DE2114056B2 - Abstimmeinrichtung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Abstimmeinrichtung mit zwei im Abstand voneinander angeordneten,
einen Schwingkreis bildenden flächenhaften Lei-
tungsabschnitten, zwischen denen ein Bauelement fläche angeordneten leitenden Grundfläche befinden^
mit spannungsabhängiger Kapazität eingeschaltet ist, Eine gleichmäßige Kopplung zwischen den zwei
dem über die Leitungsabschnitte eine die Resonanz- Kreisen, die beide über ein zweites Frequenzband
frequenz der Abstimmeinrickiung steuernde Span- abstimmbar sind, wird durch zwei Kopplungsanordnung
zugeführt ist. * 5 nungen gewährleistet, von denen die eine für eine
Bei bekannten Abstimmeinrichtimgen eines Fern- Hauptkopplung zum unteren Ende des gewünschten
sehempfängers für den UHF-Bereich sinü gewöhn- Bandes hin die ersten Leitungsabschnitte der beiden
lieh in mehreren Teilen eines leitenden Gehäuses ka- Kreise miteinander verbindet, während die zweite
pazitiv, nämlich mit einem Plattenkondensator abge- Kopplungsanordnung die zweiten Abschnitte der beischlossene
unsymmetrische Schwingkreisleitungen ίο den Kreise miteinander verbindet, um eine Hauptvorgesehen. Die Ständerplatten des Kondensators kopplung zum oberen Ende des Bandes hin herzusind
mit dem einen Ende der entsprechenden stellen.
Schwingkreisleitung verbunden, während die Rotor- An einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird
platten auf einer Abstimmwelle montiert sind, die die Erfindung nun näher erläutert. Die Zeichnung
durch die verschiedenen Abteilungen des Gehäuses 15 zeigt in
verläuft. Die Fertigung der beknnten UHF-Ab- F i g. 1 die schematische Schaltungsanordnung
Stimmeinrichtungen erfordert beträchtliche Handar- eines UHF-Tuners gemäß der Erfindung für ein
beit, wobei enge Toleranzen eingehalten werden Fernsehgerät,
müssen. Wegen der grüßen Anzahl der UHF-Kanäle F i g. 2 eine perspektivische, teilweise aufgebro-
ist es auch schwierig, einen zuverlässigen, aber nicht 20 chene Ansicht des Tuners gemäß Fig. 1,
aufwendigen Vorwahlabstimmechanismus herzustel- F i g. 3 die Unterseite des Tuners,
len, bei dem die Abstimmung ähnlich der VHF-Rast- F i g. 4 eine linke Seitenansicht des Tuners, dessen
Stufenabstimmung der meisten Fernsehgeräte erfolgt. Deckel und Chassis zur Freilegung seiner Bestand-
Eine Abstimmeinrichtung der eingangs genannten teile weggebrochen sind,
Art wurde bereits vorgeschlagen (Patentschrift 25 I i g. 5 eine rechte Seitenansicht des Tuners ähn-
21 13 867.0). Es ist auch schon bekannt, zwei flä- lieh F ig. 4,
chenhafte Leitungsabschnitte, von denen eine an Fig.6 eine maßstäblich gezeichnete Draufsicht
Masse liegt, über einen Kondensator mit veränderba- auf einen Tragkörper mit einem Muster gemäß
rer Kapazität zu verbinden (USA.-Patentschrift F i g. 4, wobei alle Bauelemente des Tuners und ein
2 545 623). Fs ist ferner bekannt, zum Abstimmen 30 Beschichtungsmaterial des Tragkörpers entfernt wur-
von Schwingkreisen durch eine Spannung gesteuerte den.
Kapazitätsvariationsdioden zu verwenden (USA.-Pa- F i g. 7 eine ebenfalls maßstäblich gezeichnete
tentschrift 3 377 568). Draufsicht auf den Tragkörper mit den Mustern geAufgabe der Erfindung ist, eine Abstimmeinrich- maß Fig. 5, wobei ebenfalls alle Bauelemente und
tung anzugeben, bei der die oben geschilderten 35 das Beschichtungsmaterial fehlen,
Schwierigkeiten bekannter Abstimmeinrichtungen für F i g. 8 a bis d eine Reihe von Kurven, bei denen es den UHF-Bereich vermieden werden und die in der sich um Diagramme der Abstimmkapazität als Funk-Massenfertigung mit möglichst geringem Aufwand tion der Resonanzfrequenz der abstimmbaren hergestellt werden kann. Schwingkreise des Tuners handelt,
Schwierigkeiten bekannter Abstimmeinrichtungen für F i g. 8 a bis d eine Reihe von Kurven, bei denen es den UHF-Bereich vermieden werden und die in der sich um Diagramme der Abstimmkapazität als Funk-Massenfertigung mit möglichst geringem Aufwand tion der Resonanzfrequenz der abstimmbaren hergestellt werden kann. Schwingkreise des Tuners handelt,
Die Erfindung besteht darin, daß bei einer Ab- 40 F i g. 9 eine vergrößerte Teilansicht des Tragkör-
stimmeinrichtung eier eingangs genannten Art sich pers mit Einzelheiten des Tuners,
die beiden Leitungsabschnitte auf der einen Seite F i g. 1Π a bis c vergrößerte Teilschnittansichten
einer dielektrischen Platte befinden, auf deren entge- des Tragkörpers mit einer der justierbaren Gleichlauf-
gengesetzlen Seite eine elektrisch leitende Grund- induktivitäten, die für minimalen, nominalen und
fläche vorgesehen ist, die beide Leitungsabschnitte 45 maximalen Induktivitätsvvert eingestellt ist,
überdeckt und mit der das eine Ende des einen Lei- F i g. 11 a bis e eine Reihe von Kurven stehender
tungsabschnitts elektrisch verbunden ist. Spannungswellen zur Erläuterung der Betriebsweise
Der Leitungsschwingkreis einer solchen Abstimm- des Tuners und
einrichtung ist sehr einfach, jedoch mit großer Ge- F i g. 12 a bis e eine Folge von Kurven stehender
nauigkeit gemäß der üblichen Technik gedruckter 50 Stromwellen, die den Kurven gemäß Fig. 11 entSchaltungen
herstellbar. Die bei dem bisher üblichen sprechen.
Kondensator-Abstimmeinrichtungen auftretenden In der Zeichnung sind gleiche Teile durchgehend
mechanischen und elektrischen Probleme werden mit gleichen Bezugszeichen versehen. Ein UHF-Tu-
vermieden. Ferner lassen sich die Leitungsteile gut ner 50 für ein Fernsehgerät ist in einem metallischer
voneinander isolieren. Es können auch zwei Lei- 55 Gehäuse 52 eingeschlossen, das auf einem Bczugspo
tungsschwingkreise dadurch voneinander isoliert tential, beim dargestellten Beispiel auf Masse gehal
werden, daß ihre Abschnitte auf entgegengesetzten ten wird. Der UHF-Turner enthält eine HF-Verstär
Seiten der Platte angeordnet werden. Weiterhin kön- \, rstufe 54, eine Oszillatorstufe 56, eine Mischstufi
nen einander entsprechende Enden der beiden von- 58 und eine ZF-Verstärkerstufe 60. Mittels eine
einander zu isolierenden Leitungen z.u entgegenge- 60 (nicht dargestellten) Antenne empfangeil·
setzten Rändern der Platte hin gerichtet sein. UHF-Fernsehsignale weiden an eine UHF-Eingangs
Zweckmäßig kann ferner auf der dielektrischen klemme 62 angelegt. Die Eingangssignale werden h
Platte eine Zwcikreis-Abstimmschaltung ausgebildet der Verstärkerstufe 54 verstärkt und in der Misch
werden. Sie enthält zwei Schwingkreise mit jeweils stufe 58 den örtlich erzeugten Signalen der Oszilla
zwei Leitungsabschnitten, welche durch ein Bauele- 65 torstufe 56 überlagert. Das dadurch entstehend
ment mit veränderbarer Kapazität gekoppelt sind ZF-Signal wird dann in der Stufe 60 verstärkt. Dt
und sich auf der einen Oberfläche der Platte gegen- verstärkte ZF-Aiisgangssignal steht an einer ZF-Au;
über einer auf der entgegengesetzten Plattenober- gangsklemme 64 zur Verfügung.
Der Tuner besitzt vier abstimmbare Schwingkreise In einer leitenden Verkleidung (F i g. 2) ist ein di-
66, 68, 70 und 72. Der Schwingkreis 66 gehört zum elektrischer plattenförmiger Tragkörper 91 montiert,
Eingangskreis des HF-Verstärkers, während die der die zusammengesetzten Übertragungsleitungen
Schwingkreise 68 und 70 Teile eines Zweikreis-Stu- trägt. Die Verkleidung umfaßt lösbare Deckel 99 und
fenkopplungsnetzwerkes sind, das sich zwischen der 5 101 und ein Rahmenteil oder Chassis 97. Auf entge-
Verstärkerstufe 54 und der Mischstufe 58 befindet. gengesetzten Seiten des Tragkörpers 91 befinden sich
Der Schwingkreis 72 schließlich stellt die Schwin- zwei Grundebenenabschnitte 93 und 95 (F i g. 4, 5, 6
gungsfrequenz der Oszillatorstufe 56 her. und 7). Die zusammengesetzten Übertragungsleitun-
Die abstimmbaren Schwingkreise 66, 68, 70 und gen 69, 71 und 73 sind gegenüber dem zugehörigen
72 enthalten Übertragungsleitungsanordnungen, die io Grundebenenabschnitt 95 angeordnet, während die
mittels Kapazitätsvariationsdioden abgestimmt wer- zusammengesetzte Übertragungsleitung 67 des
den. Alle Übertragungsleitungsanordnungen enthal- HF-Eingangskreises dem zugehörigen Grundebenenten
leitende Elemente, die auf beiden Oberflächen abschnitt 93 gegenüberliegt. Dies ist genauer aus
einer dielektrischen Platte ausgebildet sind. So ent- F i g. 6 und 7 erkennbar, welche ungefähr maßstäbhält
der Schwingkreis 66 miteinander ausgerichtete 15 Hch den Tragkörper 91 und seine leitenden Bereiche
Übertragungsleitungsabschnitte 67 α und 67 b, der zeigen. Der Tragkörper ist 86 mm hoch und 89 mm
Schwingkreis 68 Abschnitte 69 α und 69 b, der breit. Obwohl die verschiedenen zusammengesetzten
Schwinekreis 70 Abschnitte 71 α und 71 b und der HF-Übertragungsleitungen 67, 69 und 71 sojDemes-Schwingkreis
72 schließlich Abschnitte 73 a und sen sind, daß sie bei einer gegebenen uioden-
73 b. Das eine Ende der jeweiligen zweiten Leitungs- 20 kapazität ungefähr bei der gleichen Frequenz
abschnitte 67 b, 69 b, 71 b und 73 b liegt an einem schwingen, unterscheiden sie sich geringfügig in der
Bezugspotential. Jedes dieser Paare von Leitungsab- Größe, damit die Effekte kompensiert werden,
schnitten arbeitet zusammen mit der auf der entge- die durch die verschiedenen, gemäß Fig. 4 und 5
gengesetzten Seite der dielektrischen Platte befindli- angeschlossenen Bauelemente des Tuners eingeführt
chen Grundebene als Übertragungsleitungen. 25 werden.
Zwischen die beiden Abschnitte jeder zusammen- Der Tragkörper 91, der ungefähr 1,3 mm dick ist,
gesetzten Übertragungsleitung sind eine Ab- wird aus einem Aluminiumoxidmaterial gefertigt, das
stimm-Kapazitätsdiode 75, 79, 83 bzw. 87 sowie eine aus ungefähr 85 °/o Al2O3 und 15 °/o einer Mischung
justierbare Gleichlaufinduktivität 77, 81, 85 bzw. 89 aus Kalziumoxid, Magnesiumoxid und Siliciumdi-
geschaltet. Jede dieser in Reihe liegenden Kapazitäts- 30 oxid besteht. Ein auf beide Oberflächen des Substrates
dioden 75, 79, 83 und 87 hat einen Kapazitätswert, aufgebrachtes leitfähiges Muster ist ungefähr 13 Mi-
dessen Größe sich umgekehrt mit der Größe der an krön dick und besteht aus Silber und Glas, das bei
die Diode angelegten Sperrvorspannung ändert. Die 9000C verschmolzen worden ist. Das gesamte Mu-
Schwingkreise 66, 68 und 70 sind so bemessen, ster ist mit einer Verkupferung überzogen, deren
daß sie über das Frequenzband zwischen 470MHz 35 Dicke 5 Mikron bis 13 Mikron beträgt. Ein gegen
und 890 MHz abstimmbar sind, während der Feuchtigkeit und Lötmittel beständiges gehärtetes Si-
Schwingkreis 72 der Oszillatorstufe 56 im Frequenz- Hkon ist auf den gesamten Tragkörper und das ver-
bereich zwischen 517MHz und 931 MHz schwingen kupferte Muster aufgebracht, mit Ausnahme der
kann. Kontaktflächen, die zum elektrischen Anschluß der
Die zusammengesetzten Übertragungsleitungen 40 Bauelemente des Tuners an das Muster des Tragkör-
sind so bemessen, daß die jeweils zweiten Abschnitte pers dienen.
67 b, 69 b und 71 b sich bei einer Frequenz oberhalb Die frei liegenden Anschlußkontaktflächen auf dem
890 MHz, der höchsten gewünschten Frequenz, auf Tragkörper erleichtern den schnellen und genauen
welche der Schwingkreis abgestimmt werden muß, in Zusammenbau des Tuners. In F i g. 2, 4 und 5 sind
Larnbda/4-Resonanz befinden. Die jeweiligen ersten 45 die leitenden Abschnitte auf dem Tragkörper (die
Leitungsabschnitte 67 a, 69 α und 71 α sind dagegen Leitungsabschnitte, die Grundebenenabschniite und
so bemessen, daß sie sich oberhalb dieser höchsten die zum Oszillatorkreis gehörenden Kondensatorplat-
Frequenz von 890 MHz in Lambda/2-Resonanz be- ten) schraffiert dargestellt, um anzudeuten, daß die
finden. Ähnlich weisen der zweite Abschnitt 73 b Isolierschicht, die normalerweise diese Teile bedeckt,
bzw. der erste Abschnitt 73 α des zum Oszillator ge- 50 entfernt worden ist.
hörenden Schwingkreises 72 bei einer Frequenz Die Form der Leitungsabschnitte 67 b, 69 b und
oberhalb 931 MHz Lambda/4-Resonanz bzw. 71b gewährleistet einen relativen Gleichlauf zwi-
Lambda/2-Resonanz auf. sehen den abstimmbaren Schwingkreisen 66, 68 und
Die Resonanzfrequenz jedes Abschnitts kann da- 70 und dem abstimmbaren Schwingkreis 72 des Osdurch
gemessen werden, daß man die Abstimm-Ka- 55 zillators. Bei dieser Form handelt es sich um eine expazitätsdiode
und die justierbare Gleichlaufinduktivi- ponentielle Verjüngung zwischen dem an Masse lietät
elektrisch abtrennt und dann in den zu untersu- genden Ende und demjenigen Ende jedes Abschnitts,
chenden Abschnitt einen Einheitsenergieimpuls ein- an dem sich die Diode befindet. Die exponentielle
gibt. Auf Grund dieses Einheitsimpulses wird der Verjüngung hat eine Abwandlung der Impedanz/Fre-Abschnitt
gleichzeitig bei mehreren zusammenhän- 60 quenz-Kurve jeder der zusammengesetzten Übertragenden
Frequenzen ansprechen, die beispielsweise gungsleitungen 67, 69 und 71 zur Folge. Der Einfluß
mittels eines Oszilloskopes gemessen werden können. einer gegebenen Kapazitätsänderung auf die Ab-Die
Grundresonanzfrequenz ist die im ansprechen- Stimmfrequenz ändert sich also über das Frequenzden
Abschnitt festgestellt niedrigste Frequenz. Die band, woraus sich ähnliche Kurvenformen für die
Resonanzform kann dadurch bestimmt werden, daß 65 Diagramme der Abstimmkapazität als Funktion der
man die Verhältnisse der stehenden Wellen längs des Resonanzfrequenz für die HF-Schwingkreise 66, 68
Abschnittes mißt, um die Maxima und Nullstellen und 70 und den Oszillator-Schwingkreis 72 ergeben,
der Spannung zu bestimmen. Die ähnlichen Kurvenformen sind in F i g. 8 gezeigt.
r*
Die Kurve« stem das Didder Ab— ^
das Diagramm der ?^
der Resonanzfrequenz fur den Schwingt
verschiedene Induktivitätsemstellungen der jusüerba
ren Gleichlaufinduktiviüit "™ζ^™™™^
für minimalen, nominellen und £
tätswert. Die justierbaren G^^Sen Da Se
werden noch genauer beschrieben senden. Da die
Kurvenformen (Krümmungen) der D«?™1" "J acJ_
beiden abstimmbarer' ^«^^A1^ g .
finden diese sich über ihr gesamtes jeweiliges g
wünschtes Frequenzband imGleichauL
Die Resonanzfrequenz jeder der U^rtragungb
tungen wird durch ihre G™™^™*^™^
welche die Blindwiderstände
fluchtenden Abschnitte der
diode und der l^
umfaßt. Der vom oberen A
Blindanteil ändert sich nicht linear mit der J*
während der Blindanteil der KapazitaAd^d.ί und d
Gleichlaufinduktivitat eine ^^^S
deren Größe durch die A
ist (in allen abstimmbaren s^f ^rd^
identische ^p^itatsAoden verwendet jwdc,
mit der gleichen Atebmmspannung ^eautscn g
werden) Durch J»süe«" ^^™Π?T
wird die kapazitive^Reaktanz
tragungsleitung über das Fre
tragungsleitung über das Fre
Damit ein.richtiger GJ^^
tor und den abstimmbaren
währleistet ist, muß der
des Oszillators fur if
spannung um «nen gg
oberhalb der absmmbare»
schwingen. Die ungleich ^
schnitte der abstimmbaren ^^
der HF-Signale und des Ο«^™ϊ^^ΓGe-
haben eine Abwandlung der Änderungrat toW
samtreaktanz mit der Fre^^ z"r Ρο£
dere weist der untere Abschmt» J
tragungsleitungen eme exponentielle
untere Abschnitt der ίΛξ^^
lators dagegen eine Praktls,ch,!'nJa^;c3fin c ihrer
Folglich unterscheiden sich diese Abschnitte^m ihre
Änderungsrate der Reaktanz in Abhjnpgtot ^
der Frequenz sowohl vonemande^^ als auch von
entsprechenden «^Α^^ϊ™^ sich dareaktanz
jeder übertraSungsJX^
durch so mit der Frequenz,
Gleichlauf zwischen den
Gleichlauf zwischen den
dem ^^^
hingewiesen, daß die> ^^
hingewiesen, daß die> ^^
Ränder des °b.^^bschmtte gder^r^ g
tung die Ra?defekteder ^^nej
elektrostatischen Felder an den Abscnmnenae
pensieren. AUcVmittp 67 δ 69 ft und
Die Formgebung der Ahs^^Jl^n Über-71
ft der entsprechenden zusammengesemen ud
der Leitejdral, J^ Parameter bei der Bestimu
R nzfrequenz für eine gegebene Dio-
munder beJders am unteren Ende des
UHF-Frequenzb'andes. Beispielsweise führt ein Zu-4
der K itätsdiode 75 von
xo weniger als 0,25 cm dazu, daß die Kapazität, d.e
wenig ^ ^ ^ Resonanz ^. 470
JJm £nöti * wird>
um mehrere Pikofarad verringert
wird Diese? Serieninduktivitätseffekt kann möglicherweise eine
Verstimmung zwischen den verschieabstimmbaren Schwingkreisen
66, 68, 70 und Abih der Tuner untereinander
sunt
Ab- ^ abstimmbaren Schwingkreisen 6, ,
Abweichungen der Tuner untereinander zur Folge haben. Der Induktivitätseffekt ist jedoch
Ausrichten der abstimmbaren Schwingkreise dienen. *>
Für jede der Kapazitätsdioden 75, 79, 83 und 87 j Tragkörper 91 ein Loch. Entspre-
Ό d F ■ g die ein 6 e vergrößerte Teilschnittansicht
Jtend^^ 91 ist un/einen Teü der zusammen.
gesetzten übertragungsleitung 67 zeigt, sitzt die Ka-.5
pazitätsdiode 75 in einem Loch 75 a im Tragkörper.
Dieses Loch 75« dient zur Festlegung der Lage des
dgr Diode ?5 und bringt die Komponenten
en^u m die richtige Position.
Die Diode 75 ist auf entgegengesetzten Seiten des Loches 75a an zwei Anschlußkontaktflächen TSb
befestigt. Die Anschlußkontaktflache 75 c befindet sich auf dem zweiten Abschnitt der übertragungsleitung,
während die Kontaktfläche 75 ft eine gesonderte leitende Fläche ist. Die beiden Anschluß-
kontaktflächen 75 ft und 75 c haben einen vorbe-Abstand voneinander und tragen dazu bei>
die Serieninduktivitätsänderungen auf ein Minimum herabzusetzen, da sie die Leiterlängen der Kapazitätsdiode 75 festlegen.
Außerdem verkleinert das
Loch 75 a im Tragkörper 91 das Dielektrikum anan den
^ der Diode 75? wodurch die
?ertei,te Nebenschlußkapazität zwischen den Enden
der Diode weitestgehend verkleinert wird. Zudem
Notwendigkeit, die Diodenlciter während ^ ^^ _ ^ ^^
ihre Induktivität erhöht wird).
justierbare Gleichlaufinduktivitat 77 ist in
y^^ ^ Anschlußkontaktf,äche 75 b und
^ ^ ^ ^^ Abschnitts 67 a der zusam.
mengesetzten übertragungsleitung 67 geschaltet. Die
Induktivität 77 besteht aus einem dünnen breiten Kupferstreifen, der zur Änderung seiner Induktivität
justiert werden kann, und zwar kann zu diesem
Zwe.k die Gestalt der Schleife von einem hoher,
dünnen Gebilde für min5male Induktivität bis ze
^ ,^^^ Qebilde mr maximale In.
duktivität geändert werd.r.. Dies ist in F i g. 10 a bis«
verdeutlicht, wo die justierbare Gleichlaufinduktivi tat 77 in ihrer Einstellung für minimale, nominell·
bzw. maximale Induktivität dargestellt ist Die ju stierbare Serieninduktivität für jede zusammenge
H ssssssr —'
9 10
Übertragungsleitung gehörenden induktiven Schleife. abstimmbaren Schwingkreis 70 gekoppelt. Die In-Die
Wirkung der Justierung der Induktivität 77 ist in duktivitätlO6 sorgt für die Hauptkopplung zum nied-F
ig. 8 erkennbar, wo die drei Diagramme der Ab- rigen Ende des UHF-Frequenzbandes hin, während
Stimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz die Induktivität 108 die Hauptkopplung zum höhe-(Kurven
b, c und d) die Einstellung auf minimalen, 5 ren Ende des UHF-Bandes hin bewirkt. Zusammen
nominellen bzw. maximalen Induktivitätswert reprä- bilden die Schwingkreise 68 und 70 und die Koppsentieren.
Die induktiven Schleifen werden so einju- lungsinduktivitäten 106 und 108 eine (doppelt abgestiert,
daß sich der richtige konstante Frequcnzab- stimmte)Zweikreis-Stufenkopplungsschaltung, welche
stand zwischen den Resonanzfrequenzen der ab- die HF-Verstärkerstufe 54 mit der Mischstufe 58
stimmbaren HF-Schwingkreise und derjenigen des io verbindet.
abstimmbaren Oszillator-Schwingkreises über ihre Die Mischstufe 58 enthält eine Mischdiode HO,
Frequenzbänder ergibt. deren Kathode an einen Anzapfungspunkt 112 im
Die an die Eingangsklemme 62 angelegten emp- abstimmbaren Schwingkreis 70 angeschlossen ist. Die
fangenen UHF-Fernsehsignale gelangen zum Anode der Mischdiode 110 ist über eine Oberlei-HF-Verstärkereingangskreis,
also zum Schwingkreis 15 tungsschleife 114, eine Induktivität 116 und einen
66 über ein Hochpaßfilter, das Induktivitäten 74 und Kondensator 118 mit dem Eingang der ZF-Verstär-76
und einen Kondensator 78 enthält. Der Hochpaß kerstufe 60, der Klemme 119 und 119', verbunden.
läßt Frequenzen innerhalb des UHF-Bandes durch, Die Induktivität 116 und der Kondensator 118 sind
also Frequenzen von 470 MHz bis 890 MHz. Der so bemessen, daß die Ausgangsimpedanz der Diode
abstimmbare Schwingkreis 66 ist über einen Konden- 20 durch eine entsprechende Transformation ar. die
sator 80 mit dem Emitter eines Verstärkertransistors Eingangsimpedanz der ZF-Verstärkerstufe angepaßt
82 in Basisschaltung gekoppelt. Darstellungsgemäß wird. Durch Anlegen einer von der Betriebsspanist
der Transistor 82 in ein leitendes Gehäuse einge- nungsquelle B + gelieferten Gleichstrom-Voispankapselt,
das über einen Leiter 102 an Masse liegt, nung an die Mischdiode HO wird durch diese ein
wodurch die Wahrscheinlichkeit parasitärer Schwin- 25 Gleichstrom von ungefähr 1,5 Milliampere aufrcchtgungen
verringert wird. erhalten. Die Vorspannung für die Diode gelangt von
Die Betriebsspannung für den Transistor 82 wird der Klemme 84 durch die Induktivität 86, die Reivon
einer Quelle B + geliefert und an eine Klemme henschaltung aus Widerständen 120 und 122 und die
84 angelegt, die mittels eines Durchführungskonden- Überleitungsschleife 114 zu ihrer Anode. Ok Kasators
103 für Hochfrequenzen nach Masse über- 30 thode dieser Mischdiode liegt über einen Teil des
brückt ist. Die Betriebsspannung wird an den Kollek- Schwingkreises 70 an Masse.
tor des Transistors 82 über eine HF-Entkopplungsin- An die Mischdiode 110 werden vom Anzaptungs-
duktivität 86, einen Widerstand 88 und eine punkt 112 des Schwingkreises 70 verstärkte
HF-Drossel 90 angelegt. Die Drossel 90 ist ein ein- UHF-Signale und von der Oszillatorstufe 56 ein«.· Oszeines
Bauelement, das einen Widerstand mit einem 35 zillatorschwingung angelegt. Die Mischdiode iiborla-Wert
von 10 kOhm enthält, dessen Draht als Induk- gert also die verstärkten UHF-Signale und d.is örttivitätsspule
gewickelt ist. Elektrisch sind beide par- Hch erzeugte Signal und liefert ein gewünschtes
allel geschaltet. Der Widerstand verkleinert den Gü- ZF-Ausgangssignal. Das Oszillatorsignal wir·.! vom
tefaktorö der Drossel und somit die Möglichkeit un- Schwingkreis 72 zu der mit der Anode der Mischgewollter
parasitärer Resonanzen. Zur Vervollständi- 40 diode 110 verbundenen Überleitungsschleife 114 eingung
des Kollektor-Emitter-Gleichstromkreises liegt gekoppelt. Zwischen die induktive Oberteil.mgsder
Emitter des Transistors 82 über einen Wider- schleife 114 und den Bezugspotentialpunkt i-i ein
stand 92 an Masse. Durchführungskondensator 124 geschaltet, der so ge-
Die Basisvorspannung für den Transistor 82 wird wählt ist. daß sowohl für die verstärkten I1HF-Sivon
der die Betriebsspannung führenden Klemme 84 45 gnale als auch für das Oszillatorsignal ein Wc» niedüber
den Kollektor-Emitter-Pfad eines AVR-Tran- riger Impedanz und für ZF-Signale ein Wea höhcsistors
94 angelegt. Eine entsprechende Regelspan- rer Impedanz nach Masse führt. Die in der~Midehnung
wird der Basis dieses Transistors 94 über eine diode 110 erzeugten ZF-Signale werden also weiter-Klemme
96 zugeführt. Die Klemme 96 ist mittels geleitet und zur Verstärkung an die ZF-Stufc 6«) aneines
Durchführungskondensators 105 für HF-Signa- 50 gelegt.
Ie nach Masse überbrückt. Der AVR-Transistor 94 Die Oszillatorstufe 56 enthält einen Transistor
regelt die Basisvorspannung des HF-Verstärker- 126, der als abgewandelter Colpitts-Oszillator getransistors
82 und somit die Verstärkung der schaltet ist, dessen Frequenz durch den abstimmba-HF-Verstärkerstufe.
Der Transistor 94 ist als Emitter ren Schwingkreis 72 bestimmt wird Die Betriebsfolger
geschaltet, so daß die AVR-Kreise weitge- 55 spannung für den Transistor 126 des Oszillators wird
hend vom HF-Verstärker bzw. Transistor 82 isoliert von der Betriebsspannungsquelle über die Klemme
sind. Eine weitere HF-Isolation für die Betriebsspan- 84, die Induktivität 86 und den Widerstand
nung der Quelle B+ und die AVR-Schaltu.igsanord- einem Verbindungspunkt 128 zugeführt, der mittels
nung kommen durch zwei Durchführungskondensato- eines Durchführungskondensators 130 fi>r
ren 98 bzw. 100 zustande. Der Durchführungskon- 60 UHF-Schwingungen nach Masse überbrückt ist. Die
densator 100 stellt außerdem einen HF-Pfad niedri- Spannung am Verbindungspunkt 128 gelangt zum
ger Impedanz von der Basis des Transistors 82 nach Kollektor des Transistors 126 über einen Widerstand
Masse her, so daß der Basisschaltungsbetrieb ge- 132 und eine HF-Drossel 134. Der Emitter des Tranwährleistet
ist. sistors liegt für Gleichstrom über einen Widerstand
Ein Kondensator 104 koppelt den Kollektor des 65 136 an Masse. Die Basisvorspannung wird von einem
Transistors 82 mit dem abstimmbaren Schwingkreis Spannungsteiler mit Widerständen 138 und 140 ge-
68. Im Schwingkreis 68 erzeugte Signale werden in- liefert, der zwischen den Verbindungspunkt 128 und
duktiv mittels Induktivitäten 106 und 108 auf den Masse geschaltet ist. Zur Schaffung eines frequenz-
Il
abhängigen Signahveges liegt zwischen der Basis des Transistors 126 und Masse ein Kondensator 142.
Ein Kondensator 144 verbindet den Kollektor des Transistors 126 mit dem Schwingkreis 72. Zur Aufrechterhaltung
einer Schwingung wird ein Teil der am Kollektor des Transistors erzeugten Spannung
durch einen kapazitiven Spannungsteiler mit drei Kondensatoren 146, 148 und 150 zum Emitter des
Transistors gekoppelt. Damit ein weiter Bereich von Gm-Transistoren in der Oszillatorstufe benutzt werden
kann, wird der Kondensator 148 so gewählt, daß er den Hochfrequenzgang des Transistors dämpft. Es
wird folglich ein mit Verlust behafteter Kondensator 148 gewählt, d. h. ein Kondensator, der eine frequenzabhängige
ohmsche Komponente besitzt, die den Oszillatortransistor bei den höheren Frequenzen ohmisch
belastet.
Da der absiinirnbare Schwingkreis 72 eine Übertragungsleitung
mit niedriger Impedanz und ein Aluminiumoxyd-Dielektrikum enthält, ist zum Zwecke einer Impedanzanpassung ein Koppelkondensator
144 erforderlich, der iinen relativ großen Wert hat (im Vergleich mit einer Lambda/2-Leitung
mit hoher Impedanz und Luftdielektrikum in einem typischen UHF-Fernsehtuner). Dies erfordert große
Kondensatoren im kapazitiven Spannungsteiler, um brauchbare Signalrückkopplungsspannungen zu gewährleisten.
Die Kondensatoren 144,146 und 150 sind leitende
Flächen, die auf dem Tragkörper 91 augebildet sind (F i g. 4 und 5). Der Kondensator 144 besteht aus
einer leitenden Fläche 501 über einer leitenden Fläche 503 auf der entgegengesetzten Seite des Tragkorpers
innerhalb eines Fensters 505 im Grundebenenabschnitt 95. Der Kondensator 146 wird durch
eine leitende Fläche 503 gebildet, die mit einer leitenden Fläche 507 zusammenwirkt, welche sich innerhalb
des Fensters 505 neben der Fläche 503 befindet. Der Kondensator 150 schließlich wird durch
die leitende Fläche 507 in Zusammenwirkung mit dem in Fig.5 rechts von der leitenden Fläche an-
;en
lung hergestellt
daß" alle Kapazitäten
genau und durchgehend gleie
werden. Infolge der Gleichmäßigkeit der
von Tuner zu Tuner kann praktisch au:
S^rSni JSEÄ^der Komponenten
beim Zusammenbau ausfällt oder mangelhaft arbeiter abstimmbare Schwingkreis 72 des Oszillators
w-ist eine unerwünschte Resonanz bei ungefähr 1WU
Sz Tuf Die parasitäre ResoBanzfrequenz wird
durch die Kapazität der Kapazitätsdiode,87 nicht
nennenswert beeinflußt. Bei den gegebenen Werten
der Komponenten hat sich gezeigt, daß sich ehe
unerwünschte Resonanzfrequenz bei einer Kapazi
tätsänderung von ungefähr 13 pF um etwa
ts sei darauf hingewiesen, daß *e parasitäre Resonanzfrequenz der zusammengesetzten Übertragungsleitung
des Ozillators eine zweite ObP.rwellenfrequenz
ist, die auf ungefähr 700 MHz eine Verringerung der Grundfrequenz-Signalspannung
des Oszillators feststellen, wenn der Schwingkreis 72 so justiert ist, daß er in der Nähe dieses
Wertes schwingt, wodurch das für die Mischdiode 110 des Tuners zur Verfügung stehende Oszillatorsignal
herabgesetzt wird. Es ist anzunehmen, daß die Verringerung der Grundfrequenz-Signalspannung des
Oszillators von einem durch den parasitären Kreis verursachten »Aussaug«-Effekt herrührt,
ίο Damit parasitäre Resonanzen verhindert werden
und die Spannungsverringerung möglichst klein ist, ist der erste Abschnitt 73 a der zusammengesetzten
Übertragungsleitung des Oszillators am Spannungsnullpunkt für die parasitäre Frequenz mit dem Transistor
126 des Oszillators gekoppelt. Dadurch wird erreicht, daß nur minimale Störsignalenergie vom
Schwingkreis 72 durch den Koppelkondensator 144 zum Transistor 126 übergeht.
Da der Grundebenenabschnitt 95 der zusammengesetzten Übertragungsleitung des Oszillators keine
unendliche Größe und Leitfähigkeit besitzt, fließt in der Grundebene ein Strom, der Spannungen hervorruft.
Ein Spannungskoppelpfad leitet diese Spannungen vom Grundebenenabschnitt 95 über einen Kondensator
142 zur Basis des Oszillatortransistors. Wenn der in der Grundebene fließende Strom auf die
parasitäre Resonanz zurückzuführen ist, unterstützt der Koppelpfad diese Resonanzart, weil das an die
Basis des Transistors angelegte Störsignal eine Basis-Kollektor-Differenzspannung
hervorruft, die in den Rückkopplungskreis des Oszillators eingeführt wird. Um diesen Effekt möglichst klein zu halten, ist
der Kondensator 142 auf dem Grundebenenabschnitt 95 direkt über dem parasitären Nullpunkt auf dem
ersten Abschnitt der zusammengesetzten Übertragungsleitung des Oszillators angeordnet.
Der Kondensator 142 besteht aus einer »bloßen Scheibe« 509 (Fig. 5). Die Scheibe 509 besteht aus
dielektrischem Material und weist auf ihren entgegengesetzten Seiten leitende Flächen auf. Mit der
einen leitenden Fläche ist die Basis des Transistors 126 elektrisch verbunden, während die entgegengesetzte
leitende Fläche auf dem Grundebeneiiabschnitt
über dem Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des Kondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollektor-B
asis-Ubergang des Transistors über die beiden Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden
Elektroden mit dem Schwingkreis koppeln, ein minimaler Störsignal-Spannungsgradieni angelegt wird.
Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspannung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt.
Wie am besten in den Fig.4 und5 zu erkennen
ist, sind zwischen den abstimmbaren Schwingkreisen des UHF-Tuners 50 keine Abschirmwände vorgesehen.
Der HF-Schwingkreis 66, die Zwischenstufen-Schwingkreise 68 und 70 und der Oszillator-Schwingkreis
72 sind also nicht jeweils in leitenden Gehäuseabteilungen eingeschlossen, um eine gegenseitige
Beeinflussung der verschiedenen Schwing-60 kreise und, was wichtiger ist, eine Abstrahlung der
Oszillatorenergie durch den HF-Schwingkreis und über die UHF-Antenne zu verhindern. Der Tuner
50 besitzt jedoch eine innere leitende Teilabdekkung550
(Fig.2), welche über den Überrragungs'.ei-65 tungsabschnitten 73 α und 73 b liegt. Da sie als Teil
des Chassisrahmens 97 des Tuners unveränderlich befestigt ist, verringert die Abdeckung 550 mögliche
kann Verstimmungen infolge von Abstandsänderungen
zwischen der Oszillatorstufe 56 und den abnehmbaren Deckeln 99 und 101 des Tuners nach einer Entfernung
und erneuten Befestigung weitestgehend.
Die hohe Permeabilität des Aluminiumoxid-Tragkörpers beschränkt in Verbindung mit dem geringen
Abstand zwischen den zusammengesetzten Übertragungsleitungen und ihren zugehörigen Grundebenenabschnitten
die elektromagnetischen Felder. Obwohl sie weitgehend λ ermindert wird, ist aber trotzdem
noch eine Randausbreitung der elektromagnetischen Felder festzustellen. Der Randeffekt der Felder kann
zur Folge haben, daß die Oszillatorenergie zum HF-Schwingkreis 66 gekoppelt und über die
UHF-Antenne abgestrahlt wird. Die Kopplung kann außerdem das AVR-Verhalten des Tuners beeinträchtigen.
Die unerwünschten Effekte der Oszillatorstrahlung werden dadurch vermieden, daß die zusammengesetzte
Übertragungsleitung des HF-Schwingkreises 66 auf der anderen Seite des Tragkörpers 91 angeordnet
wird als die zusammengesetzten Übertragungsleitungen 69, 71 und 73 der Zweikreis-Zwischenstufe
bzw. des Oszillators. Ebenso befinden sich die Grundebenenabschnitte 93 und 95 auf entgegengesetzten
Seiten des Tragkörpers. Hierdurch wird die Wirksamkeit der elektromagnetischen und elektrostatischen
Kopplung zwischen dem Schwingkreis 66 und den übrigen abstimmbaren Schwingkreisen des Tuners
50 auf ein Minimum reduziert.
Eine weitere wesentliche Isolierung zwischen dem HF-Schwingkreis 66 und den übrigen abstimmbaren
Schwingkreisen des Tuners wird dadurch erreicht, daß die zusammengesetzte HF-Übertragungsleitung
in bezug auf die zusammengesetzten Übertragungsleitungen der Zwischenstufe und des Oszillators umgekehrt
ist. Es sind nämlich der zweite zulaufend geformte Abschnitt 67 b der HF-Ubertragungsleitung
zum obernen Rand des Tragkörpers und ihr erster Abschnitt 67 α zu seinem unteren Rand hin angeordnet,
während die zweiten Abschnitte der Übertragungsleitungen des Oszillators und der Zwischenstufe
sich unten und ihre ersten Abschnitte sich oben auf dem Tragkörper befinden.
Zum Zwecke einer Impedanzanpassung ist der Emitter des HF-Tansistors 82 mit dem zulaufenden
Abschnitt 67 b niedriger Impedanz der HF-Eingangs-Übertragungsleitung
67 gekoppelt, und sein Kollektor ist an den Abschnitt 69 α hoher Impedanz
der Übertragungsleitung 69 der Zwischenstufe angeschlossen. Durch die oben erläuterte umgekehrte Anordnung
der Übertragungsleitungen 67 und 69 ist es möglich, äußerst kurze Elektrodenanschlußleiter für
den Emitter und den Kollektor des Transistors 82 zu verwenden.
Die ZF-Verstärkerstufe 60 enthält einen Transistor 152, der außerhalb des leitenden Gehäuses 52
montiert und als Basisschaltungsverstärker geschaltet ist. Die äußere Montage des Transistors trägt dazu
bei, daß eine unerwünschte Wechselwirkung zwischen der ZF-Verstärkerstufe und dem H F-Verstärker
sowie den Mischstufen auftritt. Die ZF-Eingangssignale werden an den Emitter des Transistors
angelegt. Der Kollektor ist mit der ZF-Ausgangsklemme 64 mittels eines ZF-Zweikreis-Bandpaßfilters
gekoppelt. Ein Durchführungskondensator 154 stellt für HF-Signale eine Überbrückung von der Basis
des Transistors nach Masse her. Um den Einfluß von Streuschwingungen hoher Frequenzen soweit wie
möglich einzuschränken, ist an die Kollektorelektrode des Transistors 82 eine Ferritperle 155 angebracht.
Der erste Abschnitt des ZF-Zweikreis-Bandpasses enthält einen durchführungskondensator 156, eine
Induktivität 158 und einen Durchführungskondensator 160. Der zweite Abschnitt dieses Bandpasses enthält
den Durchführungskondensator 160, eine Induktivität 162 und Kondensatoren 164 und 166. Der beiden
Filtern gemeinsame Kondensator 160 sorgt für die erforderliche Signalkopplung zwischen den Filterabschnitten.
Eine Abstandsklemme 163 stellt eine mechanische Stütze kleiner Kapazität für die Verbindung
zwischen der Induktivität 162 und dem Kon-
densator 164 dar. Die ohmsche Belastung der Filter (Widerstände 172, 174 sowie ein an die Klemme 64
angeschlossenes, nicht dargestelltes ZF-Signalkabel)
ist so gewählt, daß der Signalgang der ZF-Verstärkerstufe 60 über das gesamte gewünschte ZF-Band
flach verläuft. Zwischen den beiden Enden des ZF-Bandes (ungefähr 41 MHz bis 4b MHzJ ertolgt
also eine gleiche Verstärkung der Signalspannungen. Der verformte ZF-Gang, wie er bei ZF-Verstärkern
eines Fernsehgerätes üblich ist, kommt in späteren
a5 ZF-Stufen des Chassis des Fernsehgerätes und des
VHF-Tuners zustande. Im letzteren Fall kann der VHF-Tuner für eine zusatz): ehe Verstärkung des
ZF-Ausgangssignals des UHF-Tuners verwendet werden.
Das ZF-Bandpaßfilter transformiert die Ausgangsimpedanz
des in Basisschaltung liegenden ZF-Verstärkertransistors 152 auf einen Ausgangswirkwiderstand
von 75 Ohm bei der Mittenfrequenz des ZF-Bandes, 43 MHz. Dies wird dadurch erreicht,
daß die Abstimmkerne in den Induktivitäten 158 und 162 justiert werden, während an eine Testklemme
169 ein ZF-Eingangssignal angelegt wird. Obwohl die durch den Bandpaß bewirkte Impedanztransformation
frequenzabhängig ist, ist die Abweichung von den 43 MHz zu den oberen und unteren Enden des
ZF-Bandes nicht so groß, daß die Natur der Ausgangsimpedanz an. der Klemme 64 wesentlich geändert
wird. Sowohl am hohen als auch am tiefen Ende des ZF-Bandes bleibt die Impedanz überwiegend ohmisch
bei 75 Ohm.
Wenn die ZF-Ausgangsklemme 64 des Tuners mit der nächstfolgenden ZF-Verstärkerstufe des Chassis
des Fernsehgerätes mittels eines 75 Ohm-Kabels gekoppelt wird, ist die Eingangsimpedanz der Klemme
64 relativ genau an den Wellenwiderstand des Kabels angepaßt, so daß längs des Kabels keine Reflexionen
auftreten. Für die Signalkopplung zwischen dem Tuner und Chassis des Fernsehgerätes kann also ein
Kabel beliebiger Länge verwendet werden. Selbstver-
ständlich muß das Kabel auch am Chassis mit einer ohmschen Last von 75 Ohm abgeschlossen werden.
Wegen der ohmschen Kopplung zwischen dem Tuner 50 und dem Chassis des Fernsehgerätes können auch
kapazitive Änderungen auf Grund der Verlegung des Koppelkabels das Kopplungsglied nicht verstimmen,
da keine Induktivität vorhanden ist, mit der die Kapazität in Resonanz kommen kann. Die Verlegung
des ZF-Koppelkabels ist also für den einwandfreier Tunerbetrieb unkritisch. Kleinere Verluste dei
Widerstandskopplung sind unwesentlich, weil dei Tuner 50 ein verstärktes ZF-Ausgangssignal liefert.
Die Betriebsspannung für den ZF-Verstärkertransistor 152 wird von der Quelle B+ an dei
15 v \J 16
(ο
Klemme 84 geliefert und über die Induktivität 86, schwingt. Der Spannungsnullpunkt auf dem Abeine
HF-Isolationsinduktivität 168 und die Induktivi- schnitt 67 α wandert dabei zur Mitte des Abschnitts
tat 158 dem Kollektor des Transistors zugeführt. Zur hin (Fig. Ha). Bei einer Verkleinerung der VorVervollständigung
des Gleichstrompfades ist zwi- spannung der Diode 75 wächst die Kapazität, wosehen
den Emitter des Transistors und Masse ein 5 durch die Übertragungsleitung 67 auf eine niedrigere
Widerstand 170 geschaltet. Die Basisvorspannung Resonanzfrequenz kommt. Der Spannungsnullpunki
für den Transistor 152 wird von einem Spannungstei- auf dem Abschnitt 67 a wandert nun zu seinem Diler
geliefert, der durch Widerstände 172 und 174 ge- odenende hin. Die Größe der Frequenzänderung bei
bildet ist, die zwischen die Induktivität 158 und einem gegebenen Kapazitätszuwachs hängt vom WeI-Masse
geschaltet sind. io lenwiderstand der Übertragungsleitung ab, der
Eine Quelle 175 für eine veränderbare Abstimm- seinerseits eine Funktion der Leitungsbreite, des Abgleichspannung
zum Vorspannen der Kapazitätsdi- stands von der Grundebene und des Dielektrikums
öden der vier abstimmbaren Schwingkreise hat einen des Zwischenmediums ist.
Innenwiderstand von 1000 Ohm und ist zwischen die Bei einer weiteren Verringerung der an die Diode
Klemme 176 und Masse geschaltet. Die Klemme 176 15 75 angelegten Spannung und einer entsprechenden
ist für HF-Signale mittels eines Durchführungskon- Senkung der Resonanzfrequenz der zusammengesetzdensators
177 (nach Masse) überbrückt. Die Ab- ten Übertragungsleitung wird ungefähr bei der Mitte
Stimmgleichspannung wird über Widerstände 178 des gewünschten Frequenzbandes ein Punkt erreicht
und 180 an einen Verbindungspunkt 190 angelegt. (Fig. 11 c), wo die Diodenkapazität in Serienresowelcher
einen gemeinsamen Abstimmpotentialpunkt 20 nanz mit dem Induktivitätswert der justierbaren
für die vier abstimmbaren Schwingkreise darstellt. Gleichlaufinduktivität 77 und dem Übertragungslei-Dieser
Verbindungspunkt 190 ist mit dem Schwing- tungsabschnitt 67 b kommt. Zu diesem Zeitpunkt ist
kreis 66 über die Widerstände 180 und 179 und mit der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67 a
dem Schwingkreis 70 über den Widerstand 182 ver- ganz bis zu dessen Diodenende gewandert,
bunden. Die an den Schwingkreis 70 angelegte Span- 25 Eine noch weitgehende Verringerung der Vorspannung vom Verbindungspunkt 190 gelangt zum nung der Diode 75 senkt die Resonanzfrequenz der Schwingkreis 68 über die Induktivität 106. Mit dem Übertragungsleitung 67 weiter (F i g. 11 d und e). Die Schwingkreis 72 schließlich ist der Verbindungs- Spannung am Diodenende des Abschnitts 67 a steigt punkt 190 über Widerstände 185 und 187 und eine an, und die zusammengesetzte Übertragungsleitung HF-Drossel 188 verbunden. Drei Durchführungskon- 30 67 arbeitet mit einer modifizierten Lambda/4-densatoren 184, 186 und 183 wirken so mit den Resonanz.
bunden. Die an den Schwingkreis 70 angelegte Span- 25 Eine noch weitgehende Verringerung der Vorspannung vom Verbindungspunkt 190 gelangt zum nung der Diode 75 senkt die Resonanzfrequenz der Schwingkreis 68 über die Induktivität 106. Mit dem Übertragungsleitung 67 weiter (F i g. 11 d und e). Die Schwingkreis 72 schließlich ist der Verbindungs- Spannung am Diodenende des Abschnitts 67 a steigt punkt 190 über Widerstände 185 und 187 und eine an, und die zusammengesetzte Übertragungsleitung HF-Drossel 188 verbunden. Drei Durchführungskon- 30 67 arbeitet mit einer modifizierten Lambda/4-densatoren 184, 186 und 183 wirken so mit den Resonanz.
Widerständen 180 und 185 zusammen, daß keine Dadurch, daß die Kapazitätsdiode 75 vom an
HF-- und Oszillatorsignalenergie über die Gleich- Masse liegenden Ende der Übertragungsleitung 67
strom-Abstimmleitung zwischen den verschiedenen entfernt angeordnet ist, kann ein hoher Gütefaktor
abstimmbaren Schwingkreisen und in die Abstimm- 35 aufrechterhalten werden. Der Grund hierfür liegt
gleichspannungsquelle 175 gekoppelt werden kann. darin, daß die Kapazitätsdiode 75 sich an einer Stelle
Bei den angegebenen Werten der Komponenten mit im Vergleich zum Masseende der Übertragungskönnen die HF-Schwingkreise 66, 68 und 70 und der leitung niedrigeren Strom befindet (Fig. 12). Infolge-Oszillator-Schwingkreis
über ihre jeweiligen Fre- dessen werden die Gleichstromverluste (I2R) der
quenzbänder abgestimmt werden, wenn eine Kapazi- 40 Diode auf einen Minimalwert herabgesetzt,
tätsdiode mit einem Kapazitätsbereich von ungefähr Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die 13 pF verwendet wird. Als Kapazitätsdiode eignet Diode 87 des Oszillators eine Sperrvorspannung von sich beispielsweise die BA 141-Diode der Internatio- ungefähr 1,0 V. Die über der Diode entwickelte Osnal Telephone & Telegraph Corporation. Die BA zillatorspannung hat während eines Teiles jeder Pe-141 -Diode ändert ihren Kapazitätswert zwischen 15 45 riode eine solche Amplitude, daß sie die Dioden-Pikofarad und 2.3 Pikofarad, wenn die Abstimm- Sperrspannung übersteigt, wodurch eine Gleichrichgleichspannung zwischen ungefähr 1 und 25 V ju- tung der Oszillatorspannung bewirkt wird. Die stiert wird. gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspan-
tätsdiode mit einem Kapazitätsbereich von ungefähr Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die 13 pF verwendet wird. Als Kapazitätsdiode eignet Diode 87 des Oszillators eine Sperrvorspannung von sich beispielsweise die BA 141-Diode der Internatio- ungefähr 1,0 V. Die über der Diode entwickelte Osnal Telephone & Telegraph Corporation. Die BA zillatorspannung hat während eines Teiles jeder Pe-141 -Diode ändert ihren Kapazitätswert zwischen 15 45 riode eine solche Amplitude, daß sie die Dioden-Pikofarad und 2.3 Pikofarad, wenn die Abstimm- Sperrspannung übersteigt, wodurch eine Gleichrichgleichspannung zwischen ungefähr 1 und 25 V ju- tung der Oszillatorspannung bewirkt wird. Die stiert wird. gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspan-
Die Abstimmung der Schwingkreise (Übertra- nung, wodurch die Kapazität der Diode 87 kleiner
gungsleitungen) wird aus Fig. 11 und 12 verstand- 50 wird. Dies wiederum hat zur Folge, daß der Schwinglich,
welche die stehenden Spannungs- bzw. Strom- kreis 72 auf eine andere Frequenz abgestimmt wird,
wellen längs der zusammengesetzten HF-Ein- In den abstimmbaren HF-Schwingkreisen 66, 68 und
gangs-Übertragungsleitung 67 zeigen, die am oberen 70 findet keine Gleichrichtung statt, v/eil das
Rand der Figuren dargestellt ist. Um die Übertra- HF-UHF-Signal in diesen Kreisen in der Größenordgungsleitung
67 auf die höchste Frequenz innerhalb 55 nung von Millivolt liegt, im Gegensatz zu der Spandes
HF-UHF-Bandes abzustimmen, (Fig. lib), nung von ungefähr 1,0 V im Schwingkreis des Oszilwird
an die Kapazitätsdiode 75 eine solche Spannung lators. Um den Verstimmungseffekt möglichst weitangelegt,
daß sie einen bestimmten Kapazitätswert gehend zu beseitigen, wird der Gesamtwiderstand
aufweist. Diese Kapazität bewirkt eine solche Reso- von der Diode 87 durch die Abstimmgleichspannanzschwingung
der zusammengesetzten Übertra- 60 nungsleitung und die Quelle 175 nach Masse so gegungsleitung,
daß sich ein Spannungsnullpunkt auf wählt, daß er klein im Vergleich mit dem Treiberdem
Übertragungsleitungsabschnitt 67 a an einer widerstand der Oszillatorstufe ist. Hierdurch ist die
Stelle zwischen der Mitte und dem Diodenende des Abstimmgleichspannung an der Klemme 176 vorAbschnitts
befindet. herrschend bei der Steuerung der Spannung über der
Eine Steigern^ Her an die Diode 75 angelegten 65 Diode, da der durch den Gesamtwiderstand fließende
Spannung verkleinert die Dioden^enkapazität und Diodenstrom eine relativ kleine Spannung abfallen
bewirkt, daß die zusammengesetzte Übertragungslei- läßt, welche die über der Diode liegende mittlere
tung 67 bei einer höheren Resonanzfrequenz Gleichspannung nicht nennenswert ändern kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen ysy) 509/446
Claims (14)
1. Abstimmeinrichtung mit zwei im Abstand
voneinander angeordneten, einen Schwingkreis bildenden flächenhaften Leitungsabschnitten,
zwischen denen ein Bauelement mit spannungsabhängiger Kapazität eingeschaltet ist, dem über
die Leitungsabschnitte eine die Resonanzfrequenz der Abstimmeinrichtung steuernde Spannung
zugeführt ist, dadurch ge kennzeichnet, daß sich die beiden Leitungsabschnitte (67 ft, 67 α) auf der einen Seite einer dielektrischen
Platte (91) befinden, auf deren entgegengesetzten Seite eine elektrisch leitende Grundfläche
(93) vorgesehen ist, die beide Leitungsabschnitte überdeckt und mit der das eine Ende des
einen Leitungsabschnitts (67 b) elektrisch verbunden ist.
2. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Leitung';-abschnitte
(67 ft, 67 a) langgestreckte und axial miteinander ausgerichtete Teile sind, die sich von
einem Rand der Platte (91) zu deren entgegengesetztem Rand hin erstrecken, und daß das eine
Ende des ersten Leitungsabschnitts (67 ft) mit der leitenden Grundebene (93) durch einen leitenden
Pfad verbunden ist, der um den einen Rand der Platte herumführt.
3. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden
Leitungsabschnitte (67 ft. 67 α) so dimensioniert sind, daß sich der erste Leitungsabschnitt (67 ft)
oberhalb 890 MHz in Lambda/4-Resonanz befindet, während sich der zweite Leitungsabschnitt
(67 a) oberhalb 890 MHz in Lambda/2-Resonanz befindet.
4. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite
Leitungsabschnitt (73 α) so dimensioniert ist, daß er sich oberhalb 931 MHz in Lambda/2-Resonanz
befindet, während sich der erste Leitungsabschnitt (73 ft) oberhalb 931 MHz in Lambda/4-Resonanz befindet.
5. Abstimmeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Länge des ersten Leitungsabschnitts (73 ft) so bemessen ist, daß der Einfluß der Verluste
des Bauelements (87) mit spannungsabhängiger Kapazität auf den Gütefaktor Q des
Schwingkreises kleiner ist als bei einem Schwingkreis ohne den ersten Leitungsabschnitt, andererseits
aber der Schwingkreis mittels des Kapazitätsbereiches dieses Bauelements über einen vorgegebenen
Bereich von UHF-Frequenzen abstimmbar ist.
6. Abstimmeinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche für den UHF-Bereich in
einem Fernsehempfänger, bei der auf der einen Oberfläche der Platte, auf der sich die Grundfläche
befindet, ein dritter und im Abstand hiervon ein vierter flächenliafter Leitungsabschnitt
(69 a) eines Schwingkreises angeordnet sind, zwischen
welche ein zweites Bauelement mit veränderbarer Kapazität geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der entgegengesetzten Oberfläche der Platte (91) gegenüber dem dritten und vierten Leitungsabschnitt (69 ft, 69«) eine
zweite leitende Grundfläche (95) angeordnet ist und daß der dritte und vierte Leitungsabschnitt
mit der zweiten Grundebene einen zweiten abstimmbaren Schwingkreis (6S) bilden.
7. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt
(67 ft) mit dem zweiten Leitungsabschnitt (67 a) und der dritte Leitungsabschnitt (69 ft)
mit dem vierten Leitungsabschnitt (69 a) axiai ausgerichtet sind.
8. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leitungsabschnitt
(67 a bzw. 69 a) jedes der abstimmbaren Schwingkreise (66 bzw. 68) oberhalb einer gegebenen
Frequenz in Resonanz ist bei einer SpannungsnuJlstelle, die aut dem entsprechenden Leitun«sabschnitt
zwischen der Mitte und dem Ende, an dem sich das Bauelement (75, 79) mit
änderbarer Kapazität befindet, liegt, und daß der jeweils andere Leitungsabschnitt (67 ft, 696) der
Schwingkreise elektrisch mit der entgegengesetzt angeordneten leitenden Grundebene (93 bzw. 95)
verbunden ist.
9. Abstimmeinrichtung nach Anspruchs, dadurch
gekennzeichnet, daß die vorgegebene Frequenz ungefähr die Mittenfrequenz des Frequenzbandes
ist, über welches der Schwingkreis abstimmbar ist.
10. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 für einen Fernsehempfänger, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Bildung einer Zweikreis-Resonanzschaltung auf der entgegengesetzten Oberfläche
der Platte (91) gegenüber der leitenden Grundfläche (95) ein dritter Leitungsabschnitt (71 ft ^
und im Abstand hiervon ein vierter Leitungsabschnitt (71 α) angeordnet sind, zwischen welche
ein zweites Bauelement (83) mit veränderbarer Kapazität geschaltet ist.
11. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und dritte
Leitungsabschnitt (696, 71 ft) und der zweite und vierte Leitungsabschnitt (69 α, 71α) miteinander
für eine Hauptkopplung zum oberen bzw. unteren Ende des gewünschten Frequenzbandes
hin durch Kopplungsanordnungen (108 bzw. 106) verbunden sind, die über das Frequenzband eine
gleichmäßige Kopplung zwischen den beiden Schwingkreisen (68, 70) herstellen.
12. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Kopplungsanordnungen
(106, 108) jeweils eine Induktivität enthalten.
13. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt
(67 ft) mit dem Emitter eines Transistors (82) und der dritte Leitungsabschnitt mit dem
Kollektor dieses Transistors gekoppelt sind.
14. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungsabschnitt
(67 ft) auf der entgegengesetzten Oberfläche der dielektrischen Platte (91) zu deren
einem Rand hin und der dritte Leitungsabschnitt (69 b) auf der ersten Oberfläche der Platte zu
einem anderen Plattenrand hin angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2156370A | 1970-03-23 | 1970-03-23 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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