DE60121861T2 - Oberflächenmontierbare elektronische Schaltung geeignet für Verkleinerung - Google Patents

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ.
  • BESCHREIBUNG DER IN VERBINDUNG STEHENDEN TECHNIK
  • Allgemein ist eine solche elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ im Wesentlichen so gebildet, dass verschiedene Schaltungskomponenten auf jede Lötfläche eines auf einer Leiterplatte vorgesehenen Leitermusters gelötet sind und mit einer Abschirmung abgedeckt sind. Eine Endflächenelektrode ist an der Seite der Leiterplatte vorgesehen und wenn die elektronische Schaltungseinheit auf die Oberfläche einer Hauptleiterplatte montiert wird, wird die Endflächenelektrode auf eine Lötfläche der Hauptleiterplatte gelötet. Es werden Schaltungskomponenten gemäß einer erforderlichen Schaltungskonfiguration verwendet, die eine Abstimmschaltung, eine Resonanzschaltung oder eine Verstärkerschaltung aufweist. Für Schaltungskomponenten für eine Resonanzschaltung werden zum Beispiel eine Diode, ein Chip-Kondensator und ein Induktor verwendet. Für Schaltungskomponenten für eine Verstärkerschaltung werden ein Transistor, ein Chip-Widerstand, ein Chip-Kondensator und ein Induktor verwendet. Diese Schaltungskomponenten sind mittels eines Leitermusters verbunden.
  • US-A-4 001 711 und US-A-5 561 592 offenbaren solche Schaltungseinheiten. Bisher ist eine im Wesentlichen wie oben beschriebene elektronische Schaltungseinheit bekannt, auf die ein Symmetrierconverter für das Umwandeln eines unsymmetrischen Signals in ein symmetrisches Signal und für dessen Ausgabe montiert ist. Normalerweise ist dieser Symmetrierconverter von einer oberflächenmontierten Komponente gebildet, die ein Paar Leiter auf einem flachen dielektrischen Substrat aufweist, und kann in dem Symmetrierconverter ein unsymmetrisches Signal in ein symmetrisches Signal durch das Löten einer auf dem dielektrischen Substrat vorgesehenen Elektrode auf ein Leitermuster auf einer mehrschichtigen Leiterplatte umgewandelt werden und kann ausgegeben werden.
  • In letzter Zeit ist die Technik für das Miniaturisieren einer Schaltungskomponente, wie z.B. einer Chipkomponente und einer Halbleiterkomponente, bemer kenswert vorangeschritten und wurden zum Beispiel auch ein Mikro-Chip-Widerstand und ein Micro-Chip-Kondensator realisiert, deren jeweilige äußeren Abmessungen etwa 0,6 × 0.3 mm betragen. Deshalb kann, wenn eine solche Mikroschaltungskomponente auch in der oben erwähnten elektronischen Schaltungseinheit vom herkömmlichen Typ verwendet wird und solche Schaltungskomponenten in einem Zustand auf eine Leiterplatte montiert werden, in dem der Abstand zwischen den Komponenten verschmälert ist, die elektronische Schaltungseinheit in einem gewissen Maß miniaturisiert werden. Die Miniaturisierung einer Schaltungskomponente, wie z.B. einer Chipkomponente und einer Halbleiterkomponente, ist jedoch begrenzt und außerdem ist, da ein Teil, an den jede Schaltungskomponente gelötet ist, vor einem Kurzschluss geschützt werden muss, wenn mehrere Schaltungskomponenten auf eine Leiterplatte montiert sind, die Reduzierung des Abstands zwischen den Komponenten auch begrenzt, wodurch die weitere Miniaturisierung einer elektronischen Schaltungseinheit stark behindert wurde. Ferner wird, da ein Symmetrierconverter von einer oberflächenmontierten Komponente gebildet wird und die oberflächenmontierte Komponente relativ groß ist, da ein Paar Leiter nebeneinander angeordnet sind, die länger sind als die vorherbestimmte Länge, um einen erwünschten Grad an Kopplung sicherzustellen, ein begrenzter Montageplatz auf einer Leiterplatte durch die oberflächenmontierte Komponente für den Symmetrierconverter verschmälert und wird die Miniaturisierung einer elektronischen Schaltungseinheit auch unter diesem Gesichtspunkt verhindert.
  • Da ein verteilter Induktor für Resonanz von einer Mikrostreifenleitung gebildet wird, die auf einer mehrschichtigen Leiterplatte in der oben erwähnten elektronischen Schaltungseinheit vom herkömmlichen Typ vorgesehen ist, wird die für das Erreichen des erwünschten Q erforderliche Mikrostreifenleitung vergrößert und wird die Miniaturisierung der elektronischen Schaltungseinheit auch unter diesem Gesichtspunkt verhindert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung wird in Anbetracht der Situation einer solchen Technik vom herkömmlichen Typ gemacht und die Aufgabe besteht darin, eine elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ vorzusehen, die für Miniaturisierung geeignet und auch ausgezeichnet geeignet ist, um statischer Elektrizität entgegenzuwirken.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit vorgesehen, das aufweist: das Bilden von Schaltungselementen, die einen Kondensator, einen Widerstand, ein Induktivitätselement und ein Leitermuster, das mit den jeweiligen Schaltungselementen verbunden ist, aufweisen, als eine Dünnschicht auf einem Aluminiumoxidsubstrat; und das Verdrahten eines auf dem Aluminiumoxidsubstrat angeordneten unverhüllten Halbleiterchips mittels Drahtbondung auf der Dünnschicht, wobei: das Induktivitätselement wenigstens ein Induktivitätselement für die Einstellung einer Resonanzfrequenz aufweist, das Induktivitätselement für die Einstellung einer Resonanzfrequenz als eine Dünnschicht in einer Spiralform gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Leitermuster für eine Regulierung als eine Dünnschicht von dem Leitermuster, das mit dem Induktivitätselement für die Einstellung einer Resonanzfrequenz verbunden ist, auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet wird und die Resonanzfrequenz durch eine kontinuierliche Erhöhung der Anzahl von Windungen des Induktivitätselements für die Einstellung der Resonanzfrequenz reguliert wird, indem ein Teil des Leitermusters für die Regulierung getrimmt wird.
  • Gemäß einer solchen Konfiguration sind, da die Schaltungselemente, die den Kondensator und den Widerstand aufweisen, mittels dünnschichtbildender Technik präzise gebildet werden und außerdem ein unverhüllter Chip für eine Halbleitervorrichtung mittels Draht gebondet ist, die auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderlichen Schaltungskomponenten dicht montiert und kann die elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ realisiert werden, die für Miniaturisierung geeignet ist. Ferner wird, da das aus einem Paar Leiter gebildete Induktivitätselement auf dem Aluminiumoxidsubstrat dünn gebildet wird und der Symmetrierconverter von einem Paar Leiter des Induktivitätselements gebildet wird, ein Spalt zwischen den beiden Leitern reduziert, kann ein erwünschtes Maß an Kopplung gewährleistet werden und hat die elektronische Schaltungseinheit auch unter diesem Gesichtspunkt einen Vorteil hinsichtlich der Miniaturisierung.
  • In der oben erwähnten Konfiguration wird, wenn ein Paar den Symmetrierconverter bildende Leiter auf der gleichen Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats gebildet sind, ein Spalt zwischen den beiden Leitern reduziert und der Kopplungsgrad kann verbessert werden. Wenn ein Paar Leiter mittels des Isolators auf dem Aluminiumoxidsubstrat laminiert ist, kann außerdem der von beiden Leitern auf dem Aluminiumoxidsubstrat eingenommene Platz weiter reduziert werden. Ferner ist es wünschenswert, dass ein Paar Leiter in einer Spiral- oder Zickzack-Form gebildet sind.
  • In der elektronischen Schaltungseinheit gemäß der Erfindung sind auch Schaltungselemente, die einen Kondensator, einen Widerstand und ein Induktivitätselement und ein Leitermuster, das mit diesen Schaltungselementen verbunden ist, aufweisen, dünn auf einem viereckigen flachen Aluminiumoxidsubstrat gebildet, ist ein an das Leitermuster mittels Draht gebondeter unverhüllter Halbleiterchip montiert, sind eine Zuführelektrode bzw. eine Ausgabeelektrode, die mit dem Leitermuster verbunden sind, an der Seite des Aluminiumoxidsubstrats vorgesehen und ist ein Engstellenteil für das Entladen auf dem Leitermuster vorgesehen, das von der Zuführelektrode und der Ausgabeelektrode mindestens eine und den Kondensator verbindet.
  • Gemäß einer solchen Konfiguration sind, da die Schaltungselemente, die den Kondensator, den Widerstand und das Induktivitätselement aufweisen, mittels dünnschichtbildender Technik präzise gebildet werden und außerdem der unverhüllte Chip für die Halbleitervorrichtung mittels Draht gebondet ist, die auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderlichen Schaltungskomponenten dicht montiert und kann die elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ realisiert werden, die für Miniaturisierung geeignet ist. Da der enge Teil für das Entladen auf dem Leitermuster vorgesehen ist, das von der Zuführelektrode und der Ausgabeelektrode mindestens eine und den Kondensator verbindet, obwohl von den dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildeten Schaltungselementen speziell der Widerstand gegenüber der Spannung des Kondensators reduziert wird, kann der Ausfall des Kondensators durch statische Elektrizität sicher verhindert werden und wird, da der Engstellenteil mit hoher Abmessungsgenauigkeit durch dünnschichtbildende Technik gebildet werden kann, zusätzlich der Spalt für das Entladen in dem Engstellenteil reduziert und wird eine Entladung bei einer niedrigen Spannung ermöglicht.
  • In der oben beschriebenen Konfiguration sind die Leitermuster gegenüber liegend auf dem Aluminiumoxidsubstrat angeordnet und es ist wünschenswert, dass der Vorsprung auf diesen Leitermustern jeweils gegenüber liegend vorgesehen ist, um den Engstellenteil zu bilden, wodurch der Ausfall des Kondensators durch statische Elektrizität sicher verhindert werden kann.
  • In der elektronischen Schaltungseinheit gemäß der Erfindung sind auch Schaltungselemente, die einen Kondensator, einen Widerstand und ein Induktivitätselement, die jeweils dünn gebildet sind, und einen auf einem Aluminiumoxidsubstrat mittels Draht gebondeten unverhüllten Halbleiterchip aufweisen, auf dem Aluminiumoxidsubstrat vorgesehen, weist das Induktivitätselement mindestens ein Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz auf und ist das Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz dünn in einer Spiralform gebildet.
  • Gemäß einer solchen Konfiguration sind, da die Schaltungselemente, die den Kondensator, den Widerstand und das Induktivitätselement aufweisen, mittels dünnschichtbildender Technik präzise gebildet werden und außerdem ein unverhüllter Chip für eine Halbleitervorrichtung mittels Draht gebondet ist, die auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderlichen Schaltungskomponenten dicht montiert und kann die elektronische Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ realisiert werden, die für Miniaturisierung geeignet ist. Da ein Induktor vom konzentrierten konstanten Typ von dem Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz in einer Spiralform dünn gebildet ist, wird außerdem der Abstand zwischen den Leitern reduziert, kann das Induktivitätselement miniaturisiert werden und kann auch unter diesem Gesichtspunkt die Miniaturisierung der elektronischen Schaltungseinheit realisiert werden.
  • In der oben erwähnten Konfiguration ist es wünschenswert, dass eine Cu-Plattierung auf der Oberfläche des Induktivitätselements in einer Spiralform vorgesehen ist, die das Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz bildet und dadurch das Q einer Resonanzschaltung verbessert werden kann.
  • In der oben erwähnten Konfiguration ist es außerdem wünschenswert, dass ein Leitermuster für die Regulierung, das mit dem Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz verbunden ist, dünn gebildet ist und die Anzahl von Windungen des Induktivitätselements für das Einstellen einer Resonanzfrequenz durch das Trimmen des Leitermusters für die Regulierung erhöht wird, um eine Resonanzfrequenz zu regulieren, und dadurch kann eine Resonanzfrequenz einfach reguliert werden. In diesem Fall ist es wünschenswert, dass die Leiterbreite des getrimmten Leitermusters für die Regulierung und die Leiterbreite des Induktivitätselements für das Einstellen einer Resonanzfrequenz im We sentlichen angeglichen werden und der Wellenwiderstand von beiden dadurch gleich ist.
  • Eine Ausführungsform der Erfindung wird jetzt beispielhaft mit Bezug auf die begleitenden schematischen Zeichnungen beschrieben. In denen ist:
  • 1 eine Perspektivenansicht, die eine elektronische Schaltungseinheit zeigt, die einer Ausführungsform der Erfindung entspricht;
  • 2 ein Plan, der den Schaltungskonfigurationsaufbau eines Aluminiumoxidsubstrats zeigt;
  • 3 eine Ansicht der Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats;
  • 4 eine erläuternde Zeichnung, die die Schaltungskonfiguration zeigt;
  • 5 eine Perspektivenansicht, die eine Endflächen-Elektrode zeigt;
  • 6 eine Schnittansicht, die die Endflächen-Elektrode zeigt;
  • 7A und 7B erläuternde Zeichnungen, die die Beziehung zwischen einem unverhüllten Halbleiterchip und einer Anschlussfläche zeigen;
  • 8A bis 8J erläuternde Zeichnungen, die einen Herstellungsprozess der elektronischen Schaltungseinheit zeigen;
  • 9 eine erläuternde Zeichnung, die eine weitere Schaltungskonfiguration zeigt; und
  • 10 ein Plan, der einen weiteren Schaltungskonfigurationsaufbau eines Aluminiumoxidsubstrats zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Eine Ausführungsform der Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen erklärt. 1 ist eine Perspektivenansicht, die eine elektronische Schaltungseinheit zeigt; 2 ist ein Plan, der den Schaltungskonfigurationsaufbau eines Aluminiumoxidsubstrats zeigt; 3 zeigt die Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats; 4 ist eine erläuternde Zeichnung, die die Schaltungskonfiguration zeigt; 5 ist eine Perspektivenansicht, die eine Endflächen-Elektrode zeigt; 6 ist eine Schnittansicht, die die Endflächen-Elektrode zeigt; 7A und 7B sind erläuternde Zeichnungen, die die Beziehung zwischen einem unverhüllten Halbleiterchip und einer Anschlussfläche zeigen; 8A bis 8J sind erläuternde Zeichnungen, die einen Herstellungsprozess der elektronischen Schaltungseinheit zeigen.
  • Diese Ausführungsform ist ein Beispiel, in dem die elektronische Schaltungseinheit auf einen Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp angewendet wird und der Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp kombiniert mit einem (nicht gezeigten) UHF-Tuner verwendet wird, um die Empfangsleistungsfähigkeit (insbesondere die Empfangsempfindlichkeit und die Antistör-Eigenschaft) eines tragbaren Fernsehapparats zu verbessern, und eine Funktion hat, ein Fernsehsignal mit einer erwünschten Frequenz auszuwählen, das ausgewählte Fernsehsignal zu verstärken und es dem UHF-Tuner zuzuführen.
  • 1 zeigt die Erscheinung des Boosterverstärkers vom Frequenzabstimmtyp (der elektrischen Schaltungseinheit), wie in 1 gezeigt. Der Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp ist gebildet aus einem Aluminiumoxidsubstrat 1, auf das die später beschriebenen Schaltungskomponenten montiert sind, und einer an dem Aluminiumoxidsubstrat 1 befestigten Abschirmung 2 und ist eine oberflächenmontierte Komponente, die auf eine nicht gezeigte Hauptleiterplatte gelötet ist. Das Aluminiumoxidsubstrat 1 ist so gebildet, dass es viereckig und flach ist, und wird durch das Unterteilen des folgenden geteilten Streifens erhalten, nachdem eine große Leiterplatte in unterteilte Streifen geschnitten wird. Die Abschirmung 2 wird durch das Falten einer Metallleiterplatte in der Form eines Kastens erhalten und die Schaltungskomponenten auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 werden mit der Abschirmung 2 abgedeckt.
  • Wie in 2 gezeigt, sind Schaltungskomponenten und ein sie verbindendes Leitermuster auf der Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen und ist, wie in 3 gezeigt, ein Leitermuster als eine Rückplatte auf der Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen. Der dieser Ausführungsform entsprechende Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp ist mit einer Abstimmschaltung und einer Verstärkerschaltung vorgesehen, um ein Fernsehsignal auszuwählen und zu verstärken, und hat eine in 4 gezeigte Schaltungskonfiguration und ein Symbol, das dem in einem in 4 gezeigten Schaltungsdiagramm entspricht, ist jeder in 2 gezeigten Schaltungskomponente zugeordnet. 4 zeigt jedoch ein Beispiel einer Schaltungskonfiguration und die Erfindung kann auch auf eine elektrische Schaltungseinheit mit einer anderen Schaltungskonfiguration angewendet werden.
  • Wie in 4 gezeigt, ist der Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp mit Kondensatoren C1 bis C7, Widerständen R1 bis R3, Induktivitätselementen L1 bis L3, einer Diode D1, einem Transistor Tr1 und Leitern S1 und S2 vorgesehen, die jeweils eine Schaltungskomponente der Abstimmschaltung oder der Verstärkerschaltung sind, und sind diese Schaltungskomponenten und das sie verbindende Leitermuster auf der Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen. Das Leitermuster wird zum Beispiel von Cr und Cu mittels dünnschichtbildender Technik, wie z.B. Aufstäuben gebildet, ein Symbol P ist dem Leitermuster in 2 zugeordnet und ist durch Schraffierung ausgedrückt.
  • Nachstehend wird die Schaltungskonfiguration des Boosterverstärkers vom Frequenzabstimmtyp kurz erklärt. Der Boosterverstärker vom Frequenzabstimmtyp weist die Abstimmschaltung, die aus den Induktivitätselementen L2 und L3, den Kondensatoren C3 und C4 und der Diode D1 gebildet ist, und die Verstärkerschaltung, die aus dem Transistor Tr1, den peripheren Schaltungselementen (den Widerständen R1 bis R3 und dem Kondensator C6) und einem Symmetrierkonversionselement T gebildet ist, auf, um ein Fernsehsignal mit einer erwünschten Frequenz auszuwählen und zu verstärken. Fernsehsignale mit mehreren Frequenzen werden der Abstimmschaltung über den Kondensator C1 zugeführt. Da die Abstimmfrequenz (die Resonanzfrequenz) der Abstimmschaltung durch die Steuerung der an die Kathode der Diode D1 angelegten Spannung (VctI) variiert, wird nur ein erwünschtes Fernsehsignal durch das Abstimmen der Frequenz des erwünschten Fernsehsignals ausgewählt und der Basis des Transistors Tr1 der Verstärkerschaltung über den Kondensator C5 zugeführt. Eine Vorspannspannung wird über Spannungsteiler für Basisvorspannung R1 und R2 an die Basis des Transistors Tr1 angelegt und der Kollektorstrom (≒ der Emitterstrom) des Transistors Tr1 wird entsprechend dem Widerstandswert des Emitterwiderstands R3 eingestellt. Ein von dem Transistor Tr1 verstärktes Fernsehsignal wird von dem Kollektor ausgegeben und das Symmetrierkonversionselement T ist an dem Kollektor vorgesehen. Das Symmetrierkonversionselement T wird von einem aus einem Paar von gegenseitig gekoppelten Leitern S1 uns S2 gebildeten Induktivitätselement gebildet, ein symmetrisches Fernsehsignal wird von beiden Enden des Leiters S2 ausgegeben und dem oben erwähnten UHF-Tuner zugeführt.
  • Wie in 2 gezeigt, sind eine Elektrode für Masseverbindung (GND), eine Zuführelektrode (Vcc, VctI, RFin) und eine Ausgabeelektrode (RFout) am Ende des Aluminiumoxidsubstrats 1 gebildet und sind von einem Teil des Leitermusters P gebildet. Die Elektrode für Masseverbindung, die Zuführelektrode und die Ausgabeelektrode sind nur an zwei gegenüberliegenden längeren Seiten des viereckigen Aluminiumoxidsubstrats 1 gebildet und sind nicht an den zwei gegenüberliegenden kürzeren Seiten gebildet. Das heißt, die GND-Elektrode ist an beiden Ecken einer längeren Seite des Aluminiumoxidsubstrats 1 gebildet und die Vcc-Elektrode, die RFin-Elektrode und die VctI-Elektrode sind zwischen diesen GND-Elektroden gebildet. Die GND-Elektrode ist insgesamt an drei Positionen einschließlich beider Ecken der anderen längeren Seite des Aluminiumoxidsubstrats 1 und der Nachbarschaft gebildet und die zwei RFout-Elektroden sind zwischen diesen GND-Elektroden gebildet. Wie später beschrieben, entsprechen die zwei längeren Seiten des Aluminiumoxidsubstrats 1 einer Trennlinie, wenn eine große Leiterplatte in geteilte Streifen geschnitten wird, und die zwei kürzeren Seiten des Aluminiumoxidsubstrats 1 entsprechen einer Trennlinie, wenn der geteilte Streifen weiter unterteilt wird.
  • Währenddessen liegt, wie in 3 gezeigt, das Leitermuster P1 (die Rückplatte), das auf der Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen ist, den Elektroden für Masseverbindung (GND), den Zuführelektroden (Vcc, VctI, RFin) und den Ausgabeelektroden (RFout) gegenüber und sind, wie in 5 und 6 gezeigt, beide so gemacht, dass sie über eine Endflächen-Elektrode 3 leiten. Die Endflächen-Elektrode 3 wird erlangt, indem eine Ni-Unterplattierungslage und eine Au-Plattierungslage nacheinander auf eine Au-Dickschichtlage laminiert werden, und die Au-Dickschichtlage, die die unterste Lage ist, ist aus einem Material gemacht, das durch Erhitzen der folgenden Ag-Paste bei einer niedrigen Temperatur von etwa 200°C erhalten wird, nachdem die Ag-Paste, die keine Glaskomponente enthält, dick gebildet wird. Die mittlere Ni-Unterplattierungslage ist vorgesehen, um die Haftung der Au-Plattierungslage zu erleichtern, und die oberste Au-Plattierungslage ist vorgesehen, um das Niederschlagen von Ag in der untersten Lage auf Lötzinn zu verhindern, wenn die Endflächen-Elektrode 3 auf eine Lötfläche einer nicht gezeigten Hauptleiterplatte gelötet wird. In einem Endprodukt der elektronischen Schaltungseinheit, in der der Abschirmung 2 an dem Aluminiumoxidsubstrat 1 befestigt ist, ist ein an der Seite die Abschirmung 2 gefaltetes Bein 2a an die Endflächen-Elektrode 3 gelötet, die zu der Elektrode für Masseverbindung (GND) leitet, und die Abschirmung 2 ist an den vier Ecken des Aluminiumoxidsubstrats 1 masseverbunden.
  • Die Kondensatoren C1 bis C7 der oben erwähnten Schaltungskomponenten werden durch Laminieren einer oberen Elektrode auf eine unteren Elektrode mittels einer dielektrischen Schicht, wie z.B. SiO2 erhalten und werden durch Aufstäuben dünn gebildet. Eine Cu-Lage ist auf der Oberfläche der oberen Elektrode vorgesehen und das Q einer Resonanzschaltung wird durch die Cu-Lage verbessert. Die untere Elektrode und die obere Elektrode jedes Kondensators C1 bis C7 sind mit dem Leitermuster P verbunden und, wie in 2 gezeigt, ist ein Engstellenteil (ein Luftspalt) für die Entladung G an dem Leitermuster P zwischen dem Kondensator C7 und der Vcc-Elektrode, an dem Leitermuster P zwischen dem Kondensator C7 und der RFout-Elektrode und an dem Leitermuster P zwischen dem Kondensator C2 und der VctI-Elektrode vorgesehen. Der Engstellenteil G wird von einem Paar Vorsprüngen gebildet, die jeweils an den gegenüberliegenden Leitermustern P vorgesehen sind und die Enden beider Vorsprünge liegen sich über einen vorherbestimmten Spalt gegenüber. In diesem Fall kann, da die Abmessungsgenauigkeit des Leitermusters P und der GND-Elektrode dank der dünnschichtbildenden Technik hoch ist, der Spalt in dem Engstellenteil G verschmälert werden und wird eine Entladung bei einer niedrigen Spannung ermöglicht. Die Kondensatoren C1 und C3 bis C5 von den Kondensatoren C1 bis C7 sind in der Form eines einfachen Rechtecks gebildet, die Kondensatoren C2 und C7 sind jedoch in einer anderen Form gebildet, in der zwei oder mehrere kombiniert sind. Das heißt, der Kondensator C2 hat eine konkave Form, in der zwei Rechtecke von einer Seite des einen Rechtecks hervorragen, und der Kondensator C7 hat eine kontinuierliche Form, in der drei Rechtecke jeweils in eine Richtung der längeren Seite versetzt sind. Die Kondensatoren C2 und C7 sind ein Kondensator für die Masseverbindung, der eine relativ große Kapazität erfordert, wenn die Kondensatoren C2 und C7 für die Masseverbindung solche verschiedene Formen haben, kann der begrenzte Platz auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 wirksam genutzt werden und die Kondensatoren mit der erwünschten Kapazität können dicht montiert werden.
  • Ferner ist der Kondensator C6 von den Kondensatoren C1 bis C7 aus zwei Kondensatoren für die Masseverbindung gebildet, die sich in der Größe unterscheiden und beide mittels eines Paars voneinander getrennter Leitermuster P parallel geschaltet sind. Das heißt, dass, wie in 2 gezeigt, jede eine Elektrode der beiden Kondensatoren für die Masseverbindung C6 mit dem Leitermuster P für die Masseverbindung verbunden ist, das mit der GND-Elektrode verbunden ist, jede andere Elektrode der beiden Kondensatoren für die Masseverbindung C6 jedoch mit einer Anschlussfläche SL des Transistor Tr1 mittels der zwei voneinander getrennten Leitermuster P verbunden ist. Wie aus 4 ersichtlich wird, wird, da der Kondensator C6 zwischen dem Emitter des Transistors Tr1 und der Masse vorgesehen ist und die Anschlussfläche SL eine Position ist, an die die Emitterelektrode des Transistor Tr1 mittels Draht gebondet ist, die Kapazität des Kondensators C6 von den zwei Kondensatoren für die Masseverbindung eingestellt, die über die voneinander getrennten Leitermuster P parallel geschaltet sind. Deshalb kann, da die Induktivität des ganzen Leitermusters P von der Emitterelektrode des Transistors Tr1 zur Masse über den Kondensator C6 abnimmt, die Wirkung der Masseverbindung durch den Kondensator für die Masseverbindung C6 der Anschlussfläche SL verbessert wird und eine parasitäre Schwingungsfrequenz durch jeden Kondensator für die Masseverbindung C6 und jedes Leitermuster P erhöht wird, parasitäre Schwingung durch das Einstellen der Frequenz auf eine solche Weise behoben werden, dass sie höher ist als die Betriebspunktfrequenz des Transistors Tr1.
  • Die Widerstände R1 bis R3 werden von einer widerstandsfähigen Schicht, wie z.B. TaSiO2 mittels dünnschichtbildender Technik, wie z.B. Aufstäuben, gebildet und eine dielektrische Schicht, wie z.B. SiO2, wird bei Bedarf auf der Oberfläche vorgesehen. Wie in 2 gezeigt, sind die Widerstände R1 und R2 von den drei Widerständen R1 bis R3 dünn in eng benachbarten Positionen parallel auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet und der übrige Widerstand R3 ist dünn in einer Position entfernt von den Widerständen R1 und R2 gebildet. Da die Widerstände R1 und R2 wie oben beschrieben dünn in eng benachbarten Positionen gebildet sind, kann das Verhältnis der Streuung der jeweiligen Widerstandswerte zwischen dem ganzen Widerstand R1 und dem ganzen Widerstand R2 auch dann angeglichen werden, wenn der Widerstandswert jedes Widerstands R1, R2 für einen erwünschten Wert streut. Wie aus 4 ersichtlich ist, dienen die Widerstände R1 und R2 als ein Spannungsteiler für Basisvorspannung des Transistors Tr1 und die Spannung von R1/(R1 + R2) × Vcc wird an die Basis des Transistors Tr1 angelegt. Da das Verhältnis der Streuung der jeweiligen Widerstandswerte zwischen dem ganzen Widerstand R1 und dem ganzen Widerstand R2, die Spannungsteiler für Basisvorspannung sind, immer gleich wie oben beschrieben ist, ist das Trimmen des Widerstandswertes der Widerstände R1 und R2 nicht erforderlich. Währenddessen dient der Widerstand R3 als ein Widerstand für den Emitter des Transistors Tr1, fließt Strom von der Vcc-Elektrode zu dem Kollektor und dem Emitter des Transistors Tr1 und ist ferner über den Widerstand R3 masseverbunden. Als ein Beitrag zum Verstärkungsgrad des Transistors Tr1 durch den Widerstand R3, der der Widerstand für den Emitter und von den Widerständen R1 bis R3 der größte ist, wird nur der Widerstand R3 derart getrimmt, dass der Stromwert fixiert und die Ausgabe angepasst wird.
  • Wenn ein weiterer Transistor Tr2 mit einem Transistor Tr1 in Reihe geschaltet ist, wie in 9 gezeigt, ist das Trimmen der jeweiligen Widerstandswerte der Widerstände R1, R2 und R4 nicht erforderlich, solange diese Widerstände R1, R2 und R4, die Spannungsteiler für die Basisvorspannung der beiden Transistoren Tr1 und Tr2 sind, dünn in sich eng benachbarten Positionen auf einem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet sind. Deshalb können in diesem Fall die Stromwerte beider Transistoren Tr1 und Tr2 auch durch das Trimmen nur eines Widerstands R3 eingestellt werden, der ein Widerstand für den Emitter ist.
  • Die Induktivitätselemente L1 bis L3 und die Leiter S1 und S2 werden von Cr und Cu mittels dünnschichtbildender Technik, wie z.B. Aufstäuben, gebildet und mit einem Leitermuster P verbunden. Eine Cu-Lage ist auf der Oberfläche jedes Induktivitätselements L1 bis L3 vorgesehen und das Q einer Resonanzschaltung wird durch die Cu-Lage verbessert. Die Induktivitätselemente L1 und L2 sind in einer viereckigen spiralförmigen Form gebildet und jedes eine Ende ist mittels Draht an eine VctI-Elektrode bzw. ein Leitermuster P für die Masseverbindung gebondet. Das Induktivitätselement L2 ist für das Einstellen einer substantiellen Resonanzfrequenz vorgesehen und das Induktivitätselement L3 geht weiter zu dem anderen Ende des Induktivitätselements L2. Das Induktivitätselement L3 ist ein Leitermuster für Regulierung für das Regulieren einer Resonanzfrequenz und wie durch eine gestrichelte Linie in 2 gezeigt, erhöht sich die Anzahl der Windungen des Induktivitätselements L2 und eine Resonanzfrequenz wird durch das Trimmen des Induktivitätselements L3 reguliert. In diesem Fall ist, wenn die Leiterbreite des getrimmten Induktivitätselements L3 der des Induktivitätselements L2 für das Einstellen einer Resonanzfrequenz gleicht, der Wellenwiderstand des Induktivitätselements L2 und des Induktivitätselements L3 gleich.
  • Wie oben beschrieben, ist ein Symmetrierkonversionselement T von einem aus einem Paar miteinander gekoppelter Leiter S1 und S2 gebildeten Induktivitätselement gebildet und sind die Leiter S1 und S2 dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet. Diese Leiter S1 und S2 sind in einer Spiralform gebildet, so dass sie sich über einen vorherbestimmten Spalt auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gegenüberliegen, beide Enden des einen Leiters S1 sind mit der Kollektorelektrode des Transistors Tr1 und dem Leitermuster P, das mit einem Kondensator C7 verbunden ist, verbunden und beide Enden des anderen Leiters S2 sind mit einem Paar RFout-Elektroden verbunden. In diesem Fall wird, da die dimensionale Genauigkeit der dünn gebildeten Leiter S1 und S2 hoch ist, ein Spalt zwischen den beiden Leitern S1 und S2 verschmälert, kann ein erwünschter Kopplungsgrad gewährleistet werden und kann das kleine Symmetrierkonversionselement T auf dem begrenzten Platz auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 vorgesehen sein. Wie in 10 gezeigt, kann ein Paar Leiter S1 und S2, die sich über einen vorherbestimmten Spalt gegenüberliegen, auch zickzackförmig auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet werden.
  • Eine Diode D1 und der Transistor Tr1 sind durch die Montage von jedem unverhüllten Halbleiterchip auf einer Anschlussfläche des Leitermusters P, das dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet ist, und durch das jeweilige Bonden des unverhüllten Halbleiterchips an das Leitermuster P mittels Draht realisiert. Das heißt, wie in 2 gezeigt, ist der unverhüllte Halbleiterchip für die Diode D1 viereckig, ist eine auf der unteren Oberfläche vorgesehene Elektrode unter Verwendung eines leitenden Haftmittels, wie z.B. Lötpaste und leitender Paste, an der Anschlussfläche befestigt und ist die andere Elektrode, die auf der oberen Oberfläche des unverhüllten Halbleiterchips vorgesehen ist, mittels Draht an einen vorherbestimmten Teil des Leitermusters P gebondet. Der unverhüllte Halbleiterchip für den Transistor Tr1 ist auch viereckig, die auf der unteren Oberfläche vorgesehene Kollektorelektrode ist unter Verwendung eines leitenden Haftmittels an der Anschlussfläche befestigt und die Basiselektrode und die Emitterelektrode sind mittels Draht an einen vorherbestimmten Teil des Leitermusters P gebondet. Als die oben erwähnte Endflächen-Elektrode 3 werden eine Ni-Unterplattierungslage und eine Au-Plattierungslage auch nacheinander auf die Anschlussfläche laminiert. Wie in 7A und 7B gezeigt, ist eine Anschlussfläche 5 derart gebildet, dass der Bereich kleiner ist als der Bereich der unteren Oberfläche des unverhüllten Halbleiterchips 4 und da ein Teil, in dem sich ein leitendes Haftmittel ansammelt, durch das Übernehmen einer solchen Konfiguration unter dem unverhüllten Halbleiterchip 4 befestigt ist, kann ein Unfall, dass das leitende Haftmittel aus dem Umfang des unverhüllten Halbleiterchips 4 herausgedrückt wird und mit dem umliegenden Leitermuster P kurzgeschlossen wird, im Vorhinein verhindert werden. Da eine Öffnung 5a in der Anschlussfläche 5 vorgesehen ist und sich dadurch zusätzliches leitendes Haftmittel in der Öffnung 5a ansammelt, kann das Herausquellen des leitenden Haftmittels sicher verhindert werden.
  • Als nächstes ist ein Prozess für die Herstellung der wie oben beschrieben konfigurierten elektronischen Schaltungseinheit hauptsächlich anhand von 8 beschrieben.
  • Zuerst wird, wie in 8A gezeigt, nachdem TaSiO2 auf die ganze Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats 1 aufgestäubt wurde, ein den Widerständen R1 bis R3 entsprechender Teil gebildet, indem er in eine erwünschte Form geätzt wird und eine widerstandsfähige Schicht gebildet wird. Als nächstes wird, nachdem Cr oder Cu auf die widerstandsfähige Schicht 6 aufgestäubt wurde, in eine erwünschte Form geätzt wurde und eine untere Elektrode 7, wie in 8B gezeigt, gebildet wurde, SiO2 auf die unteren Elektrode 7 aufgestäubt, in eine erwünschte Form geätzt und eine dielektrische Schicht 8 gebildet, wie in 8C gezeigt. Als nächstes wird, wie in 8D gezeigt, nachdem Cr oder Cu auf die dielektrische Schicht 8 aufgestäubt wurde, selbiges in eine erwünschte Form geätzt und eine obere Elektrode 9 gebildet. Auf diese Weise wird ein Teil, der einem Leitermuster P, Induktivitätselementen L1 bis L3 und Leitern S1 und S2 entspricht, durch die untere Elektrode 7 oder die obere Elektrode 9 gebildet und wird ein Teil, der den Kondensatoren C1 bis C7 entspricht, durch die Laminierung der unteren Elektrode 8, der dielektrischen Schicht 8 und der oberen Elektrode 9 gebildet. Als nächstes wird, nachdem eine Cu-Lage durch Plattierung oder dünnschichtbildende Technik auf der Oberfläche des Teils, der den Induktivitätselementen L1 bis L3, den Leitern S1 und S2 und den Kondensatoren C1 bis C7 entspricht, gebildet wird, eine Passivierungsschicht 10 in dem Teil außerhalb des Leitermusters P gebildet, wie in 8E gezeigt. Als nächstes wird, wie in 8F gezeigt, nachdem Cr oder Cu auf der ganzen Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats 1 aufgestäubt wurde, ein Teil, der einem Leitermuster P1 auf der Rückseite entspricht, durch das Ätzen von Cr oder Cu in eine erwünschte Form und das Bilden einer Rückplatte 11 gebildet.
  • In den in 8A bis 8F gezeigten oben beschriebenen Prozessen wird eine große aus Aluminiumoxid gemachte Leiterplatte gehandhabt, auf der sich eine Teilungskerbe längs und quer erstreckt, und in den in 8G bis 8J gezeigten folgenden Prozessen wird ein geteilter Streifen, der durch das Schneiden der großen Leiterplatte entlang der Teilungskerbe in eine Richtung erlangt wird, gehandhabt.
  • Das heißt, nachdem die große Leiterplatte in geteilte Streifen geschnitten wurde, wird eine Ag-Lage 12 dick an beiden Endflächen des Aluminiumoxidsub strats 1 gebildet, die die Schnittoberfläche des geteilten Streifens sind, wie in 8G gezeigt, und Elektroden für Masseverbindung (GND), Zuführelektroden (Vcc, VctI, RFin) und Ausgabeelektroden (RFout) der Leitermuster P und P1, die jeweils sowohl auf der Oberfläche als auch auf der Rückseite des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen sind, leiten über die Ag-Lage 12. Diese Ag-Lage 12 entspricht der oben beschriebenen Ag-Dick-Lage der Endflächen-Elektrode 3 und ist aus Ag-Paste gemacht, die keine Glaskomponente hat und bei einer niedrigen Temperatur erhitzt wird. Ein solcher Prozess für das Bilden der Dick-Ag-Lage 12 kann jedoch auch für einen geteilten Streifen ausgeführt werden, wenn mehrere geteilte Streifen über einen geringfügigen Zwischenraum überlappen, können die Ag-Lagen 12 der mehreren geteilten Streifen gleichzeitig dick gebildet werden und ist die elektronische Schaltungseinheit für Massenproduktion geeignet. Als nächstes werden, nachdem eine Ni-Unterplattierungslage und eine Au-Lage nacheinander auf jeder Oberfläche der Ag-Lage 12 und eine Anschlussfläche, auf die ein unverhüllter Halbleiterchip montiert ist, plattiert wurden, unverhüllte Halbleiterchips für die Diode D1 und den Transistor Tr1 auf jeder Anschlussfläche unter Verwendung eines leitenden Haftmittels, wie z.B. Lötpaste und leitender Paste, befestigt, wie in 8H gezeigt. In diesem Fall wird, wie oben beschrieben, da die Anschlussfläche derart gebildet ist, dass der Bereich kleiner ist als der Bereich der unteren Oberfläche des unverhüllten Halbleiterchips, das Herausquellen des leitenden Haftmittels von dem unverhüllten Halbleiterchip verhindert und wird verhindert, dass das leitende Haftmittel mit dem Leitermuster P um den unverhüllten Halbleiterchip herum unerwünschterweise kurzgeschlossen wird. Als nächstes wird, nachdem jeder unverhüllte Halbleiterchip an einen vorherbestimmten Teil des Leitermusters P mittels Draht gebondet wurde, wie in 8I gezeigt, die Ausgabe durch das Trimmen des Widerstands R3 reguliert, der ein Widerstand für den Emitter ist, und wird eine Resonanzfrequenz durch das Trimmen des Induktivitätselements L3 reguliert, das ein Leitermuster für Regulierung ist, wie in 8J gezeigt. In diesem Fall ist, da die Regulierung einer Resonanzfrequenz in einem Zustand eines geteilten Streifens ausgeführt wird, bevor er in ein einzelnes Aluminiumoxidsubstrat 1 unterteilt wird, und die Elektrode für Masseverbindung (GND) an der Ecke jedes Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen ist, eine Elektrode für Masseverbindung (GND) notwendigerweise zwischen einer Zuführelektrode (Vcc, VctI, RFin) und einer Ausgabeelektrode (RFout) positioniert, die jeweils an einem benachbarten Aluminiumoxidsubstrat 1 vorgesehen sind und wird verhindert, dass die Regulierung einer Resonanzfrequenz eine negative Wirkung auf die Schaltung des benachbarten Aluminiumoxidsubstrats 1 hat.
  • Als nächstes wird, nachdem die Abschirmung 2 an dem einzelnen Aluminiumoxidsubstrat 1 befestigt wurde, das der geteilte Streifen ist, und das Bein 2a der Abschirmung 2 an die Endflächen-Elektrode 3 gelötet wurde, die zu der Elektrode für Masseverbindung (GND) leitet, die in 1 gezeigte elektronische Schaltungseinheit durch das Unterteilen des geteilten Streifens in ein einzelnes Aluminiumoxidsubstrat 1 entlang der anderen Teilungskerbe erlangt.
  • Gemäß der wie oben beschrieben konfigurierten elektronischen Schaltungseinheit, die den oben erwähnten Ausführungsformen entspricht, können, da Schaltungselemente wie die Kondensatoren C1 bis C7, Widerstände R1 bis R3, die Induktivitätselemente L1 bis L3 und die Leiter S1 und S2 und das Leitermuster P, das mit diesen Schaltungselementen verbunden ist, dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet sind, die unverhüllten Halbleiterchips für die Diode D1 und den Transistor Tr1 mittels Draht an das Aluminiumoxidsubstrat 1 gebondet werden und die Endflächenelektrode 3, die mit der Elektrode für die Masseverbindung bzw. der Zuführ-/Ausgabe-Elektrode des Leitermusters verbunden ist, an der Seite des Aluminiumoxidsubstrats 1 vorgesehen ist, die erforderlichen Schaltungselemente mittels dünnschichtbildender Technik dicht auf dem Aluminiumoxidsubstrat montiert werden und kann die Drahtbondung der Halbleitervorrichtungen und der elektronischen Schaltungseinheit vom oberflächenmontierten Typ, die für Miniaturisierung geeignet sind, realisiert werden.
  • Da der Symmetrierconverter von einem Paar Leiter S1 und S2 gebildet wird, die dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 gebildet sind, wird ein Spalt zwischen beiden Leitern S1 und S2 verschmälert, kann ein erwünschter Kopplungsgrad sichergestellt werden und hat die elektronische Schaltungseinheit auch unter diesem Gesichtspunkt einen Vorteil hinsichtlich der Miniaturisierung.
  • In den oben erwähnten Ausführungsformen wird der Fall, in dem ein Paar Leiter S1 und S2, die den Symmetrierconverter bilden, dünn auf der gleichen Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats 1 gebildet ist, beschrieben, es kann jedoch auch ein Paar Leiter S1 und S2 mittels eines Isolators, wie z.B. SiO2, wie die Kondensatoren C1 zu C7 auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 laminiert werden und zu diesem Zeitpunkt kann der Platz, den die beiden Leiter auf dem Aluminiumoxidsubstrat 1 einnehmen, weiter reduziert werden.
  • Da der Engstellenteil G für das Entladen auf dem Leitermuster P vorgesehen ist, das die Zuführelektroden (Vcc, VctI) oder die Ausgabeelektroden (RFout) und die Kondensatoren C2 und C7 verbindet, kann nicht nur der Ausfall dieser Kondensatoren C2 und C7 durch statische Elektrizität sicher verhindert werden, sondern kann der Luftspalt G mit hoher Abmessungsgenauigkeit durch dünnschichtbildende Technik gebildet werden und wird die Größe des Spalts in dem Engstellenteil G reduziert und wird das Entladen bei niedriger Spannung ermöglicht.
  • Da das Induktivitätselement L2 für das Einstellen einer Resonanzfrequenz von den dünn gebildeten Induktivitätselementen in einer Spiralform gebildet ist, um das Induktivitätselement L2 zu einem Induktor für Resonanz vom konzentrierten konstanten Typ zu machen, wird der Abstand zwischen den Leitern des Induktivitätselements L2 verschmälert, kann außerdem der Induktor für Resonanz miniaturisiert werden und kann auch unter diesem Gesichtspunkt die Miniaturisierung der elektronischen Schaltungseinheit realisiert werden. Da eine Cu-Plattierung auf der Oberfläche aller Induktivitätselemente L1 bis L3 vorgesehen ist, die das Induktivitätselement L2 aufweisen, kann das Q der Resonanzschaltung verbessert werden.
  • Ferner kann, da die Anzahl von Windungen des Induktivitätselements L2 durch das Trimmen des Induktivitätselements L3 mittels des Induktivitätselements L3, das mit dem Induktivitätselement L2 für das Einstellen einer Resonanzfrequenz für ein Leitermuster für Regulierung, um eine Resonanzfrequenz zu regulieren, verbunden ist, erhöht wird, kann eine Resonanzfrequenz einfach reguliert werden und ist außerdem, da jede Leiterbreite des getrimmten Induktivitätselements L3 und des Induktivitätselements L2 für das Einstellen einer Resonanzfrequenz angeglichen wird, der Wellenwiderstand des Induktivitätselements L2 und des Induktivitätselements L3 gleich.
  • Die Erfindung wird in den oben erwähnten Ausführungsformen verkörpert und schafft die folgende Wirkung.
  • Da Schaltungselemente, die die Kondensatoren und die Widerstände und das Leitermuster aufweisen, dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet sind, der unverhüllte Halbleiterchip mittels Draht an das Aluminiumoxidsubstrat gebondet ist und das aus einem Paar Leiter auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildete Induktivitätselement dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet wird, um den Symmetrierconverter zu bilden, können nicht nur auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderliche Schaltungskomponenten dicht montiert werden, sondern wird der Spalt zwischen den beiden Leitern, die den Symmetrierconverter bilden, reduziert, kann ein erwünschter Kopplungsgrad gewährleistet werden und kann die elektronische Schaltungseinheit miniaturisiert werden.
  • Da Schaltungselemente, die die Kondensatoren, die Widerstände und die Induktivitätselemente und das Leitermuster, das mit diesen Schaltungselementen verbunden ist, dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet sind, der unverhüllten Halbleiterchip mittels Draht gebondet ist und der Engstellenteil für das Entladen auf dem Leitermuster vorgesehen ist, das von der Zuführelektrode und der Ausgabeelektrode mindestens eine und den Kondensator verbindet, werden auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderliche Schaltungskomponenten dicht montiert und kann die elektronische Schaltungseinheit miniaturisiert werden. Der Ausfall der Kondensatoren durch statische Elektrizität kann dank des Engstellenteils sicher verhindert werden und außerdem wird der Entladungsspalt im Engstellenteil reduziert und wird das Entladen bei niedriger Spannung ermöglicht.
  • Da Schaltungselemente, die die Kondensatoren, die Widerstände und die Induktivitätselemente aufweisen, dünn auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet werden, der unverhüllte Halbleiterchip mittels Draht gebondet ist und mindestens das Induktivitätselement, das das Induktivitätselement für das Einstellen einer Resonanzfrequenz bildet, in einer Spiralform gebildet ist, können nicht nur auf dem Aluminiumoxidsubstrat erforderliche Schaltungskomponenten dicht montiert werden, sondern kann der Abstand zwischen den Leitern des Induktivitätselements für das Einstellen einer Resonanzfrequenz durch dünnschichtbildende Technik reduziert werden und kann die Miniaturisierung der elektronischen Schaltungseinheit realisiert werden.

Claims (9)

  1. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit, aufweisend: die Bildung von Schaltungselementen, die einen Kondensator (C), einen Widerstand (R), ein Induktivitätselement (L) und ein Leitermuster (P), das mit den jeweiligen Schaltungselementen verbunden ist, umfassen, als eine Dünnschicht auf einem Aluminiumoxidsubstrat (1); und die Verdrahtung eines auf dem Aluminiumoxidsubstrat angeordneten unverhüllten Halbleiterchips (4) mittels Drahtbondung auf der Dünnschicht, wobei: das Induktivitätselement wenigstens ein Induktivitätselement (L2) für die Einstellung einer Resonanzfrequenz umfasst, das Induktivitätselement für die Einstellung einer Resonanzfrequenz als eine Dünnschicht in einer Spiralform gebildet ist, ein Leitermuster für eine Regulierung als eine Dünnschicht von dem Leitermuster, das mit dem Induktivitätselement (L2) für die Einstellung einer Resonanzfrequenz verbunden ist, auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet ist, und dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzfrequenz durch eine kontinuierliche Erhöhung der Anzahl von Windungen des Induktivitätselements (L2) für die Einstellung der Resonanzfrequenz reguliert wird, indem ein Teil des Leitermusters für die Regulierung getrimmt wird.
  2. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 1, wobei auf der Oberfläche des Induktivitätselements für die Einstellung einer Resonanzfrequenz und dem Leitermuster für die Regulierung eine Cu-Plattierung vorgesehen ist.
  3. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 1, wobei die entsprechende Leiterbreite des Induktivitätselements für die Einstellung einer Resonanzfrequenz und das getrimmte Leitermuster für die Regulierung auf einen im Wesentlichen gleichen Wert eingestellt sind.
  4. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 1, wobei ein Symmetrierconverter (T) von einem Paar von einander gegenüberliegenden Leitern (S1, S2) gebildet wird, die als eine Dünnschicht mit einem vorherbestimmten Spalt dazwischen auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet sind.
  5. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 4, wobei das Paar von einander gegenüberliegenden Leitern auf der gleichen Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats gebildet ist.
  6. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 4, wobei das Paar von einander gegenüberliegenden Leitern über einen Isolator auf das Aluminiumoxidsubstrat laminiert sind.
  7. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 4, wobei das Paar von einander gegenüberliegenden Leitern in einer Spiral- oder Zickzackform gebildet ist.
  8. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 1, wobei: eine Zuführelektrode (Vcc, Vct1, RFin) und eine Ausgabeelektrode (RFout), die jeweils mit dem Leitermuster verbunden sind, an der Seite des Aluminiumoxidsubstrats vorgesehen sind; und ein Engstellenteil (G) für eine Entladung zwischen dem Leitermuster, das von der Elektrode für die Zuführung und der Elektrode für die Ausgabe wenigstens eine verbindet, und dem Leitermuster, das den Kondensator verbindet, vorgesehen ist.
  9. Anpassverfahren für eine elektronische Schaltungseinheit nach Anspruch 8, wobei der Engstellenteil mit Vorsprüngen versehen ist, deren Spitzen einander gegenüberliegen und die in dem Leitermuster, das mit wenigstens einer von der Zuführ- oder der Ausgabe-Elektrode verbunden ist, und dem Leitermuster, das die Elektrode verbindet, vorgesehen sind.
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