DE1220885B - Speicherelektrode fuer Bildaufnahmeroehren und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES WM^ PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CL:

H04n

HOIj

Deutsche Kl.: 21 al - 32/35

Nummer: 1220 885

Aktenzeichen: E11913 VIII a/21 al

Anmeldetag: 6. Februar 1956

Auslegetag: 14. Juli 1966

Die Erfindung betrifft eine für Bildaufnahmeröhren bestimmte Speicherelektrode, deren Signalelektrode auf der zum Abtaststrahl hinweisenden Oberfläche mit einem fotoleitenden Belag versehen ist. Sie gibt zugleich ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Speicherelektrode an.

Für fotoleitende Speicherelektroden, wie sie insbesondere als Fangelektrode in Fernsehaufnahmeröhren verwendet werden, stellen die Kapazität, die Fotoleitungsverzögerung und das spektrale Ansprechvermögen sehr wichtige Faktoren dar. Diese Faktoren hängen weitgehend von der Zusammensetzung und der Dicke des fotoleitenden Belages auf der Oberfläche der Signalelektrode ab. Beispielsweise kann bei einer zu hohen Kapazität (die durch eine geringe Schichtdicke des fotoleitenden Belages bedingt sein kann) der Abtaststrahl die Speicherelektrode innerhalb einer Abtastperiode nicht voll entladen, so daß sich in den übertragenen Bildern eine zeitliche Verzögerung bemerkbar macht. Ähnlich stellt sich auch bei einer zu starken Fotoleitungsverzögerung des Belagmaterials ein unerwünschtes »Nachziehen« der sich bewegenden Objekte in den übertragenen Bildern ein. Bei einem ungleichmäßigen spektralen Ansprechvermögen des Belagmaterials schließlich werden die Farbwerte in den übertragenen Bildern nicht richtig wiedergegeben.

Zur Herstellung des fotoleitenden Belages von Speicherelektroden ist es bekannt, eine fotoleitfähige Schicht von Antimontrisulfid in einer Gasatmosphäre von ausreichendem Druck auf die Signalelektrode aufzudampfen. Dabei bekommt die niedergeschlagene Schicht eine lockere, als »porös« bezeichnete Struktur, d. h., sie ist infolge von Zusammenstößen der Moleküle des verdampften Materials mit den Gasmolekülen aus lose gepackten Materialteilchen aufgebaut, zwischen denen sich willkürlich verteilte Zwischenräume befinden. Die Vorteile einer derartigen Schicht liegen in einer geringen Fotoleitungsverzögerung, und außerdem darin, daß eine niedrige Kapazität erzielbar ist. Indessen weist eine derartige Schicht den Nachteil einer schlechten Empfindlichkeit und eines geringen Ansprechvermögens am roten Ende des Spektrums auf.

Weiterhin ist es bekannt, den fotoleitenden Belag in Form einer fotoleitfähigen Schicht aus Antimontrisulfid im Vakuum auf die Signalelektrode aufzudampfen. Unter »Vakuum« wird dabei ein Gasdruck verstanden, bei dem die mittlere freie Weglänge der Moleküle des verdampften Materials gleich oder größer ist als der Abstand der Verdampfungsquelle von der Trägerplatte. Da mithin dieses Verfahren

Speicherelektrode für Bildaufnahmeröhren und
Verfahren zu ihrer Herstellung

Anmelder:

Electric & Musical Industries Limited,

Hayes, Middlesex (Großbritannien)

Vertreter:

Dr. K. R. Eikenberg, Patentanwalt,

Hannover, Am Klagesmarkt 10/11

Als Erfinder benannt:
Hans Gerhard Lubszynki,
Waltham St. Lawrence, Berkshire
(Großbritannien)

Beanspruchte Priorität: ' ■ .
Großbritannien vom 15. Februar 1955 (4406),
vom 27. Januar 1956

Zusammenstöße der Moleküle des verdampften Materials mit den Gasmolekülen praktisch vermeidet, führt es dazu, daß sich das Material in fester Form ohne Zwischenräume niederschlägt. Eine solche . Schicht, die nachfolgend auch als »nichtporös« bezeichnet wird, hat den Vorteil einer hohen Empfindlichkeit und eines sehr guten Ansprechvermögens im gesamten Spektralbereich, insbesondere am roten Ende des Spektrums, jedoch den Nachteil einer hohen Kapazität und einer starken Fotoleitungsverzögerung.

Schließlich ist auch schon eine zweischichtige Ausbildung des fotoleitenden Belags von Speicherelektroden bekanntgeworden, indem auf die Signalelektrode zunächst eine verhältnismäßig dünne, nicht- poröse Schicht aus Antimontrisulfid (oder einem entsprechenden fotoleitenden Material) und darauf eine dickere, ebenfalls nichtporöse Schicht aus amorphem Selen aufgedampft wird. Durch diese Ausbildung sollen die Vorteile der nichtporösen Schicht von Antimontrisulfid hinsichtlich der Empfindlichkeit und des Ansprechvermögens nutzbar gemacht, zugleich aber auch der einer solchen Schicht innewohnende Nachteil der hohen Kapazität beseitigt werden. Bei der bekannten zweischichtigen Ausbildung des' fotoleitenden Belages kommt es nicht so sehr auf die Fotoleitfähigkeit der Selenschicht an, sondern vielmehr darauf, daß die Reichweite der freigesetzten

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Ladungsträger in der Selenschicht sehr groß ist im außerordentlich hoch ist, besitzt der daraus kombi-

Vergleich zu der Reichweite der freigesetzten Ladungs- nierte Belag im gesamten Spektralbereich eine hohe

träger in der Antimontrisulfidschicht. Diese Erschei- Empfindlichkeit und ein gutes Ansprechvermögen,

nung hat zur Folge, daß alle Ladungsträger, die von das zwischen dem der beiden Einzelschichten liegt

dem (durch die lichtdurchlässige Signalelektrode hin- 5 und insbesondere für eine Fernsehaufnahmeröhre

durch) in die Antimontrisulfidschicht eindringenden sehr geeignet ist.

Licht freigesetzt werden und dabei die Grenze zwi- Die Herstellung des fotoleitenden Belags gemäß

sehen der Antimontrisulfidschicht und der Selen- der Erfindung erfolgt vorzugsweise dadurch, daß zur

schicht erreichen, auch durch die Selenschicht hin- Bildung einer porösen Schicht das fotoleitende Mate-

durch zu der dem Abtaststrahl ausgesetzten Ober- io rial in Gasatmosphäre auf die Signalelektrode (oder

fläche des Belags gelangen können, ohne daß das eine entsprechende Trägerplatte) aufgedampft wird

Licht selbst in die Selenschicht einzudringen braucht. und daß anschließend weiteres fotoleitendes Material

Mithin hat die Selenschicht primär die Funktion im Vakuum auf der porösen Schicht niedergeschlagen

einer »Abstandsschicht« zwischen der abgetasteten wird. Dabei, wird zweckmäßig so vorgegangen, daß

Oberfläche des Belages und der Signalelektrode, 15 die Aufdampfung der porösen Schicht auf die Träger-

dürch die sich unter anderem die kapazitive Verzöge- platte durch ein direkt vor der Trägerplatte ange-

rung und auch die Fotoleitungsverzögerung des Be- brachtes metallisches Netz hindurch erfolgt und daß

lags gegenüber einer alleinigen Antimontrisulfid- das dabei auf dem Netz niedergeschlagene foto-

schicht vermindert (wobei die Kapazität des Belags leitende Material anschließend im Vakuum durch

den aus der Serienschaltung der beiden Schichten zu 20 Erhitzung des Netzes wieder verdampft und auf der

erwartenden Wert besitzt). Das spektrale Ansprech- ,. porösen Schicht in nichtporöser Form niedergescla-

vermögen des bekannten zweischichtigen Belags ist, gen wird.

wenn das Licht nicht in die Selenschicht eindringen Bei diesem Verfahren kann zur Beeinflussung der kann, allein durch die Antimontrisulfidschicht be- Dicke des in nichtporöser Form niedergeschlagenen stimmt, während es sich bei einer extrem geringen 25 fotoleitenden Materials die Anordnung so getroffen Schichtstärke der Antimonsulfidschicht, bei der das sein, daß das Netz ein Ende eines Zylinders über-Licht auch noch die Selenschicht erreichen kann, an- deckt, der in seinem Innern den Verdampfer für das teilig aus den entsprechenden Werten beider Schich- fotoleitende Material aufnimmt und auf dessen Wanten zusammengesetzt. düngen ein weiterer Teil des in der Gasatmosphäre

Die Erfindung geht aus von einer Speicherelekh 30 verdampften fotoleitenden Materials zur Wiedervertrode mit einem auf der Signalelektrode angeordne- dampfung abgelagert wird, wobei das zum Netz hinten fotoleitenden Belag, der zwei aufeinanderliegende weisende Ende des Zylinders mit Öffnungen versehen Schichten aus fotoleitendem Material enthält, wobei ist, die die Menge des darauf niedergeschlagenen, für die dem Abtaststrahl zugewandte Schicht eine nicht- die Wied'erverdampfung zur Verfügung stehenden poröse Schicht ist. Sie kennzeichnet sich dadurch, 35 fotoleitenden Materials reguliert. Diese Öffnungen daß die der Signalelektrode zugewandte Schicht des sind, wenn der Zylinder als Elektrode in einer Fernfotoleitenden Belags eine poröse Schicht ist. sehaufnahmeröhre dient, vorzugsweise so ausgebil-

Zum Unterschied von dem bekannten zweischich- det, daß der ordnungsgemäße Betrieb der Röhre ge-

tigen Belag weist der erfindungsgemäß vorgeschlagene währleistet bleibt.

Belag also eine kompakte, nichtporöse Schicht und 40 An Hand der Zeichnungen wird nachfolgend die

eine poröse Schicht (im Sinne der eingangs gegebenen Erfindung am Beispiel ihrer Anwendung bei Fernseh-

Definition) auf, wobei die nichtporöse Schicht, von aufnahmeröhren eingehend erläutert. Dabei stellt dar

der Einfallsseite des Lichtes her gesehen, hinter der Fig. 1 einen Längsschnitt einer mit einer erfin-

porösen Schicht liegt. Da die poröse Schicht infolge dungsgemäßen Speicherelektrode ausgerüsteten Fern-

ihrer Porosität gut lichtdurchlässig ist, kann sie ver- 45 sehaufnahmeröhre,

hältnismäßig dicht ausgebildet sein, so daß die (ver- Fig. 2 einen Teil dieser Speicherelektrode im vergleichsweise dünn ausgebildete) nichtporöse Schicht größerten Maßstab und

einen entsprechend großen Abstand von der Signal- F i g. 3,4 und 5 jeweils abgewandelte Ausführungselektrode bekommt und dennoch auch von dem ein- formen einer in der Röhre nach F i g. 1 enthaltenen fallenden Licht erreicht wird. 50 Elektrode.

Auch bei dem erfindungsgemäß vorgeschlagenen Bei der in Fig. 1 wiedergegebenen Ausführungs-Belag stellt sich eine Verminderung der kapazitiven form einer Fernsehaufnahmeröhre ist eine rohrför-Verzögerung und der Fotoleitungsverzögerung ein mige Glashülle 1 vorhanden, die mit einem seitlichen sowie ein spektrales Ansprechvermögen, das sich an- Ansatz 2 und an ihrem einen Ende mit einem Lichtteilig aus den entsprechenden Werten beider Schich- 55 fenster 3 versehen ist. Das Fenster 3 ist dabei an die ten zusammensetzt. Als besonders überraschend und Hüllel über einen Metallring4 luftdicht angeschmolin keiner Weise vorhersehbar wurde dabei jedoch ge- zen und bildet, wie weiter unten noch beschrieben fanden, daß die kapazitive Verzögerung und die wird, den Träger für die Speicherelektrode. Am an-Fotoleitungsverzögerung nicht nur beträchtlich ge- deren Ende der Hülle 1 befindet sich ein Glassockel 5 ringer sind als bei einer porösen Schicht allein, son- 60 mit einem Pumpstengel 7. Kreisförmig um diesen dem sogar auch kleiner sind, als bei der Serienschal- Pumpstengel sind luftdicht in den Glassockel 5 Metung der hohen Kapazität einer nichtporösen Schicht tallkontaktteile 6 eingeschmolzen, die innerhalb der zu erwarten wäre. Hülle 1 einen Elektronenstrahlerzeuger tragen, von

Vorzugsweise bestehen beide Schichten des foto- dem die Glühkathode 8 mit dem zugehörigen Heizleitenden Belags gemäß der Erfindung aus dem glei- 65 element 9 sowie eine mit einer Öffnung versehene ehen Material, z. B. aus Antimontrisulfid. Während Gitterelektrode 10 in der Zeichnung dargestellt sind, das' Ansprechvermögen einer porösen Schicht von Auf die Gitterelektrode 10 folgt eine Anodenelek-Anthnontrisulfid am roten Ende des Spektrums trade 11, die in bekannter Weise zur Schwächung der

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seitlichen Komponenten des Strahls im Abstand hin- definierten Strahl geformt, mit dem ein Abtasten der

tereinanderliegende Öffnungen 12 und 13 von ver- Oberfläche der Schicht 22 in einem orthogonalen

schiedenem Durchmesser besitzt. Raster durchgeführt werden kann. Durch diesen Ab-

Auf die innere Fläche des Fensters 3 ist ein im taststrahl werden die positiven Ladungen, die sich an

wesentlichen durchsichtiger elektrisch leitender Über- 5 der Oberfläche der Schicht 22 bilden, wenn ein opti-

zug 14 aufgebracht, vorzugsweise durch Aufsprühen sches Bild durch das Fenster 3 hindurch auf die

einer Lösung von Zinnsalz auf die erhitzte Fenster- Speicherelektrode projiziert wurde, auf ein festes, bei

fläche. Dieser Überzug 14 ist elektrisch mit dem oder nahe dem Potential der Kathode 8 liegendes

Ring 4 verbunden und dient als Signalelektrode. In Bezugspotential zurückgebracht, wobei entsprechende

geringem Abstand vor dem Überzug 14 ist eine Me- ίο Signalströme zur Signalelektrode 14 fließen,

tallnetzelektrode 15 angebracht, die als Ionenfalle Es wurde bereits erwähnt, daß die aus einer po-

wirkt und die von einem Metallzylinder 16 getragen rösen Schicht und einer festen Schicht kombinierte

wird. Der Zylinder 16, der als Anodenelektrode Speicherelektrode in überraschender Weise eine kapa-

wirkt, erstreckt sich über einen beträchtlichen Teil zitive Verzögerung und eine Fotoleitungsverzögerung

der Innenwandung der Hülle und ist mit Befesti- 15 aufweist, die beträchtlich kleiner ist als die einer po-

gungsmittel 17 innerhalb der Hülle 1 befestigt. Er be- rösen Schicht allein, und die sogar auch kleiner ist, als

sitzt eine Öffnung 18, die mit dem seitlichen Ansatz 2 bei einer Serienschaltung der hohen Kapazität einer

fluchtet. festen Schicht mit der niedrigen Kapazität einer po-

Zur Herstellung des fotoleitenden Belags der Spei- rösen Schicht zu erwarten wäre. Es kann angenomcherelektrode auf der Innenfläche des Fensters 3 wird 20 men werden, daß das Material der festen Schicht 22 ein Tantalschälchen 19, das eine gewisse Menge eines die Spalten zwischen den Teilchen der porösen fotoleitenden Materials 20, z. B. Antimontrisulfid, Schicht 21 überbrückt, dabei die effektive Eindringenthält und das mit geeigneten Heizeinrichtungen tiefe der abtastenden Elektronen herabsetzt und inzum Verdampfen des Materials 20 versehen ist, durch folgedessen die effektive Kapazität des aus den beiden seitlichen Rohransatz 2 und die Öffnung 18 ein- 25 den Schichten kombinierten Organs verkleinert,
geführt, wobei es mit der offenen Seite zum Netz 15 Das Verhältnis der Menge des auf dem Überzug 14 und zum leitenden Überzug 14 hinweist. Sodann wird als poröse Grundschicht 21 niedergeschlagenen fotoder seitliche Rohransatz 2 geschlossen und die Hülle 1 leitenden Materials zu der als feste zweite Schicht 22 mit einem Gas gefüllt, z. B. mit Xenon unter einem niedergeschlagenen Materialmenge hängt ab von dem Druck von ungefähr 0,4 mm Hg. Danach wird das 30 Gasdruck, dem freien Öffnungsquerschnitt des Netzes Schälchen 19 zur Verdampfung des gesamten Mate- 15 und von dem Ausmaß, zu dem das Netz 15 währials 20 erhitzt. Ein Teil des Materials 20 schlägt sich rend der ersten Verdampfung verstopft wird. Dieses dabei durch das Netz 15 hindurch auf dem Überzug Verhältnis ist wichtig für die Erzielung optimaler

14 in Form einer porösen, aus locker gepackten Ma- Werte der Kapazität, der Fotoleitungsverzögerung terialteilchen aufgebauten Grundschicht 21 nieder. 35 und der Empfindlichkeit der Speicherelektrode. Bei Ein weiterer Teil des Materials 20 schlägt sich jedoch der Grundschicht 21 wird eine gewisse Dicke verauf dem Gitter 15 nieder, und der Rest des Materials langt, um eine niedrige Kapazität zu sichern. Diese

20 kommt auf der Innenseite der Wandung der zylin- Dicke kann reguliert werden durch die Menge des in drischen Anode 16 zur Ablagerung, und zwar in das Schälchen 19 eingefüllten fotoleitenden Materials einem Band von ungefähr 25 mm Breite, das etwa 40 20 unter Berücksichtigung des freien Öffnungsquersymmetrisch zur Ebene des Verdampferschälchens 19 Schnitts des Netzes 15. Auch die Materialmenge, die und senkrecht zur Achse der Hülle 1 liegt. sich während der ersten Verdampfung auf dem Netz

Nach beendeter Verdampfung wird die Schale 19 15 niederschlägt, läßt sich abschätzen. Es wurde je-

entfernt, der seitliche Rohransatz 2 abgeschmolzen doch gefunden, daß die auf der inneren Wandung der

und die Hülle 1 über den Pumpstengel 7 evakuiert. 45 Anode 16 niedergeschlagene Materialmenge sich

Danach werden die Anode 16 und das Netz 15 in- etwas ändert, so daß sich dementsprechend die Dicke

duktiv erhitzt, wobei das auf diesen beiden Teilen der festen Schicht 22 von Röhre zu Röhre ändern

niedergeschlagene Material 20 wieder verdampft und kann. Es wurde weiterhin gefunden, daß die Dicke

sich als feste Schicht22 auf der porösen Grundschicht der festen Schicht 22 ziemlich kritisch ist hinsichtlich

21 ablagert. Während dieser zweiten Verdampfung 50 der Festlegung der endgültigen Fotoleitungsverzögewird das Fenster 3 auf seiner Außenfläche mit Was- rung und Empfindlichkeit der Röhre.

ser gekühlt. Abschließend wird der Pumpstengel 7 In weiterer Ausgestaltung des Erfindungsgedan-

abgeschmolzen. kens können deshalb Maßnahmen zum Modifizieren

Es sei angenommen, daß die Speicherelektrode mit des Oberflächengebietes der Anode 16 vorgesehen

Elektronen geringer Geschwindigkeit abgetastet wer- 55 sein, durch die die Menge des auf der Anode 16 wäh-

den soll und daß im Betriebszustand der Röhre die rend der ersten Verdampfung niedergeschlagenen

(auf die zur Elektronenemission erforderliche Tempe- Materials regulierbar wird. Beispielsweise kann das

ratur aufgeheizte) Kathode 8 auf einem Potential von der ersten Verdampfung ausgesetzte Oberflächen-

0 Volt gehalten wird, während demgegenüber an die gebiet der Anode 16 durch Anbringen von öffnun-

Gitterelektrode 10 ein negatives Potential von 0 bis 60 gen verändert werden, so daß einiges von dem foto-

100 Volt, an die Anodenelektrode 11 ein positives leitenden Material durch diese Öffnungen hindurch

Potential von 300 Volt, an die Signalelektrode 14 ein auf die innere Glaswandung der Hülle 1 aufdampft,

bis zu 150 Volt positives Potential und an das Netz Wenn die Hülle 1 während der Herstellung der zwei-

15 und den Zylinder 16 ein positives Potential von ten Schicht 22 nicht erhitzt wird, wird das auf deren beispielsweise 280 Volt angelegt wird. Die aus dem 65 Wandung niedergeschlagene Material nicht wieder Elektronenstrahlerzeuger austretenden Elektronen verdampft. Die Öffnungen, durch die das für die werden durch außerhalb der Hülle 1 befindliche Wiederverdampfung der gewünschten Menge an foto-Fokussierspulen und Abtastspulen zu einem wohl- leitendem Material erforderliche Oberflächengebiet

erzeugt wird, können an sich eine beliebige Form haben, beispielsweise die Form von Perforationen. Jedoch muß für den Betrieb der Röhre darauf geachtet werden, daß sich die auf der Innenwandung der Hülle 1 befindlichen isolierten Gebiete von fotoleitendem Material nicht auf willkürliche Potentiale aufladen und hierbei Verzerrungen in der Geometrie des Abtastrasters hervorrufen. Deshalb muß bei einer Verkleinerung des Oberflächengebietes der Anode 16 durch ein oder mehrere Fenster eine Ausbildungsform der Fenster gewählt werden, die dieser Forderung gerecht wird.

In den F i g. 3, 4 und 5 sind verschiedene Möglichkeiten einer geeigneten Ausbildung der Öffnungen in dem Zylinder 16 angegeben. Dabei ist in F i g. 3 das obere Ende des Zylinders 16 mit einer Reihe von Öffnungen 23 versehen, von denen jede mit einem hoch durchsichtigen Metallnetz 24 bedeckt ist. Auch in F i g. 4 sind ähnliche Öffnungen 23 vorhanden, die jedoch in diesem Beispiel mit federbelasteten Klappen 25, die sich um eine Angel 25 a drehen, versehen sind. Die Klappen 25 werden durch eine Klammer 26 so lange in der offenen Stellung gehalten, bis das Schälchen 19 entfernt und die zweite Schicht 22 hergestellt ist. Sie werden durch leichtes Anklopfen der Röhre freigegeben. Dabei gleitet die Klammer 26 an dem Zylinder 16 herunter, so daß sich die Klappen 25 um ihre Angel drehen; und die Öffnungen 23 vollständig abdecken können. Mit beiden Anordnungen nach F i g. 3 und 4 bleibt die Abschirmwirkung der Hüllenwandung durch die Anode 16 im wesentlichen unbeeinträchtigt, so daß die Abtastfelder nicht gestört werden.

Um eine symmetrische Verteilung zu erhalten, wird, wie in Fig. 5 dargestellt, die Anode 16 zweckmäßig mit gleichförmig verteilten Öffnungen 27 versehen. Eine Anode 16 in der Ausführungsform der F i g. 5 kann für eine typische Röhre der vorangehend beschriebenen Konstruktion einen Durchmesser von 20,2 mm und eine Länge von 76,2 mm aufweisen, wobei an deren einem Ende ein Ringteil von 19,0 mm Länge mit Öffnungen von 0,103 mm Durchmesser im gleichförmigen Abstand so versehen ist, daß ein freier Öfrnungsquerschnitt von ungefähr 50% entsteht.

Wenn bei einem der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele das für die Anode 16 verwendete Material (Metall oder Metallegierung) mit dem verwendeten fotoleitenden Material reagieren sollte, können die Teile der Anode 16, auf die das fotoleitende Material aufgedampft wird, mit einem chemisch trägen Material, wie Rhodium, Gold, Platin, Palladium oder Iridium, überzogen werden. Das gleiche gilt im Bedarfsfall auch für das Netz 15.

Die Erfindung wurde vorangehend in ihrer An-Wendung auf eine Aufnahmeröhre beschrieben, die zur Abtastung mit niedriger Geschwindigkeit sehr geeignet ist. Die Erfindung kann jedoch auch auf Aufnahmeröhren angewendet werden, die mit hoher Geschwindigkeit abtasten, und darüber hinaus allgemein auf Vorrichtungen mit einem aus fotoleitendem Material hergestellten fotoempfindlichen Organ. Weiterhin braucht das fotoleitende Material nicht das vorangehend beispielsweise erwähnte Antimontrisulfid zu sein, sondern es können auch die feste Schicht oder die poröse Schicht oder beide Schichten in dem fotoempfindlichen Organ aus anderen fotoleitenden Materialien, wie Zinkselenid, Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid oder Germaniumsulfid, bestehen.

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Speicherelektrode für Bildaufnahmeröhren, mit einem auf der Signalelektrode angeordneten fotoleitenden Belag, der zwei aufeinanderliegende Schichten aus fotoleitendem Material enthält, wobei die dem Abtaststrahl zugewandte Schicht eine nichtporöse Schicht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die der Signalelektrode zugewandte Schicht des fotoleitenden Belags eine poröse Schicht ist.

2. Speicherelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Schicht und die nichtporöse Schicht des fotoleitenden Belags aus dem gleichen Material bestehen.

3. Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer porösen Schicht das fotoleitende Material in einer Gasatmosphäre auf einer Trägerplatte aufgedampft wird und daß anschließend weiteres fotoleitendes Material im Vakuum auf der porösen Schicht niedergeschlagen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufdampfung der porösen Schicht auf die Trägerplatte durch ein dicht vor der Trägerplatte angebrachtes metallisches Netz hindurch erfolgt, und daß das dabei auf dem Netz niedergeschlagene fotoleitende Material anschließend im Vakuum durch Erhitzung des Netzes wieder verdampft und auf der porösen Schicht in nichtporöser Form niedergeschlagen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Netz ein Ende eines Zylinders überdeckt, der in seinem Innern den Verdampfer für das fotoleitende Material aufnimmt und auf dessen Wandungen ein weiterer Teil des in der Gasatmosphäre verdampften fotoleitenden Materials zur Wiederverdampfung abgelagert wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das zum Netz hinweisende Ende des Zylinders mit Öffnungen versehen ist, die die Menge des darauf niedergeschlagenen, für

; die Wiederverdampfung zur Verfügung stehenden fotoleitenden Materials regulieren.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen in dem Zylinder klein sind und jeweils mit einem fein perforierten Metallteil bedeckt sind oder mit beweglichen Klappen verschließbar sind.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende des Zylinders in der Nähe des Gitters mit einer großen Anzahl von gleichförmig verteilten Öffnungen versehen ist.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen in dem Endteil des Zylinders einen freien Öffnungsquerschnitt von ungefähr 50 %> ergeben.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 861295, 868 199;
USA.-Patentschrift Nr. 2 687 484.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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