DE69517158T2 - Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gases - Google Patents
Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gasesInfo
- Publication number
- DE69517158T2 DE69517158T2 DE69517158T DE69517158T DE69517158T2 DE 69517158 T2 DE69517158 T2 DE 69517158T2 DE 69517158 T DE69517158 T DE 69517158T DE 69517158 T DE69517158 T DE 69517158T DE 69517158 T2 DE69517158 T2 DE 69517158T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- tungsten nitride
- tungsten
- source gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 78
- -1 TUNGSTEN NITRIDE Chemical class 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 5
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von dynamischen Freizugriffsspeichern, und insbesondere auf die Abscheidung von Wolframnitrid.
- Wolframnitrid stellt sich als extrem vielversprechendes Material für Planarkondensator- und Gateelektrodenanwendungen dar. Wolframnitrid ist bei hohen Temperaturen stabil und verhindert die elektrische Verschlechterung in Kondensatoranwendungen und dient als Sperre zwischen polykristallinem Silizium und Wolfram, wenn es als Strapping-Schicht mit niedrigem Widerstand in einer Gateelektrode verwendet wird. Bei einem Verfahren bereiteten Alex Lahav, Karen A. Grimm und Ilan A. Blech, wie sie in ihrem Artikel "Measurement of Thermal Expansion Coefficients W, WSi, WN und WSiN Thin Film Metallisations", Journal of Applied Physics 67(2), January 15, 1990, Seite 734 beschrieben haben, Wolframnitrid unter Einsatz von reaktivem Sputtern und erhielten gute Filmeigenschaften.
- Obwohl Sputtern hochqualitative Filme liefern kann, ist die Oberflächenstufenabdeckung für manche Anwendungen nicht adäquat. Es wäre vorzuziehen, einen verbesserten Stufenabdeckungsprozeß, wie chemische Dampfabscheidung CVD zu haben.
- Nagajima u. a. haben in einem Artikel mit dem Titel "Preparation of of Tungsten Nitride Film by CVD Method Using WF&sub6;", der in der Ausgabe vom Dezember 1987 des Journal of Elec trochemical Society: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY" erschienen ist, die chemische Dampfabscheidung von Wolframnitrid aus NH&sub3; und WF&sub6;-Quellengasen in einem konventionellen Heißwand-CVD-System demonstriert. Obwohl Heißwand-CVD- Systeme einen Vorteil mit Bezug auf den Waferdurchsatz bieten, sind normalerweise die Prozeßsteuerung und die Reinheit für Anwendungen gemäß dem Stand der Technik typischerweise nicht adäquat. Demgegenüber sind Einzelwafer-Kaltwand-Abscheidesysteme zu bevorzugen.
- Für einen CVD-Prozeß bieten WF&sub6; und NH&sub3; die Vorteile, daß sie leicht erhältlich sind und hohe Abscheideraten schaffen. WF&sub6;, NH&sub3; bilden jedoch bei tiefen Temperaturen (< 50ºC) ein Adukt, und selbst bei ein Kaltwandsystem gibt es eine minimal akzeptable Wandtemperatur, um die Aduktformation zu verhindern. Desweiteren können Nebenprodukte der Abscheidereaktionen einen Eingriff in Silizium oder polykristalline Siliziumsubstrate bilden, und deshalb muß der Prozeß modifiziert werden, um Eingriffe zu vermindern, ohne Kompromisse hinsichtlich der Adhäsion oder des Widerstandes eingehen zu müssen.
- JP-A-6232181 und Patents Abstracts of Japan, Ausgabe 18, Nr. 599 (E-1631), 15.11.1994, beschreiben einen Feldeffekttransistor, bei dem eine Metallgateelektrode aus WSiN vorgesehen ist.
- Die US-A-5250453 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekt-Transistors, bei dem zur Herstellung einer Gateelektrode WSiN durch Sputtern oder Dampfabscheidung abgeschieden wird.
- Es besteht somit ein Bedarf für einen CVD-Wolframnitridprozeß mit guter Anhaftung und hohen Abscheideraten, während angeformte Filme mit niedrigem Widerstand und mit minimalem Siliziumeindringen gebildet werden.
- Das Verfahren der Erfindung ist in Anspruch 1 definiert; die übrigen Ansprüche beziehen sich auf weitere Entwicklungen der Erfindung.
- Die Erfindung ist ein Verfahren zum Abscheiden von Wolframnitrid unter Einsatz von chemischer Dampfabscheidung. Das Verfahren verwendet eine Quellengasmischung mit einem auf Silizium basierenden Gas zum Abscheiden des Wolframnitrids über ein Abscheidesubstrat.
- Das Verfahren ist bei der Herstellung einer Kondensatorelektrode, eines Kontaktstopfens und einer Gateelektrode aufgrund der guten Anhaftung, dem minimalen Siliziumeindringen und dem geringen Widerstand des gemäß dem Verfahren der Erfindung abgeschiedenen Wolframnitrids nutzbar.
- In einem Ausführungsbeispiel ist ein nicht planarer Speicherkondensator mit einer Wolframnitrid-Kondensatorelektrode ausgebildet, die gemäß dem Verfahren der Erfindung hergestellt ist.
- Die Fig. 1 bis 3 sind Schnittdarstellungen eines Halbleiters während verschiedener Herstellungsschritte.
- Fig. 1 ist eine Schnittdarstellung eines Teils eines Halbleitersubstrats mit verschiedenen darauf gefertigten Strukturen und mit einer ersten Kondensatorelektrode.
- Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung der Fig. 1 nach der Bildung einer dielektrischen Schicht.
- Fig. 3 ist eine Schnittdarstellung der Fig. 2 nach der Bildung einer Wolframnitridelektrode.
- Fig. 4A ist eine Schnittdarstellung eines Durchgangslochs, das in dem Substrat gebildet ist und mit einer Schicht aus Wolframnitrid gefüllt ist.
- Fig. 4B ist eine Schnittdarstellung der Fig. 4A nach einer chemischen mechanischen Planarisierung der Wolframnitridschicht der Fig. 4A.
- Fig. 5 ist eine Schnittdarstellung einer Gateelektrode mit einer Wolframnitrid-Sperrschicht.
- Eine Wolframnitridschicht wird durch das Verfahren gemäß der Erfindung gebildet, wobei Wolframnitrid chemisch von einem Quellengas mit einem auf Silizium basierenden Gas wie Silan dampfabgeschieden wird. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein nicht planarer Halbleiterspeicherkondensator mit einer Wolframnitridkondensatorelektrode gebildet. Obwohl die Erfindung auf jede Zahl von nicht planaren Kondensatoren anwendbar ist, einschließlich Grabenkondensatoren und einer Vielzahl von Stapelkondensatoren, zeigen die Fig. 1 bis 3 die Verfahrensschritte zur Herstellung eines gestapelten Kondensators.
- Fig. 1 ist eine Schnittdarstellung einer teilweise bearbeiteten Halbleitervorrichtung 1 mit einer versenkten Bitleitung 5, einer Wortleitung 10, die über einer Feldoxidschicht 15 liegt, und Feldeffekttransistoren 20. Eine dünne Oxidschicht 25 wurde aus einer Kontaktfläche 30 des Substrats 35 entfernt, und eine polykristalline Siliziumschicht 40 (im folgenden auch als "Polysilizium" oder "Poly"-Schicht bezeichnet) wurde abgeschieden und liegt über dem Substrat 35 und kontaktiert die Kontaktfläche 30 des Substrats 35. Die Polyschicht 40 wurde dotiert und mit einer Fotomaske (nicht dargestellt) strukturiert, um eine Speicherknotenplatte oder eine erste Elektrode des erfindungsgemäßen Kondensators zu bilden.
- In Fig. 2 ist eine dielektrische Schicht 45, vorzugsweise Tantaloxid, abgeschieden und überliegt die polykristalline Siliziumschicht 40.
- In Fig. 3 ist eine Wolframnitridschicht 50 konform durch chemische Dampfabscheidung in einer Abscheidekammer abgeschieden, um über der dielektrischen Schicht 45 zu liegen, wodurch eine zweite Elektrode des Speicherkondensators gebildet wird. Während der chemischen Dampfabscheidung wird ein Quellengas mit zumindest einer Wolframquelle wie Wolframhexafluorid, das mit Ammoniak kombiniert ist, mit Trägergasen kombiniert, die Argon, Wasserstoff, Stickstoff oder andere Gase umfassen können. Andere Wolframquellen wie Wolframcarbonyl können verwendet werden. Die Quellengase umfassen auch ein auf Silizium basierendes Gas wie Silan, organisches Silan oder eine Verbindung, die eine Mehrfachordnung von Silan ist, beispielsweise Disilan und Trisilan. Das Quellengas wird auf einem Druck gehalten, der chemische Dampfabscheidung durchführt, typischerweise innerhalb des Druckbereiches zwischen 13 Pa und 13 kPa (0,1 und 100 Torr), einschließlich der Endpunkte. Die Temperatur des Abscheidesubstrats wird auf 300ºC gehalten, obwohl andere Temperaturen verwendet werden können. Die Temperatur der Abscheidekammerwände wird auf einer Temperatur gehalten, die die Aduktbildung minimiert; in diesem Ausführungsbeispiel werden die Wände auf einer Temperatur gehalten, die größer ist als 25ºC, obwohl andere Temperaturen, die geringer sind als die Temperatur des Abscheidesubstrats, die Aduktbildung minimieren. In einem Ausführungsbeispiel umfaßt das Quellengag Wolframhexafluorid, Ammoniak, Argon und Wasserstoff. In diesem Fall haben während der Abscheidung der Wolframnitridschicht 20 das Wolframhexafluorid, das Ammoniak, das Argon und der Wasserstoff Flußraten von 50 sccm, 150 sccm, 80 sccm bzw. 80 sccm. Wenn Silan der Quellengasmischung zugefügt wird, ist die Flußrate des Silans gleich 4 sccm, was 1,098% der Gesamtflußrate der Quellengasmischung mit dem zugefügten Silan ist.
- In einem Kondensator und bei anderen Anwendungen vermindert der Zusatz von Silan zu dem Quellengas das Eindringen in jedes siliziumbasiernde Material, das dem Wolframnitrid ausgesetzt ist, verbessert die Anhaftung des Wolframnitrids an seiner unterliegenden Schicht und reduziert den Volumenwiderstand des Wolframnitrids. Für die meisten Anwendungen sollte die Flußrate des Silans oder anderer auf Silizium basierender Gase innerhalb des Bereichs von 0,5% bis 5% der Gesamtflußrate des Quellengases, das das auf Silizium basierende Gas enthält, fallen, obwohl auch Flußraten von 0,1% bis 5% der Gesamtflußrate verwendet werden können.
- Es ist möglich, die erste Elektrode des Kondensators unter Einsatz des Wolframnitrids zu bilden, wenn es gemäß dem oben beschriebenen Verfahren abgeschieden wird. Es ist auch denkbar, daß nur die erste Elektrode Wolframnitrid ist. In diesem Fall kann die zweite Elektrode, die über dem Dielektrikum liegt, aus anderem Material wie Polysilizium bestehen.
- In einem Ausführungsbeispiel wird die chemische Dampfabscheidung von Wolframnitrid unter Einsatz eines Quellengases, das Silan enthält, verwendet, um ein Durchgangsloch mit Wolframnitrid 100 zu füllen, vgl. 4A. Fig. 4B zeigt den Wolframnitridkontaktstopfen 105 nach chemisch-mechanischem Polieren der Wolframnitridschicht 100, die in Fig. 4A dargestellt ist. Der Kontaktstopfen 105 kontaktiert die leitende Schicht 106.
- Alternativ kann das Wolframnitrid unter Einsatz eines Quellengases, das Silan enthält, abgeschieden werden, wobei das abgeschiedene Wolframnitrid nicht das Durchgangsloch füllt, sondern stattdessen das Durchgangsloch auskleidet, wodurch ein Sperrenmaterial gebildet wird. In diesem Fall wird Wolfram abgeschieden, um die Teile des Durchgangslochs zu füllen, die nicht von Wolframnitrid gefüllt sind.
- In einem weiteren Ausführungsbeispiel, das in Fig. 5 dargestellt ist, wird die chemische Dampfabscheidung von Wolframnitrid aus einem Abscheidungsgas, das Silan enthält, in Feldeffekttransistoranwendungen eingesetzt, um eine Wolframnitridsperrschicht 130 zu bilden, die zwischen eine Wolframschicht und eine polykristallinen Siliziumschicht 140 eingefügt ist. In diesem Fall werden freiliegende Teile des Wolframnitrids 130, der Wolframschicht 135 und der polykristallinen Siliziumschicht 140 in unstrukturierten Bereichen entfernt, um eine Gateelektrode zu bilden, die über einem Substrat 150 liegt, und Gateoxid 160 von maskierten Teilen des Wolframnitrids 130, der Wolframschicht 135 und der polykristallinen Siliziumschicht 140. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird keine polykristalline Siliziumschicht 140 gebildet, und die Gateelektrode enthält das Wolframnitrid 130 und die Wolframschicht 135.
- Obwohl spezielle Ausführungsbeispiele beschrieben wurden, soll die Erfindung nur als durch die Ansprüche beschränkt gelesen werden.
Claims (14)
1. Verfahren zum Bilden einer Schicht aus Wolframnitrid, die
Silizium enthält, auf einem Substrat unter Einsatz von
chemischer Dampfabscheidung (CVD), wobei das Verfahren aufweist:
Vorsehen eines Substrats in einer Kammer,
Zuführen einer Quellengasmischung an die Kammer, die
Wolfram und Stickstoff aufweist und in der Lage ist,
Wolframnitrid abzuscheiden, wobei die Quellengasmischung ferner ein
Silizium enthaltendes Gas aufweist,
Anlegen einer Temperatur an das Substrat,
Anlegen von Druck an die Quellengasmischung zum
Abscheiden der Wolframnitridschicht, die Silizium enthält, auf dem
Substrat, und
Einstellen einer Flußrate des Silizium enthaltenden Gases
innerhalb eines Bereichs von 0,1% bis 5% der Gesamtflußrate
der Quellengasmischung, die in die Kammer eingebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner dem Schritt des Haltens der Temperatur einer
Innenwand der Kammer auf einer Temperatur von mehr als 25ºC.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
mit weiterhin dem Schritt des Haltens der Temperatur der
Innenwand der Kammer auf einer Temperatur, die die Bildung
eines Adduktes aus Wolfram- und Stickstoffverbindungen, die in
der Quellengasmischung enthalten sind, minimiert.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
mit weiterhin dem Schritt des Auffüllens eines
Durchgangslochs während des Schritts des Abscheidens des
Wolframnitrids, das Silizium enthält, zur Ausbildung eines
elektrischen Kontaktes in dem Durchgangsloch.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner:
Auskleiden von Seiten eines Durchgangsloches während des
Schritts des Abscheidens der Schicht aus Wolframnitrid, die
Silizium enthält, und
Auffüllen von verbleibenden Teilen des Durchgangslochs
mit Wolfram.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner der Ausbildung der Schicht aus Wolframnitrid, die
Silizium enthält, zwischen einer Polysiliziumschicht und
einer Wolframschicht.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
mit ferner dem Strukturieren der Polysiliziumschicht, der
Silizium enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid und der
Wolframschicht und Entfernen unmaskierter Teile der
Polysiliziumschicht, der Silizium enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid
und der Wolframschicht, um eine Gateelektrode zu bilden.
8. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei das Verfahren ferner das Einstellen einer Flußrate des
Silizium enthaltenden Gases aufweist, um in einem Bereich von
0,5% bis 5% der Gesamtflußrate der Quellengasmischung zu
sein, die in die Kammer eingeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner:
Bilden einer ersten Kondensatorelektrodenschicht, die
über dem Substrat liegt,
Bilden einer dielektrischen Schicht, die über der ersten
Kondensatorelektrodenschicht liegt,
Abscheiden der Schicht aus Silizium enthaltenden
Wolframnitrid, um über der dielektrischen Schicht zu liegen, und
Bilden einer zweiten Kondensatorelektrode aus der
Silizium enthaltenden Schicht von Wolframnitrid.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die dielektrische Schicht aus Tantaloxid gebildet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei die Silizium enthaltende Quellengasmischung Silan
aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner:
Abscheiden der Silizium enthaltenden Schicht aus
Wolframnitrid,
Strukturieren der Silizium enthaltenden Schicht aus
Wolframnitrid, um eine Kondensatorelektrode zu definieren, und
Entfernen von unmaskierten Teilen der Silizium
enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid, wobei der verbleibende Teil
der Silizium enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid die
Kondensatorelektrode bildet.
13. Verfahren nach Anspruch 1,
mit ferner:
Abscheiden der Silizium enthaltenden Schicht aus
Wolframnitrid, Strukturieren der Silizium enthaltenden Schicht aus
Wolframnitrid, um eine Gateelektrode zu definieren, und
Entfernen unmaskierter Teile der Silizium enthaltenden
Schicht aus Wolframnitrid, wobei der verbleibende Teil der
Silizium enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid zumindest
einen Teil der Gateelektrode bildet.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
mit ferner:
Ausbilden einer Schicht aus Polysilizium, die über dem
Substrat liegt, vor der Abscheidung der Silizium enthaltenden
Schicht aus Wolframnitrid,
Bilden einer Schicht aus Wolfram, die über der Silizium
enthaltenden Schicht aus Wolframnitrid liegt,
Strukturieren der Schicht aus Polysilizium und der
Schicht aus Wolfram, um die Gateelektrode zu definieren, und
Entfernen unmaskierter Teile der Schicht aus Wolfram und
der Schicht aus Polysilizium gemäß eines Musters, das während
des Strukturierens definiert wurde, wobei die verbleibenden
Teile der Schicht aus Wolfram und der Schicht aus
Polysilizium weitere Teile der Gateelektrode bilden.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34864694A | 1994-11-30 | 1994-11-30 | |
| PCT/US1995/015559 WO1996017104A1 (en) | 1994-11-30 | 1995-11-30 | A method of depositing tungsten nitride using a source gas comprising silicon |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69517158D1 DE69517158D1 (de) | 2000-06-29 |
| DE69517158T2 true DE69517158T2 (de) | 2001-01-25 |
Family
ID=23368940
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69517158T Expired - Lifetime DE69517158T2 (de) | 1994-11-30 | 1995-11-30 | Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gases |
| DE69531170T Expired - Lifetime DE69531170T2 (de) | 1994-11-30 | 1995-11-30 | Unebener Halbleiter-Speicherkondensator |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69531170T Expired - Lifetime DE69531170T2 (de) | 1994-11-30 | 1995-11-30 | Unebener Halbleiter-Speicherkondensator |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5691235A (de) |
| EP (2) | EP0742847B1 (de) |
| JP (1) | JPH09509288A (de) |
| KR (1) | KR100247455B1 (de) |
| AT (1) | ATE193335T1 (de) |
| AU (1) | AU4290396A (de) |
| DE (2) | DE69517158T2 (de) |
| WO (1) | WO1996017104A1 (de) |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI119941B (fi) * | 1999-10-15 | 2009-05-15 | Asm Int | Menetelmä nanolaminaattien valmistamiseksi |
| FI118158B (sv) * | 1999-10-15 | 2007-07-31 | Asm Int | Förfarande för modifiering av utgångsämneskemikalierna i en ALD-prosess |
| FI117944B (fi) | 1999-10-15 | 2007-04-30 | Asm Int | Menetelmä siirtymämetallinitridiohutkalvojen kasvattamiseksi |
| DE69517158T2 (de) * | 1994-11-30 | 2001-01-25 | Micron Technology, Inc. | Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gases |
| US5719071A (en) * | 1995-12-22 | 1998-02-17 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method of forming a landing pad sturcture in an integrated circuit |
| TW365685B (en) * | 1996-10-31 | 1999-08-01 | Texas Instruments Inc | Low-temperature processes for depositing barrier films containing tungsten and nitrogen |
| EP0841690B1 (de) * | 1996-11-12 | 2006-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Herstellungsverfahren für eine Wolframnitridschicht und metallische Leiterbahnen |
| US5888588A (en) * | 1997-03-31 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
| US6309713B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten nitride by plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US7829144B2 (en) | 1997-11-05 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a metal film for electrode |
| JPH11195621A (ja) | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Tokyo Electron Ltd | バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法 |
| US6861356B2 (en) | 1997-11-05 | 2005-03-01 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a barrier film and method of forming wiring structure and electrodes of semiconductor device having a barrier film |
| KR100465605B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의제조방법 |
| US6211082B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition of tungsten using nitrogen-containing gas |
| US6004843A (en) * | 1998-05-07 | 1999-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process for integrating a MOS logic device and a MOS memory device on a single semiconductor chip |
| US6218288B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Multiple step methods for forming conformal layers |
| US5923988A (en) * | 1998-05-15 | 1999-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two step thermal treatment procedure applied to polycide structures deposited using dichlorosilane as a reactant |
| US6399484B1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device fabricating method and system for carrying out the same |
| WO2000047404A1 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Gelest, Inc. | Chemical vapor deposition of tungsten nitride |
| US6342417B2 (en) * | 1999-02-16 | 2002-01-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming materials comprising tungsten and nitrogen |
| KR100773280B1 (ko) | 1999-02-17 | 2007-11-05 | 가부시키가이샤 알박 | 배리어막제조방법및배리어막 |
| US6531713B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
| TW444257B (en) * | 1999-04-12 | 2001-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US6309964B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming a copper damascene structure over tungsten plugs with improved adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier properties using nitridation of the tungsten plug |
| JP2001035808A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
| US6313033B1 (en) * | 1999-07-27 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Ionized metal plasma Ta, TaNx, W, and WNx liners for gate electrode applications |
| US6635570B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-10-21 | Carl J. Galewski | PECVD and CVD processes for WNx deposition |
| US6902763B1 (en) | 1999-10-15 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| JP4571278B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI286338B (en) * | 2000-05-12 | 2007-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100593146B1 (ko) * | 2000-06-20 | 2006-06-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| FI109770B (fi) | 2001-03-16 | 2002-10-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US20020190379A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-12-19 | Applied Materials, Inc. | W-CVD with fluorine-free tungsten nucleation |
| JP4467229B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2010-05-26 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | 半導体素子の製造方法 |
| WO2003025243A2 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Asm International N.V. | Metal nitride deposition by ald using gettering reactant |
| DE10200838A1 (de) * | 2002-01-11 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kondensators |
| US20030140857A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for low pressure CVD deposition of tungsten and tungsten nitride |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US20030221616A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetically-actuatable throttle valve |
| KR20050028015A (ko) * | 2002-07-12 | 2005-03-21 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 텅스텐 질소화물의 증기 증착 |
| TW200424343A (en) * | 2002-09-05 | 2004-11-16 | Asml Us Inc | Low temperature deposition of silicon based thin films by single-wafer hot-wall rapid thermal chemical vapor deposition |
| KR100465093B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2005-01-05 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US6863725B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a Ta2O5 comprising layer |
| US7230292B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Stud electrode and process for making same |
| US7405143B2 (en) * | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Asm International N.V. | Method for fabricating a seed layer |
| TWI283006B (en) * | 2004-08-31 | 2007-06-21 | Hynix Semiconductor Inc | Method for forming tungsten nitride film |
| US8993055B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US8268409B2 (en) * | 2006-10-25 | 2012-09-18 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition of metal carbide films |
| US7611751B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| KR20080055159A (ko) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US7598170B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| US7595270B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Passivated stoichiometric metal nitride films |
| US7713874B2 (en) * | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| US8017182B2 (en) * | 2007-06-21 | 2011-09-13 | Asm International N.V. | Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD |
| JP2007251211A (ja) * | 2007-06-21 | 2007-09-27 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜製造方法、及びバリア膜 |
| US7638170B2 (en) | 2007-06-21 | 2009-12-29 | Asm International N.V. | Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition |
| JP5551681B2 (ja) | 2008-04-16 | 2014-07-16 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | アルミニウム炭化水素化合物を使用する金属炭化物膜の原子層堆積 |
| US7666474B2 (en) | 2008-05-07 | 2010-02-23 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films |
| JP5809152B2 (ja) | 2009-10-20 | 2015-11-10 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． | 誘電体膜をパッシベーションする方法 |
| JP2011166160A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 積層膜の形成方法 |
| US9412602B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US9394609B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US10002936B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-06-19 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| US10186420B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of silicon-containing thin films |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| TWI778118B (zh) * | 2017-09-05 | 2022-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 來自次氧化物的自對準結構 |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550304A (en) | 1978-10-11 | 1980-04-12 | Yoshida Kogyo Kk | Fastener chain and production |
| JPH0763060B2 (ja) * | 1984-03-15 | 1995-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE3709066A1 (de) | 1986-03-31 | 1987-10-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen |
| JPH081950B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US4884123A (en) * | 1987-02-19 | 1989-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material |
| US4960732A (en) * | 1987-02-19 | 1990-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material |
| US4974056A (en) * | 1987-05-22 | 1990-11-27 | International Business Machines Corporation | Stacked metal silicide gate structure with barrier |
| US4774201A (en) * | 1988-01-07 | 1988-09-27 | Intel Corporation | Tungsten-silicide reoxidation technique using a CVD oxide cap |
| JP2624736B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US4847111A (en) * | 1988-06-30 | 1989-07-11 | Hughes Aircraft Company | Plasma-nitridated self-aligned tungsten system for VLSI interconnections |
| JPH02177427A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02257618A (ja) | 1989-03-29 | 1990-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5250453A (en) * | 1989-04-12 | 1993-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Production method of a semiconductor device |
| JPH03157965A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5238872A (en) * | 1990-12-11 | 1993-08-24 | Samsung Semiconductor, Inc. | Barrier metal contact architecture |
| KR100215338B1 (ko) * | 1991-03-06 | 1999-08-16 | 가나이 쓰도무 | 반도체 장치의 제조방법 |
| JP2764472B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1998-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体の成膜方法 |
| US5124780A (en) * | 1991-06-10 | 1992-06-23 | Micron Technology, Inc. | Conductive contact plug and a method of forming a conductive contact plug in an integrated circuit using laser planarization |
| JPH04369861A (ja) * | 1991-06-19 | 1992-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体集積回路用容量素子の製造方法 |
| KR930011538B1 (ko) | 1991-07-16 | 1993-12-10 | 한국과학기술연구원 | 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법 |
| US5168073A (en) * | 1991-10-31 | 1992-12-01 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating storage node capacitor having tungsten and etched tin storage node capacitor plate |
| US5192703A (en) * | 1991-10-31 | 1993-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method of making tungsten contact core stack capacitor |
| JPH05129231A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 電極配線 |
| US5150276A (en) * | 1992-01-24 | 1992-09-22 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a vertical parallel cell capacitor having a storage node capacitor plate comprising a center fin effecting electrical communication between itself and parallel annular rings |
| JPH05226282A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Nec Corp | タングステン膜の形成方法 |
| JPH05236282A (ja) | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 画像データ復元装置 |
| JPH06232181A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法 |
| JP3242732B2 (ja) * | 1993-03-17 | 2001-12-25 | 沖電気工業株式会社 | キャパシタ |
| US5341016A (en) * | 1993-06-16 | 1994-08-23 | Micron Semiconductor, Inc. | Low resistance device element and interconnection structure |
| DE69517158T2 (de) * | 1994-11-30 | 2001-01-25 | Micron Technology, Inc. | Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gases |
| JP3220034B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2001-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5888588A (en) * | 1997-03-31 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
-
1995
- 1995-11-30 DE DE69517158T patent/DE69517158T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 AT AT95941502T patent/ATE193335T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-11-30 EP EP95941502A patent/EP0742847B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 EP EP99122507A patent/EP0982772B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 JP JP8519053A patent/JPH09509288A/ja not_active Ceased
- 1995-11-30 AU AU42903/96A patent/AU4290396A/en not_active Abandoned
- 1995-11-30 WO PCT/US1995/015559 patent/WO1996017104A1/en active IP Right Grant
- 1995-11-30 KR KR1019960704094A patent/KR100247455B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-30 DE DE69531170T patent/DE69531170T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-12 US US08/667,907 patent/US5691235A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-25 US US08/977,800 patent/US6429086B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-28 US US09/537,238 patent/US6472323B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-05 US US10/004,714 patent/US6730954B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0742847B1 (de) | 2000-05-24 |
| EP0982772B1 (de) | 2003-06-25 |
| DE69531170D1 (de) | 2003-07-31 |
| ATE193335T1 (de) | 2000-06-15 |
| KR100247455B1 (ko) | 2000-04-01 |
| EP0982772A1 (de) | 2000-03-01 |
| WO1996017104A1 (en) | 1996-06-06 |
| US5691235A (en) | 1997-11-25 |
| US6429086B1 (en) | 2002-08-06 |
| DE69531170T2 (de) | 2004-05-06 |
| US20020045322A1 (en) | 2002-04-18 |
| AU4290396A (en) | 1996-06-19 |
| JPH09509288A (ja) | 1997-09-16 |
| US6730954B2 (en) | 2004-05-04 |
| US6472323B1 (en) | 2002-10-29 |
| DE69517158D1 (de) | 2000-06-29 |
| EP0742847A1 (de) | 1996-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69517158T2 (de) | Verfahren zum auftragen von wolframnitrid unter verwendung eines silicium enthaltenden gases | |
| DE69635953T2 (de) | VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER Ta205 DIELEKTRISCHEN SCHICHT | |
| US8088659B2 (en) | Method of forming capacitors | |
| DE69220529T2 (de) | Stapel-Kondensator und Methode zu seiner Herstellung | |
| DE69116058T2 (de) | Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen | |
| DE69833140T2 (de) | Abscheidung einer Diffusionsbarriereschicht | |
| DE3856528T2 (de) | Dynamisches Speicherbauteil mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69503532T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE10361829B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE60023573T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit Tantalpentoxid in einem integrierten Schaltkreis | |
| DE69125323T2 (de) | Verfahren zum Herstellen isolierender Filme, Kapazitäten und Halbleiteranordnungen | |
| EP0825638B1 (de) | Verfahren zur Herstellung feiner Strukturen | |
| DE10136400A1 (de) | Grabenkondensator einer Halbleiter-Speicherzelle mit einer ein Metallkarbid enthaltenden oberen Kondensatorelektrode | |
| DE10320029A1 (de) | Grabenfüllung mit niedrigem spezifischem Widerstand zur Verwendung in DRAM- und eDRAM-Speichern | |
| DE68928873T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem Verbundungsleiter, der in einer Schutzschicht auf der integriertere Halbleiterschaltung eingebettet ist | |
| DE60219635T2 (de) | Methoden zur Herstellung von Kondensatorelektroden und Kondensatorkonstruktionen | |
| DE69322024T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines leitenden Kontakts auf einem Halbleiterkörper | |
| DE69025252T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer abgeschiedenen Schicht und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| EP0510349B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors | |
| EP0936678B1 (de) | Schaltungsanordnung mit mindestens einem Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE3702409A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektrischen widerstandes in einem halbleiterbaustein | |
| DE3883185T2 (de) | Methode zur Ausbildung eines Brückenkontaktes zwischen Gebieten, die durch ein dünnes Dielektrikum getrennt sind. | |
| DE10145960A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem mehrschichtigen WSi¶x¶-Film mit einer Struktur mit geringer Korngröße und eine Halbleitervorrichtung mit einer Polysiliciumschicht mit einem darauf ausgebildeten mehrschichtigen WSi¶x¶-Film | |
| DE102004004864B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur und Gate-Struktur für einen Transistor | |
| DE3707195A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterspeicherelements |