DE69834456T2

DE69834456T2 - Hochfrequenz-Oszillatorschaltung

Info

Publication number: DE69834456T2
Application number: DE69834456T
Authority: DE
Inventors: Toshiaki Kadoma-shi Andoh; Makoto Uji-shi Sakakura; Takeshi Yokohama-shi Miura; Hiroaki Hirakata-shi Kosugi; Kaoru Shijonawate-shi Ishida
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 1997-07-25
Filing date: 1998-07-23
Publication date: 2006-09-21
Anticipated expiration: 2018-07-24
Also published as: EP0893878A2; DE69834456D1; CN1495993A; CN1210392A; US6169461B1; EP0893878B1; EP0893878A3; CN1167184C

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung, wie einen spannungsgesteuerten Oszillator in einer Funkverbindungsvorrichtung, wie einem Mobiltelefon, oder eine Satellitenkommunikationsvorrichtung.
Es werden herkömmliche Techniken mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
11 ist ein Schaltplan einer herkömmlichen Hochfrequenz-Oszillatorschaltung. In dieser Figur sind 1 und 17 Oszillatortransistoren; 2, 3, 4, 18, 19 und 20 sind Kondensatoren; 5 und 21 sind Resonatorkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 7 ist ein Resonator; 8 und 23 sind Varaktordioden-Koppelkondensatoren; 9 und 24 sind Varaktordioden; 11, 12, 13, 26, 27 und 28 sind Vorspannungswiderstände; 14 und 29 sind Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln; 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse; 10, 25 und 30 sind Hochfrequenzdrosseln; 31 und 32 sind Ableitkondensatoren; 33 ist ein abstimmender Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss und 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss.
Herkömmliche Hochfrequenz-Oszillatorschaltungen dieser Konfiguration arbeiten wie folgt.
In 11 haben die Oszillatortransistoren 1 und 17 ihre Basisanschlüsse über die Kondensatoren 4 bzw. 20 geerdet, die eine hinreichend niedrige Impedanz in einem Oszillationsfrequenzband aufweisen. Die Kondensatoren 2 und 18 sind an den Transistoren 1 bzw. 17 als kapazitive Kollektor-zu-Emitter-Elemente angeschlossen. Zusätzlich werden die Kondensatoren 3 und 19 zwischen der Erde und den Emittern der Transistoren 1 bzw. 17 angeschlossen und werden gleichwertig zwischen dem Emitter und der Basis angeschlossen, weil diese Schaltung von einer Art der geerdeten Basis ist. Außerdem ist der Resonator 7, der über die Resonatorkoppelkondensatoren 5 und 21 angeschlossen wird, ein Halblängen-Resonator mit offenem Ende. Da der Mittelpunkt des Resonators gleichwertig als ein Kurzschlusspunkt für die Erde wirkt, ist der Resonator 7 gleichwertig zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 1 über den Resonatorkoppelkondensator 5 als einem induktiven Element und zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 17 über den Kondensator 21 als einem induktiven Element angeschlossen.
Somit führen in der Schaltung in 11 zwei Geerdete-Basis-Clapp-Oszillatorschaltungen einen Oszillatorbetrieb durch, indem sie einen Halblängen-Resonator verwenden, um Oszillationssignale zur Verfügung zu stellen, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, und ihre Ausgabe wird von zwischen den Hochfrequenz-Ausgangsanschlüssen 15 und 16 über die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe zwischen den zwei Schaltungen erhalten.
Zusätzlich sind die Varaktordioden 9 und 24 jeweils an dem Resonator 7 über die Varaktordioden-Koppelkondensatoren 8 bzw. 23 angeschlossen. Außerdem variiert, da die Anoden der Varaktordioden 9 und 24 mit dem Erdungspotential durch die Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln 14 und 29 in einer DC-Weise versehen sind, der Wert einer Spannung, die an dem Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss 33 über die Hochfrequenzdrosseln 30 angelegt wird, die Werte der Kapazität der Varaktordioden 9 und 24, um zu ermöglichen, dass die Oszillationsfrequenz verändert wird.
Zusätzlich kann die Oszillatorschaltung, die einen solchen Schaltungsbetrieb durchführt, einen IC-Prozess benutzen, um auf einer IC Elemente zur Verfügung zu stellen, die nicht nur die Oszillatortransistoren 1 und 17 und ihre Peripherie, sondern auch den Resonator 7 und eine Resonatorschaltung, die aus den Varaktordioden 9 und 24 besteht, enthalten.
In der oben genannten Konfiguration sind die Kondensatoren 3, 4, 19 und 20 jedoch mit der Erde verbunden, so dass, wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt, ein Potentialunterschied auf der Grundfläche einer Leiterplatine auftreten kann, auf der die Stromkreise angebracht sind, wodurch die Abgleichung zwischen den zwei Transistoren verloren geht, wodurch das Signal-Rausch-Verhältnis verschlechtert wird.
Die JP-A-06 303034 beschreibt eine Oszillatorschaltung, die zwei Transistoren einschließt, worin eine Resonanz-Reihenschaltung zwischen den Basen der zwei Transistoren angeschlossen ist. Die Emitter und Basen der zwei Transistoren sind weiterhin gegenseitig durch Feedback-Kondensatoren verbunden, um parasitäre Oszillationen zu verhindern. Das Oszillationssignal wird von den Kollektoren erhalten.
Die Referenz EP-A-0 660 504 beschreibt eine differentielle Oszillatorschaltung, worin die Basen der zwei Oszillatortransistoren an entgegengesetzten Seiten eines Resonanz stromkreises angeschlossen sind. Die Kollektoren sind beide mit einer konstanten Spannungsquelle verbunden, und die Emitter sind mit einem Kondensator verbunden. In einer ersten Konfiguration (vgl. 1, 2) wird das Oszillationssignal durch zwei Verstärkertransistoren verstärkt, die parallel zu den Oszillatortransistoren mit dem Resonanzstromkreis verbunden sind. In einer zweiten Konfiguration (vgl. 3) werden die Kollektoren der Oszillatortransistoren mit den Emittern der zwei Verstärkertransistoren verbunden, so dass die Oszillatortransistoren und die Verstärkertransistoren hinsichtlich des Resonanzstromkreises in Reihe geschaltet sind. Das Oszillationssignal wird von den Kollektoren der Verstärkertransistoren erhalten. Deren Basen sind beide mit einer konstanten Spannungsquelle verbunden.
Die US-A-5 418 500 zeigt ebenso eine differentielle Oszillatorschaltung, worin die Basen der zwei Oszillatortransistoren an entgegengesetzten Seiten eines Resonanzstromkreises angeschlossen sind. In der beschriebenen Schaltung sind die Kollektoren der Oszillatortransistoren wechselseitig miteinander verbunden, und die Emitter sind über Kondensatoren miteinander verbunden. Ein zweites harmonisches Signal wird von symmetrischen Anschlusspunkten zwischen Kollektoren und Emittern der Oszillatortransistoren erhalten. Ein einziger Verstärkertransistor verstärkt das zweite harmonische Signal.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung zu stellen.
Das Ziel wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 bzw. 2 erreicht.
Entsprechend dieser Erfindung wird der Kondensator, der zwischen der Basis des Oszillatortransistors und der Erde angeschlossen ist, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern es werden die Basiselektroden der zwei Oszillatortransistoren direkt oder über den Kondensator aneinander angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen mit einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden, so dass eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, die nicht durch eine Rauschquelle eines gemeinsamen Modus, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, beeinflusst wird, oder die keine verschlechterten Eigenschaften, wie ein verschlechtertes Signal-Rausch-Verhältnis, aufweist, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
Wenn insbesondere beide Basen direkt aneinander angeschlossen werden, beseitigt dieses die Last einer Impedanz, die für die Basen bei der Oszillationsfrequenz unerwünscht ist, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt wird, deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert sind.
Entsprechend einer weiteren Weiterbildung wird der Kondensator, der zwischen dem Kollektor des Oszillatortransistors und der Erde angeschlossen ist, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern es werden die Kollektorelektroden der zwei Oszillatortransistoren direkt oder über den Kondensator aneinander angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen mit einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden, so dass eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, die nicht durch eine Rauschquelle eines gemeinsamen Modus, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, beeinflusst wird, oder die keine verschlechterten Eigenschaften, wie ein verschlechtertes Signal-Rausch-Verhältnis, aufweist, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
Wenn insbesondere beide Kollektoren direkt aneinander angeschlossen werden, beseitigt dieses die Last einer Impedanz, die für die Kollektoren bei der Oszillationsfrequenz unerwünscht ist, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt wird, deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert sind.
Wie aus der obigen Beschreibung offensichtlich ist, verbindet diese Erfindung direkt die Basen und Emitter der zwei Oszillatortransistoren oder ihrer Kollektoren und Emitter über den Kondensator anstelle der Erde miteinander, die Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis werden trotz einer externen elektromagnetischen Störung nicht verschlechtert.
Diese Erfindung ist auch dadurch vorteilhaft, dass ein gemeinsamer Kollektorstrompfad für Oszillatortransistoren und Pufferverstärkertransistoren benutzt wird, um den Stromverbrauch zu verringern.
Diese Erfindung ist auch dadurch vorteilhaft, dass ein basiserdender Kondensator, der zwischen den zwei Oszillatortransistoren angeschlossen ist, nicht angeschlossen wird, sondern die Basen oder die Kollektoren der zwei Oszillatortransistoren direkt aneinander angeschlossen werden, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt wird, die nicht durch die Impedanz des erdenden Kondensators beeinflusst wird, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden.
Außerdem wird entsprechend dieser Erfindung, selbst wenn ein Pufferverstärker an die Oszillatorschaltung angeschlossen wird, der Kondensator, der zwischen den Emittern der zwei Pufferverstärkertransistoren angeschlossen ist, nicht angeschlossen, sondern die Emitter der zwei Pufferverstärkertransistoren werden direkt aneinander angeschlossen, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt wird, die nicht durch die Impedanz des erdenden Kondensators beeinflusst wird, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden.
1 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung eines ersten Beispiels, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist, zeigt;
2 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung des ersten Beispiels zeigt;
3 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung eines zweiten Beispiels, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist, zeigt;
4 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung des zweiten Beispiels zeigt;
5 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung einer ersten Ausführungsform entsprechend dieser Erfindung zeigt;
6 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung der ersten Ausführungsform zeigt;
7 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung einer zweiten Ausführungsform entsprechend dieser Erfindung zeigt;
8 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung der zweiten Ausführungsform zeigt;
9 ist ein Schaltplan eines anderen Beispiels der Hochfrequenz-Oszillatorschaltung entsprechend dem ersten Beispiel, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist;
10 ist ein Schaltplan von noch einem weiteren Beispiel der Hochfrequenz-Oszillatorschaltung entsprechend dem ersten Beispiel, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist; und
11 ist ein Schaltplan, der eine herkömmliche Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zeigt.
Diese Erfindung wird im weiteren mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben, die ihre Ausführungsformen zeigen.
1 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung eines ersten Beispiels, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist, zeigt. In dieser Figur sind 1 und 17 Oszillatortransistoren; 2, 3, 4, 18, 35 und 6 sind Kondensatoren; 5 und 21 sind Resonatorkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 7 ist ein Resonator; 8 und 23 sind Varaktordioden-Koppelkondensatoren; 9 und 24 sind Varaktordioden; 11, 12, 13, 26, 27 und 28 sind Vorspannungswiderstände; 14 und 29 sind Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln; 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse; 10, 25 und 30 sind Hochfrequenzdrosseln; 31 und 32 sind Ableitkondensatoren; 33 ist ein Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss und 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss. In diesem Fall ist der Oszillatortransistor 1 ein erster Oszillatortransistor, und der Oszillatortransistor 17 ist ein zweiter Oszillatortransistor. Die Kondensatoren 4 und 3 weisen eine hinreichend niedrige Impedanz (niedriger als ein spezifizierter Wert) bei einer Oszillationsfrequenz auf, um zuzulassen, dass eine Oszillation auftritt. Dieses trifft auf jede der folgenden Ausführungsformen zu.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration arbeitet wie folgt.
In 1 haben die Oszillatortransistoren 1 und 17 ihren Basisanschluss jeweils über den Kondensator 4 angeschlossen, der eine hinreichend niedrige Impedanz in einem Oszillationsfrequenzband besitzt. Die Kondensatoren 2 und 18 werden an die Transistoren 1 und 17 als kapazitive Kollektor-zu-Emitter-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Die Kondensatoren 35 und 36 werden an die Transistoren 1 und 17 als kapazitive Kollektor-zu-Basis-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Zusätzlich wird der Kondensator 3 zwischen den Emittern der Transistoren 1 und 17 angeschlossen, und sein Elementwert wird so gewählt, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Außerdem ist der Resonator 7, der über die Resonatorkoppelkondensatoren 5 und 21 angeschlossen wird, ein Halblängen-Resonator mit offenem Ende. Da der Mittelpunkt des Resonators gleichwertig als ein Kurzschlusspunkt für die Erde wirkt, ist der Resonator 7 gleichwertig zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 1 über den Resonatorkoppelkondensator 5 als einem induktiven Element und zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 17 über den Kondensator 21 als einem induktiven Element angeschlossen.
Zusätzlich sind die Varaktordioden 9 und 24 jeweils an den Resonator 7 über die Varaktordioden-Koppelkondensatoren 8 bzw. 23 angeschlossen. Außerdem variiert, da die Anoden der Varaktordioden 9 und 24 mit dem Erdungspotential durch die Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln 14 und 29 in einer DC-Weise versehen sind, der Wert einer Spannung, die an dem Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss 33 über die Hochfrequenzdrosseln 30 angelegt wird, die Werte der Kapazität der Varaktordioden 9 und 24, um zu ermöglichen, dass die Oszillationsfrequenz verändert wird.
Somit führen in der Schaltung in 1 zwei Geerdete-Basis-Clapp-Oszillatorschaltungen einen Oszillatorbetrieb durch, indem sie einen Halblängen-Resonator verwenden, um Oszillationssignale zur Verfügung zu stellen, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, und ihre Ausgabe wird von zwischen den Hochfrequenz-Ausgangsanschlüssen 15 und 16 über die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe zwischen den zwei Schaltungen erhalten.
Entsprechend dieser Konfiguration, werden der basiserdende Kondensator und der Emitter-zu-Erde-Kondensator, die herkömmlich zwischen dem Oszillatortransistor und der Erde angeschlossen werden, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern sie werden direkt zwischen die Basen und Emitter der zwei Oszillatortransistoren angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen bei einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden. Dementsprechend kann eine Hochfrequenz- Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden, die nicht durch eine Potentialdifferenz beeinflusst wird, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
2 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung des vorliegenden Beispiels zeigt. In dieser Figur sind 1 und 17 Oszillatortransistoren; 2, 3, 18, 35 und 6 sind Kondensatoren; 5 und 21 sind Resonatorkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 7 ist ein Resonator; 8 und 23 sind Varaktordioden-Koppelkondensatoren; 9 und 24 sind Varaktordioden; 11, 12, 13, 26 und 28 sind Vorspannungswiderstände; 14 und 29 sind Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln; 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse; 10, 25 und 30 sind Hochfrequenzdrosseln; 31 und 32 sind Ableitkondensatoren; 33 ist ein Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss und 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend diesem Beispiel arbeitet wie folgt.
In 2, haben die Oszillatortransistoren 1 und 17 ihre Basisanschlüsse direkt aneinander angeschlossen. Die Kondensatoren 2 und 18 werden an die Transistoren 1 bzw. 17 als kapazitive Kollektor-zu-Emitter-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Die Kondensatoren 35 und 6 werden an die Transistoren 1 und 17 als kapazitive Kollektor-zu-Basis-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird.
Zusätzlich wird der Kondensator 3 zwischen den Emittern der Transistoren 1 und 17 angeschlossen, und sein Elementwert wird so gewählt, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Außerdem ist der Resonator 7, der über die Resonatorkoppelkondensatoren 5 und 21 angeschlossen wird, ein Halblängen-Resonator mit offenem Ende. Da der Mittelpunkt des Resonators gleichwertig als ein Kurzschlusspunkt für die Erde wirkt, ist der Resonator 7 gleichwertig zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 1 über den Resonatorkoppelkondensator 5 als einem induktiven Element und zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 17 über den Kondensator 21 als einem induktiven Element angeschlossen.
Zusätzlich sind die Varaktordioden 9 und 24 jeweils an den Resonator 7 über die Varaktordioden-Koppelkondensatoren 8 bzw. 23 angeschlossen. Außerdem variiert, da die Anoden der Varaktordioden 9 und 24 mit dem Erdungspotential durch die Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln 14 und 29 in einer DC-Weise versehen sind, der Wert einer Spannung, die an dem Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss 33 über die Hochfrequenzdrosseln 30 angelegt wird, die Werte der Kapazität der Varaktordioden 9 und 24, um zu ermöglichen, dass die Oszillationsfrequenz verändert wird.
Somit führen in dem Stromkreis in 2 zwei Geerdete-Basis-Clapp-Oszillatorschaltungen einen Oszillatorbetrieb durch, indem sie einen Halblängen-Resonator verwenden, um Oszillationssignale zur Verfügung zu stellen, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, und ihre Ausgabe wird von zwischen den Hochfrequenz-Ausgangsanschlüssen 15 und 16 über die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe zwischen den zwei Schaltungen erhalten.
Entsprechend dieser Konfiguration werden die Basiselektroden des Oszillatortransistors direkt angeschlossen, um ein Impedanzelement zu beseitigen, das als eine Rauschquelle in der Basis bei einer hohen Frequenz wirkt, ohne die Notwendigkeit, den basiserdenden Kondensator anzuschließen, der herkömmlich zwischen den Basen der Oszillatortransistoren angeschlossen ist. Infolgedessen kann eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden, deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden.
3 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung eines zweiten Beispiels, das für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist, zeigt. In dieser Figur sind 1 und 17 Oszillatortransistoren; 2, 3, 4 und 18 sind Kondensatoren; 5 und 21 sind Resonatorkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 7 ist ein Resonator; 8 und 23 sind Varaktordioden-Koppelkondensatoren; 9 und 24 sind Varaktordioden; 11, 12, 13, 26, 27 und 28 sind Vorspannungswiderstände; 14 und 29 sind Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln; 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse; 30 ist eine Hochfrequenzdrossel; 31 und 32 sind Ableitkondensatoren; 33 ist ein Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss und 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration arbeitet wie folgt.
In 3 haben die Oszillatortransistoren 1 und 17 ihre Kollektoranschlüsse über den Kondensator 4 angeschlossen, der eine hinreichend niedrige Impedanz im Oszillationsfrequenzband hat. Die Kondensatoren 2 und 18 werden an die Transistoren 1 und 17 als kapazitive Basis-zu-Emitter-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Der Kondensator 3 wird zwischen den Emittern der Transistoren 1 und 17 angeschlossen, und sein Elementwert wird so gewählt, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Außerdem ist der Resonator 7, der über die Resonatorkoppelkondensatoren 5 und 21 angeschlossen wird, ein Halblängen-Resonator mit offenem Ende. Da der Mittelpunkt des Resonators als ein Kurzschlusspunkt für die Erde wirkt, ist der Resonator 7 gleichwertig zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 1 über den Resonatorkoppelkondensator 5 als einem induktiven Element und zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 17 über den Kondensator 21 als einem induktiven Element angeschlossen.
Zusätzlich sind die Varaktordioden 9 und 24 jeweils an den Resonator 7 über die Varaktordioden-Koppelkondensatoren 8 bzw. 23 angeschlossen. Außerdem variiert, da die Anoden der Varaktordioden 9 und 24 mit dem Erdungspotential durch die Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln 14 und 29 in einer DC-Weise versehen sind, der Wert einer Spannung, die an dem Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss 33 über die Hochfrequenzdrosseln 30 angelegt wird, die Werte der Kapazität der Varaktordioden 9 und 24, um zu ermöglichen, dass die Oszillationsfrequenz verändert wird.
Somit führen in der Schaltung in 3 zwei Geerdete-Kollektor-Clapp-Oszillatorschaltungen einen Oszillatorbetrieb durch, indem sie einen Halblängen-Resonator verwenden, um Oszillationssignale zur Verfügung zu stellen, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, und ihre Ausgabe wird von zwischen den Hochfrequenz-Ausgangsanschlüssen 15 und 16 über die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe zwischen den zwei Schaltungen erhalten.
Entsprechend dieser Konfiguration werden der kollektorerdende Kondensator und der Emitter-zu-Erde-Kondensator, die herkömmlich zwischen dem Oszillatortransistor und der Erde angeschlossen werden, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern sie werden direkt zwischen den Kollektoren und Emitterelektroden der zwei Oszillatortransistoren angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen bei einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden, so dass eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, die nicht durch eine Potentialdifferenz beeinflusst wird, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
4 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung des zweiten Beispiels zeigt. In dieser Figur sind 1 und 17 Oszillatortransistoren; 2, 3 und 18 sind Kondensatoren; 5 und 21 sind Resonatorkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 7 ist ein Resonator; 8 und 23 sind Varaktordioden-Koppelkondensatoren; 9 und 24 sind Varaktordioden; 11, 12, 13, 26, 27 und 28 sind Vorspannungswiderstände; 14 und 29 sind Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln; 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse; 30 ist eine Hochfrequenzdrossel; 31 und 32 sind Ableitkondensatoren; 33 ist ein Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss und 34 ist ein Vorspaannungs-Versorgungsanschluss.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend dem zweiten Beispiel arbeitet wie folgt.
In 4 haben die Oszillatortransistoren 1 und 17 ihre Kollektoranschlüsse direkt aneinander angeschlossen. Die Kondensatoren 2 und 18 werden an die Transistoren 1 bzw. 17 als kapazitive Basis-zu-Emitter-Elemente angeschlossen, deren Werte so gewählt werden, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird.
Der Kondensator 3 wird zwischen den Emittern der Transistoren 1 und 17 angeschlossen, und sein Elementwert wird so gewählt, dass ein optimales C/N-Verhältnis in dem Oszillationsfrequenzband zur Verfügung gestellt wird. Außerdem ist der Resonator 7, der über die Resonatorkoppelkondensatoren 5 und 21 angeschlossen wird, ein Halblängen-Resonator mit offenem Ende. Da der Mittelpunkt des Resonators gleichwertig als ein Kurzschlusspunkt für die Erde wirkt, ist der Resonator 7 gleichwertig zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 1 über den Resonatorkoppelkondensator 5 als ei nem induktiven Element und zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 17 über den Kondensator 21 als einem induktiven Element angeschlossen.
Zusätzlich sind die Varaktordioden 9 und 24 jeweils an dem Resonator 7 über die Varaktordioden-Koppelkondensatoren 8 bzw. 23 angeschlossen. Außerdem variiert, da die Anoden der Varaktordioden 9 und 24 mit dem Erdungspotential durch die Varaktordioden-Vorspannungsdrosseln 14 und 29 in einer DC-Weise versehen sind, der Wert einer Spannung, die an dem Tuning-Spannungs-Versorgungsanschluss 33 über die Hochfrequenzdrosseln 30 angelegt wird, die Werte der Kapazität der Varaktordioden 9 und 24, um zu ermöglichen, dass die Oszillationsfrequenz verändert wird.
Somit führen in der Schaltung in 4 zwei Geerdete-Kollektor-Clapp-Oszillatorschaltungen einen Oszillatorbetrieb durch, indem sie einen Halblängen-Resonator verwenden, um Oszillationssignale zur Verfügung zu stellen, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, und ihre Ausgabe wird von zwischen den Hochfrequenz-Ausgangsanschlüssen 15 und 16 über die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe zwischen den zwei Schaltungen erhalten.
Entsprechend dieser Konfiguration werden die Kollektorelektroden des Oszillatortransistors direkt angeschlossen, um ein Impedanzelement zu beseitigen, das als eine Rauschquelle in dem Kollektor bei einer hohen Frequenz wirkt, ohne die Notwendigkeit, den kollektorerdenden Kondensator anzuschließen, der herkömmlich zwischen den Kollektoren der Oszillatortransistoren angeschlossen wird. Infolgedessen kann eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden, deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden.
5 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung einer ersten Ausführungsform entsprechend dieser Erfindung zeigt. In dieser Figur sind 41 und 42 Pufferverstärkertransistoren; 43 und 44 sind Vorspannungswiderstände; 45 ist ein Kondensator; 32 ist ein Ableitkondensator; 39 und 40 sind Hochfrequenzdrosselspulen; 37 und 38 sind Zwischenkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss und 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse. In diesem Fall ist der Oszillatortransistor 1 ein erster Oszillatortransistor, ist der Oszillatortransistor 17 ein zweiter Oszillatortransistor, ist der Pufferverstärkertransistor 41 ein erster Pufferverstärkertransistor und ist der Pufferverstärkertransistor 42 ein zweiter Pufferverstärkertransistor. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie in 1.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend der ersten Ausführungsform arbeitet wie folgt.
In 5 bilden die Oszillatortransistoren 1 und 17 eine Geerdete-Basis-Clapp-Oszillatorschaltung und führen Oszillatoroperationen durch, indem sie Oszillationssignale, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, wie in der ersten Ausführungsform zur Verfügung stellen. Ihre Ausgaben werden durch die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 über die Zwischenkoppelkondensatoren 37 und 38 verstärkt und werden dann von zwischen den Hochfrequenzausgangsanschlüssen 15 und 16 durch die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe erhalten.
Die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 sind von der Art einer Geerdeter-Emitter-Differentialverstärkerschaltung. Als der erdende Kondensator ist ein Kondensator 45, der eine hinreichend niedrige Impedanz in dem Oszillationsfrequenzband aufweist, direkt an den Emittern der zwei Pufferverstärkertransistoren, wie bei den Oszillatortransistoren 1 und 17, angeschlossen.
Wie oben beschrieben ist der emittererdende Kondensator, der herkömmlich zwischen dem Pufferverstärkertransistor und der Erde angeschlossen wird, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern wird direkt zwischen den Emitterelektroden der zwei Oszillatortransistoren angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen mit der Oszillatorschaltung und den Pufferverstärkerabschnitten bei einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, die nicht durch eine Potentialdifferenz beeinflusst wird, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
Zusätzlich sind in einer DC-Vorspannungsschaltung die Kollektoren der Oszillatortransistoren 1 und 17 an den Emittern der Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 über die Hochfrequenzdrosseln 10 und 25 angeschlossen. Somit wird derselbe Kollektorstromweg für den Pufferverstärkertransistor 41 und den Oszillatortransistor 1 benutzt, und der selbe Kollektorstromweg wird ähnlich für den Pufferverstärkertransistor 42 und den Oszillatortransistor 17 benutzt.
Diese Konfiguration stellt eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung, die den Stromverbrauch verglichen mit einer Schaltung, die unterschiedliche Stromwege verwendet, um Kollektorströme den Oszillator- und Pufferverstärkertransistoren zur Verfügung zu stellen, verringern kann.
6 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung entsprechend der ersten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. In dieser Figur sind 41 und 42 Pufferverstärkertransistoren; 11, 26, 43 und 44 sind Vorspannungswiderstände; 32 ist ein Ableitkondensator; 39 und 40 sind Hochfrequenzdrosselspulen; 37 und 38 sind Zwischenkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss und 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie in 2. In diesem Fall sind die Zwischenkoppelkondensatoren 37 und 38 ein sechster und siebter Kondensator, und die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 sind ein achter und neunter Kondensator.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend der ersten Ausführungsform arbeitet wie folgt.
In 6 bilden die Oszillatortransistoren 1 und 17 eine Geerdete-Basis-Clapp-Oszillatorschaltung und führen Oszillatoroperationen durch, indem sie Oszillationssignale, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, wie in der ersten Ausführungsform, zur Verfügung stellen. Ihre Ausgaben werden durch die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 über die Zwischenkoppelkondensatoren 37 und 38 verstärkt und werden dann von zwischen den Hochfrequenzausgangsanschlüssen 15 und 16 durch die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als Differentialsignalausgabe erhalten.
Die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 sind von der Art einer Geerdeter-Emitter-Differential-Verstärkerschaltung. Die Emitter der zwei Pufferverstärkertransistoren werden direkt aneinander angeschlossen.
Wie oben beschrieben, wird der emittererdende Kondensator, der herkömmlich zwischen den zwei Pufferverstärkertransistoren angeschlossen wird, nicht angeschlossen, sondern die Emitterelektroden der zwei Pufferverstärkertransistoren werden direkt aneinander angeschlossen, um den erdenden Kondensator zu beseitigen, der bei einer hohen Frequenz eine Impedanzkomponente in der Oszillatorschaltung und den Pufferverstärkerabschnitten aufweist, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt wird, deren Eigenschaften wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden.
Zusätzlich sind in einer DC-Vorspannungsschaltung die Kollektoren der Oszillatortransistoren 1 und 17 an den Emittern der Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 über die Hochfrequenzdrosseln 10 und 25 angeschlossen, die ein erster und zweiter Induktor sind. Somit wird derselbe Kollektorstromweg für den Pufferverstärkertransistor 41 und den Oszillatortransistor 1 benutzt, und derselbe Kollektorstromweg wird ähnlich für den Pufferverstärkertransistor 42 und den Oszillatortransistor 17 benutzt.
Diese Konfiguration stellt eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung, die den Stromverbrauch verglichen mit einer Schaltung, die unterschiedliche Stromwege verwendet, um Kollektorströme den Oszillator- und Pufferverstärkertransistoren zur Verfügung zu stellen, verringern kann.
7 ist ein Schaltplan, der eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung einer zweiten Ausführungsform entsprechend dieser Erfindung zeigt. In dieser Figur sind 41 und 42 Pufferverstärkertransistoren; 43 und 44 sind Vorspannungswiderstände; 32 ist ein Ableitkondensator; 39 und 40 sind Hochfrequenzdrosselspulen; 37 und 38 sind Zwischenkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss und 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse. In diesem Fall ist der Oszillatortransistor 1 ein erster Oszillatortransistor, ist der Oszillatortransistor 17 ein zweiter Oszillatortransistor, ist der Pufferverstärkertransistor 41 ein erster Pufferverstärkertransistor, und ist der Pufferverstärkertransistor 42 ein zweiter Pufferverstärkertransistor. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie in 3.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend der zweiten Ausführungsform arbeitet wie folgt.
In 7 bilden die Oszillatortransistoren 1 und 17 eine Geerdete-Kollektor-Clapp-Oszillatorschaltung und führen Oszillatoroperationen durch, indem sie Oszillationssignale, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, wie in der zweiten Ausführungsform zur Verfügung stellen. Ihre Ausgaben werden durch die Pufferverstärkertran sistoren 41 und 42 über die Zwischenkoppelkondensatoren 37 und 38 verstärkt und werden dann von zwischen den Hochfrequenzausgangsanschlüssen 15 und 16 durch die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe erhalten.
Die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 sind von der Art einer Geerdeter-Emitter-Differentialverstärkerschaltung. Der Kondensator 4, der verwendet wird, um die Kollektoren der Oszillatortransistoren 1 und 17 zu erden, kann ebenso als der erdende Kondensator für die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 verwendet werden.
Wie oben beschrieben, ist der emittererdende Kondensator, der herkömmlich zwischen dem Pufferverstärkertransistor und der Erde angeschlossen wird, nicht an ein Erdemuster auf einer Montageleiterplatine angeschlossen, sondern wird direkt zwischen den Emitterelektroden der zwei Oszillatortransistoren angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen mit der Oszillatorschaltung und den Pufferverstärkerabschnitten bei einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine durchgeführt werden, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, die nicht durch eine Potentialdifferenz beeinflusst wird, die in dem Erdemuster auf der Montageleiterplatine auftritt, oder deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht verschlechtert werden, selbst wenn eine externe elektromagnetische Störung auftritt.
Zusätzlich sind in einer DC-Vorspannungsschaltung die Kollektoren der Oszillatortransistoren 1 und 17 an den Emittern der Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 angeschlossen. Somit wird derselbe Kollektorstromweg für den Pufferverstärkertransistor 41 und den Oszillatortransistor 1 benutzt, und derselbe Kollektorstromweg wird ähnlich für den Pufferverstärkertransistor 42 und den Oszillatortransistor 17 benutzt.
Diese Konfiguration stellt eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung, die den Stromverbrauch verglichen mit einer Schaltung, die unterschiedliche Stromwege verwendet, um Kollektorströme den Oszillator- und Pufferverstärkertransistoren zur Verfügung zu stellen, verringern kann.
8 ist ein Schaltplan, der ein anderes Beispiel einer Hochfrequenz-Oszillatorschaltung entsprechend der zweiten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. In dieser Figur sind 41 und 42 Pufferverstärkertransistoren; 43, 44, 46 und 47 sind Vorspannungswiderstände; 32 ist ein Ableitkondensator; 39 und 40 sind Hochfrequenzdrosselspulen; 37 und 38 sind Zwischenkoppelkondensatoren; 6 und 22 sind Ausgangskoppelkondensatoren; 34 ist ein Vorspannungs-Versorgungsanschluss; und 15 und 16 sind Hochfrequenzausgangsanschlüsse. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie in 4.
Die Hochfrequenz-Oszillatorschaltung dieser Konfiguration entsprechend der zweiten Ausführungsform arbeitet wie folgt.
In 8 bilden die Oszillatortransistoren 1 und 17 eine Geerdete-Kollektor-Clapp-Oszillatorschaltung und führen Oszillatoroperationen durch, indem sie Oszillationssignale, deren Phasen gegenseitig um 180 Grad verschoben sind, wie in der zweiten Ausführungsform zur Verfügung stellen. Ihre Ausgaben werden durch die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 über die Zwischenkoppelkondensatoren 37 und 38 verstärkt und werden dann von zwischen den Hochfrequenzausgangsanschlüssen 15 und 16 durch die Ausgangskoppelkondensatoren 6 und 22 als eine Differentialsignalausgabe erhalten.
Die Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 sind von der Art einer Geerdeter-Emitter-Differentialverstärkerschaltung. Die Emitter der zwei Pufferverstärkertransistoren sind direkt aneinander angeschlossen.
Wie oben beschrieben, wird der emittererdende Kondensator, der herkömmlich zwischen den zwei Pufferverstärkertransistoren angeschlossen wird, nicht angeschlossen, sondern die Emitterelektroden der zwei Pufferverstärkertransistoren werden direkt aneinander angeschlossen. Somit können differentielle Oszillatoroperationen mit der Oszillatorschaltung und den Pufferverstärkerabschnitten bei einer hohen Frequenz ohne den Gebrauch von dem erdenden Kondensator durchgeführt werden, wodurch eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung gestellt werden kann, deren Eigenschaften, wie das Signal-Rausch-Verhältnis, nicht aufgrund einer Impedanz des erdenden Kondensators verschlechtert werden.
Zusätzlich sind in einer DC-Vorspannungsschaltung die Kollektoren der Oszillatortransistoren 1 und 17 an den Emittern der Pufferverstärkertransistoren 41 und 42 angeschlossen. Somit wird derselbe Kollektorstromweg für den Pufferverstärkertransistor 41 und den Oszillatortransistor 1 benutzt, und derselbe Kollektorstromweg wird ähnlich für den Pufferverstärkertransistor 42 und den Oszillatortransistor 17 benutzt.
Diese Konfiguration stellt eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung zur Verfügung, die den Stromverbrauch verglichen mit einer Schaltung, die unterschiedliche Stromwege verwendet, um Kollektorströme den Oszillator- und Pufferverstärkertransistoren zur Verfügung zu stellen, verringern kann.
Die Konfiguration der Schaltung entsprechend dieser Ausführungsform ist nur illustrativ, und die Konfiguration einer zusätzlichen Schaltung um die Transistoren herum ist nicht auf einen solchen Aspekt beschränkt, solange die Basen oder Kollektoren der zwei Oszillatortransistoren direkt aneinander angeschlossen sind, während die Emitter der zwei Pufferverstärkertransistoren direkt aneinander angeschlossen sind, um nicht durch eine Impedanz des erdenden Kondensators beeinflusst zu werden.
Obgleich gemäß dem ersten Beispiel beide Basen und beide Emitter der zwei Oszillatortransistoren direkt über Kondensatoren aneinander angeschlossen werden, ist diese Erfindung nicht auf diesen Aspekt beschränkt, sondern es können nur beide Basen davon, wie in 9 gezeigt, über einen Kondensator direkt aneinander angeschlossen sein, oder nur beide Emitter davon können, wie in 10 gezeigt, über einen Kondensator direkt aneinander angeschlossen sein. In 3 können nur beide Kollektoren der Transistoren über einen Kondensator direkt aneinander angeschlossen sein, oder nur beide Emitter der Transistoren können über einen Kondensator direkt aneinander angeschlossen sein. In diesem Fall können die Basis und der Kollektor ohne einen Kondensator direkt aneinander angeschlossen sein.

Claims

Eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung, umfassend: einen ersten und zweiten Oszillatortransistor (1, 17), worin die Basen des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) direkt oder über einen Kondensator (4), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Emittern des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) erhalten wird, und einen ersten Pufferverstärkertransistor (41), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten ersten Oszillatortransistors (1) angeschlossen ist; und einen zweiten Pufferverstärkertransistor (42), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) angeschlossen ist, worin die Emitter des ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) direkt oder über einen Kondensator (4, 45), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin nach Verstärkung eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Kollektoren des genannten ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) als eine Oszillatorausgabe erhalten wird, gekennzeichnet durch einen ersten Induktor (10), der zwischen dem Kollektor des genannten ersten Oszillatortransistors (1) und dem Emitter des genannten ersten Pufferverstärkertransistors (41) angeschlossen ist; und einen zweiten Induktor (25), der zwischen dem Kollektor des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) und dem Emitter des genannten zweiten Pufferverstärkertransistors (42) angeschlossen ist, worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten ersten Pufferverstärkertransistor (41) und einen Kollektorstrom von dem genannten ersten Oszillatortransistor (1) verwendet wird, und worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten zweiten Pufferverstärkertransistor (42) und einen Kollektorstrom von dem genannten zweiten Oszillatortransistor (17) verwendet wird.
Eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung, umfassend: einen ersten und zweiten Oszillatortransistor (1, 17), worin die Kollektoren des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) direkt oder über einen Kondensator (4), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Emittern des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) erhalten wird, einen ersten Pufferverstärkertransistor (41), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten ersten Oszillatortransistors (1) angeschlossen ist; und einen zweiten Pufferverstärkertransistor (42), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) angeschlossen ist, worin die Emitter des ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) direkt oder über einen Kondensator (4, 45), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin nach Verstärkung eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Kollektoren des genannten ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) als eine Oszillatorausgabe erhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor des genannten ersten Oszillatortransistors (1) an dem Emitter des genannten ersten Pufferverstärkertransistors (41) angeschlossen ist, und der Kollektor des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) an dem Emitter des genannten zweiten Pufferverstärkertransistors (42) angeschlossen ist, worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten ersten Pufferverstärkertransistor (41) und einen Kollektorstrom von dem genannten ersten Oszillatortransistor (1) verwendet wird, und worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten zweiten Pufferverstärkertransistor (42) und einen Kollektorstrom von dem genannten zweiten Oszillatortransistor (17) verwendet wird.