DE3423159C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Fotosensor mit einem fotoelek­ trischen Wandlerteil, der aus einem Glassubstrat, einer Schicht aus einem amorphen Material, das Silicium als Matrix enthält, und einem Paar von Elektroden, die im elektrischen Kontakt mit der Schicht aus amorphem Material stehen, aufge­ baut ist. Ein solcher Fotosensor ist aus der DE-OS 31 12 209 bekannt.

Die bisher verwendeten Fotosensoren vom eindimensionalen Foto­ dioden-Typ aus kristallinem Silicium haben insofern Nach­ teile, als deren Anordnungslänge begrenzt ist, weil die Größe der herstellbaren Einkristalle aus Silicium und ihre Herstel­ lungstechnik begrenzt sind und die Ausbeuten davon niedrig sind. Wenn das zu lesende Original auf einem relativ großfor­ matigen Papier, beispielsweise DIN A-4 (Breite 210 mm) ge­ schrieben wird, wird das Lesen im allgemeinen dadurch bewirkt, daß eine verkleinerte Aufnahme des Originalbildes auf dem Fo­ tosensor unter Verwendung eines Linsensystems gebildet wird.

Wenn ein solches optisches Bildverkleinerungssystem verwen­ det wird, ist die Verkleinerung der Größe des Licht­ empfangssystem schwierig, und es ist erforderlich, daß die Fläche jeder Bildzelle des Fotosensors klein ist, damit das Auflösungsvermögen aufrechterhalten wird; daher wird eine große Lichtmenge benötigt, um einen ausreichenden Signal­ strom zu erzeugen. Daher werden solche Fotosensoren derzeit für Lesevorrichtungen, die mit niedriger Geschwindigkeit arbeiten und eine lange Lesezeit benötigen oder für Lesevorrichtungen, bei denen ein hohes Auf­ lösungsvermögen nicht notwendig ist, verwendet.

In jüngster Zeit sind Fotosensoren vom Fotoleitertyp be­ schrieben worden, bei denen amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet) als fotoelektrisches Umwandlungs­ element bzw. Wandlerelement ausgenutzt wird. Ein großflä­ chiger oder ein eine große Länge aufweisender Fotosensor dieses Typs kann leicht hergestellt werden, da er durch Vakuumabscheidung einer dünnen Schicht aus a-Si auf einem Glassubstrat hergestellt werden kann. Daher können Origi­ nale von großer Breite mit diesem Fotosensor vom a- Si-Typ gelesen werden, ohne daß ein optisches Bildgrößen­ verkleinerungssystem verwendet wird. Des weiteren kann die Größe einer solchen Lesevorrichtung in einfacher Weise verringert werden.

Die bisher beschriebenen Fotosensoren vom a-Si-Fotoleiter­ typ sind jedoch noch hinsichtlich ihrer Leistungseigen­ schaften und Herstellungskosten verbesserungsfähig. Wenn beispielsweise eine übliche Glasplatte als Substrat verwen­ det wird, kann ein in dem Glas enthaltenes Alkalimetallion in die a-Si-Schicht diffundieren und mit dem a-Si reagie­ ren, was die fotoelektrische Leistung der a-Si- Schicht verschlechtert. Zur Vermeidung dieses Nachteils wird nach dem Stand der Technik die Metallionendiffusion in die a-Si-Schicht so weit wie möglich verhindert, indem eine Glasplatte mit niedrigem Alkalimetallionengehalt, beispielsweise eine Glasplatte aus Bariumborsilicatglas mit einem Alkaligehalt von ca. 0,2 Gew.-%, eine Pyrex-Glasplatte aus Borsilicatglas oder eine Vycor-Glasplatte mit einem Siliciumdioxidgehalt von 96 Gew.-%, verwendet werden. Jedoch sind diese Glasplatten mit niedrigem Alkaligehalt teuer und deren Oberfläche muß wegen der geringen Glätte poliert werden. Dies führt bei der Herstellung von Fotosensoren zu hohen Kosten.

Die DE-OS 31 12 209 beschreibt ein photoelektrisches Wandlerelement, bei dem eine leitfähige ITO-Schicht zwischen Glas und photoleitfähiger Schicht vorgesehen ist, so daß die Alkalimetallionen aus dem Glas nicht in die photoleitfähige Schicht diffundieren können. Diese leitfähige Schicht fungiert als Elektrode.

Aus der DE-OS 28 55 718, DE-OS 30 46 509 und DE-OS 32 43 928 sind elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien bekannt, die zwischen einem Glassubstrat und lichtempfindlicher amorpher Siliciumschicht eine dielektrische Schicht aufweisen. Diese dielektrische Schicht dient dazu, während des Ladevorgangs zur Ladungsbilderzeugung ein Eindringen von Trägern von der Substratseite aus zu verhindern. Außerdem wird durch eine Leitfähigkeitsbehandlung der Oberfläche des Glassubstrats unter Bildung einer leitfähigen Schicht verhindert, daß Alkalimetallionen aus dem Glassubstrat in die lichtempfindliche Schicht diffundieren können.

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Fotosensor zur Verfügung zu stellen, der es erlaubt, als Substrat ein billiges alkalimetallhaltiges Glas zu verwenden, wobei zuverlässig verhindert werden soll, daß Alkalimetallionen vom Glas in die photoelektrische Schicht des Wandlerteils diffundieren.

Gegenstand der Erfindung ist ein Fotosensor mit einem fotoelektrischen Wandlerteil, der aus einem Glassubstrat, einer Schicht aus einem amorphen Material, das Silicium als Matrix enthält, und einem Paar von Elektroden, die im elektrischen Kontakt mit der Schicht aus amorphem Material stehen, aufgebaut ist, der dadurch gekennzeichnet ist, daß zwischen dem Glassubstrat aus einem alkalimetallhaltigem Glas und der Schicht aus amorphem Silicium eine dielektrische Schicht ausgebildet ist.

Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Fotosensors. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. In den Figuren zeigen

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung des erfindungs­ gemäßen Fotosensors;

Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung des Fotosensors,

Fig. 3 die Beziehung zwischen der Dicke der SiO₂- Schicht (dielektrische Schicht) und dem Signal/Rausch- Verhältnis (S/N-Verhältnis);

Fig. 4 eine Beziehung zwischen der Hebegeschwindig­ keit bzw. Herausziehgeschwindigkeit des Substrats und der Dicke der dielektrischen Schicht bei der Bildung der Schicht durch Tauchen;

Fig. 5 die zeitliche Veränderung des fotoelek­ trischen Stroms durch den erfindungsgemäßen Fotosensor;

Fig. 6 die Abhängigkeit des Verhältnisses des Belichtungsstroms zum Dunkelstrom von der Dicke der dielektrischen Schicht.

Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Fotosen­ sors. Der Fotosensor 100 umfaßt ein Glassubstrat 101. Eine dielektrische Schicht 102b, eine fotoelektrische Wandlerschicht 103, ohmsche Kontaktschichten 104a und 104b und Elektrodenschichten 105a und 105b. Die dielektrische Schicht 102a ist je nach Bedarf vorgesehen. Sie dient in effektiver Weise beim Betrieb des Fotosensors 100, um eine Reaktion des Glassubstrats 101 mit atmosphärischem Sauer­ stoff zu verhindern, welcher ein pulverförmiges Alkali­ metalloxid auf der Oberfläche des Substrats 101 erzeugt mit der Schicht 102a wird eine Verminderung der Lichtdurch­ lässigkeit verhindert, wenn optische Signale von der Seite des Substrats 101 auftreffen. Die dielektrische Schicht 102b, welche auf der anderen Seite des Glassubstrats 101 vorgesehen ist, verhin­ dert, daß die fotoelektrische Wandlerschicht aus a-Si wäh­ rend ihrer Bildung mit Alkalimetallionen reagiert, die in dem Substrat 101 enthalten sind, so daß ein noch weiter verbesserter Fotosensor erhalten wird.

Durch Aufgreifen des in Fig. 1 gezeigten Aufbaus ist es erfindungsgemäß möglich, als Substrat eine übliche Glasplatte mit Alkalimetallgehalt zu verwenden, die relativ preiswert und im Handel leicht erhältlich ist und welche bei bekannten Fotosensoren nicht verwendbar war, bei denen a-Si als Komponente der fotoelektrischen Wandlerschicht verwendet wird.

Alkalihaltige Gläser bestehen aus Natron- bzw. Sodaglas, das eine Art Natron-Kalk-Glas ist, Alkalisilicatglas, Alkali­ borsilicatglas, und anderen Gläsern die Alkalimetallionen wie Li, Na, L, Rb, Cs oder Fr enthalten. Alle im Handel erhältlichen alkalimetallhaltigen Gläser können verwendet werden.

Jedoch ist das erfindungsgemäß verwendete alkalireiche Glas nicht auf diese Beispiele beschränkt.

Es ist nicht erforderlich, daß die dielektrische Schicht 102a oder 102b des erfindungsgemäßen Fotosensors in der Lage ist, optische Signale durchzulassen, wenn diese Sig­ nale von der Seite der Elektrodenschicht (105a und 105b) auftreffen, jedoch sollten beide Schichten 102a und 102b in der Lage sein, optische Signale durchzulassen, wenn diese von der Seite des Substrats 101 auftreffen.

Geeignete Materialien für die dielektrischen Schichten 102a und 102b sind anorganische Oxide, beispielsweise SiO₂, SiO, Al₂O₃, TiO₂ und ZrO₂, anorganische Fluoride, beispielsweise MgF₂, CeF₃ und CaF₂ und organische Materialien, bei­ spielsweise Polyimide und Poly(p-xylylen), wenn die opti­ schen Signale von der Seite des Substrats 101 auftreffen sollen. Diese Materialien können alleine oder in Kombina­ tion verwendet werden. Geeignete Verfahren zur Bildung von dielektrischen Schichten sind beispielsweise Vakuumdampfab­ scheidung, Zerstäuben, Ionenplattierung, Tauchbeschichtung, Walzenbeschichtung und Sprühbeschichtung. Falls erforder­ lich, werden die dielektrischen Schichten während oder nach ihrer Bildung wärmebehandelt. Ein besonders bevorzugtes Beispiel dieser Materialien ist SiO₂ mit einem Gehalt von P-Atomen in einer Menge bis zu 10 Gew.-%. Wenn ein solches Material für die dielektrischen Schichten verwendet wird, ist es besonders bevorzugt, Natronglas für das Glassubstrat zu verwenden.

Die Dicke der dielektrischen Schicht 102b wird zweckmäßi­ gerweise in Abhängigkeit vom Anwendungszweck des Foto­ sensors und der benötigten Leistungseigenschaften innerhalb eines Bereiches von vorzugsweise 50 bis 300 nm und ins­ besondere 100 bis 300 nm ausgewählt.

Die fotoelektrische Wandlerschicht in dem erfindungsgemäßen Fotosensor hat die Funktion, die auftreffenden optischen Signale in elektrische Signale umzuwandeln. Diese Schicht wird aus a-Si, vorzugsweise aus einem a-Si mit einem Gehalt von Wasserstoffatomen und/oder Halogenatomen (nachstehend als "a-Si(H,X)" bezeichnet) gebildet.

Wenn die fotoelektrische Wandlerschicht Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält, liegt der Gesamtgehalt von Wasserstoff und Halogen in der Schicht im Bereich von vorzugsweise 0,01 bis 40 Atom-%, noch bevorzugter bei 0,1 bis 35 Atom-% und insbesondere bei 0,1 bis 30 Atom-%.

In der elektrischen Wandlerschicht kann wenigstens ein aus Kohlenstoff, Sauerstoff und Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems ausgewähltes Element eingearbeitet sein, um deren fotoelektrische Umwandlungs-, fotoleitenden oder optischen Eigenschaften an den Anwendungszweck des Fotosensors anzupassen. Geeignete Beispiele der Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems sind B, Al, Ga, In, Tl, N, P, As, Sb und Bi. Insbesondere ist eine Schicht aus a-Si, die wenigstens ein Element aus der Gruppe B, P und N enthält, als fotoelektrische Wandlerschicht bevor­ zugt.

Die ohmschen Kontaktschichten 104a und 104b enthalten a-Si vom n⁺-Typ und zwar vorzugsweise ein a-Si(H,X) vom n⁺-Typ. Diese Typen von ohmschen Kontaktschichten können beispielsweise gebildet werden, indem eine a-Si-Schicht oder eine a- Si(H,X)-Schicht mit P stark dotiert wird.

Die Elektrodenschichten 105a und 105b enthalten bei­ spielsweise ein Metall, etwa Al.

Der erfindungsgemäße Fotosensor mit dem vorstehend be­ schriebenen Aufbau wird beispielsweise in folgender Weise hergestellt. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird ein Glas­ substrat 11, beispielsweise eine 1,1 mm starke Platte aus Natronglas mit einem Brechungsindex von 1,52 in eine SiO₂-Lösung 10 eingetaucht. Die SiO₂-Lösung wird beispielsweise hergestellt, indem man eine Siliciumverbindung (R_nSi(OH)_4-n) und einen Zusatzstoff in einem organischen Lösungsmittel, beispielsweise einem Alko­ hol, einem Ester oder einem Keton auflöst. Die Platte wird dann aus der Tauchlösung herausgenommen und in Luft bei 300°C eine Stunde lang zur Härtung des Überzugs erhitzt, wodurch ein Beschichtungsfilm aus SiO₂ mit einer Dicke von 120 nm gebildet wird. Danach wird eine Schicht aus a-Si und anschließend eine Schicht aus a-Si vom n⁺-Typ durch das Plasma CVD-Verfahren darauf ausgebildet und hierauf wird weiterhin eine Al-Schicht durch das Vakuumzerstäubungsver­ fahren gebildet. Danach wird ein vorgeschriebenes Muster durch eine Fotolithographietechnik gebildet.

Bei dem in Fig. 1 gezeigten erfindungsgemäßen Foto­ sensor ist die Dicke der dielektrischen Schicht 102b aus folgendem Grund beschränkt:

Es gibt eine enge Beziehung zwischen der Dicke der dielek­ trischen Schicht 102b und dem Abbau der Leistungseigen­ schaften des Fotosensors im Verlauf der Zeit. Hierzu wurden Fotosensoren mit einer dielektrischen Schicht 102b, deren Dicke 50 nm, 100 nm, 200 nm bzw. 300 nm betrug und welche aus SiO₂ mit einem Gehalt von 10 Gew.-% P bestanden ein Fotosensor ohne dielektrische Schicht hergestellt. Diese Fotosensoren wurden 500 Stunden lang unter Bedingungen hoher Temperatur (60°C) und hoher Feuchtigkeit (95% rela­ tive Feuchtigkeit) stehengelassen und hinsichtlich der Änderungen im S/N-Verhältnis durch Messung der fotoelektri­ schen Ströme untersucht (d. h. I_p/I_d worin I_p der Be­ lichtungsstrom bzw. Hellstrom und I_p der Dunkelstrom bedeu­ tet). Aus dem in Fig. 3 gezeigten Ergebnis ergibt sich, daß das S/N-Verhältnis von der Dicke der SiO₂-Schicht abhängt, d. h. das Verhältnis nimmt mit steigender Dicke dieser Schicht zu und ist bemerkenswert niedrig, wenn die Schicht dünn ist oder nicht vorgesehen ist. Dies hat seinen Grund darin, daß der Dunkelstrom (I_d) durch den Fotosensor von der Dicke der SiO₂-Schicht abhängt, d. h. I_d steigt mit abnehmender Dicke dieser Schicht an. Dieser I_d-Anstieg wird der Diffusion der als Verunreinigung vorhandenen Alkali­ metallionen vom Glassubstrat in die Schicht aus a-Si zuge­ schrieben. Da der Fotosensor in gewünschter Weise ein S/N- Verhältnis von wenigstens 10² aufweisen soll, liegt die Dicke der dielektrischen Schicht zweckmäßigerweise bei wenigstens 50 nm. Die obere Grenze der Dicke liegt bei 300 nm. da die Innenspannung in der Schicht mit steigender Dicke der Schicht zunimmt, die Haftung der Schicht an dem Glassubstrat abnimmt und ein Ablösen der Schicht bewirkt wird.

Fig. 4 zeigt ein Beispiel der Beziehung zwischen der Dicke der erhaltenen dielektrischen Schicht und der Geschwin­ digkeit des Anhebens bzw. Herausziehens des zu beschichten­ den Substrats durch Tauchen. Die Dicke der erhaltenen dielektrischen Schicht steigt proportional zur Hebege­ schwindigkeit nach dem Tauchen.

Der erfindungsgemäße Fotosensor hat ausgezeichnete Leistungseigenschaften, ist hochzuverlässig und hat stabile I_p- und I_d-Werte, da die Diffusion der Alkalimetallionen vom Glassubstrat in die fotoelektrische Wandlerschicht aus A-Si verhindert wird, indem eine dielektrische Schicht zwischen dem Glassubstrat und der fotoelektrischen Wandler­ schicht, wie vorstehend beschrieben, vorgesehen ist. Daher stehen für das Substrat herkömmliche, preiswerte alkalihal­ tige Glasplatten zur Verfügung, so daß der Fotosensor mit niedrigen Kosten erzeugt werden kann.

Der erfindungsgemäße Fotosensor kann für einen großen Bereich von fotoelektrischen Wandlern zur Verarbeitung von Bildinformationen, wie beispielsweise als Faksimile-, Sende- und Empfangsgerät und als Zeichenlesevorrichtung angewendet werden.

Der erfindungsgemäße Fotosensor kann auch bei Fotoschaltern eingesetzt werden, die Licht anzeigen und es in elektrische Ausgangssignale umwandeln.

Beispiel 1

35 Volumenteile Ethylsilicat wurden in einer Mischung (A) aus 35 Volumenteilen Ethylalko­ hol und 35 Volumenteilen Ethylacetat und einer anderen Mischung (B) aus einem Volumenteil konzentrierter HCl und einem Volumenteil Wasser (Mischverhältnis der Mischung (A) und (B) 9 : 1) aufgelöst. In diese Lösung wurden drei Glas­ platten aus SiO₂ 68,9%, B₂O₃ 10,1%, Na₂O 8,8%, K₂O 8,4%, BaO 2,8%, As₂O₃ 1,0% Gew.-%) mit jeweils einer Dicke von 1,0 mm und einem Brechungs­ index von 1,52 eingetaucht. Die Platten wurden bei ver­ schiedenen Geschwindigkeiten, wie in Fig. 4 gezeigt ist, herausgenommen und bei 300°C erhitzt, so daß beide Ober­ flächen der Platten mit SiO₂-Schichten mit einer Dicke von 100 nm, 200 nm bzw. 300 nm überzogen waren. Eine Seite Jeder beschichteten Platte wurde mit einer a-Si:H-Schicht (entsprechend der fotoelektrischen Wandlerschicht 103) und anschließend mit a-Si:H-Schichten vom n⁺-Typ (entsprechend den ohmschen Kontaktschichten 104a und 104d) durch das Plasma-CVD-Verfahren aufeinanderfolgend beschichtet. ("a- Si:H" bedeutet ein a-Si mit einem Gehalt von Wasserstoff­ atomen). Ferner wurden Elektrodenschichten aus Al (entspre­ chend den Schichten 105a und 105b) auf den ohmschen Kon­ taktschichten durch Vakuumabscheidung gemäß der allgemein bekannten Verfahrensweise ausgebildet.

Andererseits wurde ein Fotosensor hergestellt, indem eine Platte aus dem obigen Glas ohne Beschichtung mit SiO₂ unmittelbar mit den gleichen Schichten wie vorstehend beschrieben be­ schichtet wurde, nämlich einer Schicht aus a-Si:H, Schichten aus a-Si:H vom n⁺-Typ und Elektrodenschichten aus Al. Dieser Fotosensor wird als Sensor P bezeichnet.

Die so hergestellten Fotosensoren wurden im Hinblick auf die Änderungen in den fotoelektrischen Strömen (I_p und I_d) während 200-stündigem Stehen unter Bedingungen hoher Tempe­ ratur (60°C) und hoher Feuchtigkeit (95% relative Feuch­ tigkeit) untersucht. Die Ergebnisse sind in Fig. 5 gezeigt. Es wurde keine merkliche Änderung des I_p im Verlauf der Zeit beobachtet und zwar unabhängig von der Dicke der dielektrischen Schicht 102b, während die Änderung des I_d- Wertes im Verlauf der Zeit mit steigender Dicke der dielek­ trischen Schicht 102b abnahm; die Änderung des I_d-Wertes war bei einer Dicke von 300 nm geringer als bei einer Dicke d. h. das S/N-Verhältnis nach 200 Stunden höher und der I_d-Wert stabiler war, ohne daß er relativ zum I_p-Wert anstieg, wenn die Dicke der dielektrischen Schicht 102b 200 nm oder 300 nm betrug, als wenn die Dicke 100 nm betrug.

Andererseits zeigte der Sensor P, daß der I_d-Wert instabil war und im Verlauf der Zeit stark anstieg, obwohl beinahe keine Änderung des I_p-Wertes im Verlauf der Zeit beobachtet wurde, wie in Fig. 5 gezeigt ist, da Alkalimetallionen als Verunreinigung unmittelbar aus dem Glassubstrat in die Schicht aus a-Si : H diffundieren. Das herabgesetzte S/N-Verhältnis zeigt einen extrem niedrigen Wert nach 200 Stunden langem Stehen. Daher ist der Sensor P für die praktische Anwendung nicht geeignet.

Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, die die Abhängigkeit des S/N-Verhältnisses von der Dicke der dielektrischen Schicht nach 200 Stunden langem Stehen bei 60°C und 95% relativer Feuchtigkeit verdeutlicht, wurde keine wesentliche Änderung des S/N-Verhältnisses zwischen dem Fotosensor mit einer 200 nm dicken dielektrischen Schicht und dem Fotosensor mit einer 300 nm dicken dielektrischen Schicht beobachtet, obwohl die größere Schichtdicke allgemein zu einem größeren S/N-Verhältnis (Signal/Rausch-Verhältnis) führt.

Claims (12)

1. Fotosensor mit einem fotoelektrischen Wandlerteil, der aus einem Glassubstrat, einer Schicht aus einem amorphen Mate­ rial, das Silicium als Matrix enthält, und einem Paar von Elektroden, die im elektrischen Kontakt mit der Schicht aus amorphem Material stehen, aufgebaut ist, dadurch gekennzeich­ net, daß zwischen dem Glassubstrat aus einem alkalimetallhal­ tigem Glas und der Schicht aus amorphem Silicium eine dielek­ trische Schicht ausgebildet ist.

2. Fotosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalimetallhaltige Glassubstrat eine Platte aus Natron­ glas bzw. Sodaglas ist.

3. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die Dicke der dielektrischen Schicht im Bereich von 50 bis 300 nm liegt.

4. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht Silicium­ dioxid mit einem Gehalt von Phosphoratomen in einer Menge bis zu 10 Gew.-% enthält.

5. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die amorphe Siliciumschicht Wasser­ stoffatome enthält.

6. Fotosensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Wasserstoffatome im Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.

7. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die amorphe Siliciumschicht Halo­ genatome enthält.

8. Fotosensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Halogenatomen im Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.

9. Fotosensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die amorphe Siliciumschicht Wasserstoffatome und Halogenatome enthält.

10. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die Elektroden über Ohm'sche Kon­ taktschichten im elektrischen Kontakt mit der amorphen Sili­ ciumschicht stehen.

11. Fotosensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ohm′schen Kontaktschichten aus amorphem Material auf Siliciumbasis vom n⁺-Typ bestehen.

12. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die Schicht aus amorphem Silicium Atome von wenigstens einem Element der aus Kohlenstoff, Sauer­ stoff und Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems bestehenden Gruppe enthält.