JPH01315167A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01315167A JPH01315167A JP26722888A JP26722888A JPH01315167A JP H01315167 A JPH01315167 A JP H01315167A JP 26722888 A JP26722888 A JP 26722888A JP 26722888 A JP26722888 A JP 26722888A JP H01315167 A JPH01315167 A JP H01315167A
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 20
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面実装型の半導体装置に関するものである。
従来のこの種の半導体装置を第３図乃至第５図に基づい
て説明する。
て説明する。
尚、第３図は装置の部分正面図、第４図は基板への実装
工程図及び第５図はウィッキング現象の説明図であり、
第４図（ｃ−２）は同図（ｃ−１）の要部拡大図である
。
工程図及び第５図はウィッキング現象の説明図であり、
第４図（ｃ−２）は同図（ｃ−１）の要部拡大図である
。
即ち、この表面実装型半導体装置には、リード形状によ
り、主にＪ ＩＪ−ド型及びがルウインブリード型があ
る。
り、主にＪ ＩＪ−ド型及びがルウインブリード型があ
る。
第３図（ａ）に示す如く、上記Ｊ ＩＪ−ド型の半導体
装置１は、図示略す半導体素子を封止したモールド樹脂
２と、上記半導体素子に接続し、モールド樹脂２より外
部に突出して、基板上に接着されるリード３とから成り
、このリード３は、モールド樹脂２からの導出部の幅長
が大きく形成されると共に、基板接合部の幅長が小さく
形成され、而もその先端を上記モールド樹脂２に向けて
屈曲されている。
装置１は、図示略す半導体素子を封止したモールド樹脂
２と、上記半導体素子に接続し、モールド樹脂２より外
部に突出して、基板上に接着されるリード３とから成り
、このリード３は、モールド樹脂２からの導出部の幅長
が大きく形成されると共に、基板接合部の幅長が小さく
形成され、而もその先端を上記モールド樹脂２に向けて
屈曲されている。
又、第３図（ｂ）に示す如く、上記ガルウィングリード
型の半導体装置４は、全長が同−幅長に形成されたリー
ド５を、モールド樹脂２よシ外方に向けて突設したもの
である。
型の半導体装置４は、全長が同−幅長に形成されたリー
ド５を、モールド樹脂２よシ外方に向けて突設したもの
である。
次に、かかるＪ ＩＪ−ド型半導体装置の基板への実装
方法を述べる。
方法を述べる。
先ず、第４図（、）に示す如く、ガラスエポキシ等から
成る基板６上に、銅又は銅・半田ノクツド７を形成する
。
成る基板６上に、銅又は銅・半田ノクツド７を形成する
。
その後、第４図（ｂ）に示す如く、このパット７上面に
、半田ペースト８を印刷する。
、半田ペースト８を印刷する。
続いて、第４図（ｅ−１）、（ｅ−１）に示す如く、上
記半田ペースト８上に、半導体装置１を押圧し、リード
３を搭載する。
記半田ペースト８上に、半導体装置１を押圧し、リード
３を搭載する。
そして、第４図（ｄ）に示す如く、半田波−スト８を、
その融点以上、例えば２００℃の温度に、赤外線又は熱
風若しくは蒸気等の熱源を以て加熱溶融した後、これを
冷却する。斯くして、表面に半田ペースト８中のフラッ
クス９が付着した半田フィレット１０が形成される。
その融点以上、例えば２００℃の温度に、赤外線又は熱
風若しくは蒸気等の熱源を以て加熱溶融した後、これを
冷却する。斯くして、表面に半田ペースト８中のフラッ
クス９が付着した半田フィレット１０が形成される。
しかる後、第４図（ｅ）に示す如く、上記７ラノクス９
を、フレオン又はトリクロロエチレン等の溶剤で洗浄し
、半田付を完了していた。
を、フレオン又はトリクロロエチレン等の溶剤で洗浄し
、半田付を完了していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
然し乍ら、上述した従来装置においては、第５図に示す
如く、基板６上に搭載し、半田ペースト８を加熱溶融し
た際、加熱条件、リード３の表面及びパット７の半田濡
れ性等により溶融した半田ペースト８が、表面張力によ
シリード３を這い上がる現象、所謂ウィッキング現象が
発生し、リード３の付は根近傍、所謂導出部に半田ペー
スト８が分散し、リード付強度や電気的接続が低下する
と共に、隣接した半導体装置同士や他部品がウィッキン
グした半田に接触し、ショートするという問題点があっ
た。
如く、基板６上に搭載し、半田ペースト８を加熱溶融し
た際、加熱条件、リード３の表面及びパット７の半田濡
れ性等により溶融した半田ペースト８が、表面張力によ
シリード３を這い上がる現象、所謂ウィッキング現象が
発生し、リード３の付は根近傍、所謂導出部に半田ペー
スト８が分散し、リード付強度や電気的接続が低下する
と共に、隣接した半導体装置同士や他部品がウィッキン
グした半田に接触し、ショートするという問題点があっ
た。
本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、半田ペーストの
ウィッキング現象が防止できる半導体装置を提供するも
のである。
ウィッキング現象が防止できる半導体装置を提供するも
のである。
本発明は、上述した目的を達成するため、半導体素子を
封止し、且つ該半導体素子に接続したリードを突設し、
該リードを、半田波−ストにょシ基板上に実装する表面
実装型の半導体装置において、上記リードの上記基板と
の接合部近傍に凹部又は凸部を形成したものである。
封止し、且つ該半導体素子に接続したリードを突設し、
該リードを、半田波−ストにょシ基板上に実装する表面
実装型の半導体装置において、上記リードの上記基板と
の接合部近傍に凹部又は凸部を形成したものである。
本発明においては、リードに凹部又は凸部を形成したの
で、基板への実装時において、リードの凹部又は凸部が
堰となシ、リード上における半田ペーストの表面張力に
よる這い上がシが防止される。
で、基板への実装時において、リードの凹部又は凸部が
堰となシ、リード上における半田ペーストの表面張力に
よる這い上がシが防止される。
以下、本発明装置に係る一実施例を、第１図にＪ ＩＪ
−ド型の表面実装型半導体装置の要部正面図を示して従
来例と同一構成部分には同一符号を付して説明する。
−ド型の表面実装型半導体装置の要部正面図を示して従
来例と同一構成部分には同一符号を付して説明する。
即ち、この半導体装置１ノは、図示しない半導体素子を
封止したモールド樹脂２と、図示しない金属細線を以て
半導体素子に接続され、例えばニッケル・鉄合金（但し
ニッケル４２％）又は銅等の材料から成シ、上記モール
ド樹脂２より突出して、先端をモールド樹脂２の下面に
向けて屈曲した複数のり−ド１２とから構成されている
。
封止したモールド樹脂２と、図示しない金属細線を以て
半導体素子に接続され、例えばニッケル・鉄合金（但し
ニッケル４２％）又は銅等の材料から成シ、上記モール
ド樹脂２より突出して、先端をモールド樹脂２の下面に
向けて屈曲した複数のり−ド１２とから構成されている
。
このリード１２はモールド樹脂との接合面において例え
ば０．７〜０．８ｍの幅寸法を有し、基板との接合面で
は、０．４〜０．５ ｔｅａの幅寸法を有している。さ
らにこのリード１２は、基板との接合面から約１．０＋
ｏ＋上方に両側から長さ０．５ｍｍ幅０．２ ＋＋ａの
矩形形状からなる凹部１３が形成されている。この凹部
１３は、エツチング又は金型による打ち抜き或いはＶ溝
加工機等を以って形成されている。
ば０．７〜０．８ｍの幅寸法を有し、基板との接合面で
は、０．４〜０．５ ｔｅａの幅寸法を有している。さ
らにこのリード１２は、基板との接合面から約１．０＋
ｏ＋上方に両側から長さ０．５ｍｍ幅０．２ ＋＋ａの
矩形形状からなる凹部１３が形成されている。この凹部
１３は、エツチング又は金型による打ち抜き或いはＶ溝
加工機等を以って形成されている。
この様なリード１２を有する半導体装置１ノを基板へ実
装する場合、半田ペーストが表面張力により、リード１
２を這い上がってくるが、この這い上る部分に前述の凹
部１３を形成しているため、この凹部１３が堰となシ、
リード１２における半田ペーストのウィッキングが防止
される。
装する場合、半田ペーストが表面張力により、リード１
２を這い上がってくるが、この這い上る部分に前述の凹
部１３を形成しているため、この凹部１３が堰となシ、
リード１２における半田ペーストのウィッキングが防止
される。
尚、第２図は他実施例を示すもので、特に第２図（、）
乃至（ｄ）は、上記凹部１３の変形例を示す。
乃至（ｄ）は、上記凹部１３の変形例を示す。
即ち、第２図（ａ）は、７字形に括シ、第２図（ｂ）は
湾曲に括ったものであシ、第２図（ｅ） ＃ （ｄ）は
、凹部１３を段違いに形成したものである。
湾曲に括ったものであシ、第２図（ｅ） ＃ （ｄ）は
、凹部１３を段違いに形成したものである。
又、第２図（、）は、上記凹部１３に代えて、凸部１４
をハーフエツチング又はメツキ或いは他部材を固着して
形成したものである。
をハーフエツチング又はメツキ或いは他部材を固着して
形成したものである。
この他実施例においても凹部１３又は凸部１４の設ける
位置は、強制的に半田ペーストと接触させる位置ではな
く、半田ペーストが表面張力で這い上がる位置である。
位置は、強制的に半田ペーストと接触させる位置ではな
く、半田ペーストが表面張力で這い上がる位置である。
以上説明したように本発明によれば、リードの半田ペー
ストが表面張力によシ這い上がる部分（基板との接合部
近傍）に、凹部或いは凸部を形成したので、上記凹部又
は凸部が堰となり、基板実装時における半田ペーストの
ウィッキング現象が防止できる。よって、基板のバット
とリードとの接着不良や他部品とのショートが防止でき
る等の特有の効果により上述の課題を解決し得る。
ストが表面張力によシ這い上がる部分（基板との接合部
近傍）に、凹部或いは凸部を形成したので、上記凹部又
は凸部が堰となり、基板実装時における半田ペーストの
ウィッキング現象が防止できる。よって、基板のバット
とリードとの接着不良や他部品とのショートが防止でき
る等の特有の効果により上述の課題を解決し得る。
第１図及び第２図は本発明半導体装置に係る実施例を示
すもので、第１図は装置の要部正面図、第２図は他実施
例における装置の要部正面図、第３図乃至第５図は従来
例を示すもので、第３図は装置の部分正面図、第４図は
装置の基板実装工程図、第５図はウィッキング現象の説
明図である。 ２・・・モールド樹脂、１１・・・半導体装置、１２・
・・リード、１３・・・凹部、１４・・・凸部。 不発日月１ｅ’ＪＬ（４’＠！−音脣正ｉ図第１図 第２図
すもので、第１図は装置の要部正面図、第２図は他実施
例における装置の要部正面図、第３図乃至第５図は従来
例を示すもので、第３図は装置の部分正面図、第４図は
装置の基板実装工程図、第５図はウィッキング現象の説
明図である。 ２・・・モールド樹脂、１１・・・半導体装置、１２・
・・リード、１３・・・凹部、１４・・・凸部。 不発日月１ｅ’ＪＬ（４’＠！−音脣正ｉ図第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体素子を封止し、且つ該半導体素子に接続したリ
ードを突設し、該リードを、半田ペーストにより基板上
に実装する表面実装型の半導体装置において、 上記リードの上記基板との接合部近傍に凹部又は凸部を
形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26722888A JPH01315167A (ja) | 1988-03-01 | 1988-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-45841 | 1988-03-01 | ||
| JP4584188 | 1988-03-01 | ||
| JP26722888A JPH01315167A (ja) | 1988-03-01 | 1988-10-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01315167A true JPH01315167A (ja) | 1989-12-20 |
Family
ID=26385927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26722888A Pending JPH01315167A (ja) | 1988-03-01 | 1988-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01315167A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207064A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置用パッケージ |
| US5736784A (en) * | 1996-10-31 | 1998-04-07 | Hewlett-Packard Co. | Variable-width lead interconnection structure and method |
| US5936492A (en) * | 1996-04-24 | 1999-08-10 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Ribbon, bonding wire and microwave circuit package |
| EP1121006A3 (en) * | 2000-01-24 | 2003-05-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Transmitter-receiver unit that ensures mounting of cover |
| WO2010042119A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having grooved leads to confine solder wicking |
| US7821111B2 (en) | 2007-10-05 | 2010-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having grooved leads to confine solder wicking |
| US9406633B2 (en) | 2013-03-21 | 2016-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Contact component and semiconductor module |
| JP2018157023A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26722888A patent/JPH01315167A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207064A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置用パッケージ |
| US5936492A (en) * | 1996-04-24 | 1999-08-10 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Ribbon, bonding wire and microwave circuit package |
| US5736784A (en) * | 1996-10-31 | 1998-04-07 | Hewlett-Packard Co. | Variable-width lead interconnection structure and method |
| EP1121006A3 (en) * | 2000-01-24 | 2003-05-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Transmitter-receiver unit that ensures mounting of cover |
| US7821111B2 (en) | 2007-10-05 | 2010-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having grooved leads to confine solder wicking |
| WO2010042119A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having grooved leads to confine solder wicking |
| US9406633B2 (en) | 2013-03-21 | 2016-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Contact component and semiconductor module |
| DE112014001516B4 (de) | 2013-03-21 | 2023-07-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Kontaktbauteil und Halbleitermodul |
| JP2018157023A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
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