DE69232451T2 - Verfahren zur Herstellung einer Anordung mit einem Diamant-Metall Übergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Anordung mit einem Diamant-Metall Übergang

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Produkts mit einer Diamant-Metall-Verbindung, in dem ein Diamanthalbleiter und ein Metall durch einen ohmschen Übergang vereinigt sind.
    • BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
  • Im allgemeinen hat Diamant eine breite Bandlücke von etwa 5,5 eV und eine große Ladungsträgerbeweglichkeit (1800 cm²/V·S für Elektronen und 1600 cm²/V·S für Löcher), sowie eine große thermische Leitfähigkeit von etwa 20 W/cm·k. Zusätzlich zeigt Diamant einen sehr hohen Härtegrad, und deshalb eine überragende Verschleißbeständigkeit. Somit besitzt Diamant verschiedene vorteilhafte Eigenschaften, die niemals von anderen Materialien geboten werden können.
  • In den letzten Jahren wurde ein beachtlicher Fortschritt in der Technik für die Synthetisierung von Diamant aus Gasphasen erreicht und es ist jetzt möglich, ein Diamantfilm durch chemisches Aufdampfen (CVD) zu erzeugen.
  • Es wurden auch Studien durchgeführt, um eine Technik für die Herstellung von Halbleitern durch Dotieren von Diamantkristallen mit Verunreinigungen zu entwickeln. Shiomi et al. berichtete, dass ein Feldeffektttansistor durch Erzeugung eines Bor als eine Verunreinigung enthaltenden Diamantfilms auf einem künstlichen Diamantsubstrat durch eine Aufdampfsynthesetechnik und anschließender Erzeugung von Schottky-Metallübergängen und ohmschen Metallübergängen hergestellt werden kann.
  • Bis jetzt ist es jedoch schwierig gewesen, Metallelektroden auf Diamantkristallen durch Diamant- Metall-Verbindungen mit einem hohen Grad an Reproduzierbarkeit der Eigenschaften des Produkts zu erzeugen. Die Eigenschaften des Werkstoff für eine Diamant-Metall-Verbindung variieren in hohem Maße entsprechend solchen Faktoren, wie die Bedingungen für die Erzeugung des Diamants, die Bedingungen der Behandlung nach der Erzeugung des Diamants und die Verfahren zur Herstellung der Elektroden.
  • Ob die Art von erzeugtem Übergang ein ohmscher Übergang oder ein Schottky-Übergang ist, hängt zum Beispiel davon ab, ob ein Methan-Wasserstoffgas oder ein Kohlenstoffmonoxid-Wasserstoffgas als das Materialgas zur Erzeugung des Diamants verwendet wird. Es ist auch bekannt, dass ein eine ohmsche Natur aufweisender Metallübergang in einen eine Schottky-Natur aufweisenden Metallübergang umgewandelt wird, wenn ein Diamantkristall mit einer Chromsäure-Mischlösung geschrubbt wird. Die Eigenschaften weichen auch in hohem Maße in Abhängigkeit davon ab, ob die Metallelektrode erzeugt wird, um eine Punktleitung oder eine Bedampfungsabscheidung auf die Diamantschicht herzustellen.
  • So ist es schwierig gewesen, ein Metallelektroden enthaltendes Produkt durch eine Diamant-Metall-Verbindung mit einem hohen Grad an Reproduzierbarkeit zu erreichen.
  • Außerdem offenbart die JP-A-3058 481 ein eine Graphitschicht enthaltendes Diamantprodukt, die durch Behandlung einer Oberfläche des Diamant mittels RF- Glimmentladung und Ionenimplantation erhalten wird.
  • Zusätzlich offenbart die JP-A-2034 979 ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiamantschicht auf einem Siliziumsubstrat durch nacheinanderfolgende Änderung einer Bedingung durch Erhöhung der Gaskonzentration wie Methan oder CO und Steigerung der Temperatur des Siliziumsubstrats und Erzeugung eines amorphen Kohlenstoffs oder einer Graphitschicht auf der Oberfläche der Halbleiterschicht.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren für die Herstellung eines ausgezeichnete ohmsche Eigenschaften aufweisenden Produkts mit einer Diamant-Metall-Verbindung vorzusehen.
  • Eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren für die Herstellung von ohmschen Übergangselektroden mit einen hohen Grad an Reproduzierbarkeit vorzusehen.
  • Eine dritte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Produkt mit einer Diamant-Metall-Verbindung vorzusehen, in dem ein ohmscher Übergang zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer Metallschicht durch das Dazwischenbringen einer Graphitschicht mit einer Dicke von wenigstens 1,2 nm (12 Å) hergestellt wird.
  • Eine vierte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Diamantprodukt vorzusehen, das eine stabilisierte, auf einer Diamantschicht erzeugten äußere Graphitoberfläche umfasst, wobei die äußere Graphitoberfläche eine Dicke von wenigstens 1,2 nm (12 Å) hat.
  • Eine fünfte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Diamantprodukt vorzusehen, das eine halbleitende Diamantschicht umfasst, die einen äußeren Graphitoberflächenbereich in Verbindung mit einer Metallelektrode hat, um einen ohmschen Übergang mit der Elektrode zu erzeugen, wobei der äußere Oberflächenbereich eine Dicke von wenigstens etwa 1,2 nm (12 Å) hat.
  • Entsprechend Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung werden die obigen Aufgaben durch ein Verfahren zur Herstellung eines eine Diamantschicht und eine Metallschicht umfassenden Diamantprodukts erreicht, wobei eine eine Dicke von wenigstens 1,2 nm aufweisende stabilisierte äußere Graphitoberflächenschicht auf der Diamantschicht erzeugt wird, umfassend die Schritte der Herstellung der Diamantenschicht auf einem Substrat unter Verwendung eines kohlenstoffhaltigen Gases und die Herstellung der Graphitoberflächenschicht durch Steigerung der Konzentration der Kohlenstoffquelle auf 1, 2% oder höher hinsichtlich des kohlenstoffhaltigen Gases, und Steigerung der Substrattemperatur in einer letzten Stufe der Herstellung der Diamantenschicht.
  • Außerdem werden die obigen Aufgaben durch ein Verfahren für die Herstellung eines Produkt mit einer Diamant-Metall-Verbindung mit einem einen äußeren Graphitoberflächenbereich in Verbindung mit einer Metallelektrode aus einer halbleitenden Diamantschicht erreicht, um einen ohmschen Übergang mit der Metallelektrode zu erzeugen, umfassend die Verfahrensschritte zur Herstellung eines Diamantprodukts, wie vorstehend definiert, und den Schritt der Herstellung der Metallelektrode auf der Graphitoberfläche.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1A ist eine Abbildung von einer Diamantschicht mit einer äußeren Graphitschicht,
  • Fig. 1B ist eine Abbildung einer Diamantschicht mit einer äußeren Graphitoberfläche in Verbindung mit einer Metallelektrode;
  • Fig. 1C ist eine Abbildung einer Diamantschicht mit einer äußeren Graphitoberfläche in Verbindung mit einer Metallelektrode, wobei die Diamantschicht durch ein Substrat gestützt wird;
  • Fig. 2 ist eine schematische Abbildung eines Diamantherstellungsgeräts, geeignet zur Verwendung in der Herstellung einer Diamantschicht eines Produkts einer Diamant-Metall-VErbindung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 3 ist eine schematische Abbildung eines Verfahrens, um ohmsche Übergangseigenschaften zu messen; und
  • Fig. 4 ist ein Graph, der die I-V-Eigenschaften eines Produkts einer Diamant-Metall-Verbindung nicht entsprechend der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Durch eine intensive Studie haben die Erfinder gefunden, dass die Metallverbindungseigenschaften weitgehend durch den Zustand der Oberfläche der Diamantschicht geleitet werden, zum Beispiel, der auf der Diamantoberfläche adsorbierte Molekularkern. Die Erfinder haben gefunden, dass die Erzeugung eines Produkts mit einer Diamant-Metall-Verbindung am besten mit der Stabilisierung des Zustands der Diamantobetfläche erreicht wird. Mit diesem Wissen haben die Erfinder Versuche durchgeführt, um Bedingungen für die Stabilisierung der Diamantoberfläche zu erforschen und fanden, dass eine überragende ohmsche Übergangseigenschaft mit einem hohen Grad an Reproduzierbarkeit erhalten werden kann, wenn ein Graphitbereich auf der Oberfläche der Diamantschicht hergestellt wird.
  • Durch Herstellung einer Graphitschicht von etwa 1,2 nm (12Å) oder stärker ist es möglich, den Einfluss des auf der Diamantoberfläche adsorbierten Kerns zu verringern, und somit den Zustand der Diamantschichtoberfläche zu stabilisieren. Der Grund, weshalb eine solche Stabilisierung erzielt wird, wurde theoretisch noch nicht bestimmt. Es wird jedoch angenommen, dass diese vorteilhaften Effekte der Tatsache zu verdanken sind, dass die metallische Eigenschaften besitzende Graphitschicht direkt auf die Diamantschichtoberfläche, ohne dass jegliches dazwischenliegt, hergestellt werden kann, weil beide, Graphit und Diamant, Kohlenstoffatome beinhalten. Vergleichsweise einen hohen spezifischen Widerstand aufweisender amorpher Kohlenstoff ist für die Verwendung als Übergangsschicht in dem Produkt mit einer Diamant- Metall-Verbindung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht geeignet und eine Graphitschicht, die einen niedrigen spezifischen Widerstand hat, wird bevorzugt als Übergangsschicht verwendet. Eine Unterscheidung zwischen Diamantkristallen, Graphitkristallen und amorphem Kohlenstoff ist durch verschiedene Verfahren möglich, wie Beobachtung von Gitterbilder durch ein Elektronenmikroskop oder eine Elektronenstrahlbeugung. Eine Unterscheidung ist auch durch Spektralanalyse des Valenzbandes zu unterscheiden, wie durch Verwendung von XPS (Röntgenstrahlphotoelektronen-Spektroskopie) oder ELS (Energieverlust-Spektroskopie) möglich.
  • Die Dicke einer Graphitschicht beträgt etwa 1,2 nm (12 Å) oder größer, bevorzugt etwa 1,5 bis 50 nm (15 bis 500 Å), und insbesondere bevorzugt etwa 2 bis 10 nm (20- 100 Å). Es ist nicht immer notwendig, dass die Graphitschicht einheitlich über die ganze Fläche der Diamantschicht ausgebildet wird. Wenn die Stärke der Graphitschicht entsprechend der Lage schwankt, ist es bevorzugt, dass die durchschnittliche Dicke in den oben angegebenen Bereich fällt. Somit kann die Graphitschicht nur auf eine Fläche, auf der eine Metallelektrode ausgebildet werden soll, ausgebildet werden. Der vorstehend beschriebene Effekt der Graphitschicht für die Stabilisierung des Zustands der Diamantschichtoberfläche ist nicht gesichert, falls die Stärke der Graphitschicht etwa 1 nm (10 Å) oder weniger beträgt, und ist gesättigt, falls die Graphitschichtdicke über 50 nm (500 Å) gesteigert wird.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird die Graphitschicht durch Steigerung der Konzentration der Kohlenstoffquelle und Substrattemperatur in der letzten Stufe der Diamantsynthese erzeugt. Falls die Graphitschicht durch Steigerung der Konzertration der Kohlenstoffquelle und Substrattemperatur in der letzten Stufe der Diamantsynthese herstellt wird, ist die gesteigerte Konzentration der Kohlenstoffquelle 1, 2% oder höher hinsichtlich des kohlenstoffhaltigen Gases, zum Beispiel Methan, und die gesteigerte Substrattemperatur ist zum Beispiel 1000ºC oder höher.
  • Die Graphitschicht ist ein Bereich des Graphits, der die äußere Oberfläche der Diamantschicht ausbildet. Die Graphitschicht kann ein Bereich des vorstehend hergestellten Graphit sein. Weiterhin kann eine getrennte Graphitschicht durch herkömmliche Verfahren auf die Diamantschicht erzeugt werden, wie durch chemisches Dampfabscheiden einer Graphitschicht auf die Diamantschicht oder durch Verbinden oder Laminieren einer Graphitschicht auf die Diamantschicht, um eine Graphitoberfläche auf der Diamantoberfläche auszubilden.
  • In dieser Beschreibung wird der Ausdruck "Metall" im allgemeinen verwendet, um Metall oder Legierungen, verwendbar als das Material der ohmschen Elektroden abzudecken, es sei denn, es ist anders aufgeführt. Genauer gesagt beinhalten solche Metalle Pt, Au, Ag, Cu, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Cr, Mo, Mn, W, Sn, Zn, Ta, Al, Si, Fe, Co, Ni und andere Metalle, Legierungen solcher Metalle, sowie deren Carbide, Sulfide und Boride.
  • Die Elektrode kann durch eine bekannte Technik so wie Vakuumverdampfung, Sputtern und so weiter hergestellt werden.
  • Fig. 1A zeigt eine Diamantschicht 12 mit einem äußeren Oberflächenbereich oder einer Schicht aus Graphit 16. Fig. 1B zeigt die Diamantschicht 12 mit einem äußeren Oberflächenbereich oder eine Schicht aus Graphit 16 in Verbindung mit einer Metallelektrode 14. Fig. 1C zeigt die Diamantschicht 12 mit einem äußeren Bereich oder einer Schicht aus Graphit 16 in Verbindung mit der Metallelektrode 14, wobei die Diamantschicht 12 durch das Substrat 11 überlagert ist.
  • Die Gasphasensynthese von Diamant wird bevorzugt aber nicht ausschließlich, durch CVD (chemische Dampfabscheidung) durchgeführt. Fig. 2 zeigt ein CVD- Gerät, das in einer geeigneter Weise zur Erzeugung von Diamant eingesetzt wird. Das Gerät besitzt ein Quarzreaktionsrohr 1, eine Heizvorrichtung 2 und einen Wolframheizfaden 3. Bezugsziffer 4 bezeichnet ein Siliziumsubstrat. Das Quarzreaktionsrohr 1 hat einen Gaseinlassanschluss 5 und einen Auslassanschluss 6, der an der Evakuierungsvorrichtung und an ein Druckeinstellungsventil, die nicht gezeigt sind, verbunden ist. Das Materialgas für die Herstellung eines Diamantkristalles kann ein Kohlenwasserstoffgas wie Methan oder Ethan oder ein durch Erwärmen einer flüssigen organischen Verbindung, wie Alkohol und Aceton erhaltenes Gas sein. Das Materialgas kann, wenn es in das Reaktionsrohr eingeführt wird, falls erforderlich mit Wasserstoff oder Sauerstoff verdünnt werden. Um einen Halbleiterdiamanten herzustellen, wird eine Bor- Phosphor-, Stickstoff- oder Lithium-haltige Verbindung dem Material zugegeben. Das Material, das eine solche Verbindung enthält, wird durch die Wärme des auf etwa 2000ºC geheizten Heizfadens 3 zersetzt, so dass Diamantkristalle auf dem Substrat erzeugt werden. Das beschriebene Verfahren zur Herstellung von Diamant ist jedoch nicht exklusiv und verschiedene andere Verfahren können eingesetzt werden, wie Mikrowellenplasma-CVD. Radiofrequenzplasma-CVD, Gleichstrom (DC)-Plasma-CVD, Feldmikrowellenplasma-CVD und Verfahren mit brennender Flamme.
  • Beispiele der Herstellung eines Produkts mit einer Diamant-Metall-Verbindung gemäß der vorliegenden Erfindung sind nachstehend gezeigt.
    • Einleitendes Beispiel 1
  • Ein Halbleiterdiamant wurde durch Verwendung des in Fig. 2 gezeigten Geräts hergestellt.
  • Ein Einkristall-Siliziumsubstrat wurde als das Substrat 4 innerhalb des Quarzreaktionsrohrs 1 angebracht. Das Einkristall-Siliziumsubstrat hatte einen Durchmesser von 25 mm, eine Dicke von 0,5 mm und einen spezifischen Widerstand von 1 Ω·cm und war ein p- Halbleiter. Die Evakuierungsvorrichtung (nicht gezeigt) wurde aktiviert, um den Druck im Reaktionsrohr auf 1,33·10&supmin;&sup4; Pa (10&supmin;&sup6; Torr) zu erniedrigen, und dann die Heizvorrichtung 2 betätigt, um das Siliziumsubstrat auf 800ºC zu erwärmen. Nachher wurden Methangas, Wasserstoffgas und Diborangas (Konzentration 1000 ppm, verdünnt mit Wasserstoff) in das Reaktionsrohr 1 aus den entsprechenden Zylindern eingefügt. Die Zufuhrrate des Methangases, Wasserstoffgases und Diborangases wurden jeweils auf 1 Standard cm³/min (sccm), 200 Standard cm³/min (sccm) und 1 Standard cm³/min (sccm) durch Verwendung von Strömungszählern und Strömungsratensteuerungsvorrichtungen gesteuert. Dann wurde das Druckeinstellungsventil (nicht gezeigt) geöffnet, um den Druck in dem Reaktionsrohr auf 6,65·10³ Pa (50 Torr) zu setzen und elektrische Energie wurde dem Heizfaden 3 von einer Energieversorgung (nicht gezeigt) so zugeführt, um den Heizfaden auf etwa 2000ºC auf Rothitze zu erwärmen. Das Material wurde durch den erwärmten Heizfaden zersetzt, wodurch Diamant auf dem Substrat 4 erzeugt wurde.
  • Eine Diamantkristallschicht von etwa 4 um Stärke wurde auf dem Substrat nach einer 5-stündigen Reaktion erzeugt. Die Diamantkristallschicht wurde dann in dem Reaktionsrohr 1 geglüht, so dass die Oberfläche graphitiert wurde. Genauer gesagt wurde das graphitierende Glühen in einer Stickstoffatmosphäre bei einem Druck von 6, 65 10&sup4; Pa (500 Torr) und einer Temperatur von 950ºC für 10 Minuten durchgeführt.
  • Dann wurde Ti durch Aufdampfen im Vakuum auf die so graphitierte Oberfläche der Diamantkristailschicht aufgedampft, und I-V-Eigenschaften wurden durch das in Fig. 3 abgebildete Verfahren gemessen. In Fig. 3 bezeichnet Bezugszeichen 11 ein Siliziumsubstrat, 12 bedeutet eine Diamantschicht, 13 bedeutet eine Silberpaste (Elektrode mit ohmschen Übergang mit Silizium), 14 bedeutet den dampfabgeschiedenen Ti-Film und 15 bedeutet eine Gleichstromquelle und ein Amperemeter.
  • Die Linie A in Fig. 4 zeigt die durch das in Fig. 3 gezeigte Verfahren gemessenen I-V Eigenschaften. Es kann gesehen werden, dass gute ohmsche Übergangseigenschaften erhalten wurden.
  • Ein Diamantkristall nach Graphitierung, die unter den selben Bedingungen wie vorstehend durchgeführt wurde, wurde durch ein Elektronenmikroskop beobachtet, um zu bestätigen, dass eine Graphitschicht von 1,5 nm (15 Å) Dicke auf der Diamantoberfläche erzeugt wurde.
    • Vergleichsbeispiel 1
  • Eine Diamantschicht wurde unter den selben Bedingungen wie in den einleitenden Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Graphitschicht nicht erzeugt wurde und die I-V-Eigenschaften der somit erhaltenen Probe wurden gemessen. Die gemessenen Eigenschaften wurden durch die Kurve B in Fig. 4 gezeigt. Es ist ersichtlich, dass die ohmschen Übergangseigenschaften in diesem Fall schlechter sind.
    • Einleitendes Beispiel 2
  • Nachdem eine Diamantkristallschicht durch dasselbe Verfahren wie im einleitenden Beispiel 1 hergestellt wurde, wurde eine Graphitschicht durch Behandeln der Diamantkristallschicht für 10 Sekunden in demselben Gerät bei einem Druck von 1.33·10³ Pa (10 Torr) und einer Ofentemperatur von 900ºC unter Zufuhr von CH&sub4; und H&sub2; bei Raten von jeweils 8 Standard cm³/min (sccm) und 100 Standard cm³/min (sccm) hergestellt, während der Heizfaden auf 2000ºC erhitzt wurde.
  • Die Diamantkristallschicht mit der somit erzeugten Graphitschicht wurde unter denselben Bedingungen wie im einleitenden Beispiel 1 einer Messung der I-V- Eigenschaften unterzogen. Überragende ohmsche Übergangseigenschaften wurden im genauen Vergleich mit denen des einleitenden Beispiels 1 bestätigt.
  • Diamantkristalle nach einer unter den selben Bedingungen durchgeführten Graphitierung wurden durch ein Elektronenmikroskop wie vorstehend beobachtet, um zu bestätigen, dass eine Graphitschicht von 3 nm (30 Å) Dicke auf der Oberfläche des Diamants hergestellt wurde.
    • Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 2
  • Diamanten wurden auf Siliziumsubstrate durch Mikrowellenplasma-CVD-Verfahren durch Zufuhr von Methan, Wasserstoff und Diboran (Konzentration 100 ppm, verdünnt mit Wasserstoff) bei jeweiligen Raten von 1.5 Standard cm³/min (sccm), 200 Standard cm³/min (sccm) und 0.8 Standard cm³/min (sccm) hergestellt, während die Mikrowellenenergie auf 400 W gesetzt wurde. Die Substrattemperatur und der Druck in dem Quarzreaktionsrohr wurden jeweils bei 830ºC und 6.65·10³ Pa (50 Torr) gehalten. Nach 6-stündigen Synthesenvorgang wurden Halbleiterdiamantfilme mit etwa 5 um auf das Substrat hergestellt.
  • Eine Graphitschicht wurde auf jeder der so erzeugten Diamantkristallschichten unter Verwendung desselben Geräts, als das im einleitenden Beispiel 1 verwendeten, erzeugt. Die Graphitierung wurde während dem Setzen der Mikrowellenabgabe auf 500 W bei einem Druck von 1.33·104 Pa (100 Torr) und einer Substrattemperatur von 980ºC unter Zufuhr von CH&sub4; und H&sub2; jeweils bei 10 Standard cm³/min (sccm) und 150 Standard cm³/min (sccm) durchgeführt. Die Graphitierungszeit wurde gemäß den Proben verändert. Den somit erhaltenen Proben wurden Messungen von ohmschen Übergangseigenschaften unterzogen, um Ergebnisse wie in Tabelle 1 unten gezeigt zu erhalten. Die Werte der Graphitschichtendicke wurden durch Elektronenmikroskop-Beobachtung bestimmt. Tabelle 1
  • Während die vorliegende Erfindung in Hinsicht auf das, was gegenwärtig als die bevorzugte Ausführungsform betrachtet wird, beschrieben wurde, ist es zu verstehen, dass die Erfindung nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt ist. Im Gegenteil ist die Erfindung für die Abdeckung von verschiedenen Modifikationen und äquivalenten Zusammenstellungen, die innerhalb der beigefügten Ansprüche eingeschlossen sind, bestimmt. Der Umfang der folgenden Ansprüche soll die weiteste Interpretation gewähren um so alle solche Modifikationen und äquivalenten Strukturen und Funktionen zu umfassen.

Claims (7)

1. Verfahren zum Erzeugen eines Diamantprodukts, das eine Diamantschicht (12) und Metallschicht (14) umfasst, wobei eine stabilisierte äußere Graphitoberflächenschicht (16) mit einer Stärke von wenigstens 1,2 nm auf der Diamantschicht (12) erzeugt wird, umfassend die Schritte von:
Erzeugung der Diamantschicht (12) auf einem Substrat (11) unter Verwendung eines kohlenstoffhaltigen Gases; und
Erzeugung der Graphitoberflächenschicht (16) durch Steigerung der Konzentration der Kohlenstoffquelle auf 1, 2% oder höher hinsichtlich des kohlenstoffhaltigen Gases und Steigerung der Substrattemperatur in einer letzten Stufe der Erzeugung der Diamantschicht und Ausbildung einer Metallschicht auf der Oberflächenschicht des Graphits (16).
2. Verfahren zur Erzeugung eines Diamantprodukts nach Anspruch 1, wobei die Schritte der Erzeugung der Diamantschicht (12) und Erzeugung der Graphitoberflächenschicht (16) durch chemisches Aufdampfen durchgeführt werden.
3. Verfahren zur Erzeugung eines Diamantprodukts nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei im Schritt der Erzeugung der Graphitoberflächenschicht (16) die Substrattemperatur auf 1000ºC oder höher erhöht wird.
4. Verfahren zur Erzeugung eines Diamantprodukts nach Anspruch 3, wobei das kohlenstoffhaltige Gas Methan ist.
5. Verfahren zur Erzeugung eines Diamantprodukts nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Graphitoberflächenschicht (16) eine Stärke innerhalb des Bereichs von 1,5 nm bis 50 nm (15 Å bis 50(1 Å) hat.
6. Verfahren zur Herstellung eines Diamantprodukts nach Anspruch 5, wobei die Graphitoberflächenschicht (16) eine Stärke innerhalb des Bereichs von 2 nm bis 20 nm (20 Å bis 200 Å) hat.
7. Verfahren zur Herstellung eines Produkts mit einem Diamant-Metall-Übergang, wobei die Metallschicht eine Metallelektrode ist.
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