリア層６が、あたかも多孔質状の改質アル
ミナバリア層３に変質しているのである。
ム材Ａを、沸騰した水中に入れ、煮沸処理するのであ
る。煮沸処理は、アルミナバリア層付アルミニウム材Ａ
を、沸騰した水中に入れ、煮沸することによりアルミナ
バリア層６を改質するのである。この煮沸処理により、
改質したアルミナバリア層６を「改質アルミナバリア層
３」と称し、その観察状態を示しているのが図３に示し
た走査型電子顕微鏡像である。図２に示した走査型電子
顕微鏡像と比較することで明らかとなるが、平滑であっ
たアルミナバリア層６が、あたかも多孔質状の改質アル
ミナバリア層３に変質しているのである。
【００２３】確かに、ノンポーラスな非気孔性酸化被膜
の上に、ポーラスな気孔性酸化被膜を形成して、更に高
い耐食性を得るために行われる封孔処理も、沸騰水を用
いる場合があるが、ポーラスな気孔性酸化被膜の孔を塞
ぐためのものであり、本件発明の煮沸を応用する意味合
いとは根本的に異なる。本件発明における煮沸処理は、
１秒間〜１時間の範囲で行うことが好ましい。１秒未満
の煮沸では、アルミナバリア層６の改質が不十分であり
図３に示した如き良好な形状改質は行えない。１時間を
越えると、アルミニウム材自体が、水による浸食を受け
始める危険性があり、製品品質を損なうこととなるので
ある。
の上に、ポーラスな気孔性酸化被膜を形成して、更に高
い耐食性を得るために行われる封孔処理も、沸騰水を用
いる場合があるが、ポーラスな気孔性酸化被膜の孔を塞
ぐためのものであり、本件発明の煮沸を応用する意味合
いとは根本的に異なる。本件発明における煮沸処理は、
１秒間〜１時間の範囲で行うことが好ましい。１秒未満
の煮沸では、アルミナバリア層６の改質が不十分であり
図３に示した如き良好な形状改質は行えない。１時間を
越えると、アルミニウム材自体が、水による浸食を受け
始める危険性があり、製品品質を損なうこととなるので
ある。
【００２４】そして、改質アルミナバリア層３が、あた
かも多孔質状のアルミナバリア層に改質されることで、
以下に述べる電極銅層４と改質アルミナバリア層３との
界面における密着強度を向上させることが可能となるの
である。即ち、以下に述べる無電解銅メッキ等が、多孔
質状の改質アルミナバリア層３に食い込みアンカー効果
を発揮するためである。以上に述べた煮沸処理を行う工
程が、煮沸改質工程である。
かも多孔質状のアルミナバリア層に改質されることで、
以下に述べる電極銅層４と改質アルミナバリア層３との
界面における密着強度を向上させることが可能となるの
である。即ち、以下に述べる無電解銅メッキ等が、多孔
質状の改質アルミナバリア層３に食い込みアンカー効果
を発揮するためである。以上に述べた煮沸処理を行う工
程が、煮沸改質工程である。
【００２５】煮沸改質工程で改質アルミナバリア層３の
形成が終了すると、図５（ｃ）に示す工程で、当該改質
アルミナバリア層３上に電極銅層４を形成するのであ
る。本件明細書で、電極銅層と称しているが、キャパシ
タ回路を形成したときの電極面となるからである。改質
アルミナバリア層３に銅層を形成しようとしても、改質
アルミナバリア層３自体は不働態化しており電流を流せ
ないため、電解法を直接用いて銅層を形成することはで
きない。
形成が終了すると、図５（ｃ）に示す工程で、当該改質
アルミナバリア層３上に電極銅層４を形成するのであ
る。本件明細書で、電極銅層と称しているが、キャパシ
タ回路を形成したときの電極面となるからである。改質
アルミナバリア層３に銅層を形成しようとしても、改質
アルミナバリア層３自体は不働態化しており電流を流せ
ないため、電解法を直接用いて銅層を形成することはで
きない。
【００２６】そこで、まず改質アルミナバリア層３の表
面に湿式の無電解銅メッキ若しくは乾式の気相蒸着法を
用いて、薄膜銅層を形成するのである。これらの手法
は、非常に均一で薄い皮膜を形成する方法として非常に
優れたものである。この最初に形成する銅層のことを、
薄膜銅層と称しているのである。確かに、無電解銅メッ
キ若しくは気相蒸着法のみを用いて、電極銅層４の全て
を形成しようとしても、何ら問題はない。しかし、生産
速度及び生産コストを考慮すれば、初期の銅層の形成の
みを、無電解銅メッキ若しくは気相蒸着法で２μｍ厚以
下の薄膜銅層を製造し、以下に述べる電解法で銅層を成
長させ電極銅層４を完成させることが好ましいのであ
る。
面に湿式の無電解銅メッキ若しくは乾式の気相蒸着法を
用いて、薄膜銅層を形成するのである。これらの手法
は、非常に均一で薄い皮膜を形成する方法として非常に
優れたものである。この最初に形成する銅層のことを、
薄膜銅層と称しているのである。確かに、無電解銅メッ
キ若しくは気相蒸着法のみを用いて、電極銅層４の全て
を形成しようとしても、何ら問題はない。しかし、生産
速度及び生産コストを考慮すれば、初期の銅層の形成の
みを、無電解銅メッキ若しくは気相蒸着法で２μｍ厚以
下の薄膜銅層を製造し、以下に述べる電解法で銅層を成
長させ電極銅層４を完成させることが好ましいのであ
る。
【００２７】ここで、無電解銅メッキに用いる溶液は、
特に限定はない。一般には、無電解銅メッキには、還元
剤の酸化に対する触媒活性を考慮してホルムアルデヒド
を含む溶液であり、強アルカリ性を示す溶液である。例
えば、室温条件で用いる無電解銅メッキ浴としては、
硫酸銅、ロシェル塩、ホルムアルデヒド、炭酸ナトリウ
ム、水酸化ナトリウムに構成される浴、硫酸銅、ロシ
ェル塩、ホルムアルデヒド、スタビライザーとしての添
加剤により構成される浴等である。また、敢えて明記す
ることとするが、無電解銅メッキを行う前において、必
要な場合にはパラジウムをキャタライズする等の前処理
を行うことは当然である。
特に限定はない。一般には、無電解銅メッキには、還元
剤の酸化に対する触媒活性を考慮してホルムアルデヒド
を含む溶液であり、強アルカリ性を示す溶液である。例
えば、室温条件で用いる無電解銅メッキ浴としては、
硫酸銅、ロシェル塩、ホルムアルデヒド、炭酸ナトリウ
ム、水酸化ナトリウムに構成される浴、硫酸銅、ロシ
ェル塩、ホルムアルデヒド、スタビライザーとしての添
加剤により構成される浴等である。また、敢えて明記す
ることとするが、無電解銅メッキを行う前において、必
要な場合にはパラジウムをキャタライズする等の前処理
を行うことは当然である。
【００２８】乾式の気相蒸着法とは、真空雰囲気中にア
ルミナバリア層付アルミニウム材をおき、その雰囲気内
で加熱蒸着法、銅ターゲットに電子線照射して行う所謂
スパッタリング蒸着等の手法を用いることを意図してい
る。そして、薄膜銅層の厚さを考慮すれば、無電解銅メ
ッキ以上に均一で欠陥のない薄膜形成が出来る可能性が
高いのである。
ルミナバリア層付アルミニウム材をおき、その雰囲気内
で加熱蒸着法、銅ターゲットに電子線照射して行う所謂
スパッタリング蒸着等の手法を用いることを意図してい
る。そして、薄膜銅層の厚さを考慮すれば、無電解銅メ
ッキ以上に均一で欠陥のない薄膜形成が出来る可能性が
高いのである。
【００２９】そして、改質アルミナバリア層３上に形成
した薄膜銅層の上に、電解法を用いて更に銅層を成長さ
せるのである。請求項に記載したキャパシタ層形成用の
積層板では、この電解法で成長させた後のものを「電極
銅層」と称しているのである。電解法で用いる電解液に
は、例えば、硫酸銅系溶液、ピロ燐酸銅系溶液等の銅イ
オン供給源として使用可能な溶液を用い、溶液の種類
は、特に限定を要するものではない。例えば、硫酸銅系
溶液であれば、濃度が銅３０〜１００ｇ／ｌ、硫酸５０
〜２００ｇ／ｌ、液温３０〜８０℃、電流密度１〜１０
０Ａ／ｄｍ２の条件とし、ピロ燐酸銅系溶液であれば、
濃度が銅１０〜５０ｇ／ｌ、ピロ燐酸カリウム１００〜
７００ｇ／ｌ、液温３０〜６０℃、ｐＨ８〜１２、電流
密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件とする等の光沢メッキ条
件を採用するのである。
した薄膜銅層の上に、電解法を用いて更に銅層を成長さ
せるのである。請求項に記載したキャパシタ層形成用の
積層板では、この電解法で成長させた後のものを「電極
銅層」と称しているのである。電解法で用いる電解液に
は、例えば、硫酸銅系溶液、ピロ燐酸銅系溶液等の銅イ
オン供給源として使用可能な溶液を用い、溶液の種類
は、特に限定を要するものではない。例えば、硫酸銅系
溶液であれば、濃度が銅３０〜１００ｇ／ｌ、硫酸５０
〜２００ｇ／ｌ、液温３０〜８０℃、電流密度１〜１０
０Ａ／ｄｍ２の条件とし、ピロ燐酸銅系溶液であれば、
濃度が銅１０〜５０ｇ／ｌ、ピロ燐酸カリウム１００〜
７００ｇ／ｌ、液温３０〜６０℃、ｐＨ８〜１２、電流
密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件とする等の光沢メッキ条
件を採用するのである。
【００３０】以上のようにして、アルミニウム層２／改
質アルミナバリア層３／電極銅層４の三層の層構造を構
成したことを特徴とし、改質アルミナバリア層３を誘電
体層として用いるキャパシタ層形成用の積層板１ａが得
られるのである。この様にして得られたキャパシタ層形
成用の積層板を用いて製造したキャパシタの電気容量
は、平均５ｎＦ／ｃｍ２〜平均１００ｎＦ／ｃｍ２とい
う、従来には考えられない程、高い電気容量を備えるの
である。
質アルミナバリア層３／電極銅層４の三層の層構造を構
成したことを特徴とし、改質アルミナバリア層３を誘電
体層として用いるキャパシタ層形成用の積層板１ａが得
られるのである。この様にして得られたキャパシタ層形
成用の積層板を用いて製造したキャパシタの電気容量
は、平均５ｎＦ／ｃｍ２〜平均１００ｎＦ／ｃｍ２とい
う、従来には考えられない程、高い電気容量を備えるの
である。
【００３１】次に、第２のキャパシタ層形成用の積層板
は、「第２電極銅層／バインダ金属層／改質アルミナバ
リア層／アルミニウム層／第１電極銅層の五層の層構造
を備え、バインダ金属層は、アルミニウム、ニッケル若
しくはクロムのいずれか、又はこれらの合金で構成した
ものであり、当該改質アルミナバリア層は、アルミニウ
ム材の片面をアノード処理して均一酸化層であるアルミ
ナバリア層を形成し、当該アルミナバリア層を形成した
アルミニウム材を水中で煮沸処理して得られるものであ
り、当該改質アルミナバリア層を誘電体層として用いる
ことを特徴とするキャパシタ層形成用の積層板。」とし
ている。上述したキャパシタ層形成用の積層板は、片面
にのみ銅層を備えているのに対して、第２のキャパシタ
層形成用の積層板は両面に銅層を備えている点にある。
このように両面に銅層を備えることで、形成するキャパ
シタ回路の両面の電極を銅で構成することができ、多層
プリント配線板に加工する場合の層間導通を確保するた
めの手段として、メッキ法を採用することも容易になる
のである。この第２のキャパシタ層形成用の積層板１ｂ
の模式断面図を示したのが図４である。本件明細書で、
この両面の銅層を、第１電極銅層４及び第２電極銅層
４’という用語で区別して用いているが、本来区別を要
するものではなく、製造方法の説明の都合上、区別して
用いたに過ぎないものである。
は、「第２電極銅層／バインダ金属層／改質アルミナバ
リア層／アルミニウム層／第１電極銅層の五層の層構造
を備え、バインダ金属層は、アルミニウム、ニッケル若
しくはクロムのいずれか、又はこれらの合金で構成した
ものであり、当該改質アルミナバリア層は、アルミニウ
ム材の片面をアノード処理して均一酸化層であるアルミ
ナバリア層を形成し、当該アルミナバリア層を形成した
アルミニウム材を水中で煮沸処理して得られるものであ
り、当該改質アルミナバリア層を誘電体層として用いる
ことを特徴とするキャパシタ層形成用の積層板。」とし
ている。上述したキャパシタ層形成用の積層板は、片面
にのみ銅層を備えているのに対して、第２のキャパシタ
層形成用の積層板は両面に銅層を備えている点にある。
このように両面に銅層を備えることで、形成するキャパ
シタ回路の両面の電極を銅で構成することができ、多層
プリント配線板に加工する場合の層間導通を確保するた
めの手段として、メッキ法を採用することも容易になる
のである。この第２のキャパシタ層形成用の積層板１ｂ
の模式断面図を示したのが図４である。本件明細書で、
この両面の銅層を、第１電極銅層４及び第２電極銅層
４’という用語で区別して用いているが、本来区別を要
するものではなく、製造方法の説明の都合上、区別して
用いたに過ぎないものである。
【００３２】そして、その第２のキャパシタ層形成用の
積層板１ｂの製造方法が、「アルミニウム材の片面
に、無電解メッキ法若しくは気相蒸着法を用いて、厚さ
２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、当該薄膜銅層の形成面
に、電解銅メッキ法で更に銅を析出させ第１電極銅層を
形成する第１電極銅層形成工程、 前記第１電極銅層
を形成したアルミニウム板を電解液中でアノード分極し
て、第１電極銅層を形成した他面側に、１μｍ厚以下の
均一酸化層であるアルミナバリア層を、形成するバリア
層形成工程（以下、ここで得られたものを「第１電極銅
層及びアルミナバリア層付アルミニウム材」と称す
る。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を
水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質アルミナバリア
層とする煮沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表
面に、気相蒸着法を用いてアルミニウム、ニッケル若し
くはクロムのいずれかのバインダ金属層を設けるバイン
ダ金属層形成工程、 前記バインダ金属層の表面に第
２電極銅層となる銅層を形成する第２電極銅層形成工
程、を備えることを特徴とする第２電極銅層／バインダ
金属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１
電極銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体
層として用いることを特徴とするキャパシタ層形成用の
積層板の製造方法。」である。
積層板１ｂの製造方法が、「アルミニウム材の片面
に、無電解メッキ法若しくは気相蒸着法を用いて、厚さ
２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、当該薄膜銅層の形成面
に、電解銅メッキ法で更に銅を析出させ第１電極銅層を
形成する第１電極銅層形成工程、 前記第１電極銅層
を形成したアルミニウム板を電解液中でアノード分極し
て、第１電極銅層を形成した他面側に、１μｍ厚以下の
均一酸化層であるアルミナバリア層を、形成するバリア
層形成工程（以下、ここで得られたものを「第１電極銅
層及びアルミナバリア層付アルミニウム材」と称す
る。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を
水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質アルミナバリア
層とする煮沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表
面に、気相蒸着法を用いてアルミニウム、ニッケル若し
くはクロムのいずれかのバインダ金属層を設けるバイン
ダ金属層形成工程、 前記バインダ金属層の表面に第
２電極銅層となる銅層を形成する第２電極銅層形成工
程、を備えることを特徴とする第２電極銅層／バインダ
金属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１
電極銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体
層として用いることを特徴とするキャパシタ層形成用の
積層板の製造方法。」である。
【００３３】このキャパシタ層形成用の積層板の製造
は、最初に、図６（ａ）の第１電極銅層形成工程で、ア
ルミニウム材２の片面に、無電解メッキ法若しくは気相
蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、
当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に銅を析
出させ第１電極銅層４を形成することになる。このとき
の薄膜銅層及び電解銅メッキ法は、上述したと同様の方
法を採用するため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。
は、最初に、図６（ａ）の第１電極銅層形成工程で、ア
ルミニウム材２の片面に、無電解メッキ法若しくは気相
蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形成し、
当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に銅を析
出させ第１電極銅層４を形成することになる。このとき
の薄膜銅層及び電解銅メッキ法は、上述したと同様の方
法を採用するため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。
【００３４】そして、その後、バリア層形成工程におい
て、前記第１電極銅層４を形成したアルミニウム板２を
電解液中でアノード分極して、図６（ｂ）に示すように
第１電極銅層４を形成した他面側に、１μｍ厚以下の均
一酸化層であるアルミナバリア層６を形成するのであ
る。このときのアルミナバリア層６の形成方法も、上述
したと同様であるため、重複した記載を避けるため、こ
こでの詳細な説明は省略する。
て、前記第１電極銅層４を形成したアルミニウム板２を
電解液中でアノード分極して、図６（ｂ）に示すように
第１電極銅層４を形成した他面側に、１μｍ厚以下の均
一酸化層であるアルミナバリア層６を形成するのであ
る。このときのアルミナバリア層６の形成方法も、上述
したと同様であるため、重複した記載を避けるため、こ
こでの詳細な説明は省略する。
【００３５】続いて、アルミナバリア層６の改質を行う
ため、図６（ｃ）に示す煮沸改質工程で、当該第１電極
銅層４とアルミナバリア層６とを備えたアルミニウム材
２を水中で煮沸し、アルミナバリア層６を改質処理し、
改質アルミナバリア層３とするのである。この改質処理
に関しても、上述したと同様であるため、重複した記載
を避けるため、ここでの詳細な説明は省略する。
ため、図６（ｃ）に示す煮沸改質工程で、当該第１電極
銅層４とアルミナバリア層６とを備えたアルミニウム材
２を水中で煮沸し、アルミナバリア層６を改質処理し、
改質アルミナバリア層３とするのである。この改質処理
に関しても、上述したと同様であるため、重複した記載
を避けるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３６】その後、図６（ｄ）に示すバインダ金属層
形成工程で、煮沸改質工程の終了した当該第１電極銅層
４と改質アルミナバリア層３とを備えたアルミニウム材
２の改質アルミナバリア層３を形成した面に、気相蒸着
法を用いてアルミニウム、ニッケル若しくはクロムのい
ずれか、又はこれらの合金のバインダ金属層５を設ける
のである。バインダ金属層５とは、改質アルミナバリア
層３と第２電極銅層４’との間に位置することで、その
２つの層の密着性を向上させるために用いるものであ
る。ここで言う気相蒸着法も、上述の第１電極銅層４の
薄膜銅層を形成したと同様の手法を用いることが出来る
ため、ここでの重複した記載を避けるため、ここでの詳
細な説明は省略する。
形成工程で、煮沸改質工程の終了した当該第１電極銅層
４と改質アルミナバリア層３とを備えたアルミニウム材
２の改質アルミナバリア層３を形成した面に、気相蒸着
法を用いてアルミニウム、ニッケル若しくはクロムのい
ずれか、又はこれらの合金のバインダ金属層５を設ける
のである。バインダ金属層５とは、改質アルミナバリア
層３と第２電極銅層４’との間に位置することで、その
２つの層の密着性を向上させるために用いるものであ
る。ここで言う気相蒸着法も、上述の第１電極銅層４の
薄膜銅層を形成したと同様の手法を用いることが出来る
ため、ここでの重複した記載を避けるため、ここでの詳
細な説明は省略する。
【００３７】そして、最後に、図６（ｅ）に示す第２電
極銅層形成工程において、前記バインダ金属層５の表面
に第２電極銅層４’となる銅層を形成するのである。第
２金属銅層４’の形成は、バインダ金属層５が、アルミ
ニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれを形成した
か、又は、これらの合金により、最適と言える形成方法
が異なってくる。なお、ここで言う銅の析出方法に関し
ても、上述したと同様であるため、ここでの重複した記
載を避けるため、ここでの詳細な説明は省略する。
極銅層形成工程において、前記バインダ金属層５の表面
に第２電極銅層４’となる銅層を形成するのである。第
２金属銅層４’の形成は、バインダ金属層５が、アルミ
ニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれを形成した
か、又は、これらの合金により、最適と言える形成方法
が異なってくる。なお、ここで言う銅の析出方法に関し
ても、上述したと同様であるため、ここでの重複した記
載を避けるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３８】バインダ金属層５を、ニッケル若しくはク
ロムのいずれか、又はこれらの合金とした場合には、そ
の表面に電解法を用いて直接第２電極銅層を電析させる
ことが可能となる。もちろん、最初に無電解銅メッキを
用いても何ら問題はない。
ロムのいずれか、又はこれらの合金とした場合には、そ
の表面に電解法を用いて直接第２電極銅層を電析させる
ことが可能となる。もちろん、最初に無電解銅メッキを
用いても何ら問題はない。
【００３９】これに対し、アルミニウム又はアルミニウ
ム基合金でバインダ金属層５を形成した場合には、そこ
に直接銅層を形成すると密着性に欠ける場合があるた
め、当該バインダ金属層５の表面に亜鉛若しくはクロム
を微量析出させ、その後、電解法で第２電極銅層４’と
なる銅を析出させることが好ましい。この概念は、銅層
とアルミニウム層との層間密着性を向上させるため、本
件発明の全体に採用できるものであり、銅層とアルミニ
ウム層との間に密着性確保のために用いる層を任意に設
けることができ、これをシード金属層と称することとす
る。
ム基合金でバインダ金属層５を形成した場合には、そこ
に直接銅層を形成すると密着性に欠ける場合があるた
め、当該バインダ金属層５の表面に亜鉛若しくはクロム
を微量析出させ、その後、電解法で第２電極銅層４’と
なる銅を析出させることが好ましい。この概念は、銅層
とアルミニウム層との層間密着性を向上させるため、本
件発明の全体に採用できるものであり、銅層とアルミニ
ウム層との間に密着性確保のために用いる層を任意に設
けることができ、これをシード金属層と称することとす
る。
【００４０】また、第２のキャパシタ層形成用の積層板
１ｂの製造方法として、もう一つの製造方法を採用する
ことも可能である。その製造方法は、「アルミニウム
箔と銅箔とをクラッドすることで、アルミニウム箔の表
面に第１電極銅層を形成する第１電極銅層形成工程、
前記第１電極銅層を形成したアルミニウム板を電解液
中でアノード分極して、第１電極銅層を形成した他面側
に、１μｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア層
を、形成するバリア層形成工程（以下、ここで得られた
ものを「第１電極銅層及びアルミナバリア層付アルミニ
ウム材」と称する。）、 当該アルミナバリア層付ア
ルミニウム材を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質
アルミナバリア層とする煮沸改質工程、 改質アルミ
ナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いてアルミニウ
ム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバインダ金属
層を設けるバインダ金属層形成工程、 前記バインダ
金属層の表面に第２電極銅層となる銅層を形成する第２
電極銅層形成工程、を備えることを特徴とする第２電極
銅層／バインダ金属層／アルミニウム層／改質アルミナ
バリア層／第１電極銅層の五層の層構造を備え改質アル
ミナ層を誘電体層として用いることを特徴とするキャパ
シタ層形成用の積層板の製造方法。」である。
１ｂの製造方法として、もう一つの製造方法を採用する
ことも可能である。その製造方法は、「アルミニウム
箔と銅箔とをクラッドすることで、アルミニウム箔の表
面に第１電極銅層を形成する第１電極銅層形成工程、
前記第１電極銅層を形成したアルミニウム板を電解液
中でアノード分極して、第１電極銅層を形成した他面側
に、１μｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア層
を、形成するバリア層形成工程（以下、ここで得られた
ものを「第１電極銅層及びアルミナバリア層付アルミニ
ウム材」と称する。）、 当該アルミナバリア層付ア
ルミニウム材を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質
アルミナバリア層とする煮沸改質工程、 改質アルミ
ナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いてアルミニウ
ム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバインダ金属
層を設けるバインダ金属層形成工程、 前記バインダ
金属層の表面に第２電極銅層となる銅層を形成する第２
電極銅層形成工程、を備えることを特徴とする第２電極
銅層／バインダ金属層／アルミニウム層／改質アルミナ
バリア層／第１電極銅層の五層の層構造を備え改質アル
ミナ層を誘電体層として用いることを特徴とするキャパ
シタ層形成用の積層板の製造方法。」である。
【００４１】先に述べた第２のキャパシタ層形成用の積
層板の製造方法１ｂと、この製造方法との違いは、製造
手順のが異なるのみである。前者が第１電極銅層の形
成に電気化学的手法を採用したのに対して、後者は圧延
的手法を用いて、アルミニウム箔と銅箔とを張り合わせ
るのである。それ以降の製造方法は、同様である。
層板の製造方法１ｂと、この製造方法との違いは、製造
手順のが異なるのみである。前者が第１電極銅層の形
成に電気化学的手法を採用したのに対して、後者は圧延
的手法を用いて、アルミニウム箔と銅箔とを張り合わせ
るのである。それ以降の製造方法は、同様である。
【００４２】第２のキャパシタ層形成用の積層板の製造
方法として、更なる製造方法を採用することも可能であ
る。その製造方法は、「アルミニウム材を電解液中で
アノード分極して、１μｍ厚以下の均一酸化層であるア
ルミナバリア層をアルミニウム材の片面に形成するアル
ミナバリア層形成工程、当該アルミナバリア層付アル
ミニウム材を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質処
理して改質アルミナバリア層とする煮沸改質工程、改
質アルミナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いてアル
ミニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバイン
ダ金属層を設けるバインダ金属層形成工程、アルミニ
ウム材の外層表面への第１電極銅層の形成、及び、前記
バインダ金属層の表面に第２電極銅層となる銅層を形成
する電極銅層形成工程、を備えることを特徴とする第２
電極銅層／バインダ金属層／アルミニウム層／改質アル
ミナバリア層／第１電極銅層の五層の層構造を備え改質
アルミナ層を誘電体層として用いることを特徴とするキ
ャパシタ層形成用の積層板の製造方法。」である。
方法として、更なる製造方法を採用することも可能であ
る。その製造方法は、「アルミニウム材を電解液中で
アノード分極して、１μｍ厚以下の均一酸化層であるア
ルミナバリア層をアルミニウム材の片面に形成するアル
ミナバリア層形成工程、当該アルミナバリア層付アル
ミニウム材を水中で煮沸し、アルミナバリア層を改質処
理して改質アルミナバリア層とする煮沸改質工程、改
質アルミナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いてアル
ミニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバイン
ダ金属層を設けるバインダ金属層形成工程、アルミニ
ウム材の外層表面への第１電極銅層の形成、及び、前記
バインダ金属層の表面に第２電極銅層となる銅層を形成
する電極銅層形成工程、を備えることを特徴とする第２
電極銅層／バインダ金属層／アルミニウム層／改質アル
ミナバリア層／第１電極銅層の五層の層構造を備え改質
アルミナ層を誘電体層として用いることを特徴とするキ
ャパシタ層形成用の積層板の製造方法。」である。
【００４３】この製造方法は、図７に示す製造フローで
示したものである。即ち、最初に、図７（ａ）に示すよ
うにアルミニウム材２を陽極酸化し、図７（ｂ）に示す
改質処理を行うところまでは第１のキャパシタ層形成用
の積層板１ａの製造方法と同様である。そして、その
後、図７（ｃ）に示すバインダ金属層５を形成する点に
おいても、上述してきた製造方法と同様である。しか
し、異なるのは、第１電極銅層４と第２電極銅層４’と
の製造方法である。最後の段階で、これらの第１電極銅
層４と第２電極銅層４’とを製造するのである。
示したものである。即ち、最初に、図７（ａ）に示すよ
うにアルミニウム材２を陽極酸化し、図７（ｂ）に示す
改質処理を行うところまでは第１のキャパシタ層形成用
の積層板１ａの製造方法と同様である。そして、その
後、図７（ｃ）に示すバインダ金属層５を形成する点に
おいても、上述してきた製造方法と同様である。しか
し、異なるのは、第１電極銅層４と第２電極銅層４’と
の製造方法である。最後の段階で、これらの第１電極銅
層４と第２電極銅層４’とを製造するのである。
【００４４】従って、バインダ金属層５の表面には無電
解銅メッキで薄膜銅層の形成が行われる。そして、図７
（ｄ）に示したように、アルミニウム材２の外層表面に
は、微量の亜鉛等の銅析出を可能とするシード金属Ｓを
析出させることが、第１電極銅層４とアルミニウム材２
との密着性を確保する観点から好ましい。バインダ金属
層５とアルミニウム材２のシード金属層Ｓ（付着量は、
１ｍ２あたり１ｍｇ以下と極めて微量であるため、図７
（ｅ）の完成した模式断面図中での記載は省略してい
る。）の形成が終了すると、両面に電解法で銅層を析出
形成させればよいのである。このような手法を採用する
ことで、図７（ｅ）に示す、第２電極銅層／バインダ金
属層／アルミニウム層／改質アルミナバリア層／第１電
極銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体層
として用いるキャパシタ層形成用の積層板の製造が容易
に出来るのである。
解銅メッキで薄膜銅層の形成が行われる。そして、図７
（ｄ）に示したように、アルミニウム材２の外層表面に
は、微量の亜鉛等の銅析出を可能とするシード金属Ｓを
析出させることが、第１電極銅層４とアルミニウム材２
との密着性を確保する観点から好ましい。バインダ金属
層５とアルミニウム材２のシード金属層Ｓ（付着量は、
１ｍ２あたり１ｍｇ以下と極めて微量であるため、図７
（ｅ）の完成した模式断面図中での記載は省略してい
る。）の形成が終了すると、両面に電解法で銅層を析出
形成させればよいのである。このような手法を採用する
ことで、図７（ｅ）に示す、第２電極銅層／バインダ金
属層／アルミニウム層／改質アルミナバリア層／第１電
極銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体層
として用いるキャパシタ層形成用の積層板の製造が容易
に出来るのである。
【００４５】以上に述べてきたキャパシタ層形成用の積
層板は、プリント配線板のエッチングプロセスを用い
て、キャパシタ回路の形状形成が容易であり、多層プリ
ント配線板の内層キャパシタ層の形成用途に適したもの
である。そこで、請求項には、本件発明に係るキャパシ
タ層形成用の積層板を用いて形成したキャパシタ回路を
備えた多層プリント配線板としているのである。
層板は、プリント配線板のエッチングプロセスを用い
て、キャパシタ回路の形状形成が容易であり、多層プリ
ント配線板の内層キャパシタ層の形成用途に適したもの
である。そこで、請求項には、本件発明に係るキャパシ
タ層形成用の積層板を用いて形成したキャパシタ回路を
備えた多層プリント配線板としているのである。
【００４６】更に、第２のキャパシタ層形成用の積層板
を用いると、以下に述べるような多層プリント配線板の
内層コア材の製造方法が採用できる。ここで言う「内層
コア材」とは、多層プリント配線板の内部にパッケージ
され積層化するために用いるプリント配線板のことであ
る。
を用いると、以下に述べるような多層プリント配線板の
内層コア材の製造方法が採用できる。ここで言う「内層
コア材」とは、多層プリント配線板の内部にパッケージ
され積層化するために用いるプリント配線板のことであ
る。
【００４７】即ち、「第２電極銅層／バインダ金属層／
改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１電極銅層
の五層の層構造を備えた第２のキャパシタ層形成用の積
層板を用いた多層プリント配線板の内層コア材の製造方
法であって、 第１電極銅層若しくは第２電極銅層の
いずれか一方の面側の、いずれかの銅層及びその下に位
置するバインダ金属層若しくはアルミニウム層を所望の
形状にエッチングしてキャパシタ回路を一面側にのみ形
成し、 その一面側のキャパシタ回路を形成した面
に、プリプレグ等の層間絶縁層構成材を重ねてプレス加
工し張り合わせ片面に層間絶縁層構成材を張り合わせた
状態とし、 層間絶縁層構成材を張り合わせていない
他面側の銅層及びその下に位置するバインダ金属層若し
くはアルミニウム層を、所望の形状にエッチングしてキ
ャパシタ回路を形成し、 その他面側のキャパシタ回
路を形成した面に、プリプレグ等の層間絶縁構成材を重
ねてプレス加工し張り合わせ両面に層間絶縁層構成材を
張り合わせた状態とし、スルーホール及びビアホール
の穿孔加工を行い貫通孔を形成し、 当該貫通孔の内
壁部に露出したアルミニウム部分の不活性化処理を行
い、 第１電極銅層と第２電極銅層との層間導通を確
保するため、当該貫通孔の内壁部に銅メッキを行うこと
を特徴とした多層プリント配線板の内層コア材の製造方
法。」である。
改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１電極銅層
の五層の層構造を備えた第２のキャパシタ層形成用の積
層板を用いた多層プリント配線板の内層コア材の製造方
法であって、 第１電極銅層若しくは第２電極銅層の
いずれか一方の面側の、いずれかの銅層及びその下に位
置するバインダ金属層若しくはアルミニウム層を所望の
形状にエッチングしてキャパシタ回路を一面側にのみ形
成し、 その一面側のキャパシタ回路を形成した面
に、プリプレグ等の層間絶縁層構成材を重ねてプレス加
工し張り合わせ片面に層間絶縁層構成材を張り合わせた
状態とし、 層間絶縁層構成材を張り合わせていない
他面側の銅層及びその下に位置するバインダ金属層若し
くはアルミニウム層を、所望の形状にエッチングしてキ
ャパシタ回路を形成し、 その他面側のキャパシタ回
路を形成した面に、プリプレグ等の層間絶縁構成材を重
ねてプレス加工し張り合わせ両面に層間絶縁層構成材を
張り合わせた状態とし、スルーホール及びビアホール
の穿孔加工を行い貫通孔を形成し、 当該貫通孔の内
壁部に露出したアルミニウム部分の不活性化処理を行
い、 第１電極銅層と第２電極銅層との層間導通を確
保するため、当該貫通孔の内壁部に銅メッキを行うこと
を特徴とした多層プリント配線板の内層コア材の製造方
法。」である。
【００４８】この製造方法の第１の特徴は、第２のキャ
パシタ層形成用の積層板を用い、最初に、その片面のみ
エッチングしてキャパシタ回路を形成し、そこに層間絶
縁材を張り合わせ、その後、反対面をエッチングして相
対向するキャパシタ回路を形成し、更にそこに層間絶縁
材料を張り合わせる点である。このような加工プロセス
を採用することで、第２のキャパシタ層形成用の積層板
の厚さが極めて薄い場合でも、誘電体層である改質アル
ミナバリア層を損傷することなく、キャパシタ回路の形
成が可能となるのである。
パシタ層形成用の積層板を用い、最初に、その片面のみ
エッチングしてキャパシタ回路を形成し、そこに層間絶
縁材を張り合わせ、その後、反対面をエッチングして相
対向するキャパシタ回路を形成し、更にそこに層間絶縁
材料を張り合わせる点である。このような加工プロセス
を採用することで、第２のキャパシタ層形成用の積層板
の厚さが極めて薄い場合でも、誘電体層である改質アル
ミナバリア層を損傷することなく、キャパシタ回路の形
成が可能となるのである。
【００４９】従って、まず、第１電極銅層若しくは第２
電極銅層のいずれか一方の面側の、いずれかの銅層及び
その下に位置するバインダ金属層若しくはアルミニウム
層を所望の形状にエッチングしてキャパシタ回路を一面
側にのみ形成することになる。このときに、第１電極銅
層の下にはバインダ金属層が、第２電極銅層の下にはア
ルミニウム層が存在していることになる。エッチングに
よりキャパシタ回路を形成しようとした場合、第２電極
銅層の下のアルミニウム層は、銅のエッチングと共に容
易に除去する事が出来る。これに対して、第１電極銅層
の下にはバインダ金属層の場合は、バインダ金属層がア
ルミニウム及びクロムの場合には、同様に銅のエッチン
グ液で容易に除去することが可能である。ところが、ニ
ッケルを用いた場合には、バインダ金属層と銅との同時
エッチング除去が困難となる傾向にある。そこで、かか
る場合には、銅のみをエッチング除去して、その後、銅
を溶解させることのないニッケル選択エッチング液を用
いて、繰り返しエッチングすることが好ましい。回路間
に金属成分が残留すると、ショート不良を引き起こす場
合、表層マイグレーションを引き起こす可能性があるか
らである。
電極銅層のいずれか一方の面側の、いずれかの銅層及び
その下に位置するバインダ金属層若しくはアルミニウム
層を所望の形状にエッチングしてキャパシタ回路を一面
側にのみ形成することになる。このときに、第１電極銅
層の下にはバインダ金属層が、第２電極銅層の下にはア
ルミニウム層が存在していることになる。エッチングに
よりキャパシタ回路を形成しようとした場合、第２電極
銅層の下のアルミニウム層は、銅のエッチングと共に容
易に除去する事が出来る。これに対して、第１電極銅層
の下にはバインダ金属層の場合は、バインダ金属層がア
ルミニウム及びクロムの場合には、同様に銅のエッチン
グ液で容易に除去することが可能である。ところが、ニ
ッケルを用いた場合には、バインダ金属層と銅との同時
エッチング除去が困難となる傾向にある。そこで、かか
る場合には、銅のみをエッチング除去して、その後、銅
を溶解させることのないニッケル選択エッチング液を用
いて、繰り返しエッチングすることが好ましい。回路間
に金属成分が残留すると、ショート不良を引き起こす場
合、表層マイグレーションを引き起こす可能性があるか
らである。
【００５０】そして、片面側にキャパシタ回路の形成が
完了すると、その面に、プリプレグ等の層間絶縁層構成
材を重ねてプレス加工し張り合わせ片面に層間絶縁層構
成材を張り合わせた状態とするのである。ここで言う層
間絶縁構成材とは、所謂リジッド基板に用いるプリプレ
グ、フレキシブル基板に用いるポリイミド等のフィルム
材等のことであり、特に限定して考えなければならない
ものではない。これらの層間絶縁層構成材を重ねてプレ
ス加工条件に関しても、層間絶縁層構成材の性質に応じ
て定められるプレス加工条件を採用すれば特に問題のな
いものである。以下に述べるプレス加工においても同様
である。
完了すると、その面に、プリプレグ等の層間絶縁層構成
材を重ねてプレス加工し張り合わせ片面に層間絶縁層構
成材を張り合わせた状態とするのである。ここで言う層
間絶縁構成材とは、所謂リジッド基板に用いるプリプレ
グ、フレキシブル基板に用いるポリイミド等のフィルム
材等のことであり、特に限定して考えなければならない
ものではない。これらの層間絶縁層構成材を重ねてプレ
ス加工条件に関しても、層間絶縁層構成材の性質に応じ
て定められるプレス加工条件を採用すれば特に問題のな
いものである。以下に述べるプレス加工においても同様
である。
【００５１】続いて、層間絶縁層構成材を張り合わせて
いない他面側の銅層及びその下に位置するバインダ金属
層若しくはアルミニウム層を、所望の形状にエッチング
してキャパシタ回路を形成することになる。そして、そ
の後、他面側のキャパシタ回路を形成した面に、プリプ
レグ等の層間絶縁構成材を重ねてプレス加工し張り合わ
せ両面に層間絶縁層構成材を張り合わせた状態とするの
である。これらの加工方法は、上述したと同様であるた
め、ここでの説明は省略する。
いない他面側の銅層及びその下に位置するバインダ金属
層若しくはアルミニウム層を、所望の形状にエッチング
してキャパシタ回路を形成することになる。そして、そ
の後、他面側のキャパシタ回路を形成した面に、プリプ
レグ等の層間絶縁構成材を重ねてプレス加工し張り合わ
せ両面に層間絶縁層構成材を張り合わせた状態とするの
である。これらの加工方法は、上述したと同様であるた
め、ここでの説明は省略する。
【００５２】そして、スルーホール及びビアホールの穿
孔加工を行い貫通孔を形成し、その後、層間導通を確保
するための銅メッキ前に、当該貫通孔の内壁部に露出し
たアルミニウム部分の不活性化処理を行うことになる。
この不活性化処理が第２の特徴となる。ここで穿孔加工
に用いる方法は、ドリル刃を用いたメカニカルな加工、
レーザー穴明け加工等の加工方法を採用することが可能
であり、特に限定があるものではない。しかしながら、
穿孔加工直後の貫通孔内壁部に露出するアルミニウム部
分は、表面の酸化層が非常に薄い状態にあり、通常のア
ルミニウムの示す優れた耐腐食性を示すものではない。
このままの状態で、直ぐに、強酸性若しくは強アルカリ
性の銅メッキ液に浸漬して、層間導通メッキを行うと、
アルミニウム部分が損傷を受けることになる。そこで、
穿孔加工直後の貫通孔内壁部に露出するアルミニウム部
分の表面の酸化被膜を良好な耐食性を示すレベルに成長
させるか、保護被膜を形成する必要があるのである。こ
れを本件明細書では、「不活性化処理」と称しているの
である。
孔加工を行い貫通孔を形成し、その後、層間導通を確保
するための銅メッキ前に、当該貫通孔の内壁部に露出し
たアルミニウム部分の不活性化処理を行うことになる。
この不活性化処理が第２の特徴となる。ここで穿孔加工
に用いる方法は、ドリル刃を用いたメカニカルな加工、
レーザー穴明け加工等の加工方法を採用することが可能
であり、特に限定があるものではない。しかしながら、
穿孔加工直後の貫通孔内壁部に露出するアルミニウム部
分は、表面の酸化層が非常に薄い状態にあり、通常のア
ルミニウムの示す優れた耐腐食性を示すものではない。
このままの状態で、直ぐに、強酸性若しくは強アルカリ
性の銅メッキ液に浸漬して、層間導通メッキを行うと、
アルミニウム部分が損傷を受けることになる。そこで、
穿孔加工直後の貫通孔内壁部に露出するアルミニウム部
分の表面の酸化被膜を良好な耐食性を示すレベルに成長
させるか、保護被膜を形成する必要があるのである。こ
れを本件明細書では、「不活性化処理」と称しているの
である。
【００５３】この不活性化処理は、貫通孔内壁部に露出
するアルミニウム部分を対象として行うものであるか
ら、ベーマイト法又はいわゆる化成処理を用いて保護被
膜を形成することが好ましい。前者のベーマイト法は、
水中で煮沸又は飽和蒸気中で処理する事により、アルミ
ニウム部の表面にベーマイト（Ａｌ２Ｏ３・３Ｈ２Ｏ）
被膜を形成するのである。このときの処理時間は、１０
分〜３０分間処理することで０．２μｍ以下の被膜を形
成すればよい。
するアルミニウム部分を対象として行うものであるか
ら、ベーマイト法又はいわゆる化成処理を用いて保護被
膜を形成することが好ましい。前者のベーマイト法は、
水中で煮沸又は飽和蒸気中で処理する事により、アルミ
ニウム部の表面にベーマイト（Ａｌ２Ｏ３・３Ｈ２Ｏ）
被膜を形成するのである。このときの処理時間は、１０
分〜３０分間処理することで０．２μｍ以下の被膜を形
成すればよい。
【００５４】化成処理には、比促進系の浴組成を採用し
て、浴温を室温〜４０℃として、この浴中で１０秒前後
の処理を行う、クロム酸塩被膜処理を採用することが好
ましい。化成処理を行う際に、アルミニウム以外の金属
として、銅が共存しており、銅表面に付着しても、後の
層間導通メッキ形成に悪影響を与えず、しかも、電気抵
抗等に微量で大きな影響を与えない元素で構成されたも
のを選択すべきだからである。従って、電気抵抗を大き
く上昇させる可能性のあるジルコニウム或いはチタン系
の被膜が形成されるノンクロメート被膜処理、電気抵抗
に大きく影響するリンを含有する燐酸クロム酸塩被膜処
理、燐酸亜鉛被膜処理等は不適当と考えられる。このク
ロム酸塩被膜処理で形成される被膜はＣｒ（ＯＨ）２・
ＨＣｒＯ ４、Ａｌ（ＯＨ）３・２Ｈ２Ｏのコンプレック
スとなる。
て、浴温を室温〜４０℃として、この浴中で１０秒前後
の処理を行う、クロム酸塩被膜処理を採用することが好
ましい。化成処理を行う際に、アルミニウム以外の金属
として、銅が共存しており、銅表面に付着しても、後の
層間導通メッキ形成に悪影響を与えず、しかも、電気抵
抗等に微量で大きな影響を与えない元素で構成されたも
のを選択すべきだからである。従って、電気抵抗を大き
く上昇させる可能性のあるジルコニウム或いはチタン系
の被膜が形成されるノンクロメート被膜処理、電気抵抗
に大きく影響するリンを含有する燐酸クロム酸塩被膜処
理、燐酸亜鉛被膜処理等は不適当と考えられる。このク
ロム酸塩被膜処理で形成される被膜はＣｒ（ＯＨ）２・
ＨＣｒＯ ４、Ａｌ（ＯＨ）３・２Ｈ２Ｏのコンプレック
スとなる。
【００５５】そして、スルーホール及びビアホールの貫
通孔の内壁部に銅メッキ層を形成し、層間導通を確保す
るのである。このときの銅メッキは、無電解銅メッキを
行い、その後電解銅メッキを行うことにより形成される
ものである。このときの無電解メッキ及び電解銅メッキ
の条件に特段の限定はない。但し、このメッキ層の形成
は、当該貫通孔の内壁部にのみ行うものであっても、両
面に位置する層間絶縁構成材の表面までも銅メッキ層を
構成するものであっても構わない。後者の場合には、所
謂４層銅張積層板の状態になり、層間絶縁構成材の表面
の銅メッキ層が、そのまま銅回路を形成する銅層として
用いることが可能となるのである。
通孔の内壁部に銅メッキ層を形成し、層間導通を確保す
るのである。このときの銅メッキは、無電解銅メッキを
行い、その後電解銅メッキを行うことにより形成される
ものである。このときの無電解メッキ及び電解銅メッキ
の条件に特段の限定はない。但し、このメッキ層の形成
は、当該貫通孔の内壁部にのみ行うものであっても、両
面に位置する層間絶縁構成材の表面までも銅メッキ層を
構成するものであっても構わない。後者の場合には、所
謂４層銅張積層板の状態になり、層間絶縁構成材の表面
の銅メッキ層が、そのまま銅回路を形成する銅層として
用いることが可能となるのである。
【００５６】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態として、
本発明に係るキャパシタ層形成用の積層板を製造し、そ
のキャパシタ層形成用の積層板を用いてキャパシタを製
造した場合の電気容量を測定した。
本発明に係るキャパシタ層形成用の積層板を製造し、そ
のキャパシタ層形成用の積層板を用いてキャパシタを製
造した場合の電気容量を測定した。
【００５７】第１実施形態： 図５を参照しつつ、第１
のキャパシタ層形成用の積層板１ａの製造に関して説明
する。本実施形態においては、１００μｍ厚の、純度９
９．９９％の３０ｃｍ角サイズのアルミニウム箔２を出
発原料として用いた。そして、図５（ａ）に示すアルミ
ナバリア層形成工程として、このアルミニウム箔２を、
８０ｇ／ｌのホウ酸アンモニウム水溶液に浸漬し、３０
Ｖ〜７００Ｖの化成電圧範囲で、直流電流（電流は５〜
２０Ａ／ｄｍ２の範囲）でアノード分極処理し、アルミ
ナバリア層６の形成を行った。なお、アルミニウム箔２
の片面は、アルミナバリア層６の形成が行われないよう
にシーリングして、片面側のみに４０ｎｍ〜９８０ｎｍ
（化成電圧１Ｖあたり１．４ｎｍのアルミナバリア層６
が形成されるとしたときの換算値としてである。）厚さ
のアルミナバリア層６の形成を行い、アルミナバリア層
付アルミニウム材Ａを製造した。このとき、カソード電
極としては、白金電極を用いた。
のキャパシタ層形成用の積層板１ａの製造に関して説明
する。本実施形態においては、１００μｍ厚の、純度９
９．９９％の３０ｃｍ角サイズのアルミニウム箔２を出
発原料として用いた。そして、図５（ａ）に示すアルミ
ナバリア層形成工程として、このアルミニウム箔２を、
８０ｇ／ｌのホウ酸アンモニウム水溶液に浸漬し、３０
Ｖ〜７００Ｖの化成電圧範囲で、直流電流（電流は５〜
２０Ａ／ｄｍ２の範囲）でアノード分極処理し、アルミ
ナバリア層６の形成を行った。なお、アルミニウム箔２
の片面は、アルミナバリア層６の形成が行われないよう
にシーリングして、片面側のみに４０ｎｍ〜９８０ｎｍ
（化成電圧１Ｖあたり１．４ｎｍのアルミナバリア層６
が形成されるとしたときの換算値としてである。）厚さ
のアルミナバリア層６の形成を行い、アルミナバリア層
付アルミニウム材Ａを製造した。このとき、カソード電
極としては、白金電極を用いた。
【００５８】アルミナバリア層付アルミニウム材Ａは、
十分に純水で洗浄して、以下に示す煮沸改質工程を行っ
た。図５（ｂ）に示す煮沸改質工程では、沸騰した純水
中で、当該アルミナバリア層付アルミニウム材Ａを、５
分間煮沸処理することで、改質アルミナバリア層３とし
た。
十分に純水で洗浄して、以下に示す煮沸改質工程を行っ
た。図５（ｂ）に示す煮沸改質工程では、沸騰した純水
中で、当該アルミナバリア層付アルミニウム材Ａを、５
分間煮沸処理することで、改質アルミナバリア層３とし
た。
【００５９】そして、煮沸改質工程が終了すると、図５
（ｃ）に示す電極銅層形成工程で、アルミナバリア層付
アルミニウム材Ａの改質アルミナバリア層３を形成した
面に、パラジウムをキャタライズして、無電解銅メッキ
法を用いて薄膜銅層を形成した。ここで用いた無電解銅
メッキ液は、硫酸銅３０ｇ／ｄｍ３、ロシェル塩１００
ｇ／ｄｍ３、ホルムアルデヒド（３７％）３０ｃｍ３／
ｄｍ３、炭酸ナトリウム３０ｇ／ｄｍ３、水酸化ナトリ
ウム３０ｇ／ｄｍ３で構成される浴を用い、浴温２４℃
の条件を採用した。ここで、形成した薄膜銅層は、平面
に均一に析出したと仮定した場合の換算厚さとして、２
μｍ厚さを析出形成した。
（ｃ）に示す電極銅層形成工程で、アルミナバリア層付
アルミニウム材Ａの改質アルミナバリア層３を形成した
面に、パラジウムをキャタライズして、無電解銅メッキ
法を用いて薄膜銅層を形成した。ここで用いた無電解銅
メッキ液は、硫酸銅３０ｇ／ｄｍ３、ロシェル塩１００
ｇ／ｄｍ３、ホルムアルデヒド（３７％）３０ｃｍ３／
ｄｍ３、炭酸ナトリウム３０ｇ／ｄｍ３、水酸化ナトリ
ウム３０ｇ／ｄｍ３で構成される浴を用い、浴温２４℃
の条件を採用した。ここで、形成した薄膜銅層は、平面
に均一に析出したと仮定した場合の換算厚さとして、２
μｍ厚さを析出形成した。
【００６０】薄膜銅層の形成が終了すると、続いて、電
解法により薄膜銅層を成長させ、電極銅層４とした。電
解法での薄膜銅層の成長は、薄膜銅層とカソード端子と
を接続して、アノード電極としてステンレス板を配し
て、硫酸１５０ｇ／ｌ、銅６５ｇ／ｌ、液温４５℃の硫
酸銅浴に浸漬し、電流密度１５Ａ／ｄｍ２の平滑メッキ
条件で１０秒間電解し、３μｍ厚相当の銅成分を当該薄
膜銅層上に均一且つ平滑に電析させた。従って、薄膜銅
層と電解銅層とを合計して、電極銅層４自体は約５μｍ
厚となるようにして、図１に示した１００μｍ厚のアル
ミニウム層２、８４ｎｍ〜７００ｎｍ厚の改質アルミナ
バリア層３、５μｍ厚の電極銅層４の三層の層構造を構
成し、改質アルミナバリア層３を誘電体層として用いる
２５ｃｍ角のキャパシタ層形成用の積層板１ａを得た。
解法により薄膜銅層を成長させ、電極銅層４とした。電
解法での薄膜銅層の成長は、薄膜銅層とカソード端子と
を接続して、アノード電極としてステンレス板を配し
て、硫酸１５０ｇ／ｌ、銅６５ｇ／ｌ、液温４５℃の硫
酸銅浴に浸漬し、電流密度１５Ａ／ｄｍ２の平滑メッキ
条件で１０秒間電解し、３μｍ厚相当の銅成分を当該薄
膜銅層上に均一且つ平滑に電析させた。従って、薄膜銅
層と電解銅層とを合計して、電極銅層４自体は約５μｍ
厚となるようにして、図１に示した１００μｍ厚のアル
ミニウム層２、８４ｎｍ〜７００ｎｍ厚の改質アルミナ
バリア層３、５μｍ厚の電極銅層４の三層の層構造を構
成し、改質アルミナバリア層３を誘電体層として用いる
２５ｃｍ角のキャパシタ層形成用の積層板１ａを得た。
【００６１】本実施形態では、電極銅層４の表面酸化防
止を目的として、更に、防錆元素として亜鉛を用いて防
錆処理を行った。なお、図面中では、防錆層の記載は省
略している。ここでは、キャパシタ層形成用の積層板１
ａの電極銅層４をカソード分極し、対極にステンレス板
を配して、硫酸亜鉛浴を用い、７０ｇ／ｌ硫酸、２０ｇ
／ｌ亜鉛の濃度とし、液温４０℃、電流密度１５Ａ／ｄ
ｍ２、電解時間５秒の条件で処理した。なお、このとき
のアノード電極には、亜鉛板を用いて、電解中に通電量
に応じて溶解することで、溶液中の亜鉛濃度を一定に維
持するものとした。防錆処理が終了すると、最終的にキ
ャパシタ層形成用の積層板１ａは、電熱器により雰囲気
温度１１０℃に加熱された炉内で４０秒かけて乾燥し
た。
止を目的として、更に、防錆元素として亜鉛を用いて防
錆処理を行った。なお、図面中では、防錆層の記載は省
略している。ここでは、キャパシタ層形成用の積層板１
ａの電極銅層４をカソード分極し、対極にステンレス板
を配して、硫酸亜鉛浴を用い、７０ｇ／ｌ硫酸、２０ｇ
／ｌ亜鉛の濃度とし、液温４０℃、電流密度１５Ａ／ｄ
ｍ２、電解時間５秒の条件で処理した。なお、このとき
のアノード電極には、亜鉛板を用いて、電解中に通電量
に応じて溶解することで、溶液中の亜鉛濃度を一定に維
持するものとした。防錆処理が終了すると、最終的にキ
ャパシタ層形成用の積層板１ａは、電熱器により雰囲気
温度１１０℃に加熱された炉内で４０秒かけて乾燥し
た。
【００６２】そして、以上のようにして得られた２５ｃ
ｍ角のキャパシタ層形成用の積層板１ａの領域面積内に
おいて、ＩＰＣ規格の試験マニュアルであるＩＰＣ−Ｔ
Ｍ−６５０のパラグラフ２．５．５．９に基づいて、測
定パターンの形成を行い、横河・ヒューレッドパッカー
ド社製ＬＣＲメーカ ４２６１Ａを用いて１ＭＨｚの条
件で、電気容量を測定したのである。
ｍ角のキャパシタ層形成用の積層板１ａの領域面積内に
おいて、ＩＰＣ規格の試験マニュアルであるＩＰＣ−Ｔ
Ｍ−６５０のパラグラフ２．５．５．９に基づいて、測
定パターンの形成を行い、横河・ヒューレッドパッカー
ド社製ＬＣＲメーカ ４２６１Ａを用いて１ＭＨｚの条
件で、電気容量を測定したのである。
【００６３】
【表１】
【００６４】この表１に示した結果には、化成電圧を変
化させて製造した各キャパシタ層形成用の積層板１ａに
つき、各２０点において電気容量を測定したときの最小
値である、最大値であるＣｐ（max）、平均値であるＣ
ｐ（ave）、そしてΔＣｐ＝｛Ｃｐ（max）｝−｛Ｃｐ
（min）｝を示している。このうち、ΔＣｐは、測定値
のバラツキを示す指標として用いるものであり、ΔＣｐ
が小さいほど、バラツキが小さいことを意味する。
化させて製造した各キャパシタ層形成用の積層板１ａに
つき、各２０点において電気容量を測定したときの最小
値である、最大値であるＣｐ（max）、平均値であるＣ
ｐ（ave）、そしてΔＣｐ＝｛Ｃｐ（max）｝−｛Ｃｐ
（min）｝を示している。このうち、ΔＣｐは、測定値
のバラツキを示す指標として用いるものであり、ΔＣｐ
が小さいほど、バラツキが小さいことを意味する。
【００６５】表１の結果から明らかなように、化成電圧
が３０Ｖ〜７００Ｖの範囲において、最低５ｎＦ／ｃｍ
２、最高１８０ｎＦ／ｃｍ２ の電気容量を持つキャパ
シタを得ることが出来ることを示唆している。従来のキ
ャパシタが持つ電気容量が、２ｎＦ／ｃｍ２以下である
ことを考えれば、非常に高い電気容量を備える物となる
ことが分かるのである。そして、化成電圧が低いほど、
アルミナバリア層６の厚さが薄くなるため、理論通りキ
ャパシタとしての電気容量が大きくなることを示してい
る。ところが、アルミナバリア層６の厚さが、薄くなる
ということは、改質アルミナバリア層３の厚さ安定性も
損なわれてくるものと考えられる。これは、ΔＣｐの値
が、化成電圧が高く、アルミナバリア層６の厚さが厚く
なるほどバラツキが小さくなることから推察できるとこ
ろである。
が３０Ｖ〜７００Ｖの範囲において、最低５ｎＦ／ｃｍ
２、最高１８０ｎＦ／ｃｍ２ の電気容量を持つキャパ
シタを得ることが出来ることを示唆している。従来のキ
ャパシタが持つ電気容量が、２ｎＦ／ｃｍ２以下である
ことを考えれば、非常に高い電気容量を備える物となる
ことが分かるのである。そして、化成電圧が低いほど、
アルミナバリア層６の厚さが薄くなるため、理論通りキ
ャパシタとしての電気容量が大きくなることを示してい
る。ところが、アルミナバリア層６の厚さが、薄くなる
ということは、改質アルミナバリア層３の厚さ安定性も
損なわれてくるものと考えられる。これは、ΔＣｐの値
が、化成電圧が高く、アルミナバリア層６の厚さが厚く
なるほどバラツキが小さくなることから推察できるとこ
ろである。
【００６６】第２実施形態： 本実施形態では、図６に
示した製造フローで、上述した図４に示した第２のキャ
パシタ層形成用の積層板１ｂを製造した。ここでは最初
に、図６（ａ）に示したように、第１電極銅層形成工程
で、アルミニウム材２の片面に、無電解メッキ法若しく
は気相蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形
成し、当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に
銅を析出させ第１電極銅層４（第１実施形態の「電極銅
層」と同じ符号を用いている。）を形成することとし
た。本実施形態においては、１００μｍ厚の、純度９
９．９９％の３０ｃｍ角サイズのアルミニウム箔２を出
発原料として用いた。この片面に、第１実施形態と同様
の、無電解銅メッキ法による薄膜銅層の形成及び電解銅
メッキ法による銅析出により、第１電極銅層４を形成し
た。従って、製造条件に関しては、上述したと同様の方
法を採用するため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。
示した製造フローで、上述した図４に示した第２のキャ
パシタ層形成用の積層板１ｂを製造した。ここでは最初
に、図６（ａ）に示したように、第１電極銅層形成工程
で、アルミニウム材２の片面に、無電解メッキ法若しく
は気相蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形
成し、当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に
銅を析出させ第１電極銅層４（第１実施形態の「電極銅
層」と同じ符号を用いている。）を形成することとし
た。本実施形態においては、１００μｍ厚の、純度９
９．９９％の３０ｃｍ角サイズのアルミニウム箔２を出
発原料として用いた。この片面に、第１実施形態と同様
の、無電解銅メッキ法による薄膜銅層の形成及び電解銅
メッキ法による銅析出により、第１電極銅層４を形成し
た。従って、製造条件に関しては、上述したと同様の方
法を採用するため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。
【００６７】そして、図６（ｂ）に示すアルミナバリア
層形成工程において、前記第１電極銅層４を形成したア
ルミニウム箔２を電解液中でアノード分極して、第１電
極銅層４を形成した他面側に、１μｍ厚以下の均一酸化
層であるアルミナバリア層６を形成したのである。この
ときのアルミナバリア層６の形成方法も、第１実施形態
と同様であるため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。但し、本実施形態では、１０
０Ｖの化成電圧範囲で、アノード分極処理し、アルミナ
バリア層６の形成を行った。その結果、片面側のみに１
４０ｎｍ厚さのアルミナバリア層６とした。
層形成工程において、前記第１電極銅層４を形成したア
ルミニウム箔２を電解液中でアノード分極して、第１電
極銅層４を形成した他面側に、１μｍ厚以下の均一酸化
層であるアルミナバリア層６を形成したのである。この
ときのアルミナバリア層６の形成方法も、第１実施形態
と同様であるため、重複した記載を避けるため、ここで
の詳細な説明は省略する。但し、本実施形態では、１０
０Ｖの化成電圧範囲で、アノード分極処理し、アルミナ
バリア層６の形成を行った。その結果、片面側のみに１
４０ｎｍ厚さのアルミナバリア層６とした。
【００６８】続いて、アルミナバリア層６の改質を行う
ため、図６（ｃ）に示す煮沸改質工程で、当該第１電極
銅層４とアルミナバリア層６とを備えるアルミニウム箔
２を純水中で煮沸し、アルミナバリア層６を改質処理
し、約１００ｎｍ厚さの改質アルミナバリア層３とし
た。この改質処理に関しても、上述した第１実施形態と
同様であるため、重複した記載を避けるため、ここでの
詳細な説明は省略する。
ため、図６（ｃ）に示す煮沸改質工程で、当該第１電極
銅層４とアルミナバリア層６とを備えるアルミニウム箔
２を純水中で煮沸し、アルミナバリア層６を改質処理
し、約１００ｎｍ厚さの改質アルミナバリア層３とし
た。この改質処理に関しても、上述した第１実施形態と
同様であるため、重複した記載を避けるため、ここでの
詳細な説明は省略する。
【００６９】その後、図６（ｄ）に示すバインダ金属層
形成工程で、煮沸改質工程の終了した当該第１電極銅層
４及び改質アルミナバリア層３を備えるアルミニウム材
２の改質アルミナバリア層３を形成した面に、スパッタ
リング蒸着法を用いてアルミニウムをバインダ金属層５
として設けた。このときのスパッタリング蒸着法は、Ａ
ｌターゲットを備えたスパッタリング装置のチャンバー
内で、内部を１．３３×１０−３Ｐａ（１×１０−５ｔ
ｏｒｒ）程度の真空度となるまで排気し、その雰囲気中
でイオンプレーティング法を用いて、改質アルミナバリ
ア層３の表面に約１μｍ厚のアルミニウム層を形成した
のである。
形成工程で、煮沸改質工程の終了した当該第１電極銅層
４及び改質アルミナバリア層３を備えるアルミニウム材
２の改質アルミナバリア層３を形成した面に、スパッタ
リング蒸着法を用いてアルミニウムをバインダ金属層５
として設けた。このときのスパッタリング蒸着法は、Ａ
ｌターゲットを備えたスパッタリング装置のチャンバー
内で、内部を１．３３×１０−３Ｐａ（１×１０−５ｔ
ｏｒｒ）程度の真空度となるまで排気し、その雰囲気中
でイオンプレーティング法を用いて、改質アルミナバリ
ア層３の表面に約１μｍ厚のアルミニウム層を形成した
のである。
【００７０】そして、最後に、図６（ｅ）に示す第２電
極銅層形成工程において、前記バインダ金属層５の表面
に第２電極銅層４’となる銅層を形成したのである。第
２電極銅層４’の形成は、バインダ金属層５が、アルミ
ニウム層であるから、第１実施形態の防錆に用いた溶液
を用いて電解で亜鉛を微量に電着させ、その後、電解法
を用いて銅層を形成した。このときの電解条件等は、第
１電極銅層４の銅厚を成長するために用いたの条件と同
様である。従って、ここでの重複した記載を避けるた
め、ここでの詳細な説明は省略する。以下、第１実施形
態と同様の方法で、両面の銅層の表面上に亜鉛防錆を施
した。その結果、第２電極銅層４’／バインダ金属層５
／改質アルミナバリア層３／アルミニウム層２／第１電
極銅層４の五層の層構造を備え改質アルミナバリア層３
を誘電体層として用いることを特徴とするキャパシタ層
形成用の積層板１ｂを得たのである。
極銅層形成工程において、前記バインダ金属層５の表面
に第２電極銅層４’となる銅層を形成したのである。第
２電極銅層４’の形成は、バインダ金属層５が、アルミ
ニウム層であるから、第１実施形態の防錆に用いた溶液
を用いて電解で亜鉛を微量に電着させ、その後、電解法
を用いて銅層を形成した。このときの電解条件等は、第
１電極銅層４の銅厚を成長するために用いたの条件と同
様である。従って、ここでの重複した記載を避けるた
め、ここでの詳細な説明は省略する。以下、第１実施形
態と同様の方法で、両面の銅層の表面上に亜鉛防錆を施
した。その結果、第２電極銅層４’／バインダ金属層５
／改質アルミナバリア層３／アルミニウム層２／第１電
極銅層４の五層の層構造を備え改質アルミナバリア層３
を誘電体層として用いることを特徴とするキャパシタ層
形成用の積層板１ｂを得たのである。
【００７１】そして、第１実施形態と同様の方法で、電
気容量を測定したのである。キャパシタ層形成用の積層
板１ｂにつき、各２０点において電気容量を測定したと
きの最小値であるＣｐ（min）＝５５．８ｎＦ／ｃ
ｍ２、最大値であるＣｐ（max）＝７４．４ｎＦ／ｃｍ
２、平均値であるＣｐ（ave）＝６３．５ｎＦ／ｃ
ｍ２、そしてΔＣｐ＝１８．６ｎＦ／ｃｍ２であり、Δ
Ｃｐが小さく、非常に安定した測定値を示すことが分か
る。
気容量を測定したのである。キャパシタ層形成用の積層
板１ｂにつき、各２０点において電気容量を測定したと
きの最小値であるＣｐ（min）＝５５．８ｎＦ／ｃ
ｍ２、最大値であるＣｐ（max）＝７４．４ｎＦ／ｃｍ
２、平均値であるＣｐ（ave）＝６３．５ｎＦ／ｃ
ｍ２、そしてΔＣｐ＝１８．６ｎＦ／ｃｍ２であり、Δ
Ｃｐが小さく、非常に安定した測定値を示すことが分か
る。
【００７２】第３実施形態： この実施形態では、上述
した第２実施形態で製造したキャパシタ層形成用の積層
板１ｂを用いて、多層銅張積層板ＭＬＢの製造を行った
結果を示すこととする。
した第２実施形態で製造したキャパシタ層形成用の積層
板１ｂを用いて、多層銅張積層板ＭＬＢの製造を行った
結果を示すこととする。
【００７３】従って、まず、図８（ａ）に示すように、
第２実施形態で製造したキャパシタ層形成用の積層板１
ｂの両面にエッチングレジストとしてドライフィルム７
を張り合わせた。そして、第１電極銅層４の位置する面
側の、ドライフィルムにキャパシタ回路形状を露光し、
現像し、図８（ｂ）に示す状態とした。このとき第１電
極銅層４’のある他面側のドライフィルム７は、単に全
面を硬化させたのみである。 露光現像が終了すると、
図８（ｃ）に示すように、塩化鉄銅エッチング液を用い
て回路エッチングして、第１電極銅層４とアルミニウム
層２とを同時に除去することにより、キャパシタ回路４
ａの形成を行った。このとき、他面側の第２電極銅層
４’の表面にはドライフィルム７があるため、第２電極
銅層４’はエッチングされずに残留する。
第２実施形態で製造したキャパシタ層形成用の積層板１
ｂの両面にエッチングレジストとしてドライフィルム７
を張り合わせた。そして、第１電極銅層４の位置する面
側の、ドライフィルムにキャパシタ回路形状を露光し、
現像し、図８（ｂ）に示す状態とした。このとき第１電
極銅層４’のある他面側のドライフィルム７は、単に全
面を硬化させたのみである。 露光現像が終了すると、
図８（ｃ）に示すように、塩化鉄銅エッチング液を用い
て回路エッチングして、第１電極銅層４とアルミニウム
層２とを同時に除去することにより、キャパシタ回路４
ａの形成を行った。このとき、他面側の第２電極銅層
４’の表面にはドライフィルム７があるため、第２電極
銅層４’はエッチングされずに残留する。
【００７４】片面側の回路エッチングが終了すると、図
８（ｄ）に示すように、両面に残留するドライフィルム
７を剥離し、水洗し、乾燥させた。そして、図９（ｅ）
に示すように、キャパシタ回路４ａを形成した面に、プ
リプレグＰを張り合わせた。即ち、キャパシタ回路４ａ
の形成面に、１００μｍ厚さのＦＲ−４プリプレグＰを
１枚重ね合わせて、１８０℃×６０分の加熱を行いプレ
ス加工し張り合わせることで、片面にプリプレグＰを張
り合わせた状態としたのである。
８（ｄ）に示すように、両面に残留するドライフィルム
７を剥離し、水洗し、乾燥させた。そして、図９（ｅ）
に示すように、キャパシタ回路４ａを形成した面に、プ
リプレグＰを張り合わせた。即ち、キャパシタ回路４ａ
の形成面に、１００μｍ厚さのＦＲ−４プリプレグＰを
１枚重ね合わせて、１８０℃×６０分の加熱を行いプレ
ス加工し張り合わせることで、片面にプリプレグＰを張
り合わせた状態としたのである。
【００７５】続いて、図９（ｆ）に示したように、層間
絶縁層構成材を張り合わせていない他面側の第２電極銅
層４’の表面に、再度ドライフィルム７をラミネートし
た。そのドライフィルム７の表面にキャパシタ回路形状
を、露光、現像することで、図９（ｇ）の状態にした。
そして、図９（ｈ）に示すようにして、第２電極銅層
４’及びその下に位置するバインダ金属層（アルミニウ
ム層）５を同時にエッチングして、キャパシタ回路４’
ａを形成した。エッチング方法に関しては、上述したと
同様であるため、ここでの説明は省略する。なお、この
段階で、一面側には、既にプリプレグが張り合わせられ
ているため、特にシーリングする必要はないのである。
絶縁層構成材を張り合わせていない他面側の第２電極銅
層４’の表面に、再度ドライフィルム７をラミネートし
た。そのドライフィルム７の表面にキャパシタ回路形状
を、露光、現像することで、図９（ｇ）の状態にした。
そして、図９（ｈ）に示すようにして、第２電極銅層
４’及びその下に位置するバインダ金属層（アルミニウ
ム層）５を同時にエッチングして、キャパシタ回路４’
ａを形成した。エッチング方法に関しては、上述したと
同様であるため、ここでの説明は省略する。なお、この
段階で、一面側には、既にプリプレグが張り合わせられ
ているため、特にシーリングする必要はないのである。
【００７６】そして、その後、図１０（ｉ）に示すよう
にドライフィルム７の剥離作業を行った後、他面側のキ
ャパシタ回路４’ａを形成した面に、１００μｍ厚さの
ＦＲ−４プリプレグＰを重ねてプレス加工し張り合わ
せ、図９（ｈ）に示すように両面に層間絶縁層構成材を
張り合わせた状態としたのである。このときのプレス条
件も、上述と同様である。
にドライフィルム７の剥離作業を行った後、他面側のキ
ャパシタ回路４’ａを形成した面に、１００μｍ厚さの
ＦＲ−４プリプレグＰを重ねてプレス加工し張り合わ
せ、図９（ｈ）に示すように両面に層間絶縁層構成材を
張り合わせた状態としたのである。このときのプレス条
件も、上述と同様である。
【００７７】そして、図１０（ｋ）に示したように、ド
リル刃を用いた２５０μｍ径のスルーホールＴＨの穿孔
加工を行い貫通孔を形成した。そして、この段階で、層
間導通を確保するための銅メッキ前に、当該貫通孔の内
壁部に露出したアルミニウム部分の不活性化処理を行っ
た。この不活性化処理は、ベーマイト法を採用し、純水
中で１０分間煮沸することで、ベーマイト（Ａｌ２Ｏ３
・３Ｈ２Ｏ）被膜を形成した。
リル刃を用いた２５０μｍ径のスルーホールＴＨの穿孔
加工を行い貫通孔を形成した。そして、この段階で、層
間導通を確保するための銅メッキ前に、当該貫通孔の内
壁部に露出したアルミニウム部分の不活性化処理を行っ
た。この不活性化処理は、ベーマイト法を採用し、純水
中で１０分間煮沸することで、ベーマイト（Ａｌ２Ｏ３
・３Ｈ２Ｏ）被膜を形成した。
【００７８】そして、不活性化処理が終了すると、スル
ーホール貫通孔の内壁部に銅メッキ層８を形成した。こ
のときの銅メッキ８は、第１実施形態で用いたと同様の
無電解銅メッキ液及び条件を用いて、約２μｍ厚さの無
電解銅メッキ層を形成し、その後電解銅メッキを行うこ
とにより形成した。このときの電解銅メッキに用いた、
銅電解液は、硫酸が１５０ｇ／ｌ、銅が６５ｇ／ｌ、液
温４５℃の硫酸銅溶液であり、電流密度１０Ａ／ｄｍ２
の平滑メッキ条件を採用して、約８μｍ厚さ分の電解銅
メッキ層を析出させた。従って、銅メッキ層８のトータ
ル厚さは、約１０μｍである。
ーホール貫通孔の内壁部に銅メッキ層８を形成した。こ
のときの銅メッキ８は、第１実施形態で用いたと同様の
無電解銅メッキ液及び条件を用いて、約２μｍ厚さの無
電解銅メッキ層を形成し、その後電解銅メッキを行うこ
とにより形成した。このときの電解銅メッキに用いた、
銅電解液は、硫酸が１５０ｇ／ｌ、銅が６５ｇ／ｌ、液
温４５℃の硫酸銅溶液であり、電流密度１０Ａ／ｄｍ２
の平滑メッキ条件を採用して、約８μｍ厚さ分の電解銅
メッキ層を析出させた。従って、銅メッキ層８のトータ
ル厚さは、約１０μｍである。
【００７９】この銅メッキ層８は、両面に存在するプリ
プレグＰ上にも析出形成されており、所謂４層の多層銅
張積層板ＭＬＢの状態とし、層間絶縁構成材の表面の銅
メッキ層８が、そのまま銅回路を形成する銅層として用
いることが可能であった。
プレグＰ上にも析出形成されており、所謂４層の多層銅
張積層板ＭＬＢの状態とし、層間絶縁構成材の表面の銅
メッキ層８が、そのまま銅回路を形成する銅層として用
いることが可能であった。
【００８０】
【発明の効果】本発明に係るキャパシタ層形成用の積層
板は、アルミニウム層／アルミナ（酸化アルミニウム）
層／銅層の三層構造、又は、第２電極銅層／バインダ金
属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１電
極銅層の五層構造を持ち、誘電体層であるアルミナ層を
アルミニウム層上に直接形成することで、従来にない薄
さで且つ均一な薄膜層として形成できるため、これをキ
ャパシタの誘電体層として使用すると、従来には見られ
ない非常に高い電気容量を持つキャパシタを製造するこ
とが可能となる。また、本発明に係るキャパシタ層形成
用の積層板は、素材をクラッド又は張り合わせという手
法を採用しないため、厚さ制御が容易であり、多層プリ
ント配線板の内層に用いることで、多層プリント配線板
のトータル厚さを薄くすることに効果的なものとなる。
板は、アルミニウム層／アルミナ（酸化アルミニウム）
層／銅層の三層構造、又は、第２電極銅層／バインダ金
属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１電
極銅層の五層構造を持ち、誘電体層であるアルミナ層を
アルミニウム層上に直接形成することで、従来にない薄
さで且つ均一な薄膜層として形成できるため、これをキ
ャパシタの誘電体層として使用すると、従来には見られ
ない非常に高い電気容量を持つキャパシタを製造するこ
とが可能となる。また、本発明に係るキャパシタ層形成
用の積層板は、素材をクラッド又は張り合わせという手
法を採用しないため、厚さ制御が容易であり、多層プリ
ント配線板の内層に用いることで、多層プリント配線板
のトータル厚さを薄くすることに効果的なものとなる。
【図１】キャパシタ層形成用の積層板の模式断面図。
【図２】アルミニウム材をアノード処理して非気孔性酸
化被膜を形成した面の走査型電子顕微鏡像。
化被膜を形成した面の走査型電子顕微鏡像。
【図３】アルミナバリア層付アルミニウム材を煮沸改質
した後の改質アルミナバリア層の走査型電子顕微鏡像。
した後の改質アルミナバリア層の走査型電子顕微鏡像。
【図４】キャパシタ層形成用の積層板の模式断面図。
【図５】キャパシタ層形成用の積層板の製造フローを表
す模式概念図。
す模式概念図。
【図６】キャパシタ層形成用の積層板の製造フローを表
す模式概念図。
す模式概念図。
【図７】キャパシタ層形成用の積層板の製造フローを表
す模式概念図。
す模式概念図。
【図８】キャパシタ層形成用の積層板を用いた内層コア
材の製造フローを表す模式概念図。
材の製造フローを表す模式概念図。
【図９】キャパシタ層形成用の積層板を用いた内層コア
材の製造フローを表す模式概念図。
材の製造フローを表す模式概念図。
【図１０】キャパシタ層形成用の積層板を用いた内層コ
ア材の製造フローを表す模式概念図。
ア材の製造フローを表す模式概念図。
１ａ 第１のキャパシタ層形成用の積層板
１ｂ 第２のキャパシタ層形成用の積層板
２ アルミニウム材（箔）
３ 改質アルミナバリア層
４ 電極銅層（第１電極銅層）
５ 第２電極銅層
６ アルミナバリア層
７ エッチングレジスト層（ドライフィルム）
８ 銅メッキ層
Ｐ プリプレグ
ＴＨ スルーホール
ＭＬＢ 多層銅張積層板（内層コア材）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高橋 直臣
埼玉県上尾市鎌倉橋656−２ 三井金属鉱
業株式会社銅箔事業本部銅箔事業部内
Ｆターム(参考） 5E082 AB01 BC14 BC38 EE05 FF05
FG27 FG42 FG54 MM22 MM24
5E346 AA12 AA13 AA23 AA27 AA39
CC08 CC21 CC32 DD02 DD25
EE02 EE09 EE20 FF07 FF15
FF45 GG15 GG17 GG22 GG28
HH06 HH24 HH33
Claims (9)
- 【請求項１】 アルミニウム層／改質アルミナバリア層
／電極銅層の三層の層構造を備え、 当該改質アルミナバリア層は、アルミニウム板若しくは
アルミニウム箔（以下、「アルミニウム材」と称す
る。）の片面をアノード処理して均一酸化層であるアル
ミナバリア層を形成し、当該アルミナバリア層を形成し
たアルミニウム材を水中で煮沸処理して得られるもので
あり、 当該改質アルミナバリア層を誘電体層として用いること
を特徴とするキャパシタ層形成用の積層板。 - 【請求項２】 第２電極銅層／バインダ金属層／改質ア
ルミナバリア層／アルミニウム層／第１電極銅層の五層
の層構造を備え、 バインダ金属層は、アルミニウム、ニッケル若しくはク
ロムのいずれか、又はこれらの合金で構成したものであ
り、 当該改質アルミナバリア層は、アルミニウム材の片面を
アノード処理して均一酸化層であるアルミナバリア層を
形成し、当該アルミナバリア層を形成したアルミニウム
材を水中で煮沸処理して得られるものであり、 当該改質アルミナバリア層を誘電体層として用いること
を特徴とするキャパシタ層形成用の積層板。 - 【請求項３】請求項１に記載のキャパシタ層形成用の積
層板を製造する方法であって、 アルミニウム板若しくはアルミニウム箔（以下、「ア
ルミニウム材」と称する。）を電解液中でアノード分極
して、１μｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア
層をアルミニウム材の片面に形成するアルミナバリア層
形成工程（以下、ここで得られたものを「アルミナバリ
ア層付アルミニウム材」と称する。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を水中で煮沸
し、アルミナバリア層を改質処理して改質アルミナバリ
ア層とする煮沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表面に、無電解メッキ法若し
くは気相蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を
形成し、当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更
に銅を析出させる電極銅層形成工程、 を備えることを特徴とするアルミニウム層／改質アルミ
ナバリア層／電極銅層の三層の層構造を有し改質アルミ
ナバリア層を誘電体層として用いるキャパシタ層形成用
の積層板の製造方法。 - 【請求項４】請求項２に記載のキャパシタ層形成用の積
層板を製造する方法であって、 アルミニウム材の片面に、無電解メッキ法若しくは気
相蒸着法を用いて、厚さ２μｍ以下の薄膜銅層を形成
し、当該薄膜銅層の形成面に、電解銅メッキ法で更に銅
を析出させ第１電極銅層を形成する第１電極銅層形成工
程、 前記第１電極銅層を形成したアルミニウム板を電解液
中でアノード分極して、第１電極銅層を形成した他面側
に、１μｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア層
を、形成するバリア層形成工程（以下、ここで得られた
ものを「第１電極銅層及びアルミナバリア層付アルミニ
ウム材」と称する。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を水中で煮沸
し、アルミナバリア層を改質アルミナバリア層とする煮
沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いて
アルミニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバ
インダ金属層を設けるバインダ金属層形成工程、 前記バインダ金属層の表面に第２電極銅層となる銅層
を形成する第２電極銅層形成工程、 を備えることを特徴とする第２電極銅層／バインダ金属
層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第１電極
銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体層と
して用いることを特徴とするキャパシタ層形成用の積層
板の製造方法。 - 【請求項５】請求項２に記載のキャパシタ層形成用の積
層板を製造する方法であって、 アルミニウム箔と銅箔とをクラッドすることで、アル
ミニウム箔の表面に第１電極銅層を形成する第１電極銅
層形成工程、 前記第１電極銅層を形成したアルミニウム板を電解液
中でアノード分極して、第１電極銅層を形成した他面側
に、１μｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア層
を、形成するバリア層形成工程（以下、ここで得られた
ものを「第１電極銅層及びアルミナバリア層付アルミニ
ウム材」と称する。）、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を水中で煮沸
し、アルミナバリア層を改質アルミナバリア層とする煮
沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いて
アルミニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバ
インダ金属層を設けるバインダ金属層形成工程、 前記バインダ金属層の表面に第２電極銅層となる銅層
を形成する第２電極銅層形成工程、 を備えることを特徴とする第２電極銅層／バインダ金属
層／アルミニウム層／改質アルミナバリア層／第１電極
銅層の五層の層構造を備え改質アルミナ層を誘電体層と
して用いることを特徴とするキャパシタ層形成用の積層
板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２に記載の第２電極銅層／バイン
ダ金属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第
１電極銅層の五層の層構造を備えたキャパシタ層形成用
の積層板を用いた多層プリント配線板の内層コア材の製
造方法であって、 アルミニウム材を電解液中でアノード分極して、１μ
ｍ厚以下の均一酸化層であるアルミナバリア層をアルミ
ニウム材の片面に形成するアルミナバリア層形成工程、 当該アルミナバリア層付アルミニウム材を水中で煮沸
し、アルミナバリア層を改質処理して改質アルミナバリ
ア層とする煮沸改質工程、 改質アルミナバリア層の表面に、気相蒸着法を用いて
アルミニウム、ニッケル若しくはクロムのいずれかのバ
インダ金属層を設けるバインダ金属層形成工程、 アルミニウム材の外層表面への第１電極銅層の形成、
及び、前記バインダ金属層の表面に第２電極銅層となる
銅層を形成する電極銅層形成工程、を備えることを特徴
とする第２電極銅層／バインダ金属層／アルミニウム層
／改質アルミナバリア層／第１電極銅層の五層の層構造
を備え改質アルミナ層を誘電体層として用いることを特
徴とするキャパシタ層形成用の積層板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項２に記載の第２電極銅層／バイン
ダ金属層／改質アルミナバリア層／アルミニウム層／第
１電極銅層の五層の層構造を備えたキャパシタ層形成用
の積層板を用いた多層プリント配線板の内層コア材の製
造方法であって、 第１電極銅層若しくは第２電極銅層のいずれか一方
の面側の、いずれかの銅層及びその下に位置するバイン
ダ金属層若しくはアルミニウム層を所望の形状にエッチ
ングしてキャパシタ回路を一面側にのみ形成し、 その一面側のキャパシタ回路を形成した面に、プリ
プレグ等の層間絶縁層構成材を重ねてプレス加工し張り
合わせ片面に層間絶縁層構成材を張り合わせた状態と
し、 層間絶縁層構成材を張り合わせていない他面側の銅
層及びその下に位置するバインダ金属層若しくはアルミ
ニウム層を、所望の形状にエッチングしてキャパシタ回
路を形成し、 その他面側のキャパシタ回路を形成した面に、プリ
プレグ等の層間絶縁構成材を重ねてプレス加工し張り合
わせ両面に層間絶縁層構成材を張り合わせた状態とし、 スルーホール及びビアホールの穿孔加工を行い貫通
孔を形成し、 当該貫通孔の内壁部に露出したアルミニウム部分の
不活性化処理を行い、 第１電極銅層と第２電極銅層との層間導通を確保す
るため、当該貫通孔の内壁部に銅メッキを行うことを特
徴とした多層プリント配線板の内層コア材の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載のキャパシタ層形成用の
積層板を用いて形成したキャパシタ回路を備えた多層プ
リント配線板。 - 【請求項９】 請求項２に記載のキャパシタ層形成用の
積層板を用いて形成したキャパシタ回路を備えた多層プ
リント配線板。
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| WO2006014753A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Sundew Technologies, Llp | Capacitors with high energy storage density and low esr |
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| JP4650833B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-03-16 | 三洋電機株式会社 | 陽極体とその製造方法、および固体電解コンデンサ |
| US8623737B2 (en) * | 2006-03-31 | 2014-01-07 | Intel Corporation | Sol-gel and mask patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same |
| KR100793916B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-01-15 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 내장형 커패시터의 제조방법 |
| KR20090031441A (ko) * | 2006-10-16 | 2009-03-25 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 배선용 적층막 및 배선 회로 |
| US8293323B2 (en) | 2007-02-23 | 2012-10-23 | The Penn State Research Foundation | Thin metal film conductors and their manufacture |
| US7605048B2 (en) * | 2007-04-06 | 2009-10-20 | Kemet Electronics Corporation | Method for forming a capacitor having a copper electrode and a high surface area aluminum inner layer |
| US7886414B2 (en) * | 2007-07-23 | 2011-02-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitor-embedded PCB |
| CN101365294B (zh) * | 2007-08-08 | 2010-06-23 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 覆铜基材及使用该覆铜基材的柔性电路板 |
| JP2010098196A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 配線構造及び配線構造の製造方法 |
| US8409963B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-04-02 | CDA Procesing Limited Liability Company | Methods of embedding thin-film capacitors into semiconductor packages using temporary carrier layers |
| US8088658B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film capacitor and method of fabrication thereof |
| US8391017B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-03-05 | Georgia Tech Research Corporation | Thin-film capacitor structures embedded in semiconductor packages and methods of making |
| KR101109359B1 (ko) * | 2010-06-14 | 2012-01-31 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 및 그 제조방법 |
| US20120301688A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Globalfoundries Inc. | Flexible electronics wiring |
| KR101411015B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2014-06-23 | 제일모직주식회사 | 글라스 클로스 및 이를 포함하는 플렉시블 기판 |
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