DE69738340T2 - Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69738340T2
DE69738340T2 DE69738340T DE69738340T DE69738340T2 DE 69738340 T2 DE69738340 T2 DE 69738340T2 DE 69738340 T DE69738340 T DE 69738340T DE 69738340 T DE69738340 T DE 69738340T DE 69738340 T2 DE69738340 T2 DE 69738340T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
microwave circuit
conductor
width
mmic
impedance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69738340T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69738340D1 (de
Inventor
Masahito Wako-shi Shingyoji
Nobuyoshi Wako-shi Takeuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69738340D1 publication Critical patent/DE69738340D1/de
Publication of DE69738340T2 publication Critical patent/DE69738340T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45013—Cross-sectional shape being non uniform along the connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesserung in einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe, um darin Mikrowellenschaltungstechnik, welche integrierte monolithische Mikrowellenschaltungen (im Folgenden als MMIC bezeichnet) aufweist, sowie Bandleiter und Verbindungsdrähte zur Verwendung bei der Herstellung der Mikrowellenschaltungsbaugruppe einzuschließen.
  • Herkömmlich sind Verbindungsdrähte mit gleichmäßigen Durchmessern entlang ihrer Längen, Bandleiter gleichmäßiger Dicke und/oder Gitterbandleiter verwendet worden, um in einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe Hochfrequenzeinrichtungen an einem metallischen Substrat anzubringen.
  • Die japanische Patent-Offenlegungsschrift Nr. HEI 1-300546 offenbart eine Mikrowellenschaltungsbaugruppe, in welcher elektrostatische Kapazität außerhalb eines Bereichs eines MMIC-Chips bereitgestellt wird, indem eine dielektrische Schicht zwischen einem metallischen Substrat und einem vorspannenden Gleichstromanschluss (DC-Anschluss) gebildet wird.
  • Ferner offenbart die JP-A-02-185047 eine Halbleiterschaltungsbaugruppe, umfassend ein Substrat mit einem Halbleiterchip und einem darauf angebrachten Anschluss, sowie einen Bandleiter, der ein Hochfrequenz-Ausgangsende des Halbleiterchips mit dem Anschluss verbindet. Durch die Verwendung eines solchen Bandleiters wird die Induktivität der bekannten Halbleiterschaltungsbaugruppe reduziert, was zu einem verbesserten Hochfrequenzbetrieb führt. Gleichzeitig sind die Verbindungsendabschnitte des Bandleiters verschmälert, um den Kontaktbereich zwischen dem Bandleiter und dem Halbleiterchip bzw. dem Anschluss jeweils zu reduzieren, wodurch parasitäre Kapazität an den Kontaktbereichen reduziert werden kann.
  • Zusätzlich offenbart die JP-A-03-131102 eine Halbleitervorrichtung, in welcher ein Halbleiterelement mittels einer dielektrischen Keramikplatte, die mit einem Wellenführungsweg ausgebildet ist, mit einer gedruckten Schaltplatine verbunden ist. Der Linientyp des Mikrostreifenleiters der Keramikplatte und das Material der Keramikplatte sind von vorbestimmter Konfiguration, um eine Impedanzanpassung zwischen dem Halbleiterelement und der gedruckten Schaltplatine zu erhalten.
  • Ferner offenbart die JP-A-59-039055 eine Halbleitereinrichtung mit einem Verbindungsdraht, welcher verschiedene Abschnitte aufweist, die abgeflacht oder gebogen sind. Der Verbindungsdraht dieser bekannten Einrichtung ist ein nicht abgeschlossener Anschlussdraht, welcher an einem Ende unter Verwendung einer Lötverbindung mit einem Diodenchip verbunden ist.
  • Eine Mikrowellenschaltungsbaugruppe ist in der US-A-5113161 offenbart, wobei Bandleiter oder Verbindungsdrähte verwendet werden, um eine Mehrzahl von MMICs anzuschließen.
  • Ferner offenbart die JP-A-55-075301 ein Verfahren zum Einstellen einer Impedanz einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe, in welcher eine MMIC mit einer Übertragungsleitung über eine zugeordnete Kompensationsschaltung mit einem veränderlichen Widerstand verbunden ist. Durch geeignetes Einstellen des veränderlichen Widerstands kann eine Impedanzanpassung zwischen den jeweiligen Komponenten erzielt werden.
  • Zur weiteren Illustration des fachlichen Hintergrunds betreffend die Verbindung zwischen einer Halbleitereinrichtung und einem Ausgangsanschluss unter Verwendung von Bandleitern oder Verbindungsdrähten kann auch auf die JP-A-02-237301 sowie die US-A-5,294,751 verwiesen werden.
  • In einer solchen Mikrowellenschaltungsbaugruppe ist es wahrscheinlich, dass eine Diskontinuität/Unstetigkeit der Impedanz an Stellen auftritt, an denen Bandleiter und Verbindungsdrähte vorgesehen sind. Im Ergebnis ist es wahrscheinlich, dass die Komponenten, wie etwa die MMICs, im Hinblick auf ihre Grundeigenschaften nach der Montage oder dem Zusammenbau derselben abweichen, was zu verschlechterten Eigenschaften der Komponenten führt.
  • Es treten bestimmte Situationen auf, in welchen es wünschenswert ist, dass eine Mikrowellenschaltungsbaugruppe unter Verwendung von metallischen Substraten, MMICs und Verbindungsdrähten hergestellt wird, welche im Hinblick auf ihre Materialien verändert sind, während die Mikrowellenschaltungsbaugruppe kompatibel gemacht wird mit einer separaten Mikrowellenschaltungsbaugruppe, die unter Verwendung der gleichen Komponenten, jedoch ohne Involvierung solcher Änderungen des Materials hergestellt wurden, indem die Nach-Montage-Hochfrequenzeigenschaften des MMICs und dergleichen verändert werden.
  • Die Nach-Montage-Hochfrequenzeigenschaften der MMICs können durch Änderung der Längen der Bandleiter und Verbindungsdrähte verändert werden. Eine Verbindung durch die Verbindungsdrähte erfordert es jedoch, dass letztere in geeigneter Weise sanft gekrümmt werden. Ferner ist die Längenänderung der Verbindungsdrähte aufgrund des begrenzten Platzes innerhalb der Mikrowellenschaltungsbaugruppe begrenzt. Ein weiterer möglicher Ansatz wäre die Änderung des Abstands zwischen den Komponenten, wie etwa den MMICs, um eine Änderung der Längen der Bandleiter zu ermöglichen. Eine Abstands-/Platzänderung ist jedoch ebenfalls begrenzt und stellt somit keine effektive Lösung dar.
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren für eine effektive, beabsichtigte Veränderung der Frequenzeigenschaften einer Mikrowellenschaltung bereitzustellen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Einstellen der Impedanz einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Insbesondere wird die Dicke des Verbindungsdrahts wenigstens in einem anderen Abschnitt als einem zur Verbindung verwendeten Abschnitt desselben verändert. Speziell kann die Verbindungsdrahtdicke kontinuierlich oder diskontinuierlich verändert werden. Der eine solche Veränderung aufweisende Verbindungsdraht kann für den Anschluss eines Hochfrequenzausgangs einer Mikrowellenschaltung verwendet werden, die in einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe eingeschlossen ist.
  • Wirkungen, die aus der Veränderung der Verbindungsdrahtdicke an anderen Abschnitten als den zur Verbindung verwendeten Abschnitten resultieren, können wie nachfolgend erläutert werden:
    Bandleiter und Verbindungsdrähte weisen Komponenten wie einen Widerstand R und eine Recktanz X, sowie das gesamte Gegenteil, nämlich eine Impedanz Z auf, welche eine Kombination der ersteren beiden ist. Unter Verwendung des Widerstands R und der Recktanz X können die Korrelationen durch Z = (R2 + X2)1/2 ausgedrückt werden. Die Größe der Recktanz X kann durch X = ωL bezüglich der Induktivität L und durch X = 1/ωC in Bezug auf die Kapazität C dargestellt werden.
  • Die Recktanz X ist eine Funktion der Frequenz f (oder Winkelfrequenz ω = 2πf). In einer Schaltung hoher Frequenz (1–100 GHz), wie etwa einer Mikrowellenschaltung, ist es möglich, signifikant die Recktanz X und somit die Impedanz Z zu verändern, indem durch eine Variierung der Bandleiterbreite und der Verbindungsdrahtdicke die Induktivität L geringfügig variiert wird.
  • Durch Variierung der Breite des Bandleiters und der Dicke des Verbindungs drahts an anderen Abschnitten als den zur Verbindung verwendeten Abschnitten derselben, wird es dementsprechend möglich, die Diskontinuität der Impedanz innerhalb einer Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern und somit die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung zu verändern.
  • In der Folge wird es ebenfalls möglich, die Impedanz in den jeweiligen mikroskopischen Abschnitten des Bandleiters und des Verbindungsdrahts allmählich (oder kontinuierlich) zu variieren, indem die Bandleiterbreite und die Verbindungsdrahtdicke kontinuierlich verändert werden.
  • Durch diskontinuierliches Verändern der Bandleiterbreite und der Verbindungsdrahtdicke wird es möglich, die Impedanz in den jeweiligen mikroskopischen Abschnitten des Bandleiters und des Verbindungsdrahts sprunghaft zu verändern (oder schrittweise).
  • Die in der Mikrowellenschaltungsbaugruppe eingeschlossene MMIC kann mit einer Hochfrequenz-Kompensationsschaltung versehen sein, die sich in der Nähe der Verbindungsabschnitte des Verbindungsdrahts befindet. Abgesehen von der Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung über die Veränderung der Verbindungsdrahtdicke ermöglicht auch die Bereitstellung einer solchen Hochfrequenz-Kompensationsschaltung das unabhängige Verändern der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung dahingehend, dass die Impedanz unter Verwendung der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung eingestellt werden kann. Die Hochfrequenz-Kompensationsschaltung kann aus einem Impedanzeinstellstutzen gebildet sein. Im Ergebnis wird es möglich, die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung unter Verwendung des Verbindungsdrahts und der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung, welche unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, empfindlich zu verändern.
  • Als eine Alternative zu dem Verfahren des Anspruchs 1 kann der Hochfrequenzeingang/-ausgang der Mikrowellenschaltung innerhalb der Mikro wellenschaltungsbaugruppe mittels des Bandleiters angeschlossen sein, dessen Dicke wenigstens in einem anderen Abschnitt als einem zur Verbindung verwendeten Abschnitt desselben, verändert ist. Durch Verändern der Dicke des Bandleiters an einem anderen Abschnitt als einem zur Verbindung verwendeten Abschnitt desselben, wird es möglich, die Diskontinuität der Impedanz innerhalb der Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern, um auf diese Weise eine absichtliche Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung zu bewirken.
  • Der Hochfrequenzeingang/-ausgang der Mikrowellenschaltung innerhalb der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der Alternative kann vorzugsweise mittels des Bandleiters angeschlossen sein, dessen Breite an einem anderen Abschnitt als einem zum Verbinden verwendeten Abschnitt desselben verändert ist, und dessen gegenüberliegende Enden schmaler sind als die Breiten der Mikrowellenschaltungs-Hochfrequenzeingangs-/ausgangsenden, mit welchen der Bandleiter zu verbinden ist. Durch Verändern der Breite des Bandleiters an einem anderen Abschnitt als einem zum Verbinden verwendeten Abschnitt desselben wird es möglich, die Diskontinuität der Impedanz in der Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern, um auf diese Weise absichtlich die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung zu verändern. Durch Ausbilden der Breiten der gegenüberliegenden Enden des Bandleiters, so dass diese schmaler sind als die Breiten der Enden des Hochfrequenzeingang/-ausgangs, mit welchen der Bandleiter zu verbinden ist, wird eine Positionierung des Bandleiters beim Verbinden desselben erleichtert, was zu reduzierten Herstellungskosten der Mikrowellenschaltungsbaugruppe führt.
  • Die Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der oben erwähnten Alternative kann ein Trägerelement enthalten, welches an dem metallischen Substrat angeordnet ist, um den Bandleiter darauf zu tragen. Durch Anordnen des Trägerelements auf dem metallischen Substrat zum Tragen des Bandleiters kann dem Bandleiter eine erhöhte mechanische Stabilität verliehen werden, was zu einer erhöhten Zuverlässigkeit der Mikrowellenschaltung führt. Wenn eine Hö hendifferenz zwischen den MMICs und anderen Komponenten auftritt, so kann eine geneigte Oberfläche entsprechend der Höhendifferenz auf dem Trägerelement vorgesehen sein, so dass der Bandleiter so positioniert werden kann, dass er entlang der geneigten Oberfläche liegt, wodurch die Höhendifferenz ausgeglichen wird. Ferner wird es durch Verändern des Materials des Trägerelements möglich, die Kapazität zwischen dem Bandleiter und dem metallischen Substrat zu verändern. Dies ermöglicht auch die Variation der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung.
  • Der Bandleiter kann eine Breite aufweisen, welche an einem Rand der MMIC auf die Breite des Streifenleiters vergrößert ist, während die gegenüberliegenden Enden desselben so eingerichtet sind, dass das der MMIC nahe liegende Ende eine Breite aufweist, die im Wesentlichen gleich der Breite des Hochfrequenzeingangs der MMIC ist, und das andere, dem dielektrischen Substrat nahe liegende Ende eine Breite aufweist, welche im Wesentlichen gleich der Breite des Streifenleiters ist. Durch Verändern der Breite des Bandleiters an einem anderen Abschnitt als einem zur Verbindung verwendeten Abschnitt desselben wird es möglich, die Diskontinuität der Impedanz innerhalb der Mikrowellenschaltung und somit die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern. Durch Vergrößern der Breite des Bandleiters an einem Rand der MMIC auf eine Breite des Streifenleiters wird es insbesondere möglich, eine Anordnung ähnlich der Anordnung zu erhalten, in welcher der Streifenleiter sich zu den Hochfrequenzeingangs-/-ausgangsenden der MMIC erstreckt. Die so erhaltene Anordnung erzeugt verbesserte Nach-Montage-Frequenzeigenschaften im Vergleich zu wenigstens der Anordnung, in welcher der Bandleiter zur Verbindung verwendet wird, dessen Breite gleichmäßig ist und gleich den Breiten der Enden des Hochfrequenzeingangs-/-ausgangs der MMIC ist.
  • Die Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der oben erwähnten Alternative kann eine Hochfrequenz-Kompensationsschaltung umfassen, welche auf dem dielektrischen Substrat in der Nähe des Verbindungsabschnitts des Bandleiters angeordnet ist. Abgesehen von der Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung durch die Verwendung des Bandleiters kann die Bereitstellung einer solchen Hochfrequenz-Kompensationsschaltung ebenfalls eine unabhängige Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung dahingehend ermöglichen, dass eine Impedanz durch die Verwendung der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung eingestellt werden kann. Als Ergebnis wird es möglich, die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung durch die Verwendung des Bandleiters und der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung, welche unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, empfindlich zu variieren.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detaillierter beschrieben, wobei:
  • 1 eine schematische Draufsicht ist, welche eine Mikrowellenschaltungsbaugruppe illustriert;
  • 2 eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A der 1 ist, welche die Mikrowellenschaltungsbaugruppe zeigt, von der die DC-Anschlüsse und Verbindungsdrähte entfernt wurden;
  • 3A eine vergrößerte Draufsicht ist, welche eine MMIC illustriert, deren Hochfrequenzeingang mit einem Streifenleiter an einem dielektrischen Substrat mittels eines nicht Teil der vorliegenden Erfindung bildenden Bandleiters angeschlossen ist;
  • 3B eine schematische Querschnittsansicht der 3A ist;
  • 4A eine vergrößerte Draufsicht ähnlich 3A ist, welche eine an dem dielektrischen Substrat angeordnete Hochfrequenz-Kompensationsschaltung illustriert;
  • 4B eine schematische Querschnittsansicht von 4A ist;
  • 5A–5D schematisch verschiedene Bandleiterkonfigurationen illustrieren, welche nicht Teil der vorliegenden Erfindung bilden;
  • 6 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Verbindungsdraht mit einem abgeflachten Abschnitt illustriert;
  • 7 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Verbindungsdraht mit zwei abgeflachten Abschnitten illustriert;
  • 8 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Verbindungsdraht mit einem gerippten Abschnitt illustriert;
  • 9 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Verbindungsdraht mit einem abgeflachten Abschnitt und einem gerippten Abschnitt illustriert, und
  • 10 eine Ansicht ist, welche schematisch einen Verbindungsdraht mit einem gerippten Abschnitt an einer Oberfläche desselben illustriert.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 umfasst eine Mikrowellenschaltungsbaugruppe 10 ein metallisches Substrat 3 und schließt integrierte monolithische Mikrowellenschaltungen (MMICs) 11, 12 ein, welche auf dem metallischen Substrat 3 angeordnet sind.
  • Das metallische Substrat 3 schließt außerdem ein dielektrisches Substrat 17 und dielektrische Elemente 19, 19 ein, welche auf dem metallischen Substrat 3 angebracht sind. Das dielektrische Substrat 17 ist an einer Oberfläche desselben mit einem Streifenleiter 17b ausgestattet. Das metallische Substrat 3, das dielektrische Substrat 17 und der Streifenleiter 17b stellen gemeinsam Mikrostreifenleiter bereit.
  • Das metallische Substrat 3 ist aus Kovar oder dergleichen gebildet und dient außerdem als eine Wärmesenke. Eine obere Abdeckung 6 ist aus einem dielektrischen Material gebildet. Die MMICs 11, 12 sind aus GaAs gebildet, während das dielektrische Substrat 17 aus Keramik, wie etwa Aluminiumoxidkeramik, gebildet ist.
  • Die MMIC 11 weist eine Mehrzahl von Vorspannungs-DC-Anschlüssen 34, 35 auf, welche mit dieser mittels ihrer jeweiligen Verbindungsdrähte 44, 45 verbunden sind und sich durch das metallische Substrat 3 in elektrisch isolierter Weise hindurch erstrecken, um der MMIC 11 eine vorgegebene Vorspannung zuzuführen.
  • In ähnlicher Weise weist die MMIC 12 eine Mehrzahl von Vorspannungs-DC-Anschlüssen 36, 37 auf, welche mit dieser mittels ihrer jeweiligen Verbindungsdrähte 46, 47 verbunden sind und sich durch das metallische Substrat 3 hindurch in elektrisch isolierter Weise erstrecken, um der MMIC 12 eine vorgegebene Vorspannung zuzuführen.
  • Ein Hochfrequenzeingang der MMIC 11 ist mit dem Streifenleiter 17b an dem dielektrischen Substrat 17 mittels eines Bandleiters 11e verbunden. Hochfrequenzausgänge der MMIC 11 sind mit ihren jeweiligen RF-Anschlüssen 11f, 11g über Verbindungsdrähte 40, 40 verbunden.
  • Ein Hochfrequenzeingang der MMIC 12 ist mit dem Streifenleiter 17b an dem dielektrischen Substrat 17 über einen Bandleiter 12e verbunden. Zwei Hochfrequenzausgänge des MMICs 12 sind mit ihren jeweiligen RF-Anschlüssen 12f, 12g mittels Verbindungsdrähten 42, 42 verbunden.
  • Der Streifenleiter 17b und der RF-Anschluss 17a auf dem dielektrischen Substrat 17 sind durch einen Verbindungsdraht 44 miteinander verbunden.
  • Unter Verwendung der oben beschriebenen Mikrostreifenleiter können verschiedene Schaltungen oder/und Schaltungselemente hergestellt werden. Beispielsweise kann ein Verteiler zum Verteilen von Hochfrequenzsignalen unter Verwendung solcher Mikrostreifenleiter gebildet werden, um dadurch die Anzahl an RF-Anschlüssen zu reduzieren.
  • Indem die DC-Anschlüsse 34–37 so angeordnet werden, dass sie sich vertikal relativ zu der Oberfläche des metallischen Substrats 3 erstrecken, und die RF-Anschlüsse 11f, 11g, 12f, 12g, 17a an gegenüberliegenden Rändern des metallischen Substrats 3 angeordnet werden und sich horizontal innerhalb einer Ebene der Oberfläche der Basisplatte 3 erstrecken, kann die Mikrowellenschaltungsbaugruppe 10 in enger Nachbarschaft zu einer Partner-Mikrowellenschaltungsbaugruppe angeordnet werden, wodurch eine Mikrowellenschaltungsbaugruppenanordnung von hoher Dichte ermöglicht wird.
  • 3A illustriert in einer oberen Draufsicht einen Bandleiter 11e, welcher einen Hochfrequenz-Eingangsanschluss 11s der MMIC 11, der Teil der Leitungen bildet, mit dem Streifenleiter 17b auf dem dielektrischen Substrat 17 verbindet, sowie dessen Umgebungen. 3B ist eine Querschnittsansicht, welche den Bandleiter 11e und seine Umgebungen illustriert. Der Bandleiter 11e ist an einem Trägerelement 18 getragen, welches aus einem Material, wie etwa Harzen/Kunststoffen gebildet ist und an dem metallischen Substrat 3 angeordnet ist.
  • Enden des Bandleiters 11e sind jeweils mit dem Hochfrequenzeingang 11s und dem Streifenleiter 17b durch Thermodruckverbindung oder Ultraschalldruckverbindung verbunden. Die Breite des Bandleiterendes auf der Seite der MMIC 11 ist gleich der Breite des Hochfrequenzeingangs 11s, während das Bandlei terende auf der Seite des dielektrischen Substrats 17 gleich der Breite des Streifenleiters 17b ist. Die Breite des Bandleiters 11e ist am Rand der MMIC 11 vergrößert, so dass sie der Breite des Streifenleiters 17b entspricht. Anders ausgedrückt, weist der Bandleiter 11e veränderte oder variierte Breiten an anderen Abschnitten als den der Verbindung unterzogenen Abschnitten auf. Alternativ kann die Bandleiterbreite auf der Seite der MMIC 11 kleiner sein als die Breite des Hochfrequenzeingangs 11s, während das Bandleiterende auf der Seite des dielektrischen Substrats 17 kleiner sein kann als die Breite des Streifenleiters 17b. Das heißt, dass die Endbreiten des Bandleiters 11e kleiner sein können als die Breiten der Hochfrequenzeingangs- und -ausgangsenden, an welchen der Bandleiter 11e angebracht werden soll.
  • 4A und 4B illustrieren eine Modifikation der in 3A und 3B gezeigten Mikrowellenschaltungsbaugruppe, in welcher das dielektrische Substrat 17 mit einem Impedanzeinstellstutzen 17z ausgestattet ist, der als eine Hochfrequenz-Kompensationsschaltung dient. An dem dielektrischen Substrat 17 eines Mikrostreifenleiters 17m zum Bewirken einer Hochfrequenzeingabe und -ausgabe ist eine Hochfrequenz-Kompensationsschaltung in enger Nachbarschaft zu der Verbindungsposition des Bandleiters 11e vorgesehen. Die Hochfrequenz-Kompensationsschaltung kann ein Verbindungsfeld umfassen und kann an der MMIC 11 angeordnet sein.
  • 5A–5C illustrieren verschiedene Konfigurationen des Mikrowellenschaltungsbandleiters, betrachtet in Draufsicht, während 5D den Bandleiter in einer Seitenansicht zeigt.
  • In 5A ist ein Bandleiter gezeigt, der den unter Bezugnahme auf 1 bis 4 beschriebenen Bandleitern 11e, 12e entspricht und eine diskontinuierlich veränderte Breite aufweist.
  • Der in 5B gezeigte Bandleiter weist Enden auf, die gleiche Breite haben wie die Enden des in 5A gezeigten Bandleiters, sowie einen mittleren Ab schnitt, der breiter ist als der des letzteren Bandleiters, so dass die Breite des ersteren Bandleiters in Längsrichtung diskontinuierlich verändert ist.
  • Der in 5C gezeigte Bandleiter weist eine in Längsrichtung kontinuierlich veränderte Breite auf, weist jedoch Enden auf, die gleiche Breite aufweisen, wie die Enden des in 5A gezeigten Bandleiters, so dass eine trapezförmige Konfiguration bereitgestellt ist.
  • Die Dicke der in 5A–5C gezeigten Bandleiter kann so verändert werden, dass ein gestufter Abschnitt vorgesehen ist, wie in 5D gezeigt. Durch Verändern der Dicke der Bandleiter an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben, so dass ein solcher gestufter Abschnitt bereitgestellt wird, wird eine Positionierung in Längsrichtung der Bandleiter beim Verbinden derselben einfach. Alternativ können die Bandleiter in Längsrichtung gleichmäßige Dicken aufweisen.
  • 6 illustriert einen Verbindungsdraht 40 als Beispiel zum Verbinden des Hochfrequenzausgangs und eines RF-Anschlusses 11f der MMIC 11 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 6 gezeigt ist, weist der Verbindungsdraht 40 eine Dicke oder einen Durchmesser auf, die/der an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben verändert ist. Der Verbindungsdraht weist einen abgeflachten Abschnitt 40a auf, der beispielsweise durch Einklemmen mit einer kleinen Pinzette gebildet ist. Der abgeflachte Abschnitt 40a weist im Wesentlichen einen ovalen Querschnitt auf. Der Verbindungsdraht 40 kann in seiner Konfiguration so verändert sein, dass er zwei abgeflachte Abschnitte 40a, 40a an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben aufweist, wie in 7 gezeigt ist.
  • 8 illustriert eine veränderte Form des Verbindungsdrahts 40, in welcher ein Teil des Verbindungsdrahts 40 wie bei 40b gerippt ist. Ein solcher gerippter Ab schnitt kann beispielsweise durch Einklemmen eines gewünschten Abschnitts des Drahts mit Sägezahnabschnitten an vorderen Enden einer kleinen Pinzette gebildet sein.
  • In einer weiteren veränderten Form weist der Verbindungsdraht 40 eine Dicke auf, welche in Längsrichtung diskontinuierlich verändert ist, so dass er einen gerippten Abschnitt 40c auf einer Seite und einen flachen oder geraden Abschnitt auf der anderen Seite aufweist, wobei der gerippte und der gerade Abschnitt dadurch erhalten werden, dass bewirkt wird, dass ein gewünschter Abschnitt des Verbindungsdrahts zwischen einem Sägezahnabschnitt auf einer Seite eines vorderen Endes einer Pinzette und einem geraden Abschnitt auf einer gegenüberliegenden Seite eines zugehörigen vorderen Endes einer Pinzette eingeklemmt wird (siehe 10).
  • 9 illustriert noch eine weitere Veränderung des Verbindungsdrahts 40, in welcher sowohl ein abgeflachter Abschnitt 40a als auch ein gerippter Abschnitt 40b, welche jeweils in 6 und 8 gezeigt sind, bereitgestellt sind.
  • Die RF-Anschlüsse 11f, 11g, 12f, 12g und die Hochfrequenzausgangsenden der MMICs 11, 12 gemäß der vorliegenden Erfindung können mittels Balkenleitern aus Gold oder einem ähnlichen Material oder mit den Bandleitem, wie sie an den Hochfrequenzeingangsenden verwendet werden, miteinander verbunden werden. In ähnlicher Weise können die Hochfrequenzausgangsenden und der Streifenleiter 17b der MMICs 11, 12 durch die oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verbindungsdrähte miteinander verbunden werden. Die RF-Anschlüsse 11f, 11g, 12f, 12g, 17a können so angeordnet werden, dass sie sich in Bezug auf die Oberfläche des metallischen Substrats 3 vertikal erstrecken, so wie die DC-Anschlüsse 34–37.
  • Die vorliegende Erfindung kann auch auf ein Radarmodul und eine Antennenvorrichtung angewendet werden. Beispielsweise können eine Mehrzahl von MMICs, welche jeweils vier Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren (FETs) und zwei Mischer umfassen, auf der Baugruppe angebracht sein, um eine Mehrchipschaltung bereitzustellen.
  • Wie bis hierher erläutert, ermöglichen die Verbindungsdrähte und die solche Verwendende Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der vorliegenden Erfindung eine absichtliche Veränderung oder Variation der Diskontinuität der Impedanz innerhalb der Mikrowellenschaltung, indem die Dicke der Verbindungsdrähte an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben geändert wird, wodurch die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung absichtlich verändert werden können, und zwar vermittels der Verbindungsdrähte, bei denen solche absichtlichen Veränderungen vorgenommen wurden.
  • Ferner kann die Impedanz in den jeweiligen mikroskopischen Abschnitten der Verbindungsdrähte und somit der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der vorliegenden Erfindung allmählich (oder kontinuierlich) verändert werden.
  • Ferner kann die Impedanz in den jeweiligen mikroskopischen Abschnitten der Verbindungsdrähte und somit der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der vorliegenden Erfindung effektiv schlagartig (oder schrittweise) verändert werden, wenn die Dicke der Verbindungsdrähte diskontinuierlich verändert wird.
  • Ferner können in der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der vorliegenden Erfindung die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltungen nicht nur durch die Verbindungsdrähte verändert werden, sondern auch durch die zur Impedanzeinstellung vorgesehene Hochfrequenz-Kompensationsschaltung. Im Ergebnis wird es möglich, geringfügige Änderungen der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltungen dadurch vorzunehmen, dass die Hochfrequenz-Kompensationsschaltung und die Verbindungsdrähte unterschiedliche Eigenschaften aufweisen.
  • In einer Alternative, welche nicht Teil der Erfindung bildet, verwendet eine Mi krowellenschaltungsbaugruppe Bandleiter, deren Dicke an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben verändert ist, wodurch es möglich wird, die Diskontinuität der Impedanz in der Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern, wodurch eine absichtliche Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung ermöglicht wird.
  • Da ferner die Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der oben erwähnten Alternative die Bandleiter einsetzt, deren Breite an anderen Abschnitten als den Bindungsabschnitten desselben verändert ist, wird es möglich, die Diskontinuität der Impedanz in der Mikrowellenschaltung absichtlich zu variieren, wodurch eine absichtliche Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung ermöglicht wird. Da insbesondere die Bandleiter mit gegenüberliegenden Enden bereitgestellt werden, deren Breiten schmaler sind als die Breiten der Hochfrequenzeingangs-/-ausgangsenden der Bandleiter, an denen die letzteren angeschlossen werden sollen, wird eine Positionierung der Bandleiter beim Verbinden derselben einfach, wodurch die Herstellungskosten der Mikrowellenschaltungsbaugruppe verringert werden.
  • In der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der oben erwähnten Alternative ist ferner das Trägerelement, welches die Bandleiter darauf trägt, an dem metallischen Substrat angeordnet. Im Ergebnis wird es möglich, den Bandleitern mechanische Stabilität zu verleihen, was zu einer vergrößerten Zuverlässigkeit der Mikrowellenschaltung führt. Wenn eine Höhendifferenz zwischen den Hochfrequenzeingängen/-ausgängen der MMICs oder dergleichen vorliegt, so kann eine geneigte Oberfläche entsprechend der Höhendifferenz an dem Trägerelement vorgesehen sein, so dass die Bandleiter so positioniert werden können, dass sie entlang der geneigten Fläche liegen, wodurch die Höhendifferenz kompensiert wird. Durch Andern des Materials des Trägerelements wird es ferner möglich, die Kapazität zwischen den Bandleitern und dem metallischen Substrat zu verändern. Eine Ausnutzung dieses Umstands ermöglicht eine weitere Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung.
  • In der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der oben erwähnten Alternative wird es durch absichtliches Verändern der Breite der Bandleiter an anderen Abschnitten als den Verbindungsabschnitten desselben möglich, die Diskontinuität der Impedanz innerhalb der Mikrowellenschaltung absichtlich zu verändern, wodurch eine absichtliche Veränderung der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung ermöglicht wird. Insbesondere wird es durch Vergrößern der Bandleiterbreite an Rändern der MMICs bis auf die Breite des Streifenleiters möglich, eine Anordnung ähnlich der zu erhalten, in welcher sich der Streifenleiter bis zu den Hochfrequenzeingangs-/-ausgangsenden der MMICs erstreckt. Die so erhaltene Anordnung bietet verstärkte Nach-Montage-Hochfrequenzeigenschaften der MMICs verglichen mit wenigstens der Anordnung, in welcher zur Verbindung die Bandleiter verwendet werden, die eine gleichmäßige Breite gleich der Breite der Hochfrequenzeingangs-/-ausgangsenden der MMICs aufweisen.
  • Wie bereits oben erläutert, können in der Mikrowellenschaltungsbaugruppe gemäß der vorstehend erwähnten Alternative die Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung über den Bandleiter verändert werden. Solche Frequenzveränderung kann auch durch eine Impedanzeinstellung unter Verwendung der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung erzielt werden. Somit kann eine feine oder empfindliche Variation der Frequenzeigenschaften der Mikrowellenschaltung unter Verwendung der Bandleiter und der Hochfrequenz-Kompensationsschaltung, welche unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, ermöglicht werden.
  • Da darüber hinaus die Hochfrequenz-Kompensationsschaltung in der Mikrowellenschaltungsbaugruppe den Impedanzeinstellstutzen umfassen kann, der in enger Nachbarschaft zu den Verbindungsabschnitten der Bandleiter oder/und der Verbindungsdrähte angeordnet ist, kann eine Impedanzeinstellung auf der Seite der MMIC sowie auch auf der Seite des dielektrischen Substrats bewirkt werden.
  • Die vorstehende Diskussion offenbart und beschreibt lediglich beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Der Fachmann wird aus einer solchen Diskussion und von den beigefügten Zeichnungen und Ansprüchen leicht erkennen, dass verschiedene Änderungen, Modifikationen und Variationen durchgeführt werden können, ohne den Rahmen der Erfindung, wie er in den folgenden Ansprüchen definiert ist, zu verlassen.
  • Ein Verbindungsdraht (40, 42) ist jeweils mit einem Hochfrequenzeingang bzw. -ausgang einer Mikrowellenschaltung verbunden, wobei die Dicke des Verbindungsdrahts kontinuierlich oder diskontinuierlich an einem anderen Abschnitt als einem zur Verbindung verwendeten Abschnitt, verändert ist. Durch Anwenden des Verbindungsdrahts an einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe (10), welche ein metallisches Substrat (3) umfasst und darin eine an dem metallischen Substrat angebrachte MMIC (11, 12) einschließt, können gewünschte Hochfrequenzeigenschaften der MMIC erhalten werden.

Claims (1)

  1. Verfahren zum Einstellen der Impedanz einer Mikrowellenschaltungsbaugruppe (10), umfassend ein metallisches Substrat (3), auf welchem eine integrierte monolithische Mikrowellenschaltung (MMIC) (11, 12) und ein Ausgangsanschluss (11f, 11g, 12f, 12g) angebracht sind, sowie einen Verbindungsdraht (40, 42), welcher einen Hochfrequenzausgang der integrierten monolithischen Mikrowellenschaltung (11, 12) mit dem Ausgangsanschluss (11f, 11g, 12f, 12g) verbindet, wobei das Verfahren den Schritt eines Zusammendrückens des Verbindungsdrahts (40, 42) an einem anderen Abschnitt als einem Verbindungsabschnitt desselben umfasst, um die Dicke des Verbindungsdrahts (40, 42) zu verändern, wodurch dessen Impedanz geändert wird.
DE69738340T 1996-04-24 1997-04-08 Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung Expired - Lifetime DE69738340T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8102814A JPH09289404A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ
JP10281496 1996-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69738340D1 DE69738340D1 (de) 2008-01-17
DE69738340T2 true DE69738340T2 (de) 2008-04-03

Family

ID=14337510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69738340T Expired - Lifetime DE69738340T2 (de) 1996-04-24 1997-04-08 Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5936492A (de)
EP (1) EP0803907B1 (de)
JP (1) JPH09289404A (de)
DE (1) DE69738340T2 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209183B2 (ja) * 1998-07-08 2001-09-17 日本電気株式会社 高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法
SE515661C2 (sv) * 1998-12-22 2001-09-17 Ericsson Telefon Ab L M Trådbondningskompensering
US6664630B2 (en) * 2001-10-16 2003-12-16 Hitachi Maxell, Ltd. Semiconductor device
JP3756129B2 (ja) * 2002-06-11 2006-03-15 Ｎｅｃトーキン株式会社 伝送線路型ノイズフィルタ
US6737931B2 (en) * 2002-07-19 2004-05-18 Agilent Technologies, Inc. Device interconnects and methods of making the same
TW550990B (en) * 2002-10-24 2003-09-01 Advanced Semiconductor Eng A printed circuit board
JP2005072031A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Renesas Technology Corp 高周波用半導体装置および通信用電子部品並びに無線通信システム
US7388279B2 (en) * 2003-11-12 2008-06-17 Interconnect Portfolio, Llc Tapered dielectric and conductor structures and applications thereof
US20050248022A1 (en) * 2004-05-10 2005-11-10 Northern Microdesign, Inc. High data rate chip mounting
ATE535939T1 (de) * 2004-06-25 2011-12-15 Conti Temic Microelectronic Elektrische baugruppe mit einer schutzhülle
US7397329B2 (en) * 2004-11-02 2008-07-08 Du Toit Nicolaas D Compact tunable filter and method of operation and manufacture therefore
US7471520B2 (en) * 2005-03-10 2008-12-30 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance matching external component connections with uncompensated leads
US7388451B2 (en) * 2005-08-15 2008-06-17 Northrop Grumman Corporation Thickness tapered substrate launch
US7295084B2 (en) * 2005-09-28 2007-11-13 Agilent Technologies, Inc. Electrical interconnection for coaxial line to slab line structure including a bead ring
US7443018B2 (en) * 2005-11-09 2008-10-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including ribbon bond interconnect
US7557431B2 (en) * 2007-01-18 2009-07-07 Miteq, Inc. Microwave surface mount hermetically sealed package and method of forming the same
DE102007008464B4 (de) * 2007-02-19 2012-01-05 Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh Optischer Dehnungsmessstreifen
JP4656212B2 (ja) 2008-06-13 2011-03-23 ソニー株式会社 接続方法
SG169241A1 (en) 2009-08-12 2011-03-30 Sony Corp An integrated circuit
TW201352092A (zh) * 2012-03-28 2013-12-16 Fujikura Ltd 配線基板
US20130265733A1 (en) * 2012-04-04 2013-10-10 Texas Instruments Incorporated Interchip communication using an embedded dielectric waveguide
US20130265734A1 (en) * 2012-04-04 2013-10-10 Texas Instruments Incorporated Interchip communication using embedded dielectric and metal waveguides
CN102856302B (zh) * 2012-09-14 2014-11-05 中国科学院半导体研究所 光子集成芯片匹配电路的三维封装装置
FR3015781B1 (fr) * 2013-12-20 2016-02-05 Thales Sa Dispositif d'interconnexion hyperfrequence
KR102298516B1 (ko) * 2020-02-28 2021-09-27 주식회사 웨이브피아 임피던스 매칭 기능이 내장된 허매틱 알에프 칩 패키지용 리드 프레임
KR102298517B1 (ko) * 2020-02-28 2021-09-06 주식회사 웨이브피아 임피던스 매칭 기능이 내장된 알에프 칩 패키지용 리드 프레임

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5575301A (en) * 1978-12-01 1980-06-06 Hitachi Denshi Ltd Amplitude frequency characteristics compensating circuit at microwave band
JPS5939055A (ja) * 1982-08-26 1984-03-03 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4600907A (en) * 1985-03-07 1986-07-15 Tektronix, Inc. Coplanar microstrap waveguide interconnector and method of interconnection
JPS63131970A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 松下冷機株式会社 冷蔵庫の強制冷却装置
JPS6431567A (en) 1987-07-27 1989-02-01 Honda Motor Co Ltd Production of fiber reinforced metallic member
US4967261A (en) * 1987-07-30 1990-10-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Tape carrier for assembling an IC chip on a substrate
JPH01315167A (ja) * 1988-03-01 1989-12-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH01293001A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Fujitsu Ltd マイクロストリップ線路の接続構造
JPH01300546A (ja) 1988-05-30 1989-12-05 Sharp Corp 半導体デバイスパッケージングステム
JPH02185047A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Nec Corp 半導体装置
JPH02237301A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Nec Corp 同軸―マイクロストリップ線路変換器
JPH03131102A (ja) * 1989-10-17 1991-06-04 Mitsubishi Materials Corp 半導体素子と回路基板又はキャリヤとの接続方法
JPH07105608B2 (ja) * 1990-03-01 1995-11-13 三菱電機株式会社 マイクロ波集積回路収納ケース
US5086335A (en) * 1990-07-31 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Tape automated bonding system which facilitate repair
JPH04180401A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Hitachi Ltd 高周波伝送線路
JPH04212501A (ja) * 1990-12-06 1992-08-04 Fujitsu Ltd マイクロストリップラインの接続方法
JPH04284661A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Toshiba Corp 半導体装置
US5296744A (en) * 1991-07-12 1994-03-22 Vlsi Technology, Inc. Lead frame assembly and method for wiring same
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
JPH06188603A (ja) * 1992-12-21 1994-07-08 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波回路
US5395227A (en) 1993-08-20 1995-03-07 Westinghouse Electric Corporation Adjustable powder flow gate for a rotary pellet press
US5821457A (en) * 1994-03-11 1998-10-13 The Panda Project Semiconductor die carrier having a dielectric epoxy between adjacent leads
US5491302A (en) * 1994-09-19 1996-02-13 Tessera, Inc. Microelectronic bonding with lead motion
JP2782053B2 (ja) * 1995-03-23 1998-07-30 本田技研工業株式会社 レーダーモジュール及びアンテナ装置
US5736784A (en) * 1996-10-31 1998-04-07 Hewlett-Packard Co. Variable-width lead interconnection structure and method

Also Published As

Publication number Publication date
EP0803907B1 (de) 2007-12-05
US6331806B1 (en) 2001-12-18
EP0803907A2 (de) 1997-10-29
DE69738340D1 (de) 2008-01-17
US5936492A (en) 1999-08-10
EP0803907A3 (de) 1999-07-28
JPH09289404A (ja) 1997-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69738340T2 (de) Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung
DE69934717T2 (de) Leistungstransistoranordnung höher frequenz
DE2212735C3 (de) Hochfrequenz-Übertragungsleitung in Streifenleiterbauweise
DE4309186A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE19534382B4 (de) Monolithisch integrierte Schaltung mit einem Mikrowellen-Leistungsverstärker mit einer Anpassungsschaltung unter Verwendung verteilter Leitungen
DE60037297T2 (de) Methode zur Verminderung der gegenseitigen Induktanz zwischen Verbindungsdrähten einer Hochfrequenzverstärkerschaltung
DE102013223500B4 (de) Hochfrequenzvorrichtung
DE69718280T2 (de) Hochfrequenzverstärker
EP1086509B1 (de) Antennenanordnung und funkgerät
DE19915074B4 (de) Dielektrischer Resonator und dielektrisches Filter mit einem solchen Resonator
DE1914442B2 (de) Halbleiteranordnung
DE102018201492A1 (de) Eingebetteter Harmonische-Abschluss an einem Hochleistungs-HF-Transistor
EP0668615A1 (de) Kunststoff-SMD-Gehäuse für einen Halbleiterchip
DE60121861T2 (de) Oberflächenmontierbare elektronische Schaltung geeignet für Verkleinerung
EP3503290B1 (de) Antennenvorrichtung mit bonddrähten
DE1514882A1 (de) Aufbau fuer einen Mikrowellentransistor
DE69930169T2 (de) Mikromechanischer schalter
DE10163429B4 (de) HF-Schaltungschip und Herstellungsverfahren davon
DE102019113821A1 (de) Anpassungsschaltung für Chip mit integriertem Schaltkreis
WO2021052897A1 (de) Antennenvorrichtung und fahrzeug aufweisend eine antennenvorrichtung
DE3934224A1 (de) Anordnung zur mikrowellen-integration
WO2010049435A1 (de) Planare multiband-antennenstruktur
DE19549097A1 (de) Halbleitergehäuse für die Oberflächenmontage
DE10330081A1 (de) Abschlüsse für abgeschirmte Übertragungsleitungen, die auf einem Substrat hergestellt sind
DE60301699T2 (de) Kompakte Streifenleiterantenne mit einer Anpassungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition