DE3852357T2

DE3852357T2 - Dünnfilmkohlewerkstoff und Verfahren zum Aufbringen.

Info

Publication number: DE3852357T2
Application number: DE3852357T
Authority: DE
Inventors: Shigenori Hayashi; Shunpei Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1987-08-10
Filing date: 1988-08-10
Publication date: 1995-04-27
Anticipated expiration: 2008-08-11
Also published as: EP0304220B1; US5120625A; KR890003981A; KR930001013B1; CN1031722A; EP0304220A1; DE3852357D1; CN1020477C

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft ein photoempfindliches Bauteil und ein Verfahren zum Herstellen desselben auf der Oberfläche eines Gegenstands.
In jüngster Zeit hat ECR (Elektronenzyclotronresonanz)-CVD das Interesse der Forscher als neues Verfahren zum Herstellen von Dünnfilmen, insbesondere amorpher Dünnfilme, auf sich gezogen. Zum Beispiel offenbaren Matsuo et al im US-Patent Nr. 4,401,054 eine solche ECRCVD-Vorrichtung. Diese jüngste Technik verwendet Mikrowellenenergie, um ein Reaktionsgas so mit Energie zu versorgen, daß es sich in ein Plasma umwandelt. Ein Magnetfeld arbeitet so, daß es das Plasmagas in einen Anregungsraum einschnürt, innerhalb dessen das Reaktionsgas die Mikrowellenenergie absorbieren kann. Ein zu beschichtendes Substrat wird in einem Abscheidungsraum entfernt vom Anregungsraum (Resonanzraum) angeordnet, um zu verhindern, daß das Substrat gesputtert wird, und das aktivierte Gas wird als Schauer vom Resonanzraum auf das Substrat gestrahlt, um das Substrat zu beschichten. Um Elektronenzyclotronresonanz zu errichten, wird der Druck im Resonanzraum auf ungefähr 1,33·10&supmin;³ Pa (1·10&supmin;&sup5; Torr) gehalten und bei diesem Druck können Elektronen als unabhängige Teilchen angesehen werden und sie schwingen durch die Mikrowellenenergie mit einer Elektronenzyclotronresonanz wo immer die Magnetfeldstärke den Erfordernissen für ECR genügt.
Das angeregte Plasma wird dem Resonanzraum durch ein divergierendes Magnetfeld entnommen und es wird zum Abscheidungsraum geleitet, um das Substrat zu beschichten.
Unter Verwendung eines solchen bekannten Verfahrens ist es sehr schwierig, polykristalline oder einkristalline Kohlenstoffstrukturen abzuscheiden und derzeit zu Verfügung stehende Verfahren sind im wesentlichen auf Prozesse zum Herstellen amorpher Filme beschränkt. Ferner können hochenergetische, chemische Dampfreaktionen nicht leicht mit solchen bekannten Verfahren ausgeführt werden und daher war es bisher nicht möglich, Diamantfilme oder andere Filme mit hohen Schmelzpunkten herzustellen und es war nicht möglich, gleichmäßige Filme auf einer Oberfläche mit Vertiefungen und Hohlstellen auszubilden. Ferner war es bisher nicht möglich, die Oberfläche eines superharten Materials, wie die von Wolframcarbid, mit einem Kohlenstoffilm zu beschichten und daher war es zum Herstellen von Schleifmitteln ausreichender Härte erforderlich, eine superharte Oberfläche mit feinem Diamantpulver zu beschichten und einen starken mechanischen Kontakt zwischen dem Diamantpulver und der superharten Oberfläche herzustellen.
Ferner ist es von Nutzen, dazu in der Lage zu sein, einen harten Film auf einer Oberfläche aus Glas, Kunststoff, Metall, Harz usw. abzuscheiden, um die Oberfläche vor mechanischen Angriffen durch Abrieb oder Zerkratzen zu schützen. Filme aus Al&sub2;O&sub3;, TiN, BN, WC, SiC, Si&sub3;N&sub4; und SiO2 und die in JP-A-4-344588 beschriebenen wurden zu diesem Zweck vorgeschlagen. Jedoch verfügen derartige herkömmliche Schutzfilme über hohe elektrische Widerstände und daher neigen sie dazu, statische Elektrizität anzusammeln, was bewirkt, daß sie Staub und andere feine Teilchen an ihren Oberflächen aus der umgebenden Atmosphäre ansammeln. Bei Anwendungen derartiger herkömmlicher Filme, die Eigenschaften betreffend deren statische Elektrizität nutzen, stellt sich ein beschleunigtes Altern der Filme wegen der auf den Filmen angesammelten elektrischen Ladungen heraus, und während es bekannt ist, daß solche Mängel vermieden werden können, wenn eine leitende Substanz zum Schutzfilm hinzugefügt wird, kann in diesem Fall jedoch die hinzugefügte Substanz Absorptionszentren für einfallendes Licht bilden, wodurch das Durchscheinvermögen des Films beeinträchtigt wird, so daß er nicht für Anwendungen verwendet werden kann, bei denen ein hohes Ausmaß an Transmissionsvermögen erforderlich ist.
Weiterhin ist es wahrscheinlich, daß derartige herkömmliche Filme abhängig von den Abscheidungsbedingungen einem Abschälen wegen aufgestauter Innenspannungen unterliegen. Demgemäß muß die Dicke des Films verringert werden oder es muß ein Zwischenfilm mit hohem Haftvermögen zwischen den Schutzfilm und die darunterliegende Fläche eingefügt werden.

AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

EP-A-0175980 offenbart einen harten kohlenstoffartigen Film, der durch Abscheiden aus einem Gas, das wahlweise eine Halogenverbindung enthält, hergestellt wurde.
EP-0278480 (die nur einen Stand der Technik gemäß Artikel 54(3) bildet) offenbart das Abscheiden eines harten Kohlenstoffilms auf einer photoempfindlichen Druckwalze.
Gemäß der Erfindung ist ein photoempfindliches Teil mit einer Struktur mit einer photoempfindlichen Schicht geschaffen, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Passivierungsfilm (106) aufweist, der auf der photoempfindlichen Schicht ausgebildet ist und der eine erste und eine zweite kohlenstoffhaltige Schicht mit Halogenatomen beinhaltet, wobei die erste kohlenstoffhaltige Schicht im direkten Kontakt mit der photoempfindlichen Schicht steht und die zweite kohlenstoffhaltige Schicht auf der ersten kohlenstoffhaltigen Schicht ausgebildet ist, wobei die Konzentration der Halogenatome in der ersten Schicht kleiner als in der zweiten Schicht ist und die Dicke der ersten Schicht wesentlich kleiner als diejenige der zweiten Schicht ist.
Ebenfalls gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Teils geschaffen, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Herstellen eines Passivierungsfilms auf der photoempfindlichen Schicht durch CVD, wobei zusätzlich zu einem Kohlenstoffverbindungsgas ein halogenenthaltendes Gas in eine Reaktionskammer eingeleitet wird, wobei der Passivierungsfilm eine erste und eine zweite kohlenstoffhaltige Schicht mit Halogenatomen beinhaltet, wobei die erste Schicht durch direktes Abscheiden auf der photoempfindlichen Schicht hergestellt wird und die zweite kohlenstoffhaltige Schicht durch Abscheiden auf der ersten kohlenstoffhaltigen Schicht hergestellt wird, wobei die Strömungsrate von halogenenthaltendem Gas zum Herstellen der ersten Schicht kleiner als diejenige zum Herstellen der zweiten Schicht ist, und wobei die Abscheidungszeit für die erste Schicht wesentlich kürzer als die für die zweite Schicht ist.
Ferner ist gemäß der Erfindung die Verwendung eines solchen Teils in der Elektrophotographie zum Ausbilden eines Bilds abhängig vom Vorhandensein oder Fehlen einfallender Lichtstrahlen auf dem Teil geschaffen.
Ferner ist gemäß der Erfindung ein Bilderzeugungsgerät mit Einrichtungen für folgendes geschaffen: Laden eines solchen photoempfindlichen Teils; Bewirken, daß einige Bereiche des Teils Lichtstrahlung empfangen und andere nicht; zum Auftragen von Toner auf das Teil und Übertragen des Toners auf die Oberfläche eines Blattes zum Ausbilden eines Bilds auf diesem.
Beispiele für Halogenverbindungsgase, die beim Ausüben der Erfindung verwendet werden können, sind Fluorverbindungen wie NF&sub3;, SF&sub3;, und WF&sub6;, Chlorverbindungen wie CCl&sub4;, Bromverbindungen wie CH&sub3;Br und Jodverbindungen. Das gemäß der Erfindung hergestellte Kohlenstoffmaterial kann Halogenatome mit 0,1-50 Atom-% enthalten und dieser Anteil kann dadurch eingestellt werden, daß die Einführrate für das Halogen- oder das Halogenverbindungsgas in die Reaktionskammer gesteuert wird.
Unter den Halogenen ist Fluor vom Gesichtspunkt eines Vermeidens von Korrosion der Innenwand der Reaktionskammer bevorzugt. Das Kohlenstoffverbindungsgas beinhaltet vorzugsweise kein Halogenelement, so daß der Anteil von Halogenzusatzstoff im Kohlenstoffilm leicht eingestellt werden kann.
Im Fall einer Reaktion zwischen CH&sub4; und CF&sub4; werden Kohlenstoffatomradikale gemäß der folgenden Gleichung erzeugt:
CH&sub4; + CF → 2C + 4HF.
Die Leitfähigkeit, die Transparenz und die Härte des erfindungsgemäß hergestellten Kohlenstoffmaterials ändert sich abhängig vom Halogenanteil und im folgenden werden verschiedene Versuchsergebnisse beschrieben. Gemäß einer Versuchsserie wurden Kohlenstoffbeschichtungen unter Verwendung von mit 10 SCCM ( Standard-ccm pro Minute ) eingeleitetem Ethylen und mit mit verschiedenen Raten eingeleitetem NF&sub3; abgeschieden. Der Druck in der Reaktionskammer betrug 10 Pa und die Eingangsleistung war 800 Wm&supmin;² (0,08 W/cm²). Die Beziehung zwischen der Leitfähigkeit der sich ergebenden Kohlenstoffilme und der Einleitungsrate von NF&sub3; ist in Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen dargestellt und es ist erkennbar, daß die Leitfähigkeit anstieg, wenn die Einleitungsrate von NF&sub3; erhöht wurde. Die Beziehung zwischen der Transparenz der Kohlenstoffilme und der Einleitungsrate von NF&sub3; ist in Fig. 2 der beigefügten Zeichnungen aufgetragen und es ist erkennbar, daß die Transparenz zunahm, wenn die Einleitungsrate von NF&sub3; erhöht wurde. Die Beziehung zwischen der Härte der Kohlenstoffilme und der Einleitungsrate von NF&sub3; ist in Fig. 3 der beigefügten Zeichnungen dargestellt, und es ist erkennbar, daß die Härte abnahm, wenn die Einleitungsrate von NF&sub3; erhöht wurde. Eine Verringerung der Härte entspricht einer Verringerung von Spannungen innerhalb des Kohlenstofffilms.
Wie vorstehend beschrieben, können die Leitfähigkeit, die Härte und die Transparenz von erfindungsgemäß abgeschiedenen Filmen leicht über weite Bereiche eingestellt werden. In der folgenden Beschreibung und in den Ansprüchen sollen "Transparenz" und "Transmissionsvermögen" dieselbe Bedeutung haben. Eine optimale Eigenschaft, wie sie für eine spezielle Anwendung erforderlich ist, kann mit relativ niedrigen Herstellkosten erzielt werden. Der Anteil von Halogen kann dadurch eingestellt werden, daß die Einleitungsrate des Halogen- oder Halogenverbindungsgases verändert wird, während die anderen Abschaltungsbedingungen konstant gehalten werden. Zusätzlich kann der Halogenanteil dadurch verändert werden, daß die Eingangsleistung, der Reaktionsdruck, die Form des Entladungsgefäßes oder die Einleitungsrate des erzeugenden Kohlenstoffgases oder einige oder alle dieser Parameter verändert werden. Zum Beispiel ist in Fig. 4 der beigefügten Zeichnungen die Änderung der Leitfähigkeit des Kohlenstoffilms für den Fall aufgetragen, daß die Eingangsleistung verändert wird. Wie im Diagramm dargestellt, steigt die Leitfähigkeit mit steigender Eingangsleistung an. Es ist zu beachten, daß die anderen Abscheidungsbedingungen wie die Strömungsrate von NF&sub3; und die Strömungsrate von C&sub2;H&sub4; konstant gehalten wurden, um die in Fig. 4 aufgetragenen Ergebnisse zu erzielen.
Ein anderer Vorteil von gemäß der Erfindung erhaltenen Kohlenstoffilmen ist es, daß in den abgeschiedenen Filmen geringe Innenspannungen auftreten. Ungepaarte Bindungen haben die Tendenz, die Innenspannungen zu erhöhen, und, während ungepaarte Bindungen durch in Kohlenstoffilme eingeführte Wasserstoffatome abgeschlossen werden können, verbleiben selbst mit dem Einleiten von Wasserstoffatomen einige nicht abgeschlossene ungepaarte Bindungen unvermeidlicherweise zurück und können ein Grund für Innenspannungen sein. Wenn gemäß der Erfindung ein Halogen wie Fluor im Plasmagas vorhanden ist, werden leicht C-F-Bindungen erzeugt und infolgedessen ist die Dichte ungepaarter Bindungen auf Grund ihres Abschlusses durch Fluoratome wesentlich verringert.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß sie Kohlenstoffilme mit hoher Wärmebeständigkeit erzeugt.
Noch ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß der erfindungsgemäße Prozeß bei so geringen Prozeßtemperaturen ausgeführt werden kann, daß Kohlenstoffbeschichtungen sogar auf Selen oder auf organischen Materialien wie Kunststoffen ausgebildet werden können.
Gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung wird ein neuer CVD-Prozeß vorgeschlagen, der Gemischte Zyclotronresonanz (MCR) verwendet. Beim verbesserten Anregungsprozeß muß die Schallwirkung des Reaktionsgases selbst als nicht vernachlässigbare Störung neben der Wechselwirkung zwischen den jeweiligen Teilen des Reaktionsgases und der magnetischen und der Mikrowellenfelder berücksichtigt werden und infolgedessen können geladene Teilchen des Reaktionsgases über einen relativ breiten Resonanzbereich mit Energie versorgt werden. Vorzugsweise wird der Druck auf über 400 Pa (300 Torr) gehalten. Für Mischresonanz wird der Druck in der Reaktionskammer auf das 10²-10&sup5;-fache dessen beim Stand der Technik erhöht. Zum Beispiel kann Mischresonanz dadurch errichtet werden, daß der Druck erhöht wird, sobald ECR bei niedrigem Druck auftritt. Das heißt, daß zunächst ein Plasmagas in einen ECR-Zustand bei 0,133 Pa bis 1,33 mPa (1·10&supmin;³ bis 1·10&supmin;&sup5; Torr) durch Einleiten von Mikrowellenenergie beim Vorliegen eines Magnetfelds versetzt wird und dann ein Reaktionsgas in das Plasmagas so eingeleitet wird, daß der Druck auf 13,3 Pa bis 40 kPa (0,1 bis 300 Torr) steigt und sich die Resonanz von ECR auf MCR ändert.
Andere Merkmale der Erfindung werden insbesondere in den beigefügten Zeichnungen dargelegt und sie werden, zusammen mit den vorstehend genannten Gesichtspunkten der Erfindung vom Fachmann unter Berücksichtigung der folgenden detaillierten Beschreibung, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erfolgt, gut zu verstehen sein.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Leitfähigkeit eines Kohlenstoffilms, der Teil der Erfindung ist, und der Strömungsrate von NF&sub3; zeigt;
Fig. 2 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Transmissionsvermögen eines Kohlenstoffilms, der Teil der Erfindung ist, und der Strömungsrate von NF&sub3; zeigt;
Fig. 3 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der 5 Vickershärte eines Kohlenstoffilms, der Teil der Erfindung ist, und der Strömungsrate von NF&sub3; zeigt;
Fig. 4 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Leitfähigkeit eines Kohlenstoffilms, der Teil der Erfindung ist, und dem Eingangsleistungsniveau zeigt;
Fig. 5 ist ein Querschnitt, der eine beispielhafte CVD-Vorrichtung zum Herstellen eines Films zeigt, die Teil der Erfindung ist;
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Transmissionsvermögen und der Wellenlänge für einen Kohlenstoffilm zeigt, der Teil der Erfindung ist;
Fig. 7 ist ein Querschnitt, der eine andere CVD-Vorrichtung zum Herstellen eines Films zeigt, die Teil der Erfindung ist;
Fig. 8 (A) ist ein Diagramm, das eine Computersimulation für die Querschnittsprofile von Magnetfeld-Äquipotentialflächen im Substratbeschichtungsbereich der Vorrichtung von Fig. 7 zeigt;
Fig. 8 (B) ist ein Diagramm, das die elektrische Feldstärke der Mikrowellenenergie im Plasmaerzeugungsbereich der Vorrichtung von Fig. 7 zeigt;
Fig. 9 (A) und 9 (B) sind Diagramme, die Äquipotentialflächen des Magnetfelds bzw. des elektrischen Felds für die sich im Resonanzraum ausbreitenden Mikrowellenenergie zeigen;
Fig. 10 ist ein Querschnitt, der eine weitere CVD-Vorrichtung zum Herstellen eines Films zeigt, die Teil der Erfindung ist;
Fig. 11 ist ein Querschnitt, der noch eine andere CVD-Vorrichtung zum Herstellen eines Films zeigt, die Teil der Erfindung ist; und
Fig. 12 ist ein Querschnitt, der eine erfindungsgemäße Vorrichtung zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEI- SPIELE

In Fig. 5 ist eine Plasma-CVD-Vorrichtung dargestellt, die so ausgebildet ist, daß sie Kohlenstoffmaterial auf der Oberfläche eines photoempfindlichen Teils gemäß den Lehren der Erfindung abscheidet. Die zu beschichtende Oberfläche kann z. B. aus Glas, Metall, Keramik, Kunstharz usw. bestehen.
Die Vorrichtung weist folgendes auf: eine Reaktionskammer 8, in der ein Reaktionsraum 20 festgelegt ist; eine erste und eine zweite Elektrode 11 und 12; eine elektrische Hochfrequenz-Spannungsquelle 13 zum Zuführen elektrischer Leistung über einen Anpaßtransformator 14; eine Gleichvorspannungsquelle 15, die in Reihe zwischen die Elektroden 11 und 12 geschaltet ist; ein Gaszuführsystem 1, das aus vier Kanälen besteht, von denen jeder mit einem Durchflußmesser 7 und einem Ventil 6 versehen ist; einer Mikrowellenenergieversorgung 10 zum Anregen von Gasen aus dem Zuführsystem 1; eine Düse 9, durch die von der Mikrowellenenergieversorgung 10 angeregtes Gas in den Reaktionsraum 20 eingeleitet wird; und ein Abpumpsystem 16 mit einem Druckregelventil 17, einer Turbomolekularpumpe 18 und einer Drehschieberpumpe 19. Die Elektroden sind so ausgebildet, daß gilt: (Fläche der ersten Elektrode 11)/(Fläche der zweiten Elektrode 12) < 1.
Beim Betrieb dieser Vorrichtung wird dem Reaktionsraum 20 vom Gaszuführkanal 2 ein Trägergas in Form von Wasserstoff wie auch ein Reaktionsgas in Form eines Kohlenwasserstoffs wie Methan oder Ethylen aus dem Gaszuführkanal 3 zugeführt. Darüberhinaus wird ein Halogenverbindungsgas wie NF&sub3; über den Gaszuführkanal 4 in den Reaktionsraum 20 eingegeben. Eine Voranregung kann durch die Mikrowellenenergieversorgung 10 ausgeführt werden. Der Druck in der Reaktionskammer wird in dem Bereich zwischen 0,133 Pa bis 1,33 kPa (0,001 bis 10 Torr), vorzugsweise auf 1,33 Pa bis 133 Pa (0,01 bis 1 Torr) gehalten. Hochfrequente elektrische Energie mit einer Frequenz nicht unter 1 GHz, vorzugsweise 2,45 GHz, wird mit 0,1 bis 5 Kilowatt an das Reaktionsgas angelegt, um C-H-Bindungen auf zubrechen. Wenn die Frequenz zu 0,1 bis 50 MHz gewählt wird, können Bindungen C=C aufgebrochen und in Bindungen -C-C-umgewandelt werden. Durch diese Reaktion werden Kohlenstoffatome mit wenigen Halogenatomen in Form einer Struktur abgeschieden, bei der zumindest örtlich Diamantstruktur auftritt.
Eine Vorspannung von -200 bis 6000 V wird an der Gleichvorspannungsquelle 15 eingestellt. Der tatsächliche Wert der Vorspannung ist im wesentlichen -400 bis +400 V, da zwischen den Elektroden 11 und 12 spontan ein Selbstvorspannungspegel von -200 V auftritt, wenn der Vorspannungspegel an der Quelle 15 Null ist.
Es wurde bei solchen Abscheidungsbedingungen ein Versuch ausgeführt, bei denen die hochfrequente Eingangsleistung zwischen 50 Watt und 1 Kilowatt, z. B. 60 Watt gewählt war, der Druck im Reaktionsraum 2 Pa (0,015 Torr) war, die Strömungsrate von Ethylen 100 SCCM war, die Strömungsrate von NF&sub3; 100 SCCM war, die Substrattemperatur Raumtemperatur war und die Abscheidungszeit 30 Minuten war. Dieser Pegel der Eingangsleistung entspricht 0,3-30 kWm&supmin;² (0,03 bis 3 Watt/cm²), ausgedrückt als Plasmaenergie. Das Transmissionsvermögen des Fluoratome enthaltenden abgeschiedenen Kohlenstoffilms wurde bei verschiedenen Lichtwellenlängen gemessen und es ist in Fig. 6 aufgetragen. Wie in Fig. 6 gezeigt, war das Transmissionsvermögen bei Wellenlängen über 600 nm nicht kleiner als 95% und bei der Wellenlänge 400 nm nicht kleiner als 50%. Die Vickershärte wurde zu 1·10&sup7;-2,5·10&sup7; kgm&supmin;² (1000 bis 2500 kg/cm²) gemessen. Die Innenspannungen als so klein gemessen, daß sie nicht über 100 Nm&supmin;² (10&sup7;dyn/ m²) lagen. Es wurde keine merkliche Verschlechterung der Oberfläche des abgeschiedenen Films festgestellt, wenn der Film durch ein optisches Mikroskop mit 400-facher Vergrößerung untersucht wurde, nachdem die Oberfläche für eine Stunde in ätzende Chemikalien wie Säuren, Laugen, organische Lösungsmittel und dergleichen eingetaucht worden war. Auch wurde keine merkliche Änderung beobachtet, nachdem der Film bei 500 ºC für eine Stunde in einem Feuchtofen belassen wurde.
In Fig. 7 ist eine beispielhafte mikrowellenunterstützte Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der Erfindung als zweites Ausführungsbeispiel dargestellt. Wie in der Figur gezeigt, weist die Vorrichtung folgendes auf: eine Reaktionskammer, in der ein Plasmaerzeugungsraum 21 und ein Hilfsraum 22, der auf geeignetem Unterdruck gehalten werden kann, festgelegt sind; einen Mikrowellengenerator 24; Elektromagnete 25 und 25' in Form von Helmholtz-Spulen, die den Raum 21 umschließen; eine Spannungsversorgung 45 zum Zuführen elektrischer Spannung zu den Elektromagneten 25 und 25' sowie ein Wasserkühlsystem 38, 38'.
Der Plasmaerzeugungsraum 21 verfügt über kreisförmigen Querschnitt und innerhalb dieses Plasmaerzeugungsraums ist ein Substrathalter 30' aus einem Material wie z. B. rostfreiem Stahl oder Quarz angeordnet, das eine minimale Störung des durch die Magnete 25 und 25' in der Kammer erzeugten Magnetfelds hervorruft. Es ist gezeigt, daß ein Substrat 30 auf dem Halter 30' angebracht ist. Der Substrathalter 30' wird in einem Plasmagasbereich hoher Temperatur durch Infrarotstrahlung 44 auf 800-1000ºC beheizt, die von einem IR-Heizer 40 abgestrahlt wird, von einem parabolischen IR-Reflexionsspiegel 41 reflektiert wird und über eine Linse 42 auf die Rückseite des Halters 30' fokussiert wird. Die Bezugszahl 43 bezeichnet eine Spannungsversorgung für den IR-Heizer 40. Zum Evakuieren der Reaktionskammer ist ein Evakuiersystem vorhanden, das eine Turbomolekularpumpe 37 und eine Drehschieberpumpe 34 aufweist, die über Druckregelventile 31, 33 und 35 mit der Reaktionskammer verbunden sind. Die Substrattemperatur kann alleine auf Grund des in der Reaktionskammer erzeugten Plasmagases ein ausreichendes Niveau erreichen und in diesem Fall kann der Heizer weggelassen werden. Ferner kann die Substrattemperatur abhängig vom Zustand des Plasmas zu hoch als daß es möglich ist, daß eine geeignete Reaktion auftritt, für welchen Fall eine Kühleinrichtung für das Substrat bereitgestellt sein muß.
Beim Verwenden der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird ein Substrat 30 in Form eines Siliciumwafers auf dem Substrathalter 30' angebracht und die Reaktionskammer wird auf 0,133 mPa (1 · 10&supmin;&sup6;) Torr oder einen noch besseren Vakuumzustand evakuiert. Dann wird Wasserstoffgas aus einem Gaseinleitungssystem 26 mit 100 SCCM eingeleitet, um den Plasmaerzeugungsraum 21 zu füllen und Mikrowellenenergie mit einem Leistungsniveau von 1 Kilowatt und einer Frequenz von 2,45 GHz wird vom Mikrowellengenerator 24 über ein Mikrowellen-Einleitungsfenster 35 in den Plasmaerzeugungsraum 21 eingeleitet, der gleichzeitig einem Magnetfeld von ungefähr 0,2 T (2 kGauss) ausgesetzt wird, das von den Magneten 25 und 25' erzeugt wird. Die Magnete sind so ausgebildet, daß sie die Magnetfeldstärke einstellen. Der Wasserstoff wird im Raum 21 in einem Plasmazustand hoher Dichte angeregt. Die Oberfläche des Substrats 30 wird durch hochenergetische Elektronen und Wasserstoffatome gereinigt. Zusätzlich zum Einleiten von Wasserstoffgas werden ein Erzeugnisgas, das einen Kohlenwasserstoff wie z. B. C&sub2;H&sub2;, C&sub2;H&sub4;, C&sub2;H&sub6;, CH&sub3;OH, C&sub2;H&sub5;OH oder CH&sub4; enthält und ein Wasserstoffverbindungsgas wie z. B. CF&sub4;, C&sub2;F&sub2;, C&sub2;F&sub4;, C&sub2;Cl2 oder C&sub2;Cl4 mit 30 SCCM (Gesamtrate) durch ein Gaseinleitungssystem 27 eingegeben.
Der Anteil des Halogenverbindungsgases beträgt 50%. Die Einleitungsrate des Trägergases (Wasserstoff) wird auf einen Wert zwischen 30 SCCM und null gewählt, z. B. auf 2 SCCM.
Da Chlor etwas korrodierend wirkt, ist Fluor das geeignetste Halogen im Hinblick auf seine Handhabung und sein hohes Reaktionsvermögen gegenüber Wasserstoff. Das Reaktionsgas und das Trägergas sind vorzugsweise nichtoxidierende Gase, da, wenn Wasser gebildet wird, starke Säuren wie HF und HCl gebildet werden könnten.
In hohe Energiezustände angeregte Kohlenstoffatome werden bei 150-500 ºC erzeugt und auf dem Substrat 30 auf dem Substrathalter 30' in Form eines Films von 0,1-100 um Dicke abgeschieden, der Fluor enthält. Der Druck des Reaktionsgases liegt zwischen 400 Pa-107 kPa (3-800 Torr) und ist vorzugsweise nicht niedriger als 1,33 kPa (10 Torr), wie 1,33 kPa-101 kPa (10-760 Torr). Der hergestellte Kohlenstoffilm wies eine glatte Oberfläche auf und war abriebfest und korrosionsfest und daher für die Anwendung bei Instrumenten zur Verwendung bei chemischen Versuchen geeignet.
Zusätzlich zum vorstehend beschriebenen Reaktionsgas kann Ni(CO)&sub4; mit 1 SCCM (und zusätzlich, falls erforderlich, GeH&sub4;) als Katalysator vom Einleitungssystem in die Reaktionskammer eingegeben werden, wobei der Anteil des Katalysators bezogen auf das Kohlenstoff-Verbindungsgas 0,1% bis 10% beträgt. NiF, NiO, NiF(H&sub2;O)n (n = 1,3), Ni(CN)&sub2;, Ni(C&sub5;H&sub5;)2, GeH&sub4;, GeF&sub4;, Mangancarbonyl, MnF&sub2; und dergleichen sind Beispiele für andere Katalysatoren. Sie können alleine oder in verschiedenen Kombinationen verwendet werden. Die auftretende CVD-Reaktion rührt von in einen hohen Energiezustand angeregten Kohlenstoffatomen her, die durch das Plasmagas und den Heizer 40 auf 150-500ºC erhitzt sind, so daß das auf dem Substrathalter 30' angebrachte Substrat 30 mit Kohlenstoff in Form eines 0,1-100 um dicken Films aus i- Kohlenstoff (aus Mikrokristallen bestehender Inselkohlenstoff) oder Diamant mit einem Korndurchmesser von 0,1-100 um beschichtet wird. Gemäß Versuchsergebnissen beanspruchte es nur zwei Stunden, einen Kohlenstoffilm mit einer mittleren Dicke von 5 um abzuscheiden. Die Abscheidungsgeschwindigkeit kann dadurch erhöht werden, daß eine Vorspannung an den Substrathalter angelegt wird. Das Kohlenstofferzeugnis gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens 50% der Kohlenstoffatome über sp³-Bindungen verbunden sind.
Zum Beispiel wurde ein Filmherstellungsprozeß auf dieselbe Weise wie vorstehend angegeben ausgeführt, jedoch ohne einen Katalysator. Im Ergebnis beanspruchte es 15 Stunden, um einen Kohlenstoffilm mit einer mittleren Dicke von 4 um herzustellen. Mit einem optischen Mikroskop (1000-fache Vergrößerung) konnte festgestellt werden, daß die Unebenheit der Filmoberfläche deutlich war. Gemäß der Erfindung können Kohlenstoffilme mit ebener Oberfläche ausgebildet werden, da unzählige Katalysatorkeime auf der zu beschichtenden Oberfläche vorherrschen.
Wenn das Reaktionsgas CH&sub4;:CF&sub4; = 2 : 1 war, konnten dünne, Diamantstrukturen enthaltende Filme bei 13,33 kPa (100 Torr) bei einer Temperatur nicht unter 4000 C hergestellt werden. Im Fall von CH&sub4;:CF&sub4; = 1 : 1 betrug die Herstellungstemperatur 100 ºC und der Reaktionsdruck war 6,67 kPa (50 Torr). Im Fall von CH4:CF&sub4; = 1 : 2 konnten Diamantstrukturen enthaltende Dünnfilme bei 200ºC und 1,33 kPa (10 Torr) hergestellt werden. Während der Druck vorzugsweise um den Atmosphärendruck herum liegt, sind niedrige Temperaturen erwünscht, da dann die Wahl zu beschichtender Substrate breit wird.
Bei Temperaturen nicht über 400ºC kann die Abscheidung von Kohlenstoff auf einem Halbleitersubstrat über einer darauf ausgebildeten Schaltung aus Aluminium ausgeführt werden. Bei Temperaturen nicht über 200ºC wird Kohlenstoffbeschichtung auf Kunststoffsubstraten möglich. Bei Temperaturen zwischen 300ºC und 500ºC können Kohlenstoffbeschichtungen auf Glassubstraten abgeschieden werden.
Fig. 8(A) ist eine Graphik, die die Verteilung des Magnetfelds im Bereich 50 der in Fig. 7 dargestellten Vorrichtung zeigt. Die Kurven im Diagramm sind entlang Äquipotentialflächen aufgetragen und es sind entlang jeweiliger Kurven Zahlen angeschrieben, die die Stärke des Magnetfelds zeigen, wie es von den Magneten 25 und 25' hervorgerufen wird, das eine Stärke von 0,2 T (2000 Gauss) aufweist. Durch Einstellen der Stärke der Magnete 25 und 25' kann die Stärke des Magnetfelds so eingestellt werden, daß dieses Magnetfeld über die zu beschichtende Oberfläche hinweg, die im Bereich 100 liegt, in dem das Magnetfeld von 87,5 mT ± 18,5 mT (875 ± 185 Gauss) und das elektrische Feld wechselwirken, im großen und ganzen gleichmäßig ist. Im Diagramm bezeichnen die Bezugszeichen 26, 26' die Äquipotentialfläche von 87,5 mT (875 Gauss), bei der die Bedingungen zwischen dem Magnetfeld und der Mikrowellenfrequenz erfüllt sind, wie sie für ECR (Elektronenzyclotronresonanz) erforderlich sind. Selbstverständlich kann gemäß der Erfindung ECR auf Grund des hohen Drucks in der Reaktionskammer nicht errichtet werden, sondern statt dessen tritt Gemischte Zyclotronresonanz in einem breiten Bereich auf, der die Äquipotentialfläche enthält, die den ECR-Bedingungen genügt. Fig. 8(B) ist ein Diagramm, in dem die X-Achse derjenigen in Fig. 8(A) entspricht, und das die Stärke des elektrischen Felds der Mikrowellenenergie im Plasmaerzeugungsraum 21 zeigt. Wie dargestellt, nimmt die elektrische Feldstärke ihren Maximalwert in den Bereichen 100 und 100' ein, und es ist schwierig, das Substrat 30 aufzuheizen, ohne die Ausbreitung der Mikrowellenenergie zu stören. In anderen Bereichen wird ein Film nicht gleichmäßig abgeschieden, sondern er wird torusförmig abgeschieden. Aus diesem Grund ist das Substrat 30 im Bereich 100 angeordnet. Das Plasma strömt in Querrichtung. Gemäß Versuchen kann ein gleichmäßiger Film auf einem kreisförmigen Substrat mit einem Durchmesser bis zu 100 mm ausgebildet werden, und ein Film kann in der Kammer auf einem kreisförmigen Substrat mit einem Durchmesser bis zu 50 mm mit gleichmäßiger Dicke und gleichmäßiger Qualität ausgebildet werden. Wenn ein größeres Substrat beschichtet werden soll, kann der Durchmesser des Raums in bezug auf die vertikale Richtung von Fig. 8(A) verdoppelt werden, wenn 1,225 GHz als Frequenz für die Mikrowellenenergie verwendet werden. Fig. 9(A) und Fig. 9(B) sind Diagramme, die die Verteilung des Magnetfelds und des elektrischen Felds auf Grund der Mikrowellenenergie zeigt, wie sie vom Mikrowellengenerator 24 emittiert wird, für einen Querschnitt durch den Plasmaerzeugungsraum 21 zeigen. Die Kurven innerhalb der Kreise sind entlang Äquipotentialflächen aufgetragen und die angegebenen Zahlen die Feldstärke. Wie in Fig. 9(B) dargestellt, erreicht die elektrische Feldstärke ihren Maximalwert bei 25 kV/m.
Nachfolgend wird ein drittes Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf die Fig. 10 und 11 beschrieben. Ein Plasmabehandlungssystem mit großen Abmessungen weist folgendes auf: eine Reaktionskammer 57, die mit einer Ladekammer 57-1 versehen ist; eine Entladekammer 57-2; ein Paar Führungsschienen 59 zum Aufhängen mehrerer Substrathalter 52 aus Aluminium- oder Nickelplatten; eine elektrische Hochfrequenz-Spannungsquelle 65 zum Zuführen elektrischer Leistung über einen Anpaßtransformator 66; eine erste und eine zweite Maschenelektrode 53 und 53' aus Metall, die mit den Ausgangsanschlüssen 54 und 54' des Transformators 66 verbunden sind, wobei die geometrische Fläche jeder Elektrode 1,5·10&supmin;² m² (150 cm²) ist und die wirksame Fläche jeder Elektrode 1,2·10&supmin;²m² (120 cm²) ist; eine elektrische Wechselspannungsquelle 67, die zwischen den Mittelpunkt der Sekundärwicklung des Transformators und die Führungsschiene 59 geschaltet ist; ein Gaszuführsystem 60, das aus vier Kanälen besteht, von denen jeder mit einem Durchflußmesser 79 und einem Ventil 78 versehen ist; eine Düse 75 zum Eingeben von Gasen in die Reaktionskammer 57 aus dem Gaszuführsystem 60 und ein Abpumpsystem 70 mit einem Druckregelventil 71, einer Turbomolekularpumpe 72 und einer Drehschieberpumpe 73. Innerhalb der Reaktionskammer wird ein Reaktionsraum durch eine Hohlstruktur 58 mit vier Seiten festgelegt mit einer Breite von 1,6 m (160 cm), einer Tiefe von 0,4 m (40 cm) und einer Höhe von 1,6 m (160 cm) zum Verhindern einer Abscheidung an der Innenwand der Reaktionskammer 57. Die Höhe der Hohlstruktur kann im allgemeinen zwischen 0,2 m (20 cm) und 5 m gewählt werden. Eine Abmessung der Elektroden 53 und 53' kann im allgemeinen zwischen 0,3 m (30 cm) und 3 m gewählt werden. Es sind Schleusenventile 64-1 und 64-4 zwischen den Außenseiten der Lade- und Entladekammern 57-1 und 57-2 vorhanden, sowie Schleusenventile 64-2 und 64-3 zwischen der Reaktionskammer 57 und der Lade- und Entladekammer 57-1 und 57-2, um ein Abdichten vorzunehmen. Das Innere der Reaktionskammer 57 ist mit einem Heizer versehen, der aus mehreren Halogenlampen 61 und 61' besteht.
Mehrere Substrate 51-1, 51-2, . . . , 51-n sind auf mehreren Substrathaltern 52-1, 52-2, . . . , 52-n angebracht. Die Abstände 81-1, 81-2, . . . , 81-(n-1) zwischen benachbarten Haltern in der Reaktionskammer 57 sind so ausgewählt, daß sie im wesentlichen konstant sind, wobei die Abweichung vom Mittelwert innerhalb + 20% liegt. Die jeweils entsprechenden Abstände 82-1, 82-2, . . . , 82-(n-1) in der Ladekammer 57-1 sind so ausgewählt, daß sie enger sind, um das System kompakt konstruieren zu können. Bei dieser Anordnung wird nur eine Seitenfläche jedes Substrats beschichtet. Wenn eine Beschichtung beider Flächen erwünscht ist, können die Substrate in Öffnungen gehalten werden, die in den Haltern ausgebildet sind. In die Reaktionskammer 57 werden folgende Gase eingegeben: ein Trägergas in Form von Argon oder Wasserstoff aus dem Kanal 60-1 des Gaszuführsystems, ein Reaktionsgas aus Kohlenwasserstoff wie Methan oder Ethylen aus dem Kanal 60-2 und ein Halogenverbindungsgas wie NF&sub3; aus dem Kanal 60-3. Der Druck des Reaktionsgases beträgt 0,133 Pa bis 133 Pa, z. B. 6,65 Pa (0,001 bis 1,0 Torr, z. B. 0,05 Torr). Die Substrattemperatur beträgt 100ºC (im Fall eines Kühlsystems) oder bis zu 150ºC.
Zwischen die Maschenelektroden 53 und 53' wird eine erste Wechselspannung hoher Frequenz von 1 MHz bis 5 GHz, z. B. von 13,56 MHz angelegt, während zwischen den Mittelpunkt der Sekundärwicklung und die Schienen 59 eine zweite Wechselspannung mit einer Frequenz von 1 kHz bis 500 kHz, z. B. 50 kHz angelegt wird. Die Eingangsleistung der ersten Wechselspannung beträgt 1,0 kW bis 30 kW (entsprechend einer Plasmaenergie von 400 kWm&supmin;²-13 MWm&supmin;² (0,04-1,3 kW/cm²)), z. B. 10 kW (entsprechend einer Plasmaenergie von 4,4 MWm&supmin;² (0,44 W/cm²)). Die zweite Wechselspannung wirkt so, daß sie eine Wechselvorspannung von -200 bis 600 V (entsprechend 500 W) an die Substratfläche anlegt. Durch diese elektrische Leistung wird in der Reaktionskammer 57 ein Plasmagas erzeugt und es wird eine chemische Dampfreaktion ausgelöst. Das Abgas wird durch das Abpumpsystem 70 entfernt.
Im Folgenden werden einige Versuchsergebnisse im einzelnen beschrieben, die gemäß den vorstehend genannten Ausführungsbeispielen und Kombinationen derselben erhalten wurden.

BEISPIEL

Eine photoempfindliche Struktur zur Verwendung bei einem photoelektronischen Verfahren wurde gemäß der Erfindung hergestellt, wie in Fig. 12 veranschaulicht. Die Struktur weist eine PTE-Folie 101 von 20 um Dicke, einen Aluminiumfilm 102 von 60 nm (600 Å) Dicke, hergestellt durch Aufdampfen im Vakuum, einen Zwischenfilm 103, einen Ladungserzeugungsfilm 104 von 0,6-1,2 um Dicke, einen Ladungsübertragungsfilm 105 von 20 um Dicke und einen Passivierungsfilm 106 auf, hergestellt gemäß der Erfindung. Der Passivierungsfilm 106 bestand in diesem Fall aus zwei Schichten.
Wenn der Passivierungsfilm oder der Ladungserzeugungsfilm 3 mit einer negativen elektrischen Ladung versehen wird, kann ein bestimmter Bereich der Lichtstrahlung 107 empfangenden Struktur durch im Ladungserzeugungsfilm 104 erzeugte Löcher neutralisiert werden, die den Passivierungsfilm 106 durch den Ladungsübertragungsfilm 105 erreichen. In diesem Fall werden im Ladungserzeugungsfilm 104 erzeugte Elektronen durch den Zwischenfilm und den Aluminiumfilm abgezogen. Jeder andere Bereich, der keine Lichtstrahlung empfängt, kann dazu verwendet werden, Toner aufzunehmen und diesen auf die Oberfläche eines Papierblatts zu übertragen, um ein Bild abhängig vom Vorliegen oder Fehlen einfallender Lichtstrahlung zu erzeugen.
Der spezifische Widerstand des Passivierungsfilms 106 wurde so eingestellt, daß er 10&sup9; bis 10&sup7; Ohm · m (10¹¹ bis 10&sup9; Ohm · cm) betrug, was durch Steuern der Strömungsrate von NF&sub3; erfolgte. Die untere Schicht wurde mit einer Strömungsrate von NF&sub3; nicht über 0,1 SCCM für zwei Minuten abgeschieden und dann wurde die obere Schicht für anschließende 20 Minuten bei 100 SCCM abgeschieden. Es stellte sich heraus, daß der spezifische Widerstand, die Transparenz, die Härte, die Innenspannungen und andere Eigenschaften beinahe ganz von den Eigenschaften der oberen Schicht abhängen. Nur das Haftvermögen hing von der unteren Schicht ab, die starken mechanischen Kontakt zum darunterliegenden Substrat herstellte.
Durch einen solchen hohen spezifischen Widerstand wurde der Nachteil umgangen, daß die Grenze eines erzeugten Bilds auf Grund der Querdrift von Ladungsträgern unscharf wird. Demgemäß wurde das erzeugte Bild klar mit hohem Kontrast. Wenn dagegen der spezifische Widerstand zu hoch war, konnten sich Restladungen nach wiederholtem Laden und Entladen ansammeln.
Diese nachteilige Ansammlung konnte durch genaues Einstellen des spezifischen Widerstands gemäß der Erfindung vermieden werden. Das Transmissionsvermögen des Passivierungsfilms war nicht geringer als 80% für Lichtstrahlung von 500 nm oder mit längerer Wellenlänge und es war nicht kleiner als 60% für Lichtstrahlung von 400 nm oder längeren Wellenlängen.
Demgemäß kann die Struktur für Anwendungen verwendet werden, die die Wellenlängen sichtbaren Lichts nutzen.
Ferner war der Passivierungsfilm abriebfest und kratzfest und er hatte hervorragendes Haftvermögen mit geringeren Innenspannungen. Im photoempfindlichen Film auf einer flexiblen Folie traten selbst dann, wenn die Folie mit einem Krümmungsradius von 10 nm gebogen wurde, keine Risse und kein Abschälen auf. Dieser Versuch wurde zur Anwendung bei einer folienähnlichen, organischen, photoempfindlichen Struktur gemacht. Jedoch können ähnliche Strukturen auf dieselbe Weise als photoempfindliche Trommeln, amorphe, photoempfindliche Siliciumstrukturen und photoempfindliche Selenstrukturen ausgebildet werden.
Ferner kann eine andere Schicht mit einem geringeren Anteil von Fluor auf der oberen Schicht abgeschieden werden, um die Härte der Außenfläche des Passivierungsfilms zu erhöhen.
Gemäß der Erfindung können verbesserte Kohlenstoffilme oder Cluster gebildet werden. Der Effekt der Erfindung wurde hinsichtlich der Abscheidung von Kohlenstoff bestätigt und daher ist es von Vorteil, die Erfindung auf die Herstellung beliebiger Filme anzuwenden, die Kohlenstoff enthalten, dessen Anteil nicht kleiner als 50% ist.
Während hier verschiedene spezielle Ausführungsbeispiele beschrieben wurden, ist zu beachten, daß der Schutzumfang der Erfindung nur durch die beigefügten Ansprüche und nicht durch die speziellen, beschriebenen Beispiele begrenzt ist.
Modifizierungen und Änderungen der beschriebenen Ausführungsbeispiele sind für den fachmännischen Leser erkennbar, ohne von der Erfindung abzuweichen. Zum Beispiel hat es sich als wirksam erwiesen, dem Kohlenstoff Bor, Stickstoff, Phosphor oder dergleichen hinzuzufügen.

Claims

1. Photoempfindliches Teil mit einer Struktur mit einer photoempfindlichen Schicht (104, 105), dadurch gekennzeichnet, daß es einen Passivierungsfilm (106) aufweist, der auf der photoempfindlichen Schicht ausgebildet ist und der eine erste und eine zweite kohlenstoffhaltige Schicht mit Halogenatomen beinhaltet, wobei die erste kohlenstoffhaltige Schicht in direktem Kontakt mit der photoempfindlichen Schicht steht und die zweite kohlenstoffhaltige Schicht auf der ersten kohlenstoffhaltigen Schicht ausgebildet ist, wobei die Konzentration der Halogenatome in der ersten Schicht kleiner als in der zweiten Schicht ist und die Dicke der ersten Schicht wesentlich kleiner als diejenige der zweiten Schicht ist.

2. Photoempfindliches Teil nach Anspruch 1, mit einer dritten Schicht, die auf der zweiten Schicht ausgebildet ist, um die Härte der Außenfläche des Passivierungsfilms zu erhöhen.

3. Photoempfindliches Teil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die photoempfindliche Schicht einen Ladungserzeugungsfilm (104) und einen auf diesem ausgebildeten Ladungsübertragungsfilm (105) aufweist.

4. Photoempfindliches Teil nach Anspruch 3, bei dem die Dicke des Ladungserzeugungsfilms (104) 0,6 bis 1,2 um beträgt.

5. Photoempfindliches Teil nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, bei dem die Dicke des Ladungsübertragungsfilms (105) 20 um beträgt.

6. Photoempfindliches Teil nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der spezifische Widerstand des Passivierungsfilms (106) ungefähr 10¹¹ bis 10&sup9; Ohm · cm beträgt.

7. Photoempfindliches Teil nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Transparenz des Passivierungsfilms (106) für Lichtstrahlung der Wellenlänge 500 nm oder länger nicht kleiner als 80% ist.

8. Photoempfindliches Teil nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Transparenz des Passivierungsfilms (106) für Lichtstrahlung der Wellenlänge 400 nm oder länger nicht kleiner als 60% ist.

9. Photoempfindliches Teil nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die photoempfindliche Schicht eine organische, photoempfindliche Schicht ist.

10. Photoempfindliches Teil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die photoempfindliche Schicht eine Schicht aus amorphem Silicium oder eine photoempfindliche Schicht aus Selen ist.

11. Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils nach einem der vorstehenden Ansprüche, mit einer Struktur mit einer photoempfindlichen Schicht, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Herstellen eines Passivierungsfilms auf der photoempfindlichen Schicht durch CVD, wobei zusätzlich zu einem Kohlenstoffverbindungsgas ein halogenenthaltendes Gas in eine Reaktionskammer eingeleitet wird, wobei der Passivierungsfilm eine erste und eine zweite kohlenstoffhaltige Schicht mit Halogenatomen beinhaltet, wobei die erste Schicht durch direktes Abscheiden auf der photoempfindlichen Schicht hergestellt wird und die zweite kohlenstoffhaltige Schicht durch Abscheiden auf der ersten kohlenstoffhaltigen Schicht hergestellt wird, wobei die Strömungsrate von halogenenthaltendem Gas zum Herstellen der ersten Schicht kleiner als diejenige zum Herstellen der zweiten Schicht ist, und wobei die Abscheidungszeit für die erste Schicht wesentlich kürzer als die für die zweite Schicht ist.

12. Verwendung eines photoempfindlichen Teils gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 in der Elektrophotographie zum Herstellen eines Bilds abhängig vom Vorliegen oder Fehlen einfallender Lichtstrahlung auf dem Teil.

13. Verwendung nach Anspruch 12, umfassend: Aufladen des Teils; Verursachen, daß einige Bereiche des Teils Lichtstrahlung empfangen und andere nicht; Auftragen von Toner auf das Teil und Übertragen des Toners auf die Fläche eines Blatts zum Erstellen eines Bilds auf diesem.

14. Bilderzeugungsgerät mit einer Einrichtung zum Laden eines photoempfindlichen Teils nach einem der Ansprüche 1 bis 10, um dafür zu sorgen, daß einige Bereiche des Teils Lichtstrahlung empfangen und andere nicht, um Toner auf das Teil aufzutragen und um den Toner auf die Oberfläche eines Blatts zu übertragen, um auf diesem ein Bild zu erstellen.