DE2430653C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei Elementen auf ein Substrat - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei Elementen auf ein SubstratInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung /um Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen
Materials aus mindestens zwei Elementen mit voneinander verschiedenen Verdampfungstemperaturen
auf ein Substrat.
Bei einem bekannten Verfahren und einer bekannten Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen von Metallen
auf ein Substrat (US-PS 2440 135) ist über einer Einrichtung zur Aufnahme des zu verdampfenden
Metalls eine Heizeinrichtung angeordnet, über der sich eine Einrichtung zum Halten des mit dem Metall
zu bedampfenden Substrats befindet. Das Metall wird von der darüber angeordneten Heizeinrichtung erhitzt
und verdampft, worauf sich das Metall auf dem über der Heizeinrichtung befindlichen Substrat niederschlägt.
Verfahren und Vorrichtungen dieser Art mögen zum Vakuumaufdampfen von Metallen geeignet sein,
die nur aus einer einzigen Komponente bestehen. Wenn jedoch dieses Verfahren oder diese Vorrichtung
zum Vakuumaufdampfen von Metallegierungen mit mindestens zwei verschiedenen Komponenten mit
unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen verwendet werden, weist die auf das Substrat aufgedampfte
Schicht eine unterschiedliche Zusammensetzung über ihre Dicke auf. Die dem Substrat
zugekehrte Seite der aufgedampften Schicht weist einen wesentlich höheren Anteil der leichter verdampfenden
Komponente auf, als die dem Substrat abgekehrte Seite der aufgedampften Schicht. Die aufgedampfte
Schicht hat daher in den verschiedenen, zum Substrat parallel verlaufenden Ebenen unterschiedliche
prozentuale Anteile an den verschiedenen Komponenten. Die aufgedampfte Schicht hat daher eine
unterschiedliche Zusammensetzung über ihie Dicke. Diese unterschiedliche Zusammensetzung ist bei diesem
bekannten Verfahren und dieser bekannten Vorrichtung nicht zu vermeiden und auch nicht steuerbar,
so daß sich nicht vorhersagen läßt, welche Zusammensetzung die einzelnen Fertigprodukte über ihre
Dicke haben und ob die Fertigprodukte untereinander gleich sind. Eine derartige Unsicherheit bei der Herstellung
von Produkten aus einem Substrat und einer auf das Substrat aufgedampften Schicht mit mindestens
zwei verschiedenen Komponenten ist untragbar, da sich mit einer unterschiedlichen Änderung der Zusammensetzung
über die Dicke auch das Verhalten und die Eigenschaften des Fertigprodukts ändern.
Jc nach der Verwendung des Fertigprodukts werden gleiche oder unterschiedliche Zusammensetzungen
über die Dicke der aufgedampften Schicht bevorzugt. Wenn eine unterschiedliche Zusammensetzung
über die Dicke der Schicht erwünscht ist, muß jedoch gewährleistet sein, daß die unterschiedliche Zusammensetzung
über die Dicke genau vorherbestimmten Werten entspricht.
Eine auf ein Substrat aufgedampfte Schicht mit einer über die Dicke gleichen Zusammensetzung ist beispielsweise
dann erwünscht, wenn die aufgedampfte Schicht einem mechanischen Verschleiß ausgesetzt ist
und die prozentuale Zusammensetzung an der Oberfläche der aufgedampften Schicht die Eigenschaften,
das Verhalten und Auswirken der aufgedampften Schicht entscheidend beeinflußt. Dies ist beispielsweise
bei photoleitfähigen Schichten der Fall, die auf ein Substrat aufgedampft sind und in der Xerographie
verwendet werden. In der Xerographie werden die aufgedampften photoleitfähigen Schichten ständig mit
Kopierpapier in Berührung gebracht und auf diese Weise einer mechanischen Beanspruchung ausgesetzt,
die im Laufe der Zeit zu einer mehr oder weniger großen Abnutzung der aufgedampften photoleitfähigcn
Schicht führt. Wenn nun die aufgedampfte, photoieitfähige Schicht eine über ihre Dicke unterschiedliche
Zusammensetzung hat, ändert sich mit dem Verschleiß und dem Abrieb die prozentuale Zusammensetzung
auf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht, wodurch sich auch zwangsläufig die Eigenschaften
und das Verhalten der aufgedampften photoleitfähigen
Schicht ändern. Eine sich in Abhängigkeit von der iJenutzungsdauer ändernde phötoleitfähige
Schicht ist für photographische Zwecke, insbesondere für Kopierzwecke untragbar, da hierdurch einerseits
die Qualität der erzielten Kopien ständig abnimmt und
andererseits schon nach einer verhältnismäßig kurzen Betriebszeit das Substrat mit der aufgedampften,
lichtempfindlichen Schicht ausgewechselt werden muß.
Eine andere bekannte Vorrichtung (US-PS 2 906 236) zum Vakuumverdampfen eines aus einer
einzigen Komponente bestehenden Materials in Form von Selen weist eine Einrichtung zur Aufnahme des
lichtempfindlichen Selens, eine Einrichtung zum Erhitzen des Sefens mittels Infrarotstrahlung und eine
Einrichtung zum Halten eines mit dem Selen zu bedampfenden Substrats. Auch diese bekannte Vorrichtung
ist nicht zum Vakuumverdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei, bei
unterschiedlichen Temperaturen verdampfenden Elementen geeignet, da auch hier die entstandene,
aufgedampfte Schicht eine unterschiedliche prozentuale Zusammensetzung über ihre Dicke aufweist.
Diese bekannte Vorrichtung ist daher in der gleichen Weise wie die vorstehend abgehandelte Vorrichtung
zu beurteilen.
Es ist daher die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu
sch:affen, womit eine Schicht aus mehreren Komponenten mit unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen
in wiederholbarer Weise mit einer vorbestimmten Konzentrationsverteilung über die Schichtdicke
auf einem Substrat abgeschieden werden kann.
Dies wird durch ein Verfahren gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß das phötoleitfähige Material
zunächst von unten durch eine Heizeinrichtung und anschließend von oben durch eine Infrarotheizung
und gleichzeitig von unten beheizt wird, und daß die beiden Hetzqucllen jeweils für eine bestimmte
Zeitdauer zur Einstellung der Konzentrationsverteilung über die Dicke des aufgedampften photoleitfähigen
Materials betrieben werden.
Ein Erhitzen des zu verdampfenden photoleitfähigen Materials von unten und von oben unter Einhaltung
bestimmter Heizzeiten der oberhalb und unterhalb des zu verdampfenden Materials angeordneten
Heizeinrichtungen gestattet ein vorbestimmtes Verdampfen der einzelnen Komponenten des photoleitfähigen
Materials, das beispielsweise aus Selen und Tellur bestehen kann. Durch eine entsprechende Einstetlung
der Heizzeiten der Heizeinrichtungen kann entweder ein im wesentlichen gleichzeitiges Verdampfen
der einzelnen Komponenten und damit eine
gleichmäßige Zusammensetzung über die Dicke der aufgedampften Schicht oder aber eine vorbestimmte
Konzentraüonsverteilung erzielt werden, die sich über die Dicke der aufgedampften Schicht in gewünschter
Weise ändert. Mit Hilfe des Verfahrens gemäß der HrI indung ist es daher durch eine zeitlich abgestimmte
Inbetriebnahme der beiden Heizungen möglich, entweder eine gleichmäßige Zusammensetzung über die
Dicke der aufgedampften Schicht zu erzielen oder dir Zusammensetzung der aufgedampften Schicht über
deren Dicke in einem vorgegebnen Ausmaß zu steuerr und zu ändern.
Eine einfache Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einer Einrichtung zur Aufnahme des
photoleitfähigen Materials, einer über dem photoleitfähigen Material angeordneten Heizeinrichtung zum
Erhitzen des photoleitfähigen Materials und einer über der Heizeinrichtung angeordneten Einrichtung
zum Halten eines mit dem photoleitfähigen Material zu bedampfenden Substrats läßt sich gemäß der Erf in-■
dung dadurch erreichen, daß eine weitere Heizeinrichtung zur direkten Beheizung des photoleitfähigen
Materials von unten vorgesehen ist und die über dem photoleitfähigen Material angeordnete Heizeinrichtung
eine Infrarotheizeinrichtung ist, die von einem für Infrarotstrahlen durchlässigen Mantel umgeben
ist.
Die Vorrichtung gemäß der Erfindung macht die Herstellung einer aufgedampften Schicht möglich,
welche über ihre Dicke eine gleichmäßige oder eine vorbestimmte, unterschiedliche Zusammensetzung
hat. Der Mantel, weicher die Infrarotheizung umgibt. verhindert, daß die Infrarotheizung in das phötoleitfähige
Material hineinverdampft und eine die Eigenschaften des photoleitfähigen Materials verändernde
Verunreinigung erzeugt. Der Mantel um die Infrarotheizung sorgt daher dafür, daß keine ungewollten
Stoffe in die aufgedampfte Schicht gelangen.
Eine besonders leistungsfähige Infrarotheizeinrichtung läßt sich dadurch erzielen, daß die Infrarotheizeinrichtung
aus Wolfram gebildet ist und der die Infrarotheizeinrichtung umgebende Mantel aus Quarz
besteht.
Ein evtl. Rückverdampfender bereits auf dem Substrat
abgeschiedenen Komponenten läßt sich in wirksamer Weise dadurch verhindern, daß über der Infrarotheizeinrichtung
eine Reflexionseinrichtiing vorgesehen ist, welche das Substrat gegen die Infrarotheizeinrichtung
abschirmt.
Eine im Hinblick auf wärmetechnischc Gesichtspunkte besonders günstige Bauform läßt sich dadurch
erzielen, daß die Einrichtung zur Aufnahme des photoleitfähigen Materials eine rohrförmige Gestalt hat
und an der Oberseite eine in Längsrichtung verlaufende Austrittsöffnung aufweist und daß die Infrarotheizeinrichtung
in der rohrförmigen Einrichtung zur Aufnahme des photoleitfähigen Materials untergebracht
ist.
Wenn die Reflexionseinrichtung außerhalb der Einrichtung zur Aufnahme des photoleitfähigen Materials
angeordnet ist, befindet sich die Reflexionseinrichtung außerhalb der unmittelbaren Einflußnahme
des zu verdampfenden Materials.
Eine Beeinträchtigung der Reflexionseinrichtiing durch hochspritzendes Material kann dadurch vermieden
werden, daß in der Austrittsöffnung der das phötoleitfähige Material aufnehmenden Einrichtung
ein Spritzschutz vorgesehen ist, welcher das phötoleitfähige Material an einem Spritzen aus der Aufnahmecinrichtung
hindert.
Im nachfolgenden werden einige Aiisführungsbeispieleder
Erfindung an Hand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine sehematisehe Darstellung einer her-
kömmlichcn Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen
eines Materials auf ein Substrat,
f:ig. 2 eine schcmatischc Darstellung einer Vorrichtung
gemäß der Erfindung zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials auf ein Substrat,
I ig. 3 eine perspektivische Darstellung eines Teils der in I ig. 2 gezeigten Vorrichtung gemäß der Erfindung.
F:ig. 4, 5 und (t perspektivische Darstellungen verschiedener
Ahwandlungsformcn gemäß der Erfindimg.
rrig. 1 zeigt eine herkömmliche Vorrichtung zum
Vakuumaufdampfen eines Materials auf ein Substrat. Die Vorrichtung besitzt eine gegen die Außenatmosphäre
dicht abgeschlossene Glocke 1, die mit einer IJnterdruckquellc bzw. einer Vakuumpumpe 2 in
Verbindung steht. Die Vakuumpumpe 2 stellt im Inneren der Glocke 1 einen Unterdruck her. In der
Glocke 1 ist ein Tiegel 3 zur Aufnahme eines zu verdampfenden Materials 4 untergebracht. Der Tiegel 3
und das Material 4 werden von einer Energiequelle 7 erhitzt. Die Energiequelle 7 weist einen Transformator
5 und eine Steuereinrichtung 6 auf. Das unter Vakuum erhitzte und verdampfte Material 4 schlägt sich
an einem Substrat 9 nieder, welches an einer Halteeiivichtung
8 befestigt ist. Diese bekannte Vorrichtung arbeitet beim Aufdampfen eines aus einer einzigen
Komponente bestehenden Materials zufriedenstellend. Wenn jedoch Materialien aus mehreren
Komponenten mit unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen auf ein Substrat aufgedampft werden
sollen, ist diese bekannte Vorrichtung nicht mehr ausreichend.
In f-'ig. 2 ist eine Vorrichtung gemäß der Erfindung
/um Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials auf ein Substrat gezeigt. Eine gegen die Außenatmosphäre
dicht abgeschlossene Glocke 11 steht mit einer Vakuumpumpe 12 in Verbindung, welche
im Inneren der Glocke 11 einen gewünschten Unterdruck erzeugt. In der Glocke 11 ist ein Tiegel 13 zur
Aufnahme eines photoleitfähigen Materials 14 angeordnet. Der Tiegel 13 besteht aus einem bekannten
widerstandsfähigen Material und wird zusammen mit dem photoleitfähigen Material 14 von einer Energiequelle
17 erhitzt. Die Energiequelle 17 weist einen Transformator 15 und eine Steuereinrichtung 16 auf.
Das zu verdampfende photoleitfähige Material 14 wird gleichzeitig von einer Infrarotheizung 22 erhitzt,
die über dem photoleitfähigen Material 14 angeordnet und mit einer Energiequelle 20 verbunden ist. Die
Energiequelle 20 besitzt einen Transformator 18 und
eine Steuereinrichtung 19. Die Infrarotheizung 22 ist an ihrer oberen dem zu verdampfenden Material 14
abgekehrten Seite mit einer Abschirmplatte 21 abgedeckt. Über der Infrarotheizung 22 und der Abschirmplatte 21 ist ein mit dem Material 14 zu bedampfendes
Substrat 24 angeordnet, welches an einer Halteeinrichtung 23 befestigt ist. Die Abschirmplatte
21 hat die Aufgabe, eine Wärmeabstrahlung nach oben gegen das Substrat 24 und das bereits aufgedampfte
Material sowie ein Hochspritzen des im Tiegel 13 befindlichen Materials 14 gegen das Substrat
24 zu verhindern.
Die Infrarotheizung 22 besteht aus einem Heizdraht und einem den Heizdraht umgebenden rohrförmigen
Mantel, der für Infrarotstrahlen durchlässig ist. Der den Heizdraht umgebende Mantel verhindert,
daß evtl. vom Heizdraht abgedampftes Material in das photoleitfähige Material hineindiffundiert, das sich
entweder noch im Tiegel 13 oder schon in aufgedampftem Zustand auf dem Substrat 24 befindet. Der
Heizdraht kann beispielsweise aus Wolfram bestehen und der den Heizdraht umgebende, rohrförmige
Mantel kann beispielsweise ein Quarzrohr sein. Da die Temperatur eines aus Wolfram bestehenden Heizdrahtes
bis auf 3500° C steigen kann, ist eine Abdekkungdes
Heizdrahtes mit einem Quarzrohr besonders geeignet. Ganz allgemein gilt, daß das Material für
den den Heizdraht umgebenden Mantel einen hohen Schmelzpunkt haben muß und das photoleitfähige
Material nicht nachteilig beeinflussen darf. In gleicher Weise gilt natürlich, daß das photoleitfähige Material
den Manie! des Heizdiahies nicht nachteilig beeinflussen
darf. Der Mantel des Heizdrahtes kann jedoch gegenüber Infrarotstrahlen undurchlässig sein, die von
dem zu verdampfenden, photoleitfähigen Material 14 reflektiert worden sind. Da die Infrarotheizung in
manchen Fällen über eine lange Zeit auf einer hohen Temperatur gehalten wird, kann es erforderlich sein,
die Abdeckplatte 21 als Hitzeschild auszubilden, um zu verhindern, daß andere Bereiche als das zu verdampfende,
photoleitfähige Material erhitzt wird.
Die Fig. 3 bis 6 zeigen besondere Ausführungsformen der Vorrichtung gemäß der Erfindung. Gemäß
Fig. 3 besteht der Tiegel 13 aus einem horizontal angeordneten Rohr, das an seiner Oberseite offen ist.
Die Infrarotheizung 22 ist im Inneren des rohrförmigen Tiegels 13 angeordnet. Die Abschirmplattc 21
befindet sich ebenfalls innerhalb des rohrförmigen Tiegels 13. Die Abschirmplatte 21 deckt das offene
Ende des rohrförmigen Tiegels 13 ab und liegt in einem kleinen Abstand von der Innen-Umfangswand
des Tiegels 13, so daß beiderseits der Abschirmplatte 21 ein Durchtrittsspalt für das dampfförmige, photoleitfähige
Material frei bleibt. Die Abschirmplatte 21 verhindert auf diese Weise, daß das photoleitfähige
Material 14 aus dem rohrförmigen Tiegel 13 herausspritzen und gleichzeitig unnötige Wärme von der Infrarotheizung
22 nach außen abstrahlen kann.
Die Abwandlungsform gemäß Fig. 4 besitzt einen rohrförmigen Tiegel 41, eine Infrarotheizung 42, eine
Abschirmplatte 43 und einen Hitzeschirm 44. Die Abschirmplatte 43 verhindert ein Herausspritzen des
photoleitfähigen Materials 45. Der Hitzeschirm 44 ist außerhalb des rohrförmigen Tiegels 41 über der Infrarotheizung
42 angeordnet.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 5 besitzt einen rohrförmigen Tiegel 51, zwei voneinander getrennte
Infrarotheizungen 52 und 53, eine Abschirmplatte 54 und zwei Hitzeschilde 55 und 56. Die Abschirmplatte
54 verhindert, daß das verflüssigte, photoleitfähige Material 57 aus dem rohrförmigen Tiegel 51 heraus-
; spritzt. Die beiden Hitzeschilde 55 und 56 sind außerhalb
des rohrförmigen Tiegels 51 über den beiden Infrarotheizungen 52 und 53 angeordnet.
Die in Fig. 6 gezeigte Ausführungsform besitzt einen rohrförmigen Tiegel 61, eine Infrarotheizung 62
ι und eine Führungseinrichtung 63. Die Führungseinrichtung
63 bildet zusammen mit dem rohrförmigen Tiegel 61 einen Austrittsschlitz, aus welchem das photoleitfähige
Material 64 in Dampfform austritt.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von einigen Beispielen näher erläutert. Bei diesen Beispielen wurde ein photoleitfähiges Material verwendet, das aus zwei Komponenten mit unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen besteht und daher einer
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von einigen Beispielen näher erläutert. Bei diesen Beispielen wurde ein photoleitfähiges Material verwendet, das aus zwei Komponenten mit unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen besteht und daher einer
fraktionierten Verdampfung oder Teilverdampfung unterworfen ist. Das bei den nachstehenden Beispielen
verwendete, photoieitfähige Material bestand aus 8 Gcw.-% Tellur (Tc) und 92 Gew.-'7/, Selen (Se).
Es wurden 30 g dieses Materials in die Tiegel eingesetzt. Der Unterdruck in der Glocke betrug K)"4 Torr.
Bei diesem Beispiel wurde eine Vorrichtung gemäß den Fig. 2 und 3 verwendet. Die Vorrichtung wurde
auf zwei verschiedene Arten betrieben, um die Wirkung des Verfahrens gemäß der Erfindung deutlich
zu zeigen.
Bei der ersten Arbeitsweise wurde nur die Energiequelle 17 in Betrieb genommen, welche den Tiegel
13 erhitzt. Dies bedeutet, daß das zu verdampfende, photoieitfähige Material 14 lediglich von unten durch
den Tiegel 13 erhitzt und verdampft wurde. Der Transformator 15 gab bei 5 Volt eine Leistung von
1 KW an den Tiegel 13 ab. Es floß daher ein Strom von 200 A durch den Tiegel 13 hindurch. Dieser
Strom erhitzte den Tiegel auf eine stabile Temperatur von 600° C, bei welcher das photoieitfähige Material
14 schnell verdampfte. Die Temperatur wurde durch ein C-A-Thermoelement gemessen, das mittels Silber
an den Außenboden des Tiegels 13 angelötet wurde. Die Glocke 11 bestand aus einem durchsichtigen Material,
so daß die Abnahme des Materials 14 im Tiegel
13 bei fortschreitender Verdampfung beobachtet werden konnte. Der Dampf selbst war unsichtbar. Innerhalb
von 5 Minuten nach dem Einschalten des elektrischen Stroms war die Menge von 30 g des Materials
14 im wesentlichen verdampft. Auf dem Substrat 24 entstand eine photoieitfähige Schicht mit einer
Dicke von etwa 110 μίτι.
Bei der zweiten Arbeitsweise wurde keine elektrische Energie an den Tiegel 13 angelegt. Es wurde lediglich
die Energiequelle 20 verwendet, um das photoieitfähige Material 14 ausschließlich durch die
Infrarotheizung 22 zu erhitzen. Die Infrarotheizung 22 war eine Jodlampe mit einem Wolframfaden. Die
Spannung betrug 210 Volt und die Leistung 1 KW. Zwei Minuten nach dem Einschalten des Stroms war
die Menge von 30 g des photoleitfähigen Materials
14 im wesentlichen vollständig verdampft. Auf dem Substrat 14 entstand eine photoieitfähige Schicht mit
einer Dicke von 110 um.
Beim Vergleich der beiden vorstehenden Arbeitsweisen wird deutlich, daß die zweite Arbeitsweise eine
größere Ausbeute je Zeiteinheit für gleichen Energieverbrauch ergibt und damit die Herstellungskosten für
eine aufgedampfte, photoieitfähige Schicht herabsetzt.
Die aufgedampfte Schicht hatte in beiden Fällen eine Dicke von 110 μπι sowie eine glatte Oberfläche.
Eine quantitative Analyse der aufgedampften Schicht mit Hilfe eines Röntgenstrahlen-Mikroanalysators an
5 verschiedenen Stellen auf der dem Substrat 24 zugekehrten, inneren Seite und auf der dem Substrat abgekehrten,
äußeren Seite der aufgedampften Schicht zeigte, daß der Tellurgehalt bei der ersten Arbeitsweise
auf der inneren Seite einen 4—5 % und auf der äußeren Seite etwa 10 bis 40% betrug, während der
Tellurgehalt bei der zweiten Arbeitsweise auf der inneren Seite etwa 7-8 % und auf der äußeren Seite etwa
9-10% betrug. Hieraus ergibt sich, daß die fraktionierte Verdampfung der beiden Komponenten des zu
verdampfenden, photoleitfähigen Materials 14 bei der
zweiten Arbeitsweise kaum mehr auftritt.
Die Qualität einer elektrostatischen Fotokopie hängt in großem Maße von der Verteilung der Zusammensetzung
an oder in der Nähe der Oberfläche der
"' photoleitfähigen Platte ab, wobei die Konzentration
an Tellur vorzugsweise kleiner als 25°A ist. Auf Grund der vorstehenden Ergebnisse wird deutlich, daß es
durch die Kombination der beiden Arbeitsweisen möglich ist, die jeweils gewünschte Konzentration an
der Oberfläche einer photoleitfähigen Platte zu erzielen.
In diesem. Beispie! wird gezeigt, daß die Konzentra-
i'' tionsverteilung innerhalb der niedergeschlagenen
Schicht gesteuert werden kann.
Der Tiegel 13 wurde zunächst 5 Minuten lang von der Energiequelle 17 erhitzt, um die Temperatur auf
300° C zu halten. Anschließend wurde die Infrarot-
-'» heizung 22 1 Minute lang mit einer Spannung von 210 Volt von der Energiequelle 20 gespeist. Die
Menge von 30 g des photoleitfähigen Materials 14 war innerhalb dieser Zeit im wesentlichen vollständig verdampft.
Eine quantitative Analyse der auf das Sub-
-' ■ strat aufgedampften Schicht mit Hilfe eines Röntgenstrahlen-Mikroanalysators
an verschiedenen Stellen über die Dicke der aufgedampften Schicht zeigte, daß der Tellurgehalt in einem vom Substrat 24 ausgehenden
Bereich von 0 bis 90 (im der Dicke der aufge-
SH dampften Schicht etwa 5 bis 9rA betrug, während der
Tellurgehalt im Bereich von 90 bis 110 um etwa
15-16% betrug.
Wenn der Tiegel 13 zuerst 3 Minuten lang auf 300° C gehalten wurde und danach eine Spannung
s"> von 210 Volt für die Dauer von 2 Minuten an die
Infrarotheizung 22 angelegt wurden, betrug der Tellurgehalt in einem vom Substrat 24 ausgehenden Bereich
von 0 bis 70 μπι der Dicke der niedergeschlagenen
Schicht etwa 5 bisß% und im Bereich von 70
4L bis 110 um etwa 10 bis \2°/<.
Die vorstehende Messung wurde 5mal durchgeführt. Es zeigte sich, daß das Verfahren gemäß der
Erfindung eine ausgezeichnete Wiederholbarkeit hat, d. h. daß die gleichen Ergebnisse mit großer Genauig-
4-, keit wiederholt erzielt werden können. Die obigen Ergebnisse
zeigen, daß die Konzentrationsverteilung des Tellurs über die Dicke der aufgedampften Schicht
durch ein Ändern der Heizzeiten der beiden Heizquellen beliebig gesteuert werden kann.
Mit diesem Beispiel sollte die Lebensdauer einer gemäß der Erfindung aufgedampften Schicht eines
photoleitfähigen Materials gezeigt werden.
-,τ Der Versuch in Beispiel 2 wurde in kleinem Maßstab
ausgeführt. Bei diesem Beispiel wurde eine photoieitfähige Schicht in einem größeren Maßstab auf
ein Sustrat aufgedampft. Es wurde ein Tiegel mit einer Länge von 2 m und eine zylindrische Aluminiumplatte
ho verwendet, wie sie in einer Kopiermaschine zur Anwendunggelangt.
Der Tiegel 13 wurde zunächst 3 Minuten lang auf einer Temperatur von 300 ° C gehalten.
Anschließend wurde die Infrarotheizung 22 auf 2500° Kelvin erhitzt und 2 Minuten lang bei dieser
hi Temperatur gehalten. Es entstand eine aufgedampfte
Schicht mit einer Dicke von HO(Im. Diese Dickt stellte einen Durchschnittswert von 5 verschiedenen
Proben dar. Die mit der photoleitfähigen Schicht be-
schichtete Aluminiumplatte wurde dann in einer xerographischen
Kopiermaschine für Testzwecke verwendet. Bei 5 verschiedenen, als Proben eingesetzten
Aluminiumplatten wurde keine Verschlechterung der Kopiequalität bis zu einer durchschnittlichen Stückzahl
von 100000 Kopien festgestellt, nine mit der
herkömmlichen Vorrichtung gemäß Fig. 1 hergestellte photoleitfähige Schicht ist dagegen nur in der
Lage, 20000 unbeschädigte Kopien herzustellen. Wenn man die gemäß der Erfindung hergestellte,
photoleitfähige Schicht mit der photoleitfähigen Schicht vergleicht, die mit der bekannten, in Fig. 1
gezeigten Vorrichtung hergestellt wurde, wird deutlich sichtbar, daß die photoleitfähige Schicht, die nach
dem Verfahren und mit der Vorrichtung gemäß der Hrfindung hergestellt worden ist, eine beträchtlich höhere
Lebensdauer hat.
In diesem Beispiel wurden die in den Fig. 4 bis 6 gezeigten Ausführungsformen der Vorrichtung gemäß
der Erfindung verwendet.
Die Werte, die bei den mit diesen Vorrichtungen hergestellten Filmen gemessen wurden, sind mit den
Werten vergleichbar, die bei den Filmen gemessen wurden, die mit Hilfe der Vorrichtung gemäß den
Fig. 2 und 3 hergestellt wurden.
Sämtliche Ausführungsformen der Vorrichtung gemäß der Erfindung haben die nachstehend aufgeführten
Vorteile:
1. Selbst wenn ein photoleitfähiges Material verwendet wird, das aus mindestens zwei Komponenten
mit unterschiedlichen Verdampfungstemperaturen besteht und normalerweise einer fraktionierten Verdampfung unterworfen ist,
läßt sich unter Anwendung des Verfahrens und der Vorrichtung gemäß der Erfindung eine fraktionierte
Verdampfung oder Teilverdampfung je nach Wunsch verringern oder unterdrücken. Auf
diese Weise lassen sich Substrate mit einer auf-
3.
gedampften photoleitfähigen Schicht herstellen, die gleichmäßige Eigenschaften haben. Außerdem
läßt sich eine gleichmäßige Konzentrationsverteilung über die Dicke der aufgedampften
Schicht erreichten. In diesem Fall ergibt sich selbst nach einem teilweisen Abrieb der aufgedampften
Schicht keine Änderung der Charakteristiken der Schicht. Auf diese Weise wird die
Lebensdauer des mit der photoleitfähigen Schicht überzogenen Substrats verlängert.
Im Vergleich mit einem üblichen Explosionsverdampfer oder einem Elektron^nstrahlerhitzer hat die Vorrichtung gemäß der Erfindung einen einfachereren Aufbau, so daß geringere Investitionen für die Produktion erforderlich sind. Außerdem ist die Vorrichtung gemäß der Erfindung einfacher zu betätigen und zu warten. Neben diesen Vorteilen kann die Wärmekapazität der Vorrichtung gemäß der Erfindung so klein gemacht werden, daß die Vorrichtung auch nach einer relativ plötzlichen Temperaturänderung ohne Verzögerung betrieben werden kann. Darüber hinaus lassen sich große, mit photoleitfähigen Schichten überzogene Platten bequem herstellen, indem mehrere Tiegel nebeneinander gestellt oder nur ein einziger langer Tiegel verwendet werden.
Im Vergleich mit einem üblichen Explosionsverdampfer oder einem Elektron^nstrahlerhitzer hat die Vorrichtung gemäß der Erfindung einen einfachereren Aufbau, so daß geringere Investitionen für die Produktion erforderlich sind. Außerdem ist die Vorrichtung gemäß der Erfindung einfacher zu betätigen und zu warten. Neben diesen Vorteilen kann die Wärmekapazität der Vorrichtung gemäß der Erfindung so klein gemacht werden, daß die Vorrichtung auch nach einer relativ plötzlichen Temperaturänderung ohne Verzögerung betrieben werden kann. Darüber hinaus lassen sich große, mit photoleitfähigen Schichten überzogene Platten bequem herstellen, indem mehrere Tiegel nebeneinander gestellt oder nur ein einziger langer Tiegel verwendet werden.
Im Vergleich mit den herkömmlichen Verfahren wird eine schnellere Verdampfung erzielt, so daß
die Produktivität verbessert wird und die Herstellungskosten des photoleitfähigen Substrats
verringert werden.
Durch die beliebige Betätigung der beiden Heizungen, die unterhalb und oberhalb des zu verdampfenden,
photoleitfähigen Materials angeordnet sind, läßt sich die Konzentrationsverteilung
über die Dicke der aufgedampften Schicht beliebig steuern, so daß der aufgedampften
Schicht die gewünschten Charakteristika gegeben werden können.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei
Elementen mit voneinander verschiedenen Verdampfungstemperaturen auf ein Substrat, dadurch
gekennzeichnet, daß das photoleitfähige Material zunächst von unten durch eine Heizeinrichtung und anschließend von oben durch
eine Infrarotheizung und gleichzeitig von unten beheizt wird, und daß die beiden Heizquellen jeweils
für eine bestimmte Zeitdauer zur Einstellung der Konzentrationsverteilung über die Dicke des
aufgedampften photoleitfähigen Materials betrieben werden.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit e«ner Einrichtung zur
Aufnahme des photoleitfähigen Materials, einer über dem photoleitfähigen Material angeordneten
Heizeinrichtung zum Erhitzen des photoleitfähigen Materials und einer über der Heizeinrichtung
angeordneten Einrichtung zum Halten eines mit dem photoleitfähigen Material zu bedampfenden
Substrates, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere Heizeinrichtung zur direkten Beheizung
des photoleitfähigen Materials (14) von unten vorgesehen ist und die über dem photoleitf uhigen
Material angeordnete Heizeinrichtung eine Infrarotheizeinrichtung ist, die von einem für Infrarotstrahlen
durchlässigen Mantel umgeben ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die tnfrarotheizeinrichtung aus
Wolfram gebildet ist und der die Infrarotheizeinrichtung umgebende Mantel aus Quarz besteht.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß über der Infrarotheizeinrichtung
(22,42, 52,53,62) eine Reflexionseinrichtung
(44, 55, 56) vorgesehen ist, welche das Substrat (241 gegen die Infrarotheizeinrichtung
abschirmt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung
(13) zur Aufnahme des photoleitfähigen Materials
(14) eine rohrförmige Gestalt hat und an der Oberseite eine in Längsrichtung verlaufende Austrittsöffnung
aufweist und daß die Infrarotheizeinrichtung (22,42, 52, 53, 62) in der rohrförmigen
Einrichtung (13) zur Aufnahme des photoleitfähigen
Materials untergebracht ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflcxionseinrichtung
außerhalb der Einrichtung (13) zur Aufnahme des photoleitfähigen Materials angeordnet
ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis f>, dadurch gekennzeichnet, daß in der Austrittsöffnung der das phototettfähige Material aufnehmenden
Einrichtung'Mn Spritzschutz (43, 54) vorgesehen
ist, welcher das photoleitfähige Material an einem Spritzen aus der Aufnahmeeinrichtung
(13) hindert.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP48072263A JPS5022639A (de) | 1973-06-28 | 1973-06-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2430653A1 DE2430653A1 (de) | 1975-01-23 |
DE2430653B2 DE2430653B2 (de) | 1979-07-12 |
DE2430653C3 true DE2430653C3 (de) | 1980-03-20 |
Family
ID=13484214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742430653 Expired DE2430653C3 (de) | 1973-06-28 | 1974-06-26 | Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei Elementen auf ein Substrat |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5022639A (de) |
DE (1) | DE2430653C3 (de) |
FR (1) | FR2235401B1 (de) |
GB (1) | GB1473535A (de) |
NL (1) | NL7407524A (de) |
Families Citing this family (5)
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JP4593008B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置 |
US7431807B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-10-07 | Universal Display Corporation | Evaporation method using infrared guiding heater |
DE102021006249A1 (de) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Singulus Technologies Aktiengesellschaft | Beschichtungsquelle, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Substraten |
DE102021006288A1 (de) | 2021-12-21 | 2023-06-22 | Singulus Technologies Aktiengesellschaft | Beschichtungsquelle mit Nachfüllvorrichtung |
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- 1973-06-28 JP JP48072263A patent/JPS5022639A/ja active Pending
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- 1974-06-14 GB GB2660374A patent/GB1473535A/en not_active Expired
- 1974-06-26 DE DE19742430653 patent/DE2430653C3/de not_active Expired
- 1974-06-27 FR FR7422500A patent/FR2235401B1/fr not_active Expired
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FR2235401A1 (de) | 1975-01-24 |
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GB1473535A (en) | 1977-05-11 |
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JPS5022639A (de) | 1975-03-11 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |