DE2113792C3 - Oszillatorschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung mit einer Anordnung zum Unterdrücken von Störschwingungen, deren Frequenz oberhalb eines Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegt, feiner mit einer Hochfrequenzleiiung. welche einen länglichen Leiterabschnitt enthält, der auf einer Trägerplatte angeordnet ist sowie über einem auf der entgegengesetzten Seite der Trägerplatte befindlichen Massecbencnbercich liegt, und welche auf über der Betriebsfrequen/ liegenden Störfrequenzen schwingen kann, bei denen an einer bestimmten Stelle der Hochfrequen/Ieitung ein Spannungsknoten auftritt, und mit einem Transistor, dessen Basis-, Emitter- und Kollektorelektrode zur Aufrechterhaltung von Schwingungen einer durch die Hochfrequenzleitung bestimmten Frequenz mit einer Rückkopplungsschaltung verbunden sind.

Aus der US-PS 34 83 483 ist eine Oszillatorschallung bekannt, welche auf einer dielektrischen Platte ausgebildet ist. die auf mindestens einer Oberfläche eine in leitende Bereiche unterteilte Metallschicht aufweist. Die leitenden Bereiche sind streifenförmig ausgebildet und jeweils in Reihe mit einer Kapazitätsdiode geschaltet, so daß sie als abstimmbare Schwingkreise wirken Zwei dieser abstimmbaren Kreise sind in eine Rückkopplungsschaltung mit einem Transistor einbe/.ogcn die einen Oszillator darstellt.

Die frequenzbestimmenden Netzwerke von UHF-Oszillatorschaltungen können im allgemeiner auch bei anderen Frequenzen als der Sollfrcqucn; schwingen. Es besieht daher die Gefahr, daß die Oszillatorschaltung nicht bei der Sollfrcquenz sondern be einer Störlrequenz schwingt. Auch wenn der Oszillatoi auf i>r Sollfrequcnz schwingt, kann eine unerwünschte Herabsetzung der Ausgangsspannung der Soll- odci Grundfrequenz eintreten, wenn die Störfrequenz ir einem Oberwellen-Verhältnis zur Sollfrequenz, steh und der abstimmbare Kreis auf eine Frequenz in dei Nähe der Grundfrequenz der Störschwingungen abge stimmt wird.

Aus der FR-PS 13 54 299 ist eine Tiinerschalliing mi eitiem abgestimmten Lcitungsi i'sonator bekannt, be welchem ein Spannungsknoten der höchsten im Be triebsfrcqucn/bcreich vorkommenden Frequenz übe eine als magnetische Kopplung wirkende Koppelschlei fe mit dem Eingang eines Os/illator-Mischer-Transi stors gekoppelt ist. Dieser Spannungsknoteii ist so ge wählt, dall die Oszilla'.orschwingungcn durch Rück kopplung auch bei Frequenzabweichungen im Sinn eines konstanten Oszillatorausgangssignals aufrechte]

halten werden. Eventuellen Instabilitäten infolge parasitärer Oberschwingungen soll durch entsprechende Bemessung eines die Basis des in Basisgrundschaltung betriebenen Eingangstransistors mit Masse verbindenden Kondensators begegnet werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe einer Oszillatorschaltung, bei der Störschwingungen, deren Frequenzen oberhalb des Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegen, noch wirksamer unterdrückt werden. Diese Aufgabe wird durch die im An-Spruch 1 angegebenen Merkmale gelöst. Hierdurch wird eine sichere Unterdrückung von Störschwingungen gewährleistet.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung kann die Masieebene ein Fenster enthalten, durch das die dielektrische Platte freigelegt wird. In dem Fenster der Grundplatte sind dann leitende Bereiche angeordnet, die als Schaltungskapazitäten für die Oszillatorsehaltung verwendet werden können.

Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung soll im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigt

F i g. 1 ein Schaltbild eines UHF-Tuners für ein Fernsehgerät, der eine Oszillatorschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält.

F i g. 2 eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht des Tuners gemäß F i g. 1.

F i g. 3 die Unterseite des Tuners gemäß F i g. 2.

F i g. 4 die linke Seite des Tuners, wobei Deckel und Chassis weggebrochen sind, um die Bestandteile des Tuners sichtbar zu machen,

F i g. 5 eine rechte Seitenansicht des Tuners ähnlich F 1 g. 4.

F i g. 6a bis 6e eine Reihe von Kurven stehender Spannungswellen zur Erläuterung der Betriebsweise des Tuners und

F i g. 7a bis 7e eine Folge von Kurven stehender Stromwellcn, die den Kurven gemäß Fin.b entsprechen.

In der Zeichnung sind gleiche Teile durchgehend mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der dargestellte UHF Tuner enthält eine HF-Verstärkcrsiufe 54. eine Üszillatorstufe 56, eine Mischstufe 58 und eine ZF-Verstärkerstufe 60. Er besitzt vier abstimmbare Schwingkreise 66, 68, 70 und 72, von denen der Schwingkreis 72 die Schwingungsfrequenz der Oszillatorstufe 56 bestimmt. Er enthält eine Überiragungslcitungsanordnung. die mittels Kapazitäisvariationsdioden abgestimmt wird. Die HF-Leitung enthält leitende Elemente, die auf beiden Oberflächen einer dielektrischen Platte ausgebildet sind, nämlich Abschnitte 73a und 73£>. Das eine Ende des zweiten Leitungsabschnittes 736 liegt an einem Be/.ugspotcntial. Dieses Paar von Leilungsabschniticn arbeitet /usammen mn der aiii der entgegengesetzten Seite der dielektrischen Platte befindlichen Masse- oder Grundchene als HF-I.eiiimgen

Zwischen die beiden Abschnitte der /usammeng·:- setzten Hl -Leitung sind eine Abstimm-Kapa/iiaisdiode 87 sowie eine abgleichbare Gleichlaulinduk'·¹. Mai XH geschaltet. Die in Reihe liegende Kapazitätsdiode H7 hat einen Kapazitätswert, dessen Größe sich umgekehrt mit der Größe der an die Diode angelegten ^(>5 Sperrvorspannung änJi-ri. Der Schwingkreis 72 der Os-/ilhitorstufe 56 kann im Frequenzbereich /wischen i\ i MH/ und 9}1 MHz schwingen.

Der zweite Abschnitt 736 und der erste Abschnitt 73;/ des zum Oszillator gehörenden Schwingkreises 72 weisen bei einer Frequenz oberhalb 931 MHz λ/4-Resonanz bzw. λ/2-Resonanz auf.

Die Resonanzfrequenz jedes Abschnitts kann dadurch gemessen werden, daß man die Abstimm-Kapazitätsdiode und die abgleichbare Gleichlaufinduktivität elektrisch abtrennt und dann in den zu untersuchenden Abschnitt einen Einheiisenergieimpuls eingibt. Auf Grund dieses Einheitsimpulses wird der Abschnitt gleichzeitig bei mehreren zusammenhängenden Frequenzen ansprechen, die beispielsweise mittels eines Osv.iilographen gemessen werden können. Die Grundresonanzfrequenz ist die im ansprechenden Abschnitt festgestellte niedrigste Frequenz. Die Resonanz kann alternativ dadurch bestimmt werden, daß man bei einer festen Frequenz die Verhältnisse der siehenden Wellen längs des Abschnittes mißt, um die Maxima und Nullstellen (Knoten) der Spannung zu bestimmen.

In einer leitenden Verkleidung (F i g. 2) ist ein dielektrischer plattenförmiger Tragkörper ¹M montiert, der die zusammengesetzten HF-Leitungen trägt. Die Verkleidung umfaßt losbare Deckel 99 und 101 und ein Rahmenteil oder Chassis 97. Auf entgegengesetzten Seiten des Tragkörpers 91 befinden sich zwei Masseebenenabschnitte 93 und 95 (Fig. 4. 5. b und 7). Die zusammengesetzte HF-Leitung 73 ist gegenüber dem zugehörigen Masseebenenabschnitt 95 angeordnet.

Der Tragkörper 91. der ungefähr 86 mm hoch, 89 mm breit und 1.3 mm dick ist. wird aus einem Aluminiumoxidmaterial gefertigt, das aus ungefähr 85".'n M.'Oi und 15"/(i einer Mischung aus Kalziumoxid. Magnesiumoxid und .Siliziumdioxid besteht. Das auf beide Oberflächen des Substrates aufgebrachte leitfähige Muster ist ungefähr 18μηι dick und besteht aus Silber und Cjlas. das bei 900 C verschmolzen worden ist. Das gesamte Muster ist mit einer Verkupferung überzogen, deren Dicke 5 bis 13μηι beträgt. Ein gegen Feuchtigkeit und Lötmittel beständiges gehortetes Silicon ist aul den gesamten Tragkörper und das verkupferte Muster mit Ausnahme der in F i g. 4 und 5 schraffiei ten Teile und der Kontaktflächen, die /um elektrischen Anschluß der Bauelemente des Tuners an das Muster des Trag körpers dienen, aufgebracht.

Die Resonanzfrequenz der H(--Leitungen wird durch ihre Gesamtreaktanz bestimmt, welche die Blindwider stände der oberen und unteren fluchtenden Abschnitte der Kapazitätsvariationsdiode und der abgleichbarer Gleichlaufinduktiviiä! umfaßt. Der vom oberen Abschnitt beigesteuerte Blindanteil ändert sich nichtlincai mit der Frequenz, während der Blindanteil der Kapa/i tätsdiode und der Gleichlaufinduktivität eine kapazitive Reaktanz ist. deren Größe durch die Abstimmspannunj festgelegt ist. Durch justieren der Abslimmspannunj wird die kapazitive Reaktanz geändert und die HF-Lei Hing über das Frequenzband abgestimmt. Damit ei' nc'Miger Gleichlauf /wischen dem Oszillator und der abstimmbaren HF-Schw ingkreisen gewährleistet isi muß der abstimmhare Schwingkreis des Oszillators Ki leden Lmsiellw ert der -\bsiiinmspannung um einen ge geber en konstiiiiten lienag oberhalb der abstimmba ren III -Schwingkreise schwingen. Der ungleich ge lormte innere M¹S₁. hnitt des abstimmbaren Oszillator Scliw ngkreises hai eine Abwandlung der Ändenmgs rate der Gesamtrcakian/ mn der I requenz zur FoIin Insbesondere weist der Liniere Abschnitt der III-Lei ¹MHg des Oszillators eine praktisch lineare Verjungunj aul.

Die Oszillatoi stufe 56 enthüll einen Γι .msistor 126. der als abgewandelter Colpitls-Oszillator geschähet ist. dessen Frequenz durch den absümmbarcn Schwingkreis 72 bestimmt wird. Die Betriebsspannung für den Transistor 126 des Oszillators wird von der Beiriebsspaiinungsquelle über die Klemme 84. die Induktivität 86 und den Widersland 120 einem Verbindungspunkt 128 zugeführt, der mittels eines Durehführungskondensators 130 für IJHI·"-Schwingungen nach Masse überbrückt ist. Die Spannung am Verbindungspunkt 128 ge langt /um Kollektor des Transistors 126 über einen Widerstand 132 und eine Hl Drossel 134. Her Lmiiter des Transistors liegt für Gleichstrom über einen Widerstund 136 an Masse. Die Basisvorspannung wird \on einem Spannungsteiler mit Widerstanden 138 und 140 geliefert, der /wischen den Verbindungspunkt 128 und Masse geschaltet ist. Zur Schaffung eines frequenzabhängigen Signalweges liegt /wischen der Basis des Transistors 126 und Masse ein Kondensator 142.

Kin Kondensator 144 verbindet den Kollektor des Transistors 126 mit dem Schwingkreis 72. Zur Aulrechterhaltung einer Schwingung wird ein Teil der am Kollektor des Transistors erzeugten Spannung durch einen kapazitiven Spannungsteiler mit drei Kondensatoren 146. 148 und 150 zum Emitter des Transistors gekoppelt. Damit ein weiter Bereich der Steilheit von Transistoren in der Oszillatorstufe benutzt werden kann, wird fur den Kondensator 148 ein mit Verlust behafteter Kondensator gewählt, d. h. ein Kondensator, der eine frequenzabhängige ohmsche Komponente besitzt, die den Oszillatortransistor bei den höheren Frequenzen ohmisch belastet.

Da der abstimmbare Schwingkreis 72 eine M! Leitung mit niedriger Impedanz und einem Aluminiumo\id-Dielektrikuni enthalt, is¹, zum Zwecke einer Impedanzanpassung ein Koppeikondensaior S44 erforderlich, der einen relativ großen Wen hat (im Vergleich mit einer z./2-l.eitung mit hoher Impedanz und i.uftdielektrikum in einem typischen UHF-Fcrnsehuiner). Dies erfordert große Kondensatoren im kapazitiven Spannungsteiler, um brauchbare Sigr.ilrückkopplungsspannungen zu gewährleisten.

Die Kondensatoren 144. 146. 150 sind leitende !"lachen, die auf dem Tragkörper 91 ausgebildet sind (F ι g. 4 und 5). Der Kondensator 144 besteht aus einer leitenden Fläche 501 gegenüber einer leitenden Fläche 503 auf der entgegengesetzten Seite des Tragkorpcrs innerhalb eines Fensters 505 im Grundebenenabschniu 95. Der Kondensator 146 wird durch die leitende Fläche 503 und eine leitende Fläche 507 gebildet, welche sich innerhalb des Fensters 505 neben der Fläche 503 befindet. Der Kondensator 150 schließlich wird durch die leitende Räche 507 in Zusammenwirkung mit dem in F i g. 5 rechts von der leitenden Fläche angrenzenden Teil der Grundebene 95 gebildet. Die Kondensatoren 144, 146 und 150 können ebenso wie die übrigen leitenden Rächen als gedruckte Schaltung hergestellt werden. Dadurch wird sichergestellt, daß alle Kapazitäten bei der Massenproduktion genau und durchgehend gleichbleibend hergestellt werden. Infolge der Gleichmäßigkeit der Kapazitäten von Tuner zu Tuner kann praktisch ausgeschlossen werden, daß ein Tuner auf Grund von Veränderungen oder einer Fehlausrichtung der Komponenten beim Zusammenbau ausfällt oder mangelhaft arbeitet.

Der abstimmbare Schwingkreis 72 des Oszillators weist eine unerwünschte Resonanz bei ungefähr 1400MHz auf. Diese parasitäre Resonanzfrequenz wird durch die Kapazität der Kapazitätsdiode 87 nicht nennenswert becinfluf.il. Bei den angegebenen Werten d.r Komponenten hat sich gezeigt, dall sich die unerwünschte Resonanzfrequenz bei einer Kapa/itatsände-

s rung von ungefähr Ii pl um etwa b() MHz ändert.

Die parasitäre Resonanzfrequenz ist eine /weite Oberwelle einer Grundwelle. die bei 700 MHz liegt und somit innerhalb des gewünschten UHF-Frequenzbandes des Oszillators liegt. Man kann eine Verringerung

ίο der Grundlrequenz-Signalspannung ties Oszillators feststellen, wenn der Schwingkreis 72 so justiei t ist, dall er in der Nähe dieses Wertes schwingt, wodurch das lur die Mischdiode 110 des Tuners zur Verfügung stehende Oszillatorsign.il herabgesetzt wird. Fs ist anzunehmen.

is daß die Verringerung der Grundfrequenz-^S!gnalspannung des Oszillators von einem durch die parasitären .Schwingungen bedingten l.eistungsentzug herrührt

Damit parasitäre Resonanzen verhindert werden und die Spannungsvemngerung möglichst klein ist. ist tier erste Abschnitt 73.) >.ii_i zusammengesetzten HF-1.ei lung des Oszillators am Spannungsnullpunkt für die parasitäre Frequenz mit dem Transistor 126 des Oszillators gekoppelt. Dadurch wird erreicht, daß nur minimale Slörsignalenergie vom Schwingkreis 72 durch den

2s Koppelkonde'.sator 144 zum Transistor 126 übergeht.

Da der Masseebenenabschnitt 95 der zusammengesetzten HF-Leitung des Oszillators keine unendliche eirolle und Leitfähigkeit besitzt, fließt in der Masseebene ein Strom, der Spannungen hervorruft. Fun Spannungskoppelpfad leitet diese Spannungen vom Masse ebenenabschniti 95 über iinen Kondensator 142 zur Basis des Os/illato^rtransistors. Wenn der in der Grutidebene fließende Strom aiii die parasitäre Resonanz zurückzuführen ist. unterstützt der Koppelpfad diese Resonanzart. weil das an die Basis des Transistors angelegte Störsignai eine Basis-Kollektor-Differenzspannung hervorruft, die in den Rückkopplungskreis des Oszillators eingeführt wird. Um diesen Fffekt möglichst klein zu halten, ist der Kondensator 142 auf dem Masseebenenabschnitt 95 direkt über dem Schwingungsknoten der parasitären Schwingung auf dem ersten Abschnitt der zusammengesetzten HF-Leitung des Oszillators angeordnet.

Der Kondensat.>r 142 wird lediglich durch eine Scheibe 509 gebildet (Fig. 5). Die Scheibe 509 besieht aus dielektrischem Material und weist auf ihren entgegengesetzten Seiten leitende Flächen auf. Mit der einen leitenden Fläche ist die Basis des Transistors 12b elektrisch verbunden, während die entgegengesetzte leiten-

de Fläche auf dem Masseebenenabschnitt über dem Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des Kondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollektor-Basis-Übergang des Transistors über die beiden Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden Elektroden mit dem Schwingkreis koppeln, ein minimaler Störsignal-Spannungsgradient angelegt wird. Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspannung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt

Die hohe Dielektrizitätskonstante des Aluminiumoxid-Tragkörpers beschränkt in Verbindung mit dem geringen Abstand zwischen den zusammengesetzten HF-Leitungen und ihren zugehörigen Masseebenenabschnitten die elektromagnetischen Felder.

Eine Quelle 175 für eine veränderbare Abstimmf> 5 gleichspannung zum Vorspannen der Kapazitätsdioden der vier abstimmbaren Schwingkreise hat einen Innenwiderstand von 1000 Ohm und ist zwischen die Klemme 176 und Masse geschaltet. Die Klemme 176 ist für

HF-Signale mittels eines Durchführungskondensator 177 (nach Masse) überbrückt. Die Abstimmgleichspannung wird über Widerstände 178 und 180 an einen Verbindungspunki 190 angelegt, welcher einen gemeinsamen Abstimmpotcntialpunkt für die vier abstimmbaren Schwingkreise darstellt. Dem Os/illatorkreis wird die AbMimmspannung über eine Hl-Drossel 188 zugeführt.

Bei einem Kapazitätsbereich der Kapa/itaisdioden von ungefähr 1 3 pF läßt sich der Oszülator-Sehwingkreis über sein Frequenzband abstimmen.

Die Schwingungsverhältnisse bei der Abstimmung der Schwingkreise (HF-Leitungen) werden aus F i g. b und 7 verständlich, welche die stehenden Spunnungs- bzw. Stromwellen längs der Leitung 67 /eigen, die am oberen Rand der Figuren dargestellt ist. Für den Os/il latorleitungskreis gilt entsprechendes. Um die Leitung 67 auf die höchste Frequenz innerhalb des UHF-Bandes abzustimmen (F i g. 6b). wird an die Kapazitätsdiode eine solche Spannung angelegt, daß ihr Kapa/itätswert eine solche Resonanzschwingung der Leitung bewirkt, daß sich ein Spannungsnullpunkt auf dem Leitungsabschnitt 67a an einer Stelle zwischen der Mitte und dem diodenseitigen Ende des Abschnitts befindet. Eine Steigerung der Diodenspannung verkleinert die Diodenkapazität und bewirkt, daß die Leitung bei einer höheren Resonanzfrequenz schwingt. Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert dabei zur Mitte des Abschnitts hin (F i g. 6a). Bei einer Verkleinerung der Vorspannung der Diode wächst ihre Kapazitat. so daß die Leitung auf einer niedrigeren Resonanzfrequenz schwingt. Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert nun zu seinem diodenseitigen Ende hin. Die Größe der Frequenzänderung bei einem gegebenen Kapazitätszuwachs hängt vorn Wellenwiderstand der Leitung ab. der seinerseits eine Funktion der Leitungsbreite, des Abstands von der Grundebene und des Dielektrikums des Zwischenmediums ist.

Bei einer weiteren Verringerung der an die Diode angelegten Spannung und einer entsprechenden Senkung der Resonanzfrequenz der Leitung wird ungefähr bei der Mitte des gewünschten Frequenzbandes ein Punkt erreicht (F i g. 6c). wo die Diodenkapazität in Scrienresonanz mit dem Induktivitätswert der justierbaren Gleichlaufinduktivitäi 77 und dem Leitungsabschnitt 67£> kommt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67;j ganz bis /u dessen diodenseitigem Ende gewandert.

Eine noch weitergehende Verringerung der Vorspannung der Diode senkt die Resonanzfrequenz der Leitung weiter (F i g. bd und be). Die Spannung am dmdenseitigen Ende des Abschnitts 67,) steigt an, und die Leitung arbeiitet mit einer modifizierten λ/4-Rcsonan/.

Dadurch, daß die Kapazitätsdiode vom an Masse liegenden Ende der Leitung entfernt ungeordnet ist, kann ein hoher Gütefaktor aufrechterhalten werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß die Kapazitätsdiode sich an einer Stelle mit im Vergleich /um Masseende der HF-Leitung niedrigerem Strom befindet (F 1 g. 7). Infolgedessen werden die Gleichstromverluste (1-'R) der Diode auf einen Minimalwert herabgesetzt.

Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die Diode 87 gemäß F i g. 1 des Oszillators eine Sperrvorspannung von ungefähr 1.0 V. Die an der Diode abfüllende Os/illatorspannung hat während eines Teiles jeder Periode eine solche Amplitude, dall sie die Diodensperrspannung übersteigt, wodurch eine Gleichrichtung der Oszillatorspannung bewirkt wird. Die gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspannung, wodurch die Kapazität der Diode 87 kleiner wird. Dies wiederui hat zur Folge, daß der Schwingkreis 73 auf eine andere Frequenz abgestimmt wird. In den abstimmbaren HF-Schwingkreisen 66. 68 und 70 findet keine Gleich richtung statt, weil das UHF-Signal in diesen Kreisen 1 der Größenordnung von Millivolt liegt, im Gegens.it zu der Spannung von ungefähr 1.0 V im Schwingkrei des Oszillators. Um den Verstimmungseffekt möglichs weitgehend zu beseitigen, wird der Gesamtwiderstam von der Diode 87 durch die Abstimmgleichspannungs leitung und die Quelle 175 nach Masse so gewählt, dai. er klein im Vergleich zu der Ausgangsimpedanz dei Os/illatorsuifc in'. Hierdurch ist die Abstimmgleich spannung an der Klemme 176 vorherrschend bei de Steuerung der Spannung über der Diode, da der durcj den Gesamtwiderstand fließende Diodenstrom eine rc| laiiv kleine Spannung abfallen läßt, welche die über de| Diode liegende mittlere Gleichspannung nicht ne nenswert ändern kann.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

1. Patentansprüche:

   ). Oszillatorschallung mit einer Anordnung zum Unterdrücken von Störschwingungen, deren Frcquenz oberhalb eines Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegt, ferner mit einer Hochfrequenzleitung, welche einen länglichen Leiterabschnitt enthält, der auf einer Trägerplatte ungeordnet ist sowie über einem auf der entgegengesetzten Seite der Trägerplatte befindlichen Masseebenenbereich liegt, und welche auf über der Betriebsfrequenz liegenden Störfrequenzen schwingen kann, bei denen an einer bestimmten Stelle der Horhfrequenzjeitung ein Spannungsknoten auftritt, und mit einem Transistor, dessen Basis-, Emitter- und Kollektorelektrode zur Aufrechterhaltung von Schwingungen einer durch die Hochfrequenzleitung bestimmten Frequenz mit einer Rückkopplungsschaltung verbunden sind, dadurch gekenn/eichnet. daß die Kollektorelektrode des Transistors (126) mit der Stelle der Hochfrequenzleitung (72) gekoppelt ist. an der der Spannungsknoten auftritt, und daß die Rückkopplungsschaltung (72. 142. 144. 146. 150) ein Impedanzelement (142) enthält, das zwischen die Basis- oder Emitterelektrode des Transistors und einen dem Spaniuingsknoten auf der Hochfrequenzleitung gegenüberliegenden Punkt der Masseebene (95) geschaltet ist.
2. 2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors (126) über einen Kondensator (144) mit der Stelle der Hochfrequenzleitung (72). an der der Spannungsknoten auftritt, gekoppelt ist.
3. 3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das Impedanzelemem (142) ein Kondensato' ist.
4. 4. Oszillatorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzleitung (72) zwei fluchtende Lei-Uingsabschnitte (73a, 73b) enthält, die Jeweils mit einem Ende elektrisch mit der Masseebene verbunden sind.
5. 5. Oszillatorschallung nach einem d'er vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Masseebenebereich (95) ein Fenster (505) enthält, in dem die dielektrische Trägerplatte (91) frei liegt, und daß innerhalb dos Fensters der Masseebene ein leitender Bereich (503) angeordnet ist, der einen Teil der Rückkopplungsschaltung (72. 142, 144. 146,150) bildet.
6. 6. Oszillatorschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Fenster (505) der Masseebenc (75) noch eine zweite leitende Fläche (507) angeordnet ist.
7. 7. Oszillatorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden leitenden Flächen (503, 507) einen Kondensator bilden, der Imitier und Kollektor des Transistors (126) verbindet.
8. B. Os/.illalorschaltung nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, daß auf der Trägerplatte (91) eine dritte leitende Flache (501) so angeordnet ist. daß sn· von der ersten und /weiten leitenden Flache (503. 507) auf der entgegengesetzten Seile der Tragerplane (91) überdeckt wird, und daß die einan- ⁶^ der gegenüberliegenden leitenden !'lachen (503. 507. 501) zusammen eine kapazitive Kopplung /vusehen der Kollcktorelektrode des Transistors (126) und dem länglichen leitenden Abschnitt der Hochfrequenzleitung (72) bilden.
9. 9. Oszillatorschahung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste oder zweite leitende Fläche (503. 507) mit der benachbarten Fläche der Masseebene (95) eine Kapazität bildet, die die Emitterelektrode des Transistors (126) mit dem leitenden Masseebenebereich (95) koppelt.
10. 10. Oszillatorschaltung nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (91) aus einem dielektrischen Material hoher Dielektrizitätskonstante besteht.
11. 11. Oszillatorschaltung nach Anspruch 10. dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (91) aus einer Aluminiumoxidverbindung besteht.