DE69833950T2 - Integriertes dram mit hochgeschwindigkeitssegmentierung - Google Patents

Integriertes dram mit hochgeschwindigkeitssegmentierung Download PDF

Info

Publication number
DE69833950T2
DE69833950T2 DE69833950T DE69833950T DE69833950T2 DE 69833950 T2 DE69833950 T2 DE 69833950T2 DE 69833950 T DE69833950 T DE 69833950T DE 69833950 T DE69833950 T DE 69833950T DE 69833950 T2 DE69833950 T2 DE 69833950T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
memory
odd
signal
responsive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69833950T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69833950D1 (de
Inventor
Hong-Gee Los Altos FANG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
S3 Graphics Co Ltd
Original Assignee
S3 Graphics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by S3 Graphics Co Ltd filed Critical S3 Graphics Co Ltd
Publication of DE69833950D1 publication Critical patent/DE69833950D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69833950T2 publication Critical patent/DE69833950T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1042Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using interleaving techniques, i.e. read-write of one part of the memory while preparing another part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet von digitalen Speichersystemen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Hochleistungs-Datenverarbeitungssysteme erfordern digitale Speichersysteme, die in der Lage sind, große Mengen an Daten mit sehr hohen Geschwindigkeiten zu speichern und zu liefern. Graphiksteuereinheiten, die in Verbindung mit einem Hauptrechner arbeiten, um raffinierte Bildbearbeitungs- und -wiedergabefunktionen durchzuführen, um Daten zur Anzeige auf einem Anzeigebildschirm zu erzeugen, erfordern beispielsweise Speicher, die in der Lage sind, die Menge an Daten, die für solche Funktionen erforderlich ist, mit sehr hohen Datenraten zu speichern und zu liefern.
  • Dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAMs) werden häufig verwendet, um die Speicheranforderungen zu erfüllen, die für Hochleistungssysteme erforderlich sind. DRAMs sind typischerweise durch eine größere Speicherdichte pro Chip im Vergleich zu statischen Direktzugriffsspeichern (SRAMs) gekennzeichnet. DRAMs sind jedoch typischerweise auch durch langsamere Zugriffszeiten als SRAMs gekennzeichnet.
  • Eine Vielfalt von Techniken wurde verwendet, um die Bandbreite von digitalen Speichersystemen, die DRAMs verwenden, zu erhöhen. Der Speicher und die Datenpfade zum und vom Speicher können beispielweise so organisiert werden, dass sie ermöglichen, dass mehrere Datenworte bei einem einzelnen Zugriff abgerufen werden. Obwohl ein solche Technik eine erhöhte Bandbreite bereitstellt, bleibt ein Bedarf für digitale Speichersysteme, die eine noch größere Datenspeicherung und einen noch größeren Datendurchsatz bereitstellen als es derzeit erhältlich ist.
  • Ferner offenbart US 4 899 312 einen verbesserten DRAM, der eine Vielzahl von Hauptverstärken zum Verstärken und Speichern von Signalen, die auf eine Vielzahl von gemeinsamen Datenleitungen gemäß einem internen Adressensignal ausgelesen werden, eine Hauptverstärker-Steuerschaltung zum sequentiellen Ausgeben der Ausgangssignale der Hauptverstärker synchron mit Änderungen eines Spaltenadressen-Freigabesignals und einen Adressenzähler zum Durchführen einer Adressierungsoperation zwischen den sequentiellen Leseoperationen der mehreren Hauptverstärker umfasst. Eine Spaltenansteuerschaltung ist vorgesehen, um Spaltenschalter gemäß dem Adressenzähler umzuschalten, um zu bewirken, dass Daten durch Erweitern einer Vierbitwort-Betriebsart kontinuierlich mit einer hohen Geschwindigkeit ausgelesen werden.
  • EP 0 409 449 A2 offenbart ein verschachteltes Lesesystem zum Verringern der Lesezugriffszeit in einem sequentiellen Speicher. Das System umfasst einen sequentiellen Speicherblock, der aus einer Vielzahl von Speicherzellen zum Speichern von Daten besteht. Die Speicherzellen sind in einer Vielzahl von ungeraden Spalten und einer Vielzahl von geraden Spalten angeordnet. Lesemittel sind zum Verschachteln der gespeicherten Daten in den Speicherzellen in den ungeraden Spalten mit den gespeicherten Daten in den Speicherzellen in den geraden Spalten vorgesehen. Ein Ausgabepuffer ist mit den Lesemitteln gekoppelt, um eine Datenausgabe zu erzeugen, die abwechselnd die gespeicherten Daten in den ungeraden und geraden Spalten während abwechselnder Lesezyklen darstellt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung ist im Anspruch 1 definiert. Spezielle Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen dargelegt.
  • Gemäß einem Hauptaspekt stellen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Speichersystem bereit, das in der Lage ist, Daten mit hohen Raten zu liefern. Die Übergabe einer Zeilenadresse an das Speichersystem führt dazu, dass eine Zeile von Daten aus parallelen Speicherblöcken im Speichersystem durch eine Vielzahl von Bitleitungs-Leseverstärkern (BLSA) ausgelesen werden. Die Übergabe einer Spaltenadresse an das Speichersystem bewirkt die Ansteuerung einer entsprechenden Spalte von Daten in der angesteuerten Zeile. Die angesteuerte Spalte von Daten wird durch Kippen des niedrigstwertigen Bits der Spaltenadresse in zwei Phasen abgerufen. Vorteilhafterweise sind die Signale im Speichersystem vom Kleinsignal-Differenztyp eines Signals, das durch die BLSAs erzeugt wird, und werden bis zur Ansteuerung von jeder der Teilmengen oder Phasen für die Ausgabe nicht durch die Hauptleseverstärker (MSA) verstärkt. Dieses vorteilhafte Merkmal ermöglicht eine Verringerung der Anzahl von MSAs, die für das Speichersystem erforderlich sind. Das Ergebnis sind weniger Hardwareelemente, weniger Leiterzüge zum Verbinden solcher Komponenten und ein niedrigerer Leistungsverbrauch. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Ausgabe der angesteuerten Spalte in zwei Teilmengen oder Phasen zu einem höheren Datendurchsatz führt, indem ermöglicht wird, dass das niedrigstwertige Spaltenadressenbit mit einer Rate umgeschaltet wird, die ungefähr zweimal so schnell ist wie die Spaltenadresse. Dieses Merkmal stellt den Vorteil bereit, dass eine einfache und direktere Übertragung des einzelnen, niedrigstwertigen Bits der Spaltenadresse für ein Umschalten mit höherer Geschwindigkeit ermöglicht wird. Das Umschalten mit niedrigerer Frequenz, das für die Spaltenadresse erforderlich ist, erlegt der Übertragung der Spaltenadressensignale im IC-Chip weniger Einschränkungen auf, wobei folglich die Entwurfskomplexität verringert wird.
  • Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können durch Betrachten der folgenden ausführlichen Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung besser verstanden werden. Im Verlauf dieser Beschreibung wird häufig auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Blockdiagramm hoher Ebene von einem Graphiksteuerchip, der die Prinzipien der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • 2 ist ein Blockdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des Speichersystems von 1.
  • 3 ist ein Ablaufdiagramm, das den Betrieb eines bevorzugten Ausführungsbeispiels zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • In 1 der Zeichnungen ist eine Graphiksteuereinheit in einer integrierten Schaltung (IC) 100 implementiert, die eine Steuereinheit 102 und einen Speicher 104 umfasst. Die Graphiksteuereinheit arbeitet vorzugsweise in Verbindung mit einem Mikroprozessor (nicht dargestellt), um Daten und Befehle vom Mikroprozessor zu empfangen, um Daten im Speicher 104 zu speichern, um die Daten über die Steuereinheit 102 zu bearbeiten und um die Daten auf einer visuellen Anzeige (nicht dargestellt) durch die Erzeugung von geeigneten Steuersignalen anzuzeigen. Ein Beispiel der von der Steuereinheit durchgeführten Funktionen ist in einem Datenbuch, veröffentlicht von S3 Incorporated in Santa Clara, Kalifornien, mit dem Titel ViRGE Integrated 3D Accelerator, veröffentlicht im August 1996, vorgesehen. Dieses Datenbuch beschreibt viele der Funktionen, die vom ViRGE-Graphik-Beschleunigungschip durchgeführt werden, der von S3 Incorporated vertrieben wird.
  • Der Speicher 104 nimmt vorzugsweise die Form eines dynamischen Direktzugriffsspeichers (DRAM) an. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Steuereinheit 102 und der Speicher 104 durch einen Datenpfad gekoppelt, der 128 Bits breit ist und Übertragungen zwischen der Steuereinheit und dem Speicher mit 128 Bits pro Taktzyklus ermöglicht. Als Reaktion auf Steuersignale, die von der Steuereinheit 102 erzeugt werden, speichert der Speicher 104 Daten und gibt diese aus.
  • 2 der Zeichnungen ist ein Blockdiagramm, das weitere Details des Speichers 104 darstellt. Der Speicher 104 umfasst ein Vielzahl von Speicherblöcken 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 und 209, die hinsichtlich der Struktur und Speicherkapazität gleich sind. Die Speicherblöcke 202209 sind in zwei Bänke 211 und 212 organisiert, die als ungerade Bank bzw. als gerade Bank bezeichnet werden können. Die Speicherblöcke sind herkömmliche Speicherblöcke vom DRAM-Typ, die eine Struktur mit einem Transistor und einem Kondensator pro Zelle verwenden, um eine hohe Dichte zu erzielen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel enthält jeder der Speicherblöcke 202209 256 Zeilen, die jeweils 1 KBits enthalten. Folglich speichert jede Bank 211, 212 256 × 1k × 4 = 1 MBit Daten für eine Gesamtspeicherkapazität zwischen den zwei Bänken von 2 MBits.
  • Auf die in den Speicherblöcken gespeicherten Daten wird durch Decodieren einer Zeilenadresse mit einem Decodierer 214 zugegriffen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel weist die Zeilenadresse 8 Bits auf, so dass sie 256 Zeilen in den Bänken 211 und 212 entspricht. Die Zeilenadresse wird als Reaktion auf ein Zeilenadressen-Freigabe- (RAS) Signal, das von der Steuereinheit 102 erzeugt wird, in einem Register 213 gespeichert. Der Decodierer 214 steuert eine von 256 Zeilen in den Speicherblöcken 202209 an, damit sie durch zwei Sätze von Bitleitungs-Leseverstärken (BLSA) 216 und 218 ausgelesen wird.
  • Die vom Decodierer 214 decodierte Zeilenadresse wird zu jedem Block von jeder Bank geliefert, um eine Datenzeile zu erzeugen, die 8k Bits breit ist. Der BLSA 216 liest und verstärkt die Daten, die in den Speicherzellen gespeichert sind, die in der ungeraden Hälfte 211 der durch den Zeilendecodierer 214 angesteuerten Zeile enthalten sind. Der BLSA 218 arbeitet ähnlich mit der geraden Hälfte der in der Bank 212 angesteuerten Zeile.
  • Eine Spaltenadresse, die von der Steuereinheit 102 empfangen wird, wird im Register 215 als Reaktion auf ein Spaltenadressen-Freigabe- (CAS) Signal von der Steuereinheit 102 gespeichert. Die Spaltenadresse im Register 215 wird durch einen Decodierer 219 decodiert, um 256 Bits aus den 8k Bits auszuwählen, die im BLSA 216 und 218 gespeichert sind. Multiplexer 220 und 222 führen eine Zwei-zu-Eins-Multiplexfunktion durch. Der Multiplexer 220 empfängt 128 Bits vom SA 216 in 64 Paaren von Zwei-zu-Eins-Multiplexern. Der Multiplexer 222 ist ähnlich organisiert und arbeitet auf eine ähnliche Weise mit Bezug auf den SA 218. Die Multiplexer 220 und 222 werden beide durch ein HI/LO-Signal gesteuert, das von der Steuereinheit 102 erzeugt wird. Das HI/LO-Signal entspricht dem niedrigstwertigen Bit der Spaltenadresse. Sobald die BLSAs 216 und 218 die Daten in jeder der Speicherzellen der angesteuerten Zeile gelesen und verstärkt haben, stehen 128 Datenbits, die eine halbe Spalte von Daten darstellen, für die Steuereinheit 102 aus dem Speicher 104 zur Verfügung. Wie aus 2 zu sehen ist, besteht jede 128-Bit-Menge von Daten, die vom Speicher 104 geliefert wird, aus 64 Datenbits von der ungeraden Bank 211 und 64 Datenbits von der geraden Bank 212. Sobald die Steuereinheit 102 die ersten 128 Datenbits erfasst hat, wird das HI/LO-Signal gekippt, um seinen Wert von einer binären 0 auf eine binäre 1 oder alternativ von einer binären 1 auf eine binäre 0 zu ändern, um zu veranlassen, dass die Multiplexer 220 und 222 die anderen 64 Datenbits auswählen, die von den BLSAs 216 bzw. 218 empfangen werden.
  • Wie zu sehen ist, bewirkt das Kippen des HI/LO-Signals, dass weitere 128 Datenbits durch den Speicher 104 ausgegeben werden. Die Verwendung des HI/LO-Signals zum Abrufen von weiteren 128 Informationsbits ist insofern vorteilhaft, als nur ein Signal gekippt werden muss, um zusätzliche 128 Datenbits zu erzeugen, anstatt einen ganzen Adressenbus zu ändern. Dies vereinfacht die Leitweglenkung des IC-Chips 100, indem ermöglicht wird, dass das einzelne HI/LO-Signal als kritischer Pfad festgelegt wird und auf dem IC-Chip 100 auf eine optimale Weise geleitet wird, um ein Umschalten mit höherer Frequenz zu ermöglichen als es für die Zeilenadressenleitungen oder die Spaltenadressenleitungen möglich wäre.
  • Daten, die von den Multiplexern 220 und 222 ausgewählt werden, werden durch einen ungeraden und geraden Satz von Hauptleseverstärkern (MSA) 224 und 226 verstärkt. Die MSAs 224 und 226 sind herkömmlich und sind auch als Datenleseverstärker allgemein bekannt. Die MSAs 224 und 226 arbeiten auf eine herkömmliche Weise, um das Signal vom kleinen Typ (Differenztyp), das von den BLSAs 216 und 218 erzeugt wird, in Signale mit vollem Hub umzuwandeln, die von der Steuereinheit 102 verwendbar sind.
  • Die vorangehende Beschreibung hat sich auf eine Leseoperation konzentriert, bei der Daten aus dem Speicher 104 abgerufen werden. Eine Schreiboperation arbeitet in jeder Hinsicht ähnlich, außer dass ein Schreibfreigabesignal von der Steuereinheit 102 erzeugt wird und Daten zum Speicher 104 zum Schreiben in die Speicherblöcke geliefert werden. Die MSAs 224 und 226 wandeln die empfangenen Datensignale mit vollem Hub in Kleinsignale um. Die resultierenden Signale werden dann als Reaktion auf entsprechende Zeilen- und Spaltenadressen, RAS- und CAS-Signale und das Schreibfreigabesignal in die entsprechende Stelle in den Bänken 211 und 212 geschrieben. In 2 ist das Schreibfreigabesignal allgemein gezeigt. Die Steuerung des Speichersystems, einschließlich der Datenpfade innerhalb des Systems, zum Unterscheiden zwischen Lese- und Schreiboperationen ist herkömmlich und ist für Fachleute angesichts der vorliegenden Offenbarung verständlich.
  • 3 der Zeichnungen ist ein Ablaufdiagramm, das die Beziehung der von der Steuereinheit 102 zum Speicher 104 gesandten Signale zum Erhalten von vier Datenworten zeigt. Die Daten-, Adressen- und Steuersignale, die von der Steuereinheit 102 erzeugt werden, werden synchron mit einem in 3 als CLKC bezeichneten und bei 302 gezeigten Taktsignal erzeugt. Ein Schreibfreigabe- (WE) Signal, das bei 304 gezeigt ist, steuert, ob eine Speicheroperation zum Lesen oder zum Schreiben dient. Das Schreibfreigabesignal ist als aktiv niedriges Signal gezeigt, was bedeutet, dass, wenn es einen Wert einer logischen 0 aufweist, es das Schreiben von Daten in den Speicher 104 steuert, und wenn es einen Wert einer logischen 1 aufweist, es inaktiv ist und Daten dann aus dem Speicher gelesen werden. Die Zeilenadresse für den Speicher ist bei 306 gezeigt und umfasst, wie vorstehend erläutert, vorzugsweise 8 Bits, um eine von 256 Zeilen anzusteuern. Die Verwendung der Zeilenadresse 306 durch den Speicher 104 wird durch das RAS-Signal 305 gesteuert, das bewirkt, dass die Zeilenadresse im Register 213 gespeichert wird. Das Spaltenadressensignal umfasst, wie vorstehend angegeben, vorzugsweise 6 Bits und ist bei 308 gezeigt. Die Verwendung der Spaltenadresse wird durch das bei 307 gezeigte CAS-Signal gesteuert, das bewirkt, dass die Spaltenadresse im Register 219 gespeichert wird. Das HI/LO-Signal ist bei 310 gezeigt. Vom Speicher 104 ausgegebene Daten sind bei 312 gezeigt.
  • Das Ablaufdiagramm von 3 zeigt eine Leseoperation. Die Leseoperation dauert acht Taktzyklen, wie durch die einzeln nummerierten Taktsignale bei 302 gezeigt. In dem Zyklus vor dem Zyklus 0 wird eine Zeilenadresse durch die Steuereinheit 102 an den Zeilenadressenbus angelegt und das RAS-Signal wird aktiviert, um die Zeilenadresse im Register 213 zu speichern. Im Taktzyklus 2, nachdem eine ausreichende Menge an Zeit zugelassen wurde, damit die Zeilenadresse decodiert wird, und um zu ermöglichen, dass die Daten in der decodierten Zeile in die Leseverstärker 216 und 218 gelesen werden, wird die Spaltenadresse geliefert, um eine der zwei Spalten in der angesteuerten Zeile anzusteuern, und das CAS-Signal 307 wird aktiviert, um zu bewirken, dass die Spaltenadresse gespeichert wird. Das CAS-Signal wird, wie zu sehen ist, im Zyklus 2 aktiviert. Im Zyklus 4 werden die ersten 128 Datenbits in der angesteuerten Zeile verfügbar. Im Zyklus 3 wird das HI/LO-Signal gekippt, um zu bewirken, dass die zweiten 128 Datenbits im Zyklus 5 verfügbar werden. Im Zyklus 5 wird auch die Spaltenadresse geändert, um die zweite Spalte von Daten anzusteuern, die in den Leseverstärkern 216 und 218 gespeichert sind. Dies bewirkt, dass dritte 128 Datenbits im Zyklus 6 verfügbar werden, während welchem Zyklus das HI/LO-Signal wiederum gekippt wird, um zu bewirken, dass vierte 128 Datenbits im Zyklus 7 verfügbar werden. Die zweite Spaltenadresse kann nach der ersten Adresse folgen, muss es aber nicht. Sobald die zweite Spaltenadresse im Zyklus 5 aktiviert wurde, werden im folgenden Zyklus RAS und CAS deaktiviert, da sie nicht mehr erforderlich sind. Dies ermöglicht, dass ein weiterer Speicherzyklus im Zyklus 9 beginnt. Wie aus dem Ablaufdiagramm von 3 zu sehen ist, wird auf insgesamt 512 Datenbits unter Verwendung der einzelnen Zeilenadresse zugegriffen. Das HI/LO-Signal wird mit einer Frequenz gekippt, die zweimal die Frequenz ist, mit der sich die Spaltenadresse ändern muss. Dies verringert die Anzahl von kritischen Pfaden, die im Speicher 104 erforderlich sind, und ermöglicht, dass die Frequenz des Takts im Vergleich zur Verwendung von vier verschiedenen Spaltenadressen zum Abrufen derselben Menge an Daten erhöht wird.
  • Es soll selbstverständlich sein, dass die speziellen Mechanismen und Verfahren, die beschrieben wurden, nur eine Anwendung der Prinzipien der Erfindung erläutern. Die speziellen Breiten von Datenpfaden und die Größe der Speicherblöcke, die hierin beschrieben sind, sind beispielsweise nur vorgesehen, um die Erläuterung eines beispielhaften Ausführungsbeispiels zu unterstützen. Andere Breiten und Größen liegen durchaus innerhalb des Schutzbereichs der Prinzipien der Erfindung. Zahlreiche zusätzliche Modifikationen können an den beschriebenen Verfahren und Vorrichtungen vorgenommen werden, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen.

Claims (7)

  1. Speichersystem mit: einer Vielzahl von Speicherblöcken (202209), wobei jeder der Blöcke eine Vielzahl von Zeilen und eine Vielzahl von Spalten aufweist, wobei jede der Spalten eine Vielzahl von Mehrbit-Speicherworten aufweist; einem Zeilenadressendecodierer (214), der auf eine Zeilenadresse zum Ansteuern von einer der Vielzahl von Zeilen anspricht; einem Spaltenadressendecodierer (219), der auf eine Spaltenadresse zum Ansteuern von einer der Vielzahl von Spalten anspricht; einem Paar von Leseverstärkern (216, 218), die auf die angesteuerte Zeile zum Speichern von in der Zeile enthaltenen Daten ansprechen; einem Selektor (220, 222), der auf einen ersten Wert eines hi/lo-Signals anspricht, um eine erste Teilgruppe von Daten entsprechend der Spaltenadresse auszuwählen, die in jedem der Bitleitungs-Leseverstärker (216, 218) gespeichert sind, und auf einen zweiten Wert des hi/lo-Signals anspricht, um eine zweite Teilgruppe von Daten entsprechend der Spaltenadresse auszuwählen, die in jedem der Bitleitungs-Leseverstärker (216, 218) gespeichert sind.
  2. Speichersystem nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Speicherblöcken (202209) in eine ungerade Speicherbank (211) und eine gerade Speicherbank (212) organisiert sind; der Zeilenadressendecodierer (214) auf eine Zeilenadresse anspricht, um eine der Zeilen der ungeraden und der geraden Speicherbank (211, 212) anzusteuern; das Paar von Leseverstärkern (216, 218) einen ungeraden Bitleitungs-Leseverstärker (216), der auf Datenbits in der angesteuerten Zeile in der ungeraden Speicherbank (211) anspricht, und einen geraden Bitleitungs-Leseverstärker (218), der auf Datenbits in der angesteuerten Zeile in der geraden Speicherbank (212) anspricht, aufweist; der Spaltenadressendecodierer (219) auf eine Spaltenadresse anspricht, um eine Spalte von Datenbits vom ungeraden Bitleitungs-Leseverstärker (216) und vom geraden Bitleitungs-Leseverstärker (218) anzusteuern; und der Selektor (220, 222) einen ungeraden Satz von Multiplexern (220), die auf ein HI/LO-Signal ansprechen, das eine erste Teilmenge der Spalte von Datenbits auswählt, die vom ungeraden Bitleitungs-Leseverstärker (216) ausgewählt werden, und einen geraden Satz von Multiplexern (222), die auf das HI/LO-Signal ansprechen, das eine zweite Teilmenge der Spalte von Datenbits auswählt, die vom geraden Bitleitungs-Leseverstärker (218) ausgewählt werden, aufweist.
  3. Speichersystem nach Anspruch 2, welches ferner aufweist: einen Satz von ungeraden Datenleseverstärkern (224), die Signale verstärken, die vom ungeraden Satz von Multiplexern (220) ausgewählt werden; und einen Satz von geraden Datenleseverstärkern (226), die Signale verstärken, die vom geraden Satz von Multiplexern (222) ausgewählt werden; wobei die ungeraden Datenleseverstärker (224) und die geraden Datenleseverstärker (226) Datenausgaben für das Speichersystem in Form von Datensignalen mit vollem Hub erzeugen.
  4. Speichersystem nach Anspruch 2, wobei die ungerade Speicherbank (211) und die gerade Speicherbank (212) jeweils vier Sätze von Speicherblöcken (202205; 206209) aufweisen.
  5. Speichersystem nach einem der Ansprüche 1–4, wobei das Speichersystem (104) auf eine Änderung des Werts des HI/LO-Signals anspricht, indem es den Rest von Daten, die vom Spaltenadressendecodierer (219) ausgewählt werden, liefert.
  6. Integrierte Schaltung mit: einer Graphiksteuereinheit (102), die ein Zeilenadressensignal und ein Spaltenadressensignal erzeugt und die ein hi/lo-Signal entsprechend dem Spaltenadressensignal umschaltet, um eine Vielzahl von Datenworten aus einem Speicher (104) zu lesen; wobei der Speicher (104) einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) aufweist, der ein Speichersystem nach einem der Ansprüche 2–5 aufweist.
  7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei jedes der Datenworte aus 128 Bits besteht.
DE69833950T 1997-08-27 1998-08-25 Integriertes dram mit hochgeschwindigkeitssegmentierung Expired - Lifetime DE69833950T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/920,604 US5856947A (en) 1997-08-27 1997-08-27 Integrated DRAM with high speed interleaving
US920604 1997-08-27
PCT/US1998/017608 WO1999010792A2 (en) 1997-08-27 1998-08-25 Integrated dram with high speed interleaving

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69833950D1 DE69833950D1 (de) 2006-05-11
DE69833950T2 true DE69833950T2 (de) 2006-12-28

Family

ID=25444043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69833950T Expired - Lifetime DE69833950T2 (de) 1997-08-27 1998-08-25 Integriertes dram mit hochgeschwindigkeitssegmentierung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5856947A (de)
EP (1) EP1055165B1 (de)
JP (1) JP4080158B2 (de)
KR (1) KR100552886B1 (de)
AU (1) AU9119598A (de)
CA (1) CA2302013C (de)
DE (1) DE69833950T2 (de)
TW (1) TW403913B (de)
WO (1) WO1999010792A2 (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646954B2 (en) * 2001-02-02 2003-11-11 Broadcom Corporation Synchronous controlled, self-timed local SRAM block
US6714467B2 (en) * 2002-03-19 2004-03-30 Broadcom Corporation Block redundancy implementation in heirarchical RAM's
JP2002304886A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nec Corp 半導体記憶装置
US6480424B1 (en) * 2001-07-12 2002-11-12 Broadcom Corporation Compact analog-multiplexed global sense amplifier for RAMS
US7054178B1 (en) * 2002-09-06 2006-05-30 Etron Technology, Inc. Datapath architecture for high area efficiency
KR100494980B1 (ko) * 2002-12-02 2005-06-13 주식회사 넥서스칩스 범위선택 가능한 어드레스 디코더와 이를 이용한 고속그래픽 처리용 프레임 메모리 장치
US7139183B2 (en) * 2004-07-21 2006-11-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Logical arrangement of memory arrays
US7200693B2 (en) 2004-08-27 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Memory system and method having unidirectional data buses
US7209405B2 (en) * 2005-02-23 2007-04-24 Micron Technology, Inc. Memory device and method having multiple internal data buses and memory bank interleaving
US20070028027A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Micron Technology, Inc. Memory device and method having separate write data and read data buses
KR100694978B1 (ko) * 2006-05-12 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 데이터 입출력 속도를 증가시키는 구조를 가지는 플래시메모리 장치 및 그 데이터 입출력 동작 방법
JP2008186524A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 System Fabrication Technologies Inc 半導体記憶装置
US8154938B2 (en) * 2009-03-06 2012-04-10 Texas Instruments Incorporated Memory array power domain partitioning
US10818359B2 (en) 2018-12-21 2020-10-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for organizing data in a memory device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0652632B2 (ja) * 1985-01-23 1994-07-06 株式会社日立製作所 ダイナミツク型ram
JPS6457495A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Hitachi Ltd Semiconductor memory device
US4954987A (en) * 1989-07-17 1990-09-04 Advanced Micro Devices, Inc. Interleaved sensing system for FIFO and burst-mode memories
KR100230230B1 (ko) * 1993-12-24 1999-11-15 윤종용 메모리 어드레싱 방법 및 장치
JP3380050B2 (ja) * 1994-07-14 2003-02-24 富士通株式会社 半導体記憶装置のデータ読み出し方法
US5506810A (en) * 1994-08-16 1996-04-09 Cirrus Logic, Inc. Dual bank memory and systems using the same
JP3176228B2 (ja) * 1994-08-23 2001-06-11 シャープ株式会社 半導体記憶装置
US5600605A (en) * 1995-06-07 1997-02-04 Micron Technology, Inc. Auto-activate on synchronous dynamic random access memory
US5627791A (en) * 1996-02-16 1997-05-06 Micron Technology, Inc. Multiple bank memory with auto refresh to specified bank

Also Published As

Publication number Publication date
EP1055165A2 (de) 2000-11-29
CA2302013A1 (en) 1999-03-04
JP4080158B2 (ja) 2008-04-23
JP2001514426A (ja) 2001-09-11
US5856947A (en) 1999-01-05
WO1999010792A3 (en) 2000-08-03
DE69833950D1 (de) 2006-05-11
CA2302013C (en) 2006-10-31
WO1999010792A2 (en) 1999-03-04
TW403913B (en) 2000-09-01
KR100552886B1 (ko) 2006-02-20
AU9119598A (en) 1999-03-16
EP1055165A4 (de) 2004-06-16
EP1055165B1 (de) 2006-03-22
KR20010023365A (ko) 2001-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69526431T2 (de) Eine synchrone nand-dram-speicherarchitektur
DE69024730T2 (de) Speicher mit mehrfacher Eingangs-/Ausgangswahl
DE4236453C2 (de) Mehrkanal-Speichereinrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
DE69830962T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE69104498T2 (de) Synchrone auffrischung eines dynamischen ram-speichers.
DE69602946T2 (de) Pipelineadressiertes speichersystem und verfahren zu dessen betrieb
DE19928767B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement
DE69723105T2 (de) Speicher und verfahren zum lesen von speicherelementenuntergruppen
DE69833950T2 (de) Integriertes dram mit hochgeschwindigkeitssegmentierung
DE69028382T2 (de) Serielle multiplexierte Registerarchitektur für VRAM
DE69621280T2 (de) Speichergerätschaltkreis und Verfahren zur gleichzeitigen Adressierung der Spalten einer Vielzahl von Banken einer Vielzahlbankspeicheranordnung
DE4141892C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum Speichern von Daten in einer Halbleiterspeichereinrichtung
DE4222273C2 (de) Zweikanalspeicher und Verfahren zur Datenübertragung in einem solchen
DE3334556C2 (de) Dynamischer RAM-Speicher mit Adressen-Multiplexbetrieb
DE69229104T2 (de) Stroboskopische Signale in Halbleiterspeicheranordnungen
DE69837135T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE68919458T2 (de) Halbleiterspeichereinheit mit einem "flash write"-Betrieb.
DE10321441A1 (de) Kombinierter Befehlssatz
DE69330819T2 (de) Synchrone LSI-Speicheranordnung
DE69030914T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69909280T2 (de) Halbleiterspeicher
DE10109318B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung für schnellen Zugriff
DE69717572T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit erhöhter Bandbreite
DE69326494T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE4218686A1 (de) Statischer direktzugriffsspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition