DE3423159A1 - Fotosensor - Google Patents

Fotosensor

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DE3423159A1 DE19843423159 DE3423159A DE3423159A1 DE 3423159 A1 DE3423159 A1 DE 3423159A1 DE 19843423159 DE19843423159 DE 19843423159 DE 3423159 A DE3423159 A DE 3423159A DE 3423159 A1 DE3423159 A1 DE 3423159A1
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Description

Die Erfindung betrifft einen Fotosensor, der für einen weiten Bereich von fotoelektrischen Wandlern zur Verarbeitung von Bildinformationen beispielsweise als Faksimile-Sendeund empfangsgerät und als Zeichenlesevorrichtung verwendet wird.
Die bisher verwendeten Fotosensoren vom eindimensionalen Fotodioden-Typ aus kristallinem Silicium haben insofern Nachteile, als deren Anordnungslänge begrenzt ist, weil.die Größe der herstellbaren Einkristalle aus Silicium und ihre Herstellungstechnik begrenzt sind, und als die Ausbeuten davon niedrig sind. Wenn demgemäß das zu lesende Original auf einem relativ großformatigen Papier, beispielsweise DIN A-4 (Breite 210 mm) geschrieben wird, wird das Lesen im allgemeinen dadurch bewerkstelligt, daß eine verkleinerte Aufnahme des Originalbildes auf dem Fotosensor unter Verwendung eines Linsensystems gebildet wird. ,
VII/13
Uenn ein solches optisches Bildverkleinerungssystem verwendet wird ist die Verkleinerung der Größe des Lichtempfangssystem schwierig und es ist erforderlich, daß die Fläche jeder Bildzelle des Fotosensors klein ist, damit das Auflösungsvermögen aufrechterhalten wird; daher wird eine große Lichtmenge benötigt, um einen ausreichenden Signalstrom zu erzeugen. Daher werden solche Fotosensoren derzeit für Lesevorrichtungen, die mit niedriger Geschwindigkeit arbeiten, verwendet, die eine lange Lesezeit benötigen dde'r bei Lesevorrichtungen, bei denen ein hohes Auflösungsvermögen nicht notwendig ist.
In jüngster Zeit sind Fotosensoren von Fotoleitertyp beschrieben worden, bei denen amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet) als fotoelektrisches Umwandlungselement bzw. Ulandlerelement ausgenutzt wird. Ein großflächiger oder ein eine große Länge aufweisender Fotosensor dieses Typs kann leicht hergestellt werden, da er durch Vakuumabscheidung einer dünnen Schicht aus a-Si auf einem Glassubstrat hergestellt werden kann. Daher können Originale mit großer Breite ebenso mit diesem Fotosensor vom a-Si-Typ gelesen werden, ohne daß ein optisches Bildgrößenverkleinerungssystem verwendet wird und die Größe einer solchen Lesevorrichtung kann in einfacher Ueise verringert werden.
Die bisher beschriebenen Fotosensoren vom a-Si-Fotoleitertyp sind jedoch noch hinsichtlich ihrer Leistungseigenschaften und Herstellungskosten verbesserungsfähig. Uenn beispielsweise eine übliche Glasplatte als Substrat verwendet wird, kann ein in dem Glas enthaltenes Alkalimetallion in die a-Si-Schicht diffundieren und mit dem a-Si reagieren, was die fotoelektrische üJanderleistung der a-Si-Schicht verschlechtert. Zur Vermeidung dieses Nachteils wird nach dem Stand der Technik die Metallionendiffusion in die a-Si-Schicht so weit wie möglich verhindert, indem eine
Glasplatte mit niedrigem Alkalimetallionengehalt, beispielsweise eine Glasplatte #7059 (Bariumborsilicatglas mit einem Alkaligehalt von ca. 0,2 Gew.-%), "eine Pyrex-Glasplatte #77£fO (Borsilicatglas) oder eine Vycor-Glasplatte #7913 (Glas mit einem Siliciumdiaxidgehalt von 96 Gew.-96), die von Corning Glass Co. geliefert werden, verwendet werden. Jedoch sind diese Glasplatten mit niedrigem Alkaligehalt teuer und deren Oberfläche muß wegen der geringen Glätte poliert werden. Dies führt bei der Herstellung von Potbsensoren zu hohen Kosten.
Es ist Aufgabe der Erf-indung, einen Fotosensor zur Verfügung zu stellen, der hochzuverlässig arbeitet, eine überlegene Leistungsfähigkeit aufweist und in preiswerter Heise bei stark verminderten Kosten hergestellt werden kann, und der einen fotoelektrischen liJandlerteil aufweist, dessen Eigenschaften kaum verschlechtert werden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Fotosensor mit einem Glassubstrat, einer fDielektrischen üJandlerschicht aus einem amorphen Material, das Silicium als Matrix enthält und mit einem Paar von Elektrodenschichten im elektrischen Kontakt mit der fotoelektrischen LJandlerschicht, der dadurch ausgezeichnet ist, daß wenigstens eine Seite des Glassubstrats mit einer dielektrischen Schicht überzogen ist, und deß die fotoelektrische üJandlerschicht auf einer der dielektrischen Schichten ausgebildet ist.
Die bevorzugten Ausführungsfarmen der Erfindung werden ag nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Fotosensors.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines Verfahrens
zur Herstellung des Fotosensors.
Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen der Dicke der 2
Schicht (dielektrische Schicht) und dem Signal/Rausch-Verhältnis (S/N-Verhältnis).
Fig. if zeigt eine Beziehung zwischen der Hebegeschwindigkeit bzui. Herausziehgeschuiindigkeit des Substrats und der Dicke der dielektrischen Schicht bei der Bildung der Schicht durch Tauchen.
Fig. 5 verdeutlicht die zeitliche Veränderung des fotoelektrischen Stroms durch den erfindungsgemäßen Fotosensar.
Fig. 6 verdeutlicht die Abhängigkeit des Verhältnisses des Belichtungsstroms zum Dunkelstrom von der Dicke der dielektrischen Schicht.
Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung der bevorzugten Ausführungsfarm' des erfindungsgemäßen Fotosensors. In Fig. 1 umfaßt der Fotosensar 100 ein Glassubstrat 101, eine dielektrische Schicht 102b, eine fotoelektrische Uandlerschicht 103, ohmsche Kantaktschichten 104a und 1OUb und Elektrodenschichten 105a und 105b. Die dielektrische Schicht 102a ist je nach Bedarf vorgesehen. Sie dient in effektiver Weise beim Betrieb des Fotosensors 100, um aie Reaktion des Glassubstrats 101 mit atmosphärischem Sauerstoff zu verhindern, welcher ein pulverförmiges Alkalimetalloxid auf der Oberfläche des 5ubstrats 101 erzeugen wird und um hierdurch eine Verminderung der Lichtdurchlässigkeit zu verhindern, wenn optische Signale von der Seite des Substrats 101 auftreffen. Die dielektrischen Schichten 102a und 102b, welche auf beiden Seiten des Glassubstrats 101 vorgesehen sind, können ebenso verhindem, daß die fotoelektrische üJandlerschicht aus a-Si während ihrer Bildung mit Alkalimetallionen- regiert, die in
dem Substrat 101 an der gegenüberliegenden Seite der fotoelektrischen üJandlerschicht enthalten sind, so daß ein noch weiter verbesserter FotosensDr erhalten wird.
Durch Aufgreifen des in Fig. 1 gezeigten Aufbaus ist es erf indungsgernäß möglich, als Substrat eine gewöhnliche Glasplatte mit Alkalimetallgehalt zu verwenden, die relativ preiswert und im Handel leicht erhältlich ist und welche bei bekannten Fotosensoren nicht verwendbar war, bei denen ä-Si als Komponente der fotoelektrischen LJandlerschicht verwendet wird. Der erfindungsgemäße Fotosensor kann selbstverständlich auch aufgebaut werden, indem als Substrat eine Glasplatte verwendet wird, die kein Alkali oder eine solch kleine Alkalimenge enthält, daß im wesentlichen kein nachteiliger Effekt auftritt, wie sie in herkömmlicher Weise als bevorzugtes Material verwendet worden ist.
Alkalihaltige Gläser, die in geeigneter liJeise im Rahmen der Erfindung verwendet werden, sind Natron- bzw. Sodaglas, das eine Art I\latron-Kalk-Glas ist, Alkalisilicatglas, Alkaliborsilicatglas, Borsilicatglas und andere Gläser, die Alkalimetallionen wie Li, IMa, K, Rb, Cs oder Fr enthalten. Beispiele solcher Gläser sind folgende Glassorten PK.1, BKI1 BK7, KB, ZK1, BaK2, KF2, BaLFI, LLFi*, LF1, FL7, PKsI , KzF1 (alle hergestellt von Obara Kogaku Co., Ltd.), BK1, BK7, und BKB (alle hergestellt von Hoya Glass Co., Ltd.).
Jedoch ist das erfindungsgemäß verwendete alkalireiche Glas nicht auf diese Beispiele beschränkt.
Es ist nicht erforderlich, daß die dielektrische Schicht 102a oder 102b des erfindungsgemäßen Fotosensors in der Lage ist, optische Signale durchzulassen, wenn diese Signale von der Seite der Elektrodenschicht (105a und 105b) auftreffen, jedoch sollten beide Schichten 102a und 102b in der Lage sein, optische Signale durchzulassen, wenn diese
von der Seite des Substrats 101 auftreffen.
Geeignete Materialien für die dielektrischen Schichten 102a und 102b sind anorganische Oxide, beispielsweise SiO2, SiO, Al9O7, TiOr, und ZrO9, anorganische Fluoride,, beispielsweise MgF-, CeF, und CaF„ und organische Materialien, beispielsweise Polyimide und Poly(p-xylylen), wenn die optischen Signale von der Seite des Substrats 101 auftreffen sollen. Diese Materialien können alleine ader in Kombinaiiioh verwendet werden. Geeignete !/erfahren zur Bildung von dielektrischen Schichten sind beispielsweise Vakuumdarnpfabscheidung, Zerstäuben, Ionenplattierung, Tauchbeschichtung, Walzenbeschichtung und Sprühbeschichtung. Falls erforderlich, werden die dielektrischen Schichten während oder nach ihrer Bildung wärmebehandelt. Ein besonders bevorzugtes Beispiel dieser Materialien ist SiO2 mit einem Gehalt von P-Atomen in einer Menge bis zu 10 Gew.-%. üJenn ein solches Material für die dielektrischen Schichten verwendet wird, ist es besonders bevorzugt, Natronglas oder Borsilicatglas Für das Glassubstrat zu verwenden.
Die Dicke der dielektrischen Schicht 102b wird zweckmäßigerweise in Abhängigkeit vom Anwendungszweck des Fotosensors und der benötigten Leistungseigenschaften innerhalb eines Bereiches von vorzugsweise 50 bis 300 nm und insbesondere 100 bis 300 nm ausgewählt.
Die fotoelektrische Uandlerschicht in dem erfindungsgemäQen Fotosensor hat die Funktion, die auftreffenden optischen Signale in elektrische Signale umzuwandeln. Diese Schicht wird aus a-Si, vorzugsweise aus einem a-Si mit einem Gehalt von UUasserstof fatomen und/oder Halogenatomen (nachstehend als "a~Si(H,X)" bezeichnet) gebildet.
Wenn die fotoelektrische Lüandlerschicht Wasserstoff atome und/oder Halogenatome enthält, liegt der Gesamtgehalt von
DE 4049
Wasserstoff und Halogen in der Schicht im Bereich von vorzugsweise D,Q1 bis 40 Atom-96, noch bevorzugter bei 0,1 bis 35 Atom-% und insbesondere bei 0,1 bis 30 Atom-%.
In der elektrischen Idandlerschicht kann wenigstens ein aus Kohlenstoff, Sauerstoff und Elementen der Gruppen III und \1 des Periodensystems ausgewähltes Element eingearbeitet sein, um deren fotoelektrische Umwandlungs-, fotoleitsnden oder optischen Eigenschaften an den Anwendungszweck des Pot'osensors anzupassen. Geeignete Beispiele der Elemente der Gruppen III und U des Periodensystems sind B, Al, Ga, In, Tl, IM1 P, As, Sb und Bi. Insbesondere ist eine Schicht aus a-Si, die wenigstens ein Element aus der Gruppe B, P und IM enthält, als fotoelektrische üJandlerschicht bevorzugt.
Die ohmschen Kontaktschichten 104a und 104b enthalten a-Si vom π -Typ vorzugsweise ein a-Si(H,X) vom n+-Typ. Diese Typen von ohmschen Kontaktschichten können beispielsweise gebildet werden, indem eine a-Si-Schicht oder eine a-Si(H,X)-Schicht mit P stark dotiert wird.
Die Elektrodenschichtsn 105a und 105b enthalten beispielsweise ein Metall, etwa Al.
Der erfindungsgemäße Fotosensor mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird beispielsweise in folgender Weise hergestellt. Uie in Fig. 2 gezeigt ist, wird ein Glassubstrat 11, beispielsweise eine 1,1 mm starke Platte aus Natronglas mit einem Brechungsindex von 1,52 oder eine 1,1 mm starke Platte aus Borsilicatglas mit einem Brechungsindex von 1,54 in eine SiO„-Lösung 10 eingetaucht. Die SiOp-Lösung wird beispielsweise hergestellt, indem man eine Siliciumverbindung /R Si(OH)^n/ und einen Zusatzstoff in einem organischen Lösungsmittel, beispielsweise einem Alkohol, einem Ester oder einem Keton auflöst. Die Platte wird
dann aus der Tauchlösung herausgenommen und in Luft bei 3000C eine Stunde lang zur Härtung des Überzugs erhitzt, wodurch ein Beschichtungsfilm aus SiD„ mit einer Dicke von 120 nm gebildet uiird. Danach idird eine Schicht aus a-Si und anschließend eine Schicht aus a-Si vom η -Typ durch das Plasma CVD-Verfahren darauf ausgebildet und hierauf wird weiterhin eine Al-Schicht durch das Vakuumzerstäubungsverfahren gebildet. Danach wird ein vorgeschriebenes Muster durch eine Fotolithographietechnik gebildet.
Bei einem bevorzugten Aufbau des in Fig. 1 gezeigten Foto- *.* ·'
sensors ist die Dicke der dielektrischen Schicht 102b im
obigen Bereich aus folgendem Grund beschränkt:
Es gibt eine enge Beziehung zwischen der Dicke der dielektrischen Schicht 102b und dem Abbau der Leistungseigenschaften des Fotosensors im Verlauf der Zeit. Hierzu wurden Fotosensoren mit einer dielektrischen Schicht 1D2b deren Dicke 50 nm, 100 nm, 200 nm bzw. 300 nm betrug und welche aus SiOp mit einem Gehalt' von 1.0 Gew.-% P bestand und ein Fotosensor ohne dielektrische Schicht hergestellt. Diese Fotosensoren wurden 500 Stunden lang unter Bedingungen hoher Temperatur (600C) und hoher Feuchtigkeit (95 % relative Feuchtigkeit) stehengelassen und hinsichtlich der Änderungen im S/N-Verhältnis durch Messung der fotoelektrischen Ströme■untersucht (d. h. I /I., worin I der Be-
p d' ρ
lichtungsstrom bzw. Hellstram und I der Dunkelstrom bedeutet). Aus dem in Fig. 3 gezeigten Ergebnis ergibt sich, daß das S/N-Verhältnis von der Dicke der SiO„-Schicht abhängt,
d. h. das Verhältnis nimmt mit steigender Dicke dieser Schicht zu und ist bemerkenswert niedrig, wenn die Schicht dünn ist oder nicht vorgesehen ist. Dies hat seinen Grund darin, daß der Dunkelstrom (1^) durch den Fotosensor von der Dicke der SiO2-Schicht abhängt, d. h. Id steigt mit abnehmender Dicke dieser Schicht an. Dieser I ,-Anstieg wird der Diffusion der als Verunreinigung vorhandenen Alkali-
metallionen vom Glassubstrat in die Schicht aus a-Si zugeschrieben. Da der FDtosensor in gewünschter Weise ein Ξ/Ν-
2
Verhältnis von ujengistens 10 aufweisen soll, liegt die Dicke der dielektrischen Schicht zweckmäßigerweise bei wenigstens 5G nm. Die obere Grenze der Dicke liegt bei 3OG nm, da die Innenspannung in der Schicht mit steigender Dicke der Schicht zunimmt, die Haftung der Schicht an dem Glassubstrat abnimmt und ein Abschälen der Schicht bewirkt wird.
ίο .; '·
Fig. U zeigt ein Beispiel der Beziehung zwischen der Dicke der resultierenden dielektrischen Schicht und der Geschwindigkeit des Anhebens bzw. Herausziehens des zu beschichtenden Substrats durch Tauchen. Die Dicke der resultierenden dielektrischen Schicht steigt proportional zur Hebegeschuindigkeit nach dem Tauchen.
Der erfindungsgemäße Fotosensor hat ausgezeichnete Leistungseigenschaften, ist hochzuverlässig und hat stabile I - und I ,-Werte, da die Diffusion der Alkalimetallionen vom Glassubstrat in die fotoelektrische Uandlerschicht aus a-Si verhindert wird, indem eine dielektrische Schicht zwischen dem Glassubstrat und der fotoelektrischen Uandlerschicht, wie vorstehend beschrieben, vorgesehen ist. Daher stehen für das Substrat herkömmliche, preiswerte alkalihaltige Glasplatten zur Verfügung, so daß der Fotosensor mit niedrigen Kosten erzeugt werden kann.
Der erfindungsgemäße Fotosensor kann nicht nur bei BiId-Lesevorrichtungen sondern auch bei Fotoschaltern eingesetzt werden, die Licht anzeigen und es in elektrische Ausgangssignale umwandeln.
Beispiel 1
35 Volurnenteile Ethylsilicat (geliefert von Nippon Holcoat
Co. Ltd. unter der Warenbezeichnung Ethyl Sicilate 40) wurde in einer Mischung (A) aus 35 Uolumenteilen Ethylalkohol und 35 Volumenteilen Ethylacetat und einer anderen Mischung (B) aus einem Volumenteil konzentrierter HCl und einem Volumenteil Ulasser (Mischverhältnis der Mischung (A) und (B) 9:1) aufgelöst. In diese Lösung wurden drei Glasplatten (BK7 von Oguri Hogaku Co., Ltd., SiO2 68,9 %, B2O3 10,1 %, IMa2O 8,8 %, K2O 8, k %, BaO 2,8 %, As2O3 1,0 % Gew.-%) mit jeweils einer Dicke von 1,0 mm und einem Brechungsp.Jndex von 1,52 eingetaucht. Die Platten wurden bei verschiedenen Geschwindigkeiten, wie in Fig. k gezeigt ist herausgenommen und bei 3000C erhitzt, so daß beide Oberflächen der Platten mit SiO„-Schichten mit einer Dicke von 100 nm, 200 nm bzw. 300 nm überzogen waren. Eine Seite jeder beschichteten Platte wurde mit einer a-Si:H-Schicht (entsprechend der fataelektrischen LJandlerschicht 103) und anschließend mit a-Si:Η-Schichten vom n+-Typ (entsprechend den ohmschen Kantaktschichten 104a und 104d) durch das Plasma-CVD-Verfahren aufeinanderfolgend beschichtet. ("a-Si:H" bedeutet ein a-Si mit einem Gehalt von lüasserstoffatomen). Ferner wurden Elektrodenschichten aus Al (entsprechend den Schichten 105a und 105b) auf den ohmschen Kontaktschichten durch Vakuumabscheidung gemäß der allgemein bekannten Verfahrensweise ausgebildet.
Andererseits wurde ein Fotosensor hergestellt, indem eine Platte aus BK7-Glas ohne Beschichtung mit SiO2 unmittelbar mit den gleichen Schichten wie vorstehend beschrieben beschichtet wurde, nämlich einer Schicht aus a-Si:H, Schichten aus a-Si:H vom n+-Typ und Elektrodenschichten aus Al. Dieser Fotosensor wird als Sensor P bezeichnet.
Die so hergestellten Fotosensoren wurden im Hinblick auf die Änderungen in den fotoelektrischen Strömen (I und I .)
pd während 200 stündigem Stehen unter Bedingungen hoher Temperatur (6O0C) und hoher Feuchtigkeit (95 % relative Feuch-
tigkeit) untersucht. Die Ergebnisse sind in Fig. 5 gezeigt. Es iiiurde keine merkliche Änderung des I im Verlauf der Zeit beobachtet und zwar unabhängig von der Dicke der dielektrischen Schicht 102b, während die Änderung des I .-liiertes im Verlauf der Zeit mit steigender Dicke der dielektrischen Schicht 102b abnahm; die Änderung des I ,-Wertes mar bei einer Dicke \ion 300 nm geringer als bei einer Dicke von 100 nm. Ferner ergibt sich, daß das I /I ,-Verhältnis,
pd '
d. h. das S/N-Verhältnis nach 200 Stunden höher und der I ,-üjert stabiler uar, ohne daß er relativ zum I -Wert anstieg, wenn die Dicke der dielektrischen Schicht 102b 200 nm oder 300 nm betrug, als uenn die Dicke 100 nm betrug.
Andererseits zeigte der Sensor P, daß der I ,-Wert instabil war und im Verlauf der Zeit stark anstieg, obwohl beinahe keine Änderung des I -Wertes im Verlauf der Zeit beobachtet wurde, wie in Fig. 5 gezeigt ist, da Alkalimetallionen als Verunreinigung unmittelbar aus dem Glassubstrat in die Schicht aus a-Si:H diffundieren. Das herabgesetzte S/I\l-Verhältnis zeigt einen extrem niedrigen Wert nach 200 Stunden langem Stehen. Daher ist der Sensor P für die praktische Anwendung nicht geeignet.
Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, die die Abhängigkeit des S/N-Verhältnisses von der Dicke der dielektrischen Schicht nach 200 Stunden langem Stehen bei 600C und 95 % relativer Feuchtigkeit verdeutlicht, wurde keine wesentliche Änderung des S/I\l-Verhältnisses zwischen dem Fotosensor mit einer 200 nm dicken dielektrischen Schicht und dem Fotosensor mit einer 300 nm dicken dielektrischen Schicht beobachtet, obwohl die größere Schichtdicke allgemein zu einem größeren S/IM-Verhältnis (Signal/Rauch-Verhältnis) führt.
Leerseite-

Claims (1)

  1. ._. n \f rs. Patentanwälte und f»
    TlEDTKE - DÜHUNG " jVlNNE - VlRUPE : Vertreter beim EPA */»
    -^ - : - :λ- ::- - "--":.:. Dipl.-lng. H.Tiedtke I
    PE LLMAN N " UIRAMS.*. OTJFUlP -..- : Dipl.-Chem. G. Bühling
    Dipl.-lng. R. Kinne *
    Dipl.-lng. P. Grupe Dipl.-lng. B. Pellmann Dipl.-lng. K. Grams Dipl.-Chem. Dr. B. Struif
    3423159 Bavariaring 4, Postfach 20 2403
    8000 München 2
    Tel.: 089-539653 Telex: 5-24 845 tipat Telecopier: 0 89-537377 cable: Germaniapatent München
    22. Juni
    ' "'■ DE
    Patentansprüche
    J/ Fotasensor mit einem Glassubstrat, einer fotoelektrischen Umuiandlungsschicht bzu. Idandlerschicht aus einem amorphen Material, das Silicium als Matrix enthält und mit einem Paar von Elektrodenschichten im elektrischen Kontakt mit der fotoelektrischen Üandlerschicht, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Seite des Glassubstrats mit einer dielektrischen Schicht überzogen ist, und daß die fotoelektrische Uandlerschicht auf einer der dielektrischen Schichten ausgebildet ist.
    2. Fotosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Glassubstrat eine Platte aus Natronglas bzw. Sodaglas ist.
    3. Fotosensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Glassubstrat eine Platte aus Borsilicatglas ist.
    U. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Glassubstrat Alkalimetallionen enthält.
    VII/13
    Dnsdntr Bank (Manchen) Kto. 3939844 DeuliCh« Bank (München) Klo. 2861060 Postscheckamt (München) Kto 670-43-804
    5. FotDsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der dielektrischen Schichten im Bereich von 50 bis 3DD nm liegt.
    6. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht Siliciumdioxid mit einem Gehalt von Phosphoratomen in einer Menge bis zu 1D Geu.-% enthält.
    ,' 7. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische üJandlerschicht lüasserstoffatome enthält.
    8. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Wasserstoffatome in der fotoelektrischen Uandlerschicht im Bereich von G,01 bis hO Atom-% liegt.
    9. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische Ulandlerschicht Halogenatome enthält.
    10. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrisch^ lilandlerschicht Halogenatome im Bereich von 0,01 bis Uü Atom-% enthält.
    11. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische Uandlerschicht lüasserstoffatome als auch Halogenatome enthält.
    12. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Elektrodenschicht im elektrischen Kontakt mit der fotoelektrischen Uandlerschicht über eine ohmsche Kontaktschicht steht.
    13. Fotosensar nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Elektrodenschicht im elektrischen Kontakt mit der fotoelektrischen LJandler-5 schicht über eine Schicht steht, die in amorphes Material auf Siliciumbasis vom n+-Typ umfaßt.
    1 i*. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische IO ülandlerschicht wenigstens ein aus Kohlenstoff, Sauerstoff und Elementen der Gruppen III und U des Periodensystems ausgewähltes Element enthält.
DE19843423159 1983-06-24 1984-06-22 Fotosensor Granted DE3423159A1 (de)

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