JPH0983268A

JPH0983268A - 高周波増幅器

Info

Publication number: JPH0983268A
Application number: JP24183095A
Authority: JP
Inventors: Osahisa Furuya; 長久古谷; Yasunori Tateno; 泰範館野; Masafumi Hirata; 雅史平田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-09-20
Filing date: 1995-09-20
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、高周波増幅器に関し、所要周波数
帯域内はもちろん、所要周波数帯域外のＤＣに近い低周
波領域においても、発振等の障害を生じることなく安定
した動作を実現することを目的とする。【解決手段】増幅素子９の入力側バイアス供給回路
が、その高周波線路とグランドの間に直列に接続された
抵抗素子３４及びキャパシタ７を有し、更に、高周波線
路とグランドの間にＴ形橋絡回路を設け、該Ｔ形橋絡回
路が、入力整合回路３の出力端と増幅素子９の制御入力
端との間に直列に接続された第１，第２の抵抗器３０，
３２と、これら抵抗器と並列に接続されたキャパシタ３
１と、第１，第２の抵抗器の接続点とグランドの間に接
続されたインダクタンス素子３３とを有するように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波増幅器に関
する。近年、移動体通信システムの開発が盛んになり、
これに伴い携帯電話装置等の実用化が活発に行われてい
る。これらの通信システムでは、主に０．８ＧＨｚ〜
２．０ＧＨｚの高周波帯域が使用されており、システム
に組み込まれる増幅器の性能としては、高効率である
こと、安定性が優れていること（つまり発振等の障害
が無いこと）、低電圧動作であること、等が要求され
る。そして、これらの要求に応えるデバイス（増幅器）
として、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体を
用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）が盛んに用いら
れており、また、使用する電源が単一電源である等の使
い易さの理由から、ヘテロ接合型バイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）も有望視されている。

【０００２】しかし、これらのデバイスでは、逆方向利
得（入力電力／出力電力）はそれほど小さくないのが技
術の現状であり、そのため、周波数が低くなるにつれて
その動作が不安定になり易く、また、負荷条件（デバイ
スから入力側又は出力側を見たインピーダンス）に依っ
ては発振等の障害が発生し易くなる。そこで、かかる不
都合が生じない高周波増幅器の開発が要望されている。

【０００３】

【従来の技術】従来のＧａＡｓＦＥＴ、ＨＢＴ等のデバ
イスでは、最近の微細加工技術の向上に伴い、例えば１
ＧＨｚ又は２ＧＨｚ帯においても大きな利得が得られる
ようになってきている。しかしその一方で、逆方向利得
が十分小さくなれば安定した高周波増幅器の構成は可能
であるが、実際には、そうしたデバイスは実現されてい
ないのが現状である。かかるデバイスには、そのＳパラ
メータから算出される不安定領域という領域がスミスチ
ャート上にあり、デバイスから入力側又は出力側を見た
インピーダンスがその不安定領域に入るとデバイスは発
振をひき起こす可能性が高くなる。この不安定領域は、
一般に、低周波になるほど大きな領域を占めるようにな
る。

【０００４】図１３及び図１４にはそれぞれ従来の高周
波増幅器の構成例が示される。図中、１は入力端子、２
はカップリング用キャパシタ、３は入力整合回路、４は
インダクタンス素子（チョークコイル、λ／４ストリッ
プ線路等）、５はバイアス用抵抗器、６は入力側バイア
ス用電源の供給端子、７は高周波的に結合された接地用
キャパシタ、８はバイアス用且つ安定化用抵抗器、９は
増幅素子としてのヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）、１０は出力整合回路、１１はカップリング
用キャパシタ、１２は出力端子、１３は出力側バイアス
用電源の供給端子、１４は高周波的に結合された接地用
キャパシタ、１５は低周波的に結合された接地用キャパ
シタ、１６は安定化用抵抗器、１７はインダクタンス素
子（チョークコイル、λ／４ストリップ線路等）、２０
はバイアス用且つ安定化用抵抗器、２１及び２２はバイ
アス用抵抗器を示す。また、図１３における４〜８の構
成要素、及び図１４における６，７及び２０〜２２の構
成要素は、それぞれ増幅素子９の入力側（ベース）バイ
アス供給回路を構成し、１３〜１７の構成要素は、増幅
素子９の出力側（コレクタ）バイアス供給回路を構成す
る。

【０００５】なお、本明細書の記載において、「高周波
的に結合された」とは、増幅器を構成する要素がその増
幅器の所要周波数帯域内（この場合、高周波領域）の信
号に対して本来の機能を実現できるように適合された状
態を指し、また、「低周波的に結合された」とは、各構
成要素が増幅器の帯域外（この場合、低周波領域）の信
号に対して本来の機能を実現できるように適合された状
態を指す。例えば、接地用キャパシタに関して「高周波
的に結合された」とは、当該キャパシタが増幅器の所要
周波数領域において本来の接地機能を実現できる程度の
キャパシタンスを有している状態を指す。同様に、接地
用キャパシタに関して「低周波的に結合された」とは、
当該キャパシタが増幅器の帯域外低周波領域において本
来の接地機能を実現できる程度のキャパシタンスを有し
ている状態を指す。

【０００６】図１３及び図１４に示す各構成例では、高
周波増幅器の所要周波数領域において、ベースバイアス
供給回路及びコレクタバイアス供給回路（図１４の場合
には後者のみ）に設けたλ／４ストリップ線路等のイン
ダクタンス素子４，１７が高インピーダンス素子として
機能するようにし、一方、帯域外低周波領域において
は、各バイアス供給回路に設けた安定化用抵抗器（通常
５０Ω使用）８，１６，２０により、増幅素子９から入
力側及び出力側を見たインピーダンスをそれぞれ５０Ω
に近づけるようにすることで、高周波増幅器の動作の安
定化を図るようにしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１３に示す従来例で
は、ベースバイアス供給回路にλ／４ストリップ線路等
のインダクタンス素子４が用いられているので、高周波
増幅器の所要周波数領域ではこのインダクタンス成分の
影響に起因して、安定化用抵抗器８による安定化の効果
が有効に現れないといった不利がある。つまり、周波数
が十分に低くなってインダクタンス素子４のインピーダ
ンスが十分小さくならないと、抵抗器８による本来の安
定化機能を十分に発揮できないといった問題があった。

【０００８】また、周波数が十分低い場合、極端な例と
して例えば直流（ＤＣ）の場合、接地用キャパシタ７
は、そのインピーダンスが実質上無限大（∞）となって
「オープン」状態となってしまうため、結果的に、キャ
パシタ７による本来の接地機能を実現できないといった
問題もあった。一方、図１４に示す従来例では、入力整
合回路３の出力端（高周波線路）と接地用キャパシタ７
の間に設けた抵抗器２０の抵抗値を小さくしていくと、
高周波増幅器の安定化を図ることができるが、その反
面、抵抗値を小さくした分だけこの抵抗器２０を通して
流れる電流が増大するため、それに応じて消費電力も増
大し、ひいては高周波増幅器の所要周波数領域において
電力損失が増加するといった問題があった。

【０００９】また、図１３の構成例と同様に、周波数が
十分低い場合には、接地用キャパシタ７が実質上「オー
プン」状態となってしまい、そのために、高周波線路と
接地用キャパシタ７の間に安定化用として設けたはずの
抵抗器２０が、その本来の安定化機能を実現できないと
いった問題もあった。本発明は、上述した従来技術にお
ける課題に鑑み創作されたもので、所要周波数帯域内は
もちろん、所要周波数帯域外のＤＣに近い低周波領域に
おいても、発振等の障害を生じることなく安定した動作
を実現することができる高周波増幅器を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の課題
を解決するため、本発明では、増幅素子から少なくとも
入力側を見たインピーダンスが増幅器のＳパラメータか
ら算出される不安定領域に入らないように回路構成を工
夫している。すなわち、本発明によれば、増幅素子と、
該増幅素子に高周波線路を介して結合された入力側バイ
アス供給回路と、入力端子と前記増幅素子の間に高周波
的に結合された入力整合回路と、前記増幅素子に高周波
線路を介して結合された出力側バイアス供給回路と、前
記増幅素子と出力端子の間に高周波的に結合された出力
整合回路とを備えてなる高周波増幅器において、前記入
力側バイアス供給回路が、前記高周波線路に一端が接続
された抵抗又はインダクタンス素子と、該抵抗又はイン
ダクタンス素子の他端とグランドの間に高周波的に結合
されたキャパシタとを有し、更に、前記入力側バイアス
供給回路の高周波線路とグランドの間にＴ形橋絡回路を
設け、該Ｔ形橋絡回路が、前記入力整合回路の出力端と
前記増幅素子の制御入力端との間に直列に接続された第
１及び第２の抵抗器と、該第１及び第２の抵抗器と並列
に接続されたキャパシタと、前記第１及び第２の抵抗器
の接続点とグランドの間に接続されたインダクタンス素
子とを有することを特徴とする高周波増幅器が提供され
る。

【００１１】本発明に係る高周波増幅器の構成によれ
ば、入力整合回路を介してＴ形橋絡回路に入力される信
号は、その周波数が相対的に高い場合には、第１，第２
の抵抗器よりもむしろキャパシタの方を通過し、高周波
線路を介して増幅素子に入力される。この場合、この高
周波線路を介して増幅素子に結合された入力側バイアス
供給回路では、グランドに結合されたキャパシタは、そ
のインピーダンスが極めて小さくなるため、本来の接地
機能を果たすことができる。この時、増幅素子から入力
側を見たインピーダンスは、少なくとも、入力側バイア
ス供給回路に設けた抵抗又はインダクタンス素子及び接
地用キャパシタの合成インピーダンスと、Ｔ形橋絡回路
に設けた第２の抵抗器及びインダクタンス素子の合成イ
ンピーダンスの分だけあり、無限大（∞）とはならな
い。

【００１２】これに対し、入力信号の周波数が相対的に
低い場合には、入力信号は、Ｔ形橋絡回路においてキャ
パシタよりもむしろ第１の抵抗器を通り、インダクタン
ス素子を介してグランド側に流入すると共に、第２の抵
抗器を介して増幅素子に入力される。この場合、入力側
バイアス供給回路では接地用キャパシタのインピーダン
スが相対的に大きくなるため本来の接地機能を十分に果
たすことができなくなるが、その一方で、相対的に低い
周波数の入力信号は、Ｔ形橋絡回路の第１の抵抗器及び
インダクタンス素子を通してグランド側に流入してい
る。この時、増幅素子から入力側を見たインピーダンス
は、少なくとも、Ｔ形橋絡回路に設けた第２の抵抗器及
びインダクタンス素子の合成インピーダンスの分だけあ
り、従来形に見られたような無限大（∞）とはならな
い。

【００１３】従って、高周波線路と接地用キャパシタの
間に設けた抵抗又はインダクタンス素子のインピーダン
ス値とＴ形橋絡回路を構成する各素子のインピーダンス
値を適宜最適な値に設定することで、増幅素子から入力
側を見たインピーダンスがそのＳパラメータから算出さ
れる不安定領域に実質上入らないようにすることができ
る。これによって、高周波増幅器の所要周波数帯域内は
もちろん、所要周波数帯域外のＤＣに近い低周波領域に
おいても、発振等の障害を生じることなく安定した動作
を実現することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１には本発明の第１実施形態に
係る高周波増幅器の回路構成が示される。なお、同図に
用いられている参照符号のうち、図１３に示したものと
同じ参照符号は同等の構成要素を示しており、その説明
については省略する。本実施形態に係る高周波増幅器の
特徴は、ベースバイアス供給回路の高周波線路（図示の
例では入力整合回路３の出力端及びバイポーラトランジ
スタ９のベースにつながる部分）とグランドの間にＴ形
橋絡回路を設けたことである。

【００１５】このＴ形橋絡回路は、入力整合回路３の出
力端とトランジスタ９のベースとの間に直列に接続され
た２つの安定化用抵抗器３０及び３２と、これら２つの
抵抗器と並列に接続されたカップリング用キャパシタ３
１と、抵抗器３０及び３２の接続点とグランドの間に接
続されたチョークコイル、ストリップ線路等のインダク
タンス素子（本実施形態ではストリップ線路）３３とを
有している。なお、抵抗器３２は、安定化用の機能に加
えて、トランジスタ９のベースバイアス用の分圧抵抗と
しての機能も有している。

【００１６】一方、ベースバイアス供給回路は、その高
周波線路に一端が接続されたバイアス用抵抗器３４と、
この抵抗器の他端とグランドの間に高周波的に結合され
た接地用キャパシタ７と、電源供給端子６と抵抗器３４
の他端との間に接続されたバイアス用抵抗器３５とを有
している。この第１実施形態では、増幅素子としてバイ
ポーラトランジスタ９を用いているので、その入力側及
び出力側のバイアス用電源電圧は一つで済み、例えばＶ
₁＝Ｖ₂＝５Ｖに設定される。

【００１７】また、本実施形態に係る高周波増幅器は、
図示はしないが、各回路素子が共通の基板上に形成され
てなる単体増幅器の形態を有しており、例えば図１１に
示すような形態を有している。この第１実施形態の回路
構成において、入力信号の周波数が増幅器の所要周波数
帯域内（つまり高周波領域）にある場合には、その入力
信号は、入力端子１からカップリング用キャパシタ２及
び入力整合回路３を介してＴ形橋絡回路に入力され、抵
抗器３０，３２よりもむしろキャパシタ３１の方をバイ
パスしてバイポーラトランジスタ９のベースに入力され
る。この場合、バイポーラトランジスタ９のベースに結
合されたベースバイアス供給回路では、グランドに高周
波的に結合された接地用キャパシタ７は、そのインピー
ダンスが極めて小さくなるため、本来の接地機能を十分
に果たすことができる。この時、バイポーラトランジス
タ９から入力側を見たインピーダンスは、少なくとも、
ベースバイアス供給回路に設けた抵抗器３４及び接地用
キャパシタ７の合成インピーダンスと、Ｔ形橋絡回路に
設けた抵抗器３２及びインダクタンス素子３３の合成イ
ンピーダンスの分だけあり、無限大（∞）とはならな
い。

【００１８】一方、入力信号の周波数が増幅器の帯域外
低周波領域にある場合には、その入力信号は、入力端子
１からカップリング用キャパシタ２及び入力整合回路３
を介してＴ形橋絡回路に入力され、キャパシタ３１より
もむしろ抵抗器３０の方を通り、インダクタンス素子３
３を介してグランド側に流入すると共に、抵抗器３２を
介してバイポーラトランジスタ９のベースに入力され
る。この場合、ベースバイアス供給回路では接地用キャ
パシタ７のインピーダンスが相対的に大きくなるため本
来の接地機能を十分に果たすことができなくなるが、そ
の一方で、帯域外低周波領域にある入力信号は、Ｔ形橋
絡回路の抵抗器３０及びインダクタンス素子３３を通し
てグランド側に流入している。この時、バイポーラトラ
ンジスタ９から入力側を見たインピーダンスは、少なく
とも、Ｔ形橋絡回路に設けた抵抗器３２及びインダクタ
ンス素子３３の合成インピーダンスの分だけあり、従来
形に見られたような無限大（∞）とはならない。

【００１９】従って、ベースバイアス供給回路の高周波
線路と接地用キャパシタ７の間に設けた抵抗器３４の抵
抗値、及び、必要に応じてＴ形橋絡回路の各構成素子３
０〜３３のインピーダンス値を適宜最適な値に設定する
ことにより、バイポーラトランジスタ９から入力側を見
たインピーダンスを、増幅器のＳパラメータから算出さ
れる不安定領域に実質上入らないようにすることができ
る。これによって、高周波増幅器の所要周波数帯域内に
おいて安定した動作を実現できると共に、所要周波数帯
域外のＤＣに近い低周波領域においても、発振等の障害
を生じることなく動作の安定化を図ることが可能とな
る。

【００２０】図２には本発明の第２実施形態に係る高周
波増幅器の回路構成が示される。本実施形態に係る高周
波増幅器の構成上の特徴は、上述した第１実施形態（図
１参照）の構成に対し、追加的に、Ｔ形橋絡回路におい
てインダクタンス素子３３とグランドの間にダイオード
３６を順方向に設けたことである。このダイオード３６
の順方向電圧降下は、バイポーラトランジスタ９の温度
変化に依存したベース・エミッタ間電圧（Ｖ_BEとする）
の変動量を補償するような値に選定されている。

【００２１】従って、この第２実施形態の回路構成によ
れば、上述した第１実施形態において得られた効果に加
えて、バイポーラトランジスタ９のＶ_BEの温度特性を補
償することができるという利点が得られる。また、ダイ
オード３６はインダクタンス素子３３からグランドに向
かって順方向に接続されているので、このダイオード３
６を通していったんグランド側に流入した入力信号が逆
方向に（つまりトランジスタ９のベースにつながる高周
波線路側に）流れるのを阻止することができる。これに
よって、バイポーラトランジスタ９のベース電流を相対
的に減少させることができる。これは、増幅器全体とし
ての消費電力の低減化に寄与するものである。

【００２２】図３及び図４にはそれぞれ本発明の第３及
び第４の実施形態に係る高周波増幅器の回路構成が示さ
れる。第３及び第４の各実施形態に係る高周波増幅器の
構成上の特徴は、それぞれ前述した第１実施形態（図１
参照）及び第２実施形態（図２参照）の構成において用
いた抵抗器３４及び３５に代えて、チョークコイル、λ
／４ストリップ線路等のインダクタンス素子３７及びバ
イアス用抵抗器３８を設けたことである。

【００２３】第３及び第４の各実施形態の構成に基づい
た作用効果については、それぞれ第１実施形態（図１参
照）及び第２実施形態（図２参照）の作用効果と同じで
あるので、その説明は省略する。図５、図６、図７及び
図８にはそれぞれ本発明の第５、第６、第７及び第８の
実施形態に係る高周波増幅器の回路構成が示される。

【００２４】第５〜第８の各実施形態に係る高周波増幅
器の構成上の特徴は、それぞれ図１〜図４に示した第１
〜第４の各実施形態の構成に対し、追加的に、コレクタ
バイアス供給回路において接地用キャパシタ１５及び安
定化用抵抗器１６を設けたことである。従って、第５〜
第８の各実施形態の回路構成によれば、それぞれ第１〜
第４の各実施形態において得られた効果に加え、更に、
キャパシタ１５のキャパシタンス及び抵抗器１６の抵抗
値を適宜最適な値に設定することで、バイポーラトラン
ジスタ９の出力側回路（出力整合回路１０）の帯域外低
周波領域での安定化を図ることができるという利点が得
られる。

【００２５】図９及び図１０にはそれぞれ本発明の第９
及び第１０の実施形態に係る高周波増幅器の回路構成が
示される。第９及び第１０の各実施形態に係る高周波増
幅器の構成上の特徴は、それぞれ前述した第５実施形態
（図５参照）及び第７実施形態（図７参照）の構成にお
いて増幅素子として用いたバイポーラトランジスタ９に
代えて、電界効果トランジスタ（例えばＧａＡｓＦＥ
Ｔ）１００を設けたことである。

【００２６】第９及び第１０の各実施形態では、増幅素
子として電界効果トランジスタ１００を用いているの
で、その入力側及び出力側のバイアス用電源電圧（Ｖ₁,
Ｖ₂）はそれぞれ異なる電圧値に設定する必要がある。
第９及び第１０の各実施形態の構成に基づいた作用効果
については、それぞれ第５実施形態（図５参照）及び第
７実施形態（図７参照）の作用効果と同じであるので、
その説明は省略する。

【００２７】

【実施例】図１１には本発明の第５実施形態（図５参
照）に対応する一実施例の構造が模式的に示される。図
１１において、図５に示したものと同じ参照符号は同じ
構成要素を示している。また、５０はアルミナ等のマイ
クロ波基板、５１，５４，５９及び６１はキャパシタ、
５３，５５，５７及び６０はストリップ線路、５２，５
６，５８，６２，６４及び６５は接地用配線パターン、
６３及び６６は接地用パッドを示す。ここに、５１〜５
５の構成要素は入力整合回路３を構成し、５７〜６２の
構成要素は出力整合回路１０を構成する。

【００２８】本実施例に係る高周波増幅器は、図示のよ
うに各回路素子が共通の基板５０上に形成されてなる単
体増幅器の形態を有している。本実施例では、本発明の
特徴部分であるＴ形橋絡回路（３０〜３３及び５６）に
おいて、安定化用抵抗器３０の抵抗値を５０Ωに設定
し、安定化用抵抗器３２の抵抗値を１ｋΩ又は６８０Ω
に設定した。また、各種寄生素子（浮遊容量、浮遊イン
ダクタンス等）の影響が現れないように留意して基板５
０上に各構成素子を搭載したことにより、入力端子１か
ら増幅部を見たインピーダンスを広帯域に亘って５０Ω
のインピーダンスに整合を図ることができた。

【００２９】図１２には本発明の第６実施形態（図６参
照）に対応する一実施例の構造が模式的に示される。図
示の高周波増幅器は、図１１に示した実施例との対比に
おいて、ダイオード３６を付加した点で相違しており、
他の構成については全く同じである。このダイオード３
６の付加による有利な効果については、前述の発明の実
施の形態において説明した通りである。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、増
幅素子から少なくとも入力側を見たインピーダンスが増
幅器のＳパラメータから算出される不安定領域に入らな
いように回路構成を工夫することにより、所要周波数帯
域内はもちろん、所要周波数帯域外のＤＣに近い低周波
領域においても、発振等の障害を生じることなく安定し
た動作を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図２】本発明の第２実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図３】本発明の第３実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図４】本発明の第４実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図５】本発明の第５実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図６】本発明の第６実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図７】本発明の第７実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図８】本発明の第８実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図９】本発明の第９実施形態に係る高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図１０】本発明の第１０実施形態に係る高周波増幅器
の構成を示す回路図である。

【図１１】本発明の第５実施形態に対応する一実施例の
構造を模式的に示した斜視図である。

【図１２】本発明の第６実施形態に対応する一実施例の
構造を模式的に示した斜視図である。

【図１３】従来形の一構成例としての高周波増幅器の構
成を示す回路図である。

【図１４】従来形の他の構成例としての高周波増幅器の
構成を示す回路図である。

【符号の説明】

１…入力端子２，１１，３１…カップリング用キャパシタ３…入力整合回路６…入力側バイアス供給回路の電源供給端子７，１４…高周波的に結合された接地用キャパシタ９…増幅素子（バイポーラトランジスタ）１０…出力整合回路１２…出力端子１３…出力側バイアス供給回路の電源供給端子１５…低周波的に結合された接地用キャパシタ１６，３０，３２…安定化用抵抗器１７，３７…インダクタンス素子（チョークコイル、λ
／４ストリップ線路）３３…インダクタンス素子（チョークコイル、ストリッ
プ線路）３４，３５，３８…バイアス用抵抗器３６…ダイオード５０…基板１００…増幅素子（電界効果トランジスタ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】増幅素子（９，１００）と、該増幅素子
に高周波線路を介して結合された入力側バイアス供給回
路（６，７，３４，３５，３７，３８）と、入力端子
（１）と前記増幅素子の間に高周波的に結合された入力
整合回路（３）と、前記増幅素子に高周波線路を介して
結合された出力側バイアス供給回路（１３〜１７）と、
前記増幅素子と出力端子（１２）の間に高周波的に結合
された出力整合回路（１０）とを備えてなる高周波増幅
器において、前記入力側バイアス供給回路が、前記高周波線路に一端
が接続された抵抗又はインダクタンス素子（３４，３
７）と、該抵抗又はインダクタンス素子の他端とグラン
ドの間に高周波的に結合されたキャパシタ（７）とを有
し、更に、前記入力側バイアス供給回路の高周波線路とグランドの
間にＴ形橋絡回路を設け、該Ｔ形橋絡回路が、前記入力
整合回路の出力端と前記増幅素子の制御入力端との間に
直列に接続された第１及び第２の抵抗器（３０，３２）
と、該第１及び第２の抵抗器と並列に接続されたキャパ
シタ（３１）と、前記第１及び第２の抵抗器の接続点と
グランドの間に接続されたインダクタンス素子（３３）
とを有することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】前記Ｔ形橋絡回路は、前記インダクタン
ス素子と直列に接続されたダイオード（３６）を更に有
することを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅器。
【請求項３】前記増幅素子がバイポーラトランジスタ
の場合に、前記ダイオードの順方向電圧降下は、前記バ
イポーラトランジスタの温度変化に依存したベース・エ
ミッタ間電圧の変動量を補償するように選定されている
ことを特徴とする請求項２に記載の高周波増幅器。
【請求項４】前記入力側バイアス供給回路は、その電
源供給端子（６）と前記抵抗又はインダクタンス素子
（３４，３７）の他端との間に接続された抵抗器（３
５，３８）を更に有することを特徴とする請求項１から
３のいずれか一項に記載の高周波増幅器。
【請求項５】前記出力側バイアス供給回路は、その高
周波線路と電源供給端子（１３）の間に接続されたイン
ダクタンス素子（１７）と、該インダクタンス素子の電
源供給側の接続点とグランドの間に高周波的に結合され
たキャパシタ（１４）とを有することを特徴とする請求
項１から４のいずれか一項に記載の高周波増幅器。
【請求項６】前記出力側バイアス供給回路は、前記イ
ンダクタンス素子の電源供給側の接続点に一端が接続さ
れた抵抗器（１６）と、該抵抗器の他端とグランドの間
に低周波的に結合されたキャパシタ（１５）とを更に有
することを特徴とする請求項５に記載の高周波増幅器。
【請求項７】前記高周波増幅器は、各回路素子が共通
の基板（５０）上に形成されてなる単体増幅器であるこ
とを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の
高周波増幅器。