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TECHNISCHES GEBIET
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Die
Erfindung betrifft Speicherbauelemente, insbesondere eine Schaltung
und ein Verfahren zum Beschleunigen der Ausbreitung von Signalen
in Speicherbauelementen.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die
Geschwindigkeit, mit welcher digitale Signale durch integrierte
Schaltungen laufen, beispielsweise durch Speicherbauelemente, ist
häufig
ein Hauptfaktor, welcher die Geschwindigkeit beschränkt, mit
der integrierte Schaltungen arbeiten können. Wenn die Geschwindigkeitserfordernisse von
Speicherbauelementen und anderen integrierten Schaltungen dauernd
höher werden,
wird damit auch die Steigerung der Geschwindigkeit, mit der Signale durch
Leitungsverbindungen in integrierten Schaltungen laufen können, zunehmend
wichtig. Die Geschwindigkeit, mit der digitale Signale durch Signalleitungen
laufen können,
wird geringer, wenn die Kapazität
und/oder der Widerstand der Leitungen größer wird. Allgemein gilt: Sowohl
die Kapazität
als auch der Widerstand einer Signalleitung isst direkt proportional
zu dessen Länge.
Da die Verzögerung
in einer Signalleitung proportional ist zum Produkt der Kapazität und des
Widerstands, ist die Verzögerung der
Signalleitung proportional zum Quadrat ihrer Länge.
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Weitere
Anforderungen an integrierte Schaltungen beinhalten die erhöhte Dichte
von Halbleiterstrukturen. Eine Steigerung der Dichte der Halbleiterstrukturen
führt unvermeidlich
zu einer Verringerung sowohl der Dicke der Signalleitungen als auch
des Zwischenabstands zwischen den Signalleitungen. Eine Verringerung
der Dicke der Signalleitungen führt aber
wiederum zu einer Erhöhung
ihres Widerstands, während
eine Verringerung des Signalleitungsabstands deren Kapazität erhöht. Wie
oben angesprochen, reduziert sowohl eine Erhöhung der Kapazität als auch
eine Erhöhung
des Widerstands die Ausbreitungsgeschwindigkeit von Signalen in
den Signalleitungen. Dieses Problem wird häufig noch verstärkt durch
die Forderung, die Querschnittsfläche der Signalleitungen bei
verringerter Dicke konstant zu halten, demzufolge die Leitungen
höher ausgebildet
werden müssen.
Höhere
Leitungen jedoch bedeuten eine größere Fläche zu benachbarten Leitungen,
was wiederum die Leitungskapazität
erhöht.
Damit schließen
größere Strukturdichten
und höhere Betriebsgeschwindigkeiten
einander in gewissem Maß aus.
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Ein
Bereich, in welchem die Ausbreitung digitaler Signale besonders
problematisch ist, ist der der Kopplung von Daten-, Adressen- und
Steuersignalen in Speicherarrays. Speicherarrays müssen äußerste dicht
sein, um akzeptierbare Speicherkapazitäten zu erreichen, so dass die
Signalleitungen sehr dünn
und eng benachbart sind. Die hohe Dichte von Speicherarrays beschränkt mithin
die Geschwindigkeit, mit der Daten-, Adressen- und Steuersignale durch
die Speicherarrays laufen können.
Außerdem werden
die Ausbreitungsverzögerungen
verstärkt durch
Signale in benachbarten Leitungen, die in einander entgegengesetzte
Richtungen übergehen. Wenn
ein Signal auf einer Leitung einen Übergang von niedrigem auf hohen
Pegel macht und ein Signal in einer benachbarten Leitung einen Übergang
von hohem auf niedrigen Pegel vollzieht, so verlangsamt die kapazitive
Kopplung der Übergänge zwischen den
Leitungen die Ausbreitung beider Signale durch deren Leitungen.
Schließlich
sind die Längen
der Signalleitungen in Speicherarrays relativ groß, so dass der
Speichervorgang nicht eher abgeschlossen werden kann, bis Daten-,
Adressen- und Steuersignale zu der am weitesten entfernten Stelle
innerhalb des Arrays gelangt sind.
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Es
ist bekannt, dass die Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Flanke eines
digitalen Signals dadurch beschleunigt werden kann, dass man das Signal
durch einen Negator mit einer „verschobenen" Schaltkennlinie
leitet. Ein solcher verschobener Negator oder Inverter ist derart
ausgestaltet, dass er bei einem Spannungspegel, der näher bei
dem einen logischen Pegel liegt als bei dem anderen logischen Pegel,
umschaltet. Bezugnehmend auf 1 wird ein
Negator 10 gebildet durch einen PMOS-Transistor 12 und
einen NMOS-Transistor 14, die zwischen einer Spannungsquelle
Vcc, die typischerweise etwa 3 V aufweist,
und Massepotential in Reihe geschaltet sind. Wenn an die Gates der
Transistoren 12, 14 ein Eingangssignal IN mit
niedrigem Pegel, d.h. Massepotential, gelegt wird, wird der PMOS-Transistor 12 eingeschaltet
und der NMOS-Transistor 14 ausgeschaltet, so dass ein Ausgangssignal
OUT mit hohem Pegel, d.h. dem Pegel Vcc,
erzeugt wird. Ist das Eingangssignal auf hohem Pegel, d.h. Vcc-Pegel, wird der PMOS-Transistor 12 ausgeschaltet
und der NMOS-Transistor 14 eingeschaltet, so dass am Ausgang
ein niedriger Pegel, d.h. Massepotential, gebildet wird.
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Bei
einem versetzt arbeitendem Negator ist einer der Transistoren 12, 14 gegenüber dem
anderen der beiden Transistoren 12, 14 unterschiedlich ausgebildet.
Beispielsweise kann der Kanal des einen der Transistoren 12, 14 mit
einem breiteren oder längeren
Kanal ausgebildet sein als der andere der Transistoren 12, 14,
in dem die Dotierstoffkonzentrationen der Transistoren 12, 14 anders
eingestellt werden, oder die Übergangsspannung
VT der Transistoren 12, 14 voneinander
verschieden eingerichtet wird. Im Fall des in 1 gezeigten
Negators 10 besitzt der NMOS-Transistor 14 einen
Kanal, der breiter ist als der Kanal des PMOS-Transistors 14.
Im Ergebnis weist der NMOS-Transistor 14 einen kleineren Widerstand
auf als der PMOS-Transistor 12 bei gleicher Gate-Source-Spannung
VGS. Die Schaltkennlinie des Negators 10 ist
in 2 gezeigt, wobei ein Spannungspegel von Vcc von 3 V verwendet wird, obwohl auch andere
Pegel für
Vcc möglich
sind. Wenn das Eingangssignal IN einen Wert von 1,5 V hat, während ein Übergang
von Massepotential auf 3 V stattfindet, besitzt der NMOS-Transistor 14 einen
geringeren Widerstand als der PMOS-Transistor 12, bedingt
durch die größere Kanalbreite.
Folglich ist das Ausgangssignal OUT bereits auf Massepotential übergegangen,
und damit ist das Ausgangssignal OUT von hohem auf niedrigen Wert übergegangen, bevor
das Eingangssignal IN von niedrigem auf hohen Wert gewechselt hat.
Der Negator 10 beschleunigt das Eingangssignal IN, weil
die Rückflanke
des Ausgangssignals OUT vor der Anstiegsflanke des Eingangssignals
IN auftritt. Wenn dieses Phänomen sowohl
für die
Anstiegsflanke als auch für
die Rückflanke
des Signals IN gelten würde,
könnte
ein digitales Signal einfach dadurch beschleunigt werden, dass man
eine Anzahl von versetzten Negatoren in Reihe schaltet. Unglücklicherweise
ist dies jedoch nicht der Fall. Weiterhin auf 2 Bezug
nehmend, sieht man, dass dann, wenn das Eingangssignal IN auf 1,5
V liegt, wenn der Übergang
von 3 V auf Masse stattfindet, der NMOS-Transistor 14 weiterhin einen geringeren
Widerstand besitzt als der PMOS-Transistor 12, so dass
im Ergebnis die Ausgangsspannung OUT auf Massepotential bleibt.
Damit schaltet das Ausgangssignal OUT von niedrigem auf hohen Wert
um, nachdem das Eingangssignal IN bereits gute Zeit von hohem auf
niedrigen Wert umgeschaltet hat. Der Negator könnte so ausgebildet werden, dass
er die Rückflanke
des Eingangssignals IN beschleunigt, indem die Kanalbreite des PMOS-Transistors 12 größer gemacht
wird als die Kanalbreite des NMOS-Transistors 14. Dies
würde dann
aber zu einer Verzögerung
der Anstiegsflanke des Eingangssignals IN führen. Damit beschleunigen versetzte
Negatoren in eigentümlicher
Weise eine Kante eines digitalen Signals bei einer Verzögerung der
anderen Flanke des digitalen Signals. Es ist also ersichtlich, dass
versetzte oder verzerrte Negatoren allein nicht dazu benutzt werden
können,
digitale Signale in integrierten Schaltungen wie beispielsweise
Speicherbauelementen, zu beschleunigen.
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Die
US 4 985 643 betrifft eine
Geschwindigkeitsverbesserungsmethode für CMOS-Schaltungen, insbesondere
innerhalb einer Taktimpulsgeberschaltung. Impulse dienen zum Einstellen
eines logischen Knotens auf einen aktiven Zustand, anschließend dienen
einige weitere Impulse, die stromabwärts innerhalb der Schaltung
erzeugt werden, zum Zurückstellen
des Knotens in den inaktiven Zustand, vorbereitend auf den nächsten aktiven
Impuls. In der Taktimpulsgeberschaltung enthält ein Datenweg Negatoren zum
Beschleunigen eines Übergangs
von einem ersten auf einen zweiten logischen Pegel, wobei die Negatoren
abwechselnd mit solchen Negatoren, die einen zweiten Übergang
von dem zweiten auf den ersten logischen Pegel beschleunigen.
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Die
US 5 929 680 A ,
auf der der Oberbegriff des Anspruchs 1 und des Anspruchs 10 basiert,
zeigt eine durch Kurzschluss verkürzte CMOS-Pufferschaltung mit
mehreren Negatorstufen zum Verzögern
des Eingangssignals, um einen Kurzschlussstrom in der Ausgangsstufe
zu vermindern. Zwei Signalwege bestehen jeweils aus zwei Negatoren,
die sich in ihren Kanalbreiten-/Längenverhältnissen voneinander unterscheiden.
Dies bewirkt eine Differenz in der Signalausbreitungsverzögerung zwischen
den beiden Signalwegen, so dass ein an einem ersten Knoten auftretendes
Signal das Signal auf einem zweiten Ausgangsknoten umfasst, wobei
die Ausgangsknoten an die jeweiligen Eingänge von Ausgangstransistoren
angeschlossen sind.
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung betrifft eine Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Kennzeichnen
der Gültigkeit
eines digitalen Signals gemäß Anspruch
10.
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Insbesondere
enthält
ein Hochgeschwindigkeits-Signalweg eine erste Mehrzahl von Negatoren, die
in Richtung einer ersten Polarität
eines Signalübergangs
versetzt sind, abwechselnd mit einer zweiten Mehrzahl von Negatoren,
die in Richtung einer zweiten, von der ersten Polarität verschiedenen
Polarität
versetzt sind. Im Ergebnis beschleunigt jede der Negatoren in dem
ersten Satz einen Übergang von
einem ersten logischen Pegel auf einen zweiten logischen Pegel,
und jeder der Negatoren in dem zweiten Satz beschleunigt einen Übergang
von dem zweiten auf den ersten logischen Pegel. Ein Durchlassgatter
koppelt vorzugsweise einen Eingangsanschluss mit dem ersten Negator
in der Reihe, abhängig
von einem Steuersignal mit einem ersten Wert. Eine Voreinstellschaltung
stellt die Negatoren auf einen logischen Pegel derart ein, dass
jeder nachfolgende Übergang
der Negatoren aus einer Kopplung eines digitalen Signals durch die
Negatoren gut beschleunigt wird. Ein Paar Hochgeschwindigkeits-Signalwege
kann dazu dienen, ein digitales Signal und ein Taktsignal zu jeweiligen
Ausgangsanschlüssen zu
leiten. Durch Ausgestalten des Hochgeschwindigkeits-Signalwegs für das digitale
Signal mit einem stärkeren
Versatz als den Hochgeschwindigkeits-Signalweg für das Taktsignal erscheint
das digitale Signal an seinem Ausgangsanschluss während einer Zeitspanne,
die die Zeitspanne umfasst, in der das Taktsignal an seinem Ausgangsanschluss
ansteht. Im Ergebnis lässt
sich das Taktsignal dazu benutzen, eine Daten-Gültigkeitszeitspanne für das digitale
Signal zu kennzeichnen. Der Hochgeschwindigkeits-Signalweg kann
in Speicherbauelementen oder in anderen integrierten Schaltungen
verwendet werden, und ein Speicherbauelement, welches einen oder mehrere
der Hochgeschwindigkeits-Signalwege enthält, kann in einem Computersystem
eingesetzt werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine schematische Darstellung einer herkömmlichen Negatorschaltung.
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2 ist
ein Impulsdiagramm, welches das Schalt-Ansprechverhalten des in 1 gezeigten herkömmlichen
Negators veranschaulicht.
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3 ist
ein logisches Diagramm einer Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
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4 ist
ein Logikdiagramm einer Ausführungsform
eines Impulsgebers, der in der in 3 gezeigten
Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung verwendet wird.
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5 ist
ein Impulsdiagramm eines impulsförmigen
Taktsignals, welches von dem in 1 gezeigten
Impulsgeber abhängig
von einem an den Impulsgeber angelegten Signal erzeugt wird.
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6 ist ein Impulsdiagramm, welches die zeitliche
Lage zwischen einem gepulsten Taktsignal am Ende eines Taktsignalwegs
und einem Adressen-/Steuersignal am Ende eines anderen Signalwegs
in der in 3 gezeigten Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung
veranschaulicht.
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7 ist
ein Logikdiagramm einer Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung.
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8 ist
ein Blockdiagramm einer Ausführungsform
eines Speicherbauelements, welches mehrere der in 3 gezeigten
Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltungen verwendet.
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9 ist
ein Blockdiagramm eines Computersystems unter Verwendung des in 8 gezeigten
Speicherbauelements.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Eine
Ausführungsform
einer Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung 20 zum
Beschleunigen der Ausbreitung digitaler Signale in einem Speicherbauelement
ist in 3 dargestellt. Die Schaltung 20 enthält mehrere
Adressen-/Steuersignalwege 22, 24, 26 und
einen Taktsignalweg 40. Jeder der Adressen-/Steuersignalwege 22, 24, 26 wird betrieben
von einem zugehörigen
Puffer 44 über
ein zugehöriges
Durchlassgatter 46. Die Durchlassgatter 46 und
der Taktsignalweg 40 werden angesteuert von einer Impulsgeberschaltung 50 auf
direktem Wege einerseits und über
einen Negator 54 andererseits. Die Impulgeberschaltung 50 erzeugt
einen Taktimpuls CLKP bei jeder Anstiegsflanke
eines internen Taktsignals CLK_INT. Das Signal CLKP wird
außerdem
an einen Takteingang der Puffer 44 gekoppelt, um die jeweiligen
Adressen- oder Steuersignale aus den Puffern 44 auszutakten.
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Eine
Ausführungsform
des Impulsgebers 50 ist in 4 dargestellt.
Die Impulsgeberschaltung 50 enthält einen Puffer, der das interne
Taktsignal CLK_INT empfängt
und ein entsprechendes Signal CLKIN ausgibt. Das Signal CLKIN wird
an ein Durchlassgatter 60, über eine herkömmliche
Zeitverzögerungsschaltung 64 an
einen das Signal CLKIN empfangenden Negator 62 und an ein
NAND-Gatter 70 gelegt. Das NAND-Gatter 70 empfängt außerdem das
Ausgangssignal des Negators 62 über einen Negator 66.
Wenn das Signal CLKIN niedrig ist, ist der Ausgang des NAND-Gatters 70 hoch.
Das hohe Signal am Ausgang des NAND-Gatters 70 und ein niedriger
Pegel am Ausgang eines Negators 72, der an den Ausgang
des NAND-Gatters 70 gekoppelt ist, geben das Durchlassgatter 60 frei.
Im Ergebnis wird das niedrige Signal CLKIN an den Ausgang des Impulsgebers 50 gegeben,
um ein niedriges Signal CLKP zu erzeugen.
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Wenn
das Signal CLKIN einen Übergang
auf hohen Pegel macht, wird seine Anstiegsflanke unmittelbar über das
freigegebene Durchlassgatter 60 gekoppelt, so dass das
Signal CLKP einen Übergang auf hohen Pegel macht, übereinstimmend
mit der Anstiegsflanke des Signals CLKIN. Der hohe Pegel des Signals
CLKIN wird außerdem
auf den Eingang des NAND-Gatters 70 gegeben. Allerdings
bleibt der Ausgang des Negators 66 für eine Zeitspanne, die der
Verzögerung
der Zeitverzögerungsschaltung 64 entspricht,
auf niedrigem Pegel, so dass das Aus gangssignal des NAND-Gatters 70 auf
hohem Wert bleibt, so dass das Durchlassgatter 60 frei
gegeben bleibt. Nach Verstreichen dieser Verzögerungszeit spanne sind beide
Eingangssignale des NAND-Gatters 70 auf hohem Wert und
bringen dadurch dessen Ausgang auf niedrigen Pegel, was wiederum
das Durchlassgatter 60 sperrt. Außerdem bewegt der niedrige
Pegelausgang des NAND-Gatters 70,
dass der Negator 72 ein hohes Signal abgibt und dadurch einen
NMOS-Transistor 78 einschaltet. Dieser koppelt dann das
Signal CLKP auf Masse. Damit wird ein hoher
Impuls CLKP bei jeder Anstiegsflanke des
Signals CLKIN für
eine Zeitdauer erzeugt, die sich durch die Verzögerung der Zeitverzögerungsschaltung 66 bestimmt,
wie in 5 gezeigt.
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Die
Rückflanke
des Signals CLKIN bewirkt, dass das NAND-Gatter 70 ein
hohes Signal ausgibt und erneut das Durchlassgatter 60 freigibt
und den MNOS-Transistor 78 ausschaltet. Dann wird das Signal
CLKIN durch das Durchlassgatter 60 geschaltet. Da allerdings
das Signal CLKIN auf niedrigen Wert übergegangen ist, bevor das
NAND-Gatter 70 ein hohes Signal ausgegeben hat, hat der Übergang
von hohem auf niedrigem Pegel des Signals CLKIN keine Auswirkung
auf den Ausgang des Impulsgebers 50. Das Signal CLKP des Impulsgebers 50 bleibt daher so
lange auf niedrigem Pegel, bis die nächste Anstiegsflanke des Signals
CLKIN erscheint, wenn ein weiterer Impuls CLKP erzeugt
wird, wie oben erläutert wurde.
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Zurückkehrend
zu der 3, sind sämtliche Signalwege 22–26 und 40 im
Wesentlichen identisch, so dass im Interesse der Kürze die
Struktur und die Arbeitsweise von lediglich dem Signalweg 22 beschrieben
werden. Der Signalweg 22 enthält eine Reihe von Widerständen 90,
die für
die verteilten parasitären
Widerstände
und Kapazitäten
einer Signalleitung stehen. Eine erste Reihe von Negatoren 94, die
mit einer zweiten Reihe von Negatoren 96 abwechseln, sind
an versetzten Stellen innerhalb der Signalleitung angeordnet, die
durch die Widerstände 90 repräsentiert
wird. Sämtliche
Negatoren 94, 96 enthalten (nicht gezeigte) PMOS-Transistoren
(nicht gezeigt) NMOS-Transistoren in der gleichen Konfiguration
wie der in 1 gezeigte Negator 10.
Allerdings besitzen die NMOS-Transistoren der Negatoren 94 der
ersten Reihe eine Kanalbreite, die größer ist als diejenige der PMOS-Transistoren
der Negatoren 94. Im Ergebnis beschleunigen die Negatoren 94 die
Anstiegsflanke und verzögern
die Abfallflanke eines an ihre jeweiligen Eingänge gelegten digitalen Signals.
Die PMOS-Transistoren der Nega toren 96 in der zweiten Reihe
besitzen eine größere Kanalbreite als
die NMOS-Transistoren
der Negatoren 96. Im Ergebnis beschleunigen die Negatoren 96 die
Abfallflanke und verzögern
die Anstiegsflanke eines an ihre jeweiligen Eingänge gelegten digitalen Signals.
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Durch
Anordnen eines Negators 94 und anschließendes Abwechseln der Negatoren 94, 96 erzeugt
der Signalweg 22 eine starke Beschleunigung für die Anstiegsflanke
des impulsförmigen
Eingangssignals und verzögert
außerdem
stark die Abfallflanke des impulsförmigen Eingangssignals. Eine
Anstiegsflanke des von dem Impulsgeber 50 ausgegebenen
Signals CRKP dient zur Zwischenspeicherung eines
von dem Eingangspuffer 44 ausgegebenen Eingangssignals,
wobei der Puffer an das Übertragungsgatter 46 gekoppelt
ist. Der hohe Pegel von CLKP ermöglicht
es dem Durchlassgatter 46 außerdem, das aufgefangene Eingangssignal
an den Eingang des ersten Negators 94 des Signalswegs 22 zu leiten.
Wenn das Signal CLKP einen Übergang
auf niedrigen Pegel macht, wird das Durchlassgatter 46 gesperrt,
und es wird eine Signalweg-Rücksetzeinrichtung 98 eingeschaltet.
Auf diese Weise wird am Eingang des Signalwegs 22 ein hoher
Impuls erzeugt, wenn der Eingang des Puffers 44 hohen Pegel hat
und CLKP einen Übergang auf hohen Pegel macht.
Wenn der Eingang des Puffers 44 auf niedrigem Pegel liegt
und das Signal CLKP einen Übergang
auf hohen Pegel macht, bleibt der Eingang des ersten Negators 94 der
Signalweg 22 und verbleibt für einen Taktzyklus auf niedrigem
Pegel. Anschließend
wird nur für
hohe Eingangswerte ein Eingangssignal mit hohem Impuls erzeugt,
und der Standard-Signalpegel ist der niedrige Rückstellpegel, der durch die
Rücksetzeinrichtung 98 vor
einem Übergang
des Signals CLKP auf hohen Wert gesichert wird.
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Durch
Treiben eines vorbestimmten Standard-Logikpegels über den Übertragungsweg,
bevor ein zulässiger
Eingangspegel aus dem Puffer 44 kommt, steht mehr Zeit
zur Verfügung,
in welcher sich der Standard-Signalpegel durch den Übertragungsweg
ausbreiten kann. Dann ist nur ein vom Standardpegel abweichender
Pegel (in diesem Fall ein hoher Pegel) erforderlich, um eine rasche
Ausbreitungszeit durch den Übertragungsweg
zu erreichen, wenn das Signal CLKP einen Übergang auf hohen Pegel ausführt. Das
einzige Erfordernis besteht darin, dass der niedrige Rücksitzpegel
sich durch den Übertragungsweg 22 ausbreiten
muss, bevor das nächste
Signal CLKP durch den Übertragungsweg 40 gelangt,
so dass der Ausgang des Übertragungsweg 22 für den nächsten CLKP-Zyklus niedrigen Pegel hat, wenn der Eingang
des Puffers 44 nicht auf logisch hohem Pegel liegt. Unter
Verwendung eines kurzen Impulses für das Signal CLKP zum
Durchlassen eines hohen Eingangspegels durch den Übertragungsweg 22 und
durch anschließendes
Rücksetzen des
Wegs während
der verbleibenden hohen CLKIN-Zeit und der niedrigen CLKIN-Zeit
wird ein niedriger Standardzustand mit ausreichender Zeit zur Ausbreitung über die Übertragungsleitung 22 garantiert.
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Wenn
im Betrieb das Signal CLKP hohen Wert hat,
um das Durchlassgatter 46 freizugeben, schaltet der niedrige
Pegel am Ausgang des Negators 54 den NMOS-Transistor 98 aus,
so dass das Ausgangssignal des Puffers 44 an den ersten
Negator 94 in dem Signalweg 22 gelegt werden kann.
Ist allerdings das Signal CLKP niedrig,
so dass das Durchlassgatter 46 gesperrt wird, so schaltet
der hohe Wert am Ausgang des Negators 54 den Transistor 98 ein,
so dass dieser den Eingang des ersten Negators 94 im Signalweg 22 auf
Masse bringt. Im Ergebnis werden sämtliche Eingänge der
Negatoren 94 auf einen logisch niedrigen Pegel voreingestellt, und
die Eingänge
sämtlicher
Negatoren 96 werden auf einen hohen Logikpegel voreingestellt.
Die Voreinstellung der Negatoren 94, 96 auf diese
Logikpegel hat mehrere Effekte. Erstens werden die Eingänge sämtlicher
Negatoren 94, 96 auf einen logischen Pegel eingestellt,
der sie dazu bringt, einen Übergang
mit einer Polarität
auszuführen,
wodurch jeder der Negatoren 94, 96 beschleunigt
wird. Insbesondere wird der Eingang jedes Negators 94 auf
niedrigen Wert voreingestellt, so dass dann, wenn der logische Pegel
des Signals aus dem Puffer 44 die Negatoren 94, 96 zum
Umschalten der logischen Pegel bringt, deren Eingänge von
niedrigem auf hohen Wert übergehen,
was derjenige Übergang
ist, der von den Negatoren 94 beschleunigt wird. In ähnlicher
Weise wird der Eingang jedes der Negatoren 94 auf einen
hohen Wert eingestellt, so dass dann, wenn der logische Pegel des
Signals aus dem Puffer 44 die Negatoren 94, 96 zum
Umschalten der logischen Pegel bringt, deren Eingänge von
hohem auf niedrigen Wert wechseln, was derjenige Übergang
ist, der von den Negatoren 96 beschleunigt wird. Damit
stellt der NMOS-Transistor 98 sämtliche Negatoren 94, 96 auf einen
logischen Pegel ein, aus dem heraus der nachfolgende Übergang
beschleunigt wird.
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Ein
weiterer Vorteil der Voreinstellung der Negatoren 94, 96,
wie sie oben erläutert
wurde, besteht darin, dass keines der durch die Signalwege 22–26 sich
ausbreitenden Signale Nachbarabschnitte besitzt, deren logische
Pegel sich in ent gegengesetzte Richtungen ändern. Wie oben ausgeführt, vergrößert sich
die Ausbreitungsverzögerung
von Signalen, wenn benachbarte Signale Übergänge in entgegengesetzte Richtungen
ausführen.
Als Ergebnis der Voreinstellung der Eingänge der Negatoren 94, 96 werden
nur einige der Signalwege 22–26 umgeschaltet.
Wenn z.B. ein an dem Weg 24 von dem Puffer 44 gelegtes
Signal einen hohen Wert hat, werden sämtliche Negatoren 94, 96 in
dem Signalweg 24 umgeschaltet. Wenn die jeweiligen Signale
von dem betreffenden Puffer an die Wege 22, 26 gelegt
werden und niedrigen Wert haben, wird keiner der Negatoren 94, 96 in
den Signalwegen 22, 26 umgeschaltet. Im Ergebnis
gibt es keine kapazitive Kopplung zwischen Signalübergängen in
einem Weg und entgegengesetzten Signalübergängen in einem benachbarten Weg.
Insbesondere ist ein Segment eines Signalwegs mit einem Übergang
von niedrigem auf hohen Weg nicht einem Segment eines anderen Signalwegs
benachbart, welches einen Übergang
von hohem auf niedrigen Wert vollzieht, und umgekehrt. Schlimmstenfalls
ist ein Übergang
in einem Segment eines Signalwegs einem Segment des anderen Signalwegs
benachbart, wo kein Übergang
stattfindet. Das Fehlen einander entgegengesetzter Übergänge in benachbarten
Segmenten minimiert die Verzögerung
von Kopplungssignalen durch die Signalwege 22–26 zusätzlich.
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Das
Ausmaß der
Beschleunigung, die durch die Negatoren 94, 96 erreicht
wird, ist eine Funktion der Anzahl der Negatoren 94, 96 in
dem Signalweg 22. Wie oben erwähnt, ist die Ausbreitungsverzögerung,
d.h. die Signallaufzeit, proportional zu dem Produkt der Kapazität und dem
Widerstand des Signalwegs 22, die wiederum beide direkt
proportional zu dessen Länge
sind. Durch Auftrennen des Signalswegs 22 in mehrere Abschnitte
und durch Einfügen der
Negatoren 94 und 96 zwischen jeden Abschnitt reduzieren
sich die Laufzeiten vom Quadrat der Signalweg-Länge auf die Summe der Längenabschnitte der
verschiedenen Segmente des Signalwegs. Das Ergebnis ist eine verringerte
Signallaufzeit vom Anfang bis zum Ende des Signalwegs 22–26.
Durch Beschleunigen der Anstiegsflanke eines Impulssignals und durch
Verlangsamen der Abfallflanke desselben Impulssignals wird das Signal
effektiv gestreckt. Deshalb ist der Ausgang des Signalwegs 22 entweder niedrig
für ein
niedriges Eingangssignal oder ein hoher Impuls für ein hohes Eingangssignal,
wobei allerdings das hohe Impulsausgangssignal breiter ist als das
hohe Impulseingangssignal. Je größer der
Versatz an den Negatoren 94 und 96 ist, desto
stärker
ist der Ausgangsimpuls gestreckt, und desto stärker wird die aktive Flanke
(in diesem Beispiel die hohe Flanke) beschleu nigt. Durch Versetzen
von Adressen-, Befehls- und Datenleitungen um mehr als die Taktleitungen
können
die Adressen-, Befehls- und Datensignale, die aktiv für sowohl
hohe als auch niedrige Zustände
sind, so gestaltet werden, dass sie gültige Impulszeiten aufweisen,
die beide zusätzlich beschleunigt
sind und stärker
gestreckt sind als das Taktsignal.
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Bei
einer Ausführungsform,
die im Folgenden dargestellt und beschrieben wird, werden die Signalwege 22–26 in
einem Speicherbauelement verwendet, welches von einem Taktsignal
Gebrauch macht, um ein Daten-Gültigkeitsfenster
für ein
Adressen-, Daten- oder Steuersignal zu definieren. In solchen Fällen ist
es von Bedeutung, sicherzustellen, dass ein Takt-Lade-Signal am
Ausgang des Taktsignalwegs 40 innerhalb der Zeit liegt,
in der gültige
Daten in den Ausgängen
der Signalwege 22–26 anstehen.
Wenn das Takt-Lade-Signal die Zeit überschreitet, in der gültige Daten
an den Ausgängen
der Signalwege 22–26 anstehen,
können
möglicherweise gefälschte Daten
von den (in 3 nicht gezeigten) Speicherschaltungen
registriert werden, die an die Ausgänge der Signalwege 22–26 gekoppelt
werden.
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Wie
in 6 gezeigt ist, sind die Negatoren 94, 96 in
dem Taktsignalweg 40 so ausgebildet, dass sie einen geringeren
Versatz als die Negatoren 94, 96 in den anderen
Signalwegen 22–26 haben.
Im Ergebnis verzögert
der Taktsignalweg 40 die Vorderflanke des Signals CLKP in stärkerem
Maße,
als die anderen Signalwege 22–26 die Vorderkanten
der betreffenden digitalen Signale verzögert, die über die Wege 22–25 geleitet
werden. Aufgrund des geringeren Versatzes allerdings verzögert der
Taktsignalweg 40 die Rückflanke
des Signals CLKP in geringerem Ausmaß, als die übrigen Signalwege 22–26 die
Rückflanken
der betreffenden digitalen Signale verzögern, die über diese Wege 22–25 geleitet
werden. Durch passendes Wählen
des Versatzes der Negatoren 94, 96 in dem Taktsignalweg 40 lässt sich
sicherstellen, dass die Gültigkeitsperioden
der digitalen Signale aus den Signalwegen 22–26 das
Takt-Lade-Signal überspreizen.
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Eine
alternative Ausführungsform
einer Hochgeschwindigkeits-Ausbreitungsschaltung 150 nach
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung ist in 7 gezeigt. Die Schaltung 150 enthält größtenteils
die gleichen Komponenten, die in der Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung 20 nach 3 in
gleicher Anordnung verwendet werden. Die Schaltung 150 unterscheidet
sich von der Schal tung 20 dadurch, dass ein NAND-Gatter 152 anstelle
der Durchlassgatter 46 und des NMOS-Transistor 98 in
der Hochgeschwindigkeits-Ausbreitungsschaltung 20 der 3 vorgesehen
ist. Wenn das Ausgangssignal CLKP der Impulsgeberschaltung 50 niedrigen
Wert hat, hält
das NAND-Gatter 152 den Eingang des Negators 98 auf
niedrigem Pegel, wodurch die gleiche Funktion erfüllt wird
wie durch den Transistor 98 in der Schaltung 20.
Wenn das Ausgangssignal CLKP der Impulsgeberschaltung 50 hohen
Wert hat, wird das NAND-Gatter 152 freigegeben, um als
Negator zu fungieren und die gleiche Funktion zu übernehmen,
die von dem ersten Negator 96 der Schaltung 20 ausgeführt wird.
Im Ergebnis wird der erste Negator 96 der Reihe gemäß Schaltung 20 nicht
benötigt.
Obwohl die Hochgeschwindigkeits-Ausbreitungsschaltung 150 als
durch ein NAND-Gatter 152 implementiert dargestellt ist,
versteht sich, dass andere Schaltungen, beispielsweise ein NOR-Gatter
(nicht dargestellt) verwendet werden können, solange die Polaritäten der
an das Gatter gelegten Schaltung passend eingestellt sind.
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Eine
Ausführungsform
eines Speicherbauelements 100 mit einer oder mehreren der
Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltungen 20 ist in 8 dargestellt.
Das Speicherbauelement 100 ist ein synchroner dynamischer
Schreib-/Lesespeicher (SDRAM), der als ein zentrales Speicherelement eine
linke und eine rechte Bank aus Speicherarrays 111A und 111B enthält. Jedes
der Speicherarrays 111A und 111B enthält mehrere
Speicherzellen (nicht dargestellt), die in Reihen und Spalten angeordnet sind.
Eine Steuerlogikschaltung 112 steuert die Datentransferschritte
in Verbindung mit einem Lese- oder Schreibzugriff zu den Speicherzellen
in den Arrays 111A und 111B. In einer Ausführungsform
besitzt jedes der Arrays 111A und 111B Speicherzellen, die
in 512 Reihen und 256 Spalten mit je 32 Bits angeordnet sind. Das
Speicherbauelement 110 besitzt eine Breite von 32 Bits,
was bedeutet, dass jede Speicheradresse (kombinierte Bank-, Reihen-
und Spaltenadresse) einer 32 Bits umfassenden Speicherzelle in einem
der Arrays 111A und 111B entspricht, wobei ein
(in 8 nicht gezeigter) Prozessor Datenelemente mit
jeweils 32 Bits verarbeitet. Es versteht sich jedoch, dass das Speicherbauelement 100 eine
große
Vielfalt von anderen Ausgestaltungen aufweisen kann.
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Ein
(nicht gezeigter) Systemtaktgeber liefert ein Signal CLK an die
Steuerschaltung 112 des Speicherelements 10. Befehlssignale
werden an die Steuerschaltung 112 gegeben und von einer
Befehlsdekodierschaltung 114 dekodiert. Diese Signale sind im
Stand der Technik bekannt, sie beinhalten Signale wie beispielsweise
CKE (clock enable), CS - (chip select; Chipauswahl) WE - ((write enable;
Schreibfreigabe), RAS (row address strobe; Reihenadressen-Abtastimpuls)
und CAS (column address strobe; Spaltenadressen-Abtastimpuls) Bestimmte
Kombinationen unterschiedlicher Befehlssignale bilden bestimmte
Prozessorbefehle. Beispielsweise kann die Kombination aus CS - niedrig, WE - hoch, RAS - niedrig und CAS - hoch
einen Befehl ACTIVE repräsentieren. Beispiel
für andere
bekannte Befehle beinhalten READ (LESEN), WRITE (SCHREIBEN), NOP
(KEINE OPERATION) und PRECHARGE (VORAUFLADEN). Obwohl der Prozessor
tatsächlich
unterschiedliche Befehlssignale erzeugt, die in Kombination registriert
und dekodiert werden von dem Speicherbauelement 110 als
Befehle, ist es zweckmäßig, die
Befehle so anzusehen, als würden
sie von dem Prozessor geliefert.
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Die
Steuerlogikschaltung 112 sendet das interne Taktsignal
CLK_INT sowie verschiedene Steuersignale über Steuerleitungen 113 an
andere Teile des Speicherbauelements 100, entsprechend
dem vom Prozessor gelieferten Befehl. Diese Steuersignale können nicht
nur Zugriffe auf Speicherzellen in den Arrays 11A und 1115 steuern,
sondern außerdem
eine Vielfalt weiterer Funktionen, darunter die Eingabe von Daten
in das Speicherbauelement 100 sowie die Ausgabe von Daten
aus dem Speicherbauelement. Die Länge der Steuerleitungen 113, über die die
Steuersignale geleitet werden, ist beträchtlich groß, und die Leitungen können eng
nebeneinander liegen. Folglich lässt
sich die Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung 20a dazu
benutzen, die Kopplung der Steuersignale zu den verschiedenen Speicherkomponenten
zu beschleunigen, wie dies in 8 gezeigt
ist.
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Das
Speicherbauelement 112 ist ebenfalls mit einer Adresse
der Speicherzelle ausgestattet, auf die über einen 10 Bits breiten Adressbus 115 zugegriffen
wird, eingeschlossen eine Bankadresse, die von einem Adressbit BA
spezifiziert wird, und einer Reihen- oder Spaltenadresse, die von
Adressbits A0–A8
spezifiziert wird. Die Adresse wird in ein Adressenregister 116 eingegeben,
welches die Adresseninformation an die Steuerschaltung 112,
einen Reihenadressen-Multiplexer 117 und an eine Spaltenadressen-Zwischenspeicher-
und -Dekodierschaltung 120 liefert.
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Ansprechend
auf ein oder mehrere Steuersignale von der Steuerschaltung 112 unterzieht
der Reihenadressen-Multiplexer 117 die Reihenadresseninformation
einer Multiplexbildung und liefert sie an eine der beiden Reihenadressen-Zwischenspeicher-
und -Dekodierschaltungen 118a und 118b entsprechend
den Speicherbänken 111A und 111B,
auf die ein Zugriff erfolgen soll. Ansprechend auf ein oder mehrere
Steuersignale von der Steuerschaltung 112 nimmt jede der
Reihen-Zwischenspeicher- und Dekodierschaltungen 118a und 118b eine
von dem Multiplexer 117 kommende Reihenadresse und aktiviert eine
ausgewählte
Reihe von Speicherzellen (nicht gezeigt) in dem Speicherarray 111a und 111b,
wozu eine von mehreren Reihenzugriffsleitungen 122a bzw. 122b ausgewählt wird.
Auch hier können
die Leitungskopplungen des Reihenadressen-Multiplexers 117 zu
den Reihen-Zwischenspeicher- und -Dekodierschaltungen 118a,
b ziemlich lang sein bei gleichzeitig enger Nachbarschaft, so dass
die Ausbreitungsgeschwindigkeit von Adressensignalen über diese
Leitungen reduziert wird. Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltungen 20b,
c können
daher dazu eingesetzt werden, die Kopplung dieser Adressensignale
aus dem Reihenadressen-Multiplexer 117 zu den Reihen-Zwischenspeicher-
und -Dekodierschaltungen 118a, b zu beschleunigen.
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Ansprechend
auf ein oder mehrere Steuersignale von der Steuerschaltung 112 nimmt
die Spalten-Zwischenspeicher- und -Dekodierschaltung 120 die
von dem Adressenregister 116 gelieferte Spaltenadresse
und wählt
eine der mehreren Spaltenzugriffsleitungen 124a und 124b aus,
die mit einem der Speicherarrays 111a bzw. 111b über eine
der beiden I/A-Schnittstellenschaltungen 126a bzw. 126b gekoppelt
ist. Ansprechend auf ein oder mehrere Steuersignale von der Steuerschaltung 112 wählt jede
der I/A-Schnittstellenschaltungen 126a und 126b die
32 Speicherzellen aus, die der Spaltenstelle in einer aktivierten
Reihe entsprechen. Wie bei den Leitungen von dem Reihenadressen-Multiplexer 112 zu
den Spalten-Zwischenspeicher- und -Dekodierschaltungen, können die
Leitungen von dem Adressenregister 116 zu der Spalten-Zwischenspeicher-
und -Dekodierschaltung 120 lang sein oder eng nebeneinander liegen.
Aus diesem Grund können
die Spaltenadressensignale von dem Adressenregister 116 zu
der Spalten-Zwischenspeicher-
und -Dekodierschaltung 120 über eine Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung 20d des
in 3 gezeigten Typs geleitet werden.
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Die
I/A-Schnittstellenschaltungen 126a und 126b enthalten
(nicht gezeigte) Leseverstärker,
die den logischen Zustand der mit diesen Leseverstärkern über (nicht
gezeigte) Paare komplementärer
Ziffernleitungen gekoppelt sind, bestimmen und verstärken. Die
I/A-Schnittstellenschaltungen 126a und 126b enthalten
außerdem
I/A-Schaltungen, welche Daten zu Datenausgangsregistern 128 und
aus einem Dateneingangsregister 130 leiten, ansprechend auf
ein oder mehrere Steuersignale seitens der Steuerschaltung 112.
Normalerweise sind in den I/A-Schnittstellenschaltungen 126a,
b (nicht gezeigte) Gleichstrom-Leseverstärker enthalten, welche Daten
von den Ziffernleitungs-Leseverstärkern empfangen und die Daten
auf das Datenausgangsregister 128 koppeln. Auch hier können die
Signalwege von den Gleichstrom-Leseverstärkern lang sein und eng nebeneinander
liegen, so dass es wünschenswert
ist, die Datensignale über
die Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltung 20e zu
koppeln. Die Datenregister 128 und 130 sind mit
einem 32 Bit breiten Datenbus 31 an DQ-Stellen DQO-DQ31
verbunden, um Ausgangsdaten Q0–Q31
zu einem Prozessor zu übertragen
und Eingangsdaten D0–D31 von
einem Prozessor einzugeben, ansprechend auf ein oder mehrere Steuersignale
aus der Steuerschaltung 112. Es versteht sich allerdings,
dass Daten mit einer größeren oder
geringeren Anzahl von Bits alternativ zu dem Speicherbauelement 100 geschickt oder
von diesem empfangen werden können.
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Das
Speicherbauelement 110 enthält eine Auffrisch-Steuerschaltung 132,
die ansprechend auf ein oder mehrere Steuersignale von der Steuerschaltung 112 eine
regelmäßige und
periodische Aktivierung jeder der Reihen in den Speicherzellen der
Arrays 110a und 110b einleitet, um die Daten aufzufrischen,
wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Ansprechend auf ein
oder mehrere Steuersignale von der Steuerschaltung 112 liest
eine Schaltung der I/A-Schnittstellenschaltung A und B in den Speicherzellen
der aufgefrischten aktivierten Reihe gespeicherte Daten und schreibt
Werte entsprechend den gespeicherten Daten in jede der Speicherzellen
zurück.
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Obwohl
mehrere Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltungen 20a–e an speziellen
Orten des Speicherbauelements 100 dargestellt wurden, versteht
sich, dass eine geringere oder eine größere Anzahl solcher Schaltungen 20 verwendet
werden kann. Außerdem
können
solche Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitungsschaltungen 20 an
verschiedenen Stellen oder in unterschiedlichen Typen von Speicherbauelementen
oder anderen digitalen Schaltungen eingesetzt werden.
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9 ist
ein Blockdiagramm einer Ausführungsform
eines Computersystems 170, welches von dem in 8 gezeigten
Speicherbauelement 10 Gebrauch macht. Das Computersystem 170 enthält eine Computerschaltung 172 zum
Ausführen
solcher Computerfunktionen wie die Ausführung von Software zur Bewältigung
gewünschter
Berechnungen und Aufgaben. Die Schaltung 172 enthält typischerweise einen
(nicht gezeigten) Prozessor und das dargestellte Speicherbauelement 100.
Ein oder mehrere Eingabegeräte 174,
z.B. eine Tastatur und eine Zeigereinrichtung, sind mit der Computerschaltung 72 über einen
Bus 175 gekoppelt, wodurch eine (nicht gezeigte) Bedienungsperson
manuelle Dateneingaben ausführen
kann. Ein oder mehrere Ausgabegeräte 176 sind mit der
Computerschaltung 172 über den
Bus 175 verbunden, damit die Bedienungsperson durch die
Schaltung erzeugte Daten zur Verfügung gestellt bekommt. Beispiele
für Ausgabegeräte 176 beinhalten
einen Drucker und eine Videoanzeige. Ein oder mehrere Datenspeicher 178 sind
mit der Computerschaltung 172 über den Bus 175 gekoppelt,
um Daten in (nicht dargestellten) externen Speichermedien zu speichern
oder Daten daraus zu empfangen. Beispiele für Speichergeräte 178 und
entsprechende Speichermedien beinhalten Laufwerke, die Festplatten
und Floppy-Disks aufnehmen, Magnetbandrecorder sowie Compact-Disk-Festspeicher (CD-ROM)
in Form von Lesegeräten.
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Man
sieht, dass zwar Ausführungsformen der
Erfindung zum Zweck der Darstellung erläutert wurden, dass aber verschiedene
Abwandlungen möglich
sind, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Die Erfindung
wird also lediglich durch die beigefügten Patentansprüche beschränkt.