DE2753629A1 - Schaltungsanordnung fuer spannungsgesteuerte oszillatoren - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer spannungsgesteuerte oszillatoren

Info

Publication number
DE2753629A1
DE2753629A1 DE19772753629 DE2753629A DE2753629A1 DE 2753629 A1 DE2753629 A1 DE 2753629A1 DE 19772753629 DE19772753629 DE 19772753629 DE 2753629 A DE2753629 A DE 2753629A DE 2753629 A1 DE2753629 A1 DE 2753629A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
varactor
oscillator
electrodes
circuit arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19772753629
Other languages
English (en)
Other versions
DE2753629C2 (de
Inventor
Zvi Galani
Joseph Arthur Sullivan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RAYTHEOO CO
Original Assignee
RAYTHEOO CO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RAYTHEOO CO filed Critical RAYTHEOO CO
Publication of DE2753629A1 publication Critical patent/DE2753629A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2753629C2 publication Critical patent/DE2753629C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0002—Types of oscillators
    • H03B2200/0006—Clapp oscillator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Ίΐ:. rj7 COC 3 ."/'JNCHEN 2
L. O 03 / 5OS7a4
München, den 1. Dezember 1977 Anwaltsa ktenz. : 27 - Pat. lt>2
Raytheon Company, 141 Spring Street, Lexington, Mass. 02173, Vereinigte Staaten von Amerika
Schaltungsanordnung für spannungsgesteuerte Oszillatoren
Die Erfindung bezieht sich ganz allgemein auf spannungsgesteuerte Oszillatoren, insbesondere auf solche, bei denen der Ausgangskreis vom Abstimmkreis getrennt ist.
Die Verwendung von Varaktoren mit einer von der Spannung abhängigen Kapazität zur Abstimmung von Resonanzkreisen ist allgemein bekannt. Durch Änderung der am Varaktor anliegenden Vorspannung im Resonanzkreis eines Oszillators, z.B. eines Clapp-Oszillators, kann so die Frequenz des Ausgangssignals des Oszillators beeinflußt werden. Dabei wird dies Ausgangssignal beim Clapp-Oszillator allgemein an einem Teil
809823/0800
des Resonanzkreises abgegriffen mit der Folge, daß die Ausgangsleistung sich abhängig von der Frequenz ändert. Um dennoch die Ausgangsleistung bei sicher ändernder Frequenz konstant zu halten, ist eine zusätzliche Rückkopplung, wie sie z.B. den US-PS 3 370 254, 3 723 906 oder 3 899 755 entnehmbar ist, erforderlich. Obwohl alle der hieraus bekannten Möglichkeiten äußerst wirksam sind und abstimmbare Oszillatoren mit einer weitgehend konstanten Ausgangsleistung ermöglichen, bleiben dabei eine Reihe gleichwichtiger Probleme ungelöst, so z.B. die Erzeugung von Geräuschen durch Frequenzmodulation (FM-Geräusche) des Oszillators und der Einfluß von Ausgleichsvorgängen auf den Oszillator.
Um sehr kleine FM-Geräuschpegel bei Betrieb des Clapp-Oszillators zu erzielen, muß der Gütefaktor Q aus der Kombination von Resonanzkreis des Oszillators und der Last so hoch wie
möglich sein. Bei einer direkt an den Resonanzkreis angeschlossenen Last aber wird der Gütefaktor Q durch die Last nach oben hin begrenzt, so daß bei jeder praktischen Ausführung ein merklicher Geräuschpegel in Kauf genommen werden muß. Weiterhin führt/den üblichen Clapp-Oszillatoren jegliche Fehlanpassung zwischen der Last und dem Oszillator zu dem als "Frequenzziehen" oder Verstimmung des Oszillators bekannten Phänomen. Die Anlaufzeit und die Drift nach Abstimmung von Oszillatoren der hier betrachteten Art wird in erster Linie von der Größe der für die Abstimmung verbrauchten Leistung bestimmt. Bei den
Üblichen Clapp-Oszillatoren ist der Varaktor des Resonanzkreises ebenso ein Bestandteil des Ausgangskreises. Damit aber ist die Größe der vom Varaktor verbrauchten Leistung ebenso abhängig von der Ausgangsleistung des Oszillators. Folglich läßt sich ein befriedigendes Arbeiten der Clapp-Oszillatoren nur bei niedrigen Leistungspegeln erreichen.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung für einen spannungsgesteuerten Oszillator zu schaffen, der auch bei Auftreten von Ausgleichsvorgängen betriebsfähig ist, nur
809823/0800
- 2Γ-
einen sehr geringen FM-Geräuschpegel aufweist und über den gesamten Abstimmbereich eine konstante Ausgangsleistung liefert.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch eine Schaltungsanordnung gelöst, die gekennzeichnet ist durch ein Halbleiterelement mit drei Elektroden, von denen die erste geerdet ist,
mit der zweiten Elektrode verbundene Schaltmittel, bestehend aus einer Induktivität, einem Kondensator und einem Varaktor, die einen zur Innenkapazität zwischen den beiden ersten Elektroden parallel liegenden Resonanzkreis bilden, einen Rückkopplungskreis, bestehend aus der Innenkapazität zwischen der ersten und der dritten Elektrode, einen mit der dritten Elektrode verbundenen Ausgangskreis mit einem veränderbaren Kondensator zur Anpassung des Scheinwiderstandes des Ausgangskreises,
Schaltmittel zur Beaufschlagung der zweiten und dritten Elektrode mit einer Vorspannung und zur Steuerung der Kapazität des Varaktors und damit der Arbeitsfrequenz.
Bei einer derartigen Anordnung ist der Resonanzkreis wirksam vom Ausgangskreis bei optimaler Anpassung der Last getrennt, so daß die eingangs beschriebenen Nachteile weitgehendst entfallen.
Einzelheiten der Erfindung seien nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert .
Gemäß dem in der Zeichnung dargestellten Schaltbild weist der spannungsgesteuerte Oszillator 10, nachfolgend einfach als Oszillator 10 bezeichnet, einen npn-Transistor 12 auf mit einer ersten Elektrode 11 als Kollektor, einer zweiten Elektrode 13 als Basis und einer dritten Elektrode 15 als Emitter. Der Kollektor 11 ist direkt geerdet. Die Basis 13 ist mit
809823/0800
einer Spule 17, einem Festwertkondensator 19 und einem Varaktor 21, im vorliegenden Falle eine Diode, in Reihe geschaltet. Der nicht bezeichnete Anodenanschluß des Varaktors ist ebenfalls geerdet, während der Kathodenanschluß - ebenfalls nicht bezeichnet - über eine Drosselspule 23 mit einem Ableitkondensator 25 und einer veränderbaren Spannungsquelle zur Beaufschlagung des Varaktors mit einer positiven Vorspannung V+ verbunden ist. Der Resonanzkreis des Oszillators 10 besteht aus dem Varaktor 21, dem Festwertkondensator 19, der Spule 17 und der Kollektor-Basis-Kapazität des npn-Transistors 12. Die Kapazität des Varaktors 21 kann dabei durch Änderung des positiven Vorspannungspotentials V+ in an sich bekannter Weise geändert werden. Da die Art und Weise der Änderung des positiven Vorspannungspotentials V+ keinen wesentlichen Bestandteil der Erfindung darstellt, die Erfindung vielmehr ohne derartige Einzelheiten verstanden werden kann und viele Möglichkeiten hierzu dem Fachmann bereits geläufig sind, wurde auf eine Darstellung derartiger Einzelheiten verzichtet. Die Drossel 23 und der Kondensator 25 dienen dazu, die Hochfrequenz des Resonanzkreises des Oszillators 10 von der das positive Vorspannungspotential V+ liefernden Spannungsquelle fernzuhalten.
Die erforderliche Rückkopplung des Oszillators 10 wird durch die Emitter-Kollektorkapazität des npn-Transistors 12 bewirkt. Wie man sieht, wird das hochfrequente Ausgangssignal des Oszillators 10 vom Rückkopplungsnetzwerk abgeleitet, wobei ein Kondensator 27 zur Anpassung des verhältnismäßig niedrigen Scheinwiderstandes der Emitter-Kollektor-Strecke des npn-Transistors 12 an die Last dient, die im vorliegenden Fall aus einer 50-Ohm-Leitung besteht, die mit RF-OUTPUT bezeichnet ist. Der Kondensator 27 ist z.B. ein mechanisch abstimmbarer Kondensator mit veränderlicher Kapazität, der aber durch einen Festwertkondensator ersetzt werden kann, wenn der optimale Kapazitätswert festliegt.
809823/0800
Der Emitter 15 ist über eine Drossel 29 einerseits mit einem Ableitkondensator 31 und andererseits über einen Widerstand sowohl mit einem Ableitkondensator 31' als auch mit einer ein negatives Potential V- liefernden Spannungsquelle verbunden. Die Basis 13 ist mit diesem negativen Potential V- über eine Drossel 39 und einem aus den Widerständen 35 und 37 bestehenden Spannungsteiler verbunden, wobei an den Spannungsteilerabgriff ein Ableitkondensator 41 angeschaltet ist. Die Hochfrequenz des Resonanzkreises des Oszillators 10 wird demzufolge auch von der das negative Vorspannungspotential V- liefernden Spannungsquelle ferngehalten.
Bei der bisher beschriebenen Anordnung ist der Ausgangskreis wirksam vom Resonanzkreis des Oszillators 10 getrennt. Dabei wird zwar ein ungünstiger Einfluß, d.h. ein Gesamtleistungsverlust, infolge des Verlustes durch Fehlanpassung durch den Kondensator 27 hingenommen. Weil jedoch der Resonanzkreis vom Ausgangskreis wirkungsvoll getrennt ist, hat die Abstimmung des Resonanzkreises einen vernachlässigbaren Einfluß auf den Ausgangskreis. Auch die sehr gleichförmige Ausgangsleistung für den gesamten Frequenzbereich des Oszillators ergibt sich ohne die Anwendung äußerer Rückkopplungsnetzwerke. Weiterhin ermöglicht die wirkungsvolle Trennung von Resonanzkreis und Ausgangskreis einen Oszillator mit sehr niedrigem FM-Geräusch, was sich bei den üblichen Clapp-Oszillatoren nicht erreichen läßt, weil der Lastwiderstand ein wirksamer Bestandteil des Resonanzkreises ist. Ein weiterer durch die Trennung von Resonanz- und Ausgangskreis erzielter Vorteil besteht in der Verringerung der Anlaufzeit und der Drift nach Abstimmung des Oszillators. Man hat erkannt, daß die Oszillatoranlaufzeit und die Drift nach Abstimmung in großem Umfang von der im Varaktor verbrauchten Leistung abhängig ist. Bei den üblichen Clapp-Oszillatoren, bei denen der Varaktor Bestandteil des Ausgangskreises ist, fließt der Laststrom durch den Varaktor, so daß die Anlaufzeit und die Drift nach Abstimmung von der Ausgaigsleistung des Oszillators abhängig ist.
809823/0800
Durch Entfernung des Varaktors aus dem Ausgangskreis ist der Strom durch den Varaktor begrenzt, und man erhält damit einen Oszillator mit guten Ausgleichseigenschaften.
Ein entsprechend aufgebauter Oszillator 10 weist lediglich eine Schwankung der Ausgangsleistung von 0,3 dB über einen Bereich von 15% der Abstimmungsbandbreite auf. Die Werte für die einzelnen Schaltkreiselemente eines S-Band-Oszillators ergeben sich aus der nachfolgenden Aufstellung:
npn-Transistor 12 Microwave Semiconductor Corp.80019
Widerstand 33 10 Ohm
Widerstand 35 150 0hm
Widerstand 37 1 K Ohm
Kondensator 19 3,9 pF
Kondensatoren 25, 31, 41, 31 1500 pF
Kondensator 27 Johanson 9410-2
Varaktor 21 Varian VAT 13N18 Diode
Spulen 23, 29, 39 4 Windungen
2,032 mm Innendurchmesser,2,54 mm jkvjU Λ/r. »Ψ lang
Spule 17 1-1/2 Windungen
2,032 mm Innendurchmesser, 2,54 mm JJtmkt Mt. *νψ* lang
Ausgehend von dem vorangehend erläuterten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung sind eine Reihe von weiteren Ausführungsformen entsprechend dem der Erfindung zugrunde liegenden Lösungsprinzip möglich. Zum Beispiel können anstelle eines einzigen Abstimmvaraktors je ein Varaktor für die Grob- und die Feinabstimmung verwendet werden. Die Erfindung ist also nicht auf das erläuterte Ausführungsbeispiel beschränkt, sondern allein durch den Inhalt und den Umfang der nachfolgenden Patentansprüche.
809823/0800
eerseite

Claims (3)

Patentansprüche
1. Schaltungsanordnung für einen spannungsgesteuerten, abstimmbaren Oszillator, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: Ein Halbleiterelement (12) mit drei Elektroden (11, 13, 15), von denen die erste (11) geerdet ist, mit der zweiten Elektrode (13) verbundene Schaltmittel, bestehend aus einer Induktivität (17), einem Kondensator (19) und einem Varaktor (21), die einen zur Innenkapazität zwischen den ersten beiden Elektroden (11, 13) parallel liegenden Resonanzkreis bilden,
einen Rückkopplungskreis, bestehend aus der Innenkapazität zwischen der ersten und der dritten Elektrode (11, 15), einen mit der dritten Elektrode (15) verbundenen Ausgangskreis mit einem veränderbaren Kondensator (27) zur Anpassung des Scheinwiderstandes des Ausgangskreises und Schaltmittel zur Beaufschlagung der zweiten und der dritten Elektrode (13, 15) mit einer Vorspannung und zur Steuerung der Kapazität des Varaktors (21) und damit der Arbeitsfrequenz.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Elektroden (11, 13, 15) aus dem Kollektor, der Basis und dem Emitter eines Transistors (12) bestehen.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Festwertkondensator des Resonanzkreises von der Basis-Kollektor-Kapazität gebildet wird.
k. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmittel zur Abstimmung der Resonanzfrequenz des Resonanzkreises aus einer Varaktordiode bestehen.
809823/0800 '> ORIGINAL INSPECTED
DE19772753629 1976-12-02 1977-12-01 Schaltungsanordnung fuer spannungsgesteuerte oszillatoren Granted DE2753629A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/746,775 US4066983A (en) 1976-12-02 1976-12-02 Voltage controlled Clapp oscillator having output isolated from tuned circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2753629A1 true DE2753629A1 (de) 1978-06-08
DE2753629C2 DE2753629C2 (de) 1987-08-20

Family

ID=25002288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772753629 Granted DE2753629A1 (de) 1976-12-02 1977-12-01 Schaltungsanordnung fuer spannungsgesteuerte oszillatoren

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4066983A (de)
JP (1) JPS5369570A (de)
CA (1) CA1085939A (de)
DE (1) DE2753629A1 (de)
FR (1) FR2373187A1 (de)
GB (1) GB1542233A (de)
IT (1) IT1090939B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246295A1 (de) * 1982-12-14 1984-06-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Frequenzmodulierbarer oszillator
DE3332328A1 (de) * 1983-09-08 1985-03-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Selektive, transistorisierte, an eine antenne angeschlossene hf-stufe

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56118231A (en) * 1980-02-21 1981-09-17 Kenichi Hayashida Oscillation type proximity switch for automatic door
US4638180A (en) * 1984-03-09 1987-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Frequency divider circuits
JPS63212340A (ja) * 1986-10-29 1988-09-05 住友ベークライト株式会社 ハンドピ−ス
JPH0445691Y2 (de) * 1987-05-12 1992-10-27
US5144264A (en) * 1991-11-01 1992-09-01 Motorola, Inc. Wideband voltage controlled oscillator having open loop gain compensation
KR0153379B1 (ko) * 1995-09-26 1998-11-16 김광호 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기
US6504443B1 (en) 2000-05-17 2003-01-07 Nec America, Inc., Common anode varactor tuned LC circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1922538A1 (de) * 1968-05-20 1969-11-27 Siemens Ag Schwingungserzeuger fuer sehr kurze elektromagnetische Wellen
DE2017344C3 (de) * 1970-04-10 1973-09-27 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Durchstimmbarer Transistoroszillator

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2930002A (en) * 1957-06-24 1960-03-22 Rca Corp Oscillator
US3855553A (en) * 1966-11-03 1974-12-17 Us Army Modulated transistor oscillators
US3397365A (en) * 1967-05-22 1968-08-13 Kruse Storke Electronics Oscillator with separate voltage controls for narrow and wide range tuning
CH494495A (de) * 1968-07-17 1970-07-31 Siemens Ag Transistoroszillator
JPS4934262A (de) * 1972-07-28 1974-03-29

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1922538A1 (de) * 1968-05-20 1969-11-27 Siemens Ag Schwingungserzeuger fuer sehr kurze elektromagnetische Wellen
DE2017344C3 (de) * 1970-04-10 1973-09-27 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Durchstimmbarer Transistoroszillator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246295A1 (de) * 1982-12-14 1984-06-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Frequenzmodulierbarer oszillator
DE3332328A1 (de) * 1983-09-08 1985-03-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Selektive, transistorisierte, an eine antenne angeschlossene hf-stufe

Also Published As

Publication number Publication date
GB1542233A (en) 1979-03-14
DE2753629C2 (de) 1987-08-20
IT1090939B (it) 1985-06-26
CA1085939A (en) 1980-09-16
US4066983A (en) 1978-01-03
JPS6151803B2 (de) 1986-11-11
FR2373187B1 (de) 1982-06-18
JPS5369570A (en) 1978-06-21
FR2373187A1 (fr) 1978-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3606435A1 (de) Abstimmschaltung fuer einen mehrband-tuner
EP0348680A2 (de) Fernsehtuner mit einer Bandfilterschaltung
DE2753629A1 (de) Schaltungsanordnung fuer spannungsgesteuerte oszillatoren
DE3406150A1 (de) Steuerschaltung zum abstimmen an einer hochfrequenz-eingangsschaltung
DE2811080C2 (de) Durch Spannungsänderung abstimmbarer Hochfrequenz-Oszillator
DE3887835T2 (de) Bandpass-Filteranordnung.
EP0761038B1 (de) Frequenzveränderbare oszillatoranordnung
DE3689704T2 (de) Steuerbarer Oszillator.
DE2624133C3 (de) Mischeranordnung
DE1766639B1 (de) Oszillatorschaltung mit einem zwei steuerelektroden auf weisenden transistor
DE3210453C2 (de) Signal-Eingangsschaltung
DE3821714A1 (de) Fernsehtuner
DE2908852C2 (de) Elektronischer Oszillator mit einem drei Elektroden aufweisenden aktiven Bauteil
DE2501818A1 (de) Ueberlagerungsoszillator fuer kanalwaehler
DE19754666B4 (de) Oszillatorschaltung
DE2945546A1 (de) Schaltungsanordnung fuer abstimmbare hf-kreise
DE1274676B (de) Oszillatorschaltung mit einem Transistor
DE3606905C2 (de) Abstimmschaltungsanordnung
EP1146640A1 (de) Integrierter Hochfrequenzschwingkreis mit Abgleichkondensatoren
DE3144243C2 (de)
DE2440310C3 (de) Oszillatorschaltung
DE3781090T2 (de) Spannungsgesteuerter mikrowellentransistoroszillator und solche oszillatoren enthaltender breitbandiger mikrowellengenerator.
DE69912492T2 (de) Spannungsgesteuerter Oszillator und Verfahren zum Einstellen seiner Frequenzverschiebung
DE3144242C2 (de)
DE3716878A1 (de) Zf-oszillator fuer hf-tuner

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8330 Complete renunciation