JPH0974165A - マルチチップモジュール用基板 - Google Patents
マルチチップモジュール用基板Info
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- JPH0974165A JPH0974165A JP7230142A JP23014295A JPH0974165A JP H0974165 A JPH0974165 A JP H0974165A JP 7230142 A JP7230142 A JP 7230142A JP 23014295 A JP23014295 A JP 23014295A JP H0974165 A JPH0974165 A JP H0974165A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マルチチップモジュールの大きさを実質的に
小型化できるマルチチップモジュール用基板を提供す
る。 【解決手段】 半田封止領域（１８）に予め載せてある
半田を約３３０°Ｃにて加熱溶融し、さらに不活性ガス
中で蓋をして、キャップの下端部分を半田封止領域（１
８）にろう付けして、セラミック基板（１０）上の電気
回路部品（１５、１６）等を封止する。この際に、金と
錫の合金半田は、半田封止領域（１８）の金属層全体の
中に液体の状態で広がるが、半田封止領域（１８）と金
属層（１２）との間には、半田流出防止用のスリット領
域（２３）が存在するために、金属層（１２）における
ワイヤボンディング位置まで半田合金が流出するおそれ
はない。
小型化できるマルチチップモジュール用基板を提供す
る。 【解決手段】 半田封止領域（１８）に予め載せてある
半田を約３３０°Ｃにて加熱溶融し、さらに不活性ガス
中で蓋をして、キャップの下端部分を半田封止領域（１
８）にろう付けして、セラミック基板（１０）上の電気
回路部品（１５、１６）等を封止する。この際に、金と
錫の合金半田は、半田封止領域（１８）の金属層全体の
中に液体の状態で広がるが、半田封止領域（１８）と金
属層（１２）との間には、半田流出防止用のスリット領
域（２３）が存在するために、金属層（１２）における
ワイヤボンディング位置まで半田合金が流出するおそれ
はない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数のＬＳＩ等
のベアチップを一枚のセラミック基板等に表面実装する
ために使用されるマルチチップモジュール用基板に関す
る。
のベアチップを一枚のセラミック基板等に表面実装する
ために使用されるマルチチップモジュール用基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マルチチップモジュール（ＭＣＭ）と
は、基板上の実装密度向上や動作の高速化を図るため
に、小型の基板上にパッケージング前の状態で複数のベ
アチップを表面実装したものである。図４には、従来の
マルチチップモジュール（ＭＣＭ）用のパッケージの一
例を示す。
は、基板上の実装密度向上や動作の高速化を図るため
に、小型の基板上にパッケージング前の状態で複数のベ
アチップを表面実装したものである。図４には、従来の
マルチチップモジュール（ＭＣＭ）用のパッケージの一
例を示す。
【０００３】矩形のセラミック基板１０には、予め表裏
を貫通する孔を形成しておき、その孔の中にタングステ
ンを充填してバイアホール（via hole）１１とする。ま
た、セラミック基板１０の表面には、接地面のパターン
を構成する金属層１２や回路接続線路のパターンとなる
金属層１３等が、例えばＮｉＣｒ／Ａｕの多層構成で形
成される。ここで、ＮｉＣｒ層の厚さは、０．２μｍ、
Ａｕ層の厚さは、１μｍ程度に設定される。
を貫通する孔を形成しておき、その孔の中にタングステ
ンを充填してバイアホール（via hole）１１とする。ま
た、セラミック基板１０の表面には、接地面のパターン
を構成する金属層１２や回路接続線路のパターンとなる
金属層１３等が、例えばＮｉＣｒ／Ａｕの多層構成で形
成される。ここで、ＮｉＣｒ層の厚さは、０．２μｍ、
Ａｕ層の厚さは、１μｍ程度に設定される。
【０００４】さらに基板１０の表面には、薄膜を用いた
抵抗１４及びコンデンサ１５が形成される。ここで一般
に、抵抗１４の薄膜材料には窒化タンタルＴａＮが、ま
た、コンデンサ１５の薄膜材料には五酸化タンタルＴａ
2 Ｏ5 や酸窒化タンタルＴａＮX ＯY が使用される。な
お、コンデンサ１５等の上面電極は上記金属層１２、１
３と同一のＮｉＣｒ／Ａｕ層により形成されている。
抵抗１４及びコンデンサ１５が形成される。ここで一般
に、抵抗１４の薄膜材料には窒化タンタルＴａＮが、ま
た、コンデンサ１５の薄膜材料には五酸化タンタルＴａ
2 Ｏ5 や酸窒化タンタルＴａＮX ＯY が使用される。な
お、コンデンサ１５等の上面電極は上記金属層１２、１
３と同一のＮｉＣｒ／Ａｕ層により形成されている。
【０００５】このようなＭＣＭ用のセラミック基板１０
には、トランジスタチップ１６がダイスボンディングに
よって接着され、更にトランジスタチップ１６及びコン
デンサ１５等の上面電極は、ボンディングワイヤ１７に
よって回路接続線路用の金属層１３や接地面用の金属層
１２と接続される。このボンディングワイヤ１７には、
通常Ａｕの細線が使用されている。
には、トランジスタチップ１６がダイスボンディングに
よって接着され、更にトランジスタチップ１６及びコン
デンサ１５等の上面電極は、ボンディングワイヤ１７に
よって回路接続線路用の金属層１３や接地面用の金属層
１２と接続される。このボンディングワイヤ１７には、
通常Ａｕの細線が使用されている。
【０００６】以上に説明したように、通常のＭＣＭ用の
セラミック基板１０の上の回路構成部品は、トランジス
タを始めとして、ＬＳＩ等の半導体素子がベアチップ状
態で搭載される。そこで、これら基板１０上の半導体素
子を水分等を含んだ外気の影響から保護するために、基
板１０表面に蓋（キャップ）を被せてパッケージングし
て、これら回路構成部品を外気から気密封止（hermetic
seal）する必要がある。そして、この蓋の材料には、
製作コストが小さく、しかも電磁的な遮蔽効果をも有す
るように、金属が好んで使用されている。
セラミック基板１０の上の回路構成部品は、トランジス
タを始めとして、ＬＳＩ等の半導体素子がベアチップ状
態で搭載される。そこで、これら基板１０上の半導体素
子を水分等を含んだ外気の影響から保護するために、基
板１０表面に蓋（キャップ）を被せてパッケージングし
て、これら回路構成部品を外気から気密封止（hermetic
seal）する必要がある。そして、この蓋の材料には、
製作コストが小さく、しかも電磁的な遮蔽効果をも有す
るように、金属が好んで使用されている。
【０００７】上記セラミック基板１０の表面に形成され
た金属層１２のうち、図の破線にて示す周辺部分１８
は、金属製の蓋の下端面をろう材を用いて固着して、回
路構成部品を密封するための半田封止領域とされてい
る。この半田封止領域１８に、接着剤として使用される
Ａｕ／Ｓｎの半田合金を予め塗布しておいて、さらにセ
ラミック基板１０全体を５秒程度の間、約３３０°Ｃに
加熱して蓋を接着するために半田を溶融し、半田封止を
実行していた。
た金属層１２のうち、図の破線にて示す周辺部分１８
は、金属製の蓋の下端面をろう材を用いて固着して、回
路構成部品を密封するための半田封止領域とされてい
る。この半田封止領域１８に、接着剤として使用される
Ａｕ／Ｓｎの半田合金を予め塗布しておいて、さらにセ
ラミック基板１０全体を５秒程度の間、約３３０°Ｃに
加熱して蓋を接着するために半田を溶融し、半田封止を
実行していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ワイヤ
１７をワイヤボンディングする場合にも、セラミック基
板１０を２００°Ｃ程度に加熱して、金属層１２表面の
金層を融解して軟化させている。しかし金の細線と金属
層１２との接続強度は、蓋の封止に使用されるＡｕ／Ｓ
ｎの半田合金が金属層１２の上層を構成する金層に流れ
込むようになると、ワイヤボンディングの接着強度が低
下したり、接着自体が不完全になる等の問題があった。
１７をワイヤボンディングする場合にも、セラミック基
板１０を２００°Ｃ程度に加熱して、金属層１２表面の
金層を融解して軟化させている。しかし金の細線と金属
層１２との接続強度は、蓋の封止に使用されるＡｕ／Ｓ
ｎの半田合金が金属層１２の上層を構成する金層に流れ
込むようになると、ワイヤボンディングの接着強度が低
下したり、接着自体が不完全になる等の問題があった。
【０００９】そこで、従来のマルチチップモジュール用
基板では、基板周囲に実際に蓋を被せるのに必要な幅
（0.2mm程度）以上に、例えば１０mm以上の封止領域１
８を設けて、半田が融けて金属層１２に流れ出しても、
ワイヤボンディングの強度や、品質に影響を及ぼさない
ようにパターン設計していた。このために、実際にＭＣ
Ｍの組立に必要な面積以上に大きなセラミック基板１０
を用意しなければならないという問題があった。
基板では、基板周囲に実際に蓋を被せるのに必要な幅
（0.2mm程度）以上に、例えば１０mm以上の封止領域１
８を設けて、半田が融けて金属層１２に流れ出しても、
ワイヤボンディングの強度や、品質に影響を及ぼさない
ようにパターン設計していた。このために、実際にＭＣ
Ｍの組立に必要な面積以上に大きなセラミック基板１０
を用意しなければならないという問題があった。
【００１０】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、マルチチップモジュールの大き
さを実質的に小型化できるマルチチップモジュール用基
板を提供することを目的としている。
ためになされたもので、マルチチップモジュールの大き
さを実質的に小型化できるマルチチップモジュール用基
板を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るマルチチ
ップモジュール用基板は、絶縁性材料の表面に封止用の
蓋を半田付けする半田封止領域を有するマルチチップモ
ジュール用基板において、前記半田封止領域より内側も
しくは外側の領域に金属層を設け、前記半田封止領域と
前記金属層との境界部分には一定幅の帯状の金属層のな
い領域を閉ループ状に形成しておくことによって、前記
封止用の半田材が溶融した場合に、半田封止領域より内
側もしくは外側の領域に対して前記半田材の流出を阻止
することを特徴とする。
ップモジュール用基板は、絶縁性材料の表面に封止用の
蓋を半田付けする半田封止領域を有するマルチチップモ
ジュール用基板において、前記半田封止領域より内側も
しくは外側の領域に金属層を設け、前記半田封止領域と
前記金属層との境界部分には一定幅の帯状の金属層のな
い領域を閉ループ状に形成しておくことによって、前記
封止用の半田材が溶融した場合に、半田封止領域より内
側もしくは外側の領域に対して前記半田材の流出を阻止
することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して、
この発明の２つの実施の態様を説明する。
この発明の２つの実施の態様を説明する。
【００１３】実施の態様１ 図１は、この発明に係るＭＣＭ用パッケージを示す部分
斜視図である。セラミック基板１０の表面中央部には接
地面を構成する金属層１２が形成され、その周辺部分に
は半田封止領域をなす金属層１８が約０．５ｍｍ幅のス
リット領域２３を挟んで形成されている。これら金属層
１２と１８とは例えばＮｉＣｒ／Ａｕの積層工程とし
て、回路接続線路のパターンとなる金属層１３と同時に
セラミック基板１０上に形成される。またスリット領域
２３は、セラミック基板１０上でそのセラミック表面が
露出して、半田封止領域に塗布された半田合金が加熱さ
れた際に、中央部の接地面の金属層１２に流出しないよ
うに機能する。
斜視図である。セラミック基板１０の表面中央部には接
地面を構成する金属層１２が形成され、その周辺部分に
は半田封止領域をなす金属層１８が約０．５ｍｍ幅のス
リット領域２３を挟んで形成されている。これら金属層
１２と１８とは例えばＮｉＣｒ／Ａｕの積層工程とし
て、回路接続線路のパターンとなる金属層１３と同時に
セラミック基板１０上に形成される。またスリット領域
２３は、セラミック基板１０上でそのセラミック表面が
露出して、半田封止領域に塗布された半田合金が加熱さ
れた際に、中央部の接地面の金属層１２に流出しないよ
うに機能する。
【００１４】上記接地面金属層１２の所定部分には、セ
ラミック基板１０の表裏を貫いて複数の接地用のバイア
ホール２１、２１が形成されており、基板裏面に形成さ
れた接地電極と電気的な導通をとるためにタングステン
が充填されている。また、セラミック基板１０の側面部
分の複数箇所に半円柱状の窪みをつけ、その表面に金属
層を塗布して複数のキャスタライゼーション２２、２２
が形成されている。これらキャスタライゼーション２２
によって、半田封止領域１８の表面の金属層１８と基板
裏面の接地用の金属層（図示せず）との間で電気的な導
通をとっている。したがって、スリット領域２３が閉ル
ープ状に形成されていても、半田封止領域１８の電位、
即ちキャップとなる蓋の電位を確実に接地電位に保持で
きる。なお、ここでは図４の従来装置と対応する部分に
は対応する参照番号を付け、それらについての説明は省
略する。
ラミック基板１０の表裏を貫いて複数の接地用のバイア
ホール２１、２１が形成されており、基板裏面に形成さ
れた接地電極と電気的な導通をとるためにタングステン
が充填されている。また、セラミック基板１０の側面部
分の複数箇所に半円柱状の窪みをつけ、その表面に金属
層を塗布して複数のキャスタライゼーション２２、２２
が形成されている。これらキャスタライゼーション２２
によって、半田封止領域１８の表面の金属層１８と基板
裏面の接地用の金属層（図示せず）との間で電気的な導
通をとっている。したがって、スリット領域２３が閉ル
ープ状に形成されていても、半田封止領域１８の電位、
即ちキャップとなる蓋の電位を確実に接地電位に保持で
きる。なお、ここでは図４の従来装置と対応する部分に
は対応する参照番号を付け、それらについての説明は省
略する。
【００１５】つぎに、上記マルチチップモジュール用基
板の上にマルチチップモジュールを組み立てる手順につ
いて説明する。
板の上にマルチチップモジュールを組み立てる手順につ
いて説明する。
【００１６】まず、セラミック基板１０の表面中央部に
トランジスタチップ１６をダイスボンディングによって
固定する。さらに、トランジスタチップ１６と予めセラ
ミック基板１０上に形成されたコンデンサ１５の上部電
極とを、金線のボンディングワイヤ１７によって接地面
の金属層１２や回路接続用の金属層１３等に接続する。
こうして基板上で完成した電子回路は、気密封止のため
のキャップにより蓋がされる。
トランジスタチップ１６をダイスボンディングによって
固定する。さらに、トランジスタチップ１６と予めセラ
ミック基板１０上に形成されたコンデンサ１５の上部電
極とを、金線のボンディングワイヤ１７によって接地面
の金属層１２や回路接続用の金属層１３等に接続する。
こうして基板上で完成した電子回路は、気密封止のため
のキャップにより蓋がされる。
【００１７】この気密封止の工程では、半田封止領域１
８に予め載せてある半田を約３３０°Ｃにて加熱溶融
し、さらに不活性ガス中で蓋をして、キャップの下端部
分を半田封止領域にろう付けして、封止するのである。
この際に、金と錫の合金半田は、半田封止領域１８の金
属層全体の中に液体の状態で広がる。しかし、従来の基
板とは異なり、半田封止領域１８と金属層１２との間に
は、半田流出防止用のスリット領域２３が存在するため
に、金属層１２のワイヤボンディング位置まで半田合金
が流出するおそれはない。スリット領域２３の表面はセ
ラミックであって、液化した半田合金等の金属に対して
濡れ性が悪いからである。
８に予め載せてある半田を約３３０°Ｃにて加熱溶融
し、さらに不活性ガス中で蓋をして、キャップの下端部
分を半田封止領域にろう付けして、封止するのである。
この際に、金と錫の合金半田は、半田封止領域１８の金
属層全体の中に液体の状態で広がる。しかし、従来の基
板とは異なり、半田封止領域１８と金属層１２との間に
は、半田流出防止用のスリット領域２３が存在するため
に、金属層１２のワイヤボンディング位置まで半田合金
が流出するおそれはない。スリット領域２３の表面はセ
ラミックであって、液化した半田合金等の金属に対して
濡れ性が悪いからである。
【００１８】このように、スリット領域２３を設けるこ
とによって、溶融した半田合金を狭い幅の半田封止領域
１８に閉じ込めて、他の金属層にまで達することがない
から、実際にＭＣＭの組立に必要な面積以上に大きなセ
ラミック基板１０を用意しなければならないという不都
合は解消できる。
とによって、溶融した半田合金を狭い幅の半田封止領域
１８に閉じ込めて、他の金属層にまで達することがない
から、実際にＭＣＭの組立に必要な面積以上に大きなセ
ラミック基板１０を用意しなければならないという不都
合は解消できる。
【００１９】実施の態様２ 図２は、この発明に係るマルチチップモジュール用基板
を示す。
を示す。
【００２０】この基板２０も、図１の実施の態様１と同
じく、セラミック基板であって、その表面中央部にはコ
ンデンサ１５、トランジスタチップ１６等が固定され
る。図１のものと異なるのは、半田封止領域１８の外側
にスパイラル状のインダクタンス２５が配置されてお
り、インダクタンス２５の一方の端部がバイアホール２
６によってセラミック基板２０裏面の信号入力端子と接
続されるとともに、他方の端部のバイアホール１１ｂが
裏面の金属パターンを介してトランジスタチップ１６の
ゲート信号入力用のバイアホール１１ａに接続されてい
る点である。また、トランジスタチップ１６のドレイン
信号出力用のバイアホール２４ａは、セラミック基板２
０裏面の金属パターンを介して回路接続線路用の金属層
１３のバイアホール２４ｂと接続されている。さらに、
半田封止領域１８の内側にスリット領域２３ａが形成さ
れているだけでなく、外側にも同様のスリット領域２３
ｂが、それぞれ約０．２mmの幅で閉ループ状に形成され
ている。
じく、セラミック基板であって、その表面中央部にはコ
ンデンサ１５、トランジスタチップ１６等が固定され
る。図１のものと異なるのは、半田封止領域１８の外側
にスパイラル状のインダクタンス２５が配置されてお
り、インダクタンス２５の一方の端部がバイアホール２
６によってセラミック基板２０裏面の信号入力端子と接
続されるとともに、他方の端部のバイアホール１１ｂが
裏面の金属パターンを介してトランジスタチップ１６の
ゲート信号入力用のバイアホール１１ａに接続されてい
る点である。また、トランジスタチップ１６のドレイン
信号出力用のバイアホール２４ａは、セラミック基板２
０裏面の金属パターンを介して回路接続線路用の金属層
１３のバイアホール２４ｂと接続されている。さらに、
半田封止領域１８の内側にスリット領域２３ａが形成さ
れているだけでなく、外側にも同様のスリット領域２３
ｂが、それぞれ約０．２mmの幅で閉ループ状に形成され
ている。
【００２１】セラミック基板２０の表面の接地用の金属
層は、約０．５mmの幅の半田封止領域１８の内外で金属
層１２ａと金属層１２ｂとに分離形成されており、内側
の金属層１２ａと半田封止領域１８はそれぞれ接地用の
バイアホール２１、２７を介して裏面の接地用の金属パ
ターンと接続されている。また、外側の金属層１２ｂは
セラミック基板２０の側面に形成した半円柱状の窪みに
金属を塗布したキャスタライゼーション２２を介して、
裏面の接地用の金属パターンと接続されている。なお、
図３は図２のマルチチップモジュールとして構成される
回路の等価回路図である。
層は、約０．５mmの幅の半田封止領域１８の内外で金属
層１２ａと金属層１２ｂとに分離形成されており、内側
の金属層１２ａと半田封止領域１８はそれぞれ接地用の
バイアホール２１、２７を介して裏面の接地用の金属パ
ターンと接続されている。また、外側の金属層１２ｂは
セラミック基板２０の側面に形成した半円柱状の窪みに
金属を塗布したキャスタライゼーション２２を介して、
裏面の接地用の金属パターンと接続されている。なお、
図３は図２のマルチチップモジュールとして構成される
回路の等価回路図である。
【００２２】図２のマルチチップモジュール用基板２０
では、コンデンサ１５、トランジスタチップ１６の上面
電極をワイヤボンディングによって結線したあとに、ト
ランジスタチップ１６部分のみを気密封止する。そのた
めに、予めＡｕＳｎの半田合金のチップを半田封止領域
１８に載せて、所定の温度まで加熱して、半田を溶融す
る。その後、金属製のキャップを半田封止領域１８にお
いて、その下端部分を半田封止領域１８にろう付けする
ことによって、トランジスタチップ１６部分を封止す
る。この場合に、半田封止領域１８と金属層１２ａ、１
２ｂとの境界部分には金属層のない、セラミック基板表
面が露出したスリット領域２３ａ、２３ｂが介在してい
るために、溶融した半田は半田封止領域１８の外部に流
出することがない。
では、コンデンサ１５、トランジスタチップ１６の上面
電極をワイヤボンディングによって結線したあとに、ト
ランジスタチップ１６部分のみを気密封止する。そのた
めに、予めＡｕＳｎの半田合金のチップを半田封止領域
１８に載せて、所定の温度まで加熱して、半田を溶融す
る。その後、金属製のキャップを半田封止領域１８にお
いて、その下端部分を半田封止領域１８にろう付けする
ことによって、トランジスタチップ１６部分を封止す
る。この場合に、半田封止領域１８と金属層１２ａ、１
２ｂとの境界部分には金属層のない、セラミック基板表
面が露出したスリット領域２３ａ、２３ｂが介在してい
るために、溶融した半田は半田封止領域１８の外部に流
出することがない。
【００２３】したがって、このマルチチップモジュール
用基板は第１の実施の態様と同じく、半田流出を阻止で
きる効果を有し、マルチチップモジュールの大きさを実
質的に小型化できる。
用基板は第１の実施の態様と同じく、半田流出を阻止で
きる効果を有し、マルチチップモジュールの大きさを実
質的に小型化できる。
【００２４】上述した２つの実施の態様では、半導体チ
ップを使用した電子回路のパッケージを例について説明
したが、半導体以外のチップ、例えば表面弾性波フィル
タ等の誘電体構成のチップを用いたマルチチップモジュ
ールを封止するばあいの基板としても適用できる。ま
た、基板に搭載されるチップの数は、基本的には複数の
場合を想定しているが、１個だけであってもよい。さら
に、基板の材料としてはセラミックだけに限定されず、
抵抗率が高く、しかも半田合金との濡れ性が悪い材料で
あれば、他の材料を選択することも可能である。
ップを使用した電子回路のパッケージを例について説明
したが、半導体以外のチップ、例えば表面弾性波フィル
タ等の誘電体構成のチップを用いたマルチチップモジュ
ールを封止するばあいの基板としても適用できる。ま
た、基板に搭載されるチップの数は、基本的には複数の
場合を想定しているが、１個だけであってもよい。さら
に、基板の材料としてはセラミックだけに限定されず、
抵抗率が高く、しかも半田合金との濡れ性が悪い材料で
あれば、他の材料を選択することも可能である。
【００２５】
【発明の効果】この発明のマルチチップモジュール用基
板は、以上に説明したように構成されているので、マル
チチップモジュールの大きさを実質的に小型化できる効
果がある。
板は、以上に説明したように構成されているので、マル
チチップモジュールの大きさを実質的に小型化できる効
果がある。
【図１】 この発明の第１の実施の態様を示す部分斜視
図である。
図である。
【図２】 この発明の第２の実施の態様を示す部分斜視
図である。
図である。
【図３】 図２の等価回路を示す回路図である。
【図４】 従来のマルチチップモジュール用基板の一例
を示す部分斜視図である。
を示す部分斜視図である。
１０ セラミック基板、１２ 接地面用の金属層、１８
半田封止領域、２１バイアホール、２２ キャスタラ
イゼーション、２３ 半田流失防止用のスリット領域。
半田封止領域、２１バイアホール、２２ キャスタラ
イゼーション、２３ 半田流失防止用のスリット領域。
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性材料の表面に封止用の蓋を半田付
けする半田封止領域を有するマルチチップモジュール用
基板において、 前記半田封止領域より内側もしくは外側の領域に金属層
を設け、 前記半田封止領域と前記金属層との境界部分には一定幅
の帯状の金属層のない領域を閉ループ状に形成しておく
ことによって、 前記封止用の半田材が溶融した場合に、半田封止領域よ
り内側もしくは外側の領域に対して前記半田材の流出を
阻止することを特徴とするマルチチップモジュール用基
板。 - 【請求項２】 前記半田封止領域は、裏面に形成した接
地用の電極と電気的に接続されていることを特徴とする
請求項１に記載のマルチチップモジュール用基板。 - 【請求項３】 前記金属層は、少なくとも金層を含むも
のであることを特徴とする請求項１又は請求項２のいず
れかに記載のマルチチップモジュール用基板。 - 【請求項４】 前記帯状の金属層のない領域は、少なく
とも０．５ｍｍ以上の幅であることを特徴とする請求項
１又は請求項２のいずれかに記載のマルチチップモジュ
ール用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230142A JPH0974165A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | マルチチップモジュール用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230142A JPH0974165A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | マルチチップモジュール用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974165A true JPH0974165A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16903250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230142A Withdrawn JPH0974165A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | マルチチップモジュール用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518658B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-02-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization |
| US8664765B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP7230142A patent/JPH0974165A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518658B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-02-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization |
| US8664765B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |