JPH1146118A - 高周波発振回路 - Google Patents
高周波発振回路Info
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- JPH1146118A JPH1146118A JP19959697A JP19959697A JPH1146118A JP H1146118 A JPH1146118 A JP H1146118A JP 19959697 A JP19959697 A JP 19959697A JP 19959697 A JP19959697 A JP 19959697A JP H1146118 A JPH1146118 A JP H1146118A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部からの電磁界的干渉に対し、回路が実装
されるグランド面に発生する電位差等により、高周波発
振回路のＳ／Ｎ特性等の劣化が生じる。 【解決手段】 平衡型で動作する２つの発振トランジス
タ１，１７の各々のベースとグランド間に接続されるコ
ンデンサを、実装基板上のグランドパターンに接続せず
に、発振トランジスタ１，１７のベース電極間をコンデ
ンサ４で直接接続し、発振トランジスタ１，１７のエミ
ッタとグランド間に接続されるコンデンサを、実装基板
上のグランドパターンに接続せずに、発振トランジスタ
１，１７のエミッタ電極間をコンデンサ３で直接接続す
るように構成する。
されるグランド面に発生する電位差等により、高周波発
振回路のＳ／Ｎ特性等の劣化が生じる。 【解決手段】 平衡型で動作する２つの発振トランジス
タ１，１７の各々のベースとグランド間に接続されるコ
ンデンサを、実装基板上のグランドパターンに接続せず
に、発振トランジスタ１，１７のベース電極間をコンデ
ンサ４で直接接続し、発振トランジスタ１，１７のエミ
ッタとグランド間に接続されるコンデンサを、実装基板
上のグランドパターンに接続せずに、発振トランジスタ
１，１７のエミッタ電極間をコンデンサ３で直接接続す
るように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、衛星通
信等の無線通信機器における、電圧制御発振器等の高周
波発振回路に関するものである。
信等の無線通信機器における、電圧制御発振器等の高周
波発振回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図を用いて説明す
る。
る。
【０００３】図５は、従来例の高周波発振回路の回路図
である。図５において、１、１７は発振トランジスタ、
２、３、４、１８、１９、２０はコンデンサ、５、２１
は共振器結合コンデンサ、６、２２は出力結合コンデン
サ、７は共振器、８、２３はバラクタダイオード結合コ
ンデンサ、９、２４はバラクタダイオード、１１、１
２、１３、２６、２７、２８はバイアス用抵抗、１４、
２９はバラクタダイオードバイアスチョーク、１５、１
６は高周波出力端子、１０、２５、３０は高周波チョー
ク、３１、３２はバイパスコンデンサ、３３はチューニ
ング電圧供給端子、３４はバイアス電圧供給端子であ
る。
である。図５において、１、１７は発振トランジスタ、
２、３、４、１８、１９、２０はコンデンサ、５、２１
は共振器結合コンデンサ、６、２２は出力結合コンデン
サ、７は共振器、８、２３はバラクタダイオード結合コ
ンデンサ、９、２４はバラクタダイオード、１１、１
２、１３、２６、２７、２８はバイアス用抵抗、１４、
２９はバラクタダイオードバイアスチョーク、１５、１
６は高周波出力端子、１０、２５、３０は高周波チョー
ク、３１、３２はバイパスコンデンサ、３３はチューニ
ング電圧供給端子、３４はバイアス電圧供給端子であ
る。
【０００４】以上のような構成の従来の高周波発振回路
は次のように動作する。
は次のように動作する。
【０００５】図５において、発振トランジスタ１および
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４および２０により、各々そのベース端子が
グランドに接地されている。コンデンサ２および１８
は、コレクタ−エミッタ間容量素子として、各々、トラ
ンジスタ１および１７に接続されている。また、コンデ
ンサ３および１９は、各々トランジスタ１および１７の
エミッタとグランドとの間に接続されており、ベース接
地である本回路では、等価的にエミッタ−ベース間に接
続されている。さらに、共振器結合コンデンサ５および
２１を介して接続される共振器７は、先端開放の１／２
波長共振器であり、その共振器の中点においては等価的
にグランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデン
サ５を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１
のコレクタ−ベース間に、また同様に、コンデンサ２１
を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１７の
コレクタ−ベース間に、等価的に接続されている。
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４および２０により、各々そのベース端子が
グランドに接地されている。コンデンサ２および１８
は、コレクタ−エミッタ間容量素子として、各々、トラ
ンジスタ１および１７に接続されている。また、コンデ
ンサ３および１９は、各々トランジスタ１および１７の
エミッタとグランドとの間に接続されており、ベース接
地である本回路では、等価的にエミッタ−ベース間に接
続されている。さらに、共振器結合コンデンサ５および
２１を介して接続される共振器７は、先端開放の１／２
波長共振器であり、その共振器の中点においては等価的
にグランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデン
サ５を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１
のコレクタ−ベース間に、また同様に、コンデンサ２１
を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１７の
コレクタ−ベース間に、等価的に接続されている。
【０００６】このように、図５の回路では、ベース接地
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端子
１５、１６間から取り出される。
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端子
１５、１６間から取り出される。
【０００７】また、バラクタダイオード９、２４は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、コンデンサ３、４、１９、２０が、グ
ランドに接続されているため、例えば、外部からの電磁
界的な干渉が発生した場合、回路を実装する基板上のグ
ランド面に電位差が発生し、二つのトランジスタ間のバ
ランスがくずれ、Ｓ／Ｎ等が劣化するという課題を有し
ていた。
ような構成では、コンデンサ３、４、１９、２０が、グ
ランドに接続されているため、例えば、外部からの電磁
界的な干渉が発生した場合、回路を実装する基板上のグ
ランド面に電位差が発生し、二つのトランジスタ間のバ
ランスがくずれ、Ｓ／Ｎ等が劣化するという課題を有し
ていた。
【０００９】本発明は、従来のこのような課題を考慮
し、外部からの電磁界的な干渉に対し、Ｓ／Ｎ等の特性
劣化のない高周波発振回路を提供することを目的とする
ものである。
し、外部からの電磁界的な干渉に対し、Ｓ／Ｎ等の特性
劣化のない高周波発振回路を提供することを目的とする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、第
１の発振トランジスタと、その第１の発振トランジスタ
のコレクタ−エミッタ間に接続された第１のキャパシタ
と、第２の発振トランジスタと、その第２の発振トラン
ジスタのコレクタ−エミッタ間に接続された第２のキャ
パシタと、共振器と、その共振器の一端と第１の発振ト
ランジスタのコレクタとの間に接続された第３のキャパ
シタと、共振器の他端と第２の発振トランジスタのコレ
クタとの間に接続された第４のキャパシタと、第１の発
振トランジスタのベースと第２の発振トランジスタのベ
ースとの間に接続された第５のキャパシタと、第１の発
振トランジスタのエミッタと第２の発振トランジスタの
エミッタとの間に接続された第６のキャパシタと、第１
の発振トランジスタのエミッタに一端が接続された第７
のキャパシタと、第２の発振トランジスタのエミッタに
一端が接続された第８のキャパシタとを備え、第７のキ
ャパシタの他端と第８のキャパシタの他端から差動信号
出力を発振出力として取り出す高周波発振回路である。
１の発振トランジスタと、その第１の発振トランジスタ
のコレクタ−エミッタ間に接続された第１のキャパシタ
と、第２の発振トランジスタと、その第２の発振トラン
ジスタのコレクタ−エミッタ間に接続された第２のキャ
パシタと、共振器と、その共振器の一端と第１の発振ト
ランジスタのコレクタとの間に接続された第３のキャパ
シタと、共振器の他端と第２の発振トランジスタのコレ
クタとの間に接続された第４のキャパシタと、第１の発
振トランジスタのベースと第２の発振トランジスタのベ
ースとの間に接続された第５のキャパシタと、第１の発
振トランジスタのエミッタと第２の発振トランジスタの
エミッタとの間に接続された第６のキャパシタと、第１
の発振トランジスタのエミッタに一端が接続された第７
のキャパシタと、第２の発振トランジスタのエミッタに
一端が接続された第８のキャパシタとを備え、第７のキ
ャパシタの他端と第８のキャパシタの他端から差動信号
出力を発振出力として取り出す高周波発振回路である。
【００１１】すなわち、発振トランジスタのベースとグ
ランド間に接続されるコンデンサを、実装する基板上の
グランドパターンに接続せず、２つの発振トランジスタ
のベース電極間を上記コンデンサで直接接続し、かつ、
発振トランジスタのエミッタとグランド間に接続される
コンデンサを、同様に、実装する基板上のグランドパタ
ーンに接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電
極間をコンデンサで直接接続するように構成したもので
ある。これにより、高周波的には実装基板上のグランド
パターンを使わずとも差動型の発振動作が可能であるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生するコモンモードノ
イズ源による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない
高周波発振回路を得ることができる。
ランド間に接続されるコンデンサを、実装する基板上の
グランドパターンに接続せず、２つの発振トランジスタ
のベース電極間を上記コンデンサで直接接続し、かつ、
発振トランジスタのエミッタとグランド間に接続される
コンデンサを、同様に、実装する基板上のグランドパタ
ーンに接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電
極間をコンデンサで直接接続するように構成したもので
ある。これにより、高周波的には実装基板上のグランド
パターンを使わずとも差動型の発振動作が可能であるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生するコモンモードノ
イズ源による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない
高周波発振回路を得ることができる。
【００１２】請求項４の本発明は、第１の発振トランジ
スタと、その第１の発振トランジスタのベース−エミッ
タ間に接続された第１のキャパシタと、第２の発振トラ
ンジスタと、その第２の発振トランジスタのベース−エ
ミッタ間に接続された第２のキャパシタと、共振器と、
その共振器の一端と第１の発振トランジスタのベースと
の間に接続された第３のキャパシタと、共振器の他端と
第２の発振トランジスタのベースとの間に接続された第
４のキャパシタと、第１の発振トランジスタのコレクタ
と第２の発振トランジスタのコレクタとの間に接続され
た第５のキャパシタと、第１の発振トランジスタのエミ
ッタと第２の発振トランジスタのエミッタとの間に接続
された第６のキャパシタと、第１の発振トランジスタの
エミッタに一端が接続された第７のキャパシタと、第２
の発振トランジスタのエミッタに一端が接続された第８
のキャパシタとを備え、第７のキャパシタの他端と第８
のキャパシタの他端から差動信号出力を発振出力として
取り出す高周波発振回路である。
スタと、その第１の発振トランジスタのベース−エミッ
タ間に接続された第１のキャパシタと、第２の発振トラ
ンジスタと、その第２の発振トランジスタのベース−エ
ミッタ間に接続された第２のキャパシタと、共振器と、
その共振器の一端と第１の発振トランジスタのベースと
の間に接続された第３のキャパシタと、共振器の他端と
第２の発振トランジスタのベースとの間に接続された第
４のキャパシタと、第１の発振トランジスタのコレクタ
と第２の発振トランジスタのコレクタとの間に接続され
た第５のキャパシタと、第１の発振トランジスタのエミ
ッタと第２の発振トランジスタのエミッタとの間に接続
された第６のキャパシタと、第１の発振トランジスタの
エミッタに一端が接続された第７のキャパシタと、第２
の発振トランジスタのエミッタに一端が接続された第８
のキャパシタとを備え、第７のキャパシタの他端と第８
のキャパシタの他端から差動信号出力を発振出力として
取り出す高周波発振回路である。
【００１３】すなわち、発振トランジスタのコレクタと
グランド間に接続されるコンデンサを、実装する基板上
のグランドパターンに接続せず、２つの発振トランジス
タのコレクタ電極間を上記コンデンサで直接接続し、か
つ、発振トランジスタのエミッタとグランド間に接続さ
れるコンデンサを、同様に、実装する基板上のグランド
パターンに接続せず、２つの発振トランジスタのエミッ
タ電極間をコンデンサで直接接続するように構成したも
のである。これにより、高周波的には実装基板上のグラ
ンドパターンを使わずとも差動型の発振動作が可能であ
るため、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合で
も、実装基板上グランドパターンに発生するコモンモー
ドノイズ源による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化の
ない高周波発振回路を得ることができる。
グランド間に接続されるコンデンサを、実装する基板上
のグランドパターンに接続せず、２つの発振トランジス
タのコレクタ電極間を上記コンデンサで直接接続し、か
つ、発振トランジスタのエミッタとグランド間に接続さ
れるコンデンサを、同様に、実装する基板上のグランド
パターンに接続せず、２つの発振トランジスタのエミッ
タ電極間をコンデンサで直接接続するように構成したも
のである。これにより、高周波的には実装基板上のグラ
ンドパターンを使わずとも差動型の発振動作が可能であ
るため、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合で
も、実装基板上グランドパターンに発生するコモンモー
ドノイズ源による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化の
ない高周波発振回路を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明をその実施の形態
を示す図面に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明にかかる第１の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図１におい
て、１、１７は発振トランジスタ、２、３、４、１８、
３５、３６はコンデンサ、５、２１は共振器結合コンデ
ンサ、６、２２は出力結合コンデンサ、７は共振器、
８、２３はバラクタダイオード結合コンデンサ、９、２
４はバラクタダイオード、１１、１２、１３、２６、２
７、２８はバイアス用抵抗、１４、２９はバラクタダイ
オードバイアスチョーク、１５、１６は高周波出力端
子、１０、２５、３０は高周波チョーク、３１、３２は
バイパスコンデンサ、３３はチューニング電圧供給端
子、３４はバイアス電圧供給端子である。ここで、発振
トランジスタ１を第１の発振トランジスタ、発振トラン
ジスタ１７を第２の発振トランジスタとすれば、コンデ
ンサ２が第１のキャパシタ、コンデンサ１８が第２のキ
ャパシタ、コンデンサ４が第５のキャパシタ、コンデン
サ３が第６のキャパシタ、共振器結合コンデンサ５が第
３のキャパシタ、共振器結合コンデンサ２１が第４のキ
ャパシタ、出力結合コンデンサ６が第７のキャパシタ、
出力結合コンデンサ２２が第８のキャパシタである。
を示す図面に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明にかかる第１の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図１におい
て、１、１７は発振トランジスタ、２、３、４、１８、
３５、３６はコンデンサ、５、２１は共振器結合コンデ
ンサ、６、２２は出力結合コンデンサ、７は共振器、
８、２３はバラクタダイオード結合コンデンサ、９、２
４はバラクタダイオード、１１、１２、１３、２６、２
７、２８はバイアス用抵抗、１４、２９はバラクタダイ
オードバイアスチョーク、１５、１６は高周波出力端
子、１０、２５、３０は高周波チョーク、３１、３２は
バイパスコンデンサ、３３はチューニング電圧供給端
子、３４はバイアス電圧供給端子である。ここで、発振
トランジスタ１を第１の発振トランジスタ、発振トラン
ジスタ１７を第２の発振トランジスタとすれば、コンデ
ンサ２が第１のキャパシタ、コンデンサ１８が第２のキ
ャパシタ、コンデンサ４が第５のキャパシタ、コンデン
サ３が第６のキャパシタ、共振器結合コンデンサ５が第
３のキャパシタ、共振器結合コンデンサ２１が第４のキ
ャパシタ、出力結合コンデンサ６が第７のキャパシタ、
出力結合コンデンサ２２が第８のキャパシタである。
【００１５】以上のような構成の本第１の実施の形態に
おける高周波発振回路は次のように動作する。
おける高周波発振回路は次のように動作する。
【００１６】図１において、発振トランジスタ１および
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４にて、各々そのベース端子が接続されてい
る。コンデンサ２および１８は、コレクタ−エミッタ間
容量素子として、コンデンサ３５および３６は各々コレ
クタ−ベース間容量素子として、発振周波数帯にてＣ／
Ｎ特性等が最適となるようその素子値が選ばれ、各々、
トランジスタ１および１７に接続されている。また、コ
ンデンサ３は、トランジスタ１および１７のエミッタ間
に接続され、同様に発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最
適となるようその素子値が選ばれている。さらに、共振
器結合コンデンサ５および２１を介して接続される共振
器７は、先端開放の１／２波長共振器であり、その共振
器の中点においては等価的にグランドとの短絡点となる
ため、共振器結合コンデンサ５を介して共振器７は誘導
素子としてトランジスタ１のコレクタ−ベース間に、ま
たコンデンサ２１を介して共振器７は誘導素子としてト
ランジスタ１７のコレクタ−ベース間に、等価的に接続
されている。
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４にて、各々そのベース端子が接続されてい
る。コンデンサ２および１８は、コレクタ−エミッタ間
容量素子として、コンデンサ３５および３６は各々コレ
クタ−ベース間容量素子として、発振周波数帯にてＣ／
Ｎ特性等が最適となるようその素子値が選ばれ、各々、
トランジスタ１および１７に接続されている。また、コ
ンデンサ３は、トランジスタ１および１７のエミッタ間
に接続され、同様に発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最
適となるようその素子値が選ばれている。さらに、共振
器結合コンデンサ５および２１を介して接続される共振
器７は、先端開放の１／２波長共振器であり、その共振
器の中点においては等価的にグランドとの短絡点となる
ため、共振器結合コンデンサ５を介して共振器７は誘導
素子としてトランジスタ１のコレクタ−ベース間に、ま
たコンデンサ２１を介して共振器７は誘導素子としてト
ランジスタ１７のコレクタ−ベース間に、等価的に接続
されている。
【００１７】また、バラクタダイオード９、２４は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
【００１８】このように、図１の回路では、ベース接地
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端子
１５、１６間から取り出される。
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端子
１５、１６間から取り出される。
【００１９】上記の構成によれば、従来、発振トランジ
スタとグランドとの間に接続されていたベース接地用コ
ンデンサ、およびエミッタ−グランド間コンデンサを、
実装する基板上のグランドパターンに接続せず、２つの
発振トランジスタのベースおよびエミッタ電極間に直接
接続する構成とすることにより、高周波的には実装基板
上のグランドパターンを使わずとも差動型の発振動作が
可能であるため、外部からの電磁界的な干渉等が発生し
た場合でも、実装基板上グランドパターンに発生する電
位差等による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない
高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態２）図２は、本発明にかかる第２の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図２におい
て、１、１７は発振トランジスタ、２、３、４、１８は
コンデンサ、５、２１は共振器結合コンデンサ、６、２
２は出力結合コンデンサ、７は共振器、８、２３はバラ
クタダイオード結合コンデンサ、９、２４はバラクタダ
イオード、１１、１２、１３、２６、２７、２８はバイ
アス用抵抗、１４、２９はバラクタダイオードバイアス
チョーク、１５、１６は高周波出力端子、３０は高周波
チョーク、３１、３２はバイパスコンデンサ、３３はチ
ューニング電圧供給端子、３４はバイアス電圧供給端子
である。ここで、発振トランジスタ１を第１の発振トラ
ンジスタ、発振トランジスタ１７を第２の発振トランジ
スタとすれば、コンデンサ２が第１のキャパシタ、コン
デンサ１８が第２のキャパシタ、コンデンサ４が第５の
キャパシタ、コンデンサ３が第６のキャパシタ、共振器
結合コンデンサ５が第３のキャパシタ、共振器結合コン
デンサ２１が第４のキャパシタ、出力結合コンデンサ６
が第７のキャパシタ、出力結合コンデンサ２２が第８の
キャパシタである。
スタとグランドとの間に接続されていたベース接地用コ
ンデンサ、およびエミッタ−グランド間コンデンサを、
実装する基板上のグランドパターンに接続せず、２つの
発振トランジスタのベースおよびエミッタ電極間に直接
接続する構成とすることにより、高周波的には実装基板
上のグランドパターンを使わずとも差動型の発振動作が
可能であるため、外部からの電磁界的な干渉等が発生し
た場合でも、実装基板上グランドパターンに発生する電
位差等による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない
高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態２）図２は、本発明にかかる第２の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図２におい
て、１、１７は発振トランジスタ、２、３、４、１８は
コンデンサ、５、２１は共振器結合コンデンサ、６、２
２は出力結合コンデンサ、７は共振器、８、２３はバラ
クタダイオード結合コンデンサ、９、２４はバラクタダ
イオード、１１、１２、１３、２６、２７、２８はバイ
アス用抵抗、１４、２９はバラクタダイオードバイアス
チョーク、１５、１６は高周波出力端子、３０は高周波
チョーク、３１、３２はバイパスコンデンサ、３３はチ
ューニング電圧供給端子、３４はバイアス電圧供給端子
である。ここで、発振トランジスタ１を第１の発振トラ
ンジスタ、発振トランジスタ１７を第２の発振トランジ
スタとすれば、コンデンサ２が第１のキャパシタ、コン
デンサ１８が第２のキャパシタ、コンデンサ４が第５の
キャパシタ、コンデンサ３が第６のキャパシタ、共振器
結合コンデンサ５が第３のキャパシタ、共振器結合コン
デンサ２１が第４のキャパシタ、出力結合コンデンサ６
が第７のキャパシタ、出力結合コンデンサ２２が第８の
キャパシタである。
【００２０】以上のような構成の本第２の実施の形態に
おける高周波発振回路は次のように動作する。
おける高周波発振回路は次のように動作する。
【００２１】図２において、発振トランジスタ１および
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４にて、各々そのコレクタ端子が接続されて
いる。コンデンサ２および１８は、ベース−エミッタ間
容量素子として、発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最適
となるようその素子値が選ばれ、各々、トランジスタ１
および１７に接続されている。また、コンデンサ３は、
トランジスタ１および１７のエミッタ間に接続され、同
様に発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最適となるようそ
の素子値が選ばれている。さらに、共振器結合コンデン
サ５および２１を介して接続される共振器７は、先端開
放の１／２波長共振器であり、その共振器の中点におい
てはグランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデ
ンサ５を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ
１のコレクタ−ベース間に、またコンデンサ２１を介し
て共振器７は誘導素子としてトランジスタ１７のコレク
タ−ベース間に、等価的に接続されている。
１７は、発振周波数帯にて十分にインピーダンスの低い
コンデンサ４にて、各々そのコレクタ端子が接続されて
いる。コンデンサ２および１８は、ベース−エミッタ間
容量素子として、発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最適
となるようその素子値が選ばれ、各々、トランジスタ１
および１７に接続されている。また、コンデンサ３は、
トランジスタ１および１７のエミッタ間に接続され、同
様に発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最適となるようそ
の素子値が選ばれている。さらに、共振器結合コンデン
サ５および２１を介して接続される共振器７は、先端開
放の１／２波長共振器であり、その共振器の中点におい
てはグランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデ
ンサ５を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ
１のコレクタ−ベース間に、またコンデンサ２１を介し
て共振器７は誘導素子としてトランジスタ１７のコレク
タ−ベース間に、等価的に接続されている。
【００２２】また、バラクタダイオード９、２４は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２３を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２４のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２９により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル３０を
経てチューニング電圧供給端子３３に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２４の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。
【００２３】このように、図２の回路では、コレクタ接
地型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器によ
り互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら
発振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、
２２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端
子１５、１６間から取り出される。
地型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器によ
り互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら
発振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、
２２を介して、両者の差動信号出力として高周波出力端
子１５、１６間から取り出される。
【００２４】上記の構成によれば、従来、発振トランジ
スタとグランドとの間に接続されていたコレクタ接地用
コンデンサ、およびエミッタ−グランド間コンデンサ
を、実装する基板上のグランドパターンに接続せず、２
つの発振トランジスタのコレクタおよびエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、高周波的には実
装基板上のグランドパターンを使わずとも差動型の発振
動作が可能であるため、外部からの電磁界的な干渉等が
発生した場合でも、実装基板上グランドパターンに発生
する電位差等による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化
のない高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態３）図３は、本発明にかかる第３の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図３におい
て、４１、４２はバッファアンプトランジスタ、４３、
４４はバイアス用抵抗、４５はコンデンサ、３２はバイ
パスコンデンサ、３９、４０は高周波チョークコイル、
３７、３８は段間結合コンデンサ、６、２２は出力結合
コンデンサ、３４はバイアス電圧供給端子、１５、１６
は高周波出力端子である。ここで、発振トランジスタ１
を第１の発振トランジスタ、発振トランジスタ１７を第
２の発振トランジスタとすれば、段間結合コンデンサ３
７が第７のキャパシタ、段間結合コンデンサ３８が第８
のキャパシタ、バッファアンプトランジスタ４１が第１
のバッファアンプトランジスタ、バッファアンプトラン
ジスタ４２が第２のバッファアンプトランジスタ、コン
デンサ４５が第９のキャパシタ、出力結合コンデンサ６
が第１０のキャパシタ、出力結合コンデンサ２２が第１
１のキャパシタ、高周波チョーク１０が第１のインダク
タ、高周波チョーク２５が第２のインダクタである。な
お、その他の部分については、図１と同様の構成部品か
らなる。
スタとグランドとの間に接続されていたコレクタ接地用
コンデンサ、およびエミッタ−グランド間コンデンサ
を、実装する基板上のグランドパターンに接続せず、２
つの発振トランジスタのコレクタおよびエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、高周波的には実
装基板上のグランドパターンを使わずとも差動型の発振
動作が可能であるため、外部からの電磁界的な干渉等が
発生した場合でも、実装基板上グランドパターンに発生
する電位差等による影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化
のない高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態３）図３は、本発明にかかる第３の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図３におい
て、４１、４２はバッファアンプトランジスタ、４３、
４４はバイアス用抵抗、４５はコンデンサ、３２はバイ
パスコンデンサ、３９、４０は高周波チョークコイル、
３７、３８は段間結合コンデンサ、６、２２は出力結合
コンデンサ、３４はバイアス電圧供給端子、１５、１６
は高周波出力端子である。ここで、発振トランジスタ１
を第１の発振トランジスタ、発振トランジスタ１７を第
２の発振トランジスタとすれば、段間結合コンデンサ３
７が第７のキャパシタ、段間結合コンデンサ３８が第８
のキャパシタ、バッファアンプトランジスタ４１が第１
のバッファアンプトランジスタ、バッファアンプトラン
ジスタ４２が第２のバッファアンプトランジスタ、コン
デンサ４５が第９のキャパシタ、出力結合コンデンサ６
が第１０のキャパシタ、出力結合コンデンサ２２が第１
１のキャパシタ、高周波チョーク１０が第１のインダク
タ、高周波チョーク２５が第２のインダクタである。な
お、その他の部分については、図１と同様の構成部品か
らなる。
【００２５】以上のような構成の本第３の実施の形態に
おける高周波発振回路は次のように動作する。
おける高周波発振回路は次のように動作する。
【００２６】図３において、発振トランジスタ１および
１７は、上記第１の実施の形態と同様、ベース接地型ク
ラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発振信
号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を行な
う。その出力は、段間結合コンデンサ３７、３８を介し
て、バッファアンプトランジスタ４１、４２により各々
増幅され、出力結合コンデンサ６、２２を経て、両者の
差動信号出力として高周波出力端子１５、１６間から取
り出される。
１７は、上記第１の実施の形態と同様、ベース接地型ク
ラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発振信
号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を行な
う。その出力は、段間結合コンデンサ３７、３８を介し
て、バッファアンプトランジスタ４１、４２により各々
増幅され、出力結合コンデンサ６、２２を経て、両者の
差動信号出力として高周波出力端子１５、１６間から取
り出される。
【００２７】ここで、バッファアンプトランジスタ４
１、４２は、エミッタ接地型の差動増幅回路形式であ
る。その接地用コンデンサとしては、発振トランジスタ
１、１７と同様、２つのバッファアンプトランジスタの
エミッタ間を、発振周波数帯にて十分にインピーダンス
の低いコンデンサ４５により直接接続する構成をとって
いる。
１、４２は、エミッタ接地型の差動増幅回路形式であ
る。その接地用コンデンサとしては、発振トランジスタ
１、１７と同様、２つのバッファアンプトランジスタの
エミッタ間を、発振周波数帯にて十分にインピーダンス
の低いコンデンサ４５により直接接続する構成をとって
いる。
【００２８】上記のように、従来、バッファアンプトラ
ンジスタとグランドとの間に接続されていたエミッタ接
地用コンデンサを、実装する基板上のグランドパターン
に接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、発振回路部、バ
ッファアンプ部ともに高周波的に実装基板上のグランド
パターンを使わない差動型の回路動作が可能となるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生する電位差等による
影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回
路を得ることができる。
ンジスタとグランドとの間に接続されていたエミッタ接
地用コンデンサを、実装する基板上のグランドパターン
に接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、発振回路部、バ
ッファアンプ部ともに高周波的に実装基板上のグランド
パターンを使わない差動型の回路動作が可能となるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生する電位差等による
影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回
路を得ることができる。
【００２９】また、直流バイアス回路については、発振
トランジスタ１および１７のコレクタが、高周波チョー
ク１０および２５により、バッファアンプトランジスタ
４１、４２のエミッタに接続されている。このため、バ
ッファアンプトランジスタ４１と発振トランジスタ１と
のコレクタ電流パスは共通となり、同様に、バッファア
ンプトランジスタ４２と発振トランジスタ１７とのコレ
クタ電流パスは共通となる。
トランジスタ１および１７のコレクタが、高周波チョー
ク１０および２５により、バッファアンプトランジスタ
４１、４２のエミッタに接続されている。このため、バ
ッファアンプトランジスタ４１と発振トランジスタ１と
のコレクタ電流パスは共通となり、同様に、バッファア
ンプトランジスタ４２と発振トランジスタ１７とのコレ
クタ電流パスは共通となる。
【００３０】上記の構成によれば、発振トランジスタと
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態４）図４は、本発明にかかる第４の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図４におい
て、４１、４２はバッファアンプトランジスタ、４３、
４４はバイアス用抵抗、３２はバイパスコンデンサ、３
９、４０は高周波チョークコイル、３７、３８は段間結
合コンデンサ、６、２２は出力結合コンデンサ、３４は
バイアス電圧供給端子、１５、１６は高周波出力端子で
ある。ここで、発振トランジスタ１を第１の発振トラン
ジスタ、発振トランジスタ１７を第２の発振トランジス
タとすれば、段間結合コンデンサ３７が第７のキャパシ
タ、段間結合コンデンサ３８が第８のキャパシタ、バッ
ファアンプトランジスタ４１が第１のバッファアンプト
ランジスタ、バッファアンプトランジスタ４２が第２の
バッファアンプトランジスタ、コンデンサ４が第５のキ
ャパシタ及び第９のキャパシタを共用化したもの、出力
結合コンデンサ６が第１０のキャパシタ、出力結合コン
デンサ２２が第１１のキャパシタである。なお、その他
の部分については、図２と同様の構成部品からなる。
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。 （実施の形態４）図４は、本発明にかかる第４の実施の
形態の高周波発振回路を示す回路図である。図４におい
て、４１、４２はバッファアンプトランジスタ、４３、
４４はバイアス用抵抗、３２はバイパスコンデンサ、３
９、４０は高周波チョークコイル、３７、３８は段間結
合コンデンサ、６、２２は出力結合コンデンサ、３４は
バイアス電圧供給端子、１５、１６は高周波出力端子で
ある。ここで、発振トランジスタ１を第１の発振トラン
ジスタ、発振トランジスタ１７を第２の発振トランジス
タとすれば、段間結合コンデンサ３７が第７のキャパシ
タ、段間結合コンデンサ３８が第８のキャパシタ、バッ
ファアンプトランジスタ４１が第１のバッファアンプト
ランジスタ、バッファアンプトランジスタ４２が第２の
バッファアンプトランジスタ、コンデンサ４が第５のキ
ャパシタ及び第９のキャパシタを共用化したもの、出力
結合コンデンサ６が第１０のキャパシタ、出力結合コン
デンサ２２が第１１のキャパシタである。なお、その他
の部分については、図２と同様の構成部品からなる。
【００３１】以上のような構成の本第４の実施の形態に
おける高周波発振回路は次のように動作する。
おける高周波発振回路は次のように動作する。
【００３２】図４において、発振トランジスタ１および
１７は、上記第２の実施の形態と同様、コレクタ接地型
クラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発振
信号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を行
なう。その出力は、段間結合コンデンサ３７、３８を介
して、バッファアンプトランジスタ４１、４２により各
々増幅され、出力結合コンデンサ６、２２を経て、両者
の差動信号出力として高周波出力端子１５、１６間から
取り出される。
１７は、上記第２の実施の形態と同様、コレクタ接地型
クラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発振
信号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を行
なう。その出力は、段間結合コンデンサ３７、３８を介
して、バッファアンプトランジスタ４１、４２により各
々増幅され、出力結合コンデンサ６、２２を経て、両者
の差動信号出力として高周波出力端子１５、１６間から
取り出される。
【００３３】ここで、バッファアンプトランジスタ４
１、４２はエミッタ接地型の差動増幅回路形式である。
その接地用コンデンサとしては、発振トランジスタ１、
１７のコレクタ接地用のコンデンサ４を兼用することに
より、その機能を果たすことができる。
１、４２はエミッタ接地型の差動増幅回路形式である。
その接地用コンデンサとしては、発振トランジスタ１、
１７のコレクタ接地用のコンデンサ４を兼用することに
より、その機能を果たすことができる。
【００３４】上記のように、従来、バッファアンプトラ
ンジスタとグランドとの間に接続されていたエミッタ接
地用コンデンサを、実装する基板上のグランドパターン
に接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、発振回路部、バ
ッファアンプ部ともに高周波的に実装基板上のグランド
パターンを使わない差動型の回路動作が可能となるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生する電位差等による
影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回
路を得ることができる。
ンジスタとグランドとの間に接続されていたエミッタ接
地用コンデンサを、実装する基板上のグランドパターン
に接続せず、２つの発振トランジスタのエミッタ電極間
に直接接続する構成とすることにより、発振回路部、バ
ッファアンプ部ともに高周波的に実装基板上のグランド
パターンを使わない差動型の回路動作が可能となるた
め、外部からの電磁界的な干渉等が発生した場合でも、
実装基板上グランドパターンに発生する電位差等による
影響を受けず、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回
路を得ることができる。
【００３５】また、直流バイアス回路については、発振
トランジスタ１および１７のコレクタが、バッファアン
プトランジスタ４１、４２のエミッタに接続されてい
る。このため、バッファアンプトランジスタ４１と発振
トランジスタ１とのコレクタ電流パスは共通となり、同
様に、バッファアンプトランジスタ４２と発振トランジ
スタ１７とのコレクタ電流パスは共通となる。
トランジスタ１および１７のコレクタが、バッファアン
プトランジスタ４１、４２のエミッタに接続されてい
る。このため、バッファアンプトランジスタ４１と発振
トランジスタ１とのコレクタ電流パスは共通となり、同
様に、バッファアンプトランジスタ４２と発振トランジ
スタ１７とのコレクタ電流パスは共通となる。
【００３６】上記の構成によれば、発振トランジスタと
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、２つの発振トランジスタのベース間及びエミッ
タ間、あるいは２つの発振トランジスタのコレクタ間及
びエミッタ間を、グランドを介さずコンデンサで接続し
たので、外部からの電磁界的な干渉に対し、Ｓ／Ｎ等の
特性劣化がないという長所を有する。
発明は、２つの発振トランジスタのベース間及びエミッ
タ間、あるいは２つの発振トランジスタのコレクタ間及
びエミッタ間を、グランドを介さずコンデンサで接続し
たので、外部からの電磁界的な干渉に対し、Ｓ／Ｎ等の
特性劣化がないという長所を有する。
【００３８】また本発明は、発振トランジスタとバッフ
ァアンプトランジスタのコレクタ電流パスを共通にする
ことにより、低消費電流化が可能になるという利点があ
る。
ァアンプトランジスタのコレクタ電流パスを共通にする
ことにより、低消費電流化が可能になるという利点があ
る。
【図１】本発明にかかる第１の実施の形態の高周波発振
回路を示す回路図である。
回路を示す回路図である。
【図２】本発明にかかる第２の実施の形態の高周波発振
回路を示す回路図である。
回路を示す回路図である。
【図３】本発明にかかる第３の実施の形態の高周波発振
回路を示す回路図である。
回路を示す回路図である。
【図４】本発明にかかる第４の実施の形態の高周波発振
回路を示す回路図である。
回路を示す回路図である。
【図５】従来の高周波発振回路の一例を示す回路図であ
る。
る。
１、１７ 発振トランジスタ ２、３、４、１８、１９、２０、３５、３６、４５ コ
ンデンサ ５、２１ 共振器結合コンデンサ ６、２２ 出力結合コンデンサ ７ 共振器 ８、２３ バラクタダイオード結合コンデンサ ９、２４ バラクタダイオード １１、１２、１３、２６、２７、２８、４３、４４ バ
イアス用抵抗 １４、２９ バラクタダイオードバイアスチョーク １５、１６ 高周波出力端子 １０、２５、３０、３９、４０ 高周波チョーク ３１、３２ バイパスコンデンサ ３３ チューニング電圧供給端子 ３４ バイアス電圧供給端子 ３７、３８ 段間結合コンデンサ ４１、４２ バッファアンプトランジスタ
ンデンサ ５、２１ 共振器結合コンデンサ ６、２２ 出力結合コンデンサ ７ 共振器 ８、２３ バラクタダイオード結合コンデンサ ９、２４ バラクタダイオード １１、１２、１３、２６、２７、２８、４３、４４ バ
イアス用抵抗 １４、２９ バラクタダイオードバイアスチョーク １５、１６ 高周波出力端子 １０、２５、３０、３９、４０ 高周波チョーク ３１、３２ バイパスコンデンサ ３３ チューニング電圧供給端子 ３４ バイアス電圧供給端子 ３７、３８ 段間結合コンデンサ ４１、４２ バッファアンプトランジスタ
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の発振トランジスタと、その第１の
発振トランジスタのコレクタ−エミッタ間に接続された
第１のキャパシタと、第２の発振トランジスタと、その
第２の発振トランジスタのコレクタ−エミッタ間に接続
された第２のキャパシタと、共振器と、その共振器の一
端と前記第１の発振トランジスタのコレクタとの間に接
続された第３のキャパシタと、前記共振器の他端と前記
第２の発振トランジスタのコレクタとの間に接続された
第４のキャパシタと、前記第１の発振トランジスタのベ
ースと前記第２の発振トランジスタのベースとの間に接
続された第５のキャパシタと、前記第１の発振トランジ
スタのエミッタと前記第２の発振トランジスタのエミッ
タとの間に接続された第６のキャパシタと、前記第１の
発振トランジスタのエミッタに一端が接続された第７の
キャパシタと、前記第２の発振トランジスタのエミッタ
に一端が接続された第８のキャパシタとを備え、前記第
７のキャパシタの他端と前記第８のキャパシタの他端か
ら差動信号出力を発振出力として取り出すことを特徴と
する高周波発振回路。 - 【請求項２】 更に、前記第７のキャパシタの出力側端
に接続された第１のバッファアンプトランジスタと、前
記第８のキャパシタの出力側端に接続された第２のバッ
ファアンプトランジスタと、前記第１のバッファアンプ
トランジスタのエミッタと前記第２のバッファアンプト
ランジスタのエミッタ間に接続された第９のキャパシタ
と、前記第１のバッファアンプトランジスタのコレクタ
に一端が接続された第１０のキャパシタと、前記第２の
バッファアンプトランジスタのコレクタに一端が接続さ
れた第１１のキャパシタとを備え、前記第１０のキャパ
シタの他端と前記第１１のキャパシタの他端から差動信
号出力として増幅された発振出力を取り出すことを特徴
とする請求項１記載の高周波発振回路。 - 【請求項３】 更に、前記第１の発振トランジスタのコ
レクタと前記第１のバッファアンプトランジスタのエミ
ッタとの間に接続された第１のインダクタと、前記第２
の発振トランジスタのコレクタと前記第２のバッファア
ンプトランジスタのエミッタとの間委に接続された第２
のインダクタとを備えたことを特徴とする請求項２記載
の高周波発振回路。 - 【請求項４】 第１の発振トランジスタと、その第１の
発振トランジスタのベース−エミッタ間に接続された第
１のキャパシタと、第２の発振トランジスタと、その第
２の発振トランジスタのベース−エミッタ間に接続され
た第２のキャパシタと、共振器と、その共振器の一端と
前記第１の発振トランジスタのベースとの間に接続され
た第３のキャパシタと、前記共振器の他端と前記第２の
発振トランジスタのベースとの間に接続された第４のキ
ャパシタと、前記第１の発振トランジスタのコレクタと
前記第２の発振トランジスタのコレクタとの間に接続さ
れた第５のキャパシタと、前記第１の発振トランジスタ
のエミッタと前記第２の発振トランジスタのエミッタと
の間に接続された第６のキャパシタと、前記第１の発振
トランジスタのエミッタに一端が接続された第７のキャ
パシタと、前記第２の発振トランジスタのエミッタに一
端が接続された第８のキャパシタとを備え、前記第７の
キャパシタの他端と前記第８のキャパシタの他端から差
動信号出力を発振出力として取り出すことを特徴とする
高周波発振回路。 - 【請求項５】 更に、前記第７のキャパシタの出力側端
に接続された第１のバッファアンプトランジスタと、前
記第８のキャパシタの出力側端に接続された第２のバッ
ファアンプトランジスタと、前記第１のバッファアンプ
トランジスタのエミッタと前記第２のバッファアンプト
ランジスタのエミッタ間に接続された第９のキャパシタ
と、前記第１のバッファアンプトランジスタのコレクタ
に一端が接続された第１０のキャパシタと、前記第２の
バッファアンプトランジスタのコレクタに一端が接続さ
れた第１１のキャパシタとを備え、前記第１０のキャパ
シタの他端と前記第１１のキャパシタの他端から差動信
号出力として増幅された発振出力を取り出すことを特徴
とする請求項４記載の高周波発振回路。 - 【請求項６】 更に、前記第１の発振トランジスタのコ
レクタと前記第１のバッファアンプトランジスタのエミ
ッタとが接続され、前記第２の発振トランジスタのコレ
クタと前記第２のバッファアンプトランジスタのエミッ
タとが接続され、前記第９のキャパシタが前記第５のキ
ャパシタで共用化されていることを特徴とする請求項５
記載の高周波発振回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19959697A JPH1146118A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 高周波発振回路 |
| EP98113835A EP0893878B1 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-23 | High frequency oscillating circuit |
| DE69834456T DE69834456T2 (de) | 1997-07-25 | 1998-07-23 | Hochfrequenz-Oszillatorschaltung |
| CNA031060722A CN1495993A (zh) | 1997-07-25 | 1998-07-24 | 高频振荡电路 |
| CNB981163971A CN1167184C (zh) | 1997-07-25 | 1998-07-24 | 高频振荡电路 |
| US09/123,163 US6169461B1 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | High-frequency oscillating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19959697A JPH1146118A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 高周波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1146118A true JPH1146118A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16410492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19959697A Withdrawn JPH1146118A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 高周波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1146118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003078349A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型発振回路およびそれを用いた電子装置 |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP19959697A patent/JPH1146118A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003078349A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型発振回路およびそれを用いた電子装置 |
| JP4677696B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2011-04-27 | 株式会社村田製作所 | 平衡型発振回路およびそれを用いた電子装置 |
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Legal Events
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