JP6974549B1 - メモリ装置およびその入出力バッファ制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
110 擬似SRAM
120 コントローラ
130 入出力回路
140 高速モード回路
150 低速モード回路
160 入力レシーバ
170 マイクロプロセッサ
180 電源管理回路
190 電源回路
210 コマンドデコーダ
220 メモリアレイ
500、510、520 オフチップドライバ
530、550 オフチップドライバ制御回路
540、560 出力段
NOT1、NOT2、NOT3 インバータ
DA 差動アンプ
RS 直列抵抗
NAND1 NANDゲート
AS アドレス空間ビット
CK、CK# 差動クロック信号
CR[15] 操作モード
CR[7:4] 遅延計数
CS# チップ選択信号
CTLPWR 電源管理制御信号
CTLVDDQ 電源制御信号
CTLRX 入力制御信号
CTLRXB 反転入力制御信号
CTLTX 伝送制御信号
DQ データバス
DATA_IN 入力データ
DATA_OUT 出力データ
RWDS 読み出し/書き込みデータストローブ信号
GND 接地電圧
N1、N2、N3、N4 ノード電圧
VDDQ 電源電圧
VIN 入力信号
VN 高速モード電圧
VOUT 出力信号
VREF 基準電圧
VS 低速モード電圧
MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5 トランジスタ
SW1、SW2、SW3、SW4、SW5 スイッチ
S310、311、S312、S313、S314、S315、S320、321、S322、S323、S324、S325、S610、S620、S630、S640、S710、S720、S730 ステップ
Claims (18)
- メモリ装置であって、
高速モード回路と低速モード回路を有する入出力回路を含む擬似SRAMと、
前記擬似SRAMに接続され、前記メモリ装置の操作モードに基づいて、電源電圧とクロック周波数を調整し、調整した電源電圧と調整したクロック周波数に基づいて、レジスタ設定コードを生成するコントローラと、
を含み、
前記擬似SRAMが、前記レジスタ設定コードに基づいて、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの一方をイネーブルにし、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの他方をディセーブルにするメモリ装置。 - 前記擬似SRAMが、前記レジスタ設定コードCRに基づいて、前記入出力回路が高速モードに設定されたと判断した時、前記高速モード回路をイネーブルにして、前記低速モード回路をディセーブルにし、
前記擬似SRAMが、前記レジスタ設定コードCRに基づいて、前記入出力回路が低速モードに設定されたと判断した時、前記低速モード回路をイネーブルにして、前記高速モード回路をディセーブルにする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記レジスタ設定コードCRが、モード設定または遅延計数を含む請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記擬似SRAMが、さらに、コマンドデコーダを含み、前記コマンドデコーダが、前記レジスタ設定コードを受信して復号化し、入力制御信号と伝送制御信号を生成するために使用される請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記擬似SRAMが、前記入力制御信号に基づいて、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの一方をイネーブルにし、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの他方をディセーブルにする請求項4に記載のメモリ装置。
- 前記コントローラが、さらに、
前記擬似SRAMに接続され、前記メモリ装置の前記操作モードに基づいて、電源管理制御信号を生成し、前記クロック周波数を調整するとともに、前記クロック周波数の変化に基づいて、前記レジスタ設定コードを生成し、前記擬似SRAMとの間にデータバスと読み出し/書き込みデータストローブ信号を有するマイクロプロセッサと、
前記マイクロプロセッサに接続され、前記電源管理制御信号に基づいて、電源制御信号を生成する電源管理回路と、
前記擬似SRAM、前記マイクロプロセッサ、および前記電源管理回路に接続され、前記電源制御信号に基づいて、電源電圧を生成し、前記マイクロプロセッサと前記擬似SRAMに提供する電源回路と、
を含む請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記入出力回路が、さらに、入力レシーバを含み、前記入力レシーバが、
前記入力制御信号を受信して反転し、反転入力制御信号を生成するよう配置された第1インバータと、
前記第1インバータに接続され、前記反転入力制御信号と入力信号を受信して、高速モード電圧を生成するよう配置された高速モード回路と、
前記第1インバータに接続され、前記反転入力制御信号と前記入力信号を受信して、低速モード電圧を生成するよう配置された低速モード回路と、
前記高速モード回路と前記低速モード回路に接続され、前記高速モード電圧および前記低速モード電圧に対してNAND論理演算を行い、出力信号を生成するよう配置されたNANDゲートと、
を含む請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記高速モード回路が、
前記第1インバータに接続され、前記反転入力制御信号を受信して、第1ノード電圧を生成するよう配置された第2インバータと、
第1端子が電源電圧に接続され、制御端子が前記第1ノード電圧に接続され、第2端子が前記高速モード電圧に接続された第1スイッチと、
カレントミラー負荷を有し、前記入力信号を受信して、前記高速モード電圧を生成するよう配置された差動アンプと、
第1端子が前記電源電圧に接続され、第1抵抗と第2抵抗を含み、分圧操作により基準電圧を生成し、第1抵抗が前記電源電圧と前記基準電圧の間に接続された直列抵抗と、
第1端子が前記差動アンプに接続され、制御端子が前記第1ノード電圧に接続され、第2端子が接地電圧に接続された第2スイッチと、
第1端子が前記第2抵抗に接続され、制御端子が前記第1ノード電圧に接続され、第2端子が前記接地電圧に接続された第3スイッチと、
を含む請求項7に記載のメモリ装置。 - 前記低速モード回路が、
第1端子が前記電源電圧に接続され、入力端子が入力信号に接続され、出力端子が前記低速モード電圧に接続された第3インバータと、
第1端子が前記第3インバータの第2端子に接続され、制御端子が前記反転入力制御信号を受信し、第2端子が前記接地電圧に接続された第4スイッチと、
第1端子が前記電源電圧に接続され、制御端子が前記反転入力制御信号を受信し、第2端子が前記低速モード電圧に接続された第5スイッチと、
を含む請求項7に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置が、さらに、オフチップドライバを含み、前記オフチップドライバが、
前記伝送制御信号に基づいて、イネーブルまたはディセーブルにされる第1オフチップドライバと、
常時オンになるよう配置された第2オフチップドライバと、
を含み、
前記オフチップドライバが、前記伝送制御信号に基づいて、前記オフチップドライバの電流駆動力を動的に調整する請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記擬似SRAMが、操作モードが高速モードであると判断した時、前記伝送制御信号に基づいて、前記第1オフチップドライバをイネーブルにし、
前記擬似SRAMが、操作モードが高速モードであると判断した時、前記伝送制御信号に基づいて、前記第1オフチップドライバをディセーブルにする請求項10に記載のメモリ装置。 - 前記読み出し/書き込みデータストローブ信号が、前記マイクロプロセッサに前記擬似SRAMの前記操作モードの遷移状態を告知するために使用される請求項6に記載のメモリ装置。
- メモリ装置に適用される入出力バッファ制御方法であって、前記メモリ装置が、擬似SRAMとコントローラを含み、前記擬似SRAMが、高速モード回路と低速モード回路を有する入出力回路を含み、前記入出力バッファ制御方法が、
前記メモリ装置の操作モードに基づいて、電源電圧とクロック周波数を調整することと、調整した電源電圧と調整したクロック周波数に基づいて、レジスタ設定コードを生成することと、
前記レジスタ設定コードに基づいて、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの一方をイネーブルにし、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの他方をディセーブルにすることと、
を含む入出力バッファ制御方法。 - 前記擬似SRAMが、前記入出力回路が高速モードに設定されたと判断した時、前記高速モード回路をイネーブルにして、前記低速モード回路をディセーブルにし、
前記擬似SRAMが、前記入出力回路が低速モードに設定されたと判断した時、前記低速モード回路をイネーブルにして、前記高速モード回路をディセーブルにする請求項13に記載の入出力バッファ制御方法。 - 前記レジスタ設定コードCRが、モード設定または遅延計数を含む請求項13に記載の入出力バッファ制御方法。
- 前記擬似SRAMが、さらに、コマンドデコーダを含み、前記コマンドデコーダが、前記レジスタ設定コードを受信して復号化し、入力制御信号と伝送制御信号を生成するために使用される請求項13に記載の入出力バッファ制御方法。
- 前記擬似SRAMが、前記入力制御信号に基づいて、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの一方をイネーブルにし、前記高速モード回路および前記低速モード回路のうちの他方をディセーブルにする請求項16に記載の入出力バッファ制御方法。
- 前記メモリ装置が、さらに、オフチップドライバを含み、前記オフチップドライバが、第1オフチップドライバと第2オフチップドライバを含み、前記入出力バッファ制御方法が、さらに、
前記伝送制御信号に基づいて、前記オフチップドライバの電流駆動力を動的に調整することと、
前記レジスタ設定コードに基づいて、前記入出力回路が高速モードに設定されたと判断した時、前記伝送制御信号に基づいて、前記第1オフチップドライバをイネーブルにすることと、
前記レジスタ設定コードに基づいて、前記入出力回路が低速モードに設定されたと判断した時、前記伝送制御信号に基づいて、前記第1オフチップドライバをディセーブルにすることと、
を含む請求項16に記載の入出力バッファ制御方法。
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