KR20150030155A - 전력증폭기 - Google Patents

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KR20150030155A
KR20150030155A KR20140115184A KR20140115184A KR20150030155A KR 20150030155 A KR20150030155 A KR 20150030155A KR 20140115184 A KR20140115184 A KR 20140115184A KR 20140115184 A KR20140115184 A KR 20140115184A KR 20150030155 A KR20150030155 A KR 20150030155A
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신타로 와타나베
카즈히로 이요마사
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

차주파를 갖는 입력 잡음을 억제가능한 소형의 전력증폭기가 제공된다. 전력증폭기 PA1은, 입력 단자 IN과, 증폭 트랜지스터(11)와, 바이어스 회로(21)와, 필터 회로(61)와, 임피던스 정합회로 MC1을 구비하고 있다. 바이어스 회로(21)는, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 바이어스를 공급할 수 있다. 필터 회로(61)는, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측의 노이즈를 제거한다. 필터 회로(61)는, 정합 저항(32), 칩 인덕터(52) 및 칩 커패시터(43)를 구비하고 있다. 칩 인덕터(52) 및 칩 커패시터(43)는 모두 표면실장부품(SMD)이다. 정합 저항(32)은, 반도체 기판(1) 위에 형성되고, 일단이 MIM 커패시터 42와 MIM 커패시터 41 사이에 접속하고, 타단이 MIM 커패시터 42와 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 접속하고 있다.

Description

전력증폭기{POWER AMPLIFIER}
본 발명은, 전력증폭기에 관한 것이다.
송수신기에 사용되는 전력증폭기에서는, 수신 대역으로 새어나가는 전력이 증대하면 수신 대역 잡음을 열화시킨다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 수신 대역으로 새어나가는 전력량이 규격에 의해 정해져 있다.
수신 대역 잡음특성을 열화시키는 요인의 한가지로서, 차주파 잡음(differential frequency noise)이 있다. 차주파 잡음이란, 송신 주파수 신호와 수신 주파수의 차분의 주파수의 잡음이다. 차주파 잡음이 송신 주파수 신호에 믹싱되어 버림으로써 잡음전력이 증폭되어, 수신 대역 잡음특성이 열화한다. 이와 같은 차주파 잡음에의 대책으로서, 종래, 예를 들면, 일본국 특개 2008-28635호 공보에 개시되어 있는 것 같이, 차주파의 임피던스를 저하시키는 기능을 구비한 전력증폭기가 알려져 있다.
일본국 특개 2008-28635호 공보 일본국 특개평 10-209769호 공보 일본국 특개평 9-83268호 공보 일본국 특개 2007-174442호 공보 일본국 특개 2005-143079호 공보
수신 대역이나 송신 대역의 주파수대는 통신 규격에서 정해진 복수의 밴드가 존재하고 있고, 구체적으로는 수백 MHz∼수천백 MHz 정도이다. 이에 대하여, 차주파는 수신 대역 주파수와 송신 대역 주파수의 차분이며, 그 주파수는 수십 MHz 정도인 것이 많다.
상기 종래의 기술과 같이, 차주파 잡음을 제거하기 위한 필터 회로를, 전력증폭기에 조합한다고 하는 기술이 이용되고 있다. 이 필터 회로에 공진회로를 사용하는 경우에는, 인덕터와 커패시터로 결정되는 공진주파수의 값이, 차주파에 맞추어 수십 MHz 정도로 정해진다. 이 공진주파수는, 수신 대역 주파수와 비교해서 1자리 정도 낮은 값이다.
공진주파수를 차주파 부근의 값으로 설정하기 위해서는, 커패시턴스 값 및 인덕턴스 값을 어느 정도 큰 값으로 할 필요가 있다. 그와 같은 어느 정도 큰 커패시턴스 값 및 인덕턴스 값은, 반도체 기판 위에 MIM 커패시터나 스파이럴 인덕터로 실현할 수 있는 값보다도 현저하게 큰 값으로, 현실적으로는 표면실장부품을 사용하지 않으면 안된다. 표면실장부품이 필수구성으로 됨으로써 전력증폭기가 대형화한다고 하는 문제가 있어, 전력증폭기의 소형화가 요구되고 있었다.
본 발명은, 전술한 것과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 차주파를 갖는 입력 잡음을 억제가능한 소형의 전력증폭기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1 발명에 관한 전력증폭기는,
입력 단자와,
반도체 기판에 형성되고, 상기 입력 단자로부터의 신호를 증폭해서 출력 단자에 출력하는 증폭 트랜지스터와,
상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로와,
칩 인덕터 및 칩 커패시터의 적어도 한쪽을 포함하고, 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측의 노이즈를 제거하는 필터 회로와,
상기 반도체 기판에 형성되고 상기 입력 단자와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 설치된 정합 저항을 구비한, 임피던스 정합회로를
구비한 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 관한 전력증폭기는,
입력 단자와,
반도체 기판에 형성되고, 상기 입력 단자로부터의 신호를 증폭해서 출력 단자에 출력하는 증폭 트랜지스터와,
상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로와,
상기 반도체 기판에 형성된 인덕터 및 커패시터로 이루어지고, 상기 입력 단자와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 설치된 임피던스 정합회로와,
상기 반도체 기판에 형성한 저항과 칩 커패시터가 직렬로 접속하고, 일단이 상기 바이어스 회로와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 접속하고, 타단이 그라운드에 접속한 필터 회로를
구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 차주파를 갖는 입력 잡음을 억제가능한 소형의 전력증폭기가 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 관한 전력증폭기를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1의 변형예에 관한 전력증폭기를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시형태 2에 관한 전력증폭기를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시형태 3에 관한 전력증폭기를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시형태 4에 관한 전력증폭기를 도시한 도면이다.
실시형태 1.
도 1은, 본 발명의 실시형태 1에 관한 전력증폭기 PA1을 도시한 도면이다. 전력증폭기 PA1은, 입력 단자 IN과, 증폭 트랜지스터(11)와, 바이어스 회로(21)와, 필터 회로(61)와, 임피던스 정합회로 MC1을 구비하고 있다. 전력증폭기 PA1은, 증폭 트랜지스터(11)로 복수의 대역의 입력 신호를 증폭하는 멀티 밴드 전력증폭기로서, 휴대전화 등의 무선통신용으로 사용된다.
전력증폭기 PA1은, 증폭 트랜지스터(11), 바이어스 회로(21), 및 임피던스 정합회로 MC1이 반도체 기판(1) 위에 집적된 것이다. 도 1에서는, 반도체 기판(1) 위에 형성되는 회로 요소는, 반도체 기판(1)을 나타낸 실선으로 둘러싸인 영역 내에 도시하고 있다.
후술하는 필터 회로(61) 등에서는 표면실장부품(Surface Mount Device)이 사용된다. 이 표면실장부품은 반도체 기판(1)과 함께, 반도체 패키지 P1의 내부에 수납된다.
반도체 패키지 P1은, 도시하지 않은 다층회로기판을 구비하고 있다. 이 다층회로기판 위에 반도체 기판(1)이 다이본드 및 와이어본드되고, 이 다층회로기판 위에 표면실장부품이 땜납으로 더 실장된다. 반도체 패키지 P1은, 반도체 기판(1), 표면실장부품, 및 다층회로기판이 수지봉지된 것이다. 이러한 종류의 반도체 패키지는 이미 공지로서, 신규한 사항은 아니므로, 더 이상의 설명은 생략한다.
증폭 트랜지스터(11)는, 반도체 기판(1)에 형성되고, 입력 단자 IN으로부터의 신호를 증폭해서 출력 단자 OUT에 출력한다. 증폭 트랜지스터(11)는, 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)를 사용할 수 있다. 바이폴라 트랜지스터는, HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)이어도 된다. 이때, 증폭 트랜지스터(11)는 FET(Field Effect Transistor)이어도 된다.
바이어스 회로(21)는, 저항(31)의 일단에 접속되어 있다. 저항(31)의 타단은, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측과, 정합 저항(32) 사이에 접속하고 있다. 바이어스 회로(21)는, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 바이어스를 공급할 수 있다.
이때, 도 1에서는, 증폭 트랜지스터(11)가 1단만 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 증폭 트랜지스터(11)에 1개 이상의 증폭 트랜지스터를 더 다단접속하여, 2단 이상의 증폭 트랜지스터를 접속한 전력증폭기로 해도 된다.
필터 회로(61)는, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측의 노이즈를 제거한다. 필터 회로(61)는, 칩 인덕터(52) 및 칩 커패시터(43)를 구비하고 있다. 칩 인덕터(52) 및 칩 커패시터(43)는 모두 표면실장부품(SMD)이다. 표면실장부품으로서는, 구체적으로는 칩 저항, 칩 인덕터, 칩 커패시터가 보급되어 있다.
수신기에 사용되는 전력증폭기에서는, 수신 대역으로 새어나가는 전력이 증대하면 수신 대역 잡음을 열화시킨다고 하는 문제가 있다. 수신 대역으로 새어나가는 전력량이 규격에 의해 정해져 있다.
수신 대역 잡음특성을 열화시키는 요인의 한가지로서, 차주파 잡음이 송신 주파수 신호에 믹싱되어 버려, 잡음전력이 증폭되는 것을 들 수 있다. 차주파 잡음이란, 송신 주파수 신호와 수신 주파수의 차분의 주파수의 신호이다.
필터 회로(61)의 칩 인덕터(52)의 인덕턴스 값 L 및 칩 커패시터(43)의 커패시턴스 값 C로부터 정해지는 공진주파수는, 이 차주파의 주파수 근방으로 설정되어 있다. 이에 따라 필터 회로(61)를 거쳐 차주파 잡음을 선택적으로 그라운드에 단락시킬 수 있다. 그 결과, 증폭 트랜지스터(11)의 입력측에 대하여, 차주파 잡음이 입력되는 것을 억제할 수 있다.
임피던스 정합회로 MC1은, 정합 저항(32)을 구비하고 있다. 정합 저항(32)은, 반도체 기판(1)에 형성되고 입력 단자 IN과 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 설치되어 있다.
임피던스 정합회로 MC1은, 정합 저항(32), MIM 커패시터 41, 및 MIM 커패시터 42를 구비하고 있다. MIM 커패시터 41 및 MIM 커패시터 42는, 반도체 기판(1)에 형성된 MIM(Metal Insulator Metal) 커패시터이다. MIM 커패시터 42는, 일단이 입력 단자 IN에 접속된다. MIM 커패시터 41은, 일단이 MIM 커패시터 42의 타단에 접속되고, 타단이 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 접속하고 있다.
정합 저항(32)은, 일단이 MIM 커패시터 42와 MIM 커패시터 41 사이에 접속하고, 타단이 MIM 커패시터 41과 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 접속하고 있다. 정합 저항(32)은, 반도체 기판(1)에 형성된 배선 패턴의 도중에 고저항율의 부분을 설치한 것이다.
인덕터(51)는, 소위 피드 라인이다. 인덕터(51)는, 반도체 기판(1) 위에 형성한 스파이럴 인덕터이다.
반도체 기판(1)에 형성되는 저항은, 반도체 기판(1) 위에 형성한 배선 패턴의 도중에 고저항율의 부분을 설치하면 되므로, 필요 면적이 매우 작아도 된다. 이에 대하여, MIM 커패시터는 반도체 기판 위에 어느 정도의 넓이를 갖는 전극이 필요하고, 스파이럴 인덕터도 금속 패턴을 반도체 기판 위에 스파이럴 형상으로 설치할 필요가 있다. 이 때문에, MIM 커패시터 및 스파이럴 인덕터는, 반도체 기판 위에서의 필요 면적이 비교적 크다. 저항은, 동일한 반도체 기판(1) 위에 형성하는 소자인 MIM 커패시터나 스파이럴 인덕터와 비해서도, 그것의 형성 면적이 작아도 된다.
따라서, 본 실시형태에서는 정합 저항(32)을 반도체 기판(1)에 형성하고, 이것을 이용해서 임피던스 정합을 행하고 있고, 전형적인 T형 CLC 정합회로는 사용하지 않고 있다. 이 때문에, 실시형태 1에 관한 전력증폭기 PA1에서는, T형 CLC 정합회로를 사용하는 전력증폭기와 비교하여, 적어도 스파이럴 인덕터를 저항으로 변경한 만큼의 소면적화가 달성되고 있다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 실시형태에 따르면, 임피던스 정합회로 MC1에 정합 저항(32)을 설치함으로써, 보다 소면적의 소자를 사용해서 전력증폭기 PA1의 입력 정합을 행할 수 있다. 임피던스 정합회로 MC1의 소형화를 행함으로써 차주파를 갖는 입력 잡음을 억제가능한 소형의 전력증폭기 PA1이 제공된다.
또한, 전력증폭기 PA1은 멀티 밴드 전력증폭기이므로, 광대역의 신호를 증폭한다. 입력 정합 회로를 저항 정합으로 하면 광대역화가 가능하므로, 정합 저항(32)을 구비한 임피던스 정합회로 MC1은 멀티 밴드화된 전력증폭기 PA1에 적합하다.
도 2는, 본 발명의 실시형태 1의 변형예에 관한 전력증폭기 PA11을 도시한 도면이다. 필터 회로 61을 필터 회로 62로 치환한 점을 제외하고, 전력증폭기 PA11은 실시형태 1의 전력증폭기 PA1와 같다.
전력증폭기 PA11은, 반도체 기판(2)을 구비하고 있다. 반도체 기판(2) 위에는, 필터 회로(63)의 일부인 저항 34가 설치되어 있다. 필터 회로(63)는, 저항 34와, 칩 커패시터(43)를 구비하고 있다. 저항 34는, 반도체 기판(2)에 형성되고, 일단이 바이어스 회로(21)와 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 접속하고 있다.
칩 커패시터(43)는, 표면실장부품으로서, 저항 34와 접속하고 있다. 저항 34는, 반도체 기판(2)에 형성된 배선 패턴의 도중에 고저항율의 부분을 설치한 것이다. 칩 커패시터(43)는, 칩 커패시터이다.
필터 회로(63)는, 반도체 기판(2)에 형성한 저항 34와 표면실장부품인 칩 커패시터(43)가 직렬로 접속한 RC회로이다. 이 RC회로의 일단이 바이어스 회로(21)와 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 접속하고, 이 RC회로의 타단이 그라운드에 접속하고 있다.
필터 회로 63에 따르면, 필터 회로(61)의 칩 인덕터를, 반도체 기판(2) 위에 형성하는 고저항 패턴인 저항 34로 치환할 수 있다. 이에 따라, 표면실장부품을 고저항 패턴으로 치환할 수 있어, 전력증폭기 PA11의 소형화를 달성할 수 있다.
실시형태 2.
도 3은, 본 발명의 실시형태 2에 관한 전력증폭기 PA2를 도시한 도면이다. 정합 저항 3)을 정합 저항 33a, 33b로 치환한 점, 저항 31을 구비하지 않는 점, 및 바이어스 회로(21)가 정합 저항 33a, 33b의 중간점에 접속하고 있는 점을 제외하고, 전력증폭기 PA2는 실시형태 1에 관한 전력증폭기 PA1과 같다.
전력증폭기 PA2는, 반도체 기판(101)을 구비하고 있다. 반도체 기판(101) 위에는, 임피던스 정합회로 MC2가 구비되어 있다. 임피던스 정합회로 MC2는, 정합 저항 33a, 33b의 직렬 회로를 구비하고 있다. 정합 저항 33a는, 일단이 MIM 커패시터 42의 타단에 접속한다. 정합 저항 33b는, 일단이 정합 저항 33a의 타단에 접속하고, 타단이 MIM 커패시터 41의 타단에 접속한다. 정합 저항 33a, 33b의 직렬 회로에 대하여, MIM 커패시터 41이 병렬로 접속하고 있다. 실시형태 1에 관한 전력증폭기 PA1과 동등한 성능을 실현하기 위한 저항 33a의 저항값은, 정합 저항(32)의 저항값로부터 저항 31의 저항값을 뺀 값이다.
바이어스 회로(21)는, 정합 저항 33a와 정합 저항 33b의 접속점에 접속하고 있다. 바이어스 회로(21)는, 정합 저항 33b를 거쳐, 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 바이어스를 공급하고 있다. 실시형태 1과 비교하면, 바이어스 회로(21)가 저항 31을 거쳐 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 바이어스를 공급하고 있었던 것과 동일한 회로가 실현되고 있다. 정합 저항 33a, 33b는, 실시형태 1의 정합 저항(32)과 마찬가지로, 저항 정합을 실현하고 있다.
이와 같이, 정합 저항 33b는, 임피던스 정합과 함께, 바이어스 회로(21)와 증폭 트랜지스터(11) 사이에 삽입되는 직렬저항의 역할도 담당하고 있다. 정합 저항 33b를 겸용함으로써 실시형태 1에서는 저항(31)과 정합 저항(32)을 각각 설치하고 있었던 것과 비교하여, 저항에 필요한 면적을 삭감하면서 동등한 기능을 얻을 수 있다.
실시형태 3.
도 4는, 본 발명의 실시형태 3에 관한 전력증폭기 PA3을 도시한 도면이다. 임피던스 정합회로 MC1을 임피던스 정합회로 MC3으로 치환한 점 및 필터 회로 61을 필터 회로 62로 치환한 점을 제외하고, 전력증폭기 PA3은 실시형태 1에 관한 전력증폭기 PA1과 같다.
필터 회로(62)는, 칩 인덕터인 칩 인덕터(52)와 칩 커패시터인 칩 커패시터(43)를 구비하고 있다. 칩 인덕터(52) 및 칩 커패시터(43)는, 표면실장부품이다. 이 점은 필터 회로 61과 같지만, 그들 소자의 접속 형태가 다르다.
즉, 전력증폭기 PA3에서는, MIM 커패시터 42와 정합 저항(32) 사이에, 칩 커패시터(43)가 직렬로 삽입되어 있다. 그리고, MIM 커패시터 42와 칩 커패시터(43)의 접속점에, 칩 인덕터(52)의 일단이 접속하고 있다. 칩 인덕터(52)의 타단은 그라운드에 접속하고 있다.
임피던스 정합회로 MC3은, 정합 저항(32)으로 이루어진다. 정합 저항(32)은, 일단이 필터용 커패시터의 타단에 접속하고, 타단이 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측에 접속한다. 정합 저항(32)만으로 입력 정합을 취함으로써 실시형태 1, 2와 비교해서 입력 정합을 위한 소자수를 줄일 수 있다.
실시형태 4.
도 5는, 본 발명의 실시형태 4에 관한 전력증폭기 PA4를 도시한 도면이다. 임피던스 정합회로 MC1을 임피던스 정합회로 MC4로 치환한 점을 제외하고, 전력증폭기 PA4는 실시형태 1의 변형예에 관한 전력증폭기 PA11과 같다.
임피던스 정합회로 MC4는, 반도체 기판(301)에 형성된 칩 인덕터(52) 및 MIM 커패시터 41, 42로 이루어진 T형 CLC 정합회로이다. 이 T형 CLC 정합회로가, 입력 단자 IN과 증폭 트랜지스터(11)의 신호 입력측 사이에 설치되어 있다.
실시형태 4에 관한 전력증폭기 PA4도, 실시형태 1의 변형예에 관한 전력증폭기 PA11과 마찬가지로, 필터 회로(63)를 구비하고 있다. 필터 회로(63)에 따르면, 반도체 기판(2) 위에 형성하는 고저항 패턴에 의해 RC 필터 회로를 형성할 수 있다. 이에 따라, 전력증폭기의 소형화를 달성할 수 있다.
1, 2, 101, 201, 301 반도체 기판, 11 증폭 트랜지스터, 21 바이어스 회로, 32 정합 저항, 41, 42 MIM 커패시터, 43 칩 커패시터, 52 칩 인덕터, 61, 62, 63 필터 회로, MC1, MC2, MC3, MC4 임피던스 정합회로, PA1, PA11, PA2, PA3, PA4 전력증폭기

Claims (10)

  1. 입력 단자와,
    반도체 기판에 형성되고, 상기 입력 단자로부터의 신호를 증폭해서 출력 단자에 출력하는 증폭 트랜지스터와,
    상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로와,
    칩 인덕터 및 칩 커패시터의 적어도 한쪽을 포함하고, 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측의 노이즈를 제거하는 필터 회로와,
    상기 반도체 기판에 형성되고 상기 입력 단자와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 설치된 정합 저항을 구비한, 임피던스 정합회로를
    구비한 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 임피던스 정합회로는,
    상기 반도체 기판에 형성되고, 일단이 상기 입력 단자에 접속하는 제1커패시터와,
    상기 반도체 기판에 형성되고, 일단이 상기 제1커패시터의 타단에 접속하고, 타단이 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 접속한 제2커패시터를 포함하고,
    상기 정합 저항은, 일단이 상기 제1커패시터와 상기 제2커패시터 사이에 접속하고, 타단이 상기 제2커패시터와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 접속하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 정합 저항은,
    일단이 상기 제1커패시터의 타단에 접속하는 제1저항과,
    일단이 상기 제1저항의 타단에 접속하고, 타단이 상기 제2커패시터의 상기 타단에 접속하는 제2저항을 포함하고,
    상기 바이어스 회로는, 상기 제1저항과 상기 제2저항의 접속점에 접속되어 상기 접속점에 바이어스를 공급하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 필터 회로는, 칩 인덕터와 칩 커패시터가 직렬로 접속하고, 일단이 상기 제1커패시터와 상기 정합 저항 사이에 접속하고, 타단이 그라운드에 접속한 직렬 LC 공진회로인 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 필터 회로는,
    일단이 상기 입력 단자와 전기적으로 접속하는 칩 커패시터와,
    일단이 상기 입력 단자와 상기 칩 커패시터 사이에 접속하고, 타단이 그라운드에 접속한 칩 인덕터를 포함하는 LC 공진회로이고,
    상기 정합 저항은, 일단이 상기 칩 커패시터의 타단에 접속하고, 타단이 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 접속하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 필터 회로는,
    상기 반도체 기판에 형성되고, 일단이 상기 바이어스 회로와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 접속한 저항과,
    일단이 상기 저항과 접속하고, 타단이 그라운드에 접속한 칩 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  7. 입력 단자와,
    반도체 기판에 형성되고, 상기 입력 단자로부터의 신호를 증폭해서 출력 단자에 출력하는 증폭 트랜지스터와,
    상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로와,
    상기 반도체 기판에 형성된 인덕터 및 커패시터로 이루어지고, 상기 입력 단자와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 설치된 임피던스 정합회로와,
    상기 반도체 기판에 형성한 저항과 칩 커패시터가 직렬로 접속되고, 일단이 상기 바이어스 회로와 상기 증폭 트랜지스터의 신호 입력측 사이에 접속하고, 타단이 그라운드에 접속한 필터 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  8. 제 1항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 증폭 트랜지스터로 복수의 대역의 입력 신호를 증폭하는 멀티 밴드 전력증폭기인 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 증폭 트랜지스터, 상기 바이어스 회로, 및 상기 임피던스 정합회로가 상기 반도체 기판에 집적화되고,
    상기 반도체 기판과, 상기 필터 회로를 구성하는 칩 인덕터 및 칩 커패시터의 적어도 한쪽이, 표면에 실장되는 회로기판과,
    상기 반도체 기판과, 상기 칩 인덕터 및 상기 칩 커패시터의 적어도 한쪽을, 봉지하도록, 상기 회로기판의 표면에 설치된 패키지 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 증폭 트랜지스터, 상기 바이어스 회로, 및 상기 임피던스 정합회로가 상기 반도체 기판에 집적화되고,
    상기 반도체 기판과 상기 칩 커패시터가 표면에 실장되는 회로 기판과,
    상기 반도체 기판과 상기 칩 커패시터를 봉지하도록, 상기 회로 기판의 표면에 설치된 패키지 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
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