TW594811B - Laminate for forming capacitor layer and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

594811 發明說明（1) 【發明領域】 、本發明係有關於一種形成電容層用之層積板及其製造 方法’係應用於一多層印刷配線板之製造。 【發明背景】 近年’電腦的演算速度曰月進步’且以飛躍的方式提 昇，即使是一般家庭用的個人電腦，其計時周波數可達到 個GHz転度’因此高速化之訊號傳達速度是不可避免 的。而且，隨著辦公室自動化以及LAN系統的產生，整個 杜會上的情報網路也隨之產生，則為了達到集中管理複數 個電腦的需求，電腦之周邊設備（如：伺服器）便越為廣泛 地被使用。 飼服器通常包括一集中管理大量情報之大容量記憶 體 且而要允許複數個電腦同時進行向速操作的可能性。 因此，在伺服器中的信號傳達需要被快速執行，且在傳達 過程中需將錯誤動作減至最小值。 為了達到上述之使用環境，中央運算單元（cpu)之電 路設計以及晶片（1C)之性能是很重要的。而且，CPU與1(： 裝配於一印刷板配線上，因此印刷板配之電路設計也很重 要。為了提高上述之信號傳達速度，已經開發各種方法來 製造印刷配線板，例如：將印刷配線板之結構製作成為一 多層結構’而電路配置方面’則是藉由電路設計變化來縮 短信號傳達距離。 特別是，對電容而言’其扮演的角色是穩定提供電源

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配線板之一外層。不過，一種 置在一多層印刷配線板之一内 之層積板，可以使印刷配線板 。為了要製造這種電容層，已 容層。 五、發明說明（2) 給元件，故通常設置為印刷 廣為運用的方法是將電容配 層，並使成為一雙面鋼覆蓋 變得較薄且具有較佳之性能 經提出各種薄材料以製作電 舉例來說，對於製作電容層之材料而言，一雙面銅覆 ii:積板中’其包含有：_介電層，是由-形成為玻璃 纖、准布之FR-4基材浸入環氧樹脂所構成；以及一銅猪係層 此基材的雙面。或者是，電容層之材料是由一雙面;銅 ^蓋之層積板所構成，但使用骨骼材料，如：玻璃纖維 在製作介電 容量。 用雙面銅覆 基材，係用 薄，其厚度 及FR-4基材 型中時，玻 而不易使積 一膠片，其 度限制在5 0 下。 要求，需要 容層，其方 然而，在使用習知提倡之電容層材料時， 層時很難使其薄化，因此不易提高此電容的電 —所以，在使用嵌埋式電容層之材料時，使 蓋之層積，其包含有一形成玻璃纖峰布之— 4 作為絕緣層中的骨骼材料，若要使此電容層變 控制會遭遇到相當的限制。此外，利用銅落以 來製作銅覆蓋層積，並將此積層置入一熱壓模 璃纖維布之波紋形狀會顯現於積層的表面上，、 層達到完全平坦化。即使製作一絕緣層是使用 乃以一玻璃纖維布作為骨骼材料，此膠片的厚 左右，且無法使膠片的厚度薄化至5〇 “^以 而且，在材料使用上要達到更高電容量的 嘗試提供一薄的雙面銅覆蓋積層以用來製作電

594811 五、發明說明（3) ΐΐΐ:Γ4提供樹脂之鋼羯，其中每一片銅羯之-面包 @2^，然後將兩片銅箱之樹脂層互相接觸以使這 成層。由於這種方法沒有在樹脂層中使用骨 骼材枓而成為一介雷屛，曰月 此介電層的厚度可以4 此很有可能將樹脂層變薄，因 述電容層使用FR-4基材的或更小，其厚曰度乃小於前 l〜2nF/Cm2的高容量:产、。二，也因=電容量可以增加至 只能使提供樹脂之銅^中° ^，即使是使用這種方法， s)的^ 脂層////在微米 …、次再進一步薄化介電層。 【發明概要】 有鑑於此，本發明則提出一 板，其電容的介電層使用不具導電用之層積 【發明之詳細說明】 為讓本發明之上十 顯易懂，下文特舉$ _ #本 的、特徵、和優點能更明 細說明如下··出較佳實施例’並配合所附圖式，作詳 一種形成電容層用之第 構，其包含有-鋁層、一 Τ板係疋義為-個三層結 層。其中’改質氧化鋁阻障層ί製η:以及-電極銅 (意指紹材質)之-面進行-陽極：：疋先；一銘板或㈣ 銘阻障層：其乃為—均勾的氧化層。；為一氧化 氧化紹阻f早層的1呂材質進行-濟水處：以成有 2169-5194-PF(N);Cherry.ptd 第8頁 594811

五、發明說明（4) 質氧化鋁阻 本發明形成 必須清楚地 明之各層結 另外， 一種形成電 氧化鋁阻障 作為電容之 成步驟，係 材質的表面 乃為一均勻 鋁阻障層之 化鋁阻障層 一改質氧化 電鍍方法或 上形成一厚 鍍方法，於 於此之 疋一部份。 層之層積板 之層積板。 本發明 銘％用作為 障層， 電容層 指出， 構，而 一形成 容層用 層以及 介電層 將一铭 上形成 的氧化 鋁材質 之紹材 鋁阻障 是氣相 度 2 // m 薄膜銅 製作方 因此將 的製作 其乃用作為電容之介電 用之坌麻社α,丨电層第1圖顯示 用之第一層積板la的剖面示竞 這個剖面圖的主要目的σ = 此 所示之每-層的===解釋本發 厚度並不與實際產品相 電容層用之第一層積板的 之三層結構’其包含有一銘層、= -電極銅層，且利用改質氧化鋁阻障芦 二:Ϊ之特徵包含有：⑴阻障層‘ 材質於電解液中進行陽極處理，以於^呂 一厚度1 // m或更小之氧化鋁阻障層，、其 層。此時，這整個材料稱為一提供氧化 。（2)煮沸與改質步驟，將上述提供氧 質置入水中並進行一改質處理，以獲得 層。（3)電極銅層形成步驟，係以無電 沉積方法，於改質氧化鋁阻障層之表面 或更小之薄膜銅層，然後利用電解銅電 層之表面上形成析出銅。 法’係用於形成電容層之層積板la的特 詳細描述申請專利項目之用以形成電容 方法以及其製作完成之用以形成電容層 之用於形成電谷層之層積板1 a，係將一鋁板或 層積板1 a之製作方法的一起始材質。以下描述

2169.5194.PF(N)；Cherry.ptd $ 9頁 五、發明說明（5) 使用銘板或鋁箔的原。a 200 ,或更小之金屬來說1的物質是指一厚度 200 /zm之金屬材質屬f :丄而板的物質是指一厚度大於 區分，因此上述之物| = j些物質無法以科學方法來定義 質稱為一鋁材質，以簡化:，採用。在本發明中，這種材 -種構丄;=述並：助敘述上的 度的純鋁，一含有厶夺一^歹1如有·一具有9 9. 9 9 %純 過，在銘材質中的二及鉻)之紹材質。不 述之陽極處理以形：：=散：粒。特別是，在後續敘 極膜之色調的特性成大？=有可改變陽 先將70素溶解於電解液中。由此可知篁要；m需優 純度較高的鋁材質。 权里心的方式疋盡量使用 係將ί $質2U—陽ϋ阻障層的步驟如第5(a)圖所示， 置於-=進行陽 =。陽極處理是指將-金屬 成-薄膜，如：於金屬材質表面上反應形 極處理中，係將紹二作二氧化物層。在本發明之陽 、柯買2作為一陽極，以推； 形成氧化（氧化鋁）膜。在揚 β化而 者Α蚀田疫β 你情蚀嚴理干使用的電解液，較佳 用於陽極處理㈣的溶液，且須容易形成= 特別是二此種電解液包括有••獨酸溶液、_ 、文己一酸乳溶液、磷酸氨溶液、酒石酸氨溶液等等了電 第10頁 2169-5194-PF(N);Cherry.ptd 594811

五、發明說明（6) 解液之濃度與溫度之控制取 度以及製程電壓，因此不特 在執行鋁材的氧化處理 度、時間、溫度與電流密度 氧化膜的厚度與性質會隨著 定條件不需特意去限制，而 些條件。不過，不同於代表 洞氧化膜上會形成一多孔膜 止於一特定狀態下，此特定 下觀察到無孔氧化膜之表面 示。此無孔氧化膜即為本發 3 // m或更小。 決於欲形成無孔洞氧化膜之厚 別限定這些條件。 時’可以大幅更換電解液濃 ’所以在鋁材質表面上形成之 上述因子改變而不同。這些設 且可依據步驟之選擇來決定這 性之紹材的陽極處理，其無孔 ’本發明之氧化膜成長必須停 狀態就是於掃描式電子顯微j鏡 呈現平坦狀時，如第2圖所 明之氧化鋁阻障層，其厚度為 考慮到此氧化紹阻障層係運用為— 囚 巧一龟各之介電層 :其厚度必須均勻。在形成一氧化鋁阻障 係將鋁材質置入一電解液中以 1 %中， 進订^極極化，則可於鋁材 :2之表面上產生氧氣，隨後鋁材質2之表面會馬 為氧化鋁成分。後續，位於鋁材變成 擴散至銘層中，進而允許氧化；【二表6=之氧氣會 阻障層6的成長速度範圍為，在提供每曰化铭 1. 3nm〜1. 4mn。但是，鋁層本身是^ #曰成長 阻障層6成長至一厚度時 鈍化的，备氧化鋁 氧氣的產线量會減少，上^^此層傳導電性，且 長。 進而限制氧化鋁阻障層6之成 當上述之氧化銘阻障層6運用為 電容之介電層時

594811 五、發明說明（7) "一"" ----- ^電容值穩定性取決於氧化鋁阻障層6的厚度均勻性，且 、化鋁阻P早層6的厚度為1 # m或更小時可達成均勻性。也 Ϊ是化銘阻障層6的厚度大於1 _時，氧化鋁阻障層6 ，的2氣擴散控制會支配氧化鋁阻障層6的成長，則成長 =可此在集中在特定區域，故在氧氣容易擴散的區域處會 生微裂痕，結過會使氧化鋁阻障層6的厚度無法成整體 二勻，果。下列敘述之實驗驗證可以證實此結果。在製作 電谷層用之層積板時，使用一面積30cm平方、厚度1〇〇 # m之鋁v自，後續在此區域上的多個點上量測電容值。藉 =量測厚度1以m或更小之氧化鋁阻障層6的各個位置的電 容，變化，以及量測2 β m之氧化鋁阻障層6的各個位置的 電容值變化’可以得知"m之氧化鋁阻障層6的各個位置的 電容值變化較大。 、在上述之形成氧化鋁阻障層6的製程中，係將一鋁板 或鋁箔（以下通稱為一鋁材質）置於一電解液中以進行陽極 極化處理則可於一銘材質2之表面上形成氧化紹阻障層 6，其乃為一厚度均勻之氧化膜，且厚度為1 或更小。 以下為了方便解說，至此的產品稱為"提供氧化鋁阻障層 之鋁材質A"。雖然上述之氧化鋁阻障層6的厚度為丨 更小，但實際上最佳之範圍為4〇nm〜980nm，其可於 30V〜70V的電壓提供下達成，且其單位電壓下的成長速率 為1· 4nm。如果厚度小於4〇nm時，氧化鋁阻障層的成長僅 完成一半，且其提供的電阻值很容易產生變化。另一方 面，如果厚度大於980nm時，很容以形成一多孔氧化膜。

五、發明說明（8) 接下來，提供氧化鋁阻障層之銘材質 中以進行煮滞處理，如第5(b)圖所示。在者^置入一彿水 供氧化鋁阻障層之鋁材質A係;置入一沸水中、、'，'处理中，提 處理可以使氧化紹阻障層6改質，而成為—改併：^弗騰 障層3。第3圖顯示於掃描式電子顯微鏡下貝乳’呂阻 化銘阻障層3。雖然第3圖所示之掃描式電質氧 楚’但是氧化銘阻障層6的平坦===較 使得改質氧化銘阻障層3的表面呈現為—多由已破改質， 確實地，為了達到一更高的抗腐蝕性 曰一° 膜上產生一多孔氧化膜之後也會使用沸水逸_ f孔氧i化 理，但是彿水僅能封鎖多孔氧化膜之孔洞。因^封孔處 水來封孔的方式根本不同於本發明實際使用沸的2用沸 較佳的實施條件為，本發明之沸騰處理在是丨、法。 時間範圍内進行。#果沸騰處理時間少於‘二、時的 以對氧化鋁阻障層6產生改質效果，而益法‘成笛並不足 之良好的改質形狀。如果沸騰處理時間超過jj3圖所示 生沸水對氧化鋁阻障層6產生蝕刻的 而會發 產品品質。 巴傲注進而損害到 此外，將氧化鋁阻障層6改質成為一 層3 ’就如同允許形成一多孔層，以改善一文版障 極銅層4與改質氧化銘阻障層3之介面處的接 之電 電鑛會滲透至改質氧化紹阻障層3 口之孔V中這是 質步驟/固效應。上述之彿騰處理步驟也稱為一彿騰改 594811 五、發明說明（9) ' -- , 於上述之’弗騰改質步驟完成改質氧化鋁阻障層3以 後，要進行第5 ( c )圖所示之電極銅層步驟以形成一 層4。在本發明中，電極銅層步驟是為了要製作一 雷s 路時，提供一電極表面。若使要在改質氧化銘阻障層3 = 表面上形成一銅層，無法直接使用電解液方法來製^銅 層、，這是因為改質氧化鋁阻障層3本身為鈍化而無法使電 流通過。

因此，首先以一濕式的無電銅電鍍方式或是乾式的 相沉積方式，於改質氧化鋁阻障層3的表面上形成一薄膜、 銅層。上述的任一方法都很適用，可以完成極佳均勻性的 薄膜。首先形成的銅層稱為薄膜銅層。確實，利用無電銅 電鍍方式或是氣相沉積方式來完成整個電極銅層4是沒有 問題的，但是，考慮到生產速率與製程成本，較佳之方法 是先利用無電銅電鍍方式或是氣相沉積方式來製作厚度2 V m或更小之薄膜銅層，再利用電解液方式使薄膜銅層&成 長，以完成整個電極銅層4。

本發明並未特意限制使用於無電銅電鑛方式的溶液， 一般而言，考慮到還原劑之氧化的觸媒活性，一可使用之 溶液包含有甲醛，而且一強鹼溶液也可用於無電銅電錄製 程。舉例來說，在一室溫下的無電銅電鍍的爐浴中：d) 爐》谷中包含有硫酸銅、羅謝耳鹽（Rochelle salt)、曱 酸、碳酸納與氫氧化鈉；（2)爐浴中包含有硫酸銅、羅謝 耳鹽（Rochelle salt)、曱醛以及一添加劑（如：安定 劑）。另外，若是有需要，可以在無電銅電鍍之前進行特

594811 五、發明說明（ίο) 定的預處理，如：鈀（Pd)觸媒。 在乾式的氣相沉積中，係趨於將提供氧化鋁阻障屏 銘材質A係置入一真空環境中，以進行熱沉積方式。或曰之 是對一銅靶材進打電子束照射，即所謂的濺鍍沉積。 薄膜銅層之厚度而言，相較於使用無電銅電鍍方式 〔 所獲得薄膜銅層之均勻性較佳、缺陷較少。 此 接著，利用電解液方式，可使改質氧化鋁阻障層3 面的薄膜銅層上成長出一銅層，而此銅層係對應於申於 利項目中所述之"電極銅層”。電解液方式中所使用之g 液可為一提供有銅離子的溶液，如：硫酸銅基溶液、 酸銅基溶液，而且不需特別限制溶液之選擇性。例如g 用下述之亮光電鍍條件：若是使用硫酸鋼基溶液，其$ 使用的銅濃度為30〜lOOg/1、硫酸濃度為5〇〜2〇〇g/i、冰 溫度為30〜8(TC、電流密度為卜100A/dm2 ;若是使用焦 酸銅基溶液，其較佳使用的銅濃度為1〇〜5〇g/1、焦碌、酸鉀 濃度為100〜700g/l、溶液溫度為3〇〜6{rc、溶 8〜12、電流密度為l〜10A/dm2。 值馬 這種方式下，可以獲得電容層用之層積板“，其三層 結構包含有鋁層2、改質氧化鋁阻障層3與電極銅層4、， 中改質氧化鋁阻障層3是用來作為介電層。電容層用之層 積板la的電阻值平均為5〜100nF/cm2，相對於過 層而言，其電阻值是相當高的。 、合 槿電Ϊ層用之第二層積板係定義為-個五層結 構，其包έ有一第二電極銅層、一粘結金屬層、一改質氧

五、發明說明（11) 化鋁阻障層、—如a ^ 供f為-氧化鋁阻障層，其乃為-均勻的^ 屬層是由任—之以及c1:電極銅層。其i枯、结金 理，…】„一紹材質之-面進行-陽極處 層。然後，將上述帘Λ古备几Γ 穴"巧—q q的氧化 水處理，以点炎 阻障層的鋁材質進行一沸 =介電層。先前所述之電容層用之；：二m 成於兩面。由於是於：：：：：之第二層積板的，層係形 使用銅材質，且；mi電容層之兩面電極可 鍵方法來製作層多：：刷配線板時很容易採用電 衣訐層間導電性。第4圖顯示電容層用之楚一成 ”剖面示意圖。為了要區別兩面銅層，因此八一丄 第-電極銅層4以及一第二電極銅層4，，但是二別稱 意區別兩面銅層’上述稱呼只是方便於說明製作方、/ 二種形f電容層用之第二層積板的方法係定義=_成 -種形成電容層用之五層結構，其包含有一第二電極‘ :二一粘結金屬層、-改質氧化鋁阻障層、一鋁層以及一 :-電極銅層，且利用改質氧化鋁阻障層作為電容之介電 層。此方法之特徵包含彳：⑴第一電極銅層形成步驟， 係以無電電鍍方法或是氣相沉積方法，於鋁材質之一面上 形成一厚度2 ^或更小之薄膜銅層，然後利用電解銅電鍍 方法，於薄膜銅層之表面上形成析出銅。（2)阻障層形成 步驟，係上述完成第一電極銅層之鋁材質於電解液中進行 陽極處理，以於鋁材質的另-面上形成-厚度1 或更小 594811 五、發明說明（12) 之氧化鋁阻障層，其乃為一均勻的氧化層。此時，這整個 材料稱為一提供第一電極銅層—氧化鋁阻障層之鋁材質。 (3 )煮沸與改質步驟，將上述提供氧化鋁阻障層之鋁材質 置入水中並進行一改質處理，以獲得一改質氧化鋁阻障 層。（4 )枯結金屬層形成步驟，利用氣相沉積方法可於改 質氧化叙阻障層表面上形成一粘結金屬層，其材質是由任 二之Al、Ni、Cr或其組合合金所構成。（5)第二電極銅層 形成步驟，係以相同於第一電極銅層的形成方法，於枯曰結 金屬層之表面上形成第二電極銅層。 （ 依據上述之形成電容層之第二層積板11}的方法，第〖 6(a)圖顯示第一電極銅層形成步驟，以無電電鍍方法或是 氣相沉積方法，於鋁材質之一面上形成一厚度或更= 之薄膜銅層，然後利用電解銅電鍍方法，於薄膜鋼層之表 面上形成析出銅，以成為第一電極銅層4。此處之 層以及電解銅電鍍方法相同於先前所述，故於此省略敘 述。 '、 将將Γΐ笛形ί 一氧化銘阻障層的步驟如第6(b)圖所示， 係將具有第-電極銅層4之產呂板2置於 極極化處理，則可於__鈕拓9夕H 狀丫以進仃％ 阻陵層6，ΐΛ 另一表面上形成-氧化鋁 '厚度均句之氧化膜’且厚度為1 _或 更 处之氧化鋁阻障層的形成方法相同於先前 故於此省略詳細敘述。 』於无别所述， 接下來，為了使氧化鋁阻障層6達 行第6⑷圖所示之沸騰改質製程。將具有第“電果極銅係層：

594811 五、發明說明（13) 與氧化鋁阻障層6之鋁材質2係置入一沸水中，則藉由沸騰 處理可以使氧化鋁阻障層6改質，而成為一改質氧化鋁阻 障層3。此處之改質處理方法相同於先前所述，故於此省 略詳細敘述。 接下來’要進行第6 ( d )圖所示之枯結金屈層步驟，利 用氣相沉積方法’可於改質氧化鋁阻障層3表面上形成一 枯結金屬層5，其材質是由任一之μ、[、Cr或其組合合 金所構成。粘結金屬層5係設置於改質氧化鋁阻障層3以及 第二電極銅層4’之間，其目的是要提高改質氧化鋁阻障層 3以及第二電極銅層4 ’之間的附著性。此處之氣相沉積方 法相同於先前所述之薄膜銅層的製作方式，故於此省略詳 細敘述。 最後’要進行第6(e)圖所示之第二電極銅層步驟，以 一濕式的無電銅電鍍方式或是乾式的氣相沉積方式，以於 粘結金屬層'5的表面上形成一薄膜銅層。此處之方法相同 於先前所述之第一電極銅層的製作方式，故於此省略詳細 敘述。 如果粘結金屬層5是由任一之、Ni、Cr或其組合合金 所構成，則可直接使用電解液方式，以於粘接金屬層5表 :上電鍵第二電極銅層4,。當然，也可以先使用無電銅電 另-方=，如果枯結金屬層5是由任一之Α^Α1基合 ΐΓυ表面之附著性不足以在表面直接製作銅層 幸父佳之方式為，在以電解液方式製作第二電極銅層斗，時

594811 五、發明說明（14) ^ ^ ^ f ^ 結金屬層5的表面上進行Zn或以析 出。14種概心可以應用在本發明之整， 鋁層之間的層間附著性質， 。銅層 供-可提高層間附著性質的材；二心：f層與18層之間提 子金屬層。 質的材枓層。境個材料層稱為一種 1 用另一種方法來形成電容層用之第 係定義為形成一種形成電容層用之五 ° ^ s —第二電極銅層/ 一粘結金屬層/ 一紹片 /一改質氧化隸障層/ —第—電極銅層，且利用改質氧^ 障層作為電容之介電層。此方法之特徵包含有：（/) 第一電極銅層形成步驟，係將一鋁箔覆蓋於一銅箔上， :於鋁箱之一面上形成一第一電極銅層β(2)阻障層形 权2，係上述完成第—電極銅層之鋁板於電解液中 ’ ：於銘材質的另一面上形成一厚度…或更2 料經】阻ρ:層’其乃為一均勻的氧化層。此時’這整個材 料稱為一提供第一電極銅層-氧化鋁阻障層之鋁材質1 煮沸與改質步驟，將上述提供氧化鋁阻障層之鋁材質 並進行一改質處理，以獲得一改質氧化銘阻障層。 粘結金屬層形成步驟，利用氣相沉積方法可於改質 ?鋁阻障層表面上形成一粘結金屬層，其材質是由任、 步驟N1 ^Cr或其組合合金所構成。（5)第二電極銅層形成 步驟係以相同於第一電極銅層的形成方法，於帖社 層之表面上形成第二電極銅層。 金屬 此方法不同之處在於步驟（i)。先前的方法是利用電

594811 五、發明說明（15) ==作第一電極銅層，後者的方法是利用壓延技術 將紹泊與銅落層積在一起，而後序之步驟則相同。 -芦Ϊ ί it外：可以採用另—種方法來形成電容層用之第 :其方法係定義為形成-種形成電容層用之五 層二構，其包含有一第二電極銅層/一枯結金屬層/ /一改質氧化隸障層/-第—電極 =章層作為電容之介電層。此方法之特徵包含有質二化 氧化鋁阻障層形成步驟，係上述完成第一電極銅層之鋁 ^電解⑨中進行陽極處s，以於鋁材質的另一面上形成一 厚度1 //in或更小之氧化鋁阻障層，其乃為一均勻的 層❶（2)煮沸與改質步驟，將上述提供氧化鋁阻障 :】置中並進思行一改質處理，以獲得一改質氧化紹阻 障層。（3)粘結金屬層形成步驟，利用氣相沉積方法 改質氧化鋁阻障層表面上形成一粘結金屬層，其、 :: = :1广或其組合合金所構成。⑷第、-電極疋銅 η步驟，係於紹材質之外表面上形成_第一電極銅 層（5)第一電極銅層形成步驟，係以相同於第一 :的形成方法’於粘結金屬層之表面上形成第二電極銅銅 這種方法係顯示於第7圖的剖面示意圓中。如 6^ f 2係經由陽極處理而形成氧化1呂阻障層 ρ Λ A 一所示，對氧化鋁阻障層6進行沸騰改質製 私，可成為一改質氧化鋁阻障層3。如第7(c) 同於前述之形成枯結金屬層方法，可於改質氧化二章相層 594811 五、發明說明（16) 3之表面上形成一粘結金屬層5。不 及第二電極銅層4’的製作方法不同於先：：極銅層4以 電極銅層4以及第二電極鋼層4，是掣 a，因為第一 利用無電銅電鑛*法，可、、^步驟中。 -薄膜銅層》較佳之方法如第7(d)、圖=層面上形成 夕•卜表面上形成-種子金屬層8，其乃為可允許銅析材出質之= 里Zn ’這是用來確保鋁材質2與第一電極銅層 性質。在每平方公尺面積内，種子金屬的沉積量二 約為lmg或更少，因此在後續敘述之第7(e)圖中省略"不絝 出。然後如第7(e)圖所示，利用電解液方法，可於雙面'^斤 出銅層，以成為第一電極銅層4以及第二電極銅層4，。利 用這種製作方法，可以輕易地完成電容層用之五層結構， 其包含有一第二電極銅層/一粘結金屬層/ 一鋁層/一改質 氧化鋁阻障層/一第一電極銅層，且利用改質氧化鋁阻障 層作為電容之介電層。 使用上述之電容層用之層積板，藉由蝕刻製程便可輕 易地完成印刷配線板之電容層電路線，而且此層積板適用 於一多層印刷配線板之一内層電容層。因此在本發明之專 利申請項目中會敘述，一多層印刷配線板包含有一電容電 路線，其乃為之一形成電容層用之層積板。 而且，當使用上述之形成電容層用之第二層積板時’ 可使用下述之方法來製作一多層印刷配線板之内層中心材 料。此處的"内層中心材料，，是指一印刷配線板，且會被封 裝或積層於多層印刷配線板之中。

2169-5194-PF(N);Cherry.ptd 第21頁 594811 五、發明說明（17) 一種形成多層印刷配線板之内層中心材料的方法，复 乃使用形成電容層用之第二層積板lb，其五層結構包含ς 第二電極銅層/粘結金屬層/改質氧化鋁阻障層/鋁層/ ^ 一 電極銅層，且利用改質氧化鋁阻障層作為電容之介電岸y 此方法之特徵包含有：（1)僅於層積板之一面形成一 ☆ 電路線，係蝕刻第一電極銅層或第二電極銅層之一個，4 t續：刻第一電極銅層或第二電極銅層下方之粘結芦 或鋁層’以蝕刻出理想的圖案。⑴將一 屬層 於這一面電容電路線上，而忐盔^ . 巴緣屑復盖 -層積板。⑻於層積板之另一面形成一電容電路線口成為 一面上並未壓合有層間絕緣層，且其方法為蝕刻該第— 極銅層或該第二電極銅層之其中一個及钻 2 苔於其一而带—」 圖案。（4)將一層間絕緣層覆 私二f接電今電路線上’ @成為一膠片，並將其壓人虑 為一層積板，則層積板的雙面均壓合有層間絕緣 ^成 貫穿孔之内辟而L I 或介層洞β (6)對於暴露在 貫穿孔之内壁面的鋁進行非活性處理。（7)將 : 壁面塗佈一銅層，以確φ 内 間的層間導電性。保第一電極銅層與第二電極銅層之 以下敘述此方法的篦—姓 .._ y 屉接拓，Η — Μ仏 第特徵。使用形成電容層之第二 :積f -開始”蝕刻層積板之一面來製作 線，再於其上堆積層間絕緣材料 =路 製作電容電路線並於复上谁锫麻a 、胃積板之另一面 ^ y ^ 一上堆積層間絕緣材料。if插制七丰 驟來形成電容電路線，即使 TJ坆種製私步 p使形成電容層之第二層積板的厚

594811 五、發明說明（18) 度減少，也不會 形成一電容 極銅層 或第二 的囷案 層係位 或第二電 電極銅層 。此處， 於第二電 第一電極銅層下 掉。另一方面， 層，當 易隨著 為Ni時 較佳的 性但不 之間殘 表面移 粘結金屬 銅的姓刻 ，粘結金 方法是， 會溶解Cu 留有金屬 動的可能 傷害到 電路線 極鋼層 下方之 枯結金 極銅層 方之鋁 關於蝕 層之材 而被去 屬層便 先將銅 的钱刻 成分， 性。 改質氧化鋁阻障層。 時，僅於層積板之一面 之 個 粘結金 屬層係 下方。 層很容 刻第一 質為A1 除掉。 不容易 飯刻去 劑以持 則會發 ，並連 屬層或 位於第 若是傾 易隨著 電極銅 或Cr時 但是， 隨著鋼 除，然 續進行 生不良 續蝕刻第 I呂層，以 一電極銅 向於使用 銅的蝕刻 層下方之 ’祐結金 當粘結金 的钱刻而 後使用一 钱刻。如 的短路現 名虫刻第一電 一電極銅層 I虫刻出理想 層下方，鋁 蝕刻方式， 而被去除 粘結金屬 屬層也很j容 屬層之材質 被去除掉， 具有N i選擇 果在電路線 象，進而有 於層積板之一面形成電容電路線之後，係將一層間絕 緣層覆蓋於這一面電容電路線上，而成為一膠片，並將其 壓合成為一層積板。此處使用層間絕緣層的膠片是指_般 所明的堅固基底’且可使用聚醯亞胺薄膜材 質以成為一可撓性基底，因此不需特意限定層間絕緣層的 材質。而且，層間絕緣層之覆蓋與壓合的情形，與要依據 層間絕緣層的材質來決定即可。以下所述之壓合情形與此 相同。 接著，於層積板之另一面形成另一電容電路線，這

594811 五、發明說明（19) 面上並未壓合有層 之粘結金屬層或鋁^、緣層，且其方法為蝕刻層及其下方 層間絕緣層覆蓋於二丄以蝕刻出理想的圖案。然後，將一 層積板的雙面均壓面電容電路線上，並將其壓合，則 述，於此不再詳加層間絕緣層。這些加工製程如同前 後續’利用穿$ 於暴露在貫穿孔之內σ工技術製作貫通孔或介層洞，再對 孔之内壁面塗佈—銅^面的鋁進行非活性處理，再將貫穿 銅層之間的層間導雷^，以確保第一電極銅層與第二電極 徵。此處的穿孔:性處理為此方法的第二特 射穿孔機，但是不需：用鑽孔片的機械式壓機、雷 之後，暴露在貫穿：：：：：使用的方法。然而，再穿孔 膜，所以此處暴露的鋁鋁會成為-相當薄的氧化 的一般狀態。如果I隹/又有良好的抗腐蝕性，並不同於鋁 電性，馬:將戶籍*孔之後，為了要獲得良好的層間導 會傷害到暴二f =的：電鑛溶液中， 内壁…會成為-=薄:後則:彡: 化膜直至獲付-良好的抗腐蝕性。或者是，有必要 一保護膜。此乃所謂的非活性處理。 由於在穿孔之後對暴露在貫穿孔之内壁面的鋁進 活性處理，較佳方式可以利用柏買石（b〇ehmite)製程 所謂的轉化（conversion)處理來製作一保護層。 二 (boehmite)製程中，係以沸水或蒸氣處理鋁;面，以二鋁 表面上形成一柏買石（Α12〇3 · 3H2〇)薄膜，此製程時間需要 2169-5194-PF(N);Cherry.ptd 第24頁 594811 五、發明說明（20) ---- 10〜30分鐘，才可以形成0.2 厚度或更小之薄膜。 在上述之轉化（conversion)處理中，較佳方式為使用 一鉻酸鹽薄膜處理，其中一浴爐的條件包含有··使用一非 加速度系統’於室溫〜40 °C的溫度範圍下操作1〇秒。使用 路酸鹽薄膜處理的理由如下所述。當進行轉化處理時，存 在於金屬中的銅較不易與鋁共存，因此浴爐中所包含的少 量的元素選擇需要達到：不會危害到後續層間導電性之電 鑛層、不會顯著影響到電阻值。所以，一非鉻酸鹽薄膜處 理並不適用，因為其所形成之Zr或Ti基薄膜有可能會明丨顯 增加電阻值，例如：鉻酸磷薄膜處理以及磷酸鋅薄膜處 理’其中的磷會影響電阻值。由鉻酸鹽薄膜處理所形成之 物質為Cr(0H)2 · HCr04, A1(0H)3 · 2H2〇。 而後，要確保層間導電性，係將一銅電鍍層形成於貫 穿孔或介層孔之内壁面。此處之銅電鍍層的製作方法為， 先使用無電銅電鍍製程，再進行電解液銅電鍍製程'此處 並未特別限制無電銅電鍍製程以及電解液銅電製 件。不過，電鑛層可以只形成於貫穿孔之内壁面== 也可以另外形成於層積板兩面之層間絕緣層表面上。在後 者的情況下，層積板變成為一四層銅覆蓋層積板。因此， 當使用一銅層來製作銅電路線時，可以於層間絕緣層的表 面上形成銅電鑛層。 本發明之實施例形態 以下說明本發明形成電容層用之層積板及其製造方

594811 五、發明說明（21) 法，以及形成電容層用之層積板及其製造方法之電性 測。 【第一實施例】 第5圖顯示形成電容層用之第一層積板&的製造方 法。首先，使用30平方公分之尺寸、具有99 99%純度的鋁 材質2作為起始材料。在形成一氧化鋁阻障層的步驟如第 5(a)圖所示，係將鋁材質2浸入一濃度為8〇g/i之硼酸氨的 水/谷液中，然後在陽極極化處理的條件為··直流電流 5~20A/dm2、形成電壓30〜7〇〇v，以形成氧化鋁阻障層6， 其厚度為4 0~980nm (當每單位形成電壓了成長速率 1.4nm)，且僅形成於銘材質2之一面，而銘材質2之另一面 係封裝而無法形成氧化鋁阻障層6。至此，稱為一提供氧 化鋁阻障層之鋁材質A。同時，一鉑電極係用作為一陰極 電極。 、接下來，提供氧化鋁阻障層之鋁材質人係置入一純水 中以進行煮沸處理，如第5(b)圖所示。提供氧化鋁阻障層 之鋁材質A係置入一沸水中達5分鐘，而成為一改質氧化鋁 阻障層3。 ^ 於上述之沸騰改質步驟完成改質氧化鋁阻障層3以 後，要進行第5(c)圖所示之電極銅層步驟以形成一電極銅 層4。首先以一濕式的無電銅電鍍方式，利用鈀（pd)觸 媒，於改質氧化鋁阻障層3的表面上形成一薄膜銅層。無 電銅電鍍的爐浴中含有：30g/dm3的硫酸銅、1〇〇g/dm3的羅 謝耳鹽（Rochel le sal t)、30cm/dm3 的甲醛（37%)、30g/dm3 594811 五、發明說明（22) 的碳酸鈉與30g/dm3的氫氧化鈉，且溫度設定在24 °C。如 此可製作厚度2/zm或更小之薄膜銅層，且均勻地形成於平 坦表面上。 接著，利用電解液方式，可使改質氧化鋁阻障層3表 面的薄膜銅層上成長出一銅層，而成為一電極銅層4。以 .下描述使用電解液方式以成長薄膜銅層的方法。將薄膜鋼 層與一陰極端連接在一起，然後放置一不銹鋼板作為一陽 極。另外，將鋁材質A浸入一硫酸銅浴中，其溫度為& 5 °C、含有15〇g/l的硫酸以及65g/1的銅，在穩定的狀態下 (電流密度為15A/cm3)進行1〇秒的電解反應，則可於上述 之薄膜銅層表面上成長出均勻且厚度約3 的銅成分。所 以’電極銅層4本身包含有薄膜銅層以及電鍍銅層，故厚 度可達左右。因此，第丨圖所示之面積為25平方公分 的層積板la，其三層結構包含有厚度為1〇〇//m的鋁材質 2、厚度為84〜70〇nm的改質氧化鋁阻障層3、厚度為5 的 電極銅層4，其中改質氧化鋁阻障層3是用來作為電容介電 層0 另外’為了防止電極銅層4之表面氧化，需要進行一 防銹處理，係使用Zn作為一抗銹元素。在圖示中係省略此 2銹層'在這個步驟中，形成電容層用之層積板u的電極 銅層4 ,係進行一陰極極化處理，並使用不銹鋼板作為一 反向電極，且一硫酸辞浴中包含有7〇g/1的硫酸以及2〇 的鋅，操作溫度為4(TC，電流密度為15A/cm3，電解時間 為5秒。此步驟中，一鋅板係用作為陽極電極，且可依^

594811 五、發明說明（23) 電流量而於電解過程中溶解，可以使溶液中鋅的濃度維持 固定。完成防錢步驟之後，形成電容層用之層積板1 a係置 於一電性加熱器中烘乾，其溫度為1 1 〇 °C，時間超過4 〇 秒。 如此便完成電容層用之層積板la，其區域面積達2 5平 方公分，則依據IPC標準的試驗規格為IPC-TM-650之段落 2.5.5.9，形成一量測圖案。而且，可利用 丫〇让〇忌&〜&-1^〜16 1:1:-？&〇匕&『〇1公司所製之1^1^紀錄||於11^下 量測電容值。 表一 電壓 (V) 電阻値：Cp (nF/cm2) Cp(min) 最小値 Cp(max) 最大値 Cp(ave) 平均値 △ Cp= {Cp (max)}-{Cp(min) } 30 85 180 105 95 60 75 121 98 46 80 73 103 94 30 100 60 88 82 28 200 23 48 45 25 300 12 33 26 21 500 8 20 13 12 700 5 11 8 6 表一顯示電容層用之層積板1 a之2 0個量測點的量測結 果，其乃於不同的電壓下量測，其中Cp(mi η)是指量測電 容值之最小值，Cp(max)是指量測電容值之最大值， Cp(ave)是指量測電容值之平均值，△ Cp={Cp(max)}-{Cp(min)}。在這些數值中，ACp代表變化 量，由表一中可知，隨著電壓增加，A Cp的值會變小。

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〜由表一中可清楚得知，在電壓30〜700V的範圍内，電 谷之最低電阻值為5 nF/cm2，最高電阻值為i8〇 nF/cm2。 ，較於，統電容層之電阻值為2 nF/cm2或更小，本發明可 ，供極高之電阻值。而且可以得知電容之電阻值的增加理 論，當電壓降低時，氧化鋁阻障層6的厚度會降低。不 過，隨著氧化鋁阻障層6的厚度間少，也會牵連到改f & 化铭阻障層3之厚度穩定性。.由表一中可指：連 增加會使△ Cp值變小，且氧化鋁阻障層6的厚度會增加。 【第二實施例】 第4圖顯示形成電容層用之第二層積板lb，第6圖顯^示 形成電容層用之第二層積板lb的製造方法。首先，第6(a) 圖顯不第一電極銅層形成步驟，以無電電鍍方法或是氣相 沉積方法，於鋁材質2之一面上形成一厚度2vm或更小之 薄膜銅層，然後利用電解銅電鍍方法，於薄膜銅層之表面 上形成析出銅’以成為第一電極銅層4。此步驟中，使用 30平方公分之尺寸、具有99·99%純度、厚度1〇〇 的鋁材 質2作為起始材料。此處之薄膜銅層以及電解銅電錄方法 相同於先前所述，故於此省略敘述。 然後，形成一氧化鋁阻障層的步驟如第6(b)圖所示， 係將具有第一電極銅層4之鋁板2置於一電解液中以進行陽 極極化處理，則可於一鋁板2之另一表面上形成一 阻障層6,其乃為一厚度均句之氧化膜，且厚度丄； 更小。此處之氧化鋁阻障層的形成方法相同於先前所述， 故於此省略詳細敘述。不過，利用陽極處理的形成電壓為 594811

100V，其形成氧化鋁阻障層6之厚度為I40nm。 接下來，進行第6 ( c )圖所示之沸騰改質製程，將具 第一電極銅層4與氧化鋁阻障層6之鋁材質2係置入—有 中，則藉由沸騰處理可以使氧化鋁阻障層6改質，而 一改質氧化銘阻障層3，其厚度為10〇111„。此處之改質為 方法相同於先前所述，故於此省略詳細敘述。 理 接下來’要進行第6(d)圖所示之粘結金屬層步驟， 用濺鍍沉積方法，可於改質氧化鋁阻障層3表面上形利 粘結金屬層5。此處之濺鍍沉積方法如下所述。在_濺: 裝置之艙體内放置一鋁靶材，將艙體抽至133xl〇_3pa ^ 33χ101〇ΓΓ)的真空狀態，則藉由離子濺度方式可於‘ 氧化鋁阻障層3表面上形成一鋁層。 賀 最後，要進行第6(e)圖所示之第二電極銅層4，步驟， =枯:结金屬層5的表面上形成一薄膜銅層。由於粘結金 所構成，其表面之附著性不足以在表面直接 製作銅層’因此以電解液方式製作第二電極銅層4，時，在 二可於電解時使用第—實施例所述之含有微量 Zn = t錢洛液，而後利用電鍵方式便可於枯結金屬層5的 相同於第-電極銅層4二此第省:電極銅層4之製作方/ 便完成第-二= 略詳細敘述。如此一來 4 五層結構’包含有第二電極銅層 „ / '1 , . θ改質氧化鋁阻障層3/鋁層2/第一電極銅 上4質氧化鋁阻障層3是用作為電容之介電層。 然後，利用相同於第一實施例之量測電容值方法，於

2169-5194.PF(N)；Cherry.ptd 第30頁 594811 五、發明說明（26) 電容層用之層積板1 b之2 0個量測點的量測結果可知，電容 之最低電阻值為55· 8 nF/cm2，最高電阻值為74. 4 nF/cm2 ’ 平均電阻值為 63.5 nF/cm2，ACp 值為 18.6 n F / c m2 °由於△ c p值很小，這表示量測的數值很穩定。 【第三實施例】 此實施例為利用第二實施例完成之第二層積板丨b來形 成一多層銅覆蓋層積板MLB。 如第8 (a)圖所示，第二實施例完成之第二層積板丨b的 雙面上各形成一乾膜7，以用作為一抗蝕刻層。然後，+ 第8(b)圖所示，利用曝光與顯影方式，將第一電極銅層4 表面上之乾膜7定義成一電容電路線的圖案。同時，將第 二電極銅層4’表面上之乾膜7固化於整個表面上。之後， 如第8(c)圖所示，馬上利用氣化鐵之銅蝕刻劑將第一電極 銅層4與鋁層2去除，以形成一電容電路線“。同時，由於 乾膜7形成於第二電極銅層4，之表面，所以第二電極銅層 4’未被钱刻而存留下來。 接著，如第8(d)圖所示，將層積板之雙面上的乾膜7 剝除，然後對層積板進行清洗與供乾。後續，如第9(e)'圖 所不，一膠片P係堆壓至電容電路線4a的表面上，此fr_4 :片P的厚度為l00"m，係經由18(rc的加熱以壓合至電容 電路線4a的表面上。此膠片p僅係堆麼至層積板之一面。 摊* if胺7如第9⑴圖所示’於第二電極銅層4,之表面上 】'一=、’固其乃位於未堆積層間絕緣層之内-面。後 …第9⑻圖所示，對乾膜7進行曝光與顯影製程，以 第31頁 2169-5194-PF(N);Cherry.ptd 594811

定義出電容電路線的圖案。後續，如第9(h)圖所示， 餘刻去除第二電極銅層4 ’以及枯結金屬層5 ,以形 / 容電路線4’ a。此處之蝕刻方式如同前述，於此^加以= 述。至此步驟，膠片P已經積疊至一表面上， = 別對這一面進行封裝。 而特 接下來，如第1 〇(i)圖所示，將乾膜7剝離。而後， 第l〇(j)圖所示，將一厚度為100 的]^一4膠片p堆壓^ 容電路線4’a的表面上，如此可使層積板的雙面均層最 層間絕緣層，如同第9(h)圖所示。壓疊的方法如同前述， 然後，如第1 0 ( k )圖所示，利用鑽孔片進行穿孔技 術，可形成一半徑為250 //in的貫穿孔TH。為了確保層間導 電性在銅電鍍之必須對暴露在貫穿孔TH之内壁面的二^行 非活性處理，較佳方式可以利用柏買石（b〇ehmite)製程， 係以沸水或蒸氣處理鋁表面，以於鋁表面上形成一柏買石 (Al2〇3 · 3H20)薄膜，此製程時間需要10分鐘。 、 最後，如第10(e)圖所示，將暴露在貫穿孔TH之内壁 面的鋁表面上塗佈一銅電鍍層8，其厚度為2//m，其方法 為先使用無電銅電鍍溶液，再進行電解銅電鍍製程，而無 電銅電鍍製程條件如同先前所述。在此處之電解銅電鍍製 程條件為：使用的硫酸銅溶液包含有丨5 〇g/丨的硫酸以及 65g/l的銅、溶液溫度為45 °c、穩定的電流密·度為 1 〇 A/dm2 ’則可析出8 // m厚度的均勻銅層。因此整個銅層 的厚度可達10 /zm。

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594811 五、發明說明（28) 銅電鍍層8之析出可形成於每一面的膠片p表面上，如 此完成四層的銅覆蓋層積板MLB。而且，形成於锅绫層上 的銅電鑛層8可視為-位加工處理之銅電路 產業上的利用性 依據本發明之形成電容層用 之紹層/乳化紹層/銅層，以及五 粘結金屬層/改質氧化鋁阻障層/ 中氧化鋁層為相當薄且均勻的薄 層。而且，由於未使用到覆蓋會 積板’因此很容易控制本發明之 厚度。而且，使用形成電容層用 刷配線板之内層，可有效減少多 雖然本發明已以一較佳實施 以限定本發明，任何熟習此技藝 神和範圍内，當可作些許之更動 護範圍當視後附之申請專利範圍 之層積板，可為三層結構 層結構之第二電極銅層/ 鋁層/第一電極銅層，其 膜層， 堆積材 形成電 之層積 層印刷 例揭露 者，在 與潤飾 所界定 可用作 料的技 容層用 板來作 配線板 如上， 不脫離 ’因此 者為準 為電容介j電 術來製作層 之層積板的 為一多層印 之厚度。 然其並非用 本發明之精 本發明之保

594811 圖式簡單說明 第1圖顯示本發明形成電容層用之第一層積板的剖面 示意圖。 第2圖顯示於掃描式電子顯微鏡下觀察到無孔氧化膜 之表面呈現平坦狀。 ' 第3圖顯示於掃描式電子顯微鏡下觀察到的改 鋁阻障層。 乳^匕 一第4圖顯示本發明形成電容層用之第二層積板的 示意圖。 σ w 第5 ( a )圖顯示氧化鋁阻障層製程的剖面圖。 第5(b)圖顯示煮沸改質處理製程的剖面圖。 第5(c)圖顯示電極銅層製程的剖面圖。 第6(a)圖顯示第一電極銅層製程的剖面圖。 第6(b)圖顯示氧化鋁阻障層製程的剖面圖。 第6 ( c)圖顯示煮沸改質處理製程的剖面圖。 第6(d)圖顯示粘結金屬層製程的剖^圖。。 第6(e)圖顯示第二電極銅層製程的剖面圖。 第7(a)圖顯示氧化紹阻障層製程的二 1 第7(b)圖顯示煮沸改質處理製程的I 第7(c)圖顯示粘結金屬層製程的:圖。 第7(d)圖顯示種子金屬層製程的剖圖。 第7(e)圖顯示電極銅層製程的剖面圖 第8 ( a )圖顯示抗|虫刻層製程（1 )的立圖 第8 ( b)圖顯示抗餘刻層之曝光斑、面圖 圖。 ” 影製程（1)的剖面

594811 圖式簡單說明 第8(c)圖顯示電容電路線之餘刻製程（！）的立 第8 ( d)圖顯示抗姓刻層之剝離製程（1 )的立彳 面圖 第9(e)圖顯示膝片貼合製程（1)的剖面圖。圖 第9 ( f )圖顯示抗姓刻層製程（2 )的剖面圖。 第9(g)圖顯示抗蝕刻層之曝光與顯影製 ’ “）的剖 第9 ( h )圖顯示電容電路線之蝕刻製程（2 )的气 圖 面 第1 0 ( i )圖顯示抗餘刻層之剝離製程（2 )的 第1 0 ( j)圖顯示膠片貼合製程（2)的剖面圖 第10(k)圖顯示貫穿孔製程（1)的剖面圖。 第10(e)圖顯示電極銅層製程的剖面圖。 圖 剖面圖 【符號說明】 第一層積板〜1 a ; 改質氧化鋁阻障層〜3 氧化鋁阻障層〜6 ; 第一電極銅層〜4 ; 電容電路線〜4a ; 粘結金屬層〜5 ; 貫穿孔〜TH ; 銅電鍍層〜8。 鋁材質〜2 ; 電極銅層〜4 ; 第二層積板〜lb ; 第二電極銅層 各電路線〜4 ’ a ; 種子金屬層〜S ; 膠片〜P ;

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Claims (1)

1. 六 曰 皇裝9112im 申請專利範圍 包括： 一鋁層/一改質氧化鋁 作方式係先將一叙板或 極處理以於該鋁材質之 化鋁阻障層，再將形成 水中進行沸騰處理，以 質氧化鋁阻障層是用來 ，包括： 一第二電極銅層/一枯 I呂層/ 一第一電極銅層 一之鋁、鎳、鉻或其合 1二成電容層用之層積板 阳P 一層、、、σ構，該三層結構係由 羊層/一電極銅層所堆疊而成^ 姑丄中:Λ質氧化銘阻障層之製 ::(以下稱為一紹材質）進行一陽 :，上形成為一均勻氧化層的氧 —°亥氧化鋁阻障層的該鋁材質於一 凡成該改質氧化鋁阻障層， 作為-介電層。 玄改 2· 一種形成電容層用之層積板 五層結構’該五層結構係由 結金屬層/一改質氧化鋁阻障層/ 一 所堆疊而成； 其中該粘結金屬層之材質為任 金組合；

   其中該改質氧化鋁阻障層之製作方式係先將一鋁材質 之一面進行一陽極處理以形成為一均勻氧化層的氧化鋁阻 障層，再將形成有該氧化鋁阻障層的該鋁材質於一水中進 行沸騰處理，且該改質氧化鋁阻障層是用來作為一介電 層。 3· —種形成電容層用之層積板的製造方法，該層積板 具有如申請專利範圍第1項所述之具有當作是介電層的該 改質氧化鋁阻障層的鋁層/改質氧化銘阻障層/電極銅層之 三層結構，該製造方法包括下列步驟：

   2169-5194-PFl(N).ptc 第36胃 594811

   案號 91121113 六、 進 1 / 有 之 獲 相 2 i 膜 具 改 鋁 括 是 下 表 鋁 上 整 申請專利範圍 〇)—阻障層形成步骅，係將一鋁材質置於電解液 行陽極處理，以於該鋁材質的表面上形成一均勻且 2 m以下之一氧化鋁阻障層，以下這整個材料稱為一「ς 氧化鋁阻障層之鋁材質」； Μ (2) —煮沸與改質步驟，係將該「附有氧化鋁阻障層 鋁材質」置入水中並進行一氧化鋁阻障層改質處理，以 得該改質氧化鋁阻障層；以及 (3) —電極銅層形成步驟，係以無電電鍍方法或是氣 沉積方法，於該改質氧化鋁阻障層之表面上形成一厚度 ί m以下之薄膜銅層，然後利用電解銅電鍍方法，於該薄 銅層之表面上形成銅析出。 4· 一種形成電容層用之層積板的製造方法，該層積板 有如申請專利範圍第2項所述之具有當作是介電層的該 質氧化鋁阻障層的第二電極銅層/粘結金屬層/改質氧化 阻障層/鋁層/第一電極銅層之五層結構，θ方法包 下列步驟： ° (1 ) 一第一電極銅層形成步驟，係以無電電鍍方法成 氣相沉積方法，於一鋁材質之一面上形成一厚度2 // m > 之薄膜銅層’然後利用電解銅電鍍方法於該薄膦鈉廣 面上形成銅析出而形成該第一電極銅層； (2) —阻障層形成步驟，係將完成該第一電極鈉詹之 材質於電解液中進行陽極處理，以於該鋁材質的为^ ，^肖勻且厚度i # m以下之一氧化鋁阻障I，以f 個材料稱為—「附有第一電極銅層與氧化紹阻陳廣之 594811 案號91121m B 修正 六、申請專利範圍 材質」； (3 ) —煮沸與改質步驟，將該「附有第一電極銅層與 氧化鋁阻障層之鋁材質」置入水中並進行一氧化鋁阻障層 改質處理，以獲得該改質氧化鋁阻障層； (4 ) 一枯結金屬層形成步驟，利用氣相沉積方法可於 該改質氧化鋁阻障層表面上形成該粘結金屬層，其材質為 任一之銘、鎳、鉻或其合金組合；以及 (5) —第二電極銅層形成步驟，係以相同於該第一電 極銅層的形成方法，於該粘結金屬層之表面上形成該第二 電極銅層。 5 · —種形成電容層用之層積板的製造方法，該層積板 具有如申請專利範圍第2項所述之具有當作是介電層的該 ，質氧化鋁阻障層的第二電極銅層/粘結金屬層/改質氧化 銘阻障層/鋁層/第一雷炻 展 括下列步驟·· 電極銅層之五層結構，該製造方法包 (1) 一第一電極銅層形成 的一鋁箔覆蓋於一銅结卜日丨^_係將田作疋一鋁材質 第一電極銅層； 、；5亥鋁材質之一面上形成該 (2) —阻障層形成步驟 材質於電解液中進行陽 于凡成該第一電極銅層之鋁 形成一均勻且厚度丨理二以於該銘材質的另一面上 個材料稱為一「附有第一之氧化鋁阻障層，以下稱這整 質」； 極銅層與氧化鋁阻障層之鋁材 (3) —煮沸與改質步驟 附有第一電極銅層與 2169-5194-PFl(N).ptc ------ /B 苐38頁 594811 案號 91121113 六、申請專利範圍 Π:障層」之铭材質置入水中並進行一氧化铭阻障芦 改質處理，以獲得該改質氧化鋁阻障層； 曰 ⑷-枯結金屬層形成步驟，利用Β氣相沉積方法可於 文質乳化紹阻障層表面上形成該枯結 一之m、鉻或其合金組合；以及 ’、材貝為任 朽一第二電極銅層形成步驟，係以相同於該第一電 極銅層的形成方法，於該# & I 電極銅層。 /粘-金屬層之表面上形成該第二 JL古6成電容層用之層積板的製造方法，該層積板 具有，申請專利範圍第2項所述之具有當作是介電層的該板 改質5化鋁阻障層的第二電極銅層/粘結金屬層/改質氧： 鋁阻障層/鋁層/第一電極銅層之五層結構，而應用於 層印刷配線板之内層中心材料，該製造方法包括下列步 驟· 、（1) 一氧化鋁阻陳層形成步驟，將一鋁材質置於電解 液中進行陽極處理，以於該鋁材質的一面上形成一均勻且 厚度1 # m以下之氧化鋁阻障層； 將該附有氧化鋁阻障層之I呂 铭阻障層改質處理，以獲得該

   (2 ) —煮沸與改質步驟， 材質置入水中並進行一氧化 改質氧化鋁阻障層； (3) —粘結金屬層形成步驟，利用氣相沉積方法於含 改質氧化鋁阻障層表面上形成該粘結金屬層，其材質、是' 任一之A1、N i、Cr或其組合合金所構成；以及 、疋 (4) 電極銅層形成步驟，係於該鋁材質之一外表面」

   2169-5194-PFl(N).ptc 第39頁 594811

   案號 91121113 六、申請專利範圍 第-電極銅層，並於該鋁材質之另—外表面之該钻 t金屬層上形成該第二電極銅層。 且;Λ 成ΐί:用之層積板的製造方法，該層積板 具有如申清專利範圍第2項所述之具有當作是介咳 改質氧化鋁阻障層的第二電極銅層/粘結曰 銘層/第一電極銅層之五層結構，而曰係應用；一 少1 Ρ刷配線板之内層中心材料的製造方法，該多層印刷 配線板之内層中心材料的製造方法包括下列步驟： (1) 僅於該層積板之一面形成一電容電路線，係蝕刻 電極銅層或該第二電極銅層之其中—個，並連續钮 =第I電極銅層或該第二電極銅層Τ方之該枯結金屬層 或邊紹層，以蝕刻出理想的圖案； (2) 將一層間絕緣層覆蓋於該電容電路線上，而成為 膠片’並將其壓合至該層積板上； 、（3)於該層積板之另一面形成一電容電路線，其方法 為蝕刻遠第一電極銅層或該第二電極銅層之其中一個及其 下方之该粘結金屬層或該鋁層，以蝕刻出理想的圖案； (4) 將一層間絕緣層覆蓋於另一面之該電容電路線 上，而成為一膠片，並將其壓合至該層積板上，以使該層 積板的雙面均壓合有絕緣材； 曰 (5) 利用穿孔加工技術製作一貫通孔； (6) 對於暴露在該貫穿孔之内壁面的鋁材進行非活性 處理；以及 (了）將該貫穿孔之内壁面塗佈一銅層，以確保該第一

   2169-5194-PFl(N).ptc 第40頁 594811 -----塞號 91121113六、申請專利範圍

   Λ_a 修正 電極銅層與該第二電極銅層之間的層間導電性。 8·如申請專利範圍第1項所述之形成電容層用之層積 板，其中該層積板之鋁層/改質氧化鋁阻障層/電極銅層之 二層結構係應用於一多層印刷 _ _，，，r, 9·如申請專利範圍第2項所述之形成電容層用之層 板 八中β亥層積板之第二電極銅層/枯纟士 +屬/改暂&、 鋁阻障層/鋁層/第—電 枯、•。金屬層/改貝孔化 印刷阶妗紅令命既a 禮之五層結構係應用於—多芦 叩刷配線板之内層中心材料， ^ 又增 電容電路線。 ^夕層印刷配線板包括—