JP4142660B2

JP4142660B2 - 高周波電力増幅器

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Publication number: JP4142660B2
Application number: JP2005083400A
Authority: JP
Inventors: 本吉　　要; 正彦稲森; 一彦大橋; 寛杉山
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-03-23
Filing date: 2005-03-23
Publication date: 2008-09-03
Anticipated expiration: 2025-03-23
Also published as: US7312661B2; JP2006270318A; US20060214733A1

Description

本発明は、高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器に関する。

一般的に、高周波信号を取り扱う電力増幅器は、高周波特性に優れた複数のトランジスタ（例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）を並列接続させた増幅回路１２０と、この増幅回路１２０で用いられるバイアス電流を供給するバイアス回路１１０とで構成される。図１２は、この構成による従来の高周波電力増幅器の構成例を示す図である（例えば、特許文献１及び特許文献２を参照）。図１２に示す従来の高周波電力増幅器は、各トランジスタＱのベースに、バイアス電流（ＤＣ）の供給配線と高周波信号（ＲＦ）の入力配線とが、それぞれ接続された構成である。
特開２００２−９５５８号公報特開２００３−３２４３２５号公報

上述した従来の高周波電力増幅器をはじめ、増幅回路１２０のトランジスタＱのベースに高周波信号とバイアス電流とを入力する回路構成では、高周波信号の一部が、ベース接続点を介して、増幅回路１２０からバイアス回路１１０へ漏れてしまう（図１２の点線矢印経路）。このため、高周波信号の送受信を行う装置にこのような構成の高周波電力増幅器を用いた場合には、この高周波信号の漏れが原因で、装置の高周波信号の受信に次のような影響を及ぼす。

図１３は、従来の高周波電力増幅器における送信周波数及び受信周波数と出力ノイズとの関係例を示す図である。なお、装置が送信する高周波信号、すなわち増幅回路１２０で取り扱われる高周波信号の周波数を「送信周波数ｆｔ」と、装置が受信する高周波信号の周波数を「受信周波数ｆｒ」と記述する。例えば、ＮＴＴドコモ社のＦＯＭＡ規格では、送信周波数ｆｔ＝１９５０ＭＨｚ及び受信周波数ｆｒ＝２１４０ＭＨｚとなる。

増幅回路１２０側からの送信周波数ｆｔの高周波信号の漏れにより、バイアス回路では、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとで定まる不要な周波数成分が生じる。すなわち、受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分、及び送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分である。この不要な周波数ｆＬ及びｆＨの成分は、バイアス電流の供給経路を通ってバイアス回路１１０から増幅回路１２０へ伝達されて（図１２の実線矢印経路）、受信周波数ｆｒの帯域に重畳する出力ノイズに大きな影響を及ぼす。

それ故に、本発明の目的は、増幅回路へ伝達されるまでに不要な周波数成分を減衰させるバイアス回路を用いて、増幅回路から出力される高周波信号に重畳するノイズを抑えた高周波電力増幅器を提供することである。

本発明は、高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器に向けられている。そして、上記目的を達成させるために、本発明の高周波電力増幅器は、送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、増幅回路を構成するトランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備えている。そして、このバイアス回路は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬの成分、及び送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分の、少なくとも一方を減衰させるフィルタを備える。

本発明のバイアス回路の基盤となる回路としては、エミッタが接地された第１のトランジスタ、コレクタが電源に接続され、かつ、エミッタが第１のトランジスタのベースに接続された第２のトランジスタ、コレクタが電源に接続され、かつ、ベースが第１のトランジスタのコレクタに接続された第３のトランジスタ、第２のトランジスタのベースを電源に接続する第１の抵抗、第１のトランジスタのコレクタと第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、及び第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗で構成され、第３のトランジスタのエミッタからエミッタフォロワでバイアス電流が増幅回路へ供給される回路が考えられる。

そして、本発明のバイアス回路を形成するために、この基盤回路に挿入されるフィルタの好ましい位置としては、第３のトランジスタのエミッタと増幅回路との間が挙げられる。また、フィルタは、第１のトランジスタのコレクタと第３のトランジスタのベースとの間に挿入されてもよい。また、フィルタは、第１の抵抗と電源との間に挿入されてもよい。また、第１の抵抗と第２のトランジスタのベースとの間に挿入されてもよい。さらには、第１のトランジスタのベースと第２のトランジスタのエミッタとの間に挿入されてもよい。これらのフィルタ位置は、自由に組み合わせることが可能である。

上記のように、本発明によれば、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分、及び送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分を、減衰させるための減衰フィルタをバイアス回路に組み込む。これにより、受信周波数ｆｒの帯域における高周波電力増幅器の出力ノイズを低減させることができる。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図である。図１において、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器は、バイアス回路１０と増幅回路６０とで構成される。バイアス回路１０は、エミッタフォロア等のバッファ段にトランジスタを用いた構成であれば、基本とする回路構成は特に問わない。本発明の各実施形態では、従来技術で記載したバイアス回路１１０を基本回路として用いている。また、増幅回路６０は、高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む回路であれば、その回路構成は特に問わない。本発明の各実施形態では、従来技術で記載した増幅回路１２０を用いている。

バイアス回路１０は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４と、減衰フィルタＦ１及びＦ２とで構成される。増幅回路６０へ供給されるバイアス電流は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１２及び抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３からなるバイアス源の、トランジスタＱ１１のコレクタから取り出される。この取り出されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ２を介してトランジスタＱ１３のベースへ入力され、エミッタに出力される。トランジスタＱ１３のエミッタに出力されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ１を介して増幅回路６０へ供給される。

減衰フィルタＦ１は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＬよりも高い周波数の成分を通過させるハイパスフィルタである。また、減衰フィルタＦ２は、高周波信号の送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＨよりも低い周波数の成分を通過させるローパスフィルタである。なお、これらの減衰フィルタＦ１及びＦ２は、直流的に導通している。

図２Ａ〜図２Ｃは、減衰フィルタＦ１及びＦ２の具体的な構成例を示したバイアス回路１０の図である。
図２Ａのバイアス回路１０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ２に容量Ｃ１１を、それぞれ用いた回路である。この図２Ａのバイアス回路１０では、トランジスタＱ１３のベースを容量Ｃ１１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

図２Ｂのバイアス回路１０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ２にインダクタＬ１１及び容量Ｃ１１を、それぞれ用いた回路である。この図２Ｂのバイアス回路１０では、トランジスタＱ１１のコレクタとトランジスタＱ１３のベースとをインダクタＬ１１で接続すると共に、トランジスタＱ１３のベースを容量Ｃ１１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分をより減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

図２Ｃのバイアス回路１０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ２に容量Ｃ１２を、それぞれ用いた回路である。この図２Ｃのバイアス回路１０では、トランジスタＱ１３のベースを容量Ｃ１１を介して電源ＶＲＥＦに接続することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図である。図３において、第２の実施形態に係る高周波電力増幅器は、バイアス回路２０と増幅回路６０とで構成される。バイアス回路２０は、バイアス回路１０と同様、エミッタフォロア等のバッファ段にトランジスタを用いた構成であれば、基本とする回路構成は特に問わない。

バイアス回路２０は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４と、減衰フィルタＦ３とで構成される。増幅回路６０へ供給されるバイアス電流は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１２及び抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３からなるバイアス源の、トランジスタＱ１１のコレクタから取り出される。この取り出されたバイアス電流は、トランジスタＱ１３のベースへ入力され、エミッタから出力される。トランジスタＱ１３のエミッタに出力されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ３を介して増幅回路６０へ供給される。

減衰フィルタＦ３は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分と、高周波信号の送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分とを、まとめて減衰させるためのフィルタである。この減衰フィルタＦ３は、例えば、周波数ｆＬよりも高い周波数の成分を通過させるハイパスフィルタと、周波数ｆＨよりも低い周波数の成分を通過させるローパスフィルタとを、組み合わせて構成される。なお、この減衰フィルタＦ３は、直流的に導通している。

図４は、減衰フィルタＦ３の具体的な構成例を示したバイアス回路２０の図である。図４のバイアス回路２０は、減衰フィルタＦ３に容量Ｃ２１及び抵抗Ｒ１５を用いた回路である。この図４のバイアス回路２０では、トランジスタＱ１３のエミッタを容量Ｃ２１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図である。図５において、第３の実施形態に係る高周波電力増幅器は、バイアス回路３０と増幅回路６０とで構成される。バイアス回路３０は、バイアス回路１０と同様、エミッタフォロア等のバッファ段にトランジスタを用いた構成であれば、基本とする回路構成は特に問わない。

バイアス回路３０は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４と、減衰フィルタＦ１及びＦ４とで構成される。増幅回路６０へ供給されるバイアス電流は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１２、抵抗Ｒ１１〜抵抗Ｒ１３及び減衰フィルタＦ４からなるバイアス源の、トランジスタＱ１１のコレクタから取り出される。この取り出されたバイアス電流は、トランジスタＱ１３のベースへ入力され、エミッタから出力される。トランジスタＱ１３のエミッタに出力されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ１を介して増幅回路６０へ供給される。

減衰フィルタＦ１は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＬよりも高い周波数の成分を通過させるハイパスフィルタである。また、減衰フィルタＦ４は、高周波信号の送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＨよりも低い周波数の成分を通過させるローパスフィルタである。なお、これらの減衰フィルタＦ１及びＦ４は、直流的に導通している。

図６Ａ及び図６Ｂは、減衰フィルタＦ１及びＦ４の具体的な構成例を示したバイアス回路３０の図である。
図６Ａのバイアス回路３０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ４に容量Ｃ３１を、それぞれ用いた回路である。この図６Ａのバイアス回路３０では、抵抗Ｒ１１と電源ＶＲＥＦとの間を容量Ｃ３１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

図６Ｂのバイアス回路３０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ４にインダクタＬ３１及び容量Ｃ３１を、それぞれ用いた回路である。この図６Ｂのバイアス回路３０では、抵抗Ｒ１１と電源ＶＲＥＦとをインダクタＬ３１で接続すると共に、インダクタＬ３１と抵抗Ｒ１１との間を容量Ｃ３１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分をより減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図である。図７において、第４の実施形態に係る高周波電力増幅器は、バイアス回路４０と増幅回路６０とで構成される。バイアス回路４０は、バイアス回路１０と同様、エミッタフォロア等のバッファ段にトランジスタを用いた構成であれば、基本とする回路構成は特に問わない。

バイアス回路４０は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４と、減衰フィルタＦ１及びＦ５とで構成される。増幅回路６０へ供給されるバイアス電流は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１２、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３及び減衰フィルタＦ５からなるバイアス源の、トランジスタＱ１１のコレクタから取り出される。この取り出されたバイアス電流は、トランジスタＱ１３のベースへ入力され、エミッタから出力される。トランジスタＱ１３のエミッタに出力されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ１を介して増幅回路６０へ供給される。

減衰フィルタＦ１は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＬよりも高い周波数の成分を通過させるハイパスフィルタである。また、減衰フィルタＦ５は、高周波信号の送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＨよりも低い周波数の成分を通過させるローパスフィルタである。なお、この減衰フィルタＦ１及びＦ５は、直流的に導通している。

図８は、減衰フィルタＦ１及びＦ５の具体的な構成例を示したバイアス回路４０の図である。図８のバイアス回路４０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ５に容量Ｃ４１を、それぞれ用いた回路である。この図８のバイアス回路４０では、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点を容量Ｃ４１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

（第５の実施形態）
図９は、本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図である。図９において、第５の実施形態に係る高周波電力増幅器は、バイアス回路５０と増幅回路６０とで構成される。バイアス回路５０は、バイアス回路１０と同様、エミッタフォロア等のバッファ段にトランジスタを用いた構成であれば、基本とする回路構成は特に問わない。

バイアス回路５０は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４と、減衰フィルタＦ１及びＦ６とで構成される。増幅回路６０へ供給されるバイアス電流は、トランジスタＱ１１〜Ｑ１２、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３及び減衰フィルタＦ６からなるバイアス源の、トランジスタＱ１１のコレクタから取り出される。この取り出されたバイアス電流は、トランジスタＱ１３のベースへ入力され、エミッタから出力される。トランジスタＱ１３のエミッタに出力されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ１を介して増幅回路６０へ供給される。

減衰フィルタＦ１は、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＬよりも高い周波数の成分を通過させるハイパスフィルタである。また、減衰フィルタＦ６は、高周波信号の送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分を減衰させるためのフィルタであり、例えば周波数ｆＨよりも低い周波数の成分を通過させるローパスフィルタである。なお、これらの減衰フィルタＦ１及びＦ６は、直流的に導通している。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、減衰フィルタＦ１及びＦ６の具体的な構成例を示したバイアス回路５０の図である。
図１０Ａのバイアス回路５０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ６に容量Ｃ５１を、それぞれ用いた回路である。この図１０Ａのバイアス回路５０では、トランジスタＱ１１のベースを容量Ｃ５１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分を減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

図１０Ｂのバイアス回路５０は、減衰フィルタＦ１に抵抗Ｒ１５を、減衰フィルタＦ６にインダクタＬ５１及び容量Ｃ５１を、それぞれ用いた回路である。この図１０Ｂのバイアス回路５０では、トランジスタＱ１１のベースとトランジスタＱ１２のエミッタとをインダクタＬ５１で接続すると共に、トランジスタＱ１２のエミッタを容量Ｃ５１を介して接地することで、周波数ｆＨの成分をより減衰させ、かつ、トランジスタＱ１３のエミッタから抵抗Ｒ１５を介して増幅回路６０へ供給することで、周波数ｆＬの成分を減衰させる。

以上のように、本発明の第１〜第５の実施形態に係る高周波電力増幅器によれば、高周波信号の受信周波数ｆｒと送信周波数ｆｔとの差分となる周波数ｆＬの成分、及び送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨの成分を、減衰させるための減衰フィルタをバイアス回路に組み込む。これにより、図１１に示すように、受信周波数ｆｒの帯域における高周波電力増幅器の出力ノイズを低減させることができる。
なお、減衰フィルタＦ１〜Ｆ６の挿入位置及び構成素子の組み合わせは、上記第１〜第５の実施形態で説明したものに限られるものではなく、目的や回路規模等に応じて自由に設計可能である。

本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号の送受信を行う装置等に利用可能であり、特に高周波信号の受信周波数帯域における増幅器の出力ノイズを低減させたい場合等に適している。

本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図減衰フィルタＦ１及びＦ２の具体的な構成例を示したバイアス回路１０の図減衰フィルタＦ１及びＦ２の具体的構成を例示したバイアス回路１０の図減衰フィルタＦ１及びＦ２の具体的構成を例示したバイアス回路１０の図本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図減衰フィルタＦ３の具体的構成を例示したバイアス回路２０の図本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図減衰フィルタＦ１及びＦ４の具体的構成を例示したバイアス回路３０の図減衰フィルタＦ１及びＦ４の具体的構成を例示したバイアス回路３０の図本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図減衰フィルタＦ１及びＦ５の具体的構成を例示したバイアス回路４０の図本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路構成を示す図減衰フィルタＦ１及びＦ６の具体的構成を例示したバイアス回路５０の図減衰フィルタＦ１及びＦ６の具体的構成を例示したバイアス回路５０の図本発明の高周波電力増幅器における送信周波数ｆｔ及び受信周波数ｆｒと出力ノイズとの関係例を示す図従来の高周波電力増幅器の回路構成例を示す図従来の高周波電力増幅器における送信周波数ｆｔ及び受信周波数ｆｒと出力ノイズとの関係例を示す図

符号の説明

１０〜５０、１１０バイアス回路
６０、１２０増幅回路
Ｃ、Ｃ１１〜Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ３１、Ｃ４１、Ｃ５１容量
Ｆ１〜Ｆ６減衰フィルタ
Ｌ１１、Ｌ３１、Ｌ５１インダクタ
Ｑ、Ｑ１１〜Ｑ１３トランジスタ
Ｒ、Ｒ１１〜Ｒ１５抵抗

Claims

高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器であって、
送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、
前記増幅回路を構成する前記トランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、
エミッタが接地された第１のトランジスタ、
コレクタが電源に接続され、かつ、エミッタが前記第１のトランジスタのベースに接続された第２のトランジスタ、
前記第２のトランジスタのベースを電源に接続する第１の抵抗、
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、
前記第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、
コレクタが電源に接続された第３のトランジスタ、
前記第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗、
前記第３のトランジスタのエミッタと前記増幅回路との間に挿入され、前記高周波信号の受信周波数ｆｒと前記送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分を減衰させる第１のフィルタ、及び
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第３のトランジスタのベースとの間に挿入され、前記送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させる第２のフィルタを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。
高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器であって、
送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、
前記増幅回路を構成する前記トランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、
エミッタが接地された第１のトランジスタ、
コレクタが電源に接続され、かつ、エミッタが前記第１のトランジスタのベースに接続された第２のトランジスタ、
前記第２のトランジスタのベースを電源に接続する第１の抵抗、
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、
前記第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、
コレクタが電源に接続され、かつ、ベースが前記第１のトランジスタのコレクタに接続された第３のトランジスタ、
前記第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗、
前記第３のトランジスタのエミッタと前記増幅回路との間に挿入され、前記高周波信号の受信周波数ｆｒと前記送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分及び前記送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させるフィルタを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。
高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器であって、
送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、
前記増幅回路を構成する前記トランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、
エミッタが接地された第１のトランジスタ、
コレクタが電源に接続され、かつ、エミッタが前記第１のトランジスタのベースに接続された第２のトランジスタ、
前記第２のトランジスタのベースに一方端が接続された第１の抵抗、
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、
前記第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、
コレクタが電源に接続され、かつ、ベースが前記第１のトランジスタのコレクタに接続された第３のトランジスタ、
前記第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗、
前記第３のトランジスタのエミッタと前記増幅回路との間に挿入され、前記高周波信号の受信周波数ｆｒと前記送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分を減衰させる第１のフィルタ、及び
前記第１の抵抗の他方端と電源との間に挿入され、前記送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させる第２のフィルタを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。
高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器であって、
送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、
前記増幅回路を構成する前記トランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、
エミッタが接地された第１のトランジスタ、
コレクタが電源に接続され、かつ、エミッタが前記第１のトランジスタのベースに接続された第２のトランジスタ、
電源に一方端が接続された第１の抵抗、
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、
前記第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、
コレクタが電源に接続され、かつ、ベースが前記第１のトランジスタのコレクタに接続された第３のトランジスタ、
前記第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗、
前記第３のトランジスタのエミッタと前記増幅回路との間に挿入され、前記高周波信号の受信周波数ｆｒと前記送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分を減衰させる第１のフィルタ、及び
前記第１の抵抗の他方端と前記第２のトランジスタのベースとの間に挿入され、前記送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させる第２のフィルタを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。
高周波信号の送受信を行う装置に用いられる高周波電力増幅器であって、
送信周波数ｆｔの高周波信号をベースに入力してコレクタから増幅出力するトランジスタを、少なくとも１つ構成に含む増幅回路と、
前記増幅回路を構成する前記トランジスタのベースに、エミッタフォロワ出力によってバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、
エミッタが接地された第１のトランジスタ、
コレクタが電源に接続された第２のトランジスタ、
前記第２のトランジスタのベースを電源に接続する第１の抵抗、
前記第１のトランジスタのコレクタと前記第２のトランジスタのベースとを接続する第２の抵抗、
前記第２のトランジスタのエミッタを接地する第３の抵抗、
コレクタが電源に接続され、かつ、ベースが前記第１のトランジスタのコレクタに接続された第３のトランジスタ、
前記第３のトランジスタのエミッタを接地する第４の抵抗、
前記第３のトランジスタのエミッタと前記増幅回路との間に挿入され、前記高周波信号の受信周波数ｆｒと前記送信周波数ｆｔとの差分である周波数ｆＬ（＝｜ｆｒ−ｆｔ｜）の成分を減衰させる第１のフィルタ、及び
前記第１のトランジスタのベースと前記第２のトランジスタのエミッタとの間に挿入され、前記送信周波数ｆｔから差分周波数ｆＬだけ低い周波数ｆＨ（＝２ｆｔ−ｆｒ）の成分を減衰させる第２のフィルタを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。