DE2844070C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf amorphe Halbleiterbauelemente mit den in den Ansprüchen 1 und 3 des Hauptpatents 28 20 824 genannten Merkmalen.
Gegenüber dem vorbekannten amorphen Halbleiterbauelement (Solid State Communications, 1975, Seite 1193 bis 1196) zeichnet sich das im Hauptpatent beanspruchte amorphe Halbleiterbauelement insbesondere durch eine niedrigere Aktivierungsenergie aus.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, solche amorphe Halbleiterbauelemente noch beständiger bei höheren Temperaturen bis zu beispielsweise 600°C oder höher zu machen.
Das amorphe Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung ist in einer Alternative im Anspruch 1, in einer anderen Alternative im Anspruch 2 gekennzeichnet; weitere Ausbildungen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Es hat sich gezeigt, daß diese amorphen Halbleiterbauelemente mit hoher Temperaturfestigkeit, insbesondere hoher Zähigkeit, und gleichzeitig verhältnsmäßig niedriger Aktivierungsenergie herstellbar sind, ohne daß das Herstellungsverfahren wie bei dotierten Halbleiter-Einkristallen hohe Produktionskosten verursacht.
Dies wird entsprechend den kennzeichnenden Merkmalen der Ansprüche erreicht durch den Einbau wenigstens eines der Elemente mit niedrigem Atomgewicht aus der Gruppe Bor, Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff.
Diese Elemente mit niedrigem Atomgewicht in der amorphen Matrix bilden starke Bindungskräfte in dieser, insbesondere durch kovalente Bindung, sowie hohe Schmelzpunkttemperaturen mit entsprechend hohen kristallinen und Glasübergangstempe­ raturen. Kristalline Kräfte suchen die amorphen Strukturen in kristalline Strukturen umzuformen, aber dies erfordert Mobilität der Atome und eine Bewegung der letzteren aus dem amorphen Zustand in den kristallinen Zustand, was haupt­ sächlich bei den kristallinen und den Glasübergangstempera­ turen der amorphen Struktur auftritt. Die starken Bindungs­ kräfte und die hohen Schmelzpunkte und entsprechend hohen kristallinen und Glasübergangstemperaturen der amorphen Wirtsmatrix der Halbleiterbauelemente nach dem Anspruch 1 minimalisieren die Beweglichkeit der Atome, so daß die amorphe Wirtsmatrix hohe Temperaturen aus­ hält und eine gute Zähigkeit besitzt und ihren amorphen Zustand beibehält.
Bei den amorphen Halbleiterbauelementen nach dem Anspruch 2 modifizieren die Zusätze Bor, Kohlenstoff, Stickstoff oder Sauerstoff die elektronischen Konfigurationen der amorphen Matrix bei Raumtemperatur und vor allem auch beträchtlich darüber.
Bei den amorphen Halbleiterbauelementen nach der Erfindung kann die amorphe Wirtsmatrix wie beim Hauptpatent normaler­ weise eigenleitend sein und durch den Zusatz im folgenden auch Modifi­ zierungsmaterial genannt in eine Störstellen­ leitung umgewandelt werden. Das der amorphen Matrix zugege­ bene Modifizierungsmaterial kann die elektrische Aktivierungs­ energie der ersteren beträchtlich vermindern und die elektrische Leitfähigkeit des Halbleiterbauelementes auch bei hohen Temperaturen erhöhen. Es kann auch beträchtlich den Seebeck- Koeffizienten des Halbletierbauelementes und/oder dessen Leit­ fähigkeitstyp ändern.
Beispielsweise Ausführungsformen der Erfindung werden nach­ folgend anhand der Zeichnung erläutert. Dabei zeigt
Fig. 1 schematisch eine Ausführungsform eines Halbleiterbau­ elementes nach der Erfindung;
Fig. 2 schematisch eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
Fig. 3 schematisch einen p-n-Übergang unter Verwendung eines amorphen Halbleiterbauelementes nach der Erfindung;
Fig. 4 schematisch in Form eines Diagrammes den Absorptions­ koeffizienten über dem Bandabstand, wobei die kleineren Differenzen zwischen dem Bandabstand des unmodifizierten amorphen Halbleitermaterials und dem Bandabstand des modifizierten amorphen Halbleitermaterials dargestellt sind, und
Fig. 5 schematisch in Form eines Diagrammes die elektri­ sche Leitfähigkeit über dem Kehrwert der Temperatur, wobei die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Aktivierungsenergie des unmodifizierten Materials und der des modifizierten Materials bei verschiedenen Graden der Modifizierung dargestellt sind.
In Fig. 1 ist eine Form einer Halbleiteranordnung 10 gezeigt, die ein amorphes Halbleiterbauelement 11 enthält, das auf einem Substrat 12 aus vorzugsweise einem Isoliermaterial, wie Glas oder dergleichen, niedergeschlagen ist. Das amorphe Halbleiter­ bauelement 11 umfaßt ein amorphes Halbleitermaterial, das in Form einer festen amorphen Wirtsmatrix 13 ausgebildet ist, mit strukturellen Konfigurationen, die mehr örtliche als weit­ reichende Ordnung oder Anordnung haben, sowie mit elektronischen Konfigurationen, die einen Bandabstand und eine große elektri­ sche Aktivierungsenergie haben. Das amporphe Halbleiterbauelement 11 umfaßt ferner ein Modifizierungsmaterial 14, das der amorphen Matrix 13 zugegeben wurde und im wesentlichen homogen im Halbleitermaterial der Matrix 13 verteilt ist. Das amorphe Halb­ leiterbauelement 11 kann ferner Elektroden 16 und 17 aufweisen, die an ihm zum Zwecke der elektrischen Anschlüsse angebracht sind.
Vorzugsweise wird das amorphe Halbleiterbauelement 11 durch gemeinsames Niederschlagen des amorphen Halbleitermaterials der Matrix 13 und des Modifizierungsmaterials 14 gebildet. Das gemeinsame Aufsprühen kann in einem konventionellen Hochfrequenz-Sprühgerät durchgeführt werden. Hier ist eine Kathode an eine Aluminiumstützplatte gebunden und es besteht aus dem Halbleitermaterial, das auf dem Substrat 12 niederge­ schlagen werden soll. Ferner sind Stücke des Modifizierungs­ materials 14 an dem Halbleitermaterial des Kathode angebracht. Die Substrate 12 werden von einem Halter getragen, der von der Kathode in einem Abstand von etwa 3,5 cm angeordnet ist, bei einem Durchmesser der Kathode von etwa 9 cm oder in einem Abstand von etwa 3 cm bei einem Kathodendurch­ messer von 2,5 cm.
Die Sprühvorrichtung wird zuerst auf ein Vakuum von etwas weniger als etwa 8 × 10-6 mbar evakuiert, um einen Hintergrund­ vakuumdruck zu schaffen. Dann wird Argon in die Vorrichtung eingeblasen, um einen Betriebsdruck von etwa 6,5 × 10-3 mbar zu erzuegen, was durch ein Vakuummeßgerät überwacht werden kann, wodurch sich ein effektiver Druck von etwa 9 × 10-3 mbar in der Vorrichtung ergibt. Die Oberfläche der Kathode und die Stücke des Modifizierungsmaterials 14 werden zuerst gereinigt, z. B. durch Sprühen gegen den Verschluß der Vorrichtung, angrenzend an die Substrate 12, über etwa 30 min Danach wird der Verschluß geöffnet und das Halbleitermaterial der Kathode und die Stücke des Modifizierungsmaterials 14 auf der Kathode werden gemeinsam auf die Substrate 12 aufgesprüht. Die Kathode und die Halterung für die Substrate 12 sind beide wasserge­ kühlt, so daß ihre Temperaturen während des Aufsprühvorgangs niedrig sind und unter dem Schmelzpunkt oder den kristallinen bzw. Glasübergangstemperaturen der Materialien liegen. Die Hochfrequenzenergie der Vorrichtung kann eine Frequenz von etwa 13,56 MHz, eine Spannung von etwa 1000 V und eine Leistung von etwa 50-70 W bei einem Kathodendurch­ messer von etwa 9 cm aufweisen.
Die Niederschlagsraten hängen von den aufzusprühenden Materialien ab und die Niederschlagszeit wird variiert, um die gewünschten Dicken des Auftrags zu erhalten. Die Dicken des gleichzeitig niedergeschlagenen amorphen Halbleiterteiles, in welchem sich das Modifizierungsmaterial befindet, können von einigen wenigen 10 nm bis etwa 5 µm variieren, abhängig von den Ver­ wendungszwecken des amorphen Halbleiterbauelementes. Das Halb­ leitermaterial und das Modifizierungsmaterial 14 werden auf den Substraten 12 in amorpher Form niedergeschlagen.
Die Menge des Modifizierungsmaterials 14, das im wesentlichen homogen dem amorphen Halbleitermaterial bei der Bildung der amorphen Wirtsmatrix 13 zugegeben wird, wird im allgemeinen durch die Größe der Stücke des am Halbleitermaterial an der Kathode angebrachten Modifizierungsmaterials 14 bestimmt. Gewünschte Prozente an Modifizierungsmatarial 14, die dem amorphen Halbleitermaterial zugegeben werden, können demgemäß zweck­ mäßigerweise gesteuert werden. Um beispielsweise ein amorphes Halbleiterbauelement 11 mit einer Dicke von etwa 100 nm zu erhalten, das aus SiC mit Molybdän als Modifizierungsmittel 14, besteht ist eine Aufsprühzeit von etwa 7 min bei einer Kathode mit etwa 9 cm Durchmesser erforderlich. Werden die Materialien ge­ meinsam aufgesprüht, so ist das Modifizierungsmaterial 14 im wesentlichen homogen in dem Halbleiterbauelement 11 enthalten. Wenn gewünscht, kann das Halbleiterbauelement 11 geglüht werden.
Wie Fig. 1 zeigt, sind die Elektroden 16 und 17 im Abstand an dem amorphen Halbleiterbauelement 11 angeordnet, so daß sie den elektrischen Eigenschaften über die Länge des Halbleiterbau­ elementes 11 ausgesetzt sind. Beispielsweise kann die Anordnung 10 nach Fig. 1 ein thermoelektrischer Generator sein, so daß dann, wenn ein Ende der Anordnung 10 auf eine höhere Temperatur als das andere Ende erwärmt wird, eine thermoelektrische Energie im Halbleiterbauelement 11 erzeugt wird und an den im Abstand angeordneten Elektroden 16 und 17 abgenommen werden kann.
Eine andere Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 2 mit 10 A bezeichnet und sie unterscheidet sich gegenüber der Anordnung 10 nach Fig. 1 insofern, als die Elektroden 16 und 17 auf gegenüberliegenden Seiten des amorphen Halbleiterbauelementes 11 angeordnet sind, so daß sie auf die elektrischen Eigen­ schaften desselben durch dessen Dicke anstatt über dessen Länge an­ sprechen. Hierzu wird eine metalli­ sche Elektrode 16 zuerst auf dem Substrat 12 niedergeschlagen, ehe das amorphe Halbleiterbauelement 11 aufgebracht wird. Das amorphe Halbleiterbauelement 11 einschließlich der amorphen Halbleitermatrix 13 und des Modifizierungsmaterials 14, das dieser homogen zugegeben wird, kann in derselben Weise wie das amorphe Halbleiterelement 11 nach Fig. 3 aufgebracht werden. Das amorphe Halbleiterbauelement 11 kann durch gemeinsames Aufsprühen aufgebracht werden.
Nachdem das Bauelement 11 gebildet worden ist, wird gemäß Fig. 2 eine Metall­ elektrode 17 auf ihm aufgebracht. Die amorphe Halbleiteranordnung 10 A nach Fig. 2 kann beispielsweise als thermoelektrischer Generator benutzt werden, durch Erwärmen der Elektrode 17 auf eine Temperatur über derjenigen der Elektrode 16, um eine thermoelektrische Energie im amorphen Halbleiterbauelement 11 zu erzeugen, wobei die Elektroden 16 und 17 dazu benutzt werden, die thermoelektrische Energie abzunehmen. Die Metallelektrode 17 kann beispielsweise auch ein transparentes Metall sein, so daß Licht hindurchtreten kann. Zwischen der Transparentelektrode 17 und dem Halbleiterbauelement 11 wird da­ durch eine Schottky-Barriere geschaffen. Licht, z. B. Sonnen­ licht, kann dann photoelektrisch an der Schottky-Barriere eine Spannung und einen Strom erzeugen, der an den Elektroden 16 und 17 abgenommen wird, so daß das Halbleiterbauelement 11 als Photoelement wirkt.
Die amorphen Halbleiterbauelemente 11 können p-Leitfähigkeit oder n-Leitfähigkeit haben und wie Fig. 3 zeigt, umfaßt die Vorrichtung 22 zwei Schichten aus amorphen Halbleiterbauelementen 11, von denen eine p-Leitfähigkeit und die andere n-Leitfähig­ keit hat. Diese beiden Schichten 11 bilden zwischen sich einen p-n-Übergang 23. Die Vorrichtung 22 eignet sich daher als Bau­ element zum Steuern von Strömen und dergleichen.
Gemäß Fig. 5 ist die elektrische Leitfähigkeitσ(Ω cm)-1 über dem Kehrwert der Temperatur 1000/T(°K)-1 aufgezeichnet. Das unmodifizierte amorphe Halbleitermaterial in der amorphen Wirtsmatrix 13 hat elektrische Konfigurationen mit einem Energie­ band E₀₄ und eine hohe elektrische Aktivierungsenergie E σ, weshalb dieses noch unmodifizierte Material eigenleitend ist, seine elektrische Aktivierungsenergie E σ beträgt im wesentlichen die Hälfte des Bandabstandes E₀₄. Der Bandabstand ist hier beispiels­ weise 1,5 eV und die elektrische Aktivierungsenergie E σ ist somit 0,75 eV, wie durch die Kurve 35 gezeigt.
Wenn ein Modifizierungsmaterial 14 dem amorphen Halbleitermaterial der Matrix 13 zugegeben wird, wird das eigen­ leitende unmodifizierte Halbleitermaterial umgeformt zu einem störstellenleitenden Material, wie durch die gestrichelten Kurven 36 in Fig. 5 dargestellt ist, u. Z. abhängig von der Menge des zuge­ gebenen Modifizierungsmaterials 14, verbunden mit einer entsprechenden Abnahme der elektrischen Aktivierungsenergie E σ bis bei­ spielsweise zu einer so niedrigen elektrischen Aktivierungsenergie E σ von 0,02 eV, wie durch die Kurve 37 in Fig. 5 dargestellt ist. In diesem Fall wird die elektrische Leitfähigkeit bei Zimmertemperatur und darüber σ RT (Ω cm)-1 entsprechend erhöht, wie durch den Schnitt der Raumtemperaturlinie 38 mit den Kurven 35, 36, 37 in Fig. 5 dargestellt ist. Somit kann das unmodifizierte amorphe Halb­ leitermaterial, das praktisch eigenleitend ist, durch die Zugabe ausgewählter Mengen an Modifizierungsmaterial 14 in ein Material umgeformt werden, das im wesentlichen störstellen­ leitend ist und niedrige elektrische Aktivierungsenergien E σ und hohe elektrische Leitfähigkeiten σ RT hat, ent­ sprechend der Menge an Modifizierungsmaterial 14, das der amorphen Wirtsmatrix 13 zugegeben wird.
Gemäß Fig. 4 ist der Absorptionskoeffizient log α (cm)-1 über dem Bandabstand E (eV) aufgetragen. Der Bandabstand E₀₄ ist gleich der Energie, bei der der Absorptionskoeffizient des amorphen Halbleiterelementes 10⁴ (cm)-1 ist. Bei dem un­ modifizierten Halbleitermaterial, wie es in Verbindung mit der Kurve 35 von Fig. 5 betrachtet wurde, ist der Bandabstand E₀₄ im wesentlichen 1,50 eV (Kurve 39 in Fig. 4) und bei einem modifizierten Halbleitermaterial, wie es der Kurve 37 in Fig. 5 entspricht, ist der Bandabstand E₀₄ im wesentlichen 1,45 eV (Kurve 40 in Fig. 4). Es ergibt sich daher ein nur sehr geringer Unterschied der Bandabstände E₀₄ zwischen dem unmodifizierten und dem modifizierten Material, während eine beträchtliche Differenz zwischen den Aktivierungsenergien E σ und den elektrischen Leitfähigkeiten σ RT der beiden Materialien vorhanden ist.
Wie schon erwähnt, ergibt sich ein weiter Gestaltungsbereich für die strukturellen Konfigurationen und den Bandabstand E₀₄ der amorphen Halbleiterelemente. Beispielsweise können die nachfolgend aufgeführten amorphen Halbleitermaterialien annähernd die folgenden Bandabstände E₀₄ aufweisen: Si 1,5 eV; SiC 2,06 eV; B₄C 3,0 eV. Diese amorphen Halbleiter können mit Modifizierungsmitteln störstellenleitend gemacht.
Die Elemente mit niedrigem Atomgewicht, Bor, Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff allein, in Kombination miteinander oder in Kombination mit anderen Elementen, haben hohe Schmelz­ temperaturen T M(°C) und dementsprechend hohe Kristalli­ sierungs- und Glasübergangstemperaturen und außerdem hohe Bindungsenergien E B (eV), wodurch man amorphe Halbleiter­ elemente erhält, die hohe Temperaturen aushalten und eine gute Zähigkeit haben. Beispiele solcher Materialien sind nachfolgend aufgeführt:
Es ist allgemein festzuhalten, daß beim Niederschlagen eines Elements mit niedrigem Atomgewicht in Kombination mit einem anderen Element die Kombinationen aus beiden Elementen höhere Schmelztemperaturen und höhere Bindungsenergien aufweisen als die dieser anderen Elemente.
Die amorphen Halbleiterbauelemente, die die amorphe Wirtsmatrix 13 aus amorphem Halbleitermaterial und das Modifizierungsmaterial 14 ent­ halten, können z. B. C+B, B+C, B+W, B₄C+W, BN+W, SiC+W, Si₃N₄+W, SiO₂+W, SiO₂+C, TeO₂+Ni, Si+B und Si+C enthalten. Die Modifizierungsmaterialien 14 modifizieren die elektronischen Konfigurationen der amorphen Matrix 13 bei Zimmertemperatur und darüber beträchtlich. Nachfolgend werden einige Beispiele hinsichtlich der physikalischen und elektrischen Eigenschaften, einschließlich dem Bandabstand E₀₄ (eV), der elektrischen Aktivierungsenergien E σ (eV), der elektrischen Leitfähigkeit bei Zimmertemperatur σ RT (Ω cm)-1, dem Seebeck-Koeffizienten S (V/° C) und dem Leitfähigkeitstyp p oder n, genannt.
I. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Bor und Kohlenstoff (B₄C) und ein Modifizierungsmaterial 14 aus Wolfram (W) wurden gemeinsam aufgesprüht mit den folgenden Eigenschaften:
Es ist zu bemerken, daß der Bandabstand nicht merklich ab­ nimmt, die Aktivierungsenergie nimmt merklich ab, die elektrische Leitfähigkeit nimmt merklich zu, der Seebeck- Koeffizient ändert sich merklich und der Leitfähigkeits­ typ beibt gleich (p).
II. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Bor und Stickstoff (BN) und ein Modifizierungsmaterial 14 aus Wolfram (W) wurden gleich­ zeitig aufgesprüht, mit folgenden Eigenschaften.
Die Aktivierungsenergie nimmt merklich ab und die elektrische Leitfähigkeit nimmt merklich zu.
III. Ein amorphes Halbleitermarterial 13 aus Silicium und Kohlen­ stoff (SiC) und ein Modifizierungsmaterial 14 aus Wolfram (W) wurden gemeinsam aufgesprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Der Bandabstand nimmt nicht merklich ab, bis eine wesentliche Menge an Wolfram zugegeben wird. Die elektrische Aktivierungs­ energie nimmt erst dann wesentlich ab, wenn eine merkliche Menge von mehr als 1 Vol.-% an Wolfram zugegeben wird; die elektrische Leitfähigkeit nimmt beträchtlich zu, der Seebeck-Koeffizient ändert sich beträchtlich und der Leitfähigkeitstyp bleibt p.
IV. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Silicium und Stickstoff (Si₃N₄) und Wolfram als Modifizierungsmaterial 14 wurden ge­ meinsam aufgesprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Die elektrische Aktivierungsenergie nimmt merklich ab und die elektrische Leitfähigkeit nimmt merklich zu.
V. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Silicium und Sauer­ stoff (SiO₂) und Wolfram als Modifizierungsmaterial 14 wurden gemeinsam aufgesprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Es ergibt sich eine wesentliche Abnahme der elektrischen Aktivierungsenergie und eine wesentliche Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit.
VI. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Tellur und Sauerstoff (TeO₂) und Nickel als Modifizierungsmaterial 14 wurden ge­ meinsam aufgesprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Die elektrische Aktivierungsenergie ist relativ niedrig, die elektrische Leitfähigkeit ist relativ hoch, der Seebeck-Koeffizient ist relativ hoch und der Leitfähig­ keitstyp ist p.
VII. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Silicium (Si) und Bor (B) als Modifizierungsmaterial 14 wurden gemeinsam auf­ gesprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Der Bandabstand nimmt nicht merklich ab, die elektrische Aktivierungsenergie nimmt etwas ab, die elektrische Leit­ fähigkeit nimmt wesentlich zu, der Seebeck-Koeffizient ver­ ändert sich beträchtlich und der Leitfähigkeitstyp ändert sich von n zu p.
VIII. Ein amorphes Halbleitermaterial 13 aus Silicium und Kohlen­ stoff als Modifizierungsmittel 14 wurden gemeinsam aufge­ sprüht, mit folgenden Eigenschaften:
Die elektrische Aktivierungsenergie nimmt merklich ab und die elektrische Leitfähigkeit nimmt merklich zu.
Aus den Beispielen ergibt sich, daß die beschriebenen hoch-temperaturbeständigen amorphen Halbleiterbau­ elemente einfach und nach Wunsch entworfen und aufgebaut werden können, um sie mit gewünschten physikali­ schen und elektrischen Eigenschaften zu versehen, zum Zwecke der Herstellung unterschiedlicher Geräte für zahlreiche unter­ schiedliche Anwendungen.

Claims (9)

1. Amorphes Halbleiterbauelement mit einem mit Zusätzen verse­ henen amorphen Halbleitermaterial, das aus einer Einzelpaar­ bindungen aufweisenden amorphen Wirtsmatrix mit einem oder mehreren der Elemente der Gruppe V und VI des Periodischen Systems besteht, die als Zusatz Nickel, Wolfram, Vanadium, Kupfer, Zink, Molybdän, Rhodium oder Eisen aufweisen, dessen Anteil in der Wirtsmatrix die Größenordnung von Prozenten bis zu 35 Vol.-% derart beträgt, daß die Aktivierungsenergie erniedrigt wird, nach Patent 28 20 824 dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz auch Gadolinium oder Erbium sein kann, und daß mindestens ein Element der amorphen Wirtsmatrix (13) Bor, Kohlenstoff, Stickstoff oder Sauerstoff ist.
2. Amorphes Halbleiterbauelement mit einem mit Zusätzen verse­ henen amorphen Halbleitermaterial, das aus einer Tetraeder-Bin­ dungen aufweisenden Wirtsmatrix mit mindestens einem Element der Gruppe IV des Periodischen Systems besteht, die als Zusatz ein Nickel, Wolfram oder Bor, aufweist, dessen Anteil in der Wirtsmatrix die Größenordnung von Prozenten bis zu 35 Vol.-% derart beträgt, daß die Aktivierungsenergie erniedrigt wird, nach Patent 28 20 824, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz auch Vanadium, Kupfer, Zink, Molybdän, Rhodium, Eisen, Gadolinium oder Erbium sein kann, und daß mindestens ein Element des Zusatzes Bor, Kohlenstoff, Stickstoff oder Sauerstoff ist.
3. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix mindestens ein chalkogenes Element aus der Gruppe Tellur, Selen, Schwefel und Sauerstoff aufweist.
4. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix mindestens zwei Elemente aus der Gruppe, Bor, Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff aufweist.
5. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix Bor und Stickstoff aufweist.
6. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix Bor und Kohlenstoff aufweist.
7. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix Silizium und Stickstoff aufweist.
8. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix Silizium und Sauerstoff aufweist.
9. Amorphes Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Wirtsmatrix Silizium und Kohlenstoff aufweist.
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