DE2114056C3 - Abstimmeinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Abstimmeinrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Eine derartige Abstimmeinrichtung wird bereits in der DE-PS 21 13 867 vorgeschlagen. Sie ist einfacher herzustellen als z, B₁ konventionelle Abstimmeinrichtungen mit durch einen Plattenkondensator abgeschlossenen Leitungsschwingkreisen und hat darüber hinaus den Vorteil, daß durch entsprechende Formgebung der L.eitungsabschnitte über den gesamten Abstimmbereich eine konstante Frequenzdifferenz zwischen den verschiedenen Schwingkreisen eingehalten werden kann.

Aus der GB-PS 11 00 751 ist eine Abstimmeinrichtung

für den UHF-Bereich eines Empfängers mit einem Leitungssehwingkrejs bekannt, der aus einem relativ schmalen, langgestreckten Leitungsabschnitt, welcher als Innenleiter dient, zwischen zwei an seinem Ende mit ihm verbundenen, als Außenleiter dienenden breiteren s Leiterflächen auf der Vorderseite einer isolierenden Platte gebildet ist. Ferner weis· diese Einrichtung eine an dem genannten Ende mit den Leiterflächen verbundene weitere Leiterfläche auf, welche die die Rückseite der Platte bedeckt An der Mitte und an \t, mindestens einem Ende des als Innenleiter dienenden schmalen Leitungsabschnitts ist dieser über je eine Kapazitätsdiode mit der einen breiteren Leiterfläche gekoppelt, der eine zur Abstimmung dienende Spannung zugeführt wird. Bei der bekannten Abstimmein- ^ richtung können Schwierigkeiten durch gegenseitige Feldstörung infolge elektromagnetischer Kopplung auftreten, wenn zwei oder mehr Leitungsschwingkreise nahe beieinander angeordnet werden sollen.

Aus der DE-AS 12 97 719 ist ein abstimmbares Bandfilter für UHF-Abstimmeinheiten bekannt, das aus zwei Leitungsschwingkreisen besteht, deren Innenleiter jeweils durch Aussparungen in einem den Kreisen gemeinsamen flächenhaften Außenleiter gebildet sind. Auf der Rückseite der die Leitungsschwingkreise i-, tragenden Isolierplatte kann sich noch ein weiterer Schwingkreis oder auch eine durchgehende Metallisierung befinden. In Aussparungen der Isolierplatte werden zur Abstimmung dienende Kapazitätsdioden eingesetzt Bei einem aus der DE-AS 1197 518 so bekannten anderen Leitungsschwingkreis ist der Innenleiter auf einer Seite einer dielektrischen Platte ebenfalls durch Aussparungen eines Außenleiters gebildet, der sich durch eine Metallisierung auf der anderen Plattenseite fortsetzt, dort aber an der dem Innenleiter y, gegenüberliegenden Stelle ausgespart ist. Eine aus der DE-P^C 1 ^ " .25 bekannte Abstimmeinrichtung hat auf derselben Seite einer gegebenenfalls auch auf der Rückseite mit Metall kaschierten Platte drei Leitungsschwingkreise, deren als Innenleiter dienende Leitungs- in abschnitte zwei jeweils zwei Leitungskreisen gemeinsame Außenleiterabschnitte einrahmen. Die »heißen« Enden der Innenleiterabschnitte sind jeweils über Kapazitätsdioden mit weiteren Leiterabschnitten zum Anschluß an eine Betriebsspannung verbunden.

Aus der US-PS 25 45 623 ist es an sich bekannt, zwei miteinander fluchtende rechteckförniige Leitungsabschnitte eines Schwingkreises, von denen einer an Masse liegt, in Zuordnung zur Wellenlänge zu bemessen und dazwischen eine Abstimmkapazität anzuordnen. Hier handelt es sich allerdings nicht um eine Abstimmeinrichtung für einen Fernsehempfänger, sondern für ein Zyklotron zur Protonenbeschleunigung.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine in der Massenfertigung einfach herstellbare Abstimmeinrichlung mit mindestens zwei Schwingkreisen zu schaffen, deren gegenseitige Störung insbesondere durch elektromagnetische oder elektrostatische Kopplung auf ein Minimum herabgesetzt ist.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 mi gekennzeichnete Abstimmeinrichtung gelöst

Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung ist die optimale gegenseitige Isolierung der verschiedenen Schwingkreise. Beispielsweise kann die hier beschriebene Abstimmeinrichtung auf engem Raum einen im b=> Eingangskreis eines HF-Verstärkers liegenden HF-Schwingkreis, zwei den HF-Verstärker mit einer Mischstufe koppelnde wf'.tere Schwingkreise sowie einen zu einer Oszillatorstufe gehörenden Schwingkreis enthalten, die einander nicht stören, obwohl zwischen ihnen keine Abschirmwände vorgesehen werden müssen.

An einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Erfindung nun näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in

F i g. 1 die schematische Schaltungsanordnung der Abstimmeinrichtung,

F i g. 2 eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht der Abstimmeinrichtung,

F i g. 3 die Unterseite der Abstimmeinrichtung,

Fig.4 eine linke Seitenansicht, wobei Deckel und Chassis weggebrochen sind,

F i g. 5 eine rechte Seitenansicht ähnlich F i g. 4,

F i g. 6 a bis d Diagramme der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz der Schwingkreise,

F i g. 7 eine vergrößerte Teilansicht der dielektrischen Platte mit Einzelheiten der Abstimmeinrichtung,

Fig.8a bis c vergrößerte Teilschnittansichten der dielektrischen Platte mit einer der justrierbaren Gleichlaufinduktivitäten, die für minirr^len, nominalen und maximalen Induktivitätswert eingestellt ist,

F i g. 9 a bis e eine Reihe von Kurven stehender Spannungswellen zur Erläuterung der Betriebsweise der Abstimmeinrichtung und

Fig. 10a bis e Kurven stehender Stromwellen, die den Kurven gemäß F i g. 9 entsprechen.

Die in Fi g. 1 mit 50 bezeichnete Abstimmeinrichtung (Tuner) ist in einem metallischen Gehäuse 52 eingeschlossen, das auf einem Bezugspotential, beim dargestellten Beispiel auf Masse, gehalten wird. Die Abstimmeinrichtung enthält eine HF-Verstärkerstufe 54, eine Oszillatorstufe 56, eine Mischstufe 58 und eine ZF-Verstärkerstufe 60. Mittels einer (nicht dargestellten) Antenne empfangene UHF-Fernsehsignale werden an eine UHF-Eingangsklernme 62 angelegt Die Eingangssignale werden in der Verstärkerstufe 54 verstärkt und in der Mischstufe 58 den örtlich erzeugten Signalen der Oszillatorstufe 56 überlagert. Das dadurch entstehende ZF-Signal wird dann in der Stufe 60 verstärkt. Das verstärkte ZF-Ausgangssignal steht an einer ZF-Ausgangsklemme 64 zur Verfügung.

Die Abstimmeinrichtung besitzt vier abstimmbare Schwingkreise 66, 68, 70 und 72. Der Schwingkreis 66 gehört zum Eingangskreis des HF-Verstärkers, während die Schwingkreise 68 and 70 Teile eines Zweikreis-Stufenkopplungsnetzwerkes sind, das sich zwischen der Verstärkerstufe 54 und der Mischstufe 58 befindet. Der Schwingkreis 72 schließt stellt die Schwingungsfrequenz der Oszillatorstufe 56 her.

Die abstimmbaren Schwingkreise 66, 68, 70 und 72 enthalten flächenhafte Leitungsanordnungen, die mittels Kapazitätsvariationsdioden abgestimmt werden. Alle Leitungsanordnungen enthalten leitende Elemente, die auf beiden Oberflächen einer dielektrischen Platte ausgebildet sind. So enthält der Schwingkreis 66 miteinander ausgerichtete Leitungsabschnitte 67a und 676, der Schwingkreis 68 Abschnitte 69a und 696, der Schwingkreis 70 Abschnitte 71a und 71 b und der Schwingkreis 72 sch'ießlich Abschnitte 73a und 736. Das eine Ende der Leitungsabschnitte 676,696,716 und 736 liegt an einem Bezugspotential. jedes dieser Paare von Leitungsabschnitten arbeitet zusammen mit der auf der jeweils entgegengesetzten Seite der dielektrischen Platte befindlichen Grundfläche.

Zwischen die beiden Abschnitte jeder zusammengesetzten Leitung sind eine Abstimm-Kapazitätsdiode 75, 79, 83 bzw. 87 sowie eine justierbare Glcichlaufindukti-

vital 77. 81. 85 bzw. 89 geschaltet. Jede dieser in Reihe liegenden Kapazitätsdioden 75, 79, 83 und 87 hat einen Kapazitätswert, dessen Größe sich umgekehrt mit der Größe der an die Diode angelegten Sperrvorspannung ändert. Die Schwingkreise 66, 68 und 70 sind so bemessen, daß sie über das Frequenzband zwischen 470 MHz und 890 MHz abstimmbar sind, während der Schwingkreis 72 der Oszillatorstufc 56 im Frequenzbereich zwischen 517 MHz und 931 MHz schwingen kann.

Die zusammengesetzten Leitungen sind so bemessen, daß die Abschnitte 67ö, 696 und 716 sich bei einei Frequenz oberhalb 8TO MHz, der höchstens gewünschten Frequenz, auf welche der Schwingkreis abgestimmt werden muß, in Lambda/4-Resonanz befinden. Die l.citungsabschnittc 67a. 69a und 71a sind dagegen so bemessen, daß sie sich oberhalb dieser höchsten Frequenz von 890 MHz in l.ambda/2-Resonanz befinden. Ähnlich weisen der Abschnitt 73t> bzw. der Abschnitt 73a des zum Oszillator gehörenden Schwingkreises 72 bei einer Frequenz oberhalb 931 MIIz I.ambda/4-Resonanz bzw. l.ambda/2-Resonanz auf.

Die Resonanzfrequenz jedes Abschnitts kann dadurch gemessen werden, daß man die Abstimm-Kapazitätsdiode und die justierbare Gleichlaufinduktivität elektrisch abtrennt und dann in den zu uniersuchenden Abschnitt einen Einheiisenergieimpuls eingibt. Auf Grund dieses Einheitsimpulses wird der Abschnitt gleichzeitig bei mehreren zusammenhängenden Frequenzen ansprechen, die beispielsweise mittels eines Oszilloskopes gemessen werden können. Die Grundresonanzfrequenz ist die im ansprechenden Abschnitt festgestellte niedrigste Frequenz. Die Resonanzform kann dadurch bestimmt werden, daß man die Verhältnisse der stehenden Wellen längs des Abschnitts mißt, um die Maxima und Nullstellen der Spannung zu bestimmen.

In einer leitenden Verkleidung (Fig. 2) ist eine dielektrische Platten 91 montiert, die die zusammengesetzten Leitungen trägt. Die Verkleidung umfaßt lösbare Deckel 99 und 101 und ein Rahmenteil oder Chassis 97. Auf entgegengesetzten Seiten der Platte 91 befinden sich zwei Grundflächen 93 und 95 (F i g. 4. 5. 6

_ J -v nv:_ .-.— ι _:. ca- 1.Ti-L

und 73a. b sind gegenüber der zugehörigen Grundfläche 95 angeordnet, während die zusammengesetzte Leitung 67a. b des HF-Eingangskreises der zugehörigen Grundfläche 93 gegenüberliegt. Dies ist genauer aus F i g. 4 und 5 erkennbar, welche ungefähr maßstäblich die Platte 91 und ihre leitenden Bereiche zeigen. Obwohl die verschiedenen zusammengesetzten HF-Leitungen 67a. b. 69a. b und 71a. b so bemessen sind, daß sie bei einer gegebenen Diodenkapazität ungefähr bei der gleichen Frequenz schwingen, unterscheiden sie sich geringfügig in der Größe, damit die Effekte kompensiert werden, die durch die verschiedenen, gemäß F i g. 4 und 5 angeschlossenen Bauelemente eingeführt werden.

Ein gegen Feuchtigkeit und Lötmittel beständiges gehärtetes Silikon ist auf die gesamte Platte 91 und ihr verkupfertes Muster aufgebracht, mit Ausnahme der Kontaktflächen, die zum elektrischen Anschluß der Bauelemente an das Muster dienen. Die frei liegenden Anschiußkontaktflächen erleichtern den schnellen und genauen Zusammenbau des Tuners, in F i g. 2. 4 und 5 sind die Leitungsabschnitte, die Grundflächen und die zum Oszillatorkreis gehörenden Kondensatorplatten schraffiert dargestellt, um anzudeuten, daß die isolierschicht, die normalerweise diese Teile bedeckt, entfernt worden ist.

Die Form der Leitungsabschnitte 676, 69i> und 7\b gewährleistet einen relativen Gleichlauf zwischen den abstimmbaren Schwingkreisen 66, 68 und 70 und dem abstimmbaren Schwingkreis 72 des Oszillators. Bei dieser Form handelt es sich um eine exponentiell Verjüngung zwischen dem an Masse liegenden Ende und demjenigen Ende jedes Abschnitts, an dem sich die Diode befindet. Die exponentiell Verjüngung hat eine Abwandlung der Impedanz/Frequenz-Kurve jeder der zusammengesetzten Übertragungsleitungen 67a. b, 69a. b und 71a, b zur Folge. Der Einfluß einer gegebenen Kapazitätsänderung auf die Abstimmfrequenz ändert sich also über das Frequenzband, woraus sich ähnliche Kurvenformen für die Diagramme der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz für die HF-Schwingkreise 66, 68 und 70 und den Oszillator-Schwingkreis 72 ergeben. Die ähnlichen Kurvenformen sintl in F i g. 6 gezeigt. Die Kurve a stellt das Diagramm der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz für den Schwingkreis 72 dar, während die Kurven b. c und d das Diagramm der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz für den Schwingkreis 66 für verschiedene Induktivitätseinstellungen der justierbaren Gleichlaufinduktivität 77 repräsentieren, nämlich für minimalen, nominellen und maximalen Induktivitätswert. Die justierbaren Gleichlaufinduktivitäten werden noch genauer beschrieben werden. Da die Kurvenformen (Krümmungen) der Diagramme der beiden dbstimmbaren Schwingkreise ähnlich sind, befinden diese sich über ihr gesamtes jeweiliges gewünschtes Frequenzband im Gleichlauf.

Die Resonanzfrequenz jeder der Leitungen wird durch ihre Gesamtreaktanz bestimmt, welche die Blindwiderstände der oberen und unteren fluchtenden Abschnitte, der Kapazitätsvariationsdiode und der justierbaren Gleichlaufinduktivität umfaßt. Der vom oberen Abschnitt beigesteuerte Blindanteil ändert sich nicht linear mit der Frequenz, während der Blindanteil der Kapazitätsdiode und der Gleichlaufinduktivität eine kapazitive Reaktanz ist. deren Größe durch die Abstimmspannung festgelegt ist (in allen abstimmbaren Schwingkreisen können identische Kapazitätsdioden

nung beaufschlagt werden). Durch Justieren der Abstimmspannung wird die kapazitive Reaktanz geändert und die Leitung über das Frequenzband abgestimmt. Damit ein richtiger Gleichlauf zwischen dem Oszillator und den abstimmbaren HF-Schwingkreisen gewährleistet ist. muß der abstimmbare Schwingkreis des Oszillators für jeden Einstellwert der Abstimmspannung um einen gegebenen konstanten Betrag oberhalb der abstimmbaren HF-Schwingkreise schwingen. Die ungleich geformten unteren Abschnitte der abstimmbaren Schwingkreise zur Wahl der HF-Signale und des Oszillator-Schwingkreises haben eine Abwandlung der Änderungsrate der Gesamtreaktanz mit der Frequenz zur Folge. Insbesondere weist der untere Abschnitt jeder der HF-Leitungen eine exponentielle Verjüngung, der untere Abschnitt der Leitung des Oszillators dagegen eine praktisch lineare Verjüngung auf. Folglich unterscheiden sich diese Abschnitte in ihrer Änderungsrate der Reaktanz in Abhängigkeit von der Frequenz sowohl voneinander als auch von ihren entsprechenden oberen Abschnitten. Die Gesamtreaktanz jeder Obertragungsleitung ändert sich dadurch so mit der Frequenz daß sich der gewünschte Gleichlauf zwischen den HF-Schwingkreisen und dem Oszillator-Schwingkreis ergibt. Es sei darauf hingewiesen, daß die

verschiedenen zulaufenden Ränder des oberen Abschnitts jeder Leitung die Randeffekte der elektromagnetischen und elektrostatischen Felder an den Abschnittenden kompensieren.

Die Formgebung der Abschnitte 676, 696 und 716 gewährleistet einen Relativ-Gleichlauf erster Ordnung jedes der verschiedenen HF-Schwingkreise mit dem Oszillator-Schwingkreis. Dennoch müssen die abstimmbaren Rev>nanzkreise auch im Bezug aufeinander ausgerichtet sein, damit Bauteiltoleranzen kompensiert werden. Dies bedeutet, daß die das Kapazitätsverhalten jedes Schwingkreises darstellenden Diagramme in bezug auf die anderen abstimmbaren Schwingkreise frequenzweise richtig zentriert werden müssen.

Es wurde festgestellt, daß die Serieninduktivität der Leiterdrähte jeder Kapazitätsdiode 75,79,83 und 87 ein wesentlicher Parameter bei der Bestimmung der Resonanzfrequenz für eine gegebene Diodenkapazität ist, besonders am unteren Ende des UHF-Frequenzbandes. Beispielsweise führt ein Zuwachs der Leiterlängen der Kapazitätsdiode 75 von weniger als 0,25 cm dazu, daß die Kapazität, die vom Schwingkreis 66 für eine Resonanz bei 470MHz benötigt wird, um mehrere Pikofarad verringert wird. Dieser Serieninduktivitätseffekt kann möglicherweise eine Verstimmung zwischen den verschiedenen abstimmbaren Schwingkreisen 66, 68, 70 und 72 und auch Abweichungen der Tuner untereinander zur Folge haben. Der Induktivitätseffekt ist jedoch steuerbar und kann als Mittel zum Zentrieren oder Ausrichten der abstimmbaren Schwingkreise dienen.

Für jede der Kapazitätsdioden 75, 79, 83 und 87 befindet sich in der Platte 91 ein Loch. Entsprechend F i g. 7, die eine vergrößerte Teilschnittansicht 91 ist und einen Teil der zusammengesetzten Leitung 67 zeigt, sitzt die Kapazitätsdiode 75 in einem Loch 75a. Dieses Loch 75a dient zur Festlegung der Lage des Körpers der Diode 75 und bringt die Komponenten genau in die richtige Position.

Die Diode 75 ist auf entgegengesetzten Seiten des Loches 75a an zwei Anschlußkontaktflächen 756 und 75c befestigt. Die Anschlußkontaktfläche 75c befindet sich auf dem Abschnitt 676 der Leitung, während die rConisktfläc^c ?5ir c:~c -s:c~dsrt !ci!?üd

Die beiden Anschlußkontaktflächen 75b und 75c haben einen vorbestimmten Abstand voneinander und tragen dazu bei, die Serieninduktivitätsänderungen auf ein Minimum herabzusetzen, da sie die Leiterlängen der Kapazitätsdiode 75 festlegen. Außerdem verkleinert das Loch 75a das Dielektrikum angrenzend an den Körper der Diode 75, wodurch die verteilte Nebenschlußkapazität zwischen den Enden der Diode weitestgehend verkleinert wird. Zudem entfällt die Notwendigkeit, die Diodenleiter während der Montage der Komponenten zu biegen (wodurch ihre Induktität erhöht wird).

Die justierbare Gleichlaufinduktivität 77 ist in Reihe zwischen die Anschlußkontaktfläche 756 und das eine Ende des ersten Abschnitts 67a der zusammengesetzten Leitung 67 geschaltet Die Induktivität 77 besteht aus einem dünnen breiten Kupferstreifen der zur Änderung seiner Induktivität justiert werden kann, und zwar kann zu diesem Zweck die Gestalt der Schleife von einem hohen dünnen Gebilde für minimale Induktivität bis zu einem mehr kreisförmigen Gebilde für maximale Induktivität geändert werden. Dies ist in F i g. 8 a bis c verdeutlicht, wo die justierbare Gleichlaufinduktivität 77 in ihrer Einstellung für minimale, nominelle bzw. maximale Induktivität dargestellt ist. Die justierbare Serieninduktivität für jede zusammengesetzte Leitung 67,69,71 und 73 überdeckt kleine Induktivitätsänderungen infolge der Diodenleiterlänge und schafft eine steuerbare Serieninduktivitätswirkung.

-> Die Zentrierung des Gleichlaufs für jeden der Schwingkreise 66, 68, 70 und 72 erfolgt durch Justieren der Gestalt der zu jeder zusammengesetzten Leitung gehörenden induktiven Schleife. Die Wirkung der Induktivität 77 ist in Fig.6 erkennbar, wo die drei

ίο Diagramme der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz (Kurven 6, c und d) die Einstellung auf minmalen, nominellen bzw. maximalen Induktivitätswert repräsentieren. Die induktiven Schleifen werden so einjustiert, daß sich der richtige konstante Frequenzab-

Ii stand zwischen den Resonanzfrequenzen der abstimmbaren HF-Schwingkreise und derjenigen des abstimmbaren Oszillator-Schwingkreises über ihre Frequenzbänder ergibt.

Die an die Eingangsklemme 62 angelegten empfangein nen UHF-Fernsehsignale gelangen zum HF-Verstärkereingangskreis, also zum Schwingkreis 66 über ein Hochpaßfilter, das Induktivitäten 74 und 76 und einen Kondensator 78 enthält. Der Hochpaß läßt Frequenzen innerhalb des UHF-Bandes durch, also Frequenzen von

>·, 470 MHz bis 890 MHz. Der abstimmbare Schwingkreis 66 ist über einen Kondensator 80 mit dem Emitter eines Verstärkertransistors 82 in Basisschaltung gekoppelt. Darstellungsgemäß ist der Transistor 82 in ein leitendes Gehäuse eingekapselt, das über einen Leiter 102 an

ίο Masse liegt, wodurch die Wahrscheinlichkeit parasitärer Schwingungen verringert wird.

Die Betriebsspannung für den Transistor 82 wird von einer Quelle B+ geliefert und an eine Klemme 84 angelegt, die mittels eines Durchführungskondensators

is 103 für Hochfrequenzen nach Masse überbrückt ist. Die Betriebsspannung wird an den Kollektor des Transistors 82 über eine HF-Entkopplungsinduktivität 86, einen Widerstand 88 und eine H F-Drossel 90 angelegt. Die Drossel 90 ist ein einzelnes Bauelement, das einen Widerstand mit einem Wert von lOkOhm enthält, dessen Draht als Induktivitätsspule gewickelt ist. Elektrisch sind beide parallel geschaltet. Der Widerstand verkleinert den Gütefaktor Q der Drossel und iC!t!!t dj? M'igüchk'?!? '.'neewnlllpr parasitärer Resonanzen. Zur Vervollständigung des Kollektor-Emitter-Gleichstromkreises liegt der Emitter des Transistors 82 über einen Widerstand 92 an Masse.

Die Basisvorspannung für den Transistor 82 wird von der die Betriebsspannung führenden Klemme 84 über

>o den Kollektor-Emitter-Pfad eines AVR-Transistors 94 angelegt. Eine entsprechende Regelspannung wird der Basis dieses Transistors 94 über eine Klemme 96 zugeführt Die Klemme 96 ist mittels eines Durchführungskondensators 105 für HF-Signale nach Masse überbrückt Der AVR-Transistor 94 regelt die Basisvorspannung des HF-Verstärkertransistors 82 und somit die Verstärkung der HF-Verstärkerstufe. Der Transistor 94 ist als Emitterfolger geschaltet so daß die AVR-Kreise weitgehend vom HF-Verstärker bzw. Transistor 82 isoliert sind. Eine weitere HF-Isolation für die Betriebsspannung der Quelle B+ und die AVR-Schaltungsanordnung kommen durch zwei Durchführungskondensatoren 98 bzw. 100 zustande. Der Durchführungskondensator 100 stellt außerdem einen HF-Pfad niedriger Impedanz von der Basis des Transistors 82 nach Masse her, so daß der Basisschaltungsbetrieb gewährleistet ist
Ein Kondensator 104 koppelt den Kollektor des

Transistors 82 mit dem abslimmbaren Schwingkreis 68. Im Schwingkreis 68 erzeugte Signale werden induktiv mittels Induktivitäten 106 und 108 auf den abstimmbaren Schwingkreis 70 gekoppelt. Die Induktivität 106 sorgt für die Hauptkopplung zum niedrigen Ende des UHF-Frequenzbandes hin, während die Induktivität 108 die Hauptkopplung zum höheren Ende des UHF-Bandes hin bewirkt. Zusammen bilden die Schwingkreise 68 und 70 und die Kopplungsinduktivitäten 106 und 108 eine (doppelt abgestimmte) Zweikreis-Stufenkopplungsschaltung, welche die HF-Verstärkerstufe 54 mit der Mischstufe 58 verbindet.

Die Mischstufe 58 enthält eine Mischdiode 110, deren Kathode an einen Anzapfungspunkt 112 im abstimmbaren Schwingkreis 70 angeschlossen ist. Die Anode der Mischdiode 110 ist über eine Überleitungsschleife 114, eine Induktivität 116 und einen Kondensator 118 mit dem Eingang der ZF-Verstärkerstufe 60, der Klemme 119 und 119', verbunden. Die Induktivität 116 und der

ι io siiiu au tsi.

, uau uit.

impedanz der Diode durch eine entsprechende Transformation an die Eingangsimpedanz der ZF-Verstärkerstufe angepaßt wird. Durch Anlegen einer von der Betriebsspannungsquelle B+ gelieferten Gleichstrom-Vorspannung an die Mischdiode UO wird durch diese ein Gleichstrom von ungefähr 1,5 Milliampere aufrechterhalten. Die Vorspannung für die Diode gelangt von der Klemme 84 durch die Induktivität 86, die Reihenschaltung aus Widerständen 120 und 122 und die Überleitungsschleife 114 zu ihrer Anode. Die Kathode dieser Mischdiode liegt über einen Teil des Schwingkreises 70 an Masse.

An die Mischdiode 110 werden vom Anzapfungspunkt 112 des Schwingkreises 70 verstärkte UHF-Signale und von der Oszillatorstufe 56 eine Oszillatorschwingung angelegt. Die Mischdiode überlagert also die verstärkten UHF-Signale und das örtlich erzeugte Signal und liefert ein gewünschtes ZF-Ausgangssignal. Das Oszillatorsignal wird vom Schwingkreis 72 zu der mit der Anode der Mischdiode 110 verbundenen Überleitungsschleife 114 eingekoppelt. Zwischen die induktive Überleitungsschleife 114 und den Bezugspotentialpunkt ist ein Durchführungskondensator 124 geschaltet, der so gewählt ist. daß sowohl für die verstärkten UHF-Signale als auch für das Oszillatorsignal ein Weg niedriger Impedanz und für ZF-Signale ein Weg höherer Impedanz nach Masse führt. Die in der Mischdiode 110 erzeugten ZF-Signale werden also weitergeleitet und zur Verstärkung an die ZF-Stufe 60 angelegt

Die Oszillatorstufe 56 enthält einen Transistor 126, der als abgewandelter Colpitts-Oszillator geschaltet ist, dessen Frequenz durch den abstimmbaren Schwingkreis 72 bestimmt wird. Die Betriebsspannung für den Transistor 126 des Oszillators wird von der Betriebsspannungsquelle über die Klemme 84, die Induktivität 86 und den Widerstand 120 einem Verbindungspunkt 128 zugeführt, der mittels eines Durchführungskondensators 130 für UHF-Schwingungen nach Masse überbrückt ist Die Spannung am Verbindungspunkt 128 gelangt zum Kollektor des Transistors 126 über einen Widerstand 132 und eine HF-Drossel 134. Der Emitter des Transistors liegt für Gleichstrom über einen Widerstand 136 an Masse. Die Basisvorspannung wird von einem Spannungsteiler mit Widerständen 138 und 140 geliefert der zwischen den Verbindungspunkt 128 und Masse geschaltet ist Zur Schaffung eines frequenzabhängigen Signalweges liegt zwischen der Basis des Transistors 126 und Masse ein Kondensator 142.

Ein Kondensator 144 verbindet den Kollektor des Transistorr 126 mit dem Schwingkreis 72. Zur Aufrechterhaltung einer Schwingung wird ein Teil der am Kollektor des Transistors erzeugten Spannung durch einen kapazitiven Spannungsteiler mit drei Kondensatoren 146, 148 und 150 zum Emitter des Transistors gekoppelt. Damit ein weiter Bereich von

to Gm-Transistoren in der Oszillatorstufe benutzt werden kann, wird der Kondensator 148 so gewählt, daß er den Hochfrequenzgang des Transistors dämpft. Es wird folglich ein mit Verlust behafteter Kondensator 148 gewählt, d. h. ein Kondensator, der eine frequenzabhän gige ohmsche Komponente besitzt, die den Oszillator transistor bei den höheren Frequenzen ohmisch belastet.

Da der abstimmbare Schwingkreis 72 eine Leitung mit niedriger Impedanz und ein Aluminiumoxyd-Dielek-

T pe- "

sung ein Koppelkondensator 144 erforderlich, der einen relativ großen Wert hat (im Vergleich mit einer Lambda/2-Leitung mit hoher Impedanz und Luftdielektrikum in einem typischen UHF-Fernsehtuner). Dies erfordert große Kondensatoren im kapazitiven Spannungsteiler, um brauchbare Signalrückkopplungsspannungen zu gewährleisten.

Die Kondensatoren 144, 146 und 150 sind leitende Flächen, die auf der Platte 91 ausgebildet sind (Fig.4

jo und 5). Der Kondensator 144 besteht aus einer leitenden Fläche 501 über einer leitenden Fläche 503 auf der entgegengesetzten Seite des Tragkörpers innerhalb eines Fensters 505 in der Grundfläche 95. Der Kondensator 146 wird durch eine leitende Fläche 503

)5 gebildet, die mit einer leitenden Fläche 507 zusammenwirkt, welche sich innerhalb des Fensters 505 neben der Fläche 503 befindet. Der Kondensator 150 schließlich wird durch die leitende Fläche 507 in Zusammenwirkung mit dem in F i g. 5 rechts von der leitenden Fläche angrenzenden Teil der Grundfläche 95 gebildet. Die Kondensatoren 144,146 und 150 können ebenso wie die übrigen leitenden Flächen als gedruckte Schaltung hergestellt werden. Dadurch wird sichergestellt, daß alle Kapazitäten bei der Massenproduktion genau und durchgehend gleichbleibend hergestellt werden. Infolge der Gleichmäßigkeit der Kapazitäten von Tuner zu Tuner kann praktisch ausgeschlossen werden, daß ein Tuner auf Gnind von Veränderungen oder einer Fehlausrichtung der Komponenten beim Zusammenbau ausfällt oder mangelhaft arbeitet.

Der abstimmbare Schwingkreis 72 des Oszillators weist eine unerwünschte Resonanz bei ungefähr 1400MHz auf. Die parasitäre Resonanzfrequenz wird durch die Kapazität der Kapazitätsdiode 87 nicht nennenswert beeinflußt Bei den angegebenen Werten der Komponenten hat sich gezeigt daß sich die unerwünschte Resonanzfrequenz bei einer Kapazitätsänderung von ungefähr 13 pF um etwa 60 MHz ändert Es sei darauf hingewiesen, daß die parasitäre Resonanzfrequenz der zusammengesetzten Leitung des Oszillators eine zweite Oberwellenfrequenz ist die auf ungefähr 700MHz zentriert ist Diese Frequenz liegt innerhalb des gewünschten UHF-Frequenzbandes des Oszillators. Man kann eine Verringerung der Grundfre quenz-Signalspannung des Oszillators feststellen, wenn der Schwingkreis 72 so justiert ist daß er in der Nähe dieses Wertes schwingt wodurch das für die Mischdiode 110 des Tuners zur Verfügung stehende Oszillatorsignal

herabgesetzt wird. Es ist anzunehmen, daß die Verringerung der Grundfrequenz-Signalspannung des Oszillators von einem durch den parasitären Kreis verursachten »Aussangw-Effekt herrührt.

Damit parasitäre Resonanzen verhindert werden und ■-, die Spannungsverringerung möglichst klein ibi, ist der Abschnitt 73a der zusammengesetzten Leitung des Oszillators am Spannungsnullpunkt für die paräsitäte Frequenz mit dem Transistor 126 des Oszillators gekoppelt. Dadurch wird erreicht, daß nur minimale m Störsignalenergie vom Schwingkreis 72 durch den Koppelkondensator 144 zum Transistor 126 übergeht.

Da die Grundfläche 95 der zusammengesetzten Leitung des Oszillators keine unendliche Größe und Leitfähigkeit besitzt, fließt in der Grundfläche ein is Strom, der Spannungen hervorruft. Ein Spannungskoppelpfad leitet diese Spannungen über einen Kondensator 142 zur Basis des Oszillatortransistors. Wenn der in der Grundfläche fließende Strom auf die parasitäre Resonanz zurückzuführen ist, unterstützt d^pr Ko^nnpl- ^ pfad diese Resonanzart, weil das an die Basis des Transistors angelegte Störsignal eine Basis-Kollektor-Differenzspannung hervorruft, die in den Rückkopplungskreis des Oszillators eingeführt wird. Um diesen Effekt möglichst klein zu halten, ist der Kondensator 142 auf der Grundfläche 95 direkt über dem parasitären Nullpunkt auf dem 73a der Leitung des Oszillators angeordnet.

Der Kondensator 142 besteht aus einer «bloßen Scheibe« 509 (F i g. 5). Die Scheibe 509 besteht aus w dielektrischem Material und weist auf ihren entgegengesetzten Seiten leitende Flächen auf. Mit der einen leitenden Fläche ist die Basis des Transistors 126 elektrisch verbunden, während die entgegengesetzte leitende Fläche auf der Grundfläche über dem i, Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des Kondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollektor-Basis-Übergang des Transistors über die beiden Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden Elektroden mit dem Schwingkreis koppeln, ein minimaler Störsignal-Spannungsgradient angelegt wird. Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspannung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt.

Wie am besten in den F i g. 4 und 5 zu erkennen ist, sind zwischen den abstimmbaren Schwingkreisen keine Abschirmwände vorgesehen. Der H F-Schwingkreis 66, die Zwischenstufen-Schwingkreise 68 und 70 und der Oszillator-Schwingkreis 72 sind also nicht jeweils in leitenden Gehäuseabteilungen eingeschlossen, um eine gegenseitige Beeinflussung der verschiedenen Schwingkreise und, was wichtiger ist, eine Abstrahlung der Oszillatorenergie durch den HF-Schwingkreis 66 und über die UHF-Antenne zu verhindern. Die Abstimmeinrichtung 50 besitzt jedoch eine innere leitende Teilabdeckung 550 (F i g. 2), welche über den Leitungsabschnitten 73a und 736 liegt Da sie als Teil des Chassis 97 unveränderlich befestigt ist verringert die Abdekkung 550 mögliche Verstimmungen infolge von Abstandsänderungen zwischen der Oszillatorstufe 56 und den abnehmbaren Deckeln 99 und 101 nach einer Entfernung und erneuten Befestigung weitestgehend.

Die hohe Permeabilität der Platte 91 aus Aluminiumoxid beschränkt in Verbindung mit dem geringen Abstand zwischen den zusammengesetzten Leitungen und ihren zugehörigen Grundflächen die elektromagnetischen Felder. Obwohl sie weitgehend vermindert wird, ist aber trotzdem noch eine Randausbreilung der elektromagnetischen Felder festzustellen. Der Randeffekt der Felder kann zur Folge haben, daß d^:e Osziilatorenergie zum HF-Schwingkreis 66 gekoppelt und über die UHF-Antenne abgestrahlt wird. Die Kopplung kann außerdem das AVR-Verhalten des Tuners beeinträchtigen.

Die unerwünschten Effekte der Oszillatorstrahlung werden dadurch vermieden, daß die zusammengesetzte Leitung des HF-Schwingkreises 56 auf der anderen Seite der Platte 91 angeordnet wird als die zusammengesetzten Leitungen 69, 71 und 73 der Zweikreis-Zwi schenstufe bzw. des Oszillators. Ebenso befinden sich die Grundflächen 93 und 95 auf entgegengesetzten Seiten der Platte. Hierdurch wird die Wirksamkeit der elektromagnetischen und elektrostatischen Kopplung zwischen dem Schwingkreis 66 und den übrigen abstimmbaren Schwingkreisen auf ein Minimum reduziert.

Eine weitere wesentliche Isolierung zwischen dem HF-Schwingkreis 66 und den übrigen abstimmbaren Srhwjngltrpkpn wirrt rUrliirrh prreicht. daß die zusammengesetzte HF-Leitung in bezug auf die zusammengesetzten Leitungen der Zwischenstufe und des Oszillators umgekehrt ist. Es sind nämlich der zulaufend geformte Abschnitt 67b der HF-Leitung zum oberen Rand der Platte 91 und ihr erster Abschnitt 67a zu ihrem unteren Rand hin angeordnet, während die Abschnitte 736, 710 und 69b der Leitungen des Oszillators und der Zwischenstufe sich unten und ihre anderen Abschnitte sich oben auf der Platte befinden.

Zum Zwecke einer Impedanzanpassung ist der Emitter des HF-Transistors 82 mit dem zulaufenden Abschnitt 67b niedriger Impedanz der HF-Leitung 67 gekoppelt, und sein Kollektor ist an den Abschnitt 69λ hoher Impedanz der Leitung 69 der Zwischenstufe angeschlossen. Durch die oben erläuterte umgekehrte Anordnung der Leitungen 67 und 69 ist es möglich, äußerst kurze Elsktrodenanschlußleiter für den Emitter und den Kollektor des Transistors 82 zu verwenden.

Die ZF-Verstärkerstufe 60 enthält einen Transistor 152, der außerhalb des leitenden Gehäuses 52 montiert und als Basisschaltungsverstärker geschaltet ist. Die äußere Montage des Transistors trägt dazu bei, daß eine unerwünschte Wechselwirkung zwischen der ZF-Verstärkerstufe und dem H F-Verstärker sowie aen Mischstufen auftritt. Die ZF-Eingangssignale v^rden an den Emitter des Transistors angelegt Der Kollektor ist mit der ZF-Ausgangsklemme 64 mittels eines ZF-Zweikreis-Bandpaßfilters gekoppelt. Ein Durchführungskondensator 154 stellt für HF-Signale eine Überbrückung von der Basis des Transistors nach Masse her. Um den Einfluß von Streuschwingungen hoher Frequenzen soweit wie möglich einzuschränken, ist an die Kollektorelektrode des Transistors 82 eine Ferritperle 155 angebracht.

Der erste Abschnitt des ZF-Zweikreis-Bandpasses enthält einen Durchführungskondensator 156, eine Induktivität 158 und einen Durchführungskondensator 160. Der zweite Abschnitt dieses Bandpasses enthält den Durchführungskondensator 160, eine Induktivität 162 und Kondensatoren 164 und 166. Der beiden Filtern gemeinsame Kondensator 160 sorgt für die erforderliche Signalkopplung zwischen den Filterabschnitten. Eine Abstandsklemme 163 stellt eine mechanische Stütze kleiner Kapazität für die Verbindung zwischen der Induktivität *S2 und dem Kondensator 164 dar. Die ohmsche Belastung der Filter (Widerstände 172, 174 sowie ein an die Klemme 64 angeschlossenes, nicht dargestelltes ZF-Signalkabel) ist so gewählt daß der

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Signalgang der ZF-Verstärkerstufe 60 über das gesamte gewünschte ZF-Band flach verläuft. Zwischen den beiden Enden des ZF-Bandes (ungefähr 41 MHz bis 46 MHz) erfolgt also eine gleiche Verstärkung der Signalspannungen. Der verformte ZF-Gang, wie er bei 5 ZF-Verstärkern eines Fernsehgerätes üblich ist, kommt in spiiteren ZF-Stuien des Chassis des Fernsehgerätes und des VHF-Tuners zustande. Im letzteren Fall kann der VHF-Tuner für eine zusätzliche Verstärkung des ZF-Ausgangssignals des UHF-Tuners verwendet werden.

Das ZF-Bandpaßfilter transformiert die Ausgangsimpedanz des in Basisschaltung liegenden ZF-Verstärkertransistors 152 auf einen Ausgangswirkwiderstand von 75 Ohm bei der Mittenfrequenz des ZF-Bandes, 43 MHz. Dies wird dadurch erreicht, daß die Abstimmkeme in den Induktivitäten 158 und 162 justiert werden, während au eine Testklemme 169 ein ZF-Eingangssignal angelegt wird. Obwohl die durch den Bandpaß bewirkte Impedanztransfonnation frequenzabhängig ist, ist die Abweichung von den 43 MHz zu den oberen und aiiteren Enden des ZF-Bandes nicht so groß, daß die Natur der Ausgangsimpedanz an der Klemme 64 wesentlich geändert wird. Sowohl am hohen als auci/ am tiefen Ende des ZF-Bandes bleibt die Impedanz überwiegend chmisch bei 75 Ohm.

Wenn die ZF-Ausgangsklemme 64 des Tuners mit der nächstfolgenden ZF-Verstärkerstufe des Chassis des Fernsehgerätes mittels eines 75-Ohm-KabeIs gekoppelt wird, ist die Eingangsimpedanz der Klemme 64 relativ jo genau an den Wellenwiderstand des Kabels angepaßt, so daß längs des Kabels keine Reflexionen auftreten. Für die Signalkopplung zwischen dem Tuner und Chassis des Fernsehgerätes kann also ein Kabel beliebiger Länge verwendet werden. Selbstverständlich muß das Kabel auch am Chassis mit einer ohmschen Last von 75 Ohm abgeschlossen werden. Wegen der ohmnchen Kopplung zwischen dem Tuner 50 und dem Chassis des Fernsehgerätes können auch kapazitive Änderungen auf Grund der Verlegung des Koppelkabels das Kopplungsglied nicht verstimmen, da keine Induktivität vorhanden ist, mit der die Kapazität in Resonanz kommen kann. Die Verlegung des ZF-Koppelkabels ist also für den einwandfreien Tunerbetrieb unkritisch. Kleinere Verluste der Widerstandskopplung sind unwesentlich, weil der Tuner 50 ein verstärktes ZF-Ausgangssignal liefert

Die Betriebsspannung für den ZF-Verstärkertransistor 152 wird von der Quelle B+ an der Klemme 84 geliefert und über die Induktivität 86, eine HF-Isola- w tionsinduktivität 168 und die Induktivität 158 dem Kollektor des Transistors zugeführt Zur Vervollständigung des Gleichstrompfades ist zwischen den Emitter des Transistors und Masse ein Widerstand 170 geschaltet Die Basisvorspannung für den Transistor 152 wird von einem Spannungsteiler geliefert, der durch Widerstände 172 und 174 gebildet ist, die zwischen die Induktivität 158 und Masse geschaltet sind.

Eine Quelle 175 für eine veränderbare Abstimmgleichspannung zum Vorspannen der Kapazitätsdioden μ der vier abstimmbaren Schwingkreise hat einen !nneifiwidefsiänd ve« 1000 Ohm und ist zwischen die Klemme 176 und Masse geschaltet Die Klemme 176 ist für HF-Signale mittels eines Durchführungskondensators 177 (nach Masse) überbrückt. Die Abstimmgleich- b5 spannung wird über Widerstände 178 und 180 an einen Verbindungspunkt 190 angelegt, welcher einen gemeinsamen Abstimmpotentialpunkt für die vier abstimmba ren Schwingkreise darstellt Dieser Verbindungspunkt 190 ist mit dem Schwingkreis 66 über die Widerstände 180 und 179 und mit dem Schwingkreis 70 über den Widerstand 182 verbunden. Die an den Schwingkreis 70 angelegte Spannung vom Verbindungspunkt 190 gelangt zum Schwingkreis 68 über die Induktivität 106. Mit dem Schwingkreis 72 schließlich ist der Verbindungspunkt 190 über Widerstände 185 und 187 und eine HF-Drossel 188 verbunden. Drei Durchführungskondensatoren 184, 186 und 183 wirken so mit den Widerständen 180 und 185 zusammen, daß keine HF- und Oszillatorsignalenergie über die Gleichstrom-Abstimmleitung zwischen den verschiedenen abstimmbaren Schwingkreisen und in die Abstimmgleichspannungsquelle 175 gekoppelt werden kann.

Bei den angegebenen Werten der Komponenten können die HF-Schwingkreise 66, 68 und 70 und der Oszillator-Schwingkreis über ihre jeweiligen Frequenzbänder abgestimmt werden, wenn eine Kapazitätsdiode mii einem Kapazitätsbereich von ungefähr 13 pF verwendet wird. Die Diode ändert ihren Kapazitätswert zwischen 15 Pikofarad und 23 Pikofarad, wenn die Abstimmgleichspannung zwischen ungefähr 1 und 25 V justiert wird.

Die Abstimmung der Schwingkreise wird aus Fig.9 und 10 verständlich, welche die stehende Spannungsbzw. Stromwellen längs der zusammengesetzten HF-Leitung 67 zeigen, die am oberen Rand der Figuren dargestellt ist Um die Leitung 67 auf die höchste Frequenz innerhalb des HF-UHF-Bandes abzustimmen, (Fig.9b), wird an die Kapazitätsdiode 75 eine solche Spannung angelegt, daß sie einen bestimmten Kapazitätswert aufweist Diese Kapazität bewirkt eine solche Resonanzschwingung der zusammengesetzten Leitung, daß sich ein Spannungsnullpunkt auf dem Leitungsabschnitt 67a an einer Stelle zwischen der Mitte und dem Diodenende des Abschnitts befindet

Eine Steigerung der an die Diode 75 angelegten Spannung verkleinert die Diodenkapazität und bewirkt daß die zusammengesetzte Leitung 67 bei einer höheren Resonanzfrequenz schwingt Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert dabei zur Mitte des Abschnitts hin (F i g. 9a). Bei einer Verkleinerung der Vorspannung der Diode 75 wächst die Kapazität wodurch die Leitung 67 auf eine niedrigere Resonanz* frequenz kommt Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert nun zu seinem Diodenende hin. Die Größe der Frequenzänderung bei einem gegebenen Kapazitätszuwachs hängt von Wellenwiderstand der Leitung ab, der seinerseits eine Funktion der Leitungsbreite, des Abstands von der Grundfläche und des Dielektrikums des Zwischenmediums ist

Bei einer weiteren Verringerung der an die Diode 75 angelegten Spannung und einer entsprechenden Senkung der Resonanzfrequenz der zusammengesetzten Leitung wird ungefähr bei der Mitte des gewünschten Frequenzbandes ein Punkt erreicht (Fig.9c), wo die Diodenkapazität in Serienresonanz mit dem Induktivitätswert der justierbaren Gleichlaufinduktivität 77 und dem Leitungsabschnitt 67/) kommt Zu diesem Zeitpunkt ist der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a ganz bis zu dessen Diodenende gewandert.

Eine noch weitergehende Verringerung der Vorspannung der Diode 75 senkt die Resonanzfrequenz der Leitung 67 weiter (F i g. 9d und e). Die Spannung am Diodenende des Abschnitts 67a steigt an, und die zusammengesetzte Leitung 67 arbeitet mit einei modifizierten Lambda/4-Resonanz.

Dadurch, daß die Kapazitätsdiode 75 vom an Masse liegenden Ende der Leitung 67 entfernt angeordnet ist, kann ein hoher Gütefaktor aufrechterhalten werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß die Kapazitätsdiode 75 sich an einer Stelle mit im Vergleich zum Masseende der Leitung niedrigeren Strom befindet (F i g, 10). Infolgedessen werden die Gleichstromverluste (I²R) der Diode auf einen Minimalwert herabgesetzt

Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die Diode 87 des Oszillators eine Sperrvorspannung von ungefähr 1,0 V. Die über der Diode entwickelte Oszillatorspannung hat während eines Teiles jeder Periode eine solche Amplitude, daß sie die Diodensperrspannung Obersteigt, wodurch eine Gleichrichtung der Oszillatorspannung bewirkt wird. Die gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspannung, wodurch die Kapazität der Diode 87 kleiner wird. Dies wiederum hat zur Folge, daß der Schwingkreis 72 auf eine andere Frequenz

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IS abgestimmt wird. In den abstimmbaren HF-Schwingkreisen 66, 68 und 70 findet keine Gleichrichtung statt, weil das HF-UHF-Signal in diesen Kreisen in der Größenordnung von Millivolt liegt, im Gegensatz zu der Spannung von ungefähr 1,0 V im Schwingkreis des Oszillators. Um den Verstimmungseffekt möglichst weitgehend zu besehigen, wird der Gesamtwiderstand von der Diode 87 durch die Abstimmglejchspannungsleitung und die Quelle 175 nach Masse so gewählt, daß er klein im Vergleich mit dem Treiberwiderstand der Oszillatorstufe ist Hierdurch ist die Abstimmgleichspannung an der Klemme 176 vorherrschend bei der Steuerung der Spannung über der Diode, da der durch den Gesamtwiderstand fließende Diodenstrom eine relativ kleine Spannung abfallen läßt welche die über der Diode liegende mittlere Gleichspannung nicht nennenswert ändern kann.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (13)

Patentansprüche;

1. Abstimmeinrichtung für den UHF-Bereich in einem Fernsehempfänger, mit zwei im Abstand ϊ voneinander angeordneten, einen Schwingkreis bildenden flächenhaften Leitungsabschnitten, zwischen denen ein erstes Bauelement mit spannungsabhängiger Kapazität eingeschaltet ist, dem über die Leitungsabschnitte eine die entsprechende Reso- ι« nanzfrequenz der Abstimmeinrichtung steuernde Spannung zugeführt ist, und mit einer dielektrischen Platte, auf deren einen Oberfläche sich eine elektrisch leitende erste Grundfläche befindet und ein dritter und im Abstand hiervon ein vierter >'■ flächenhafter Leitungsabschnitt eines Schwingkreises angeordnet sind, zwischen weiche ein zweites Bauelement mit veränderbarer Kapazität geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Grundfläche (93) die auf der anderen Oberfläche der >o Platte (91) befindlichen ersten beiden Leitungsabschnitte (67b, 61a) überdeckt und mil dem einen Ende des ersten Leitungsabschnitts (676,1 elektrisch verbunden ist und daß eine zweite leitende Grundfläche (95), die mit den dritten und vierten 2~> Leitungsabschnitten (696, 69a,> einen zweiten abstimmbaren Schwingkreis (68) bildet, auf der anderen Oberfläche der Platte (91) gegenüber den dritten und vierten Leitungsabschnitten (696, 69a^ angeordnet ist »»

2. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die ersten beiden Leitungsabschnitte (676,67a) langgestreckte und axial miteinander ausgerichtete Teile sind, die sich von einem Rand der Platte (91) zu deren entgegengesetztem Rand i* hin erstrecken, und daß das eine Ende des ersten Leitungsabschnitts (676,/mit der ersten Grundfläche (93) durch einen leitenden Pfad verbunden ist, der um den einen Rand der Platte herumführt.

3. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, ■"' dadurch gekennzeichnet, daß die ersten beiden Leitungsabschnitte (676, 67a) so dimensioniert sind, daß sich der erste Leitungsabschnitt (67b) oberhalb 890 MHz in Lambda/4-Resonanz befindet, während sich der zweite Leitungsabschniti (67a) oberhalb ·*■> 890 MHzin Lambda/2-Resonanzbefindet.

4. Abstimmeinrichtung nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Leitungsabschnitt (73a) so dimensioniert ist, daß er sich oberhalb 931 MHz in Lambda/2-Resonanz befindet, w während sich der erste Leitungsabschnitt (736,) oberhalb 931 MHz in Lambda/4-Resonanz befindet.

5. Abstimmeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des ersten Leitungsabschnitts (7Sb) so « bemessen ist, daß der Einfluß der Verluste des ersten Bauelements (87) mit spannungsabhängiger Kapazität auf den Gütefaktor Q des Schwingkreises kleiner ist als bei einem Schwingkreis ohne den ersten Leiiungsabschnilt, andererseits aber der Schwing- «> kreis mittels des Kapazitälsbereiehes dieses Bauelements über einen vorgegebenen Bereich von UHF·"-Frequenzen abstimmbar ist.

b. Abslimmeinrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt *> (67b) mit dem zweiten Leitungsabschnitt (67a) und der dritte Leilungsabschnitt (f>9b) mit dem vierten Leitiingsabschnitt (69a)ax'ta\ ausgerichtet sind.

7. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leitungsabschnitt (673 bzw. 69a^jedes der abstimmbaren Schwingkreise (66 bzw. 68) oberhalb einer gegebenen Frequenz in Resonanz ist bei einer Spannungsnullstelle, die auf dem entsprechenden Leitungsabschnttt zwischen der Mitte und dem Ende, an dem sich das Bauelement (75, 79) mit änderbarer Kapazität befindet, liegt, und daß der jeweils andere Leitungsabschnitt (676,696J der Schwingkreise elektrisch mit der entgegengesetzt angeordneten leitenden Grundfläche (93 bzw. 95) verbunden ist

8. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet daß die gegebene Frequenz ungefähr die Mittenfrequenz des Frequenzbandes ist, über welches der Schwingkreis abstimmbar ist.

9. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß zur Bildung einer Zweikreis-Resonanzschaltung auf der Oberfläche der Platte (91) gegenüber der zweiten leitenden Grundfläche (95) ein fünfter Leitungsabschnitt (716,) und im Abstand hiervon ein sechster Leitungsabschniti (7Ia^angeordnet sind, zwischen welche ein weiteres Bauelement (83) mit veränderbarer Kapazität geschaltet ist

10. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet daß der dritte und fünfte Leitungsabschnitt (696, 7\b) und der vierte und sechste Leitungsabschnitt (69a, 71a,) miteinander für eine Hauptkopplung zum oberen bzw. unteren Ende des gewünschten Frequenzbandes hin durch Kopplungsanordnungen (108 bzw. 106) verbunden sind, die über das Frequenzband eine gleichmäßige Kopplung zwischen den beiden Schwingkreisen (68, 70) herstellen.

11. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet daß die beiden Kopplungsanordnungen (106, 108) jeweils eine Induktivität enthalten.

12. Abstimmeinrichtung nach Aujpruch !,dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt (676^ mit dem Emitter eines Tratisistors (82) und der vierte Leitungsabschnitt (69a) mit dem Kollektor dieses Transistors gekoppelt sind.

13. Abslimmeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt (676J auf der anderen Oberfläche der dielektrischen Platte (9!) zu deren einem Rand hin und der dritte Leitungsabschnitt (696/auf der einen Oberfläche der Platte zu einem anderen Plattenrand hin angeordnet sind.