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Die
Erfindung betrifft gemäß einer
Ausführungsform
ein Verfahren zur Abscheidung einer kohlenstoffhaltigen Schicht
auf einer Oberfläche,
z.B. einer Siliciumoberfläche,
wobei (i) bei der Abscheidung eine weitgehend siliciumoxidfreie
Grenzfläche
zwischen dem Silicium und der kohlenstoffhaltigen Schicht oder (ii)
zumindest eine Verringerung der Oxidabscheidung an der Grenzfläche zwischen
dem Silicium und der kohlenstoffhaltigen Schicht bewirkt wird.
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Gemäß einer
anderen Ausführungsform
betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Abscheidung
einer kohlenstoffhaltigen Schicht, bei dem der Abscheidungsprozeß (i) weitgehend
rußfrei
(teilchenfrei) ist oder (ii) zumindest die Rußabscheidungsmenge verringert.
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Bei
der Herstellung von leitfähigen
Strukturen in einer Halbleitervorrichtung, wie Gräben, Elektroden
oder Vias, ist es in der Regel wichtig, eine Schicht mit hoher Leitfähigkeit
zu verwenden, die auf der Oberfläche
eines Substrats wie Silicium gut haftet. Des weiteren sollte die
Wahl eines derartigen Materials auch einige nachstehend erörterte Kriterien
erfüllen.
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Zum
einen sollten die Bildung und Weiterverarbeitung des Materials mit
standardmäßigen Halbleiterfertigungsprozessen
vereinbar sein. Außerdem ist
in der Regel eine konforme Schicht gefordert, z.B. sollte eine Schicht
einheitlich über
einen Wafer hinweg und von Wafer zu Wafer reproduzierbar gebildet werden.
Ferner sollte das Fertigungsverfahren leicht zu implementieren und
vor allem im Vergleich zu Standardverfahrensweisen kostenmäßig attraktiv sein.
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Aus
der Literatur ist gut bekannt, daß leitfähigen Kohlenstoff enthaltende
Materialien, wie polykristallinen Kohlenstoff enthaltende Filme,
die auch als Pyrokohlenstoff bezeichnet werden, hervorragende Kandidaten
für die
Halbleitertechnologie, z.B. für die
Fertigung von Speichervorrichtungen, wie DRAM oder nichtflüchtigen
Speichern (NVM), sein können.
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Die
Patentschrift
DE 103
45 393 A1 beschreibt ein Verfahren zur Abscheidung von
leitfähigen
kohlenstoffhaltigen Schichten auf einem Siliciumsubstrat. Die Siliciumoberfläche wird
mit Siliciumoxid als Passivierungsschicht versehen. Das Verfahren
besteht aus dem Einbringen eines Wafers in eine Kammer bei Raumtemperatur
zum Erhitzen der Kammer auf 950°C
unter H
2-Strom.
Dann wird die kohlenstoffhaltige Schicht durch Pyrolyse von CH
4 bei einem Druck von 300 hPa bis 800 hPa
und bei 950°C abgeschieden.
Gegebenenfalls kann die kohlenstoffhaltige Schicht nach der Abscheidung
2 Minuten bei einer Temperatur von 1050°C getempert werden.
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Die
Patentschrift
DE
10 2004 006 544 B3 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung
von MESFET-Transistoren (Metal Semiconductor Field Effect Transistor)
mit einem Schottky-Gate aus einem kohlenstoffhaltigen Material.
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G.
Raghavan et al. beschreiben in der Literaturstelle Jpn. J. Appl.
Phys., Band 32 (1993), S. 380–383,
die Verwendung von polykristallinem Kohlenstoff (der in der Literaturstelle
auch als Polykohlenstoff bezeichnet wird) als Material für Gate-Elektroden in der
MOS-Technologie. Die Polykohlenstoffilme werden bei Temperaturen
im Bereich von 700°C bis
1100°C und
bei Drücken
im Bereich von 0,5 Torr bis 2,0 Torr (~ 66,7 Pa bis 266,7 Pa) auf
oxidierten Siliciumsubstraten abgeschieden. Die Oxiddicken werden
von 6,2 nm bis 100 nm variiert. Als Kohlenstoffvorläufer wird
Methan verwendet, und die Polykohlenstoffilme werden mit Bortrichlorid
dotiert. Die Abschei dungstechnik besteht aus PECVD (Plasma Assisted
Chemical Vapour Deposition) mit Hochfrequenzanregung bei 13,56 MHz.
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Die
Patentschrift
DE 198
56 295 C2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von
CHEMFETs (Chemically Sensitive Field Effect Transistors), bei denen
die Gate-Elektrode eine sogenannte Kohlenstoffelektrode ist. Die
Kohlenstoffelektrode wird aus einer kohlenstoffhaltigen Schicht,
bei der es sich um ein organisches Material (Novolack) handelt,
gebildet. Die Gate-Elektrode wird auf einer Siliciumoxidschicht
aufgebaut, welche als Isolierschicht auf einem Siliciumsubstrat
verwendet wird.
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Leitfähigen Kohlenstoff
enthaltende Filme könnten
zwar sehr attraktive Materialien für die Halbleiterfertigung sein,
sind jedoch bisher nur in eingeschränktem Maße zur Anwendung gekommen.
Insbesondere besteht eine anwendungstechnische Einschränkung in
Grabenkondensatoren (wie beispielsweise MIM-artigen (Metal-Insulator-Metal) Kondensatorstrukturen)
oder als Schottky-Dioden, bei denen mindestens eine Metallschicht
durch eine leitfähigen Kohlenstoff
enthaltende Schicht auf einer Siliciumoberfläche gebildet wird.
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Ein
die Anwendung von kohlenstoffhaltigen Materialien einschränkender
Faktor ist die Bildung einer Siliciumoxidschicht auf der Oberfläche eines
Siliciumsubstrats. In der Literatur sind gut bekannte naßchemische
Behandlungen auf Basis von HF-Lösungen zum
Abätzen
und Entfernen der nativen Siliciumoxidschicht von der Oberfläche von
Silicium beschrieben. Bei der Abscheidung von leitfähigen Kohlenstoff
enthaltenden Filmen auf einer Siliciumoberfläche bei Temperaturen zwischen
600°C und
900°C ist
die Bildung einer Siliciumoxid-Grenzfläche jedoch nicht zu vermeiden.
Diese Siliciumoxid-Grenzfläche ist
zwar nur dünn
(weniger als 2 nm), führt
aber zum Erscheinen eines zusätzlichen
kapazitiven Widerstands, der entweder die Leistungsfähigkeit
verringert oder die Funktionalität
der Vorrichtungen als Grabenkondensatoren (wie MIM) oder Schottky-Dioden
verschlechtert.
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Bergmaier
et al. berichten in der Literaturstelle Diamond and Related Materials
8 (1999), S. 1142–1147, über Studien
der Sauerstoffbedeckung an der Diamant/Silicium-Grenzfläche in einem
Temperaturbereich zwischen 700°C
und 850°C.
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Ein
zweiter Faktor, der die Verwendung von kohlenstoffhaltigen Materialien
in Vorrichtungen wie Grabenkondensatoren (wie MIM) oder Schottky-Dioden
einschränkt,
ist die Bildung von Nebenprodukten in Form von Teilchen, insbesondere
polymeren Kohlenstoffprodukten, aus kohlenstoffhaltigem Gas. Wenngleich
konforme Schichten leicht aus kohlenstoffhaltigen Gasen abgeschieden
werden könnten, ist
ein sogenannter weitgehend rußfreier
(teilchenfreier) Prozeß für Halbleiteranwendungen
mit dem Ziel, einen Ausbeuteverlust durch parasitäre Teilchen zu
verhindern, obligatorisch.
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Oberlin
berichtet in der Literaturstelle Carbon 40 (2002), S. 7–24, über mikrostrukturelle
Studien von Pyrokohlenstoffilmen im Zusammenhang mit der Zersetzung
von Kohlenwasserstoffgasen und chemischen Reaktionen in der Gasphase.
In dieser Literaturstelle wurde angegeben, daß durch Verwendung von C2H2 als Gas Tröpfchen (homogene
Nukleierung im Gas) parasitären
Ruß bilden,
welcher sich anschließend
auf dem Substrat abscheiden würde.
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Die
vorliegende Erfindung stellt gemäß einer Ausführungsform
eine Lösung
zur Verringerung der oben beschriebenen Probleme bereit, die die
Verwendung von kohlenstoffhaltigen Materialien für die Halbleiteranwendung stark
verbessert.
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Eine
Aufgabe einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung besteht demgemäß in der Bereitstellung eines
Verfahrens zur Abscheidung von kohlenstoffhaltigen Schichten auf
einer Siliciumoberfläche,
wobei die Grenzfläche
zwischen Silicium und kohlenstoffhaltigen Schichten weitgehend siliciumoxidfrei
ist oder eine im Vergleich zu vorbekannten Verfahren verringerte
Oxidmenge aufweist.
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Eine
weitere Aufgabe einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Verfahrens
zur Abscheidung von kohlenstoffhaltigen Schichten, das weitgehend
rußfrei
(teilchenfrei) ist oder bei dem die Rußmenge verringert wird.
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Verschiedene
Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden
näheren
Beschreibung der beispielhaften Ausführungsform der Erfindung und
den beigefügten
Zeichnungen hervor. Es zeigen:
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1 die
mittels ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) vorgenommene
Tiefenanalyse an der Grenzfläche
eines Systems mit einer kohlenstoffhaltigen Schicht und einem Siliciumsubstrat,
wobei die kohlenstoffhaltige Schicht mit Hilfe eines gut bekannten
pyrolytischen Abscheidungsprozesses auf der Siliciumoberfläche abgeschieden worden
ist;
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2 die
I-V-Analyse (Strom-Spannungs-Analyse) eines Systems mit einer kohlenstoffhaltigen
Schicht und einem Siliciumsubstrat, wobei die kohlenstoffhaltige
Schicht mit Hilfe eines gut bekannten pyrolytischen Abscheidungsprozesses
auf der Siliciumoberfläche
abgeschieden worden ist (Abscheidungsverfahren identisch mit 1);
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3 die
mittels ESCA vorgenommene Tiefenanalyse eines Systems mit einer
kohlenstoffhaltigen Schicht und einem Siliciumsubstrat, wobei die kohlenstoffhaltige
Schicht mit Hilfe einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung auf der Siliciumoberfläche abgeschieden
worden ist;
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4 die
I-V-Analyse eines Systems mit einer kohlenstoffhaltigen Schicht
und einem Siliciumsubstrat, wobei die koh lenstoffhaltige Schicht
mit Hilfe einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung auf der Siliciumoberfläche abgeschieden
worden ist (Abscheidungsverfahren identisch mit 3);
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5 die
schematische Darstellung eines Systems aus einer leitfähigen kohlenstoffhaltigen Schicht
L2, einer kohlenstoffhaltigen Schicht L1 und einem Siliciumsubstrat,
wobei die kohlenstoffhaltige Schicht L2 auf der kohlennstoffhaltigen
Schicht L1 abgeschieden worden ist und die kohlenstoffhaltige Schicht
1 gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung auf der Siliciumoberfläche abgeschieden
worden ist;
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6a für eine Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Variation der Temperatur als Funktion
der Zeit während
des Abscheidungsprozesses;
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6b für eine Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Variation der Gasströme G01 und
G02 als Funktion der Zeit während
des Abscheidungsprozesses;
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6c für eine Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Variation der Dicken d1 und d2 der
kohlenstoffhaltigen Schichten L1 bzw. L2 als Funktion der Zeit während des
Abscheidungsprozesses.
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Die 6a, 6b und 6c sind
nicht notwendigerweise maßstabsgetreu.
Sie stellen schematisch die Variation der Temperatur, des Gasstroms bzw.
der Dicke als Funktion der Zeit gemäß Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung dar.
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Wenngleich
nun spezielle beispielhafte Ausführungsformen
der Erfindung zur Erläuterung
näher beschrieben
werden, versteht es sich, daß die
vorliegende Erfindung nicht auf die in der Beschreibung beschriebenen
speziellen Ausführungsformen
beschränkt
ist. Wie für
den Fachmann ersichtlich ist, können
zahlreiche sehr unterschiedliche Ausführungsformen der vor liegenden
Erfindung in verschiedenen anderen Anwendungen konstruiert werden, ohne
den Grundgedanken und den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung
zu verlassen. Ferner läge es
für den
Fachmann auf der Hand, daß alle
hier beschriebenen Werte beispielhaft sind, da Werte von einer Anwendung
oder einer Spezifikation einer Anwendung abhängen können.
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1 illustriert
die Tiefenanalyse der Grenzfläche
eines Systems aus einem Siliciumsubstrat und einer auf der Oberfläche des
Siliciums abgeschiedenen kohlenstoffhaltigen Schicht. Die Tiefenanalyse wurde
mittels ESCA-Messungen (ESCA = Electron Spectroscopy for Chemical
Analysis) erhalten.
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Das
Siliciumsubstrat wurde vor dem Einbringen in die Prozeßkammer,
eine Kammer, in der das Si-Substrat verarbeitet wird, mit einem
naßchemischen Ätzprozeß auf Basis
einer HF-Lösung
behandelt. Diese Ätztechnik
ermöglicht
die Eliminierung der nativen Siliciumoxidschicht, die auf der Oberfläche eines
Siliciumsubstrats vorliegt.
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Gemäß der Patentschrift
DE 103 45 393 A1 wird
das Siliciumsubstrat nach dem Einbringen in die Prozeßkammer
in einer H
2-Atmosphäre auf 950°C erhitzt. Dann wird durch Eintragen
von CH
4-Gas bei einem Druck von 330 Pa und
einer konstanten Temperatur von 950°C auf der Oberfläche des
Siliciums eine kohlenstoffhaltige Schicht abgeschieden.
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Die
Tiefenanalyse dieses Systems, wie in 1 gezeigt,
zeigt das Vorliegen eines gut definierten Sauerstoffpeaks an der
Grenzfläche
zwischen dem Siliciumsubstrat und der kohlenstoffhaltigen Schicht.
Das Vorliegen von Sauerstoff ist ein klares Anzeichen für die Bildung
einer dünnen
Siliciumoxidschicht an der Grenzfläche zwischen der Siliciumoberfläche und
der kohlenstoffhaltigen Schicht.
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2 illustriert
die I-V-Analyse (Strom-Spannungs-Analyse) des als Siliciumsubstrat-Siliciumoxid-kohlenstoffhaltige Schicht
definierten Systems gemäß obiger
Beschreibung. Da die Rückbildung des
Siliciumoxids beim Erhitzen vor der Abscheidung der kohlenstoffhaltigen
Schicht stattfindet, erscheint an der Grenzfläche zwischen Silicium und kohlenstoffhaltiger
Schicht ein zusätzlicher
kapazitiver Widerstand, der wiederum die Kapazität der Vorrichtung, insbesondere
im Fall eines Grabenkondensators in DRAM-Technologie, wobei mindestens
eine Elektrode aus einer leitfähigen
kohlenstoffhaltigen Schicht besteht und auf der Oberfläche eines
Siliciumsubstrats abgeschieden ist, verringert. Alternativ dazu
beträgt
die Stromdichte, wie in 2 gezeigt, in einer Schottky-Diode
infolge der zusätzlichen
dünnen
Oxidschicht 4 A/cm2 bei 0,2 V.
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Die
vorliegende Erfindung stellt gemäß einer Ausführungsform
ein Verfahren zur Abscheidung einer kohlenstoffhaltigen Schicht
auf einer Siliciumoberfläche
bereit, bei dem die Grenzfläche
zwischen der kohlenstoffhaltigen Schicht und dem Siliciumsubstrat
weitgehend frei von Siliciumoxid ist oder die Menge an abgeschiedenem
Oxid verringert wird.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann die Verfahrensweise einen naßchemischen Ätzprozess
eines Siliciumsubstrats auf Basis einer HF-Lösung vor dem Einbringen des Siliciumsubstrats
in die Prozeßkammer
umfassen, um gegebenenfalls die native Siliciumoxidschicht von der
Oberfläche
des Siliciumsubstrats zu entfernen, wie weiter oben beschrieben.
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Nach
dem Einbringen des Siliciumsubstrats in eine Prozeßkammer
bei einer Temperatur T1, z.B. Raumtemperatur, kann ein erstes Gas
G01 unter Druck, z.B. Normaldruck, in die Prozeßkammer eingebracht werden.
Bei dem Gas G01 könnte
es sich beispielsweise um ein Inertgas wie Ar oder He oder ein Gas
wie H2 oder N2 oder
ein Gemisch dieser Gase handeln. Nach einer Ausspülzeit in
Gegenwart des Gases G01, beispielsweise Ar, kann ein zweites Gas
G02 eingebracht werden, z.B. unter Druck, z.B. Normaldruck, in die
Prozeßkammer
eingeleitet werden.
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Bei
dem Gas G02 handelt es sich um ein kohlenstoffhaltiges Gas, wie
z.B. einen Kohlenwasserstoff, wie u.a. CnH2n+2 (worin n zwischen 1 und 4 liegt) oder
C2H2 oder C2H4, oder ein kohlenstoffhaltiges
Gas, z.B. u.a. CCl4, oder ein Gemisch dieser
Gase. So kann man beispielsweise in der Prozeßkammer bei einer Temperatur,
z.B. Raumtemperatur, und einem Druck, z.B. Normaldruck, C2H2-Gas in ein anderes
Gas, z.B. Ar-Gas, einbringen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung könnte
das Verhältnis
des Gases G01 zum Gas G02 in der Prozeßkammer von etwa 1/100 bis
etwa 20/1 variieren. So kann man beispielsweise das Gas C2H2 in Gegenwart
von Argon in die Prozeßkammer
einleiten, wobei das Ar/C2H2-Gasflußverhältnis 5/1
beträgt.
Wie bemerkt, können
je nach den gewünschten
Ergebnisen andere Verhältnisse
von G01 zu G02 verwendet werden.
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Die
Prozeßkammer
kann bei dem (z.B. konstanten) G01/G02-Gasflußverhältnis (beispielsweise Ar/C2H2 mit einem Gasflußverhältnis von
5/1) von der Temperatur T1 auf höhere
Temperaturen erhitzt werden, bis die Prozeßkammer eine vordefinierte
Temperatur T2 erreicht (beispielsweise kann T2 für ein Ar/C2H2-Gasflußverhältnis von
5/1 840°C
betragen). Die Temperatur T2 kann je nach dem verwendeten kohlenstoffhaltigen
Gas G02 von etwa 700°C
bis etwa 1200°C
variieren. Es versteht sich, daß die
Prozeßkammer
im Fall von heißwandigen
Prozeßkammern
ganz oder im Fall von kaltwandigen Prozeßkammern lokal durch Erhöhen der
Temperatur des Substrats erhitzt werden kann.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann sich bei der Temperaturerhöhungsphase der Prozeßkammer
von z.B. Raumtemperatur auf z.B. etwa 840°C im Fall von Ar/C2H2, beispielsweise mit einem Gasflußverhältnis von
5/1, das kohlenstoffhaltige Gas C2H2 bei Temperaturen über 305°C zu undefinierten Polymeren
zersetzen, welche sich abscheiden und eine einheitliche kohlenstoffhaltige Schicht
auf der Oberfläche
des Siliciumsubstrats bilden können.
Die Dicke dieser kohlenstoffhaltigen Schicht kann während dieser
Temperatuerhöhungsphase
auf 840°C
weiter wachsen, bis eine vordefinierte Dicke erreicht ist, die beispielsweise
von etwa 1 nm bis etwa 500 nm variieren könnte.
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3 illustriert
die Tiefenanalyse der Grenzfläche
eines Systems aus einem Siliciumsubstrat und der gemäß den oben
beschriebenen Abscheidungsprozeßschritten
auf der Oberfläche
des Siliciums abgeschiedenen kohlenstoffhaltigen Schicht. Wie oben erwähnt, wurde
die Tiefenanalyse mittels ESCA-Messungen erhalten.
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Wie
in 3 gezeigt, kann die Sauerstoffmenge an der Grenzfläche zwischen
dem Siliciumsubstrat und der gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung abgeschiedenen kohlenstoffhaltigen Schicht
wesentlich verringert werden. Daher kann man sagen, daß die Grenzfläche zwischen
Silicium und kohlenstoffhaltiger Schicht weitgehend siliciumoxidfrei
ist oder zumindest die Grenzfläche
eine verringerte Oxidmenge enthält.
Es versteht sich, daß der
Begriff „weitgehend
siliciumoxidfreie Grenzfläche" bedeutet, daß die Sauerstoffmenge
an der Grenzfläche
zwischen Silicium und kohlenstoffhaltiger Schicht so klein ist,
daß bei
ESCA-Messungen ein gut definierter Peak für Sauerstoff nicht erhalten werden
kann (die Sauerstoffmenge liegt in diesem Fall unter den Auflösungsgrenzen
der ESCA-Technik). In 3 ist das Sauerstoffsignal im
Gegensatz zu 1 nur als Hintergrund/Rausch-Signal
vorhanden.
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4 illustriert
die I-V-Analyse des als Siliciumsubstratgemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung abgeschiedene kohlenstoffhaltige Schicht
definierten Systems. Ein Vergleich der 2 und 4 zeigt,
daß die
Abscheidung ei ner kohlenstoffhaltigen Schicht auf einer Siliciumoberfläche mit weitgehend
siliciumoxidfreier Grenzfläche
gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung verbessert.
Die wesentliche Verringerung der Siliciumoxidmenge an der Grenzfläche zwischen
Silicium und kohlenstoffhaltiger Schicht kann einen direkten Kontakt
von Silicium und kohlenstoffhaltiger Schicht ohne zusätzliche
Kapazität
(oder wesentliche zusätzliche
Kapazität)
aufgrund einer Siliciumoxid-Grenzfläche ermöglichen, wie in 4 gezeigt.
Bei 0,2 V kann die Stromdichte gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung auf etwa 3000 A/cm2 erhöht werden – im Gegensatz zu 2,
in der eine Stromdichte von etwa 4 A/cm2 erhalten
wurde.
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Gemäß einer
anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Abscheidung einer
kohlenstoffhaltigen Schicht bereitgestellt, für das der Abscheidungsprozeß weitgehend rußfrei (teilchenfrei)
ist oder eine verringerte Außmenge
aufweist.
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Bei
dem Verfahren zur Herstellung des Systems gemäß 5, das aus
einem Siliciumsubstrat und einer ersten kohlenstoffhaltigen Schicht
und einer zweiten kohlenstoffhaltigen Schicht besteht, werden in
der detailliert beschriebenen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung und in den Figuren die folgenden Bezugszeichen verwendet:
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- L1
- erste
auf der Siliciumoberfläche
abgeschiedene kohlenstoffhaltige Schicht;
- L2
- zweite
auf der Siliciumoberfläche
abgeschiedene kohlenstoffhaltige Schicht;
- d1
- Dicke
der kohlenstoffhaltigen Schicht L1;
- d2
- Dicke
der kohlenstoffhaltigen Schicht L2;
- G01
- Gaszufuhr
1;
- G02
- Gaszufuhr
2;
- T1–T4
- Temperaturen
1 bis 4 und
- t1
- Temperzeit.
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5 illustriert
schematisch gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung ein System, das aus einem Siliciumsubstrat, einer
ersten kohlenstoffhaltigen Schicht L1 und einer zweiten kohlenstoffhaltigen Schicht
L2 besteht. Aus dieser schematischen Darstellung ist zu entnehmen,
daß die
erste kohlenstoffhaltige Schicht L1 auf der Siliciumoberfläche abgeschieden
werden kann, wobei die Grenzfläche
zwischen dem Siliciumsubstrat und der kohlenstoffhaltigen Schicht
L1 weitgehend siliciumoxidfrei ist.
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Unter
Bezugnahme auf 5 kann die zweite kohlenstoffhaltige
Schicht L2 gemäß einer
anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung abgeschieden werden, wobei das kohlenstoffhaltige
Material weitgehend rußfrei
(teilchenfrei) ist.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung zeigen die 6a und 6b Beispiele
für die Variation
der Temperatur bzw. der Gasströme
G01 und G02 in der Prozeßkammer,
und 6c zeigt gemäß einer
anderen Ausführungsform
der Erfindung schematisch Beispiele für die Variation der Dicken
d1 und d2 kohlenstoffhaltiger Materialien L1 bzw. L2 bei der Herstellung
des in 5 illustrierten Systems.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann ein Verfahren zur Herstellung eines Systems von
kohlenstoffhaltigen Schichten L1 und L2 auf einer Siliciumsubstratoberfläche, wie
z.B. in 5 gezeigt, die folgenden Schritte
umfassen:
Zunächst
kann ein Siliciumsubstrat vor dem Einbringen in die Prozeßkammer
mit Hilfe eines naßchemischen Ätzprozesses
auf Basis einer HF-Lösung
behandelt werden, um die native Siliciumoxidschicht von der Oberfläche des
Siliciumsubstrats beseitigen zu helfen.
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Nach
dem Einbringen des Siliciumsubstrats in eine Prozeßkammer
bei einer Temperatur T1, z.B. Raumtemperatur, kann ein erstes Gas
G01 unter Druck, z.B. Normaldruck, in die Prozeßkammer eingebracht werden.
Bei dem Gas G01 kann es sich beispielsweise um ein Inertgas wie
Ar oder He oder ein Gas wie H2 oder N2 oder ein Gemisch dieser Gase handeln. Nach
einer Ausspülzeit
in Gegenwart des Gases G01, beispielsweise Ar, kann ein zweites
Gas G02 eingebracht werden, z.B. unter Druck, z.B. Normaldruck,
in die Prozeßkammer
eingeleitet werden.
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Bei
dem Gas G02 kann es sich um ein kohlenstoffhaltiges Gas, wie z.B.
einen Kohlenwasserstoff, wie u.a. CnH2n+2 (worin n zwischen 1 und 4 liegt) oder
C2H2 oder C2H4, oder ein kohlenstoffhaltige
Gas, z.B. u.a. CCl4, oder ein Gemisch dieser
Gase handeln. So kann man beispielsweise in der Prozeßkammer
bei einer Temperatur, z.B. Raumtemperatur, und einem Druck, z.B.
Normaldruck, C2H2-Gas
in ein Ar-Gas eintragen.
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Das
Verhältnis
des Gases G01 zum Gas G02 in der Prozeßkammer kann von etwa 1/100
bis etwa 20/1 variieren. So kann man beispielsweise das Gas C2H2 in Gegenwart
von Argon in die Prozeßkammer einleiten,
wobei das Ar/C2H2-Gasflußverhältnis 5/1 beträgt.
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Die
Prozeßkammer
kann bei dem G01/G02-Gasflußverhältnis, das
konstant sein kann (beispielsweise Ar/C2H2 mit einem Gasflußverhältnis von etwa 5/1), von der
Temperatur T1 auf höhere Temperaturen
erhitzt werden, bis die Prozeßkammer eine
vordefinierte Temperatur T2 erreicht (beispielsweise kann T2 für ein Ar/C2H2-Gasflußverhältnis von etwa
5/1 840°C
betragen), wie in den 6a und 6b gezeigt.
Die Temperatur T2 kann je nach dem verwendeten kohlenstoffhaltigen
Gas G02 von etwa 700°C
bis etwa 1200°C
variieren. Es versteht sich, daß die
Prozeßkammer
im Fall von heißwandigen Prozeßkammern
ganz oder im Fall von kaltwandigen Prozeßkammern lokal durch Erhöhen der
Temperatur des Substrats erhitzt werden kann.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung zersetzt sich das kohlenstoffhaltige Gas bei Temperaturen über 300°C (beispielsweise
im Fall von C2H2 etwa
305°C) bei
der Temperaturerhöhungsphase
der Prozeßkammer
von T1 auf T2 z.B. Raumtemperatur auf z.B. etwa 840°C im Fall
von Ar/C2H2, beispielsweise
mit einem Gasflußverhältnis von
etwa 5/1, und bildet eine kohlenstoffhaltige Schicht L1 auf der
Oberfläche
des Siliciumsubstrats und verhindert dadurch die Bildung von Siliciumoxid
auf der Oberfläche
des Siliciumsubstrats. Die Dicke der abgeschiedenen kohlenstoffhaltigen
Schicht L1 kann während dieser
Temperaturerhöhungsphase
auf T2 (beispielsweise etwa 840°C)
weiter wachsen, bis eine vordefinierte Dicke d1 erreicht ist, wie
in 6c gezeigt, die beispielsweise von etwa 1 nm bis
etwa 500 nm variieren kann.
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Bei
einer konstanten Temperatur T2 (beispielsweise etwa 840°C) kann das
kohlenstoffhaltige Gas G02 in Form von kurzen Pulsen (beispielsweise etwa
10 Sekunden C2H2 mit
einem Gasstrom von 1 Nlm (Normalliter/min) in Gegenwart des Gases
G01 wie in 6b gezeigt (beispielsweise mit
einem Gasflußverhältnis von
etwa 5/1 für
Ar/C2H2) in die
Prozeßkammer
gegeben werden, um eine zweite kohlenstoffhaltige Schicht L2 auf
der Oberfläche
der kohlenstoffhaltigen Schicht L1 zu bilden (wie in 5 gezeigt).
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Die
Dauer der Pulse des kohlenstoffhaltigen Gases (beispielsweise etwa
10 Sekunden) kann von der Kammergröße und den verwendeten Massenstromsystemen
abhängen.
Die Pulse sind voneinander durch einen Zeitrahmen getrennt, der
von der Ausspül zeit
des kohlenstoffhaltigen Gases G02 aus der Prozeßkammer abhängen kann.
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Die
Pulse des kohlenstoffhaltigen Gases können wiederholt werden, bis
eine vordefinierte Dicke d2 der kohlenstoffhaltigen Schicht L2 erreicht
ist, wie in 6c gezeigt, die beispielsweise
ungefähr
im Bereich von etwa 1 nm bis etwa 10 mm liegen kann.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann das kohlenstoffhaltige Gas G02 in
Gegenwart des Gases G01, wie z.B. in 6b gezeigt,
nach der Abscheidung der kohlenstoffhaltigen Schicht L2 mit der
gewünschten
Dicke d2 aus der Prozeßkammer
ausgespült
werden. Immer noch in Gegenwart des Gases G01 kann die Temperatur
der Prozeßkammer
von T2 auf eine gewünschte
Temperatur T3 (beispielsweise etwa 950°C) erhöht werden, wie in 6a gezeigt.
Die Temperatur T3 kann je nach der verwendeten Tempertechnik (Spike-,
Flash- oder Lasertempertechnik) von etwa 850°C bis etwa 1500°C variieren.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung wird das System von z.B. 5 aus Siliciumsubstrat,
kohlenstoffhaltiger Schicht L1 und kohlenstoffhaltiger Schicht L2
bei einer konstanten Temperatur T3 und in Gegenwart des Gases G01
getempert (beispielsweise etwa 2 Minuten). Die Temperzeit t1 (die
ungefähr
von etwa 0,5 Minuten bis etwa 5 Minuten variiert) kann von den zu
erhaltenden elektrischen Eigenschaften der kohlenstoffhaltigen Schicht L2
variieren (wobei gewünschte
Leitfähigkeitswerte ungefähr zwischen
60 μOhmcm
bis 2 μOhmcm
variieren, basierend auf der Anwendung des kohlenstoffhaltigen Materials
in der Halbleitertechnologie, insbesondere für Speichervorrichtungen).
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Nach
dem Temperschritt kann nach einer Ausführungsform der Erfindung das
Gas G01 aus der Prozeßkammer
ausgespült
und die Temperatur der Prozeßkammer
von T3 auf eine gewünschte
Temperatur T4 gesenkt werden. Die Temperatur T4 kann von etwa 20°C bis etwa
400°C variieren.
Es versteht sich, daß die
Temperatur der Prozeßkammer
im Fall von heißwandigen
Prozeßkammern
ganz oder im Fall von kaltwandigen Prozeßkammern lokal durch Senken
der Temperatur des Substrats gesenkt werden kann. Bei einer Temperatur
T4 kann gemäß einer Ausführungsform,
die allgemein durch das System von 5 gezeigt
ist, das aus dem Siliciumsubstrat und der kohlenstoffhaltigen Schicht
L1 und der kohlenstoffhaltigen Schicht L2 besteht, aus der Prozeßkammer
genommen werden.
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Schließlich kann
gemäß einigen
Ausführungsformen
der Erfindung die Prozeßkammer
mit Hilfe eines Mikrowellen-Sauerstoffplasmas
oder durch Ausspülen
der Prozeßkammer
mit Ozongas oder durch Erhitzen der Prozeßkammer unter Sauerstoffstrom
oder durch eine Kombination dieser Technikenn gereinigt werden.