DE870300C - Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstaende - Google Patents
Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher PhotowiderstaendeInfo
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Classifications
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Description
- Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstände Im Patent 861 :295 ist ein Verfahren zur Herstellung von hochempfindlichen Photowiderständen angegeben, bei dem kleinkristalline, lichtelektrisch hochempfindliche Verbindungen durch ein Bindemittel mit dem Elektrodenraster vereinigt werden, das flüssig ist, die Photostoffe nicht auflöst und beim Verdampfen keinen leitenden Rückstand hinterläßt. Empfohlen werden insbesondere bei höherer Temperatur leicht ausheizbare organische Bindemittel der Ketonreihe, z. B. mit Methanol verdünnte Acetonlösungen, denen etwas Phosphorsäure beigegeben wird.
- Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird zur Herstellung höchst empfindlicher Photowiderstände als Bindemittel eine beispielsweise 2,4%ige Lösung von Kollodiumwolle in einem reinen, schlecht leitenden Ester, z. B. in Amylacetat oder Butylacetat, verwendet und nach dem Aufbringen des Bindemittels und der gegebenenfalls damit vermischten kleinkristallinen Verbindungen auf das Elektrodenraster der Ester bei möglichst niedrigen Temperaturen von voriugsweise weniger als 6o? C im Vakuum verdampft. Es - ist hierbei eine ..solche Kollodiumwolle zu verwenden, die beim Verbrennen keinen leitenden Rückstand hinterläßt. Eine solche Kollodiumwolle wird von der I. G. Farbenindustrie A-.G. unter den Bezeichnungen E 116o und E 1440 in den Handel gebracht, wie beispielsweise das Buch von G n a m m »Die Lösungsmittel ' und Weichhaltungstiiittel«, S. 424, Tabelle 15, 1941, zeigt.
- Von wesentlichem Vorteil ist bei di*n neuen Verfahren, daß infolge der Anwendung besonders niedriger . Verdampfungstemperaturen - ein nachteiliger Temperatureinfluß auf dW kleibkristallinen Verbindungen vermieden wird, die in ihrer günstigsten stöchiometrischen- Zusammensetzung und in ihren lichtelektrischen Eigenschaften unverändert erhalten bleiben. Der ohne nennenswerte Temperaturerhöhung verfestigte Kollodiumfilm sichert die Festlegung der Kristalle auf dem Raster und gewährleistet eine hohe Stoßfestigkeif des Photowiderstandes. Als kleinkristalline, lichtelektrisch empfindliche Verbindungen eignen sich insbesondere die Sulfide von Zink, Kadmium und Blei, deren Mischkristalle sowie Telluride und Selenide. Bei der Herstellung dieser Photowerkstoffe werden die Verbindungen einem geeigneten Glühprozeß unterworfen, insbesondere in Überdruckschwefeldampf bei Temperaturen von Soo bis 1300' C, je nach der gewünschten Kristallgröße zwischen io und 3o Minuten. Die Trägerkörper für das Elektrodenraster und die photoempfindliche Schicht können aus - ewöhnlichen Gläsern, Quarzglas oder 9' aber auch aus organischen - Kunstgläsern, bestehen, die unter den Bezeichnungen Plexiglas, Trolitul usw. bekannt sind.
- Bei der Verwendung organischer Kunstgläser kann der Fall eintreten, daß das Kunstglas durch das Bindemittel bzw. durch sein Lösungsmittel angegriffen wird. Durch eine- rasche Abdampfung im Vakuum läßt sich jedoch leicht eine solche chemische Beeinflussung vermeiden bzw. auf einen unschädlichen Grad vermindern. Vielfach ist es sogar erstrebenswert, daß das Bindemittel die Trägerplatte etwas angreift, weil sich dann eine besonders gute Haftung des Photowerkstoffes auf der Trägerp#atte ergibt bzw. eine innige chemische Verbindung zwischen dem Photofilm und der Unterlage und damit auch mit dem Elektrodenraster einstellt.
- Die Verwendung einer Kollodiumwolle, die beim Verbrennen nicht verkohlt und keinen leitenden Rückstand hinterläßt, ist unter anderem deswegen von großem Vorteil, weil gelegentlich örtliche Überlastiffigen des Photowiderstandes auftreten können, z. B. durch Anwendung zu hoher Feldstärken, durch Verunreinigungen im Photowerkstoff, durch Ungenapigkeiten bei der Rasterherstellung oder durch ungünstige optische Fokussierung der einfallenden Strahlung. In diesen Fällen wird dann bei einem nach der Erfindung hergestellten Photowiderstand lediglich die Störstelle unter örtlicher Verpuffung der Bindemittelschicht unschädlich; gemacht; im übrigen aber die Brauchbarkeit des Photowiderstandes nicht wesentlich beeinträchtigt. Es wird also eine -vollkommene Zerstörung des Photowiderstandes und gegebenenfalls auch der angeschlossenen Meßeinrichtungen vermieden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstände, bei dem kleinkristalline, lichtelektrisch hochempfindliche Verbindungen, z. B. in Hochdruckschwefeldampf geglühte Sulfide von Kadmium, Zink oder Blei, durch ein die Photoverbindungen nicht auflösendes, beim Verdampfen keinen leitenden Rückstand hinterlassendes Bindemittel mit dem Elektrodenraster vereinigt werden, nach Patent 861 295, dadurch gekennzeichnet, daß als Bindemittel eine Lösung von Kollodiumwolle in einem reinen, schlecht leitenden Ester, wie z. B. Amylacetat oder Butylacetat, verwendet und nach dem Aufbringen des Bindemittels und der gegebenenfalls damit vermischten kleinkristallinen Verbindungen auf das Elektrodenraster der Ester bei niedriger Temperatur von möglichst weniger als 6o' C im Vakuum abgedampft wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP3284D DE870300C (de) | 1942-10-11 | 1942-10-11 | Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstaende |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DEP3284D DE870300C (de) | 1942-10-11 | 1942-10-11 | Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstaende |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE870300C true DE870300C (de) | 1953-03-12 |
Family
ID=7358647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEP3284D Expired DE870300C (de) | 1942-10-11 | 1942-10-11 | Verfahren zur Herstellung hochempfindlicher Photowiderstaende |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE870300C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
DE1043536B (de) * | 1954-09-27 | 1958-11-13 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid |
DE975450C (de) * | 1949-07-20 | 1961-11-30 | Sylvania Electric Prod | Elektrolumineszenzlampe |
-
1942
- 1942-10-11 DE DEP3284D patent/DE870300C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE975450C (de) * | 1949-07-20 | 1961-11-30 | Sylvania Electric Prod | Elektrolumineszenzlampe |
DE1043536B (de) * | 1954-09-27 | 1958-11-13 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid |
DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
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