DE2056013A1

DE2056013A1 - Modified inorganic photoconductor layer

Info

Publication number: DE2056013A1
Application number: DE19702056013
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Yokohama Kanagawa Kitajima Nobuo Akishima Tokio Masaki Tatsuo Tokio Hanada, (Japan) P
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1969-11-14
Filing date: 1970-11-13
Publication date: 1971-05-19
Also published as: DE2056013B2

Abstract

Electrophotographic material consisting of support, photoconductor layer and insulating layer is distinguished by the side of the photoconductor layer facing the support being p-conductive, the other side n-conductive, or vice versa.. In the first case, hole conduction from the support to the photoconductor layer is in its optimal state, whilst the n-conductive side facing the insulating layer serves well to retain the charge.

Description

Elektrofotografischer lichtempfindlicher Körper Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrofotografischen licht empfindlichen Körper, bestehend aus einer Grundschicht, einer lichtleitenden oder Fotowiderstandsschicht und einer Isolierschicht, sowie auf ein Verfahren zur herstellung eines solchen lichtempfindlichen Körpers. Electrophotographic Photosensitive Body The invention relates based on an electrophotographic light-sensitive body, consisting of a Base layer, a light-conducting or photo-resistive layer and an insulating layer, and a method for producing such a photosensitive body.

Lichtempfindliche Körper der genannten Art erwiesen sich als geeignet zur Verwendung in Elektrofotografie Verfahren beispielsweise nach der USA-Patentanmeldung 563 899 vom 8.Juli 1966 und 571 538 vom lO.August 1966. Photosensitive bodies of the type mentioned have been found to be suitable for use in electrophotography processes, for example according to the USA patent application 563 899 of July 8, 1966 and 571 538 of August 10, 1966.

Bei diesen elektrofotografischen Verfahren wird ein aus drei Schichten, nämlich einer Grundschicht, einer Fotowiderstandsschicht und einer Isolierschicht, bestehender lichtempfindlicher Körper einer Primäraufladung unterzogen, bei der die Isolierschicht eine Ladung bestimmter Polarität erhalt. Während dieser Aufladung bildet sich in der Grenzschicht bzw. in ihrer Umgebung zwischen der Isolierschicht und der Yotowidernt andaschicht; eine Ladung von der bei der Aufladung erteilten entgegengesetzter Polarität aus. Anschließend wird der lichtempfindliche Körper, gleichzeitig mit der Belichtung mit dem Abbild einer Vorlage, einer Coronaentladung von der Primäraufladung entgegengesetzter Polarität oder einer Wechselstrom-Coronaentladung ausgesetzt, wobei die zunächst erteilte Ladung an den hellen Stellen des Abbildes der Vorlage freigesetzt, an dunklen Stellen jedoch unverändert belassen wird. Schließlich wird die gesamte Oberfläche des lichtempfindlichen Körpers zur Herstellung eines latenten elektrostatischen Bildes einer gloichförmigen Strahlung auBgesetzt.Die Güte von auf solchen lichtempfindlichen Körpern erzeugten elektrostatischen latenten Bildern ist naturgemäß voii der Art der Bindung der elektrostatischen Ladung abhängig.This electrophotographic process consists of three layers, namely a base layer, a photoresist layer and an insulating layer, existing photosensitive body subjected to primary charging in which the insulating layer receives a charge of a certain polarity. During this charge forms in the boundary layer or in its surroundings between the insulating layer and the Yotowidernt andaschicht; a charge different from that given at the time of charge opposite Polarity off. Subsequently, the photosensitive Body, simultaneously with the exposure with the image of an original, a corona discharge from the primary charge of opposite polarity or an AC corona discharge exposed, with the initially issued charge in the light areas of the image released from the original, but left unchanged in dark places. In the end will use the entire surface of the photosensitive body to produce a The latent electrostatic image is exposed to globular radiation Goodness of electrostatic latent generated on such photosensitive bodies Pictures naturally depends on the way in which the electrostatic charge is bound.

Herkömmliche Fotowiderstandsschichten, insbesonderesolche, die Se, Se-Te, Se-Te-As usw. enthalten, weisen sehr gute Haltbarkeit, panchromatische Eigenschaften und hohe Empfindlichkeit auf. Der Vorgang des Injizierens der elektrostatischen Ladung aus der Grundschicht in die Fotowiderstandsschicht und die Bindung der injizierten Ladung im Bereich der vorstehend angeführten Grenzschicht sind jedoch noch immer unvollkommen, wodurch das erzeugte elektrostatiache Bild im Hinblick auf Kontrast und andere Eigenschaften ebenfalls unbefriedigend ist. Conventional photoresist layers, especially those that are Se-Te, Se-Te-As etc. contain very good durability, panchromatic properties and high sensitivity. The process of injecting the electrostatic Charge from the base layer into the photoresist layer and bond the injected However, there are still charges in the region of the boundary layer mentioned above imperfect, reducing the generated electrostatic image in terms of contrast and other properties are also unsatisfactory.

Bei bekannten lichtempfindlichen Körpern konnte man die Farb- sowie die Lichtempfindlichkeit insgesamt durch die Verwendung von lichtleitenden Werkstoffen der Selen-Tellur-Reihe mit Erfolg steigern. Infolge der Einbeziehung von Tellur wird die lichtleitende oder Fotofiderstandsschicht jedoch stärker n-leitend als bei der Verwendung von Selen allein. Daraus ergibt sich der Nachteq , daß die Einführung von Löcherströmen aus der Grundschicht in die Fotowiderstandssehicht erschwert ist. Da jedoch das Ausmaß der Ladungsinjektion aus der Grundschicht in die lichtleitende Schicht direkt von der festzuhaltenden Ladung beeinflußt wird, sind durch Verbesserung der Ladungsinjektion beträchtliche Vorteile erzielbar. With known light-sensitive bodies one could use the color as well as overall photosensitivity through the use of light-conducting materials the selenium-tellurium series with success. As a result of the inclusion of tellurium however, the photoconductive or photoresistive layer becomes more n-conductive than when using selenium alone. From this it follows the Nachteq that the Introduction of hole currents from the base layer into the photoresist layer is difficult. However, since the amount of charge injection from the base layer is in the light-conducting layer is directly influenced by the charge to be retained, there are considerable benefits to be gained by improving charge injection.

Ein wichtiges Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines elektrofotografischen lichtempfindlichen Körpers für die Erzeugung von elektrostatischen Bildern mit hervorragender Kontrastwirkung, großem Auflösungsvermögen, hoher Empfindlichkeit, guten panchromatischen Eigenschaften, hohem Dunkeiwiderstand, verbesserten Gleichrichtereigenschaften und größter Haltbarkeit. Die Erfindung ist ferner auf ein Verfahren zum Herstellen des vorstehend angeführten, hochwertigen lichtempfindlichen Körpers gerichtet. An important object of the invention is to provide an electrophotographic photosensitive body for the generation of electrostatic images with excellent Contrast effect, great resolving power, high sensitivity, good panchromatic Properties, high dark resistance, improved rectifier properties and greatest durability. The invention is also directed to a method of making the directed above, high-quality photosensitive body.

Der Grundgedanke der Erfindung beruht darauf, bei einem lichtempfindlichen Körper der eingangs angegebenen Art die an die Grundschicht angrenzende Seite der Fotowiderstandsschicht p-leitend und die an die Isolierschicht angrenzende Seite n-leitend auszubilden. The basic idea of the invention is based on a photosensitive Body of the type specified at the outset, the side of the adjoining the base layer Photoresistive layer p-type and the side adjacent to the insulating layer to be trained n-conductive.

In bezug auf die Ladungsinjektion erreicht man dadurch einen optimalen Zustand, weil die der Grundschicht zugekehrte Seite der Fotowiderstandsschicht Eigenschaften aufweist, welche die Injektion eines Löcherstroms begünstigen, d.h. weil sie p-leitend ist, während die der Isolierschicht zugekehrte Seite das Festhalten von Ladungen begünstigt, da sie n-leitend ist. Difse Eigenschaften erzielt Man Mit einem lichtleitenden Körper, dessen Fotowiderstandsschtcht beispielsweise dementares Se oder Te, ein Gemisch aus diesen Stoffen, Legierungen aus Se, Te, As oder solche Legierungen enthaltende Getnische oder schließlich eine Se-Te-Legierung enthält. Bekanntlich ist Se ein p-leitender und Te ein n-leitender Werkstoff, während As im hinblick auf Gleichrichtereigenschaften usw. With regard to the charge injection, an optimal one is thereby achieved State because the side of the photoresistive layer facing the base layer has properties which favor the injection of a hole current, i.e. because they are p-conductive is, while the side facing the insulating layer is the retention of charges favored because it is n-conductive. Difse properties are achieved with a light-conducting Body, the photo resistance of which, for example, demented Se or Te Mixture of these substances, alloys from Se, Te, As or such Alloys containing Getnic or finally contains a Se-Te alloy. As is known, Se is a p-type and Te is an n-type material, while As with regard to rectifier properties, etc.

nicht auf Bei einem lichtempfindlichen Körper der genannten Art sieht die Erfindung vor, daß die Fotowiderstandsschicht eine LegTng mit in Richtung der Dickenabmessung zu der Isolierschicht hin zunehmender Tellurgehalt ist.does not look at a photosensitive body of the type mentioned the invention proposes that the photoresist layer has a LegTng in the direction of the Thickness dimension towards the insulating layer increasing tellurium content.

Eine gemäß der Erfindung durch Laminieren einer Schicht mit hohem Tellurgehalt, also geringem Dunkelwiderstand, und einer Schicht mit geringem Tellurgehalt, also beträchtlich größerem Dunkelwiderstand, aufgebaute Fotowiderstandsschicht weist einen sehr viel höheren Dunkelwiderstand auf als eine Schicht gleicher Dicke, in welcher der Tellurgehalt durchgehend gleich ist. Dieser bemerkenswerte Unterschied ergibt sich aus der besonderen Eigenschaft von Se-Te-Legierungen, deren elektrischer Widerstand mit steigendem Tellurgehalt rasch abnimmt. Somit stellt die Verwendung von Se-Te-Legierungen als Werkstoff für die lichtleitende oder Fotowiderstandsschicht sowie die laminierte Anordnung ein wichtiges Merkmal der Erfindung dar. One according to the invention by laminating a layer of high Tellurium content, i.e. low dark resistance, and a layer with low tellurium content, thus considerably greater dark resistance, built-up photoresistive layer has a much higher dark resistance than a layer of the same thickness, in which the tellurium content is consistently the same. That remarkable difference results from the special property of Se-Te alloys, their electrical Resistance decreases rapidly with increasing tellurium content. Thus, the use represents of Se-Te alloys as a material for the light-conducting or photo-resistive layer as well as the laminated arrangement is an important feature of the invention.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindliehen Körpers der eingangs genannten Art ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Fotowiderstandsmaterial der lichtleitenden Schicht in einer Weise aufgedampft wird, daß der Tellurgehalt der Schicht in Richtung der Dickenabmessung zu der Isolierschicht hin zunimmt. In a method of manufacturing a photosensitive body of the type mentioned at the outset, the invention provides that the photoresist material the light-conducting layer is vapor-deposited in such a way that the tellurium content the layer increases in the direction of the thickness dimension towards the insulating layer.

Herkömmliche Verfahren zum llerstellen der Fotowiderstandsschicht eines lichtempfindlichen Körpers der genannten Art bestanden im steuerbaren Nischungs-Aufdampfen von Legierungen mit -unterschiedlichen Tellurgehalten oder elementarem Selen aus getrennten Bedampfungsquellen oder in besonderen Fällen im Aufdampfen einer Se-Te-Legierung aus einer einzigen Bedampfungsquelle bei gesteuerter Anderung der Temperatur der Bedampfungsquelle. Derartige Verfahren sind jedoch nicht besonders vorteilhaft, da die erforderliche Temj>eraturregelung schwer zu bewerkstelligen ist. Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht demgegenüber den Aufbau einer Aufdampfschicht aus einer Selen-Tellurlegierung, in welcher der Tellurgehalt in Richtung auf die an der Oberfläche bzw. Außenseite befindliche Isolierschicht laufend zunimmt. Conventional methods of forming the photoresist layer of a light-sensitive body of the type mentioned consisted of controllable niche vapor deposition of alloys with different tellurium contents or elemental selenium separate evaporation sources or in special cases in the evaporation of a Se-Te alloy from a single vaporization source with controlled change in the temperature of the Vapor source. However, such methods are not particularly advantageous, since the required temperature regulation is difficult to achieve. The procedure according to the invention, on the other hand, enables a vapor deposition layer to be built up a selenium-tellurium alloy, in which the tellurium content in the direction of the the surface or outside of the insulating layer is continuously increasing.

lii er zu genügt vorzugsweise eine einzige Bedampfungsquelle, deren aufwendige Temperaturregelung sich jedoch erübrigt, wenn man erfindungsgemäß zum Aufbau der lichtleitenden Schicht anstelle homogener bzw. vollständiger Selen-Tellur-Legierungen (mit durchgehend gleicher Zusammensetzung) heterogene bzw. unvollständige Selen-Tellurlegierungen (mit ungleichförmiger Zusammensetzung) auf die Grundschicht aufdampft. Für den Aufbau der lichtleitenden Schicht kann als BedampftIngsquelle auch ein homogenes bzw. vollständiges oder ein heterogenes bzw. unvollständiges Gemisch aus elementarem Selen und Tellur dienen. Zur Fertigstellung des lichtempfindlichen Körpers wird dann auf die Oberfläche der so hergestellten Fotowiderstandsschicht noch eine Isolierschicht aufgebracht. lii it is sufficient to preferably a single vapor source, their expensive temperature control is unnecessary if you according to the invention for Structure of the light-conducting layer instead of homogeneous or complete selenium-tellurium alloys (with the same composition throughout) heterogeneous or incomplete selenium-tellurium alloys (with non-uniform composition) is vapor-deposited onto the base layer. For building the light-conducting layer can also be a homogeneous or complete vapor source or a heterogeneous or incomplete mixture of elemental selenium and tellurium to serve. To finish the photosensitive body is then applied to the surface An insulating layer is applied to the photoresist layer produced in this way.

Die Angabe "heterogene" oder "unvollständige" Selen-Tellur-Legierung bezieht sich auf eine Legierung, bei der Selen und Tellur nicht gleichmäßig miteinander verschmolzen sind, im Unterschied zu solchen Legierungen, bei denen Selen und Tellur jeweils zu einem gleichförmigen Stoff vollständig mitcinander verschmolzen sind. Aus der Tatsache, daß die Legierung nicht gänzlich gleichförmig ist, ergibt sich, daß verschiedene Stellen unterschiedliche Phasen oder Zusammensetzungen aufweisen, indem z.B. manche Partien der Legierung nahezu ausschlißlich aus Selen ohne nennenswerten Tellurgenalt bestehen. Derartige Legierungen lassen sich durch unvollständiges Verschmelzen von Selen und Tellur erzielen. Beim Verdampfen solcher Legierungen ist der verdampfte Telluranteil zunächst gering, er nimmt erst im weiteren Verlauf zu. Demzufolge wird in der an die Grundschicht angrenzenden Seite der aufgedampften Schicht reines Selen oder eine Selen-Tellur-Legierung mit sehr geringem Tellurgehalt angelagert, und der Tellurgehalt der aufgedampften Selen-Tellur-Legierung steigt im Verlauf des Bedampfens, also mit zunehmender Dicke der aufgedampften Schicht. The indication "heterogeneous" or "incomplete" selenium-tellurium alloy refers to an alloy in which selenium and tellurium are not uniform with each other are fused, in contrast to those alloys in which selenium and tellurium are each completely fused together into a uniform substance. From the fact that the alloy is not entirely uniform it follows that that different places have different phases or compositions, by, for example, some parts of the alloy almost exclusively from selenium without any significant Tellurium old exist. Such alloys can be broken by incomplete fusing of selenium and tellurium. When such alloys evaporate, the evaporated Tellurium content is initially low, it only increases in the further course. As a result, will in the side of the vapor-deposited layer adjacent to the base layer, pure selenium or a selenium-tellurium alloy with a very low tellurium content attached, and the tellurium content of the vapor-deposited selenium-tellurium alloy increases in the course of the Vaporization, i.e. with increasing thickness of the vapor-deposited layer.

Bei Verwendung einer Mischung aus l.omogener oder unvollständiger Selen-Tellur-Legierung mit elementarem Selen oder eines Gemisches aus Selen und Tellur in elementarer Form ergibt sich die gleiche Verdampfungscharakte ristik wie vorstehend angeführt. Die Verwendung solcher Gemische als Bedampfungsquelle ermöglicht den Aufbau von sehr viel gleichförmigeren lichtleitenden Schichten als bei Verwendung von unvollständigen Legierungen. When using a mixture of l. Homogeneous or incomplete Selenium-tellurium alloy with elemental selenium or a mixture of selenium and Tellurium in its elementary form has the same evaporation characteristics as listed above. The use of such mixtures as a vapor source allows the construction of much more uniform light-guiding layers than when using of incomplete alloys.

Für den Aufbau einer Fotowlderstandsschicht aus einem Gemisch von Se, Te und As oder einer Legierung dieser Stoffe ist auch ein Verfahren mit gcmeinsamer Bedampfung aus verschiedenen Quellen oder mit nacheinander erforgendem Aufdampfen von Se-Te-As-Legierungen mit verschicdener Zusammensetzung aus verschiedenen Bedampfungs quellen oder mit nacheinander erfolgender Bedampfung von einer Bedampfungsquelle aus anwendbar. Das am einfachsten steuerbare und damit fiir besonders gute Reproduzierbarkeit bevorzugte Verfahren bestcht jedoch wiederum in der gemeinsamen Verwendung von Se-, Se-Te-Legierung, Se-As-Legierung usw. als Gemisch in einer einzigen Bedampfungsquelle unter Ausnützung des unterschiedlichen Dampfdruckes der einzelnen Stoffe. Hierbei wird zunächst vorwiegend Se verdampft, und in der zweiten hälfte des Bedampfungsvorganges wird ein Dampf mit hohem Te oder As-Gehalt erzeugt. Unter diesen Bedingungen ist eine lichtleitende Schicht in gewünschter Anordnung ohne aufwendige Steuerung des Aufdampfens erzielbar. For building up a photoresist layer from a mixture of Se, Te and As or an alloy of these substances is also a common process Steaming from different sources or with sequential inquiries Evaporation of Se-Te-As alloys with different compositions from different Steaming sources or with successive steaming from a steaming source from applicable. The easiest to control and therefore particularly good reproducibility however, the preferred method is again the common use of Se-, Se-Te alloy, Se-As alloy, etc. as a mixture in a single evaporation source using the different vapor pressures of the individual substances. Here Se is initially mainly evaporated, and in the second half of the steaming process a high Te or As content vapor is generated. Under these conditions is a light-guiding layer in the desired arrangement without complex control of the Vapor deposition achievable.

Die zusammen in die Bedampfungsquelle einzubringenden Stoffe sind nicht auf die v@@s@@@end angeführten beschränkt, sondern können beispielsweise As-Te-Legierungen, Se-Te-As-Legierungen oder die verschiedenen zusammenzu bringenden Stoffe in El ement form enthalten. Als Legierung gen sollten jedoch ausschließlich vollständige feste Lösungen verwendet werden, deren einzelne Bestandteile zu einer homogenen Phase miteinander verschmolzen sind. Diese Forderung ergibt sich aus dem Umstand, daß eine unvollständige Legierung, in der die einzelnen Elemente ungleichmäßig verteilt sind, zu einer mangelhaften Rcproduzierbarkeit führt. The substances to be introduced together into the vaporization source are not limited to the v @@ s @@@ end listed, but can, for example, As-Te alloys, Se-Te-As alloys or the various substances to be brought together in El ement form included. However, the alloy should only be completely solid Solutions are used whose individual components form a homogeneous phase are fused together. This requirement arises from the fact that an incomplete alloy in which the individual elements are distributed unevenly leads to poor reproducibility.

Nach einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens können Werkstoffe aus der Chalkogen-Gruppe zu einem Körper von geeigneter Form mit eindeutig festgelegter Zusammensetzung geformt werden, worauf der so gebildete Körper unter lserücksiclltigung seiner Zusammensetzung bzw. seines Aufbaues als Bedampfungsquelle verwendet wird. Eine zweckmäßige Form für einen solchen Körper ist die Stabform oder eine ähnliche, gestreckte Form, wobei sich die Zusammensetzung in Längsrichtung schrittweise oder fortlaufend ändert. Ein solcher aus Chalkogen-Werkstoffen gebildeter Körper ist sowohl einzeln als auch zusammen mit ähnlichen Form-Körpern verwendbar. According to one embodiment of the method according to the invention can Materials from the chalcogen group to a body of suitable shape with clearly defined composition be shaped, whereupon the so formed Body taking into account its composition or structure as Steam source is used. A convenient shape for such a body is the rod shape or a similar, elongated shape, whereby the composition changes gradually or continuously in the longitudinal direction. One made from chalcogen materials formed body is both single and together with similar form bodies usable.

Für die optimale Gestaltung eines unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten lichtempfindlichen Körpers ist die Temperatur der Grundschicht erfindungsgemäß während des Aufdampfens innerhalb bestimmter Grenzen zu halten. Die untere Grenze liegt bei etwa 630C. For the optimal design of one using the invention Process produced photosensitive body is the temperature of the base layer according to the invention to be kept within certain limits during the vapor deposition. The lower limit is around 630C.

Eine auf eine Grundschicht mit einer Temperatur von weniger als 63° C aufgedampfte lichtleitende Schicht behält nach dem Freisetzen der Ladung ein nachteilig hohes Restpotential und vermag keine befriedigenden Kontraste auszubil den, wodurch insbesondere eine wiederholte Verwendung der lichtleitenden Schicht stark beeinträchtigt ist.One on a base coat with a temperature of less than 63 ° C vapor-deposited photoconductive layer retains a disadvantageous effect after the charge is released high residual potential and is unable to train any satisfactory contrasts, which means in particular, repeated use of the light-conducting layer is severely impaired is.

Ist andererseits die Temperatur der Grundschicht zu Beginn des Aufdampfens höher ats 630C, dann behält ein auf diese Weise hergestellter lichtempfindlicher Körper keinerlei oder nur ein sehr geringes Restpotential zurück. Besonders geeignet sind mithin Temperaturen der Grundschicht im Bereich zwischen 650C und 75 C, da der lichtempfindliche Körper dann minimales Restpotential aufweist.On the other hand, it is the temperature of the base layer at the start of the vapor deposition higher than 630C, then a photosensitive manufactured in this way retains Body returns no or only a very low residual potential. Particularly suitable temperatures of the base layer are in the range between 650C and 75C the photosensitive body then has minimal residual potential.

Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. In dieser zeigen: Fig. la u1id b sch@matisierte Querschnitte durch einen erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Körper mit verschiedener Ladungsverteilung, Fig. 2 a und b schematisierte Querschnitte durch einen hcrkömtnl i clien li ch ter;ipfindli ehen Körper mit verschiedener Ladungsverteilung, Fig. 3 ein Diagratnm des zeitlichen Verlaufs des Oberflächenpotentials der lichtempfindlichen Körper nach Fig. 1 und 2 sowie Fig. 4 ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs des Oberflachenpotentials während des Aufladens bei einem erfindungßgem.äßen und einem zum Vergleich herangezogenen licht empfindlichen Körper. Further features, details and advantages of the invention result from the following description of exemplary embodiments with reference to the drawing. In this show: Fig. La u1id b schematic cross-sections a photosensitive body according to the invention with different charge distributions, 2 a and b schematized cross-sections through a hcrkömtnl i clien li ch ter; ipfindli Before bodies with different charge distributions, Fig. 3 is a Diagratnm of the time Course of the surface potential of the photosensitive body according to FIGS. 1 and 2 and FIG. 4 a diagram of the time profile of the surface potential during of charging in a case according to the invention and one used for comparison light sensitive body.

Die Darstellungen in Fig. 1 und 2 ermöglichen den Vergleich der Ladungszustände eines herkömmlichen lichtempfindlichen Körpers. mit einer Grundschicht, eiiier Fotowiderstandsschicht sowie einer Isolierschicht und eines gleichfalls dreischichtigen lichtempfindlichen Körpers, bei dem die lichtleitende oder Fotowiderstaiidsschicht an der an die Isolierschicht angrenzenden Seite erfindungsgemäß einen größeren Te-Gehalt hat als an der der Grundschicht benachbarten Seite. The representations in FIGS. 1 and 2 enable the states of charge to be compared a conventional photosensitive body. with a base layer, a photoresist layer as well as an insulating layer and a likewise three-layer photosensitive layer Body in which the light-conducting or photoresistive layer is attached to the insulating layer adjoining side according to the invention has a greater Te content than that of the base layer adjacent side.

Fig. 2 zeigt die Ladungsverteilung in einem herkömmlichen licht empfindlichen Körper, Fig. 1 hingegen die Ladungsverteilung in einem erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Körper. In beiden Fällen bezeichnet 1 eine Grundschicht, 2 eine lichtleitende oder Fotowiderstandsschicht und 3 eine Isolierschicht. In Fig. 1 ist außerdem eine der Isolierschicht 3 benachbarte Schicht 4 der Fotowiderstandsschicht 2 vorhanden, in der die Bindung oder das Festhalten der Ladung vorwiegend stattfindet. Die Figuren a zeigen jeweils einen Zustand während der Ladungsinjektion bei der Primäraufladung, und die Figuren b zeigen den Zustand nach Beendigung der Primäraufladung mit den festgehaltenen oder gebundenen Ladungen. Fig. 2 shows the charge distribution in a conventional light-sensitive Body, Fig. 1, however, the charge distribution in a photosensitive according to the invention Body. In both cases, 1 denotes a base layer, 2 a light-conducting or Photoresist layer and 3 an insulating layer. In Fig. 1 is also one of the Insulating layer 3 adjacent layer 4 of the photoresist layer 2 present, in which the binding or holding of the charge predominantly takes place. The figures a each show a state during charge injection in FIG Primary charging, and Figures b show the state after the completion of primary charging with the held or bound cargoes.

Wie sich aus Fig. la ergibt, vollzieht sich die Injektion der elektrischen Ladung beim lichtempfindlichen Körper nach der Erfindung sehr wirkungsvoll, während sie bei dem herkömmlichen lichtempfindlichen Körper nach Fig. 2a zu wünschen übrig läßt.Nach Beendigung der Primäraufladung unterliegt das Ladungsrelief der erfindungsgemäßen Ausfühiung nach Fig. lb praktisch keinen Veränderungen, während sich bei der Ausführung nach Fig. 2b die Ladung auch nach Beendigung der Primäraufladung langsam weiter verändert und sich das Oberflächenpotential stark verringert. Der zeitliche Verlauf des Oberflächenpotentials ist in Fig. 3 dargestellt. Darin zeigt die Kurve a die praktische Konstanz des Oberflächenpotential bei einem erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Körper und die Kurve b eine starke Abnahme des Oberflächenpotentials bei einem herkömmlichen lichtempfindlichen Körper, ausgehend vom Zeitpunkt tal t1 der Beendigung der Aufladung. Nach Kurve a ist also eine Anderung des Oberflächenpotentials kaum bemerkbar, während die Kurve b für den herkömmlichen lichtempfindlichen Körper einen starken Abfall erkennen läßt. As can be seen from Fig. La, the injection of the electrical takes place Charge in the photosensitive body of the invention is very effective while they leave something to be desired in the conventional photosensitive body according to FIG. 2a After completion of the primary charge, the charge relief is subject to the invention Execution according to Fig. Lb practically no changes, while in the execution According to FIG. 2b, the charge continues slowly even after the primary charge has ended changes and the surface potential is greatly reduced. The course over time of the surface potential is shown in FIG. In it, curve a shows the practical constancy of the surface potential in a photosensitive according to the invention Body and curve b shows a sharp decrease in the surface potential in a conventional one photosensitive body, starting from the time point t1 of the completion of charging. According to curve a, a change in the surface potential is hardly noticeable while curve b for the conventional photosensitive body shows a large drop reveals.

Übersteigt bei einem solchen lichtempfindlichen Körper der Telluranteil einer als lichtleitende Schicht verwendeten Se-Te-As-Legierung 6%, dann ist eine befriedigende Ladungsinjektion kaum erzielbar. Daher sollte der Tellurgehalt an der an die Grundschicht angrenzenden Seite weniger als 5%, vorzugsweise sogar weniger als 3% betragen. If the share of tellurium in such a light-sensitive body is exceeded of a Se-Te-As alloy used as a light-conducting layer 6%, then is one satisfactory charge injection hardly achievable. Therefore, the tellurium content should be the side adjacent to the base layer is less than 5%, preferably even less than 3%.

Im Hinblick auf Lichtempfindlichkeit und panchromatische Eigenschaften sind besonders gute Ergebnisse bei Te-Gehdten von mehr als 1O/J erzielbar. Stab eine aus einer Se-Te-Legierung aufgebaute lichtleitende Schicht jedoch einen Te-Gehalt von mehr als 1094, so ergibt sich eine verhaltnismäßig schnelle Alterung durch Kristallisation. Diese Erscheinung läßt sich jedoch durch Beigabe von z.B. weniger als 5% As vermeiden. Der Arsenzusatz verhindert nicht nur die Kristallisation und erhöht damit die Beständigkeit, sondern er verstärkt auch die panchromatischen Eigenschaften.With regard to photosensitivity and panchromatic properties Particularly good results can be achieved with Te concentrations of more than 10 / yr. Rod however, a photoconductive layer composed of a Se-Te alloy has a Te content of more than 1094, then there is a relatively rapid aging by crystallization. However, this phenomenon can be avoided by adding, for example, less than 5% As. The addition of arsenic not only prevents crystallization and thus increases resistance, but it also enhances the panchromatic properties.

Insgesamt ergibt sich aus der vorstehenden Beschreibung, daß ein erfindungsgernä.ßer lichtempfindlicher Körper einer geringen Dunkelentladung unterliegt und ein hohes Oberflächenpotential aufweist. Diese Eigenschaften ermöglichen die Erzegung eines elektrostatischen latenten Bildes mit sehr guter Kontrastwirkung und kräftiger Wiedergabe. Außerdem ist der er@@ @@ngs@emäße lichtempfindliche Körper überaus dauerhaft, und t @@@ @ ha-sorrarende panchromatische Eigenschaften. Overall, it follows from the above description that a According to the invention, the photosensitive body is subject to a slight dark discharge and has a high surface potential. These properties enable the Creation of an electrostatic latent image with a very good contrast effect and powerful reproduction. In addition, the he @@ @@ ngs @ ema light-sensitive body extremely durable, and t @@@ @ ha-sorrarende panchromatic properties.

Nachstehend wird die Erfindung nnhand einiger Beispiele im einzelnen erläutert. The present invention will now be described in detail by means of some examples explained.

Beispiel 1 Ein Gemisch von 100 Gewichtsteilen Selen und 7 Gew.-T.Example 1 A mixture of 100 parts by weight of selenium and 7 parts by weight.

Tellur wurde im Vakuum in einen feuerfesten Glasbehälter gebracht, während 1 h bei 5000C geschmolzen und anschließend rasch abgekühlt. 30 g der in vorstehender Weise erzeugten nicht-homogenen Selen-Tellur-Legierung wurden dann im Vakuum auf eine Grundschicht aus Aluminiumblech aufgedampft.Tellurium was placed in a refractory glass container in a vacuum, melted for 1 h at 5000C and then rapidly cooled. 30 g of the in The non-homogeneous selenium-tellurium alloys produced above were then produced vapor-deposited on a base layer of aluminum sheet in a vacuum.

Dies erfolgte unter nachstehenden Bedingungen: Das Vakuum in der Bedampfungsanlage betrug etwa 3.10 5 Torr. This was done under the following conditions: The vacuum in the Fuming plant was about 3.10 5 Torr.

Eine zwischen der Bedampfungsquelle und der Aluminium-Grundschicht angeordnete Absperrung blieb zunächst geschlossen. Die vorstehend angeführte Selen-Tellur-Legierung wurde etwa 10 min lang in einem Quarzschiffchen auf 180°C erhitzt, um Gase auszutreiben. Die Behoizung erfolgte mittels eines dicht über der Schale angeordneten Wolframdrahtes. Anschließend wurde die M>sperrung geöffnet und die Temperatur der Bedampfungsquelle auf 250 bis 350°C erhöht. Die Bedampfung der Aluminiumblech-Grundschicht wurde über 14 min fortgesetzt, wobei die Temperatur der Aluminium-Grundschicht auf 650C gehalten wurde.One between the evaporation source and the aluminum base layer The barricade ordered remained closed for the time being. The selenium-tellurium alloy listed above was heated to 180 ° C in a quartz boat for about 10 minutes to drive off gases. The heating was carried out by means of a tungsten wire arranged just above the shell. Then the M> lock was opened and the temperature of the vaporization source increased to 250 to 350 ° C. The vapor deposition of the aluminum sheet base layer was over Continued for 14 min, the temperature of the aluminum base layer being kept at 650C became.

Die dermaßen erzeugte lichtleitende Schicht aus Selen-Tellur-Legierung wies eine Dicke von 40 jim auf. The light-conducting layer made of selenium-tellurium alloy produced in this way had a thickness of 40 jim.

Das Gemischverhältnis von Selen und Tellur änderte sich kontinuierlich in Richtung der Schichtdicke. Innerhalb der ersten 10 Fm auf der Grundschicht betrug das Gewichtsverhältnis von Selen zu Tellur 100:2. In den folgenden 20 µm lag das Verhältnis bei 100:7 und in der obersten Schicht von 10 tsm betrug es 100:12. Diese Verhältnisse ergaben sich bei den nacheinander aufgedampften Schichten als Durchschnittswerte chemischer Analysen, für deren Durchführung das Aufdampfen jeweils mittels einer Blende unterbrochen wurde.The mixture ratio of selenium and tellurium changed continuously in the direction of the layer thickness. Was within the first 10 fm on the base layer the weight ratio of selenium to tellurium 100: 2. That was in the next 20 µm Ratio at 100: 7 and in the top layer of 10 tsm it was 100: 12. These The ratios were obtained as average values for the successively vapor-deposited layers chemical analyzes, for the implementation of which the vapor deposition in each case by means of a Aperture has been interrupted.

Beispiel 2 Unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 wurde ein inniges Gemisch von Selen und Tellur in Pulverform im Gcwichtsverhältnis von 100:7 anstelle der Selen-Tellur-Legierung verwendet. Die Temperatur der Bedampfungsquelle wurde auf 22O0C, also ein wenig über den Schmelzpunkt des Gemischs erhöht. Die Bedampfung erfolgte unter den Bedingungen entsprechend dem Beispiel 1 während 1 h.Example 2 Under the same conditions as in Example 1 was an intimate mixture of selenium and tellurium in powder form in a weight ratio of 100: 7 used instead of the selenium-tellurium alloy. The temperature of the vaporization source was increased to 220 ° C, a little above the melting point of the mixture. The steaming took place under the conditions corresponding to Example 1 for 1 hour.

Die als Selen-Tellur-Legierung aufgedampfte lichtleitende Schicht wies im wesentlichen gleiche Eigenschaften auf wie die Schicht nach Beispiel 1. The light-conducting layer vapor-deposited as a selenium-tellurium alloy had essentially the same properties as the layer according to example 1.

Beispiel 3 Zur herstellung von dreischichtig aufgebauten lichtempfindlichen Körpern wurde eine lichtdurchlässi Isolierschicht in einer Dicke von etwa 10 µm auf die Oberflächen der beiden in Beispielen 1 und 2 hergestellten lichtleitenden oder Fotowiderstandsschichten aufgebracht. Zusätzlich wurde ein weiterer dreischichtiger lichtempfindlicher Körper mit einer Fotowiderstandsschicht von durchgehend unveränderter Zusammensetzung hergestellt. Die Fotowiderstandsschicht bestand aus innig miteinander verschmolzenem Selen und Tellur im Gewichtsverhältnis von 100:7 und wurde in einer Dicke von AO pm auf eine Grundschicht aus Aluminiumblech aufgebracht. Auf ihrer Oberfläche wurde die gleiche Isolierschicht angeordnet wie bei den vorstehend beschriebenen lichtempfindlichen Körpern.Example 3 For the production of light-sensitive structures with a three-layer structure Bodies were given a light-permeable insulating layer with a thickness of about 10 µm on the surfaces of the two light-conducting produced in Examples 1 and 2 or applied photoresist layers. In addition, another three-shift light-sensitive body with a photoresist layer of unchanged throughout Composition made. The photo resistive layer consisted of intimate with each other fused selenium and tellurium in a weight ratio of 100: 7 and was in one Thickness of AO pm applied to a base layer of aluminum sheet. On your On the surface, the same insulating layer as that described above was placed photosensitive bodies.

Dia drei. lichtempfindlichen Körper wurden zur Erzeugung von elektrostatischen latenten Bildern dem in den USA- Patentanmeldungen 571 538 vom 10.Aug.1966 und 363 839 vom 8.Juli 1966 offenbarten elektrofotografischen Verfahren unterworfen, Dahei wurden in beiden zunächst beschriebenen erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Körpern latente Bilder mit elektrostatischen Kontrasten von mehr als 1200 V erzielt. Demgegenüber betrug der elektrostatische Kontrast bei dem letzteren lichtempfindlichen Körper, bei dem die aus der Selen-Tellur-Legierung aufgedainpfte Schicht eine gleichförmige Zusammensetzung aufwies lediglich 6ooV. Dieser Unterschied beruht darauf, daß der lichtempfindliche Körper nach der Erfindung bemerkennwerte Gleichrichtereigenschaften aufweist. Slide three. Photosensitive bodies were used to generate electrostatic energy latent images in the USA Patent applications 571 538 from Electrophotographic processes disclosed Aug. 10, 1966 and 363 839 of Jul. 8, 1966 Dahei were subjected to both photosensitive invention described first Bodies latent images are achieved with electrostatic contrasts greater than 1200 V. In contrast, the electrostatic contrast in the latter was photosensitive Body in which the layer deposited from the selenium-tellurium alloy forms a uniform Composition was only 600V. This difference is due to the fact that the photosensitive bodies according to the invention have remarkable rectifying properties having.

Beispiel 4 15 g einer Selen-Tellur-Legierung von gleichförmiger Zusammensetzung und einem Gehalt von 15% Tellur wurden durch vollständiges Einschmelzen hergestellt und zusammen mit 15g elementaren Selens als einheitliche Bedampfungsquelle im Vakuum auf eine Grundschicht aufgedampft. Der zunächst der Grundschicht aufgedampfte Teil der Schicht bestand nahezu ausschließlich aus Selen und der Tellurgehalt nahm mit fortschreitender Dicke der Selen-Tellur-Legierungsschicht gleichmäßig zu. Auf die so hergestellte lichtleitende Schicht wurde eine Isolierschicht aufgebracht und der so entstandene lichtempfindliche Körper einem elektrofotografischen Verfahren nach den vorstehend angeführten USA -Patentanmeldungen unterworfell, um ein latentes Bild zu erzeugen. Bei der erinlaraufladung wies der lichtempfindliche Körper hervorragende Eigenschaften in bezug auf Ladungsinjektion auf und ergab anschließend ein äußerst kontraststarkes elektrostatisches Bild.Example 4 15 g of a selenium-tellurium alloy of uniform composition and a content of 15% tellurium were produced by complete melting and together with 15g elemental selenium as a uniform vaporization source in a vacuum vapor-deposited onto a base layer. The part that was initially vapor-deposited onto the base layer the layer consisted almost exclusively of selenium and the tellurium content took it away as the thickness of the selenium-tellurium alloy layer increases uniformly. On the thus produced light-conducting layer was applied and an insulating layer the photosensitive body produced in this way is subjected to an electrophotographic process according to the USA patent applications cited above, in order to obtain a latent Generate image. The photosensitive body exhibited excellent performance in erinlar charging Properties related to charge injection and then gave an extremely high contrast electrostatic image.

Die in vorstehender Weise aufgebaute lichtleitende Schicht wies eine sehr viel gleichmäßigere Zusammensetzung auf als die unter Verwendung der durch unvollständiges Verschmelzungr erzeugten Selen-Tellur-Legierung aufgebaute. The photoconductive layer constructed in the above manner had a Much more uniform composition than using the through incomplete fusion r produced selenium-tellurium alloy.

Dank der Verwendung einer Selen-Tellur-Legierung von durchgehend gleichmäßiger Zusammensetzung in Verbindung mit einer entsprechenden Menge reinen Selens ist das erfindungsgemäße Aufdampfen der lichtleitenden Schicht ohne Schwierigkeiten wiederholbar.Thanks to the use of a selenium-tellurium alloy, it is consistently more uniform Composition in connection with an appropriate amount of pure selenium is that vapor deposition according to the invention of the light-conducting layer can be repeated without difficulty.

Beispiel 5 85 g Se, 10 g Te und 6 g As mit einem sehr hohen Reinheitsgrad wurden gemischt und im Vakuum in einem hitzebeständigen Glasgefäß während 10 h bei 630°C geschmolzen. Etwa alle 30 min wurde die Schmelze durch starke Erschütterungen bewegt, so daß eine homogene, nahezu perfekte feste Lösung erhalten wurde.Example 5 85 g Se, 10 g Te and 6 g As with a very high degree of purity were mixed and placed under vacuum in a heat-resistant glass vessel for 10 h Melted at 630 ° C. About every 30 minutes, the melt was shaken by strong vibrations moved so that a homogeneous, nearly perfect solid solution was obtained.

50 g dieser Se-Te-As-Legierung wurden zusammen mit 20 g sehr reinen Selens in eine gemeinsame Bedampfungsquelle gebracht und während 30 min bei einer Temperatur von 3300 C und einem Druck von 2.1015 5 Torr auf eine Grundschicht aufgedampft, deren Temperatur auf 6000 gehalten wurde. Dabei wurde eine lichtleitende Schicht von 60 Dicke auf der Grundschicht niedergeschlagen, während in der Bedampfungsquelle 10 g des Materials zurückblieben. 50 g of this Se-Te-As alloy became very pure along with 20 g Selenium brought into a common vaporization source and for 30 min at a At a temperature of 3300 C and a pressure of 2.1015 5 Torr vapor-deposited onto a base layer, whose temperature was kept at 6000. A light-guiding layer was used of 60 thickness is deposited on the base layer while in the vapor deposition source 10 g of material remained.

Auf die der Grundschicht abgekehrte Seite des lichtleitenden Schicht wurde unter Verwendung einer geringen Menge eines Binders eine Polyesterschicht von 25 µm Dicke geklebt. Zur Fertigstellung des lichtempfindlichen Körpers A erde der Binder bei Raumtemperatur aushärten gelassen. On the side of the light-guiding layer facing away from the base layer became a polyester sheet using a small amount of a binder 25 µm thick. To complete the photosensitive body A earth the binder is allowed to cure at room temperature.

Der lichtempfindliche Körper A wurde einer Primäraufladung mit - 1500 V und anschließend einer Sekundäraufladung mit Gleichstrom von entgegengesetzter Polarität unterworfen. Die dabei erzielte Sensibilisierung betrug 3 lx.s, es ergab sich ein Kontrast von 700 V bei panchromatischcn Eigenschaften und guter Empfindlichkeit im Rot-, Grün- und Blaubereich. The photosensitive body A was a primary charge with - 1500 V and then a secondary charge with direct current from the opposite side Subject to polarity. The resulting sensitization was 3 lx.s, it showed a contrast of 700 V with panchromatic properties and good sensitivity in the red, green and blue areas.

Demgegenüber wies ein lichtempfindlicher Körper B, bei dessen Herstellung die Bedampfungsquelle lediglich die vorstehend angeführte Se-Te-As-Jeiening. enthielt, und das Aufdampfen in der vorstehend erläuterten Weise erfolgte, ungünstige Eigenschaften im Hinblick auf Ladungsinjektion und einen Kontrast von nur etwa 100 V auf. On the other hand, a photosensitive body B exhibited in its manufacture the source of vaporization is merely the Se-Te-As-Jeiening mentioned above. contained and vapor deposition was carried out in the manner described above, unfavorable properties in terms of charge injection and a contrast of only about 100V.

Beispiel 6 Unter Anwendung des gleichen Verfahrens wie bei dem lichtempfindlichen Körper A im Beispiel 5 wurde eine lichtleitende oder Fotowiderstandsschicht auf einer Grundschicht erzeugt. Im Unterschied zum Beispiel 5 wurde rund 9 ein Drittel der Fläche der insgesamt etwa 50 cm umfassenden Grundschicht etwa 10 min nach Beginn des Aufdampfens mit einer Blende abgedeckt. Die bis dahin auf die abgedeckte Fläche aufgedampfte Schicht hatte eine Dicke von 20 jim. Nach weiteren 10 min wurde ein weiteres Drittel der Fläche der Grundschicht mit der Blende abgedeckt. Auf diesem Teil hatte sich eine Schicht von etwa 40 µm Dicke aufgebaut. Nach weiteren 10 min wurde das letzte Drittel der Fläche der Grundschicht mit der 131 ende verdeckt und das Aufdampfen damit beendet. Auf diesem letzten Drittel betrug die Schichtdicke 60 rm.Example 6 Using the same procedure as the photosensitive Body A in Example 5 was coated with a photoconductive or photoresist layer a base layer. In contrast to example 5, 9 became a third the area of the base layer, which comprises a total of about 50 cm, about 10 minutes after the start of vapor deposition covered with a screen. The until then on the covered area evaporated layer was 20 µm thick. After a further 10 minutes, a another third of the area of the base layer is covered with the cover. On this one In part, a layer about 40 µm thick had built up. After another 10 min the last third of the surface of the base layer was covered with the 131 end and the vapor deposition ended. The layer thickness was on this last third 60 rm.

Daneben wurde ein lichtempfindlicher ICörper entsprechend dem Körper B im Beispiel 5 ebenfalls mit in drei Schritten vorgenommenen Abdecken hergestellt. Besides, a photosensitive body was made to correspond to the body B in example 5 also produced with covering carried out in three steps.

Durch getrennte Analysen der einzelnen verschiedene Schichtdicken aufweisenden Flächenteile wurden die in Tabelle 1 aufgezeichneten Ergebnisse erhalten. Through separate analyzes of the individual different layer thicknesses having area parts, the results recorded in Table 1 were obtained.

Tabelle 1 Lichtempfindlicher Lichtempfindlicher Körper A Körper B ~~~~~~ @ S Se Te As Se Te As Erste 20 µm von Grundschicht an 98 1 1 85 10 5 von 20 bis 40 µm 92 5 3 85 10 5 von 40 bis 60 m 87 10 3 85 10 5 Beispiel 7 Verschiedene Se-Te-Legierungen mit unterschiedlichen Te-Gehalten wurden in zehn Schritten in eine gestreckte Aluminiumform gegossen, wobei der Te-Gehalt der Legierungen bei den einzelnen Schritten von 0 bis 15 Gew.-% stieg.Table 1 Photosensitive Photosensitive Body A Body B ~~~~~~ @ S Se Te As Se Te As First 20 µm from Base coat on 98 1 1 85 10 5 from 20 to 40 µm 92 5 3 85 10 5 from 40 to 60 m 87 10 3 85 10 5 Example 7 Various Se-Te alloys with different Te contents were poured into an elongated aluminum mold in ten steps, the Te content of the alloys increasing from 0 to 15% by weight in the individual steps.

Durch rasches Abkühlen der Form erhielt man einen aus der Legierung gebildeten Stab. Jeweils ein 2 cm langes Stück der den einzelnen Schritten beim Guß entsprechenden Teilstücke wurde abgeschnitten und so angeordnet, daß das Stück mit dem geringsten Te-Gehalt der Bedampfungsquelle am nächsten lag. Das eine Fnde der Reihenanordnung befand sich in ejnem als Quarztiegel ausgebildeten Bedampfungsgefäß, während der übrige Teil auf einer im Winlcel von 600 zur Waagerechten angeordneten, wassergekühlten Metallplatte auflag. Bei dieser Anordnung erfolgte das Aufdampfen auf eine ebene metallische Grundschicht in bekannter Weise.By rapidly cooling the mold, one made of the alloy was obtained educated staff. A 2 cm long piece of each of the individual steps Molding appropriate sections were cut off and arranged so that the piece with the lowest Te content was closest to the evaporation source. One find the row arrangement was in a fuming vessel designed as a quartz crucible, while the remaining part is arranged on a horizontal axis of 600, water-cooled metal plate. In this arrangement, the vapor deposition took place on a flat metallic base layer in a known manner.

Beim Verdampfen des Endes der Reihenanordnung rutschte der Rest durch sein eigenes Gewicht nach, so daß keine besondere Zufuhreinrichtung erforderlich wurde. Das Aufdampfen wurde etwa während 1 h fortgesetzt, wobei der Stab teilweise verdampfte und eine Aufdampfschicht mit einer Dicke von etwa 40 µm erzielt wurde. As the end of the series arrangement evaporated, the rest slipped through its own weight, so that no special feeding device is required became. Evaporation continued for about 1 hour with the rod partially evaporated and a vapor deposition layer with a thickness of about 40 µm was obtained.

Auf die Oberfläche der aufgedampften Schichtwurde unter Verwendung einer geringen Menge eines Binders eine lichtdurchlässige Isolierschicht von 25 um Dicke aufgebracht. Der in dieser Weise fertiggestellte lichtempfindliche Körper zeigte bei Verwendung in einem elektrofotografischen Verfahren, bei dem der Kontrast durch Primäraufladung, durch Coronaentladung bewirkte Sekundäraufladung unter gleichzeitiger Bestrahlung mit einer Strahlungsenergie und erforderlichenfalls durch Gesamtbestrahlung der Fläche mit der Strahlungsenergie verstärkt wird, hervorragendes Verhalten im Hinblick auf die Ladungsinjektion aus der Grundschicht. Er wies starken Kontrast, hohe Empfindlichkeit, großes Auflösungsvermögen sowie panchromatische Eigenschaften auf. On the surface of the vapor-deposited layer was made using a small amount of a binder, a translucent insulating layer of 25 applied to thickness. The photosensitive body thus finished when used in an electrophotographic process in which the contrast by primary charging, secondary charging by corona discharge with simultaneous Irradiation with a radiation energy and, if necessary, by total irradiation the surface is reinforced with the radiation energy, excellent behavior in Regarding charge injection from the base layer. He showed strong contrast, high sensitivity, high resolution and panchromatic properties on.

Vergleichsbeispiel (Beispiel 8) 20 g einer 10 Gew.-% Te enthaltenden Se-Te-Lcgierung wurden zusammen mit 20 g Se mit einem Reinheitsgrad von 99,999% in ein Quartz-Bedampfungsgefäß gebracht und während etwa 20 min bei einer Temperatur von 300 0C und einem Druck von 10-5 Torr auf eine Grundschicht aus vernickeltem Messingblech, welche auf einer Temperatur von etwa 60°C gehalten wurde, aufgedampft. Der auf diese Weise hergestellte lichtempfindliche Körper wies die in Kurve 1 von Fig. 4 dargestellten Lade- und Entladecharakteristiken auf.Comparative Example (Example 8) 20 g of a containing 10 wt .-% Te Se-Te alloy together with 20 g of Se with a purity of 99.999% placed in a quartz evaporation vessel and kept at one temperature for about 20 minutes of 300 0C and a pressure of 10-5 Torr on a base layer of nickel-plated Brass sheet, which was kept at a temperature of about 60 ° C, evaporated. The photosensitive body thus prepared had that shown in curve 1 of FIG Fig. 4 shown charging and discharging characteristics.

Beispiel 9 Ein lichtempfindlicher Körper wurde in glcicher Weise wie beim vorstehenden Vergleichsbeispiel hergestellt, mit dem Unterschied, daß die Temperatur der Grundschicht auf etwa 63°C gehalten wurde. Das Verhalten dieses lichtempfindlichen Körpers ist in Kurve 2 von Fig. 4 dargestellt. Wie daraus ersichtlich ist, hat ein nach einem der angegeben ei Beispiele des erfindungsgemä!len Verfahrens hergestellter lichtempfindlicher Körper ein geringeres Restpotential und damit einen stärkeren Kontrast als der lichtempfindliche Körper des Vergleichsbeispiels und ist daher auch zu häufiger wiederholten Verwendung besonders geeignet.Example 9 A photosensitive body was prepared in the same manner as produced in the above comparative example, with the difference that the temperature the base layer was kept at about 63 ° C. The behavior of this photosensitive Body is shown in curve 2 of FIG. As can be seen from this, a prepared according to one of the examples given of the method according to the invention light-sensitive body has a lower residual potential and thus a stronger one Contrast than the photosensitive body of the comparative example and is therefore also particularly suitable for repeated use.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c 11 e

An electrophotographic photosensitive body composed of a Base layer, a light-conducting or photo-resistive layer and an insulating layer, characterized in that the one adjoining the base layer (1) The side of the photoresistive layer (2) has a certain type of lead, e.g. p-conductive is, while the nn the insulating layer (3) adjacent side of the light-conducting or photoresist layer (2) has the opposite conductivity type, e.g. it conducts.

2. Electrophotographic photosensitive body composed of a base layer, a light-conducting or photo-resistive layer and an insulating layer, This is because the photoresist layer (2) is an alloy with the tellurium content increasing in the direction of the thickness dimension towards the insulating layer (3) is.

3. Body according to claim 1 or 2, characterized in that g e k e n n -z e i c h n e t that the tellurium content is continuous in the direction of the insulating layer (3) increases.

4. Body according to one of claims 1 to 3, characterized in that g e k e n n z e i c h n e t that the photoresist layer (2) consists essentially of selenium-tellurium alloys is constructed.

5. Body according to one of claims 1 to 3, characterized in that g e -k e n n z e i c h n e t that the photoresist layer (2) consists essentially of selenium-tellurium-arsenic alloys consists.

6. Photosensitive body according to at least one of claims 1 to 5, due to the fact that the tellurium content of the photoresist layer at the boundary layer to the base layer (1) is less than 5% by weight and in the direction on the insulating layer (3) increases.

7. Method of Creating an Electrophotographic Photosensitive Body according to at least one of Claims 1 to 6, characterized in that it is not that is, the photoresist material of the photoconductive layer in a way is vapor deposited that the tellurium content of the layer in the direction of the thickness dimension increases towards the insulating layer.

8. The method according to claim 7, characterized in that g e k e n n -z e i c h n e t that an incomplete alloy is used for vapor deposition.

9. The method according to claim 8, characterized in that g e k e n n -z e i c h n e t that you can make the incomplete alloy by incomplete fusing of selenium and tellurium.

10. The method according to claim 8 or 9, characterized in that g e -k e n n z e i c It doesn't mean that you can make the incomplete alloy by melting selenium and tellurium adjusted at 5000C for less than 1 hour.

11. The method according to at least one of claims 8 to 10, characterized it is not noted that a mixture or an alloy is used for vapor deposition of selenium, tellurium and / or arsenic or a mixture of at least one of these substances and made of an alloy of at least two of these substances, with the proviso, that the starting materials must contain at least selenium and tellurium and that each The starting material is present in elemental form or can be formed from the elements can.

12. The method according to at least one of claims 8 to 11, characterized it is not indicated that the material to be vapor-deposited is made into a rod and evaporation occurs continuously from one end of the rod.

13. The method according to claim 12, characterized in that g e k e n n -z e i c h n e t that a tellurium-containing material can be converted into a rod with variable length Tellurium gelialt forms or to form such a rod a selenium and tellurium or a mixture containing selenium, tellurium and arsenic is used.

1l +. Method according to at least one of Claims 8 to 13, characterized It is not noted that vapor deposition is not possible at a temperature of the basic surface of at least 63 ° C.