DE2113792B2 - Oszillatorschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung mit einer Anordnung zum Unterdrücken von Störschwingungen, deren Frequenz oberhalb eines Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegt, ferner mit einer Hochfrequenzleitung, welche einen länglichen Leiterabschnitt enthält, der auf einer Trägerplatte angeordnet ist sowie über einem auf der entgegengesetzten Seite der Trägerplatte befindlichen Masseebenenbereich liegt, und welche auf über der Betriebsfrequenz liegenden Störfrequenzen schwingen kann, bei denen an einer bestimmten Stelle der Hochfrequenzleitung ein Spannungsknoten auftritt, und mit einem Transistor, dessen Basis-, Emitter- und Kollektorelektrode zur Aufrechterhaltung von Schwingungen einer durch die Hochfrequenzleitung bestimmten Frequenz mit einer Rückkopplungsschaltung verbunden sind.

Aus der US-PS 34 83 483 ist eine Oszillatorschaltung bekannt, welche auf einer dielektrischen Platte ausgebildet ist, die auf mindestens einer Oberfläche eine in leitende Bereiche unterteilte Metallschicht aufweist. Die leitenden Bereiche sind streifenförmig ausgebildet und jeweils in Reihe mit einer Kapazitätsdiode geschaltet, so daß sie als abstimmbare Schwingkreise wirken. Zwei dieser abstimmbaren Kreise sind in eine Rückkopplungsschaltung mit einem Transistor einbezogen, die einen Oszillator darstellt.

Die frequenzbestimmenden Netzwerke von UHF-Oszillatorschaltungen können im allgemeinen auch bei anderen Frequenzen als der Sollfrequenz schwingen. Es besteht daher die Gefahr, daß die Oszillatorschaltung nicht bei der Sollfrequenz sondern bei einer Störfrequenz schwingt. Auch wenn der Oszillator auf der Sollfrequenz schwingt, kann eine unerwünschte Herabsetzung der Ausgangsspannung der Soll- oder Grundfrequenz eintreten, wenn die Störfrequenz in einem Oberwellen-Verhältnis zur Sollfrequenz steht und der abstimmbare Kreis auf eine Frequenz in der Nähe der Grundfrequenz der Störschwingungen abgestimmt wird.

Aus der FR-PS 13 54 299 ist eine Tunerschaltung mji einem abgestimmten Leitungsresonator bekannt, be welchem ein Spannungsknoten der höchsten im Betriebsfrequenzbereich vorkommenden Frequenz übei eine als magnetische Kopplung wirkende Koppelschleife mit dem Eingang eines Oszillator-Mischer-Transistors gekoppelt ist. Dieser Spannungsknoten \%i so gewählt, daß die Oszillatorschwingungen durch Rück kopplung auch bei Frequenzabweichungen im Sinnt eines konstanten Oszillatorausgangs aufrechterhalter

werden. Eventuellen Instabilitäten infolge parasitärer [)berschwingungen soll durch entsprechende Bemesiung eines die Basis des in Basisgrundschaltung betriesenen Eingangstransistors mit Masse verbindenden Kondensators begegnet werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe einer Oszillatorschaltung, bei der StörschwingurTgen, deren Frequenzen oberhalb des Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegen, noch wirksamer ;nterdrückt werden. Diese Aufgabe wird durch die im An-Spruch 1 angegebenen Merkmale gelöst. Hierdurch wird eine sichere Unterdrückung von Störschwingungen gewährleistet.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung kann die Masseebene ein Fenster enthalten, durch das die dielektrische Platte freigelegt wird. In dem Fenster der Grundplatte sind dann leitende Bereiche angeordnet, die als Schaltungskapazitäten für die Oszillatorschaltung verwendet werden können.

Weitere Ausgestaltungen und Weilerbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung soll im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigt

F i g. 1 ein Schaltbild eines UHF-Tuners für ein Fernsehgerät, der eine Oszillatorschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält,

F i g. 2 eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht des Tuners gemäß F i g. I, F i g. 3 die Unterseite des Tuners gemäß F i g. 2,

F i g- 4 die linke Seite des Tuners, wobei Deckel und Chassis weggebrochen sind, um die Bestandteile des Tuners sichtbar zu machen,

Fig.5 eine rechte Seitenansicht des Tuners ähnlich F ig. 4,

F i g. 6a bis 6e eine Reihe von Kurven stehender Spannungswellen zur Erläuterung der Betriebsweise des Tuners und

Fig.7a bis 7e eine Folge von Kurven stehender Stromwellen, die den Kurven gemäß F i g. 6 entsprechen.

In der Zeichnung sind gleiche Teile durchgehend mit gleichen Bezugszeichen versehen. Dar dargestellte UHF-Tuner enthält eine HF-Verstärkerstufe 54, eine Oszillatorstuf·:; 56, eine Mischstufe 58 und eine ZF-Verstärkerstufe 60. Er besitzt vier abstimmbare Schwingkreise 66,68,70 und 72, von denen der Schwingkreis 72 die Schwingungsfrequenz der OszillatorstuFe 56 bestimmt. Er enthält eine Übertragungsleitungsanordnung, die mittels Kapazitätsvariatiotudioden abgestimmt wird. Die HF-Leitung enthält leitende Elemente, die auf beiden Oberflächen einer dielektrischen Platte ausgebildet sind, nämlich Abschnitte 73a und 736. Das eine Ende des zweiten Leitungsabschnittes 73b liegt an einem Bezugspotential. Dieses Paar von Leitungsabschnitten arbeitet zusammen mit der auf der entgegengesetzten Seite der dielektrischen Platte befindlichen Masse- oder Grundebene als HF-Leitungen.

Zwischen die beiden Abschnitte der zusammengesetzten HF-Leitung sind eine Abstimm-Kapazitätsdiode 87 sowie eine abgleichbare Gleichlaufinduktivität 89 geschaltet. Die in Reihe liegende Kapazitätsdiode 87 hat einen Kapazitätswert, dessen Größe sich umgekehrt mit der Größe der an die Diode angelegten Sperrvorspannung ändert. Der Schwingkreis 72 der Oszillatorstufe 56 kann im Frequenzbereich zwischen 517 MHz und 931 MHz schwingen.

Der zweite Abschnitt 736 und der erste Abschnitt 73a des zum Oszillator gehörenden Schwingkreises 72 weisen bei einer Frequenz oberhalb 931 MHz λ/4-Resonanz bzw. λ/2-Resonanz auf.

Die Resonanzfrequenz jedes Abschnitts kann dadurch gemessen werden, daß man die Abstimm-Kapazitätsdiode und die abgleichbare Gleichlaufinduktivität elektrisch abtrennt und dann in den zu untersuchenden Abschnitt einen Einheitsenergieimpuls eingibt. Auf Grund dieses Einheitsimpulses wird der Abschnitt gleichzeitig bei mehreren zusammenhängenden Frequenzen ansprechen, die beispielsweise mitiels eines Oszillographen gemessen werden können. Die Grundresonanzfrequenz ist die im ansprechenden Abschnitt festgestellte niedrigste Frequenz. Die Resonanz kann alternativ dadurch bestimmt werden, daß man bei einer festen Frequenz die Verhältnisse der stehenden Wellen längs des Abschnittes mißt, um die Maxima und Nullstellen (Knoten) der Spannung zu bestimmen.

In einer leitenden Verkleidung (F i g. 2) ist ein dielektrischer plattenförmiger Tragkörper 91 montiert, der die zusammengesetzten HF-Leitungen trägt. Die Verkleidung umfaßt lösbare Deckel 99 und 101 und ein Rahmenteil oder Chassis 97. Auf entgegengesetzten Seiten des Tragkörpers 91 befinden sich zwei Masseebenenabschnitte 93 und 95 (F i g. 4, 5, 6 und 7). Die zusammengesetzte HF-Leitung 73 ist gegenüber dem zugehörigen Masseebenenabschnitt 95 angeordnet.

Der Tragkörper 91, der ungefähr 86 mm hoch. 89 mm breit und 1,3 mm dick ist, wird aus einem Aluminiumoxidmaterial gefertigt, das aus ungefähr 85% AI2O3 und 15% einer Mischung aus Kalziumoxid, Magnesiumoxid >md Siliziumdioxid besteht. Das auf beide Oberflächen des Substrates aufgebrachte leitfähige Muster ist ungefähr 18 μιη dick und besteht aus Silber und Glas, das bei 900⁰C verschmolzen worden ist. Das gesamte Muster ist mit einer Verkupferung überzogen, deren Dicke 5 bis 13 μιη beträgt. Ein gegen Feuchtigkeit und Lötmittel beständiges gehärtetes Silicon ist auf den gesamten Tragkörper und das verkupferte Muster mit Ausnahme der in F i g. 4 und 5 schraffierten Teile und der Kontaktflächen, die zum elektrischen Anschluß der Bauelemente des Tuners an das Muster des Tragkörpers dienen, aufgebracht.

Die Resonanzfrequenz der H F-Leitungen wird durch ihre Gesamtreaktanz bestimmt, welche die Blindwiderstände der oberen und unteren fluchtenden Abschnitte, der Kapazitätsvariationsdiode und der abgleichbaren Gleichlaufinduktivität umfaßt. Der vom oberen Abschnitt beigesteuerte Blindanteil ändert sich nichtlinear mit der Frequenz, während der Biindanteil der Kapazitätsdiode und der Gleichlaufinduktivität eine kapazitive Reaktanz ist, deren Größe durch die Abstimmspannung festgelegt ist. Durch Justieren der Abstimmspannung wird die kapazitive Reaktanz geändert und die HF-Leitung über das Frequenzband abgestimmt. Damit ein richtiger Gleichlauf zwischen dem Oszillator und den abstimmbaren HF-Schwingkreisen gewährleistet ist, muß der abstimmbare Schwingkreis des Oszillators für jeden Einstellwert der Abstimmspannung um einen gegebenen konstanten Betrag oberhalb der abstimmbaren HF-Schwingkreise schwingen. Der ungleich ge formte untere Abschnitt des abstimmbaren Oszillator Schwingkreises hat eine Abwandlung der Änderungs rate der Gesamtreaktanz mit der Frequenz zur Folge Insbesondere weist der untere Abschnitt der HF-Lei tung des Oszillators eine praktisch lineare Verjüngun; auf.

Die Oszillatorstufe 56 enthält einen Transistor 126, der als abgewandelter Colpitts-Oszillator geschaltet ist, dessen Frequenz durch den abstimmbaren Schwingkreis 72 bestimmt wird. Die Betriebsspannung für den Transistor 126 des Oszillators wird von der Betriebsspannungsquelle über die Klemme 84, die Induktivität 86 und den Widerstand 120 einem Verbindungspunkt 128 zugeführt, der mittels eines Durchführungskondensators 130 für UHF-Schwingungen nach Masse überbrückt ist. Die Spannung am Verbindungspunkt 128 gelangt zum Kollektor des Transistors 126 über einen Widerstand 132 und eine HF-Drossel 134. Der Emitter des Transistors liegt für Gleichstrom über einen Widerstand 136 an Masse. Die Basisvorspannung wird von einem Spannungsteiler mit Widerständen 138 und 140 geliefert, der zwischen den Verbindungspunkt 128 und Masse geschaltet ist. Zur Schaffung eines frequenzabhängigen Signalweges liegt zwischen der Basis des Transistors 126 und Masse ein Kondensator 142.

Ein Kondensator 144 verbindet den Kollektor des Transistors 126 mit dem Schwingkreis 72. Zur Aufrechterhaltung einer Schwingung wird ein Teil der am Kollektor des Transistors erzeugten Spannung durch einen kapazitiven Spannungsteiler mit drei Kondensatoren 146, 148 und 150 zum Emitter des Transistors gekoppelt. Damit eir. weiter Bereich der Steilheit von Transistoren in der Oszillatorstufe benutzt werden kann, wird für den Kondensator 148 ein mit Verlust behafteter Kondensator gewählt, d. h. ein Kondensator, der eine frequenzabhängige ohmsche Komponente besitzt, die den Oszillatortransistor bei den höheren Frequenzen ohmisch belastet.

Da der abstimmbare Schwingkreis 72 eine H F-Leitung mit niedriger Impedanz und einem Aluminiumoxid-Dielektrikum enthält, ist zum Zwecke einer Impedanzanpassung ein Koppelkondensator 144 erforderlich, der einen relativ großen Wert hat (im Vergleich mit einer λ/2-Leitung mit hoher Impedanz und Luftdielektrikum in einem typischen UHF-Fernsehtuner). Dies erfordert große Kondensatoren im kapazitiven Spannungsteiler, um brauchbare Signalrückkopplungsspannungen zu gewährleisten.

Die Kondensatoren 144. 146. 150 sind leitende Flächen, die auf dem Tragkörper 91 ausgebildet sind (F i g. 4 und 5). Der Kondensator 144 besteht aus einer leitenden Fläche 501 gegenüber einer leitenden Fläche 503 auf der entgegengesetzten Seite des Tragkörpers innerhalb eines Fensters 505 im Grundebenenabschnitt 95. Der Kondensator 146 wird durch die leitende Fläche 503 und eine leitende Fläche 507 gebildet, welche sich innerhalb des Fensters 505 neben der Fläche 503 befindet Der Kondensator 150 schließlich wird durch die leitende Räche 507 in Zusammenwirkung mit dem in F i g. 5 rechts von der leitenden Fläche angrenzenden Teil der Grundebene 95 gebildet. Die Kondensatoren 144, 146 und 150 können ebenso wie die übrigen leitenden Flächen als gedruckte Schaltung hergestellt werden. Dadurch wird sichergestellt, daß alle Kapazitäten bei der Massenproduktion genau und durchgehend gleichbleibend hergestellt werden. Infolge der Gleichmäßigkeit der Kapazitäten von Tuner zu Tuner kann praktisch ausgeschlossen werden, daß ein Tuner auf Grund von Veränderungen oder einer Fehlausrichtung der Komponenten beim Zusammenbau ausfällt oder mangelhaft arbeitet.

Der abstimmbare Schwingkreis 72 des Oszillators weist eine unerwünschte Resonanz bei ungefähr 1400MHz auf. Diese parasitäre Resonanzfrequenz wird durch die Kapazität der Kapazitätsdiode 87 nicht nennenswert beeinflußt. Bei den angegebenen Werten der Komponenten hat sich gezeigt, daß sich die unerwünschte Resonanzlfrequenz bei einer Kapazitätsänderung von ungefähr 13 pFum etwa 60 MHz ändert.

Die parasitäre Resonanzfrequenz ist eine zweite Oberwelle einer Grundwelle, die bei 700 MHz liegt und somit innerhalb des gewünschten UHF-Frequenzbandes des Oszillators liegt. Man kann eine Verringerung

ίο der Grundfrequenz-Signalspannung des Oszillators feststellen, wenn der Schwingkreis 72 so justiert ist, daß er in der Nähe dieses Wertes schwingt, wodurch das für die Mischdiode 110 des Tuners zur Verfügung stehende Oszillatorsignal herabgesetzt wird. Es ist anzunehmen, daß die Verringerung der Grundfrequenz-Signalspannung des Oszillators von einem durch die parasitären Schwingungen bedingten Leistungsentzug herrührt.

Damit parasitäre Resonanzen verhindert werden und die Spannungsverringerung möglichst klein ist, ist der erste Abschnitt 73a der zusammengesetzten HF-Leitung des Oszillators am Spannungsnullpunkt für die parasitäre Frequenz mit dem Transistor 126 des Oszillators gekoppelt. Dadurch wird erreicht, daß nur minimale Störsignalenergie vom Schwingkreis 72 durch den

Koppelkondensator 144 zum Transistor 126 übergeht.

Da der Masseebenenabschnitt 95 der zusammengesetzten HF-Leitung des Oszillators keine unendliche Größe und Leitfähigkeit besitzt, fließt in der Masseebene ein Strom, der Spannungen hervorruft. Ein Span-

nungskoppelpfad leitet diese Spannungen vom Masseebenenabschnitt 95 über einen Kondensator 142 zur Basis des Oszillatortransistors. Wenn der in der Grundebene fließende Strom auf die parasitäre Resonanz zurückzuführen ist. unterstützt der Koppelpfad diese Re-

sonanzart, weil das an die Basis des Transistors angelegte Störsignal eine Basis-Kollektor-Differenzspannung hervorruft, die in den Rückkopplungskreis des Oszillators eingeführt wird. Um diesen Effekt möglichst klein zu halten, ist der Kondensator 142 auf dem Masseebenenabschnitt 95 direkt über dem Schwingungsknoten der parasitären Schwingung auf dem ersten Abschnitt der zusammengesetzten HF-Leitung des Oszillators angeordnet.

Der Kondensator 142 wird lediglich durch eine

Scheibe 509 gebildet (F i g. 5). Die Scheibe 509 besteht aus dielektrischem Material und weist auf ihren entgegengesetzten Seiten leitende Flächen auf. Mit der einen leitenden Fläche ist die Basis des Transistors 126 elektrisch verbunden, während die entgegengesetzte leiten-

de Fläche auf dem Masseebenenabschnitt über dem Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des Kondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollektor-Basis-Übergang des Transistors über die beiden Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden Eelktroden mit dem

Schwingkreis koppeln, ein minimaler Störsignal-Spannungsgradient angelegt wird. Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspannung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt.
Die hohe Dielektrizitätskonstante des Aluminium-

oxid-Tragkörpers beschränkt in Verbindung mit dem geringen Abstand zwischen den zusammengesetzten HF-Leitungen und ihren zugehörigen Masseebenenabschnitten die elektromagnetischen Felder.
Eine Quelle 175 für eine veränderbare Abstimm-

gleicnspannung zum Vorspannen der Kapazitätsdioden der vier abstimmbaren Schwingkreise hat einen Innenwiderstand von 1000 Ohm und ist zwischen die Klemme 176 und Masse geschaltet. Die Klemme 176 ist für

HF-Signale mittels eines Durchführungskondensators 177 (nach Masse) überbrückt. Die Abstimmgleichspannung wird über Widerstände 178 und 180 an einen Verbindungspunkt 190 angelegt, welcher einen gemeinsamen Abstimmpotentialpunkt für die vier abstimmbaren Schwingkreise darstellt. Dem Oszillatorkreis wird die Abstimmspannung über eine HF-Drossel 188 zuge-' führt.

Bei einem Kapazitätsbereich der Kapazitätsdioden von ungefähr 13 pF läßt sich der Oszillator-Schwingkreis über sein Frequenzband abstimmen.

Die Schwingungsverhältnisse bei der Abstimmung der Schwingkreise (HF-Leitungen) werden aus F i g. 6 und 7 verständlich, welche die stehenden Spannungsbzw. Stromwellen längs der Leitung 67 zeigen, die am oberen Rand der Figuren dargestellt ist. Für den Oszillatorleitungskreis gilt entsprechendes. Um die Leitung 67 auf die höchste Frequenz innerhalb des UHF-Bandes abzustimmen (F i g. 6b), wird an die Kapazitätsdiode eine solche Spannung angelegt, daß ihr Kapazitätswert eine solche Resonanzschwingung der Leitung bewirkt, daß sich ein Spannungsnullpunkt auf dem Leitungsabschnitt 67a an einer Stelle zwischen der Mitte und dem diodenseitigen Ende des Abschnitts befindet. Eine Steigerung der Diodenspannung verkleinert die Diodenkapazität und bewirkt, daß die Leitung bei einer höheren Resonanzfrequenz schwingt. Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert dabei zur Mitte des Abschnitts hin (F i g. 6a). Bei einer Verkleinerung der Vorspannung der Diode wächst ihre Kapazitat, so daß die Leitung auf einer niedrigeren Resonanzfrequenz schwingt. Der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a wandert nun zu seinem diodenseitigen Ende hin. Die Größe der Frequenzänderung bei einem gegebenen Kapazitätszuwachs hängt vom Wellenwiderstand der Leitung ab, der seinerseits eine Funktion der Leitungsbreite, des Abstands von der Grundebene und des Dielektrikums des Zwischenmediums ist.

Bei einer weiteren Verringerung der an die Diode angelegten Spannung und einer entsprechenden Senkung der Resonanzfrequenz der Leitung wird ungefähr bei der Mitte des gewünschten Frequenzbandes ein Punkt erreicht (F i g. 6c), wo die Diodenkapazität in Serienresonanz mit dem Induktivitätswert der justierbaren Glcichlaufinduktivität 77 und dem Leitungsabschnitt 676 kommt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67a ganz bis zu dessen diodenseitigen Ende gewandert.

Eine noch weitergehende Verringerung der Vorspannung der Diode senkt die Resonanzfrequenz der Leitung weiter (F i g. 6d und 6e). Die Spannung am diodenseitigen Ende des Abschnitts 67a steigt an, und die Leitung arbeitet mit einer modifizierten λ/4-Resonanz.

Dadurch, daß die Kapazitätsdiode vom an Masse liegenden Ende der Leitung entfernt angeordnet ist, kann ein hoher Gütefaktor aufrechterhalten werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß die Kapazitätsdiode sich an einer Stelle mit im Vergleich zum Masseende der HF-Leitung niedrigerem Strom befindet (F i g. 7). Infolgedessen werden die Gleichstromverluste (I²R) der Diode auf einen Minimalwert herabgesetzt.

Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die Diode 87 gemäß F i g. 1 des Oszillators eine Sperrvorspannung von ungefähr 1,0 V. Die an der Diode abfallende Oszillatorspannung hat während eines Teiles jeder Periode eine solche Amplitude, daß sie die Diodensperrspannung übersteigt, wodurch eine Gleichrichtung der Oszillatorspannung bewirkt wird. Die gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspannung, wodurch die Kapazität der Diode 87 kleiner wird. Dies wiederum hat zur Folge, daß der Schwingkreis 73 auf eine andere Frequenz abgestimmt wird. In den abstimmbaren HF-Schwingkreisen 66, 68 und 70 findet keine Gleichrichtung statt, weil das UHF-Signal in diesen Kreisen in der Größenordnung von Millivolt liegt, im Gegensatz zu der Spannung von ungefähr 1,0 V im Schwingkreis des Oszillators. Um den Verstimmungseffekt möglichst weitgehend zu beseitigen, wird der Gesamtwiderstand von der Diode 87 durch die Abstimmgleichspannungsleitung und die Quelle 175 nach Masse so gewählt, daß er klein im Vergleich zu der Ausgangsimpedanz der Oszillatorstufe ist. Hierdurch ist die Abstimmgleichspannung an der Klemme 176 vorherrschend bei der Steuerung der Spannung über der Diode, da der durch den Gesamtwiderstand fließende Diodenstrom eine relativ kleine Spannung abfallen läßt, welche die über dei Diode liegende mittlere Gleichspannung nicht nen nenswerl ändern kann.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

1. Patentansprüche:

   .." 1, Osziliatorschaitung mit einer Anordnung zum Unterdrücken von Störschwingungen, deren Frequenz oberhalb eines Sollfrequenzbereiches der Oszillatorschaltung liegt, ferner mit einer Hochfrequenzleitung, welche einen länglichen Leiterabschnitt enthält, der auf einer Trägerplatte angeordnet ist sowie über einem auf der entgegengesetzten Seite der Trägerplatte befindlichen Masseebenenbereich liegt, und welche auf über der Betriebsfrequenz liegenden Störfrequenzen schwingen kann, bei denen an einer bestimmten Stelle der Hochfrequenzleitung ein Spannungsknoten auftritt, und mit eiiiem Transistor, dessen Basis-, Emitter- und Kollektorelektrode zur Aufrechterhaltung von Schwingungen einer durch die Hochfrequenzieitung bestimmten Frequenz mit einer Rückkopplungsschaltung verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors (126) mit der Stelle der Hochfrequenzleitung (72) gekoppelt ist, an der der Spannungsknoten auftritt, und daß die Rückkopplungsschaltung (72, 142, 144, 146, 150) ein Impedanzelement (142) enthält, das zwischen die Basis- oder Emitterelektrode des Transistors und einen dem Spannungsknoten auf der Hochfrequenzleitung gegenüberliegenden Punkt der Masseebene (95) geschaltet ist.
2. 2. Osziliatorschaitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors (126) über einen Kondensator (144) mit der Stelle der Hochfrequenzleitung (72), an der der Spannungsknoten auftritt, gekoppelt ist.
3. 3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Impedanzelement (142) ein Kondensator ist.
4. 4. Oszillatorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzleitung (72) zwei fluchtende Leitungsabschnitte (73a, 73b) enthält, die jeweils mit einem Ende elektrisch mit der Masseebene verbunden sind.
5. 5. Oszillatorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Masseebenebereich (95) ein Fenster (505) enthält, in dem die dielektrische Trägerplatte (91) frei liegt, und daß innerhalb des Fensters der Masseebene ein leitender Bereich (503) angeordnet ist, der einen Teil der Rückkopplungsschaltung (72, 142, 144,146,150) bildet.
6. 6. Oszillatorschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Fenster (505) der Masseebene (75) noch e^;ne zweite leitende Fläche (507) angeordnet ist.
7. 7. Oszillatorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden leitenden Flächen (503, 507) einen Kondensator bilden, der Emitter und Kollektor des Transistors (126) verbindet.
8. 8. Oszillatorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Trägerplatte (91) eine dritte leitende Fläche (501) so angeordnet ist, daß sie von der ersten und zweiten leitenden Fläche (503, 507) auf der entgegengesetzten Seite der Trägerplatte (91) überdeckt wird, und daß die einander gegenüberliegenden leitenden Flächen (503, 507, 501) zusammen eine kapazitive Kopplung zwischen der Kollektorelektrode des Transistors (126) und dem länglichen leitenden Abschnitt der Hochfrequenzleitung (72) bilden.
9. 9. Oszillatorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste oder zweite leitende Fläche (503, 507) mit der benachbarten Fläche der Masseebene (95) eine Kapazität bildet, die die Emitterelektrode des Transistors (126) mit dem leitenden Masseebenebereich (95) koppelt.
10. 10. Osziliatorschaitung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichne., daß die Trägerplatte (91) aus einem dielektrischen Material hoher Dielektrizitätskonstante besteht.

    Π. Oszillatorschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (91) aus einer Aluminiumoxidverbindung besteht.