DE3539523A1 - Frequenzwandlerschaltung - Google Patents

Frequenzwandlerschaltung

Info

Publication number
DE3539523A1
DE3539523A1 DE19853539523 DE3539523A DE3539523A1 DE 3539523 A1 DE3539523 A1 DE 3539523A1 DE 19853539523 DE19853539523 DE 19853539523 DE 3539523 A DE3539523 A DE 3539523A DE 3539523 A1 DE3539523 A1 DE 3539523A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
capacitor
frequency converter
frequency
converter circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19853539523
Other languages
English (en)
Inventor
Keiro Yokohama Shinkawa
Akio Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3539523A1 publication Critical patent/DE3539523A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Hitachi, Ltd. 5. November 1985
A 6637 Al/fa
Beschreibung
Frequenzwandlerschaltung 10
Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen eine Frequenzwandlerschaltung mit einem Hochfrequenzoszillator/
einem Trennverstärker und einer Mischeinrichtung zum Um-15
wandeln eines Hochfrequenzsignals in ein Zwischenfrequenzsignal.
In einem Satelliten-Rundfunkempfangssystem wird ein 12 GHz-Band-Signal durch eine Parabolantenne empfangen und durch eine Außeneinrichtung in ein 1 GHz-Band-Signal nach unten umgewandelt, wobei dieses Signal weiter durch eine Inneneinrichtung in ein 400 MHz-Signal umgewandelt wird. Die vorliegende Erfindung sorgt für eine Frequenzwandlerschaltung,
welche in geeigneter Weise zum Umwandeln des oben erwähnten 25
1 GHz-Band-Signals in ein 4 00 MHz-Signal benutzt werden kann.
Einetypische konventionelle Frequenzwandlerschaltung zum Umwandeln eines HochfrequenzSignaIs in ein Zwischenfrequenzsignal ist in der JP-OS-17 90 05/83 offenbart.
Eine solche Frequenzwandlerschaltung weist einen "kollektorgeerdeten Transistoroszillator und eine Mischeinrichtung
mit zwei Dioden auf, wobei eine - Schwingfrequenz von 35
einem Induktor eines Resonanzkreises des Oszillators durch induktive Kopplung an die Mischeinrichtung angelegt wird.
* (κ
* Im allgemeinen wird in einer Frequenzwandlerschaltung die Schwingleistung , welche an eine Mischeinrichtung angelegt wird, durch induktive Kopplung, wie oben beschrieben, wiedergewonnen. Wenn eine große Leistung, die ausreicht, um einen zufriedenstellenden Mischeinrichtungsbetrieb sicherzustellen, erzielt werden muß, wird ein Puffertransistor mit einer festen induktiven Kopplung benutzt. Der Ausgang dieser induktiven Kopplung verändert die Resonanzimpedanz,wodurch leicht eine anormale Schwingung wie eine .Schwingungsauslassung oder ein Schwingungsstop verursacht wird. Wenn der Schwingkreis über ein Breitband veränderlich ist, um einen Breitbandempfang zu ermöglichen, wird die Resonanzeigenschaft des induktiven Kopplungskreises deutlich, wodurch eine große Frequenzabweichung der an die Mischeinrichtung angelegten Schwingleistung verursacht wird (d. h. eine große Veränderung der Schwingleistung mit der Frequenz), wodurch sich eine große Frequenzabweichung der Frequenzumwandlungseigenschaft der Mischeinrichtung ergibt.
Da der Umwandlungsverlust der Mischschaltung andererseits groß ist, ist es erforderlich, Verstärker in ;Mehrfachstuf en nach der Mischeinrichtung anzuordnen.
Darüberhinaus erfordert der Puffertransistor große Leistung zum Steuern der Mischeinrichtung mit großer Schwingleistung, was den Nachteil eines großen Abflusses der Schwingleistung der Mischeinrichtung zu dessen Signaleingangsklemme mit sich bringt.
Die vorliegende Erfindung ist darauf gerichtet, eine Frequenzwandlerschaltung zu schaffen,in welcher ein Hochfrequenzschwingkreis keine .anormale Schwingung verursacht und die Schwingleistung keine große Frequenzabweichung zeigt, selbst wenn der Schwingkreis über ein breites Band veränderlich ist, mit dem Ergebnis, daß eine große Frequenzabweichung in der Frequenzumwandlungseigenschaft der Misch-
ι .5·
einrichtung nicht auftritt, während der Umwandlungsverlust und der Abfluß der Schwingleistung zur Signaleingangsklemme in der Mischschaltung klein gehalten werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Basis des basisgeerdeten Schwingtransistors, der Emitter des . emittergeerdeten Schwingtransistors oder der Kollektor des . kollektorgeerdeten Transistors direkt mit der Basis eines Puffertransistors verbunden, der als Frequenzwandler arbeitet, um die Schwingleistung direkt dem Puffertransistor zuzuführen, während an denEmitter des Puffertransistors ein Hochfrequenzsignal angelegt wird und von dessen Kollektor ein Zwischenfrequenzsignal abgenommen wird, wodurch eine
kompakte Frequenzwandlerschaltung verwirklicht wird, welche 15
einen geringen Leistungsverbrauch und stabile Schwing- und Frequenzumwandlungseigenschaften aufweist.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der
vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden 20
Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung. Darin zeigen:
einen Schaltplan einer grundsätzlichen Schaltung der vorliegenden Erfindung,
einen Schaltplan einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
eine graphische Darstellung der Umwandlungsverstärkungseigenschaft einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im 1 GHζ-Band
Fig. 4 und5 Schaltpläne von Schaltungen einer dritten und vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
Fig. 1
25
Fig. 2
30 Fig. 3
Fig. 6 eine graphische Darstellung der Dämpfungseigenschaft eines Hochfrequenzkondensators gemäß der vorliegenden Erfindung, und
Fig. 7 eine Draufsicht auf ein Verbindungsmuster
einer gedruckten Leiterplatte, die bei der Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
In Fig. 1 weist ein Schaltungsteil S,der von einer strichpunktierten Linie umgeben ist, einen Schwingkreis auf, dessen Ausgangssignal von der Basis 2 eines Schwingtransistors 1 abgenommen und der Basis 15 eines Ausgangspuffertransistors c 14 zugeführt wird.
Die Basis des Schwingtransistors 1 ist über eine Induktivität 40 und einen Kondensator 5 geerdet, wodurch die Impedanz der Basis 2 klein gehalten wird. Ein Rückkopplungskondensator
6 wird zwischen den Emitter 3 und den Kollektor 4 eingefügt. 20
Der Kollektor 4 ist über einen Kondensator 8 mit einem Resonanzkreis verbunden, der Dioden 9, 9* mit variabler Kapazität und eine Induktivität 10 aufweist. Darüberhinaus ist eine Vorspannungswiderstand 7 vorgesehen.
Die Schwingfrequenz wird durch Veränderung der Vorspannung, welche über die Klemme 27 an die Dioden 9, 91 mit veränderlicher Kapazität angelegt wird, verändert. Ein zufriedenstellender Schwing-und Mischbetrieb ist möglich, wenn die Induktivität 40 einen Wert von 1nH bis 3nH und der Kondensator 5 einen Wert von 2OpF oder mehr aufweist.
Wenn die Basis 2 des Transistors 1 direkt mit der Basis 15 des Ausgangspuffertransistors 14 verbunden ist, ist es
möglich, an der Klemme 28 ein großes Schwingausgangssignal 35
mit einer kleinen Bandabweichung der Schwingleistung abzunehmen, ohne die Schwingeigenschaften des Schwingkreises S zu beeinträchtigen. Der Ausgangspuffertransistor 14 hat
• T '
einen Emitter 16 und einen Kollektor 17. Darüberhinaus ist ein Kopplungskondensator 18 und ein Erdungskondensator 13 dargestellt.
Eine Schaltung gemäß eirer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche auf der Grundlage der grundsätzlichen Schaltung der Fig. 1 ausgebildet ist, ist in Fig. 2 dargestellt .
Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel wird der Puffertransistor 14, welcher direkt mit dem Schwingtransistor 1 über die Basen 2 und 15 verbunden ist, als eine Frequenzwandlerschaltung derart verwendet, daß an den Emitter 16 über die Klemme 2 9 ein Hochfrequenzsignal angelegt und mit der an
die Basis 15 angelegten Schwingleistung gemischt wird, wodurch ein Zwischenfrequenzsignal am Kollektor 17 erzeugt wird.
Der Emitter 16 des Puffertransistors 14 ist mit einem Serien-
resonanzkreis verbunden, der eine Induktivität 30 und einen Kondensator 31 aufweist, um die Zwischenfrequenz zu erden. Der Kollektor 17 ist mit einem Tiefpaßfilter 33 verbunden, um eine offene Impedanz gegen die Schwingfrequenz und die
Freuqenz des Hochfrequenzsignals zu schaffen. 25
In dieser Schaltung wird die Induktivität 40, welche mit der Basis 2 des Schwingtransistors 1 verbunden ist, verwendet, um die Basis 15 des Puffertransistors 14 direkt mit der Basis 2 des Schwingtransistors 1 zu verbinden. Da-
her wird die Schwingleistung mit kleiner Bandabweichung wirksam an die Basis 15 angelegt, wodurch eine bessere Frequenzumwandlungseigenschaft erzielt wird,
In Fig. 3 ist eine graphische Darstellung der Umwandlungs-Verstärkungseigenschaft im 1GHz-Band gemäß der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform gezeigt.
In Fig. 3 stellt die Abszisse die Signalfrequenz eines Hochfrequenzsignals, welches an die Klemme 29 in Fig. 1 angelegt wird, und die Ordinate die Umwandlungsverstärkung
dar.
5
Bei der graphischen Darstellung gemäß Fig. 3 ist die Schwingfrequenz 1,35 bis 1,85 GHz, die Signalfrequenz des an die Klemme 29 angelegten Hochfrequenzsignals 0,95 bis 1,45 GHz, die Zwischenfrequenz des von der Klemme 28 abgenommenen Zwischenfrequenzsignals 400 MHz und die vom Schwingkreis abgenommene Leistung über die gesamte Schwingbandbreite -2 dBm, wodurch eine bessere ümwandlungsverStärkungseigenschaft bei ungefähr 10 dB mit kleiner Bandabweichung angezeigt wird.
15
Die angelegte Schwingleistung ist nur -2 dBm groß, wodurch weniger Schwingleistung zur Hochfrequenzsignal-Eingangsklemme 29 des Emitters 16 abfließt. Da dieser Emitter 16
für eine hohe Impedanz gegen die Schwingfrequenz und deren 20
höhere Oberschwingungen sorgt, zeigt der Transistor 14 keine Verstärkung, wodurch der Schwingleistungsabfluß auf geringem Niveau gehalten wird.
Andererseits verwendet der Puffertransistor 14, welcher als 25
Mischtransistor gesteuert ist, den Emitterstrom als kleinen Strom zur Verbesserung der ümwandlungsverStärkung, indem er die nicht-lineare Eigenschaft des PN-Übergangs der Basis 15 und des Emitters 16 nutzt, wodurch der Leistungsverbrauch
verringert wird.
30
Wie oben beschrieben, ist gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, gezeigt in Fig. 1, einerseits die Basis2 des Schwingtransistors 1 direkt mit der Basis 15 des Puffertransistors 14 verbunden und ist der Puffertransistor 14 andererseits als Mischtransistor gesteuert, wodurch ein stabiler Schwingbetrieb, eine bessere Umwandlungseigenschaft, eine sehr kompakte Schaltung, ein reduzierter Leistungsver-
Λ-
brauch und ein kleinerer Abfluß der Schwingleistung zur Eingangsklemmenseite ermöglicht wird.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde oben unter Bezugnahme auf einen basisgeerdeten Schwingkreis erläutert. Es ist klar, daß die vorliegende Erfindung nicht auf einen solchen basisgeerdeten Schwingkreis beschränkt ist, sondern daß die gleiche Wirkung erzielt wird durch IQ Verwendung eines kollektorgeerdeten Schwingkreises oder eines emittergeerdeten Schwingkreises.
In Fig. 4 ist eine Ausführungsform gezeigt, bei welcher als Schwingkreis S ein kollektorgeerdeter Schwingkreis ver-
j_5 wendet wird. In Fig. 4 ist der Kollektor 4 eines Schwingtransistors 1 über einen ' Chipkondensator 34 geerdet. Wie gezeigt, weist die Elektrode des Chip kondensators eine Induktivität auf. Die vom Kollektor 4 abgenommene Schwingleistung wird dem Puffertransistor 14 an der Basis 15 zu-
2Q geführt, welche direkt in Hochfrequenzart über den Kondensator 35 mit dem Kollektor 4 verbunden ist.
Eine graphische Darstellung der Dämpfungseigenschaft des Hochfrequenz- Chipkondensators ist in Fig. 6 gezeigt und stellt die Durchlaßcharakteristik dar mit einer 50Π.
Leitung, geerdet durch einen Chipkondensator, geladen mit 1000 pF, d. h. die Frequenzcharakteristik der Übertragungsverstärkung.
ο« Ein Chipkondensator von 4000 pF hat eine Impedanz von 0,2X1 oder weniger bei der Frequenz von 1 GHz oder mehr, und wird im Idealfall um 25 dB oder mehr gedämpft bzw. reduziert. Tatsächlich erzeugt der äquivalente Widerstand von ungefähr 1,5fl der Induktivität der Elektrode
gc des Chipkondensators eine Dämpfung von ungefähr 8 dB bis 10 dB, wie in der graphischen Darstellung der Fig. 6 gezeigt.
Aus der gleichen graphischen Darstellung geht ebenfalls hervor, daß das Dämpfungsausmaß mit steigender Frequenz abnimmt. Dies ist dadurch begründet, daß die Selbstresonanzfrequenz aufgrund der Kapazität des Chipkondensators und der Induktivität des Elektrode in einem Niederfrequenzband von 1 GHz oder weniger liegt, während die Induktivität der Elektrode als kleine Induktivität bei 1 GHz oder mehr arbeitet. Die Impedanz dieses Chipkondensators reicht für den Oszillator als Erdungsimpedanz aus. Unter Ausnutzung dieser Dämpfungscharakteristik des Chipkondensators gegen das Hochfrequenzsignal ist die Basis des Schwingtransistors, der über diesen Kondensator geerdet ist, direkt mit der Basis eines Puffertransistors verbunden, um eine Schaltungsanordnung zu bilden, bei welcher ein Schwingausgangssignal 15
von der Schwingtransistorseite zur Puffertransistorseite geliefert werden kann ohne Beeinträchtigung der Schwingcharakteristik .
Eine Ausführungsform, bei welcher als Schwingkreis S eine emittergeerdeter Schwingkreis Verwender wird, ist in Fig. gezeigt.
Ein Emitter 3 ist über einen chdpkondensator 36 geerdet. Der Emitter 3 ist in Hochfrequenzart über einen Kondensator 37 mit der Basis 15 eines Puffertransistors 14 verbunden.
Beide Ausführungsformen der Figuren 4 und 5 sind derart ausgebildet, daß die Schwingleistung direkt von einem geerdeten
Anschluß an die Basis eines Puffertransistors angelegt wird, 30
wodurch der gleiche Effekt erzielt wird wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform, bei welcher ein basisgeerdeter Schwingkreis verwendet wird.
In Fig. 7 ist ein Verdrahtungsmuster einergedruckten Leiterplatte 50 gezeigt, die bei der Schaltung der ersten Ausführungsform des Fig. 2 benutzt wird. In dieser Schaltung wird jedoch ein Chipkondensator 34 als Induktivität 40
und Kondensator 5 verwendet. Obwohl lediglich ein Verdrahtungsmuster für die Schlatung der ersten Ausführungsform offenbart ist, ist es klar, daß man ebenfalls ein Verdrahtungsmuster für die zweite und dritte Ausführungsform durch entsprechende Korrektur des in Fig. 7 gezeigten Verdrahtungsmusters erhalten kann.
Aus dem Vorhergehenden wird klar, daß erfindungsgemäß eine Frequenzwandlerschaltung geschaffen wird, in welcher die Basis (oder der Kollektor oder Emitter) eines Schwingtransistors, bezüglich seiner Impedanz durch einen Kondensator reduziert, direkt mit der Basis eines Puffertransistors verbunden ist und in welcher ein Hochfrequenzsignal an den Emitter des Puffertransistors angelegt wird, um ein stabiles Zwischenfrequenzsignal mit kleiner Bandabweichung am Kollektor zu erzeugen, während eine große.Umwandlungsverstärkung, eine stark reduzierte Schaltungsgröße, eine geringere Anzahl von Bauelementen und ein geringerer Leistungsverbrauch erzielt wird.

Claims (7)

Hitachi, Ltd. 5. November 1985 A 6637 Al/fa Patentansprüche
1. Frequenzwandlerschaltung zum Umwandeln eines Hochfrequenzsignals in ein Zwischenfrequenzsignal, gekennzeichnet durch,
10
einen ersten Transistor (1) mit einer ersten, zweiten und dritten Anschlußklemme (2, 3, 4), wobei eine dieser Klemmen über eine erste Induktivität (40) und einen ersten
Kondensator (5) geerdet ist,
15
einen zweiten Kondensator (6), der zwischen die beiden nicht geerdeten Anschlußklemmen der drei Anschlußklemmen eingefügt ist,
einen Resonanzkreis mit Dioden (9, 9') variabler Kapazität und einer zweiten Induktivität (10), der über einen dritten Kondensator (8) mit einem der nicht geerdeten zwei Anschlußklemmen verbunden ist, und
einen zweiten Transistor (14) mit einer Basis (15), die mit der geerdeten Anschlußklemme des ersten Transistors verbunden ist, und einem Emitter (16) , der über Impedanzen (30, 31) geerdet ist, die dem Zwischenfrequenzsignal im wesentlichen keinen Widerstand bieten, wobei der Emitter mit einer Hochfrequenzsignal-Eingangsklemme (29) verbunden ist, an welche das Hochfrequenzsignal angelegt wird, und wobei der Kollektor (17) des zweiten Transistors über ein Tiefpaßfilter (33) ein Zwischenfrequenzsignal erzeugt.
2. Frequenzwandlerschaltung nach AnspruchT,dadurch gekennzeichnet, daß die erste Induktivität (40) und der erste
Kondensator (5) aus einem Hochfrequenz-Chipkondensator
(34) bestehen.
c
3. Frequenzwandlerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geerdete Anschlußklemme des ersten Transistors (1) dessen Basis (2) ist.
4. Frequenzwandlerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ,Q gekennzeichnet, daß die geerdete Anschlußklemme des ersten
Transistors (1) dessen Kollektor (4) ist.
5. Frequenzwandlerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geerdete Anschlußklemme des ersten
,,_ Transistors (1) dessen Emitter (3) ist.
6. Frequenzwandlerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenzwandlerschaltung durch Verwendung eines Verdrahtungsmusters einer gedruckten Leiterplatte (50) gebildet ist.
7. Frequenzwandlerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Induktivität nicht kleiner als 1 nH und nicht größer als 3 nH ist und daß der erste Kondensator einen Wert von nicht weniger als 20 pF aufweist.
DE19853539523 1984-11-09 1985-11-07 Frequenzwandlerschaltung Ceased DE3539523A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59235093A JPH0682991B2 (ja) 1984-11-09 1984-11-09 周波数変換回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3539523A1 true DE3539523A1 (de) 1986-05-22

Family

ID=16980959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853539523 Ceased DE3539523A1 (de) 1984-11-09 1985-11-07 Frequenzwandlerschaltung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4713556A (de)
JP (1) JPH0682991B2 (de)
DE (1) DE3539523A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0744389B2 (ja) * 1989-02-13 1995-05-15 株式会社村田製作所 Uhf帯トランジスタミキサ回路
US5187770A (en) * 1989-11-21 1993-02-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photosetting resin composition and plastic clad optical fiber comprising the same
US5192875A (en) * 1991-11-04 1993-03-09 Motorola, Inc. Analog frequency divider utilizing two amplifiers and a LC resonant circuit
US5325000A (en) * 1993-04-30 1994-06-28 Motorola, Inc. Frequency mixing circuit with impedance transforming power combiner
US10998627B2 (en) * 2017-10-23 2021-05-04 Nec Corporation Phase adjustment circuit and array antenna device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3493870A (en) * 1965-05-28 1970-02-03 Philips Corp Mixing circuit arrangement
DE2733382A1 (de) * 1977-07-23 1979-02-08 Philips Patentverwaltung Empfaenger-eingangsschaltung
JPH05311213A (ja) * 1992-05-08 1993-11-22 Nkk Corp 水砕スラグの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305730A (en) * 1963-04-18 1967-02-21 Parzen Benjamin Frequency divider circuit
US3716730A (en) * 1971-04-19 1973-02-13 Motorola Inc Intermodulation rejection capabilities of field-effect transistor radio frequency amplifiers and mixers
JPS4955209A (de) * 1972-09-29 1974-05-29
JPS5115372A (ja) * 1974-07-29 1976-02-06 Hitachi Ltd Denryukeidenki
JPS5253612U (de) * 1975-08-28 1977-04-18
CA1111500A (en) * 1977-03-11 1981-10-27 Shigeo Matsuura Self-oscillation mixer circuits
US4380827A (en) * 1981-09-21 1983-04-19 Zenith Radio Corporation Oscillator for television tuner
JPS58200606A (ja) * 1982-05-17 1983-11-22 Sharp Corp 発振回路
JPS59171439U (ja) * 1983-04-28 1984-11-16 アルプス電気株式会社 Vhfチユ−ナ
US4593257A (en) * 1985-02-28 1986-06-03 Rca Corporation Multiband local oscillator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3493870A (en) * 1965-05-28 1970-02-03 Philips Corp Mixing circuit arrangement
DE2733382A1 (de) * 1977-07-23 1979-02-08 Philips Patentverwaltung Empfaenger-eingangsschaltung
JPH05311213A (ja) * 1992-05-08 1993-11-22 Nkk Corp 水砕スラグの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4713556A (en) 1987-12-15
JPS61114606A (ja) 1986-06-02
JPH0682991B2 (ja) 1994-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4410030C2 (de) Rauscharmer, aktiver Mischer
DE69706954T2 (de) Niederspannungs-Gegentaktmischer
DE19647383C2 (de) Spannungsgesteuerte, veränderliche Abstimmschaltung
DE2219122A1 (de) Feldeffekttransistorstufe, insbesondere als Mischer und HF-Verstärker mit verbesserter Intermodulationsunterdrückung
DE69834456T2 (de) Hochfrequenz-Oszillatorschaltung
DE2361810C3 (de) Signalumwandlungsschaltung
DE3210454A1 (de) Empfaenger-eingangsschaltung
DE19720408C2 (de) Verstärker und damit ausgerüsteter transportabler Telefonapparat
DE3447283C2 (de)
DE69214923T2 (de) Integrierte Schaltung mit einem Verstärker mit variabler Verstärkung
DE69820586T2 (de) Oszillator
DE2811080C2 (de) Durch Spannungsänderung abstimmbarer Hochfrequenz-Oszillator
DE2720285B2 (de) Mischstufe
DE1441842B2 (de) Geregelter Transistorverstärker
DE3539523A1 (de) Frequenzwandlerschaltung
DE3227087A1 (de) Impedanztransformationsschaltung fuer ein akustisches oberflaechenwellenfilter
DE2624133A1 (de) Selbstschwingender mischer
DE69734854T2 (de) Automatische Verstärkungsschaltung mit PIN Diode und bidirektioneller CATV-Empfänger mit einer solchen Schaltung
DE69406177T2 (de) Oszillator mit einer spannungsgesteuerten Frequenz
DE4036866A1 (de) Ueberlagerungsoszillatorschaltung
DE3409555A1 (de) Symmetrierter mischer mit einem hybriden transformator
DE3210453A1 (de) Signal-eingangsschaltung
DE3633045A1 (de) Hochfrequenzschalter
DE3246295C2 (de) Frequenzmodulierbarer Oszillator
DE1906957B2 (de) Demodulatorverstaerker fuer winkelmodulierte elektrische hochfrequenzschwingungen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection