DE69126925D1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeicheranordnung mit Kondensator - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeicheranordnung mit Kondensator

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3352744B2 (ja) * 1993-01-18 2002-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Mis型半導体装置の作製方法
TW425637B (en) 1993-01-18 2001-03-11 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
KR970007967B1 (en) * 1994-05-11 1997-05-19 Hyundai Electronics Ind Fabrication method and semiconductor device
US5595928A (en) * 1995-09-18 1997-01-21 Vanguard International Semiconductor Corporation High density dynamic random access memory cell structure having a polysilicon pillar capacitor
US6025226A (en) * 1998-01-15 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method of forming a capacitor and a capacitor formed using the method
US6177305B1 (en) 1998-12-17 2001-01-23 Lsi Logic Corporation Fabrication of metal-insulator-metal capacitive structures
DE10130934A1 (de) * 2001-06-27 2003-01-16 Infineon Technologies Ag Grabenkondensator und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1294021A1 (de) * 2001-08-31 2003-03-19 Infineon Technologies AG Kondensatoreinrichtung für eine Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US7350292B2 (en) * 2004-03-19 2008-04-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for affecting impedance of an electrical apparatus
JP4667030B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置用の半導体基板とその製造方法
KR101912286B1 (ko) * 2017-03-27 2018-10-29 삼성전기 주식회사 커패시터 부품

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5279679A (en) * 1975-12-26 1977-07-04 Toshiba Corp Semiconductor memory device
NL173572C (nl) * 1976-02-12 1984-02-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
US4169270A (en) * 1976-12-09 1979-09-25 Fairchild Camera And Instrument Corporation Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain
US4352239A (en) * 1980-04-17 1982-10-05 Fairchild Camera And Instrument Process for suppressing electromigration in conducting lines formed on integrated circuits by control of crystalline boundary orientation
DE3217026A1 (de) * 1981-05-06 1982-12-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung
FR2526225B1 (fr) * 1982-04-30 1985-11-08 Radiotechnique Compelec Procede de realisation d'un condensateur integre, et dispositif ainsi obtenu
JPS58215067A (ja) * 1982-06-08 1983-12-14 Nec Corp 半導体集積回路装置
US4686554A (en) * 1983-07-02 1987-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter
JPS61156865A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Nec Corp 半導体装置
US4811076A (en) * 1985-05-01 1989-03-07 Texas Instruments Incorporated Device and process with doubled capacitors
JPS62259466A (ja) * 1986-05-02 1987-11-11 Sony Corp メモリ装置
KR920005632B1 (ko) * 1987-03-20 1992-07-10 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 다층 산화 실리콘 질화 실리콘 유전체의 반도체장치 및 그의 제조방법
JPS6437051A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPH01120035A (ja) * 1987-11-02 1989-05-12 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2670288B2 (ja) * 1988-03-24 1997-10-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH0294471A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JPH0330474A (ja) * 1989-06-28 1991-02-08 Nec Corp シリコン半導体装置

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KR950000142B1 (ko) 1995-01-10
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US5541454A (en) 1996-07-30
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ES2103778T3 (es) 1997-10-01
CN1040265C (zh) 1998-10-14
EP0463741A3 (en) 1992-11-19
KR910020924A (ko) 1991-12-20
EP0463741A2 (de) 1992-01-02

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