KR890003981A - 할로겐을 함유하는 카본재료 및 그의 침착 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 도전성 및 NF3율 사이의 관계를 보여주는 도표, 제2도는 본 발명에 따른 전도성 및 NF3율 사이의 관계를 보여주는 도표, 제3도는 본 발명에 따른 비커 경도 및 NF3율사이의 관계를 보여주는 도표.
Claims (13)
- 주로 카본으로 이루어진 재료를 침착시키는 방법에 있어서, 반응 챔버내에 목적물을 배치하고, 카본 혼합 가스를 상기 반응 챔버속으로 도입하고, 상기 카본 혼합 가스를 분해시켜서 상기 목적물의 표면상에 분해물중 카본 생성물을 침착시키기 위해 상기 반응 챔버로 동력을 입력시키며, 여기서 할로겐 혼합 가스가상기 카본속으로 더이상 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 할로겐 혼합 가스는 불소 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 입력은 초단파 동력인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 초단파의 주파수는 500MHz 보다 더 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 카본 혼합 가스는 수소 또는 가스 상태의 산화물로 희석되거나 또는 수소 또는 가스 상태의 산화물과 함께 도입됨을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 촉매 가스가 수소 또는 가스 상태의 산화물로 희석되거나 또는 수소 또는 가스 상태의 산화물과 함게 도입됨을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 반응 챔버는 상기 초단파 에너지의 증식 방향에서 실제로 자장에 노출됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 피복되는 목적물은 유리, 금속, 세라믹 또는 유기성 수지로 만들어짐을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 입력은 고주파수 전기 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
- 카본 침착을 수행하는 방법에 있어서, 피복된 목적물을 반응 챔버내에 배치하고, 카본 혼합 가스 및 할로겐 혼합 가스를 상기 반응 챔버속으로 도입하고, 상기 카본 혼합 가스를 분해하고 상기 목적물의 표면상에 분해물중 카본 생성물을 침착시키기 위해 상기 반응 챔버로 전기 에너지를 입력시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 유리, 금속, 세라믹 또는 유기성 수지로 만들어진 표면상에 형성된 카본 코팅에 있어서, 상기 카본
- 제11항에 있어서, 상기 불소의 밀도는 코팅의 두께를 가로질러 불균일함을 특징으로하는 카본 코팅.
- 제12항에 있어서, 할로겐 원자를 구성함을 특징으로 하는 카본 코팅.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100319001B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2002-01-04 | 아킨스 로버트 피. | 플라즈마 초점 고에너지 포톤 소스 |
KR100358447B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2002-10-25 | 사이머 인코포레이티드 | 블라스트 실드를 갖춘 플라즈마 포커싱된 고 에너지 포톤소스 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238705A (en) * | 1987-02-24 | 1993-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbonaceous protective films and method of depositing the same |
KR930010193B1 (ko) * | 1988-09-13 | 1993-10-15 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기겐뀨쇼 | 세라믹막 및 탄소막으로 덮인 부품과 그 부품 제작방법 |
US5041201A (en) * | 1988-09-16 | 1991-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
KR930011413B1 (ko) | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
JPH05891A (ja) * | 1991-06-21 | 1993-01-08 | Canon Inc | ダイヤモンド−金属接合体 |
CA2072384A1 (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-01 | Clifford L. Spiro | Carbon fluoride compositions |
CA2091665C (en) * | 1992-04-07 | 2003-01-07 | Peter George Tsantrizos | Process for the synthesis of fullerenes |
EP0625588B1 (de) * | 1993-05-21 | 2001-10-24 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Plasmapolymer-Schichtenfolge als Hartstoffschicht mit definiert einstellbarem Adhäsionsverhalten |
JP2788412B2 (ja) * | 1994-08-11 | 1998-08-20 | 麒麟麦酒株式会社 | 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法 |
US5705044A (en) | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
US5849443A (en) * | 1998-02-13 | 1998-12-15 | Eastman Kodak Company | Method of making multilayer electrophotographic elements |
US5849445A (en) * | 1998-02-13 | 1998-12-15 | Eastman Kodak Company | Multilayer photoconductive elements having low dark decay |
DE10011999C1 (de) * | 2000-03-11 | 2001-06-07 | Hilti Ag | Staubschutz sowie dessen Verwendung bei einem Elektrohandwerkzeuggerät und Werkzeug |
US20040227197A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-11-18 | Shinji Maekawa | Composition of carbon nitride, thin film transistor with the composition of carbon nitride, display device with the thin film transistor, and manufacturing method thereof |
US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5557875A (en) * | 1978-06-24 | 1980-04-30 | Mita Ind Co Ltd | Transfer type electrostatic copying machine |
JPS57174467A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Inoue Japax Res Inc | Ion working device |
US4508781A (en) * | 1982-06-07 | 1985-04-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | Fluorination by inorganic fluorides in glow discharge |
US4486286A (en) * | 1982-09-28 | 1984-12-04 | Nerken Research Corp. | Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby |
CA1232228A (en) * | 1984-03-13 | 1988-02-02 | Tatsuro Miyasato | Coating film and method and apparatus for producing the same |
US4663183A (en) * | 1984-09-10 | 1987-05-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate |
US4770940A (en) * | 1984-09-10 | 1988-09-13 | Ovonic Synthetic Materials Company | Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate and coating applied thereby |
US4783361A (en) * | 1984-09-10 | 1988-11-08 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Coated lenses |
US4664999A (en) * | 1984-10-16 | 1987-05-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of making electrophotographic member with a-Si photoconductive layer |
US4675265A (en) * | 1985-03-26 | 1987-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer |
US4713309A (en) * | 1985-08-26 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Enhancement layer for positively charged electrophotographic devices and method for decreasing charge fatigue through the use of said layer |
US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
EP0264104B1 (en) * | 1986-10-14 | 1995-12-27 | Minolta Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive member having an overcoat layer |
US4837137A (en) * | 1986-12-05 | 1989-06-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
JPH0676666B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1994-09-28 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 炭素膜作製方法 |
US4809876A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-07 | Aluminum Company Of America | Container body having improved gas barrier properties |
JPH01227161A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
-
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-
1990
- 1990-09-26 US US07/587,659 patent/US5120625A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100319001B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2002-01-04 | 아킨스 로버트 피. | 플라즈마 초점 고에너지 포톤 소스 |
KR100358447B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2002-10-25 | 사이머 인코포레이티드 | 블라스트 실드를 갖춘 플라즈마 포커싱된 고 에너지 포톤소스 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0304220A1 (en) | 1989-02-22 |
CN1020477C (zh) | 1993-05-05 |
CN1031722A (zh) | 1989-03-15 |
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DE3852357D1 (de) | 1995-01-19 |
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