DE2425286B2

DE2425286B2 - Verfahren zum herstellen eines elektrophotographischen aufzeichnungsmaterials

Info

Publication number: DE2425286B2
Application number: DE19742425286
Authority: DE
Inventors: Hartmut Dipl.-Phys. Dr.; Glowinski Wolf Ing.(grad.); Kassel Karl-Heinz Dipl.-Phys. Dr.; 4785 Belecke Dülken
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1974-05-24
Filing date: 1974-05-24
Publication date: 1976-10-14
Also published as: FR2272425B1; FR2272425A1; GB1497573A; DE2425286A1; NL7506065A

Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektropholographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung als Photoleiter in Anwesenheit von Arsen, und gegebenenfalls eines Halogens, aus zwei ^₀ getrennten Verdampfungsquellen auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft werden.

Elektrophotographische Verfahren und Vorrichtungen hierzu haben in der Vervielfähigungsicchnik weite Verbreitung gefunden. Sie beruhen auf der Eigenschaft des photoleitenden Materials, bei Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung den elektrischen Widerstand änrlern

Nach elektrischer Aufladung und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung läßt sich auf einer photoleitenden Schicht ein latentes elektrisches Ladungsbild erzeugen, das dem optischen Bild entspricht. An den belichteten Stellen findet nämlich eine solche Erhöhung d >r Leitfähigkeit der photoleitenden Schicht statt, daß d\e elektrische Ladung über den leitenden Träger zumindest teilweise, jedenfalls aber stärker als an den unbelichteten Stellen - abfließen kann, während an den unbelichteten Stellen die elektnsche Ladung im wesentlichen erhalten bleibt; sie kann mit einem Bildpulver, einem sogenannten Toner, sichtbar gemacht und das entstandene Tonerbild, falls es erforderlich sein sollte, schließlich auf Papier oder eine andere Unterlage übertragen werden.

Als elektrophotographisch wirksame Stolle werden sowohl organische als auch anorganische Substanzer, verwendet. Unter ihnen haben Selen, Selenlegierungen und Selenverbindungen besondere Bedeutung erlangt.

An die mechanischen, optischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften eines elektrophotographisch wirksamen Stoffes werden für einen erfolgreichen und vorteilhaften praktischen Einsatz verschiedenartige Anforderungen gestellt, die von gebräuchlichen Schichten oft nur teilweise gleichzeitig erfüllt werden können. Es ist jedoch bekannt, daß sich durch Zusätze, wie Arsen, Schwefel, Tellur. Halogene, gewisse Eigenschaften der elektrophotographisch wirksamen Stoffe verbessern lassen, wobei dem Arsen besondere Bedeutung zukommt.

So wird z. B. die geringe thermische Stabilität von Schichten aus amorphem Selen, das die Neigung hat. in den - im allgemeinen nicht gewünschten — kristallisierten Zustand überzugehen, durch einen Arsen/usat/ verbessett. Ebenfalls läßt sich die geringe Härte von amorphen Selenschichten durch einen Arsenzusaiz verbessern.

Schichten mit höherem Arsengehalt zeichnen sich durch eine höhere Lichtempfindlichken aus. wie sie bei homogenen Selen-Arsen-Systemen, bei denen das atomare Mischungsverhältnis bis 1 : 1 geht, bekanntgeworden ist.

Es sind auch Schichten bekanntgeworden, bei denen an der Oberfläche ein höherer Arsengehalt vorhanden ist, der in Richtung auf den Schichtträger abnimmt und zu'geringen Arsenkonzentrationen in den Schichtbereichen führt, die sich in der Nähe des Schichtträgcrs befinden. Dadurch lassen sich die Vorteile eines höheren Arsengehaltes mit einem geringeren Gesamtanteil an Arsen verbinden. Solche Schichten kommen dem Höchstwert der Lichtempfindlichkeit, der beim As₂Se₃ liegt und einem Anteil von 38,74 Gewichts-% Arsen entspricht, recht nahe, ohne beim Aufdampfen hohe und schwierig zu beherrschende Substrattemperaturen in der Nähe von 200⁰C zum Zwecke einer guten Haftung erforderlich zu machen.

Ebenfalls ist es bekanntgeworden, daß geringe Zusätze von einem oder mehreren Halogenen zu den Selenschichten von Vorteil sind, weil sie zu einer Verringerung des Restpotentials führen.

Die beschriebene vielfältige Anwendung des Arsens in elektrophotographischen Schichten auf der Grundlage von Selen stellt die Aufgabe einer zweckmäßigen Aufdampfmethode. Es ist allgemein bekannt, daß sich homogene Mehrkomponentensysteme durch gesonderte Verdampfung der Einzclkomponenlcn herstellen lassen. So ist etwa der DT-OS 16 21 328 zu entnehmen, daß eine glasartige Halbleiterschicht aus Selen und

!Cadmium in der Weise erzeugt werden kann, daß kleine Kugeln aus Kadmium und Selen jeweils für sich aus getrennten Quarztiegeln im Vakuum verdampft werden und sodann der Dampf auf einem gekühlten Substrat kondensiert wird. Für die Herstellung von Selen-Arsen-Systemen ergeben sich dabei aber Schwierigkeiten, weil die Verdampfungstemperatur des Arsens recht hoch liegt, es vor dem Verdampfen bereits sehr leicht oxydiert und damit seine Eigenschaften ändert. Noch stärker wirkt sich aus, daß das Arsen sublimiert und sich somit nur schwierig reproduzierbare Ergebnisse erziefcn lassen.

In der DT-OS 16 22 365 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem aus getrennten Verdampfungstiegeln nacheinander Legierungen verschiedener Zusammensetzung, insbesondere Legierungen mit verschiedenen Anteilen an Arsen, im Vakuum verdampft werden. Doch lassen sich auf diese Weise die Auswirkungen der unterschiedlichen Dampfdrücke von Selen und Arsen auf die Arsenverleilung in der aufgedampften Schicht nur schlecht beeinflussen.

Benutzt man anstelle der Einzelkomponenten eine Selen-Arsen-Legierung mit verhältnismäßig niedrigen Arsenkonzentrationen als Verdampfungsgut, ändert sich während der Verdampfung die Konzentration des Arsens im aufgedampften Substrat, und zwar steigt zum Ende der Verdampfung hin die Arsenkonzentration an. Der Anstieg ist besonders bei kleinen Arsenkonzentrationen des Verdampfungsgutes extrem stark, während bei höheren Arsenkonzentrationen des Verdampfungsguts die Konzentrationsunterschiede im aufgedampften Substrat zu Beginn und zum Ende der Verdampfung sich weniger stark bemerkbar machen. Nur durch Änderung der Temperatur der Verdampfungsquelle während des Aufdampfens, die bei einer Fertigung technologisch ohnehin nicht leicht zu beherrschen ist, läßt sich innerhalb gewisser Grenzen der Konzentrationsverlauf beeinflussen.

Aufgabe der Erfindung i>t es, eine homogene Arsenverteilung mil über die gesamte Schichtdicke hin gleichbleibender Konzentration oder ein vorgesehenes Konzentrationsprofil des Arsens in der photoleitendcn Schicht in zweckmäßiger und technologisch sicher zu beherrschender Weise reproduzierbar zu erzeugen.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum ^₅ Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung als Photoleiter im Vakuum unter Bildung einer photoleitfähigen Schicht auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft wird und bei dem der Photoleiter als einen weiteren Bestandteil Arsen enthält, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die photoleitende Schicht aus zwei getrennten Verdampfungsquellen in der Weise aufgedampft wird, daß gleichzeitig aus einer Verdampfungsquelle Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung, die frei von Arsen sind, und aus der anderen Verdampfungsquelle eine oder mehrere Arscn-Selen-Verbindungen verdampft werden.

Mit der Erfindung wird erreicht, daß bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen der Verdampfungsqucllcn gearbeitet werden kann, was fertigungsmäßige Vorteile bietet. Weil z. B. As^Se j als Verbindung selbst homogen von der Verdampfungsquclle zum Substrat übergeht, tritt außerdem bei dem Verfahren gemäß der Erfindung keine nicht beabsichtigte Konzentrationsänderung des Arsens im Kondensat im Laufe des Verdampfungsvorganges auf, wodurch dann auch eine sonst gegebenenfalls notwendige komplizierte Temperaturführung der Verdampfungsquelle entfallen kann.

Ein weiterer Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung ist darin zu sehen, daß das Arsen nicht in elementarer Form als Verdampiungsgut dient und auf diese Weise die nur schlecht zu beherrschende Sublimation und die Oxydation des Arsens umgangen werden. So lassen sich leichter reproduzierbare Ergebnisse erzielen.

Bei solchen photoleitenden Schichten, die nur einen geringen Arsenanteil aufweisen und bei denen daher ein großer Unterschied der Aufdampfraten von Selen und Arsen vorhanden ist, fällt schließlich noch vorteilhaft ins Gewicht, daß die recht schwierige Einstellung besonders niedriger Aufdampfraten von Arsen im Vergleich zu Selen nicht mehr vorgenommen zu werden braucht. Da z. B. im Arsenselerid bO Atom-% Selen enthalten sind, kann für eine gleiche Arsenkonzentration eine 2,5mal höhere Aufdampfrate des AsjScj benutzt werden.

Als Arsen-Selen-Verbindungen können /weckmiißigerweise neben dem genannten As^Sej auch die Verbindungen AsSct, As2Se? oder AsjScj verwendet werden, die während der Verdamplung mit im wesentlichen gleichbleibender Zusammensetzung übergehen.

Eine we'tcre Ausgestaltung des Verfahrens nach der Erfindung wird darm gesehen, daß eine zusätzlich mn Halogenen dotierte photoleitcnde Schicht hergestellt wird. Hierzu wird die photoleitcnde Schicht aus zwei getrennten Verdampfungsquellen in der Weise aufgedampft, daß gleichzeitig aus einer Verdampfungsquclle Selen, das mit einem oder mehreren Halogenen dotiert ist, und aus der anderen Verdampftingsquelle eines oder mehrere der obengenannten Arsenselenide verdampft werden. Das oder die Halogene können sich auch im Verdampfungsgut der Arsenselenide oder sowohl in diesen als auch im Selen befinden. Auf diese Weise lassen sich die Vorteile des Verfahrens nach der Erfindung auch für phololeitende Schichten ausnutzen. die mit Halogenen dotiert sind.

Zur Erzeugung eines besonderen Arsengradienten. dessen charakteristisches Merkmal darin liegt, daß der Arsengehalt von Schichtbereichen in der Nähe des leitenden Schichtträgers in Richtung zur freien Oberfläche bis zu etwa 50 bis 80% der vorgesehenen Schichtdicke einen ansteigenden Verlauf zeigt, im restlichen Teil der Schicht dann bis zur freier, Oberfläche wieder abnimmt, ist es auch möglich. zunächst eine Arsen-Selen-Legierung mit einem Arsengehalt zwischen eiwa 0,5 und 19 Gewichts-% aus einer Verdampfungsquelle allein zu verdampfen, bis etwa 2/3 bis 3/4 der vorgesehenen Schichtdicke erreicht sind, und sodann zusätzlich gleichzeitig Selen, eine Selenlegicrung oder eine Selenverbindung, die frei von Arsen sind, aus einer zweiten Verdampfungsquelle zu verdampfen. Dabei fällt der zuerst steigende Anengradieni, der sich in der bis dahin aufgedampften Schicht ohnehin ergibt, weil dies — wie oben bereits erwähnt — die Eigenschaft eines Verdampfungsgutes mit einem geringen Arsengehalt ist, durch das Zwischendampfen des Selens wieder auf kleinere Arsenwerte ab. während er sonst gegen Ende der Verdampfung stark ansteigen würde. Die gemeinsame Verdampfung wird gleichzeitig — etw a mit Hilfe einer Blende oder durch Abschalten der beiden Heizungen — abgebrochen, wenn die \ orgeschene Schichtdicke erreicht ist.

An Hand von einigen Ausführiingsbcispielen sei das

Verfahren nach der Erfindung noch einmal näher erläutert.

■ Als Verdampfungsquellen werden beispielsweise twei Kastenschiffchen aus Tantal benutzt, die etwa eine Länge von 40 mm, eine Breite von !2 mm und eine Höhe von 12 mm aufweisen und in einem lichten Abstand von etwa 10 mm parallel zueinander angeordnet sind. Sie werden, wie weiter unten näher erläuten wird, mit den tu verdampfenden Stoffen gefüllt und als elektrische Widerstandsheizungen über getrennt regelbare Stromlufüh~iingen auf die vorgesehenen Verdampfungstemperaturen gebracht. Die Einhaltung der Verdampfungstemperatur wird mit Hilfe eines Thermoelementes überwacht, das an der Unterseite des Kastenschiffchens engebracht ist. In einem Abstand von etwa 170 mm befindet sich über den Kastenschiffchen ein heizbarer Substrathalter, der zur Aufnahme der Trägerbleche dient, die beispielshalber aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen. Zwischen der Oberfläche der verdampfenden Stoffe und dem Substrathalter ist noch eine Blende angebracht, die während des Aufheizens geschlossen bleibt und erst dann geöffnet wird, wenn die vorgesehene Solltemperatur erreicht ist. Auf diese Weise werden ein unkontrolliertes Aufdampfen und Abweichungen von der beabsichtigten Schichtzusammensetzung verhindert. Am Ende der Bedampfung wird entweder die Blende wieder geschlossen, oder «lie Schiffchenheizungen werden gleichzeitig abgeschaltet.

Im folgenden werden einige Beispiele angegeben, die die Anwendungsbreite des Verfahrens nach der Erfindung hinsichtlich der Schichtdicke, der Arsenkonzentration und des Arsenkonzentrationsgradienten aufzeigen. Dabei beziehen sich die ersten zwölf Beispiele auf eine homogene Arsenverteilung mit über die ganze Schichtdicke hin gleichbleibender Arsenkon-F.cntration, während bei den weiteren Beispielen ein Konzentrationsgradient erzeugt wird.

Beispiel

40

Ein Schiffchen wird mit 5 g Arsenselenid (
gefüllt und auf 325°C erhitzt, das andere Schiffchen wird »lit 16 g Selen gefüllt und auf 290⁰C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 65^rC. Nachdem die Solllemperaturen erreicht sind, wird die Blende geöffnet. Die Bedampfung wird danach während einer Dauer von 18 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke ton 56 μιη mit einem Arsengehalt von etwa 0,5 Atom-%.

Beispiel 2

Stoffmengen, Temperaturen und Bedampfungszeiten tntsprechen dem Beispiel 1, das Selen ist jedoch mit 10 ppm Chlor dotiert. Man erhält eine Schicht, die neben Arsen Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält, wobei der Chlorgehalt in der aufgedampften Schicht 10 bis ίθ% weniger als in dem Ausgangsmaterial beträgt.

Beispiel 3

60

Ein Schiffchen wird mit 5 g Arsenselenid (As₂Scjj gefüllt und auf 330°C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 16 g Selen gefüllt und auf 27O°C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 90⁰C. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 27 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke von 55 μιη mit einem Arseneehalt von etwa 1 Atom-%.

Beispiel 4

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen wie im Beispiel 3 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält man ahnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthüll.

Beispiel 5

Ein Schiffchen wird mit 5 g Arsenselenid (As₂Se.) gefüllt und auf 340^c C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 27O⁰C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 80^cC. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 25 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke von 57 iim mit einem Arsengehalt von etwa 2 Atom-%.

Beispiel 6

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen. wie im Beispiel 5 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält nun ähnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält.

Beispiel 7

Ein Schiffchen wird mit 5 p Arsenselenid (As₂Scj) getüllt und auf 355'C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 280 C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt HXfC. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 25 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke von 58 μιη mit einem Arsengehalt von etwa 5 Atom-%.

Beispiel 8

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen wie im Beispiel 7 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält man ähnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält.

Beispiel 9

Ein Schiffchen wird mit 10 g Arsenselenid (As₂SCj) gefüllt und auf 380⁰C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 275°C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 140°C. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 22 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke von 55 μιη mit einem Arsengehalt von lOAtom-%.

Beispiel 10

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen wie im Beispiel 9 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält man ähnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält.

Beispiel 11

Ein Schiffchen wird mit 15 g Arsenselenid (As₂Se₃) gefüllt und auf 400⁰C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 290⁰C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 180°C. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 19 min aufrechterhalten. Man erhält eine Schichtdicke von 58 μηι mit einem Arsengehalt von 15 Atom-%.

Beispiel 12

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen wie im Beispiel 11 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält man ähnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält.

I . ι -

Beispiel 13

Ein Schiffchen wird mit 5 g Arsenselenid (A
gefüllt und zunächst auf 350⁰C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 275°C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 100⁰C. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 36 min aufrechterhalten, während der die Temperatur des Arsenselenid-Schiffchens linear von 350 auf 340°C abgesenkt wird. Man erhält eine Schicht mit einer Dicke von 57 μίτι, deren Arsengehalt von 4 Atom-% in Substratnähe in Richtung zur freien Schichtoberfläche auf 2 Atom-% abnimmt.

•5

Beispiel 14

Wird bei im übrigen gleichen Arbeitsbedingungen wie im Beispiel 13 das Selen durch mit Chlor dotiertes Selen ersetzt, so erhält man ähnlich wie im Beispiel 2 eine Schicht, die Chlor in gleichmäßiger Verteilung enthält.

Beispiel 15

Ein Schiffchen wird mit 5 g Arsenselenid (As₂Se₃) gefüllt und zunächst auf 200⁰C erhitzt, das andere Schiffchen wird mit 21 g Selen gefüllt und auf 270°C erhitzt. Die Substrattemperatur beträgt 80° C. Die Bedampfung wird während einer Dauer von 25 min aufrechterhalten, in deren ersten Hälfte die Temperatur des Arsenselenidschiffchens von 200 auf 300⁰C angehoben wird. Während eines weiteren Fünftels der Bedampfungszeit wird die Temperatur des Arsenselenidschiffchens bis auf 345° C gesteigert und in der restlichen Bedampfungszeit auf 340⁰C abgesenkt. Man erhält eine Schichtdicke von 56 μπι, in der das Arsen mit folgendem Konzentrationsprofil verteilt ist. Im Bereich der Substratoberfläche beträgt der Arsengehalt etwa 0 Atom-%. er nimmt in Richtung auf die freie Schichlüberflachc zu, bis er bei etwa 70% der Schichtdicke seinen Höchstwert mit 3 Atom-% erreicht, um danach auf einen Wert von 2 Atom-% an der freien Schichioberfläche abzusinken.

Beispiel 16

Eine Arsenverteilung nach Anspruch 15 läßt sich auch nach einem abgewandelten Verfahren wie fol<u herstellen:

Zwei Kastenschiffchen aus Tantal, die eine Länge von 290 mm, eine Breite von 10 mm und eine Höhe von 15 mm aufweisen, sind in einem lichten Abstand von 25 mm nebeneinander angeordnet und weisen zu einem sich drehenden Aluminiumzylinder, der als Schichtträger dient, einen Abstand von etwa 45 mm auf. De^-Zylinder wird auf eine Substrattemperatur von 68°C gebracht. Das erste Schiffchen wird mit 40 g einer 1,43 Gewichts-% Arsen enthaltenden Selenlegierung gefüllt und auf 300⁰C erhitzt. Nach einer Bedampfungszeit von 27 min wird das zweite Schiffchen, das mit 13 g Selen gefüllt ist, langsam von 260 bis 290⁰C erhitzt. Nach 45 min wird die Bedampfung abgebrochen. Man erhält eine Schichtdicke von 59 μΐη. Der Konzentrationsgradient des Arsens entspricht den in Beispiel 15 genannten Werten.

Beispiel 17

Soll eine Schicht nach Beispiel 15 oder 16 hergestellt werden, die zusätzlich mit Halogenen dotiert ist, so kann man sowohl von einem mit Halogenen dotierten reinen Selen und/oder auch von einem mit Halogenen dotierten arsenhaltigen Selen ausgehen, wobei z. B. eine der beiden oder beide aufzudampfenden Substanzen 20 ppm Chlor enthalten. Die Verbesserung der elektrophotographischen Eigenschaften kommt in allen Fällen zur Geltung.

Claims

Patemansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem Seien, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung als Photoleiter in Anwesenheit von Arsen, und gegebenenfalls eines Halogens, aus zwei getrennten Verdampfungsquellen auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft werden, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig aus der einen Verdampfungsquelle Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung, die jeweils frei von Arsen ist, und aus der anderen Verdampfungsquelle eine oder mehrere Arsen-Selen-Verbindungen aufgedampft werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Arsen-Selen-Verbindung As2Se3, AsSe4, ASiSe2 oder As2Ses aufgedampft wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung eines gewünschten Arsen-Konzentrationsgradienten in der aufgedampften Schicht nur während eines Teils der gesamten Aufdampfzeit aus beiden Verdampfungsquellen gleichzeitig aufgedampft wird.

1. Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung als Photoleiter in Anwesenheit von Arsen, und gegebenenfalls eines Halogens, im Vakuum aus zwei getrennten Verdampfungsquellen auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft werden, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig aus der einen Verdampfungsquelle Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung, die jeweils frei von Arsen ist, und aus der anderen Verdampfungsquelle eine Arsen-Selen-Legierung mit einem Arsengehalt zwischen 0,5 und 19 Gewichtsprozent iiufgedampft werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Arsen-Selen-Legierung mit einem Arsengehalt zwischen 0,5 und 15 Gewichtsprozent aus der einen Verdampfungsquelle allein aufgedampft wird, bis 2/3 — 3/4 der gewünschten Schichtdicke erreicht sind, daß dann zusätzlich gleichzeitig Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung, die jeweils frei von Arsen ist, aus der anderen Verdampfungsquelle aufgedampft werden, und daß die Verdampfung aus beiden Verdampfungsquellen gleichzeitig abgebrochen wird.