DE102004006544B3 - Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102004006544B3
DE102004006544B3 DE102004006544A DE102004006544A DE102004006544B3 DE 102004006544 B3 DE102004006544 B3 DE 102004006544B3 DE 102004006544 A DE102004006544 A DE 102004006544A DE 102004006544 A DE102004006544 A DE 102004006544A DE 102004006544 B3 DE102004006544 B3 DE 102004006544B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
carbon material
deposition
conductive carbon
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102004006544A
Other languages
English (en)
Inventor
Franz Kreupl
Gernot Steinlesberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102004006544A priority Critical patent/DE102004006544B3/de
Priority to JP2006552474A priority patent/JP2007525026A/ja
Priority to PCT/EP2004/014681 priority patent/WO2005081296A1/de
Priority to EP04804272A priority patent/EP1714310A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004006544B3 publication Critical patent/DE102004006544B3/de
Priority to US11/495,808 priority patent/US20070010094A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H01L21/0435—Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H01L21/044—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28537—Deposition of Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H01L21/28581—Deposition of Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
    • H01L21/443—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf einem Halbleiter (14) zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes (16) mit den Schritten bereit: Einbringen des Halbleiters (14) in die Prozesskammer (10); Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine vorbestimmte Temperatur; Evakuieren der Prozesskammer (10) auf einen ersten vorbestimmten Druck oder darunter; Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine zweite vorbestimmte Temperatur; Einleiten eines Gases (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, bis ein zweiter vorbestimmter Druck erreicht ist, welcher höher als der erste vorbestimmte Druck ist; und Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf dem Halbleiter (14) aus dem Gas (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, wobei das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) den Schottky-Kontakt (16) in einem MESFET-Transistor ausbildet.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und einer Halbleiterkontaktvorrichtung.
  • Für eine Vielzahl von Bauelementen, beispielsweise Dioden oder Transistoren, die auf einem Schottky-Kontakt beruhen, ist es von außerordentlicher Bedeutung, reproduzierbare Schottky-Barrieren einer ausreichenden Barrieren-Höhe zu erzeugen. Nach dem Stand der Technik wird Metall, zum Beispiel Molybdän, selektiv über dem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes abgeschieden. Bisher verwendete Materialien weisen z.B. bei Silizium-Halbleitern Energie-Barrieren von 0,55 – 0,85 eV (vergleiche SZE "Physics of Semiconductor", 2nd Edition, p. 245-311) auf und sind schwer zu strukturieren, da Metall selektiv über dem Halbleiter strukturiert werden muss. Metallisierungsprozesse und deren Strukturierung, insbesondere der Einsatz von Schwermetallen, entsprechen nicht den Ansprüchen einer sauberen Umwelt und einer Ressourcen schonenden Prozessierung.
  • Eine hohe Leitfähigkeit ist nur eine Vorgabe eines Gate-Materials für einen Transistor. Des Weiteren sind Vorgaben eine leichte Strukturierbarkeit, eine Temperaturstabilität bis zu 1200° Celsius und eine Resistivität gegen eine Abreicherung bzw. Depletion der Ladungsträger an der Grenzfläche bei angelegter Spannung. Problematisch bei metallischen Elektroden ist insbesondere die Strukturierbarkeit, da bei der trockenätztechnischen Strukturierung dann mit hoher Selektivität auf einer nur ca. 1 nm dünnen Gate-Oxidschicht gestoppt werden muss, ohne diese anzugreifen oder auch wegzuätzen. Im Falle eines Schottky-Kontaktes muß auf dem Halbleitermaterial und nicht auf dem Gateoxid gestoppt werden. Darüber hinaus sind Abscheidungsprozesse von Metallen (Sputtern, CVD, PECVD..) kostenintensive Einzel-Wafer-Prozesse.
  • Die Druckschrift DE 43 19 268 C2 beschreibt einen vertikalen Diamant-Feldeffekttransistor und eine Herstellungsmethode für diesen. Der vertikale Feldeffekttransistor weist eine Diamantschicht, einen Source-Kontakt, einen Gate-Kontakt, ein nicht aus Diamant bestehendes, einen Drain-Kontakt ausbildendes Substrat auf, wobei zwischen dem Drain-Kontakt und dem auf der Diamantschicht befindlichen Kontakt ein vertikaler Kanal festgelegt wird, der durch die Diamantschicht verläuft.
  • Die Druckschrift US 5,278,431 beschreibt einen gleichrichtenden Kontakt mit einer undotierten Diamantschicht. Der gleichgerichtete Kontakt auf einem Halbleiter aus p+-Diamant wird durch eine nicht dotierte Diamantschicht mit einer Dicke von 2 bis 500 nm und einer entarteten p++-Diamantschicht gebildet.
  • Die Druckschrift US 5,086,014 beschreibt ein Herstellungsverfahren für eine Schottky-Diode, welche eine polykristalline Diamantschicht aufweist.
  • Die EP 0 457 508 A2 beschreibt eine Diamant-Halbleitervorrichtung. Die Diamant-Halbleitervorrichtung weist eine p+-Diamantschicht auf, welche auf ein Diamantsubstrat abgeschieden wird.
  • Die Druckschrift „Amorphic diamond/silicon semiconductor heterojunctions exhibiting photoconductive characteristics" der Autoren Davanloo, Collins, Koivusaari, Leppävuori, erschienen in „Applied Physics Letters", ISSN 0003-6951, 2000, Vol. 27, No. 12, beschreibt auf den Seiten 1837 bis 1839 einen gleichrichtenden Übergang zwischen amorphem Diamant und Silizium.
  • Die EP 0 519 472 A2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer dotierten Diamantschicht auf einem Siliziumsubstrat.
    •
  • Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Gates eines MESFET-Transistors und eine Halbleiterkontaktvorrichtung für einen MESFET-Transistor bereitzustellen, durch welches ein niedriger spezifischer Widerstand, eine hohe Energie-Barriere des Schottky-Gates, hohe Temperaturbeständigkeit, eine umweltfreundlichen Abscheidungs- und Strukturierungsmethode und eine Realisierung in einem Parallel-Prozess ermöglicht wird.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das im Anspruch 1 angegebene Verfahren und durch die Halbleiterkontaktvorrichtung nach Anspruch 20 gelöst.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht im Wesentlichen darin, eine hochleitfähige Kohlenstoffschicht aus einem organischen Gas konform über einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Gates für einen MESFET-Transistor abzuscheiden, wobei der Schottky-Kontakt eine ausreichend hohe Energie-Barriere bereitstellt.
  • In der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem insbesondere dadurch gelöst, dass ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterkontaktvorrichtung in einem MESFET-Transistor mit einem Halbleiter und einem leitfähigen Schottky-Gate auf dem Halbleitermaterial, wobei das Schottky-Gate aus einem Kohlenstoffmaterial abgeschieden wird, bereitgestellt wird.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des jeweiligen Erfindungsgegenstandes.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung bildet das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial auf dem Halbleiter eine Schottky-Diode aus.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung bildet das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial auf dem Halbleiter ein Schottky-Gate eines MESFET-Transistors aus.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der erste vorbestimmte Druck unter einem Pa, vorzugsweise unter einem Achtel Pa.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der zweite vorbestimmte Druck in einem Bereich zwischen 10 und 1013 hPa, vorzugsweise zwischen 300 und 700 hPa.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt die vorbestimmte Temperatur zwischen 400° C und 1200° C, vorzugsweise bei 600° C oder bei 950° C.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird als Gas, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, Methan in die Prozesskammer eingeleitet.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Gas so schnell in die Prozesskammer eingeleitet, dass es bei einem vorgegebenen Druck nicht sofort zu einer Abscheidung kommt, sondern dass das Gas sich erst erwärmt und daraufhin die Abscheidung einsetzt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das abgeschiedene, leitfähige Kohlenstoffmaterial durch die Zugabe von Diboran oder BCl3 oder Stickstoff oder Phosphor oder Arsen oder durch eine Ionen-Implantation in einer vorbestimmten Konzentration dotiert.
  • Ein Vorteil dieser bevorzugten Weiterbildung ist, dass durch die Dotierung des abgeschiedenen, leitfähigen Kohlenstoffmaterials die Leitfähigkeit und die Austrittsarbeit des Kohlenstoffmaterials einstellbar sind.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird vor dem Einleiten des Gases, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, ein Temperschritt des Halbleiters, vorzugsweise bei der vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einer Wasserstoff-Atmosphäre mit einem Druck zwischen 200 und 500 Pa, vorzugsweise 330 Pa, während einer vorbestimmten Dauer, vorzugsweise 5 Minuten, durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird nach dem Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials dieses bei 1000° C bis 1200° C, vorzugsweise 1050° C für eine Zeitdauer von 0,5 bis 5 Minuten, vorzugsweise 2 Minuten, getempert.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird bei Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials der Vorgang nach einer vorbestimmten Zeit unterbrochen und die abgeschiedene leitfähige Kohlenstoffmaterialschicht in einem Ätzschritt, vorzugsweise mit einem Plasma, teilweise rückgeätzt, wonach der Abscheidungsvorgang wieder initiiert wird.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die Unterbrechung, die Rückätzung und die Reinitiierung der Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials mehrfach in einem Stufenprozess wiederholt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials bei einem zweiten vorbestimmten Druck zwischen 1 und 300 hPa unter Anwesenheit einer aktivierenden Photonen-Quelle in der Prozesskammer.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials in einem Batch-Prozess bzw. in einem Parallel-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern parallel durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials in einem Batch-Prozess bzw. in einem Parallel-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern als Silizium-Halbleiter für eine Zeitdauer von 2 bis 30 Minuten, vorzugsweise 5 Minuten, parallel durchgeführt. Die Dauer der Abscheidung bestimmt dabei die Dicke der Kohlenstoffschicht. Bei einer typischen Dauer von 5 Minuten ist die Kohlenstoffschicht etwa 100 Nanometer dick.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Schottky-Kontakt bei einer p-Dotierung des Silizium-Halbleiters von 1017/cm3 eine Schottky-Barriere von wenigstens 0,8 eV auf.
    •
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Seitenschnittansicht einer Prozesskammer zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung;
  • 2a, b eine schematische Querschnittsansicht eines über einem Halbleiter abgeschiedenen Kohlenstoffmaterials;
  • 3 eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode;
  • 4 eine Querschnittsansicht eines Schottky-Gates eines MESFET nach der vorliegenden Erfindung.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung nachfolgend mit Bezug auf Halbleiter-Strukturen bzw. Halbleiter-Herstellungsprozesse beschrieben wird, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise einsetzbar.
  • 1 zeigt eine schematische Seitenschnittansicht einer Prozesskammer 10 zur Erläuterung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die Prozesskammer 10 ist beispielsweise über eine Pump-Einrichtung (nicht gezeigt) mit einem beliebigen Druck beaufschlagbar. Über eine Zuleitung 11 können beliebige Gase 12 in die Prozesskammer 10 eingebracht werden. Über eine Heizeinrichtung 13, welche vorzugsweise auch eine Photonen-Quelle aufweist, ist die Prozesskammer 10 beliebig, zum Beispiel zwischen 0° C und 2000° C temperierbar. Gemäß 1 sind mehrere Silizium-Halbleiter 14 beispielsweise in Form von mehreren Halbleiter-Wafern in dem Innenraum 10' der Prozesskammer angeordnet.
  • Nachfolgend wird anhand eines exemplarischen Ausführungsbeispiels ein erfindungsgemäßer Abscheidungsprozess zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes 16 mit Bezug auf 1 beschrieben. Zunächst wird die Prozesskammer 10, beispielsweise ein Ofen, auf eine vorbestimmte Temperatur, vorzugsweise 950° C, aufgeheizt und mit einem ersten vorbestimmten Druck von vorzugsweise unter einem Achtel Pa beaufschlagt, nachdem zumindest ein Halbleiter-Wafer 14, welcher vorzugsweise zunächst Raumtemperatur (20° C) aufweist, in den Innenraum 10' der Prozesskammer 10 eingebracht wurde.
  • Daraufhin erfolgt vorzugsweise ein Temperschritt bei 950° C und einer vorbestimmten Dauer von beispielsweise 5 Minuten unter Zugabe von Wasserstoff über die Zuleitung 11, sodass ein Druck von etwa 330 Pa in der Prozesskammer 10 vorliegt. Dann wird die Prozesskammer 10 mit einem Gas 12, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, vorzugsweise Methan (CH4), unter einem zweiten vorbestimmten Druck in einen Bereich zwischen 300 und 800 hPa gefüllt. Die Pyrolyse bzw. Zersetzung des Gases 12 setzt dabei nicht sofort ein, sondern nimmt vorzugsweise etwa eine Minute in Anspruch, bis das Gas 12 und die Oberfläche des Silizium-Halbleiters 14 soweit erwärmt sind, dass die Zersetzung des Gases 12 an der Oberfläche des Silizium-Halbleiters 14 einsetzt.
  • 2a und 2b zeigen eine schematische Querschnittsansicht eines über einem Silizium-Halbleiter 14 abgeschiedenen Kohlenstoffmaterials 17 zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes 16.
  • Über dem Halbleiter-Substrat 14 wird mit Bezug auf 1 exemplarisch erläuterten Verfahren gemäß 2a ein leitfähiges Kohlenstoffmaterial 17 abgeschieden. Um das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial 17 zu strukturieren, wird selektiv eine Maske 15 bsp. ein Photolack bzw. über dem Kohlenstoffmaterial 17 aufgebracht. Ein folgendes Strukturierungsverfahren bsp. eine Lithografie bildet die Struktur des abgeschie denen Kohlenstoffmaterials 17 nach 2b aus. Zwischen dem abgeschiedenen Kohlenstoffmaterial 17 und dem Halbleiter 14 ist der Schottky-Kontakt 16 durch den Übergang dieser beider Schichten definiert und bestimmt.
  • 3 zeigt eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode.
  • Über einem n+-dotierten Halbleiter 14'' ist ein n-dotierter Halbleiter 14' aufgebracht. Über dem n-dotierten Halbleiter 14' ist eine Ausnehmung in einer strukturierten Isolierschicht 20 vorgesehen. Mit Bezug auf 2a, b ist in der Ausnehmung der strukturierten Isolierschicht 20 das leitfähige Kohlenstoffmaterial 17 mittels mehrerer Kohlenstoffmaterialsschichten 17' abgeschieden.
  • Die in 3 dargestellte Schottky-Diode ist sowohl in der Wahl der Dotierung der Silizium-Halbleiter 14 (bzw. 14', 14'') als auch in der Wahl des Strukturaufbaus nur beispielhaft.
  • Das Kohlenstoffmaterial 17 substituiert die Metallschicht einer jeden bekannten Schottky-Diode (vergleiche SZE "Physics of Semiconductor", 2nd Edition, p. 245-311).
  • In 4 ist eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines Schottky-Gates eines MESFETs nach der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • Der MESFET weist über einer Isolierschicht 20, vorzugsweise Siliziumoxyd, eine Halbleiterschicht 14 auf. Über der Halbleiterschicht 14 ist eine weitere Isolierschicht 20 mit drei strukturierten Ausnehmungen vorgesehen, wobei in den zwei äußeren strukturierten Ausnehmungen jeweils eine n+-dotierte Halbleiterschicht 14'' zur Ausbildung der Drain und der Source des MESFET abgeschieden werden. In der dritten mittleren Ausnehmung der strukturierten Isolierschicht 20 wird mit Bezug auf 2 das Kohlenstoffmaterial 17 abgeschieden.
  • Zwischen der Kohlenstoffmaterialschicht 17 und dem Halbleiter 14 ist ein Schottky-Kontakt 16 ausgebildet.
  • Wie in 3 ist auch nach 4 die Wahl der Dotierungen der Halbleitermaterialien (14, 14', 14'') sowie die Wahl der Strukturaufbaus des MESFET nur beispielhaft.
  • Das Schottky-Gate 19, ausgebildet durch Kohlenstoffmaterialschichten 17' bzw. Kohlenstoffmaterial 17, substituiert jeweils das metallische Gate eines jeden bekannten MESFET-Transistors (vgl. T.J. Thornton "Physics and Applications of the Schottky Junction Transistor", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, No. 10, October 2001, p. 2421) Ein Halbleitersubstrat kann dabei ein Festkörper bestehend aus folgenden Materialien sein:
    • – Silizium;
    • – Siliziumkarbid;
    • – Diamant;
    • – Germanium;
    • – zumindest einen der III-V-Halbleiter BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb;
    • – zumindest einen der II-VI-Halbleiter ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeSe, MgS, MgSe;
    • – zumindest eine der Verbindungen GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe,
    • – zumindest eine der Verbindungen CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI;
    • – oder aus einer Kombiation dieser Materialien bestehen.
  • Der Halbleiter kann p-dotiert oder n-dotiert sein.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar. So ist das Verfahren auch auf andere Substrate bzw. Trägermaterialien, außer Halbleiter-Substrate, anwendbar.
    • 10
    Prozesskammer
    10'
    Innenraum der Prozesskammer
    11
    Zuleitung in Prozesskammer
    12
    gasförmiges Medium
    13
    Heizeinrichtung, vorzugsweise mit Photonen-Quelle
    14
    Halbleiter, bsp. Silizium-Halbleiter
    14'
    n-dotierter Halbleiter
    14''
    n+-dotierter Halbleiter
    15
    Maske, bsp. Photolack
    16
    Schottky-Kontakt
    17
    Kohlenstoffmaterial
    17'
    Kohlenstoffmaterialschicht
    18
    Schottky-Diode
    19
    Schottky-Gate eines MESFET (Metall-Semiconductor FET,
    Metall-Halbleiter Feldeffekttransistor)
    20
    Siliziumoxid, SiO2
    21
    MESFET
    22
    Source des MESFET
    23
    Drain des MESFET

Claims (21)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterkontaktvorrichtung in einem MESFET-Transistor mit einem Halbleiter (14) und einem leitfähigen Schottky-Gate (19) auf dem Halbleitermaterial (14), dadurch gekennzeichnet, dass das Schottky-Gate (19) aus einem Kohlenstoffmaterial (17) abgeschieden wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausbildung des Schottky-Gates (19) folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden. (a) Einbringen des Halbleiters (14) in eine Prozesskammer (10) (b) Erhitzen des Innenraums (10') der Prozesskammer (10) auf eine vorbestimmte Temperatur; (10); (c) Evakuieren der Prozesskammer (10) auf einen ersten vorbestimmten Druck oder darunter; (d) Erhitzen des Innenraums (10') der Prozesskammer (10) auf eine zweite vorbestimmte Temperatur; (e) Einleiten eines Gases (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, bis ein zweiter vorbestimmter Druck erreicht ist, welcher höher als der erste vorbestimmte Druck ist; und (f) Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf dem Halbleiter (14) aus dem Gas (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, wobei das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) das Schottky-Gate (19) ausbildet.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter (14) aus einem der folgenden Materialen ist: aus Silizium; aus Siliziumkarbid; aus Diamant; aus Germanium; aus zumindest einen der III-V-Halbleiter BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb; aus zumindest einen der II-VI-Halbleiter ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe; aus zumindest eine der Verbindungen GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe; aus zumindest eine der Verbindungen CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI; oder aus einer Kombination aus diesen Materialien.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter (14) p-dotiert oder n-dotiert ist.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste vorbestimmte Druck unter einem Pa, vorzugsweise unter einem Achtel Pa, liegt.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite vorbestimmte Druck im Bereich zwischen 10 und 1013 hPa, vorzugsweise zwischen 300 und 700 hPa, liegt.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die vorbestimmte Temperatur zwischen 400°C und 1200°C, vorzugsweise bei 600°C oder 950°C, liegt.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Gas (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, Methan in die Prozesskammer (10) eingeleitet wird.
  9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas (12) so schnell in die Prozesskammer (10) eingeleitet wird, dass es bei einem vorgegeben Druck nicht sofort zu einer Abscheidung kommt, sondern dass das Gas (12) sich erst erwärmt und daraufhin die Abscheidung einsetzt.
  10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das abgeschiedene, leitfähige Kohlenstoffmaterial (17) durch die Zugabe von Diboran oder BCl3 oder Stickstoff oder Phosphor oder Arsen oder durch eine Ionen-Implantation in einer vorbestimmten Konzentration dotiert wird.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Einleiten des Gases (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, ein Temperschritt des Silizium-Halbleiters (14), vorzugsweise bei der vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einer Wasserstoff-Atmosphäre mit einem Druck zwischen 200 und 500 Pa, vorzugsweise 330 Pa, während einer vorbestimmten Dauer, vorzugsweise 5 min, durchgeführt wird.
  12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17), dieses bei 1000°C bis 1200°C, vorzugsweise 1050°C, für eine Zeitdauer von 0,5 bis 5 Minuten, vorzugsweise 2 Minuten, getempert wird.
  13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) der Vorgang nach einer vorbestimmten Zeit unterbrochen wird und die abgeschiedene leitfähige Kohlenstoffmaterialschicht (17') in einem Ätzschritt, vorzugsweise mit einem Plasma, teilweise rückgeätzt wird, wonach der Abscheidungsvorgang wieder initiiert wird.
  14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterbrechung, die Rückätzung und die Re-Initiierung der Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) mehrfach in einem Stufenprozess wiederholt werden.
  15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) bei einem zweiten vorbestimmten Druck zwischen 1 und 300 hPa unter Anwesenheit einer aktivierenden Photonen-Quelle (13) in der Prozesskammer (10) erfolgt.
  16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) in einem Batch-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern (14) parallel durchgeführt wird.
  17. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) in einem Batch-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern (14) für eine Zeitdauer von 2 bis 30 Minuten, vorzugsweise 5 Minuten, parallel durchgeführt wird.
  18. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Schottky-Gate (19) bei einer p-Dotierung des Halbleiters (14) eine Schottky-Barriere von wenigstens 0,8 eV aufweist.
  19. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, die Kohlenstoffschicht (17) mit einem Wasserstoff-, Sauerstoff- oder Luftplasma und einem Fotolack strukturiert wird.
  20. Halbleiterkontaktvorrichtung in einem MESFET-Transistor mit: (a) einem Halbleiter (14); und (b) einem leitfähigen, aus einem abgeschiedenen Kohlenstoffmaterial (17) gebildeten Schottky-Gate (19) auf dem Halbleitermaterial (14).
  21. Halbleiterkontaktvorrichtung nach einem der Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Kohlenstoffmaterial (17) Bor, Stickstoff, Phosphor oder Arsen durch die Zugabe von Diboran oder BCl3 oder Stickstoff oder Phosphin oder Arsin während des Prozesses oder einer Ionen-Implantation nach dem Prozess in einer vorbestimmten Konzentration als Dotierung aufweist.
DE102004006544A 2004-02-10 2004-02-10 Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung Expired - Fee Related DE102004006544B3 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004006544A DE102004006544B3 (de) 2004-02-10 2004-02-10 Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung
JP2006552474A JP2007525026A (ja) 2004-02-10 2004-12-23 ショットキ・コンタクトを形成するために半導体上に導電性炭素材料を堆積するための方法、及び半導体コンタクト・デバイス
PCT/EP2004/014681 WO2005081296A1 (de) 2004-02-10 2004-12-23 Verfahren zur abscheidung eines leitfähigen kohlenstoffmaterials auf einem halbleiter zur ausbildung eines schottky-kontaktes und halbleiterkontaktvorrichtung
EP04804272A EP1714310A1 (de) 2004-02-10 2004-12-23 Verfahren zur abscheidung eines leitfähigen kohlenstoffmaterials auf einem halbleiter zur ausbildung eines schottky-kontaktes und halbleiterkontaktvorrichtung
US11/495,808 US20070010094A1 (en) 2004-02-10 2006-07-28 Method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor for forming a Schottky contact and semiconductor contact device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004006544A DE102004006544B3 (de) 2004-02-10 2004-02-10 Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004006544B3 true DE102004006544B3 (de) 2005-09-08

Family

ID=34832589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004006544A Expired - Fee Related DE102004006544B3 (de) 2004-02-10 2004-02-10 Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070010094A1 (de)
EP (1) EP1714310A1 (de)
JP (1) JP2007525026A (de)
DE (1) DE102004006544B3 (de)
WO (1) WO2005081296A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006010512A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Eliminierung oder Verringerung der Oxid- und/oder Russabscheidung in kohlenstoffhaltigen Schichten
US7768016B2 (en) 2008-02-11 2010-08-03 Qimonda Ag Carbon diode array for resistivity changing memories
US7935634B2 (en) 2007-08-16 2011-05-03 Qimonda Ag Integrated circuits, micromechanical devices, and method of making same
US8030637B2 (en) 2006-08-25 2011-10-04 Qimonda Ag Memory element using reversible switching between SP2 and SP3 hybridized carbon

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080102278A1 (en) 2006-10-27 2008-05-01 Franz Kreupl Carbon filament memory and method for fabrication
US7915603B2 (en) 2006-10-27 2011-03-29 Qimonda Ag Modifiable gate stack memory element
JP4362635B2 (ja) * 2007-02-02 2009-11-11 ローム株式会社 ＺｎＯ系半導体素子
US20080296674A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Qimonda Ag Transistor, integrated circuit and method of forming an integrated circuit
US8912654B2 (en) * 2008-04-11 2014-12-16 Qimonda Ag Semiconductor chip with integrated via
US8624293B2 (en) * 2009-12-16 2014-01-07 Sandisk 3D Llc Carbon/tunneling-barrier/carbon diode
CN101866860B (zh) * 2010-05-26 2012-05-23 上海大学 一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
US8557654B2 (en) 2010-12-13 2013-10-15 Sandisk 3D Llc Punch-through diode

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0457508A2 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Sumitomo Electric Industries, Limited Diamant-Halbleiteranordnung
US5086014A (en) * 1989-09-19 1992-02-04 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Schottky diode manufacturing process employing the synthesis of a polycrystalline diamond thin film
EP0519472A2 (de) * 1991-06-21 1992-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Anordnung mit einem Diamant-Metall-Übergang
US5278431A (en) * 1992-06-09 1994-01-11 Kobe Development Corporation Diamond rectifying contact with undoped diamond layer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5211796A (en) * 1990-01-08 1993-05-18 Lst Logic Corporation Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber
JP3174135B2 (ja) * 1992-05-07 2001-06-11 シャープ株式会社 化合物半導体装置
EP0714136A1 (de) * 1994-11-09 1996-05-29 Research Development Corporation Of Japan Heteroübergangs- oder Schottky- Sperrschichthalbleiterbauelement und Solarzelle
DE19514081A1 (de) * 1995-04-13 1996-10-17 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5086014A (en) * 1989-09-19 1992-02-04 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Schottky diode manufacturing process employing the synthesis of a polycrystalline diamond thin film
EP0457508A2 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Sumitomo Electric Industries, Limited Diamant-Halbleiteranordnung
EP0519472A2 (de) * 1991-06-21 1992-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Anordnung mit einem Diamant-Metall-Übergang
US5278431A (en) * 1992-06-09 1994-01-11 Kobe Development Corporation Diamond rectifying contact with undoped diamond layer
DE4319268C2 (de) * 1992-06-09 1998-01-15 Kobe Steel Ltd Vertikaler Diamant-Feldeffekttransistor und Herstellungsmethode für diesen

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Davanloo,F., Collins,C.B., Koivusaari,J., Leppä- vuori,S.: Amorphic diamond/silicon semiconductor heterojunctions exhibiting photoconductive charac- teristics. In: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, 2000, Vol.77, No.12, Seite 1837-1839
Davanloo,F., Collins,C.B., Koivusaari,J., Leppä- vuori,S.: Amorphic diamond/silicon semiconductor heterojunctions exhibiting photoconductive charac-teristics. In: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, 2000, Vol.77, No.12, Seite 1837-1839 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006010512A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Eliminierung oder Verringerung der Oxid- und/oder Russabscheidung in kohlenstoffhaltigen Schichten
US8216639B2 (en) 2005-12-16 2012-07-10 Qimonda Ag Methods for elimination or reduction of oxide and/or soot deposition in carbon containing layers
US8030637B2 (en) 2006-08-25 2011-10-04 Qimonda Ag Memory element using reversible switching between SP2 and SP3 hybridized carbon
US7935634B2 (en) 2007-08-16 2011-05-03 Qimonda Ag Integrated circuits, micromechanical devices, and method of making same
US7768016B2 (en) 2008-02-11 2010-08-03 Qimonda Ag Carbon diode array for resistivity changing memories

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005081296A1 (de) 2005-09-01
JP2007525026A (ja) 2007-08-30
EP1714310A1 (de) 2006-10-25
US20070010094A1 (en) 2007-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4202154C2 (de) Elektronikbauelemente mit halbleitendem polykristallinem Diamanten, bei denen eine isolierende Diamantschicht verwendet wird und Verfahren zu deren Herstellung
DE112006000151B4 (de) Herstellungsverfahren für CMOS Transistsorübergangsbereiche, die durch ein CVD Ätzen gebildet sind und eine Ablagerungsabfolge in ein und derselben Kammer
DE102005046711B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines vertikalen MOS-Halbleiterbauelementes mit dünner Dielektrikumsschicht und tiefreichenden vertikalen Abschnitten
EP1604390B1 (de) Verfahren zur herstellung einer spannungsrelaxierten schichtstruktur auf einem nicht gitterangepassten substrat sowie verwendung eines solchen schichtsystems in elektronischen und/oder optoelektronischen bauelementen
DE102014109562B4 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur
DE112004002409B4 (de) Verfahren zum Verbessern der Transistorleistung durch Reduzieren des Salizidgrenzflächenwiderstandes und Transistor
DE2926874C2 (de)
DE102004006544B3 (de) Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung
DE112005000226B4 (de) Metalltransistorbauteil
DE112011102787B4 (de) Epitaxialwafer und Halbleitereinrichtung
DE102019114131A1 (de) Feldeffekttransistor unter verwendung von übergangsmetall-dichalcogenid und verfahren zu dessen herstellung
DE69113571T2 (de) MIS-Transistor mit Heteroübergang.
DE10025264A1 (de) Feldeffekt-Transistor auf der Basis von eingebetteten Clusterstrukturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012214559A1 (de) Graphen- und Nanoröhrchen-/Nanodraht-Transistor mit einer selbstausgerichteten Gate-Elektrodenstruktur auf transparenten Substraten und Verfahren zur Herstellung desselben
EP0656647A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit mindestens einem MOS-Transistor
DE112004002373T5 (de) Strained-Transistor-Integration für CMOS
DE19632834C2 (de) Verfahren zur Herstellung feiner Strukturen und dessen Verwendung zur Herstellung einer Maske und eines MOS-Transistors
DE102013201076A1 (de) Gestalten einer grenzfläche zum optimieren von metall-iii-v-kontakten
EP1706906A1 (de) Halbleiter-leistungsschalter sowie dafür geeignetes herstellungsverfahren
EP1090415B1 (de) Halbleiteranordnung mit ohmscher kontaktierung und verfahren zur kontaktierung einer halbleiteranordnung
DE102006009721B4 (de) Nanodraht (Nanowire)-Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung
EP0510349B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors
DE102020126638A1 (de) Diffusionssperrschicht für source/ drain-strukturen zur erhöhung von transistorleistung
EP2697830B1 (de) Halbleiterbauelement
DE102007002965A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur oder Varistorstruktur in einem Graben eines Halbleiterkörper

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee