DE861295C - Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher Widerstaende - Google Patents
Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher WiderstaendeInfo
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Description
- Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher Widerstände Für viele Anwendungszwecke in der Elektrotechnik, besonders auf dem Gebiete des Signal- und Regelwesens, werden photoelektrisch empfindliche Widerstände geringer Trägheit für die verschiedensten Spektralbereiche vom Ultrarot bis zum Ultraviolett gebraucht. Zu den wichtigsten derselben zählen die Selenzellen, Thallofidzellen sowie gewisse Mineralien. Zu letzteren gehören u. a. Diamant, Zinkblende sowie die Sulfide von Silber, Antimon, Wismut, Arsen und Blei. Außer den Kristallen kommen aber auch noch die kleinkristallinen, lichtelektrisch leitenden Stoffe und Phosphore in Betracht. Nachteilig bei diesen Photowiderständen ist, da.B sie entweder nur mit geringer Ausbeute aus Mineralienfunden auszuwählen sind und durch verschiedenste in ihnen enthaltene Verunreinigungen teils hohe Dunkelströme, teils starke Streuung in ihrer lichtelektrischen Empfindlichkeit aufweisen. Insbesondere bereitet aber die störungsfreie, feste Anordnung kleinkristalliner Phosphore zwischen den Elektroden erhebliche Schwierigkeiten. Durch all diese Umstände wird eine gleichmäßige Massenherstellung auberordentlich erischwert. Als bisher bestes Verfahren ist von D e s t r i a u vorgeschlagen worden, diese Stoffe auf Elektrodenrastern in Vaseline oder Paraffinöl einzubetten. Der bekannteVorschlag beimAufbringen der kleinkristallinen Stoffe, diese in einem Lösungsmittel vollkommen aufzulösen, ist deswegen ungeeignet, weil dabei durch die Auflösung in den ionogenen Zustand die günstigen Eigenschaften weitgehend verlorengehen, die die in der Natur vorkommenden kleinkristallinen Photostoffe aufweisen oder die bei der künstlichen Herstellung dieser Stoffe durch eine besondere Behandlung, meist durch einen bestimmten Glühprozeß, erzielt werden.
- Die Erfindung zielt darauf ab, kleinkristalline, lichtelektrisch empfindliche Stoffe in dünnen, gut haftenden Schichten großer mechanischer Festigkeit und geringer störender äußerer Beeinflussung, insbesondere durch Temperaturerhöhungen und Feuchtigkeit, als, lichtelektrische Steuerungselemente geringer Trägheit zu verwenden.
- Zu diesem Zweck wird bei dem Verfahren nach der Erfindung als Bindemittel für die photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffe eine Flüssigkeit verwendet, welche bei höherer Temperatur in der Weise verdampft, daß sie keinen leitenden Rückstand hinterläßt. Die photoelektrischen Stoffe können entweder vor ihremAufbringen dem Bindemittel beigemischt oder auf eine auf den Elektroden zuerst aufgebrachte, noch flüssige Bindemittelschicht aufgestäubt werden. In beiden Fällen ergibt sich durch Anwendung höherer Temperatur bei teilweiser Verdampfung des Bindemittels eine gute Verfestigung der photoelektrischen Stoffe, insbesondere Sulfide von Zink oder Kadmium.
- Als B.Indemittel eignet sich eine ganze Reihe von bei höherer Temperatur sehr leicht ausheizbaren, bekannten organischen Bindemitteln der Ketonreihe, z. B. eine mit Methanol verdünnte Acetonlösung unter Zugabe von Phosphorsäure geringer Konzentration oder auch eine stark verdünnte Wasse,rglaslösung. Werden die kleinkristallinen, photoelektrischen Stoffe mit dem organischen Bindemittel vermischt, so lassen sie sich vorteilhaft mittels Spritzpistolen auf dieElektroden aufsprühen.
- Eine besonders feste Anlagerung der photoelektrisch empfindlichen Stoffe an rastierförmige Elektroden läßt sich insbesondere bei Herstellung dickerer Schichten erzielen, wenn bei der Hitzeverfestigung an die Rasterelektiroden eine elektrische Spannung angelegt wird, weil dann die infolge der geringen Abstände der Rasterelektroden außerordeneich hohe elektrische Feldstärke die feinkörnigen photoelektrischen Stoffe, die sich auf bzw. in der flüssigen Bindemittelschicht befinden, kräftig an die Rasterelektroden heran- bzw. in die feine Spalte zwischen die Rasterelektroden hineinzieht. Diese Wirkung beruht einesteils- auf einer elektrostatischen Anziehung der photoelektrisch empfindlichen Stoffe und ist andernteils durch die sehr hohen Dielektrüzitätskonstanben dieser Stoffe bedingt.
- 'Sind die photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffe auf diese Weise festgelegt, so könnten sie zur Beseitigung äiußerer störender Einflüsse zusätzlich in einen evakuierten oder mit Sch@utzgasfüllung versehenen Glas- oder Quarzkolben, eingebaut werden. Sie werden dadurch gegenüber kurzzeitigen Temperaturschwankungen, Luftströmungen und Feuchtigkeitseinflüssen unempfindlich und tropensicher. Eine weitere Verbesserung' einer solchen Anordnung läßt sich dadurch erreichen, daß die eine .Hälfte des geeignet geformten, vorzugsweise kugelförmigen Glas- oder Quarzgefäßes auf der Innen- oder Außenseite noch mit einem Metallspiegel, z. B. aus Platin, Molybdän, Wolfram, Silber und ähnlichen Stoffen, versehen wird.
- Bei der Herstellung der neuen Anordnung wird zweckmäßig erst nach dem Einbau der mit der 'Bindemittelschicht und den photoelekrischen Stoffen versehenen Elektrodenraster in die Glas- oder Quarzgefäße die Ausheizung und Verfestigung der photoelektrisch empfindlichen Schicht vorgenommen: Dabei wird die Ausheiztemperatur so hoch gewählt, daß einerseits eine gute Eindampfung des Bindemittels stattfindet, andererseits aber auch darauf geachtet, .daß nicht etwa durch eine zu hohe Ausheiz.temperatrur die stöchiometrischeZusamrnensetzung des photoelektrischen Werkstoffes gestört wird. Bei Verwendung der obengenanntren organischen Lösungen als Bindemittel und z. B. Zinksul%:d- und Kadmiumsulfidschichten bzw. deren Mischkristalle, Phosphore und vieler anderer bekannter lichtelektrischempfindlicher Stoffe hat sich eine Aus.heiztemperatur von 250 bis 35o° C als zweckmäßig erwiesen.
- Bei der Auswahl der etwa verwendeten Schutzgasfüllung ist selbstverständlich auf die Beschaffenheit des photoelektrisch empfindlichen Stoffes zu achten. Bei Verwendung sulfidischer Stoffe kommen beispielsweise Stickstoff, Edelgase oder Schwefelwasserstoff, bei Verwendung oxydischer Stoffe vorzugsweise . Stickstoff, Sauerstoff und Wasserstoff und bei Verwendung von Halogenverbindungen Halogen oder sonstige inerte Gase in Frage.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE; i. Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen auf Elektroden zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher Widerstände, dadurch gekennzzichnet, .daß als Bindemittel für die photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffe, insbesondere Zinksulfid oder Kadmiumsulfid, eine Flüssigkeit dient, welche bei höherer Temperatur in der Weise verdampft, daß sie keinen leitenden Rückstand hinterläßt.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, da.ß die photpelektris@han, -_kleinkristallinen Stoffe vermischt mit dem Bindemittel vorzugsweise mit einer Spritzpistole auf die Elektroden aufgesprüht werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch i, -daidurch gekennzeichnet, daß die photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffe auf die zuvor mit dem Bindemittel überzogenen Elektroden aufgestäubt werden. .
- 4. Verfahren nach Anspruch.i bis 3; dadurch gekennzeichnet, daß beimAbdampfen des Bindemittels die in bzw. auf der Binidemittelschicht befindlichen photoelektrischen Stoffe der -Sangwirkung einer elektrischenSpannung ausgesetzt werden, die an die rasterförmigen. Elektroden gelegt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch i bis q., dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffe zusätzlich in einen evakuierten oder mit Schutzgas gefüllten Glas- oder Quarzkolben eingebaut werden.
- 6. Verfahren nach Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausheizung und Verfestigung der photoelektrisch empfindlichen Schicht erst nach dem Einbau der mit der Bindemittelschicht und den photoelektrischen Stoffen versehenen Elektroden in den Glas- oder Quarzkolben vorgenommen wird.
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| DEP3277D DE861295C (de) | 1940-06-08 | 1940-06-08 | Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher Widerstaende |
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| DE861295C true DE861295C (de) | 1952-12-29 |
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| DEP3277D Expired DE861295C (de) | 1940-06-08 | 1940-06-08 | Verfahren zur Anbringung von photoelektrischen, kleinkristallinen Stoffen zur Herstellung photoelektrisch empfindlicher Widerstaende |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
| DE1030939B (de) * | 1954-03-17 | 1958-05-29 | Westinghouse Electric Corp | Bildverstaerker mit einem zwischen dem ein Elektronenbild aussendenden Eingangsschirm und dem Phosphoreszenzschirm angeordneten Elektronenverstaerkungsschirm |
| DE1043536B (de) * | 1954-09-27 | 1958-11-13 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid |
| DE975450C (de) * | 1949-07-20 | 1961-11-30 | Sylvania Electric Prod | Elektrolumineszenzlampe |
| DE1220885B (de) * | 1955-02-15 | 1966-07-14 | Emi Ltd | Speicherelektrode fuer Bildaufnahmeroehren und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1940
- 1940-06-08 DE DEP3277D patent/DE861295C/de not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE975450C (de) * | 1949-07-20 | 1961-11-30 | Sylvania Electric Prod | Elektrolumineszenzlampe |
| DE1030939B (de) * | 1954-03-17 | 1958-05-29 | Westinghouse Electric Corp | Bildverstaerker mit einem zwischen dem ein Elektronenbild aussendenden Eingangsschirm und dem Phosphoreszenzschirm angeordneten Elektronenverstaerkungsschirm |
| DE1043536B (de) * | 1954-09-27 | 1958-11-13 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid |
| DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
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