DE1596900A1 - Glaszusammensetzung - Google Patents
GlaszusammensetzungInfo
- Publication number
- DE1596900A1 DE1596900A1 DE19651596900 DE1596900A DE1596900A1 DE 1596900 A1 DE1596900 A1 DE 1596900A1 DE 19651596900 DE19651596900 DE 19651596900 DE 1596900 A DE1596900 A DE 1596900A DE 1596900 A1 DE1596900 A1 DE 1596900A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- atomic percent
- glass
- tube
- arsenic
- iodine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 17
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CTNCAPKYOBYQCX-UHFFFAOYSA-N [P].[As] Chemical compound [P].[As] CTNCAPKYOBYQCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910001586 aluminite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Minnesota
Glaszuflaramensetzung
Die vorliegende Erfindung betrifft aus Phosphor, Arsen,
Schwefel, Jod und gegebenenfalls Antimon bestehende
Glaszusammensetzungen. Die Glasmassen gemäß der Erfindung
können als «rue nineii nuaternären od*»r einem
quinärtn System bestehend angesehen werden, wie in der
nachstehenden Tabelle X angeführtt
Zusantmensf tzungsbereich |
Antimon
(Sb> |
- Atom-Prozente (i) |
Jod
(D |
|
Gias-Syi>t«m |
Phosphor Arsen
(P) (A3) |
0-35 |
Schwefel
(S) |
5-20
2-22 |
IV p~\ ,-S-T
V P-As-Sb-S-I |
1»12 20-40
1-10 5-J^ |
40-60
41-54 |
||
Ariini' rk | ungen yii Tabelle Ii |
( I') die Gefi.-iHiti'-aljl der Atomprozerite Hur betreffenden
Element»: in jt-dex £*?f,üben«n ZiiAiimiii-en***tzung b
^f 10Ü.
1090U/0311 BAD ORIGINAL
Das quaternäre System (wie Glassystem IV in der' Tabelle IJ
Arsen-Pnosphor-Schwefele Jod, und das quinäre System
twie Gl as sys tem V in der Tabelle I,) Arsen-Phosphor«.Schwefel-Amtimon-Jod,
stellen neuartige Klassen von Glaszusammensetzungen
dar, die n^jpht nur- wr Herstellung von
Halbleitervorriciitun^en von Nutzen sein können, sondern
auch, dadurch ausgezeichnet sind, daß sie in flüssigen
(geschmolzenen) Zustand einen ungewöhnlich hohen D«Mp£·-
druck aufweisen. Dieser Dampfdruck ist wesentlich höher als der anderer Gläser, die für .Halbleitervorrichtungen
brauchbar sind· Die erfindungegemässen Gläser
sind vorteilhafterweise zum Aufdampfen von dünnen orientierten Glasschichten geeignet·
Nachstehend werden Veri ahren zur Herstellung der erfindungsgemassen
quaternär en und quinären Gl ils er beschrieben.
Xm allgemeinen bestehen dxe Ausgangsstoffe für die
Erzeugung der erfindungsgemässen Glasmassen entweder
aus den Elementen selbst oder aus VerDiniiungen aus
zwei oder mehr solcher Elemente· Bei Verwendung von
unvereinigten Elementen, ist es im allgemeinen vorzuziehen,
jedes Element in hochreiner und fein zerteilter Form zu verwenden. Da das Element Jod jedoch sehr
flüchtig ist, so ilt «β vorzuziehen, anstelle des Jods
selbst
1098U/0311 BAD ORIGINAL
- 3 selbst Jadverbindungen, z.B. AsI „ zu verwenden.
Für die Zubereitung der Zusammensetzungen hat sich für
das Element Schwefel fein »erteilte Schwefelblume als
geeignet erwiesen« Vorzugsweise werden körniges oder
pulverisiertes analysenreines Arsen» Antimon oder Phosphor
verwendet. Bei Schwefel und Arsen kann vorzugsweise ein® Vorreaktion zu As S„ durchgeführt werden, bevor
der ternäre Bestandteil zugesetzt und danach ein Glas erzeugt wird«
Im allgemeinen können zwei Verfahren zur Herstellung
der Glaszusammensetzungen der Erfindung angewendet werden« Nach dem einen Verfahren werden die Ausgangsstoffe in
einem geschlossenen Rohr geschmolzen, während nach dem
anderen Verfahren die Ausgangsstoff· in einem offenen
Rohr geschmolzen werden«,
Nach dem Verschließen wird das Rohr in einer heißen Zone
axial drehbar gelagert, die auf einer Temperatür von 8OO C und höher gehalten wird. Jedes verscriloseen·
Rohr wird ungeführ eine halbe Stunde bis ein· Stunde
lang in einer solchen heißen Zone stehen gelassen, bis
eine homogene Schmelze erzielt worden ist. Hiernach wird das Rohr mit der Schmelze aus der heißen Zone entfernt
und langsam abkühlen gelassen« Zeigt sich eine Kristallisation, so \tfird der Inhalt des Hohres nochmals
geschmolzen und rasch abgekühlt.
-.109-814/0311 Bsi*.
Bein Schmelzen in einem·offenen Rohr können hitzefeste
Glasrohr· verwendet und in jedes Rohr eine abgemessene vorgemischte Menge einzeln abgewogener Ausgangsstoffe
eingefüllt werden« Jedes Rohr wird dann in eine heiße Zone eingebracht, die auf einer üblicherweise oberhalb
von ungeffiiir 500 C liegenden Temperatur und vorzugsweise
etwas oberhalb von ungefähr 550 C gehalten wird. Obwohl die Zeiten, in denen die Ausgangsstoffe schmelzen
und homogen werden, verschieden lang sind, so liegen diese Zeiten im allgemeinen in einem Bereich von 1/2
bis 1 Stunde, obwohl je nach den Umständen kürzere oder längere Zeiten benötigt werden. Umrühren fördert
die Homogenität» Nachdem eine homogene Schmelze erreicht worden ist, wird das Rohr aus der heißen Zone entfernt
und in der Luft bei Raumtemperatur abkühlen gelassen.
Diese Abkühlung erfolgt ist allgemeinen langsamer als ungefähr 10° C u»o Sekunde·
Vird in der Scruaelze beim langsamen Abkühlen im Rohr
eine Kristallisation beobachtet, so kann das Rohr nochmals in die heiße Zone eingebracht und das Gemisch
nochmals geschmolzen werden. Nach dem Herausnehmen aus der heißen Zone wird das Rohr und dessen Inhalt
rasch abgeschreckt z*B. durch Eintauchen in Vaeser
oder dergleichen bei Raumtemperatur, so daH die Abkühlung
rascher als jeweils 1OO C pro Sekunde erfolgt.
Zur
1098U/.0311
BAD ORIGINAL
Zur Untersuchung der glasbildenden Merkmale des Systems
ist das Verfahren unter Verwendung eines verschlossenen evakuierten Rohres vorzuziehen, da hiorbei mögliche
Verluste aurch Verflüchtigung während des Schmelzens
vermieden werden, die zu einer Änderung der Zusammensetzung
fuhren können· Ferner können um ungefähr 100 C
höhere 'l'pmneraturen nn^ewenrtet wurden, so dall Bestandteile,
die an t.ich schver löslich sind« sich leichter
lösen.
Zum Aufdampfen von dünnen Glasschichten auf eine Altimi—
nlumunter La-·ρ f muss jedoch das SchmeJ zveri ahren unter
Benutzung eines offenen Hohrea angewendet werden. In
einigen Fällen wurden Gläser, die nacn dem ein geschlossenes
Rohr benutzenden Verfahren hergestellt waren, in
einem offenen Rohr nochmals geschmolzen und als dünne Schichten aufgedampft·
Unabhängig von dem Verfahren des Schmelzen© und Abkühlen β
wird sodann eine abgeschreckte Seluneise untersucht, um
deren Zustand su bestimmen «ovl* u» festzustellen^ «b
GXasbildung erfolgt 1st, und zwar nach folgenden Riehtlinien»
1. Muscheliger Bruch beim Zerbrechen einer Probe»
?«: Im wesentlichen keine Doppelbrechung bui Untersuchung
unter einem petrogriiphisehen Mikroskop*
1098U/0311
(mit einem Glas, das für eine solche Untersuchung lichtdurchlässig gemiß ist)»
3· Im wesentlichen keine ausgeprägten Linien, wenn
eine Probe nach dem Röntgenstrahlen-Pulver-Diffrate»
tionsverfahren untersucht wird·
4» Allmähliches Erweichen und schließlich nochmaliges
Schmelzen einer Probe bei Erhöhung der Temperatur (im Gegensatz zu den scharf ausgepräg«··
ten Schmelzpunkten, die bei kristallisierten Stoffen beobachtet werden)·
5· Ziehen eines langen Fa<1«ns (ungefähr d/k Meter
oder langer) aus einer Probe geschmolzenen Materials,
der weniger al? ungefähr 0,5 Gramm
wiegt, bevor die Probe fest wird.
In der Tabe'te II werden Beispiele für die Glasbildung
im Rahmen der Erfindung gegeben,
a» Anlaset Tabelle II
Bei einer gegebenen Zusammensetzung soll bei einer Erhitzung
auf ungefähr 500 bis 6O0° C der Dampfdruck
Torr übersteigen« Ih allgemeinen Belohnen sich alle
Glassueanna«ns<?tzungen der Erfindung dadurch aus, daßeis
eine Aluniinlumfläohe benetzen und an dieser haften
bleiben«. Eine solche Fläche ist dadurch gekennzeichnet»
daß
1 OSf U/03 11 BADORiGWAL
da.ß sie
1» eine Rauhtiefe von nicht mehr als ungefähr
O>'6.25 Mikron (quadratischer Mittelwert) auf-
we i st,
2« im wesentlichen frei von Alumiriiumoxyd ist,
2« im wesentlichen frei von Alumiriiumoxyd ist,
und
'3e einf Temperatur von nicht mehr als ungefähr
'3e einf Temperatur von nicht mehr als ungefähr
500° G besitzt·
Die neuen Glaszusammensetzungen nach der Erfindung sind
nicht nur durch die Fähigkeit j eine AiuminitimfHiche zu
benetzen und an dieser zu heften, gekennzeichnet sondern
auch dadurch, daß der Dampfdruck ,bei Tempern türen von
ungefähr 5OO bis 600 C etwa 10 Torr sowie allgemein
die Dampfdrücke anderer Glaszusammensetzungen, deren Verwertbarkeit für Halbleiter-Vorrichtungen bekannt ist,
übersteigt. Solche hohen Dampfdrücke sind offenbar von Vorteil beim Aufdampfen von dünnen Gl;: sbc lägen auf
Unterlagen.
Der vorstehend verwendete Ausc'ruck "Ιιφίβsentlichen
oxydfrei", in Bezug auf die zu bedampfende Aluminium-Oberfläche
soll bedeuten, daß diese Oberfläche kein Aluminiumoxyd aufweist außer dem Aluminiumoxyd, das
erzeugt wird, wenn die Aluminiunifläche der Einwirkung
der
109814/031 1 BAD0R1G.NAL
der Luft bei Raumtemperatur (20° C) ungefähr 12 Stunden
lang ausgesetzt wird, nachdem die Aluminiumfläche zuerst
in eine wässerige Lösung von 2Q "$ Ammoniumhydroxyd solange
eingetaucht worden ist, daß jedes Aluminiumoxyd von der
Fläche entfernt wurde, wonach die Fläche aus der Lösung
entfernt, mit Wasser gewaschen und getrocknet wird.
Auf eine Aluminiumunterlage können dünne Schichten der oben beschriebenen Glaszusammensetzungen nach bekannten
und herkömmlichen Verfahren aufgedampft werden.
Ein solches Verfahren, das sich als besonders befriedigend
erwieson hat, geht von einem Glas aus, das in einem geschlossenen Rohr, wie oben beschrieben, hergestellt
worden ist. Das Glas wird danach in einem offenen Rohr nochmals geschmolzen, wobei nur der untere Teil des
Rohres erhitzt wird, und das Volumen des Glases in der heißen Zone klein let Ib Vergleich zu dem Gesamtvolumen
des Rohres, so daß das Glas, wenn es bei einer Tempera·»
tür von mehr ale 5OO C echmilat, oberhalb der Flüssig-'-'
keit einen erheblichen Dampfdruck aufweist, der einen
großen Prozentsatz der im Rohr befindlichen Luft ersetzt«
Diese hochkonzentrierten Dämpfe kondensieren eich leicht
an der kühlen (d.h· anfange Rauntemperatur aufweisenden)
Oberfläche der Aluminiumunterl&ge.
Diese
BAD ORIGINAL 10981470311
Diese Alumlniumunterlage, (allgemein ein Blechstreifen)
wird in den Dämpfen oberhalb der Glasschmelze so lange belassen, bis sich ein zusammenhängender Belag gebildet
hat· Dies erfordert im allgemeinen zwei bis drei Minutes.·
Während dieser Zeit kann die Temperatur an der Oberfläche der Aluminiumunterlabe um mehrere hundert Grad Celsius
ansteigen, bleibt jedoch im allgemeinen unter der Temperatur dee geschmolzenen Glases.
Nachdem eine gewünschte Menge der Dämpfe sich auf der
Unterlage als eine glatte Glasschicht niedergeschlagen
hat, wird die Unterlage mit den Belag aus dem Rohr herausgenommen und ,an der Luft bei Raumtemperatur abkühlen
gelassen. Das auf diese Weise niedergeschlagene Glas bildet auf der JU.uroiniumunterläge einen im wesentlichen
zusammenhängenden Belag von glänzendem und schimmerndem Aussehen· Der Farbbereich erstreckt sich von Hellgelb
(bei den Arsen, Schwefel und Jod enthaltenden Zusammensetzungen),1 bis zu Dunkelrot (bei den wesentlich· Mengen
von Antimon enthaltenden Zusammensetzung«»)·
Die Dicke des Belags hangt in erheblichem Ausmaß von
der Zelt at>, während der die Aluminiumunt<rlag· in den
Dampfen oberhalb der Schmelze verbleibt. Die Dicke einer
Aufdamptung beträgt UblicherweiHe und vorzugsweise ungefähr 0,00175 β« bis zu ungefähr 0,025 sun, mit einen
1098U/0311 Per
Der ölasbelag weist das wichtige Merkmal auf, daft er
geordnet werden kann, wie aus einer Röntgenstrahlendiffraktions-Rückreflexionsanalyse in bezug auf die
Alunlniuoranterläge ersichtlich ist· Wie bekannt, bezieht
sich der Ausdruck "geordnet" auf eine feststehende Beziehung zwischen den Atoaen in der Glasschicht und den
Atomen der Oberflächenschicht der Unterlage. Es wird ohne Bindung an eine Theorie angenomnen, daß die AluminitMunterläge, deren Eigenschaften bereits beschrieben
wurden, die Art des Aufdampfens der zuvor beschriebenen Glaszusammensetzungen beeinflusst· Vie bereits erwähnt,
weist Aluminium eine vorzugsweise orientierte Oberfläche in bezug auf die Metallkristalle auf und bewirkt Mindestens eine teilweise Orientierung der aufgedampften
Glasschichten.
1098U/0311
II | Ausgangs-Zusammens. | P | itom-?6 | Sb | S | I | relative | relat. Dampfdr· | Aussehen des auf die | |
des Glases | As | Flüssigkeit | oberhalb der | Unterlage aufgedampften | ||||||
Dünne, orientierte, auf eine Aluminiumunterlage aufgedampfte Glasschichten^· ' | A | 12 | 48 | 15 | do Schmelze | Schmelze bei | dünnen Films | |||
4 | 25 | 48 | 15 | bei 5000C | 5000O | |||||
xjexspisx | 1 | 33 | 45 | 18 | ||||||
Nr* | 8 | 36 | 50 | 2 | hoch | hoch | glasig, jede uneben | |||
TABELLE | 1 | 40 | 60 | 3 | hoch | hock | glasig, gleichmäßig | |||
System IV | 15 | 36 | 40 | 25 | hoch | hoch | glasig, gleichmäßig | |||
1 | 20 | hoch | hoch | glasig, gleichmäßig | ||||||
2 | hoch | hoch | glasig, gleichmäßig | |||||||
3 | 4 | 18 | 48 | 15 | hoch | hoch | schlechter Belag, stumpf | |||
4 | 4 | 15 | UI | 54 | 2 | und ungleichmäßig | ||||
5 | CVi | 35 | 30 | 41 | 22 | |||||
10 | Ul | 15 | 48 | 15 | hoch | hoch | glasig, gleichmäßig | |||
10 | mittel | mittel | glasig, ungleichmäßig | |||||||
System V | hock | hoch | glasig, gleichmäßig | |||||||
7 | hoch | hoch | glasig, gleichmäßig | |||||||
8 | ||||||||||
9 | ||||||||||
10 |
O | CD |
ir- | σ |
\ | O |
•-^ | |
d | |
».ο | ma |
—* | |
—* | |
(1) Bei diesen Beispielen besteht die Aluminiumunterlage aus Streifen mit einer
Länge von ungf. 15»25 ei, einer Breite von ungf«, 1,27 cm und einer Dicke von
ungf«0,4 mm und mit einer Oberfläche, die eine Glätte von ungf„0,075 - 0,125 Mikron
(quadrat· Mittelwert) aufweist und mit einer 20#~igen NH,OH~Lösung frisch geätzt
wurde, 4
cn co cn co ο
VJl 00
Claims (1)
15969Ö0
M 1758
Patentansorü ehe j
1« Glaszusammensetzung, dadurch gekennzeichnet, daß
sie aus den nachstehenden Bestandteilen besteht:
etwa 1-12 Atoeprozent Phosphor etwa 5 - 4·0 Atomprozent Arsen
etwa 4O-6O Atomprozent Schwefel etwa 2 -22 Atomprozent Jod und gegebenenfalls
etwa 0 -35 Atomprozent Antimon
2» Gl as zusammensetzung, dadurch gekennzeichnet, daß
sie aus den nachstehenden Bestandteilen bestehtt'
etwa 1 - 10 Atomprozent Phosphor, etwa 5 - 35 Atomprozent Arsen
etwa 41 - 5k Atomprozent Schwefel,
etwa 2-22 Atomprozent Jod und gegebenenfalls etwa 0-35 Atomprozent Antimon
3. GlaezusanimensetzungeÄ, dadurch gekennzeichnet, daß
sie aus den nachstehenden Bestandteilen besteht!
• twa
109814/0311
BAD ORIGINAL
•twa 1-12 Atomprozent Phosphort
etwa 20 - ko Atomprozent Arsen,
•twa kO - 6O Atomprozent Schwefel und
etwa 2 - ?O Atomprozent Jod,
M 175B
Kichh./P<
109814/0311
Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37648364A | 1964-06-19 | 1964-06-19 | |
US490519A US3312924A (en) | 1964-06-19 | 1965-09-27 | Solid state switching device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1596900A1 true DE1596900A1 (de) | 1971-04-01 |
Family
ID=27007436
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM65620A Pending DE1279242B (de) | 1964-06-19 | 1965-06-18 | Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten |
DE19651596900 Pending DE1596900A1 (de) | 1964-06-19 | 1965-06-18 | Glaszusammensetzung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM65620A Pending DE1279242B (de) | 1964-06-19 | 1965-06-18 | Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3312924A (de) |
DE (2) | DE1279242B (de) |
FR (1) | FR1448162A (de) |
GB (2) | GB1117003A (de) |
NL (1) | NL6507893A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3418619A (en) * | 1966-03-24 | 1968-12-24 | Itt | Saturable solid state nonrectifying switching device |
JPS4911446B1 (de) * | 1970-08-28 | 1974-03-16 | ||
US4492763A (en) * | 1982-07-06 | 1985-01-08 | Texas Instruments Incorporated | Low dispersion infrared glass |
US10191186B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Schott Corporation | Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed |
JP6379378B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-08-29 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 光電気混載基板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL251725A (de) * | 1959-06-03 | 1900-01-01 | ||
NL123202C (de) * | 1960-04-22 | |||
NL257146A (de) * | 1960-10-22 | |||
US3117013A (en) * | 1961-11-06 | 1964-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Glass composition |
DE1252819B (de) * | 1961-11-06 | 1967-10-26 | Western Electric Company Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.) | Elektronisches Festkörperbauelement |
NL294762A (de) * | 1962-08-01 |
-
1965
- 1965-06-18 NL NL6507893A patent/NL6507893A/xx unknown
- 1965-06-18 DE DEM65620A patent/DE1279242B/de active Pending
- 1965-06-18 DE DE19651596900 patent/DE1596900A1/de active Pending
- 1965-06-19 FR FR21527A patent/FR1448162A/fr not_active Expired
- 1965-06-21 GB GB6070/68A patent/GB1117003A/en not_active Expired
- 1965-06-21 GB GB26195/65A patent/GB1117001A/en not_active Expired
- 1965-09-27 US US490519A patent/US3312924A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1117003A (en) | 1968-06-12 |
GB1117001A (en) | 1968-06-12 |
NL6507893A (de) | 1965-12-20 |
DE1279242B (de) | 1968-10-03 |
US3312924A (en) | 1967-04-04 |
FR1448162A (fr) | 1966-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1085305B (de) | Zusammengesetzter Gegenstand aus mittels Glas miteinander verbundenen, vorgeformten Teilen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69225283T2 (de) | Hochfeste amorphe Magnesiumlegierung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2919080A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer optischen faser | |
DE2823904C2 (de) | Dichtungsglas des Systems B&darr;2&darr;0&darr;3&darr;-Pb0-Bi&darr;2&darr;0&darr;3&darr; sowie Si0&darr;2&darr; und/oder Al&darr;2&darr;0&darr;3&darr;, insbesondere für Flüssigkristallanzeigen bei Verwendung von handelsüblichen Na&darr;2&darr;0-Ca0-Si0&darr;2&darr;-Gläsern | |
DE1941191B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von transparenten,glasigen,glasig-kristallinen oder kristallinen anorganischen Mehrkomponentenstoffen,vorzugsweise in duennen Schichten,bei Temperaturen weit unterhalb des Schmelzpunktes | |
DE2026736A1 (de) | Verfahren zur Herstellung magnetisch haüter Ferrite | |
DE1621002A1 (de) | Infrarotdurchlaessiges,amorphes Glas,das Germanium und Selen enthaelt | |
DE1496540B1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von UEberzuegen aus metallischem Kupfer und/oder Silber auf entglasten keramischen Formkoerpern | |
DE69508473T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristall und Tiegel aus geschmolzenem Silika dafür | |
DE202020107534U1 (de) | Borosilicatglasartikel | |
DE2013576B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen | |
DE69022743T2 (de) | Verfahren zur hydrothermalen herstellung von einkristallen mit optischer qualität. | |
DE2239249A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines siliziumhaltigen materials und danach hergestellter optischer wellenleiter | |
DE2332441C3 (de) | Glaskeramischer Gegenstand mit einer aus Kupfer und/oder Silber bestehenden, auf einen Bereich seiner Oberfläche begrenzten metallischen Uberzugsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2746418C3 (de) | ||
DE1496611B1 (de) | Durchsichtige glaskeramik mit niedrigem waermeausdehnungs koeffizienten verfahren zur herstellung eines aus ihr be stehenden gegenstanes ihre verwendung in teleskopspiegeln sowie thermisch kristallisierbares gla | |
DE1596900A1 (de) | Glaszusammensetzung | |
DE2339183A1 (de) | Verfahren zum aufwachsen einer epitaxieschicht auf einem einkristallinen, in seiner zusammensetzung mit ihr nicht identischen substrat | |
DE1771652A1 (de) | Hitzebestaendige Glas-Keramik-Materialien und entglasungsfaehige Glasmaterialien und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1421923A1 (de) | Phosphatglas | |
DE2200239A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metall und Kohlenstoffaeden enthaltenden Verbundstoffen | |
DE1667604B1 (de) | Verfahren zur herstellung von kristallinem cadmiumtellurid | |
DE2613502A1 (de) | Verfahren zum herstellen von kupferhaltigen glaszusammensetzungen | |
DE2530808A1 (de) | Chrom- und/oder mangan-modifiziertes quarzglas bzw. cristobalit, insbesondere fuer die herstellung von fasern | |
DE1813844A1 (de) | Herstellung von Mangan-Wismut |