DE60207192T2 - Aktivmatrixanzeige, organische aktivmatrix-elektro-lumineszenzanzeige und verfahren zu ihrer ansteuerung - Google Patents

Aktivmatrixanzeige, organische aktivmatrix-elektro-lumineszenzanzeige und verfahren zu ihrer ansteuerung Download PDF

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 und ein Verfahren zum Ansteuern einer solchen Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs gemäß dem Oberbegriff des Verfahrensanspruchs 8. Eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs und ein Ansteuerverfahren dieser Art sind aus WO 99/65012 bekannt.
  • STAND DER TECHNIK
  • In letzter Zeit sind in den Anzeigevorrichtungen wie z.B. einer Flüssigkristallanzeige (LCD), die Flüssigkristallzellen als Anzeigeelemente für jeweilige Pixel verwendet, mehrere Pixel in Form einer Matrix angeordnet und jeweilige Pixel werden angesteuert, um ein Bild anzuzeigen, so dass die Lichtintensität von jedem Pixel gemäß einer Bildinformation gesteuert wird, die das anzuzeigende Bild darstellt. Ein solches Ansteuerverfahren gilt auch für organische EL-Anzeigen, die organische EL-Elemente als Anzeigeelemente für Pixel verwenden.
  • Die organischen EL-Anzeigen weisen überdies Vorteile gegenüber Flüssigkristallanzeigen auf, derart, dass die organischen EL-Anzeigen eine höhere Sichtbarkeit aufweisen, keine Gegenlichtbeleuchtung benötigen und aufgrund der Tatsache, dass die organischen EL-Anzeigen unter Verwendung von Lichtemissionselementen als Anzeigeelementen für Pixel selbstleuchtend sind, ein schnelleres Ansprechen auf Signale aufweisen. Die organischen EL-Anzeigen sind von Flüssigkristallanzeigen insofern ziemlich verschieden, als das organische EL-Element vom stromgesteuerten Typ ist, wobei die Luminanz jedes Lichtemissionselements durch den durch dieses fließenden Strom gesteuert wird, während die Flüssigkristallzelle vom spannungsgesteuerten Typ ist.
  • Wie Flüssigkristallanzeigen können organische EL-Anzeigen in einem einfachen (passiven) Matrixschema und einem aktiven Matrixschema angesteuert werden. Die ersteren Anzeigen weisen jedoch einige schwierige Probleme auf, wenn sie als Anzeige mit großer Größe und hoher Genauigkeit verwendet werden, obwohl die Anzeige von einfacher Struktur ist. Um die Probleme zu umgehen, wurde ein Aktivmatrix-Steuerschema entwickelt, bei dem der durch ein Lichtemissionselement für jedes Pixel fließende Strom durch ein aktives Element, beispielsweise einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (typischerweise einen Dünnschichttransistor, TFT) gesteuert wird, der auch im Pixel vorgesehen ist.
  • 1 zeigt eine herkömmliche Pixelschaltung (Schaltung eines Einheitspixels) in einer organischen EL-Anzeige des Aktivmatrix-Typs (für mehr Einzelheiten siehe USP 5 684 365 und JP-A-H08-234683).
  • Wie in 1 deutlich gezeigt ist, umfasst die herkömmliche Pixelschaltung ein organisches EL-Element 101 mit einer Anode, die mit einer positiven Spannungsversorgung Vdd verbunden ist, einen TFT 102 mit einem Drain, der mit einer Katode des organischen EL-Elements 101 verbunden ist, und einem geerdeten Source, einen Kondensator 103, der zwischen ein Gate des TFT 102 und die Erdung geschaltet ist, und einen TFT 104 mit einem Drain, der mit dem Gate des TFT 102 verbunden ist, einem Source, der mit einer Datenleitung 106 verbunden ist, und einem Gate, das mit einer Abtastleitung 105 verbunden ist.
  • Organische EL-Elemente werden häufig organische Leuchtdioden (OLED) genannt, da sie in vielen Fällen Gleichrichtungseffekte aufweisen. Folglich ist in 1 und in den anderen Fig. das organische EL-Element als OLED gezeigt, und mit einer Markierung gekennzeichnet, die eine Diode darstellt. Es sollte jedoch selbstverständlich sein, dass das organische EL-Element im Folgenden keine Gleichrichtungseigenschaft aufweisen muss.
  • Operationen der Pixelschaltung, wie vorstehend gezeigt, sind folgendermaßen. Zuerst wird die Abtastleitung 105 auf ein ausgewähltes Potential (im hierin gezeigten Beispiel einen HOHEN Pegel) gebracht und die Datenleitung 106 wird mit einem Schreibpotential Vw versorgt, um den TFT 104 leitend zu machen, wodurch der Kondensator 103 aufgeladen oder entladen wird und das Gate des TFT 102 auf das Schreibpotential Vw gebracht wird. Als nächstes wird die Abtastleitung 105 auf ein nicht ausgewähltes Potential (das in diesem Beispiel ein NIEDRIGER Pegel ist) gebracht. Dieser Zustand isoliert die Abtastleitung 105 elektrisch vom TFT 102. Das Gatepotential des TFT 102 wird jedoch durch den Kondensator 103 gesichert.
  • Der durch den TFT 102 und die OLED 101 fließende Strom erreicht einen Pegel, der der Gate-Source-Spannung Vgs entspricht, die bewirkt, dass die OLED 101 mit einer Luminanz gemäß deren Stromwerten leuchtet. Im Folgenden wird eine Operation, die Luminanzinformationsdaten, die auf der Datenleitung 106 durch eine Auswahl der Abtastleitung 105 geliefert werden, in das Pixel überträgt, als "Schreiben" bezeichnet. In der Pixelschaltung, wie in 1 gezeigt, wird, sobald das Potential Vw in die OLED 101 geschrieben ist, eine solche OLED 101 mit einer konstanten Luminanz beleuchtet, bis das nächste Schreiben durchgeführt wird.
  • Eine Vielzahl von solchen Pixelschaltungen 111 (die einfach als Pixel bezeichnet werden können) können in Form einer Matrix angeordnet werden, wie in 2 gezeigt, um eine Anzeigevorrichtung (organische EL-Anzeigevorrichtung) des Aktivmatrix-Typs zu bilden, in der die Pixel 111 nacheinander ausgewählt werden, wobei das Schreiben in die Pixel 111 über die Datenleitungen 114-1–115-m wiederholt wird, die durch eine Datenleitungs-Treiberschaltung (Spannungstreiber) 114 vom Spannungsansteuertyp angesteuert werden, wobei die Abtastleitungen 112-1–112-n nacheinander durch eine Abtastleitungs-Treiberschaltung 113 ausgewählt werden. In diesem Beispiel sind die Pixel 111 in einer m (Spalten) mal n (Zeilen) Matrix angeordnet. In diesem Fall sind natürlich m Datenleitungen und n Abtastleitungen vorhanden.
  • In einer einfachen Anzeigevorrichtung des Matrixtyps emittiert jedes Lichtemissionselement Licht nur in dem Moment, in dem es ausgewählt wird. Im Gegensatz dazu kann in einer Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs jedes Lichtemissionselement nach der Beendung von dessen Schreiben weiterhin Licht emittieren. In der Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs können folglich die Spitzenluminanz und der Spitzenstrom der Lichtemissionselemente im Vergleich zur einfachen Anzeigevorrichtung des Matrixtyps niedriger sein, was insbesondere für eine Anzeigevorrichtung mit großer Größe und/oder hoher Genauigkeit ein Vorteil ist.
  • Im Allgemeinen werden in der organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs TFTs (Dünnschichttransistor), die auf einem Glassubstrat ausgebildet sind, als aktive Elemente verwendet. Amorphes Silicium (nicht-kristallines Silicium) und Polysilicium (polykristallines Silicium), die zum Ausbilden von TFTs verwendet werden sollen, weisen jedoch schlechte Kristallisierungs eigenschaften im Vergleich zu Silicium-Einkristall auf. Dies bedeutet, dass sie eine schlechte Leitfähigkeit und Steuerbarkeit aufweisen, so dass TFTs große Schwankungen in den Kennlinien aufweisen.
  • Insbesondere wenn ein Polysilicium-TFT auf einem relativ großen Glassubstrat ausgebildet wird, wird gewöhnlich, um Probleme zu umgehen, die durch thermische Verformung des Glassubstrats verursacht werden, ein Laserausheilungsverfahren auf das Glassubstrat nach der Ausbildung einer amorphen Siliciumschicht angewendet, um den Polysilicium-TFT zu kristallisieren. Das gleichmäßige Abstrahlen von Laserlicht über eine große Fläche des Glassubstrats ist jedoch schwierig, was zu einer ungleichmäßigen Kristallisierung von Polysilicium an verschiedenen Punkten auf dem Substrat führt. Folglich variiert der Schwellenwert Vth von TFTs, die auf demselben Substrat ausgebildet sind, über mehrere hundert mV und in einigen Fällen mindestens 1 Volt.
  • Wenn in solchen Fällen dasselbe Potential Vw in diese Pixel geschrieben wird, sind die Schwellenwerte Vth von einem Pixel zum anderen unterschiedlich. Der Strom Ids, der durch das OLED (organisches EL-Element) fließt, variiert folglich von einem Pixel zum anderen und kann erheblich von einem gewünschten Pegel abweichen. Es kann dann nicht erwartet werden, eine Anzeige mit hoher Qualität zu erhalten. Dies gilt nicht nur für die Schwelle Vth, sondern auch für eine Schwankung der Beweglichkeit μ der Ladungsträger in derselben Weise.
  • Um das Problem zu mildern, haben die Erfinder dieser Erfindung eine Pixelschaltung vorgeschlagen, wie in 3 gezeigt (siehe JP-A-H11-200843).
  • Wie aus 3 ersichtlich ist, umfasst diese Pixelschaltung, die in der früher eingereichten japanischen Patentanmeldung offenbart ist, ein OLED 121 mit einer Anode, die mit einer positiven Spannungsversorgung Vdd verbunden ist, einen TFT 122 mit einem Drain, der mit einer Katode des OLED 121 verbunden ist, und einem Source, der mit einer Referenzpotential- oder Erdungsleitung (nachstehend einfach als Erdung bezeichnet) verbunden ist, einen Kondensator 123, der zwischen ein Gate des TFT 122 und die Erdung geschaltet ist, einen TFT 124 mit einem Drain, der mit der Datenleitung 128 verbunden ist, bzw. einem Gate, das mit einer ersten Abtastleitung 127A verbunden ist, bzw. einen TFT 125 mit einem Drain und einem Gate, die mit einem Source des TFT 124 verbunden sind, und einem Source, das mit der Erdung verbunden ist, einen TFT 126 mit einem Drain, der mit dem Drain und dem Gate des TFT 125 verbunden ist, und einem Source, der mit dem Gate des TFT 122 verbunden ist, und einem Gate, das mit der zweiten Abtastleitung 127B verbunden ist.
  • Wie in 3 gezeigt, wird die Abtastleitung 127A mit einem Taktsignal scanA versorgt. Die zweite Abtastleitung 127B wird mit einem Taktsignal scanB versorgt. Die Datenleitung 128 wird mit OLED-Luminanzinformationen (Daten) versorgt. Ein Stromtreiber CS liefert einen Vorspannungsstrom Iw zur Datenleitung 128 gemäß aktiven Stromdaten auf der Basis der OLED-Luminanzinformationen.
  • In dem hierin gezeigten Beispiel sind die TFTs 122 und 125 N-Kanal-MOS-Transistoren und die TFTs 124 und 126 sind P-Kanal-MOS-Transistoren. 4A–4D zeigen Ablaufpläne für die Pixelschaltung im Betrieb.
  • Ein eindeutiger Unterschied zwischen der in 3 gezeigten Pixelschaltung und der in 1 gezeigten ist folgendermaßen. In der in 1 gezeigten Pixelschaltung werden Luminanzdaten in Form einer Spannung an die Pixel gegeben, während in der in 3 gezeigten Pixelschaltung den Pixeln Luminanzdaten in Form eines Stroms gegeben werden. Die entsprechenden Operationen sind folgendermaßen.
  • Beim Schreiben von Luminanzinformationen werden zuerst die Abtastleitungen 127A und 127B, die in 4A und 4B gezeigt sind, auf den ausgewählten Zustand (Zustand des ausgewählten Potentials, für das scanA und scanB auf NIEDRIGE Pegel herabgesetzt werden) gesetzt und die Datenleitung 128 wird mit einem Strom Iw gespeist, wie in 4C gezeigt, der der in 4D gezeigten OLED-Luminanzinformation entspricht. Der Strom Iw fließt durch den TFT 125 über den TFT 124. Die im TFT 125 erzeugte Gate-Source-Spannung wird auf Vgs gesetzt. Da das Gate und der Drain des TFT 125 kurzgeschlossen werden, arbeitet der TFT 125 im Sättigungsbereich.
  • Gemäß einer gut bekannten MOS-Transistorformel ist daher Iw gegeben durch Iw = μlCox1W1/L1/2(Vgs – Vth1)2 (1)wobei Vt1 für den Schwellenwert des TFT 125, μl für die Ladungsträgerbeweglichkeit, Cox1 für die Gatekapazität pro Einheitsfläche, W1 für die Kanalbreite und L1 für die Kanallänge steht.
  • Indem der Strom, der durch das OLED 121 fließt, mit Idrv bezeichnet wird, ist zu sehen, dass der Strom Idrv durch den TFT 122 gesteuert wird, der mit dem OLED 121 in Reihe geschaltet ist. Da in der Pixelschaltung, wie in 3 gezeigt, die Gate-Source-Spannung des TFT 122 gleich Vgs ist, die durch Gleichung (1) gegeben ist, ist Idrv gegeben durch Idrv = μ2Cox2W2/L2/2(Vgs – Vth2)2 (2)unter der Annahme, dass der TFT 122 im Sättigungsbereich arbeitet.
  • Im übrigen ist bekannt, dass ein MOS-Transistor im Allgemeinen in einem Sättigungsbereich unter der folgenden Bedingung betreibbar ist |Vds| > |Vgs – Vt| (3)
  • Parameter, die in den Gleichungen (2) und (3) erscheinen, sind dieselben wie in Gleichung (1). Da die TFTs 125 und 122 innerhalb des Pixels eng ausgebildet sind, kann in Betracht gezogen werden, dass praktisch gilt μ1 = μ2Cox1 = Cox2 Vth1 = Vth2
  • Dann kann die folgende Gleichung leicht aus den Gleichungen (1) und (2) hergeleitet werden Idrv/Iw = (W2/W1)/(L2/L1) (4)
  • Das heißt, wenn die Ladungsträgerbeweglichkeit μ, die Gatekapazität pro Einheitsfläche Cox und der Schwellenwert Vth innerhalb des Feldes variieren oder von einem Feld zum anderen variieren, dass der Strom Idrv, der durch das OLED 121 fließt, zum Schreibstrom Iw exakt proportional ist und daher die Luminanz des OLED 121 genau gesteuert werden kann. Wenn beispielsweise entworfen ist, dass W2 = W1 und L2 = L1, dann gilt Idrv/Iw = 1, was bedeutet, dass der Schreibstrom Iw ungeachtet von Schwankungen der TFT-Eigenschaften mit dem Strom Idrv übereinstimmt, der durch das OLED 121 fließt.
  • Es ist möglich, eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs durch Anordnen von Pixelschaltungen, wie vorstehend beschrieben und in 3 gezeigt, in Form einer Matrix zu konstruieren. Ein Konfigurationsbeispiel einer solchen Anzeigevorrichtung ist in 5 gezeigt.
  • Mit Bezug auf 5 sind für jede Pixelschaltung 211 des Stromschreibtyps, die in einer m (Spalten) mal n (Zeilen) Matrix auf einer zeilenweisen Basis angeord net ist, irgendeine von jeweiligen ersten Abtastleitungen 212A-1–212A-n und irgendeine von jeweiligen zweiten Abtastleitungen 212B-1–212B-n vorgesehen. Ferner ist jede erste Abtastleitung 212A-1–212A-n mit dem Gate des TFT 214 von 3 verbunden und jede Abtastleitung 212B-1–212B-n ist mit dem Gate des TFT 126 von 3 verbunden.
  • Eine erste Abtastleitungs-Treiberschaltung 213A zum Ansteuern der Abtastleitungen 212A-1–212A-n ist links von diesen Pixeln vorgesehen und eine zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 213B zum Ansteuern der zweiten Abtastleitungen 212B-1–212B-n ist rechts von den Pixeln vorgesehen. Die erste und die zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 213A und 213B bestehen aus Schieberegistern. Die Abtastleitungs-Treiberschaltungen 213A und 213B werden mit einem gemeinsamen vertikalen Startimpuls VSP und mit vertikalen Taktimpulsen VCKA bzw. VCKB versehen. Der vertikale Taktimpuls VCKA wird bezüglich des vertikalen Taktimpulses VCKB mittels einer Verzögerungsschaltung 214 geringfügig verzögert.
  • Jede der Pixelschaltungen 211 in jeder Spalte ist auch mit irgendeiner von jeweiligen Datenleitungen 215-1–215-m verbunden. Diese Datenleitungen 215-1–215-m sind an einem Ende derselben mit einer Datenleitungs-Treiberschaltung (Stromtreiber CS) 216 des Stromansteuertyps verbunden. Die Luminanzinformationen werden in die jeweiligen Pixel durch die Datenleitungs-Treiberschaltung 216 über die Datenleitungen 215-1–215-m geschrieben.
  • Als nächstes werden die Operationen der obigen Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs beschrieben. Wenn die vertikalen Startimpulse VSP in die erste und die zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 213A bzw. 213B eingespeist werden, beginnen die Abtastleitungs-Treiberschaltungen 213A und 213B Schiebeoperationen beim Empfang der vertikalen Startimpulse VSP, wobei nacheinander Abtastimpulse scanA1–scanAn und scanB1–scanBn synchron mit den vertikalen Taktimpulsen VCKA und VCKB ausgegeben werden, um die Abtastleitungen 212A-1–212A-n und 212B-1–212B-n der Reihe nach auszuwählen.
  • Andererseits steuert die Datenleitungs-Treiberschaltung 216 die Datenleitungen 215-1–215-m gemäß den Stromwerten an, die durch die Luminanzinformationen bestimmt werden. Der Strom fließt durch die ausgewählten Pixel, die mit jeder der Abtastleitungen verbunden sind, um die Schreiboperation auf einer Abtastleitungsbasis durchzuführen. Jedes dieser Pixel beginnt die Emission von Licht mit einer Intensität gemäß den Stromwerten. Es wird bemerkt, dass, wie vorher beschrieben, der vertikale Taktimpuls VCKA geringfügig hinter dem vertikalen Taktimpuls VCKB liegt, so dass die Abtastleitung 127B vor der Abtastleitung 127A nicht ausgewählt wird, wie in 3 zu sehen. An dem Punkt, an dem die Abtastleitung 127B nicht ausgewählt wird, werden die Luminanzdaten im Kondensator 123 innerhalb der Pixelschaltung gespeichert, wodurch eine konstante Luminanz aufrechterhalten wird, bis neue Daten in den nächsten Rahmen geschrieben werden.
  • In einem Fall, in dem eine Stromspiegelstruktur, wie in 3 gezeigt, für die Pixelschaltung verwendet wird, entsteht ein Problem, dass die Struktur eine größere Anzahl von Transistoren im Vergleich zu der in 1 gezeigten beinhaltet. Das heißt, in dem in 1 gezeigten Beispiel besteht jedes Pixel aus zwei Transistoren, während in dem in 3 gezeigten Beispiel jedes Pixel vier Transistoren erfordert.
  • Wie in JP-A-11-200843 offenbart, ist ferner tatsächlich in vielen Fällen ein größerer Strom Iw zum Schreiben von der Datenleitung im Vergleich zum Strom Idrv, der durch ein Lichtemissionselement OLED fließt, erforderlich. Der Grund dafür ist folgender. Der Strom, der durch das Lichtemissionselement OLED fließt, ist im Allgemeinen selbst bei der Spitzenluminanz etwa einige μA. Unter der Annahme einer Abstufung von 64 Pegeln für das Pixel stellt sich daher der Betrag des Stroms in der Umgebung der niedrigsten Abstufung als mehrere zehn nA heraus, was jedoch zu klein ist, um korrekt über eine Datenleitung mit einer großen Kapazität zur Pixelschaltung geliefert zu werden.
  • Dieses Problem kann für eine in 3 gezeigte Schaltung gelöst werden, indem der Faktor (W2/W1)/(L2/L1) auf einen kleinen Wert gesetzt wird, um dadurch den Schreibstrom Iw gemäß Gleichung (4) zu erhöhen. Dazu ist es jedoch erforderlich, das Verhältnis W1/L1 des TFT 125 groß zu machen. Da viele Begrenzungen bei der Verringerung der Kanallänge L1 bestehen, wie später beschrieben, muss die Kanalbreite W1 in diesem Fall notwendigerweise größer gemacht werden, was zu einem großen TFT 125 führt, der eine große Fläche des Pixels belegt.
  • In den organischen EL-Anzeigen bedeutet, wenn die Abmessungen eines Pixels im Allgemeinen fest sind, dass die Fläche des Lichtemissionsabschnitts des Pixels verringert werden muss. Dies führt zu einem Verlust der Zuverlässigkeit des Pixels, der durch eine erhöhte Stromdichte, einen erhöhten Leistungsverbrauch aufgrund einer erhöhten Ansteuerspannung, einer groben Körnung der Pixel aufgrund der Verringerung der Lichtemissionsfläche und dergleichen verursacht wird, was eine Verringerung der Pixelgröße verhindert, nämlich eine Verbesserung für eine höhere Auflösung verhindert.
  • Es soll beispielsweise angenommen werden, dass der Schreibstrom in der Größenordnung von einigen μA in der Umgebung des niedrigsten Abstufungspegels bevorzugt ist. Dann ist es erforderlich, die Kanalbreite W1 des TFT 122 100-mal größer zu machen als jene des TFT 122, wenn L1 = L2 angenommen wird. Dies ist nicht der Fall, wenn L1 < L2. Es bestehen jedoch Begrenzungen für die Verringerung der Kanallänge L1 angesichts der Stehspannung der Pixel und der Entwurfsregeln.
  • Insbesondere im Stromspiegelaufbau, wie in 3 gezeigt, ist es bevorzugt, dass L1 = L2. Dies liegt daran, dass in Anbetracht der Tatsache, dass die Kanallänge den Schwellenwert eines Transistors, die Sättigungseigenschaft in dessen Sättigungsbereich und so weiter stark beeinflusst, es vorteilhaft ist, die TFTs 125 und 122 in der Stromspiegelkonfiguration durch Wählen von L1 gleich L2 so anzupassen, dass eine exakte proportionale Beziehung des Stroms Idrv zum Strom Iw hergestellt wird, was es möglich macht, den Strom mit gewünschtem Betrag zum Lichtemissionselement OLED zu liefern.
  • Es ist unvermeidlich, dass gewisse Schwankungen in der Kanallänge während des Herstellungsprozesses von TFTs bestehen. Wenn im Entwurf L1 gleich L2 ist und der TFT 125 und der TFT 122 ausreichend nahe aneinander liegen, wird selbst dann eine wesentliche Gleichheit L1 = L2 garantiert, sollten L1 und L2 in gewissem Ausmaß abweichen. Folglich bleibt der Wert von Idrv/Iw gemäß Gleichung (4) trotz der Schwankungen im Wesentlichen konstant.
  • Wenn im Entwurf andererseits L1 < L2, aber die tatsächlichen Kanallängen kürzer sind als die Entwurfslängen, dann wird der kürzere Kanal L1 relativ mehr beeinflusst als der andere, was das Verhältnis von L1 zu L2 für die Schwankungen während des Herstellungsprozesses und daher das Verhältnis Idrv/Iw von Gleichung (4) anfällig macht. Folglich können Maßschwankungen der Kanallänge, wenn sie am gleichen Feld auftreten, die Gleichmäßigkeit eines erzeugten Bildes verschlechtern.
  • Ferner ist es in der Schaltung, wie in 3 gezeigt, erforderlich, die Kanalbreite des TFT 124, der als Schalttransistor dient (nachstehend in einigen Fällen als Abtasttransistor bezeichnet), der die Datenleitung mit dem TFT 125 verbindet, groß zu machen, da der Schreibstrom Iw durch den TFT 124 fließt. Dies verursacht auch eine große Pixelschaltung, die eine große Fläche belegt.
  • EP 1 061 497 A1 offenbart eine Bildanzeigevorrichtung mit stromgesteuerten Lichtemissionselementen und ein Ansteuerverfahren dafür, wobei jedes Pixel ein Lichtemissionselement mit einem Helligkeitswert, der sich in Abhängigkeit von einer Menge an Strom, der zu diesem geliefert wird, ändert, einen ersten TFT, der durch eine Abtastleitung gesteuert wird, zum Schreiben von Helligkeitsinformationen, die an diese von einer Datenleitung gegeben werden, in das Pixel und einen zweiten TFT zum Steuern der Menge an Strom, der zum Lichtemissionselement geliefert werden soll, entsprechend den geschriebenen Helligkeitsinformationen umfasst. Das Schreiben der Helligkeitsinformationen in jedes Pixel wird durch Anlegen eines elektrischen Signals entsprechend den Helligkeitsinformationen an die Datenleitung, während die Abtastleitung ausgewählt wird, durchgeführt. Die in jedes Pixel geschriebenen Helligkeitsinformationen werden durch das Pixel auch gehalten, nachdem die Abtastleitung in einen nicht ausgewählten Zustand versetzt wird, so dass das Lichtemissionselement weiterhin mit einem Helligkeitswert entsprechend den durch das Pixel gehaltenen Helligkeitsinformationen leuchten kann.
  • Die vorstehend erwähnte WO 99/65012 offenbart eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs sowie ein Ansteuerverfahren dafür gemäß den Oberbegriffen der unabhängigen Ansprüche 1 und 8, wobei die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs des Standes der Technik folgendes umfasst:
    einen ersten Abtast-TFT zum Durchlassen des von der Datenleitung gelieferten Stroms;
    ein Umsetzungsmittel, einschließlich eines TFT-FET, das in einer Diodenkonfiguration verbunden ist, zum Umsetzen des von der Datenleitung gelieferten Stroms in eine Spannung;
    einen zweiten Abtast-TFT zum Durchlassen der durch das Umsetzungsmittel umgesetzten Spannung;
    ein Haltemittel mit einem Kondensator zum Halten der vom Umsetzungsmittel umgesetzten Spannung; und
    ein Treibermittel zum Umsetzen der im Haltemittel gehaltenen Spannung in einen Strom und zum Leiten des umgesetzten Stroms durch ein elektrooptisches Element, wobei das Treibermittel und das Umsetzungsmittel eine Stromspiegelschaltung bilden. Ferner ist das Umsetzungsmittel gemäß 5, Punkt 20, dieses Dokuments mit dem zweiten Abtastschalter aller Pixel, die zur gleichen Spalte gehören, verbunden.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs und ein Verfahren zum Ansteuern dieser Anzeigevorrichtung zu schaffen, wenn Pixelschaltungen vom Schreibstromtyp sind, indem kleine Pixelschaltungen verwirklicht werden, die kleine Flächen belegen, um eine Anzeige mit hoher Auflösung sicherzustellen, und indem eine genaue Stromzufuhr zu jedem Lichtemissionselement verwirklicht wird.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem ersten Aspekt schafft die Erfindung eine Anzeigevorrichtung gemäß dem unabhängigen Anspruch 1.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt schafft die Erfindung ein Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung gemäß dem unabhängigen Anspruch 8.
  • In der Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs mit der obigen Konfiguration, die organische Elektrolumineszenz-Elemente als elektrooptische Elemente verwendet, sind der erste Abtastschalter und der Umsetzungsteil aufgrund der Tatsache, dass sie im Vergleich zu den elektrooptischen Elementen einen großen Strom handhaben, möglicherweise so ausgelegt, dass sie eine große Fläche aufweisen. Es wird bemerkt, dass der Umsetzungsteil nur verwendet wird, wenn Luminanzinformationen geschrieben werden, und dass der erste Abtastschalter mit dem zweiten Abtastschalter zusammenarbeitet, um ein Abtasten in einer Zeilenrichtung (für eine ausgewählte Zeile) durchzuführen. Unter Beachtung dieses Merkmals können einer oder beide des ersten Abtastschalters und/oder des Umsetzungsteils zwischen mehreren Pixeln in einer Zeilenrich tung gemeinsam genutzt werden, um dadurch die Fläche der Pixelschaltung, die jedes Pixel belegt, zu verkleinern, die ansonsten viel größer wäre. Wenn die Fläche der Pixelschaltung, die jedes Pixel belegt, dieselbe ist, nimmt außerdem ein Freiheitsgrad für den Anordnungsentwurf zu, so dass ein Strom genauer zum elektrooptischen Element geliefert werden kann.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Schaltplan einer herkömmlichen Pixelschaltung;
  • 2 ist ein Blockdiagramm, das ein Konfigurationsbeispiel einer herkömmlichen Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs unter Verwendung von Pixelschaltungen zeigt;
  • 3 ist ein Schaltplan einer Pixelschaltung des Stromschreibtyps gemäß der früheren Anwendung;
  • 4A ist ein Ablaufplan, der eine Zeitsteuerung des Signals scanA für eine Abtastleitung 127A der Pixelschaltung des Stromschreibtyps von 3 zeigt;
  • 4B ist ein Ablaufplan, der eine Zeitsteuerung des Signals scanB für die Abtastleitung 127B zeigt;
  • 4C ist ein Ablaufplan, der aktive Stromdaten des Stromtreibers CS zeigt;
  • 4D ist ein Ablaufplan, der OLED-Luminanzinformationen zeigt;
  • 5 ist ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, die Pixelschaltungen des Stromschreibtyps gemäß der früheren Anwendung verwendet;
  • 6 ist ein Schaltplan, der ein erläuterndes Beispiel einer Pixelschaltung des Stromschreibtyps zeigt;
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines beispielhaften organischen EL- Elements;
  • 8 ist eine Querschnittsansicht einer Pixelschaltung zum Gewinnen von Licht von der Rückseite eines Substrats;
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer Pixelschaltung zum Gewinnen von Licht von der Vorderflächenseite eines Substrats;
  • 10 ist ein Blockdiagramm, das eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs unter Verwendung der Stromschreib-Pixelschaltung gemäß dem erläuternden Beispiel zeigt;
  • 11 ist ein Schaltplan einer ersten Pixelschaltung, die durch Modifizieren des erläuternden Beispiels erhalten wird;
  • 12 ist ein Schaltplan einer zweiten Pixelschaltung, die durch Modifizieren des erläuternden Beispiels erhalten wird;
  • 13 ist ein Schaltplan, der eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Pixelschaltung des Stromschreibtyps zeigt;
  • 14 ist ein Blockdiagramm, das eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs unter Verwendung der Ausführungsform der erfindungsgemäßen Stromschreib-Pixelschaltung zeigt;
  • 15A ist ein Ablaufplan, der eine Zeitsteuerung des Signals scanA (K der in 14 gezeigten Pixelschaltung des Stromschreibtyps) zeigt;
  • 15B ist ein Ablaufplan, der die Zeitsteuerung des Signals scanA (K + 1) zeigt;
  • 15C ist ein Ablaufplan, der die Zeitsteuerung des Signals scanB (2K – 1) zeigt;
  • 15D ist ein Ablaufplan, der die Zeitsteuerung der Abtastung von scanB (2K) zeigt;
  • 15E ist ein Ablaufplan, der die Zeitsteuerung der Abtastung von scanB (2K + 1) zeigt;
  • 15F ist ein Ablaufplan, der die Zeitsteuerung der Abtastung von scanB (2K + 2) zeigt;
  • 15G ist ein Ablaufplan, der aktive Stromdaten des Stromtreibers CS zeigt; und
  • 16 ist ein Schaltplan einer modifizierten Pixelschaltung, die durch Modifizieren der Ausführungsform der Erfindung erhalten wird.
  • ERLÄUTERNDES BEISPIEL
  • 6 stellt einen Schaltplan eines erläuternden Beispiels einer Pixelschaltung des Stromschreibtyps zum Erläutern von Grundprinzipien dar, wobei das erläuternde Beispiel nicht zur Erfindung gehört, wie in den Ansprüchen festgelegt. In diesem Beispiel sind nur zwei benachbarte Pixel (Pixel 1 und 2) in einer Spalte der Einfachheit halber in der Zeichnung gezeigt.
  • Wie in 6 gezeigt, umfasst die Pixelschaltung P1 des Pixels 1 ein OLED (organisches EL-Element) 11-1 mit einer Anode, die mit einer positiven Spannungsversorgung Vdd verbunden ist, einen TFT 12-1 mit einem Drain, der mit einer Katode des OLED 11-1 verbunden ist, und einem geerdeten Source, einen Kondensator 13-1, der mit einem Gate des TFT 12-1 und der Erdung (Referenzpotentialpunkt) verbunden ist, einen TFT 14-1 mit einem Drain, der mit einer Datenleitung 17 verbunden ist, bzw. einem Gate, das mit einer ersten Abtastleitung 18A-1 verbunden ist, einen TFT 15-1 mit einem Drain, der mit einem Source des TFT 14-1 verbunden ist, einem Source, der mit dem Gate des TFT 12-1 verbunden ist, bzw. einem Gate, das mit einer zweiten Abtastleitung 18B-1 verbunden ist.
  • Ebenso umfasst die Pixelschaltung P2 des Pixels 2 ein OLED 11-2 mit einer Anode, die mit der positiven Spannungsquelle Vdd verbunden ist, einen TFT 12-2 mit einem Drain, der mit einer Katode des OLED 11-2 verbunden ist, und einem geerdeten Source, einen Kondensator 13-2, der mit einem Gate des TFT 12-2 und der Erdung verbunden ist, einen TFT 14-2 mit einem Drain, der mit der Datenleitung 17 verbunden ist, bzw. einem Gate, das mit einer ersten Abtastleitung 18A-2 verbunden ist, einen TFT 15-2 mit einem Drain, der mit einem Source des TFT 14-2 verbunden ist, einem Source, der mit dem Gate des TFT 12-2 verbunden ist, bzw. einem Gate, das mit einer zweiten Abtastleitung 18B-2 verbunden ist.
  • Ein sogenannter TFT 16 vom Diodenverbindungstyp, dessen Drain und Gate kurzgeschlossen sind, wird zwischen den Pixelschaltungen P1 und P2 der zwei Pixel gemeinsam genutzt. Das heißt, der Drain und das Gate des TFT 16 sind jeweils mit dem Source des TFT 14-1 und dem Drain des TFT 15-1 der Pixelschaltung P1 bzw. mit dem Source des TFT 14-2 und dem Drain des TFT 15-2 der Pixelschaltung P2 verbunden. Der Source des TFT 16 ist geerdet.
  • In dem hierin gezeigten Beispiel sind die TFTs 12-1 und 12-2 und der TFT 16 N-Kanal-MOS-Transistoren, während die TFTs 14-1, 14-2, 15-1 und 15-2 P-Kanal-MOS-Transistoren sind.
  • In der obigen Anordnung der Pixelschaltungen P1 und P2 fungieren die TFTs 14-1 und 14-2 als erster Abtastschalter zum selektiven Versorgen des TFT 16 mit dem Strom Iw, der von der Datenleitung 17 geliefert wird. Der TFT 16 fungiert als Umsetzungsteil zum Umsetzen des von der Datenleitung 17 über die TFTs 14-1 und 14-2 gelieferten Stroms Iw in eine Spannung und bildet eine Stromspiegelschaltung zusammen mit den TFTs 12-1 und 12-2, die später beschrieben werden. Der Grund dafür, warum der TFT 16 zwischen den Pixelschaltungen P1 und P2 gemeinsam genutzt werden kann, besteht darin, dass der TFT 16 nur im Moment des Schreibens durch den Strom Iw verwendet wird.
  • Die TFTs 15-1 und 15-2 fungieren als zweiter Abtastschalter zum selektiven Versorgen der Kondensatoren 13-1 und 13-2 mit der Spannung, die durch den TFT 16 umgesetzt wird. Die Kondensatoren 13-1 und 13-2 fungieren als Halteteile zum Halten der Spannungen, die aus dem Strom durch den TFT 16 umgesetzt werden und über die TFTs 15-1 und 15-2 geliefert werden. Die TFTs 12-1 und 12-2 fungieren als Ansteuerteile zum Umsetzen der in den jeweiligen Kondensatoren 13-1 und 13-2 gehaltenen Spannungen in jeweilige Ströme und zum Durchlassen der umgesetzten Ströme durch das OLED 11-1 und 11-2, um zu ermöglichen, dass das OLED 11-1 und 11-2 Licht emittieren. Die OLEDs 11-1 und 11-2 sind elektrooptische Elemente, deren Luminanz sich mit den durch sie fließenden Strömen ändert. Detaillierte Strukturen der OLEDs 11-1 und 11-2 werden später beschrieben.
  • Schreiboperationen des vorstehend beschriebenen Beispiels der Pixelschaltung zum Schreiben von Luminanzdaten werden nun beschrieben.
  • Zuerst wird das Schreiben von Luminanzdaten in das Pixel 1 betrachtet. In diesem Fall wird der Strom Iw mit der Datenleitung 17 gemäß den Luminanzdaten geliefert, wobei beide der Abtastleitungen 18A-1 und 18B-1 ausgewählt werden (in dem hierin gezeigten Beispiel liegen die Abtastsignale scanA 1 und scanB1 beide auf NIEDRIGEN Pegeln). Der Strom Iw wird zum TFT 16 über den gerade leitenden TFT 14-1 geliefert. Da der Strom Iw durch den TFT 16 fließt, wird eine Spannung entsprechend dem Strom Iw am Gate des TFT 16 erzeugt. Diese Spannung wird im Kondensator 13-1 gehalten.
  • Dies verursacht, dass der Strom durch das OLED 11-1 über den TFT 12-1 in Reaktion auf die im Kondensator 13-1 gehaltene Spannung fließt. Folglich beginnt eine Emission von Licht im OLED 11-1. Das Schreiben der Luminanzdaten in das Pixel 1 wird vollendet, wenn beide Abtastleitungen 18A-1 und 18B-1 einen nicht ausgewählten Zustand annehmen (das Abtastsignal scanA1 und scanB1 werden auf HOHE Pegel gesetzt). Während der vorstehend beschriebenen Folge von Schritten bleibt die Abtastleitung 18B-2 im nicht ausgewählten Zustand, so dass das OLED 11-2 des Pixels 2 weiterhin Licht mit der durch die im Kondensator 13-2 gehaltene Spannung bestimmten Luminanz emittiert, ohne dass es durch das Schreiben in das Pixel 1 beeinflusst wird.
  • Als nächstes wird das Schreiben von Luminanzdaten in das Pixel 2 betrachtet. Dies kann durch Auswählen beider Abtastleitungen 18A-2 und 18B-2 (wobei das Abtastsignal scanA-2 und scanB-2 auf NIEDRIGEN Pegeln liegen), und durch Liefern des Stroms Iw zur Datenleitung 17 gemäß den Luminanzdaten durchgeführt werden. Da der Strom Iw durch den TFT 16 über den TFT 14-2 fließt, wird eine Spannung entsprechend dem Strom Iw am Gate des TFT 16 erzeugt. Diese Spannung wird im Kondensator 13-2 gehalten.
  • Ein Strom entsprechend der im Kondensator 13-2 gehaltenen Spannung fließt durch das OLED 11-2 über den TFT 12-2, wodurch verursacht wird, dass das OLED 11-2 Licht emittiert. Während der vorstehend beschriebenen Folge der Schritte hält die Abtastleitung 18B-1 den nicht ausgewählten Zustand aufrecht, so dass das OLED 11-1 des Pixels 1 die Lichtemission mit der durch die im Kondensator 13-1 gehaltene Spannung bestimmten Luminanz fortsetzt, ohne durch das Schreiben in das Pixel 2 beeinflusst zu werden.
  • Das heißt, die zwei Pixelschaltungen P1 und P2 von 6 verhalten sich in exakt derselben Weise wie die zwei Pixelschaltungen der vorherigen Anwendung, wie in 3 gezeigt. In dem Beispiel wird jedoch der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt. Folglich kann ein Transistor für jeweils zwei Pixel weggelassen werden. Wie vorher angegeben, ist der Betrag des Stroms Iw extrem größer als der durch das OLED fließende Strom. Der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 muss groß bemessen sein, um mit einem solchen großen Strom Iw direkt zurechtzukommen. Daher ist es möglich, denjenigen Abschnitt der von den TFTs in den Pixelschaltungen belegten Fläche zu minimieren, indem der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 so konfiguriert wird, dass er zwischen den zwei Pixeln gemeinsam genutzt wird, wie in 6 gezeigt.
  • Als Beispiel wird eine Struktur des organischen EL-Elements beschrieben. 7 zeigt einen Querschnitt eines organischen EL-Elements. Wie aus 7 ersichtlich, wird das organische EL-Element aus einem Substrat 21, das beispielsweise aus einem transparenten Glas besteht, und einer ersten Elektrode 22, die aus einer transparenten leitenden Schicht (beispielsweise Anode) besteht, auf dem Substrat 21 ausgebildet. Ferner werden auf der ersten Elektrode 22 eine positive Löcher tragende Schicht 23, eine Lichtemissionsschicht 24, eine Elektronen tragende Schicht 25 und eine Elektroneninjektionsschicht 26 der Reihe nach abgeschieden, wodurch organische Schichten 27 ausgebildet werden. Danach wird eine zweite Metallelektrode (beispielsweise Katode) 28 auf den organischen Schichten 27 ausgebildet. Das Anlegen einer Gleichspannung E über die erste Elektrode 22 und die zweite Elektrode 28 bewirkt, dass die Lichtemissionsschicht 24 Licht emittiert, wenn die Elektronen und positiven Löcher wieder vereinigt werden.
  • In der Pixelschaltung mit einem solchen organischen EL-Element (OLED) werden auf dem Glassubstrat ausgebildete TFTs aus Gründen, wie nachstehend angegeben, als aktive Elemente verwendet, wie vorher beschrieben.
  • Da die organische EL-Anzeigevorrichtung eine vom Direktsichtstyp ist, weist sie eine relativ große Größe auf. Aufgrund von Begrenzungen der Kosten und Produktionsfähigkeit ist es daher nicht realistisch, ein einkristallines Siliciumsubstrat als aktives Element zu verwenden. Um zu ermöglichen, dass das Licht vom Lichtemissionsteil emittiert wird, wird ferner eine transparente leitende Schicht aus Indiumzinnoxid (ITO) normalerweise als erste Elektrode (Anode) 22 verwendet, wie in 7 gezeigt. Meistens wird die ITO-Schicht bei einer hohen Temperatur ausgebildet, die im Allgemeinen für die organische Schicht 27 zu hoch ist, und in einem solchen Fall muss die ITO-Schicht ausgebildet werden, bevor die organische Schicht 27 ausgebildet wird. Im Allgemeinen geht die Herstellung davon daher folgendermaßen vor sich.
  • Herstellungsprozesse für einen TFT und ein organisches EL-Element in den Pixelschaltungen zur Verwendung in der organischen EL-Anzeigevorrichtung werden nachstehend mit Bezug auf die Querschnittsansicht von 8 beschrieben.
  • Zuerst werden eine Gateelektrode 32, eine Gateisolationsschicht 33 und eine dünne Halbleiterschicht 34 aus amorphem (d.h. nicht-kristallinem) Silicium der Reihe nach durch Abscheidung und Strukturieren der jeweiligen Schichten ausgebildet, wodurch ein TFT auf dem Glassubstrat 31 ausgebildet wird. Auf dem TFT wird eine Isolationszwischenschicht 35 ausgebildet und dann werden eine Sourceelektrode 36 und eine Drainelektrode 37 mit dem Sourcebereich (S) und dem Drainbereich (D) des TFT über die Isolationszwischenschicht 35 elektrisch verbunden. Eine weitere Isolationszwischenschicht 38 wird darauf abgeschieden.
  • In einigen Fällen kann das amorphe Silicium durch eine Wärmebehandlung wie z.B. Laserausheilung in Polysilicium transformiert werden. Im Allgemeinen weist Polysilicium eine größere Ladungsträgerbeweglichkeit auf als amorphes Silicium, wodurch die Herstellung eines TFT mit einer größeren Stromansteuerfähigkeit ermöglicht wird.
  • Als nächstes wird eine transparente Elektrode 39 aus ITO als Anode (entsprechend der ersten Elektrode 22 von 7) des organischen EL-Elements (OLED) ausgebildet. Dann wird eine organische EL-Schicht 40 (entsprechend der orga nischen Schicht 27 von 7) auf dieser abgeschieden, um ein organisches EL-Element auszubilden. Schließlich wird eine Metallschicht (z.B. Aluminium) abgeschieden, die später zur Katode 41 (entsprechend der zweiten Elektrode 28 von 7) ausgebildet wird.
  • In der vorstehend beschriebenen Anordnung wird Licht von der Rückseite (Unterseite) des Substrats 31 entnommen. Daher ist es erforderlich, dass das Substrat 31 aus einem transparenten Material (das normalerweise ein Glas ist) hergestellt werden sollte. Aus diesem Grund wird ein relativ großes Glassubstrat 31 in einer organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs verwendet und als aktive Elemente wird gewöhnlich ein TFT, der auf dem Substrat abgeschieden werden kann, verwendet. Eine Anordnung, bei der Licht von der vorderen (oberen) Fläche des Substrats 31 entnommen werden kann, wurde in letzter Zeit aufgegriffen. Eine Querschnittsansicht einer solchen Anordnung ist in 9 gezeigt. Diese Anordnung unterscheidet sich von der in 8 gezeigten insofern, als eine Metallelektrode 42, eine organische EL-Schicht 40 und eine transparente Elektrode 43 nacheinander auf der Isolationszwischenschicht 38 abgeschieden werden, wodurch ein organisches EL-Element ausgebildet wird.
  • Wie aus der vorstehend gezeigten Querschnittsansicht der Pixelschaltung ersichtlich wäre, wird in der organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, die dazu ausgelegt ist, Licht von der Rückseite des Substrats 31 freizugeben, der Lichtemissionsteil des organischen EL-Elements in einem Leerraum zwischen den TFTs angeordnet, nachdem die TFTs ausgebildet sind. Dies bedeutet, dass, wenn die Transistoren, die die Pixelschaltungen bilden, groß sind, sie viel der Fläche in den Pixeln belegen und die Fläche für den Lichtemissionsteil verkleinern.
  • Im Gegensatz dazu weist die Pixelschaltung des Beispiels die Anordnung auf, wie in 6 gezeigt, bei der der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt wird, die von den TFTs belegte Fläche verringert ist und daher die Fläche für die Lichtemissionsteile dementsprechend vergrößert werden kann. Wenn der Lichtemissionsteil nicht vergrößert wird, kann die Größe des Pixels verringert werden, so dass eine Anzeigevorrichtung mit einer höheren Auflösung verwirklicht werden kann.
  • Alternativ kann in der Schaltungsanordnung, wie in 6 gezeigt, ein Transistor für jeweils zwei Pixel weggelassen werden, was den Freiheitsgrad im Anordnungsentwurf des Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 erhöht. In diesem Fall wird, wie vorher in Verbindung mit dem Stand der Technik beschrieben, eine große Kanalbreite W für den TFT 16 ermöglicht und folglich kann eine Stromspiegelschaltung mit hoher Genauigkeit entworfen werden, ohne die Kanallänge L gefährlich zu verringern.
  • In der in 6 gezeigten Schaltung bilden ein Paar des TFT 16 und des TFT 12-1 und ein Paar des TFT 16 und des TFT 12-2 jeweilige Stromspiegel, deren Eigenschaften, z.B. Schwellenwert Vth, vorzugsweise identisch sind. Daher werden die Transistoren, die die Stromspiegel bilden, vorzugsweise in unmittelbarer Nähe zueinander angeordnet.
  • Obwohl der TFT 16 zwischen den zwei Pixeln 1 und 2 in der Schaltung von 6 gemeinsam genutzt wird, ist es ersichtlich, dass der TFT 16 zwischen mehr als zwei Pixeln gemeinsam genutzt werden kann. In diesem Fall ist eine weitere Verringerung der Größe einer Pixelschaltung und daher der belegten Fläche in der Pixelschaltung möglich. In einem Fall, in dem ein Strom-Spannungs-Umsetzungstransistor zwischen mehreren Pixeln gemeinsam genutzt wird, könnte es jedoch schwierig sein, alle OLED-Ansteuertransistoren (z.B. TFT 12-1 und TFT 12-2 von 6) nahe diesem Strom-Spannungs-Umsetzungstransistor (z.B. TFT 16 von 6) anzuordnen.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, die in dem hierin gezeigten Beispiel eine organische EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs ist, durch Anordnen von Pixelschaltungen des Stromschreibtyps in einer Matrixform ausgebildet werden. 10 ist ein Blockdiagramm, das eine solche organische EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs zeigt.
  • Wie in 10 gezeigt, sind mit jeder der Pixelschaltungen 51 des Stromschreibtyps, die in einer m-mal-n-Matrix angeordnet sind, jeweilige erste Abtastleitungen 52A-1–52A-n und jeweilige zweite Abtastleitungen 52B-1–52B-n auf einer zeilenweisen Basis verbunden. In jedem Pixel ist das Gate des Abtast-TFT 14 (14-1, 14-2) von 6 jeweils mit irgendeiner der ersten Abtastleitungen 52A-1–52A-n verbunden und das Gate des Abtast-TFT 15 (15-1, 15-n) von
  • 6 ist jeweils mit irgendeiner der zweiten Abtastleitungen 52B-1–52B-n verbunden.
  • Auf der linken Seite des Pixelabschnitts ist eine erste Abtastleitungs-Treiberschaltung 53A zum Ansteuern der Abtastleitungen 52A-1–52A-n vorgesehen und auf der rechten Seite des Pixelabschnitts ist eine zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 53B zum Ansteuern der zweiten Abtastleitungen 52B-1–52B-n vorgesehen. Die erste und die zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 53A und 53B sind aus Schieberegistern gebildet. Diese Abtastleitungs-Treiberschaltungen 53A und 53B werden jeweils mit einem gemeinsamen vertikalen Startimpuls VSP und vertikalen Taktimpulsen VCKA und VCKB versorgt. Der vertikale Taktimpuls VCKA wird durch eine Verzögerungsschaltung 54 bezüglich des vertikalen Taktimpulses VCKB geringfügig verzögert.
  • Jede Pixelschaltung 51 in einer Spalte ist auch mit irgendeiner der jeweiligen Datenleitung 55-1–55-m versehen. Diese Datenleitungen 55-1–55-m sind an einem Ende derselben mit der Datenleitungs-Treiberschaltung des Stromansteuertyps (Stromtreiber CS) 56 verbunden. Die Luminanzinformationen werden durch die Datenleitungs-Treiberschaltung 56 über die Datenleitungen 55-1–55-m in jedes Pixel geschrieben.
  • Die Operationen der vorstehend beschriebenen organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs werden nun beschrieben. Wenn ein vertikaler Startimpuls VSP in die erste und die zweite Abtastleitungs-Treiberschaltung 53A und 53B eingespeist wird, beginnen diese Abtastleitungs-Treiberschaltungen 53A und 53B Verschiebungsoperationen beim Empfang des vertikalen Startimpulses VSP, wodurch nacheinander Abtastimpulse scanA1-scanAn und scanB1-scanBn synchron mit den vertikalen Taktimpulsen VCKA und VCKB ausgegeben werden, um nacheinander die Abtastleitungen 52A-1–52A-n und 52B-1–52B-n auszuwählen.
  • Andererseits steuert die Datenleitungs-Treiberschaltung 56 jede der Datenleitungen 55-1–55-m mit Stromwerten gemäß den betreffenden Luminanzinformationen an. Dieser Strom fließt durch die Pixel, die mit der ausgewählten Abtastleitung verbunden sind, was die Stromschreiboperation durch die Abtastleitung ausführt. Dies bewirkt, dass jedes der Pixel die Emission von Licht mit der Intensität gemäß den Stromwerten beginnt. Es wird bemerkt, dass, da der vertikale Taktimpuls VCKA geringfügig dem vertikalen Taktimpuls VCKB nacheilt, die Abtastleitungen 18B-1 und 18B-2 vor den Abtastleitungen 18A-1 und 18A-2 nicht ausgewählt werden, wie in 6 gezeigt. Zu dem Zeitpunkt, zu dem die Abtastleitungen 18B-1 und 18B-2 nicht ausgewählt wurden, werden die Luminanzdaten im Kondensator 13-1 und 13-2 innerhalb der Pixelschaltung gehalten, so dass jedes Pixel mit einer konstanten Luminanz beleuchtet bleibt, bis neue Daten in den nächsten Rahmen geschrieben werden.
  • ERSTE MODIFIKATION DES ERLÄUTERNDEN BEISPIELS
  • 11 ist ein Schaltplan, der eine erste Modifikation der Pixelschaltung gemäß dem erläuternden Beispiel zeigt. Gleiche Bezugszeichen in 11 und 6 stellen gleiche oder entsprechende Elemente dar. Wiederum sind der Einfachheit der Darstellung halber nur zwei Pixelschaltungen von zwei benachbarten Pixeln (als Pixel 1 und 2 bezeichnet) in einer Spalte dargestellt.
  • In der ersten Modifikation werden jeweils Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFTs 16-1 und 16-2 in den Pixelschaltungen P1 und P2 vorgesehen. Diese Konfiguration scheint scheinbar der in 3 gezeigten Pixelschaltung in Verbindung mit der früheren Anwendung ähnlich zu sein. Die Pixelschaltung ist jedoch von der in 3 gezeigten insofern verschieden, als die Drain-Gate-Kopplungen der als Diode verbundenen TFTs 16-1 und 16-2 ferner für die gemeinsame Verwendung zwischen den Pixelschaltungen P1 und P2 miteinander gekoppelt sind.
  • Das heißt, in diesen Pixelschaltungen P1 und P2 sind die Sources der TFTs 16-1 und 16-2 geerdet, so dass sie zu einem einzelnen Transistorelement funktional äquivalent sind. Folglich ist die in 11 gezeigte Schaltung mit den Drain-Gate-Kopplungen der TFTs 16-1 und 16-2, die miteinander gekoppelt sind, praktisch dieselbe wie die in 6 gezeigte Schaltung mit dem TFT 16, der zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt wird.
  • Da die TFTs 16-1 und 16-2 zusammen zu einem einzelnen Transistorelement äquivalent sind und da der Schreibstrom Iw durch die TFTs 16-1 und 16-2 fließt, kann die Kanalbreite von jedem der TFTs 16-1 und 16-2 gleich derjenigen sein, auf die die Kanalbreite des Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 125 der in 3 in Verbindung mit der früheren Anwendung gezeigten Pixelschaltung halbiert ist, im Vergleich zur in 3 in Verbindung mit der früheren An wendung gezeigten Pixelschaltung. Folglich kann die von den TFTs in der Pixelschaltung belegte Fläche kleiner gemacht werden als jene der Pixelschaltungen in Verbindung mit der früheren Anwendung.
  • Es ist ersichtlich, dass die vorstehend in der ersten Modifikation beschriebene Konfiguration wie in der ersten Ausführungsform nicht nur auf zwei Pixel, sondern auch auf mehr als zwei Pixel angewendet werden kann.
  • ZWEITE MODIFIKATION DES ERLÄUTERNDEN BEISPIELS
  • 12 zeigt einen Schaltplan, der eine zweite Modifikation einer Pixelschaltung gemäß dem erläuternden Beispiel zeigt. Gleiche Bezugszeichen in 12 und 6 stellen gleiche oder entsprechende Elemente dar. In dieser zweiten Modifikation sind auch nur zwei benachbarte Pixel (Pixel 1 und 2) in einer Spalte der Einfachheit der Darstellung halber gezeigt.
  • In der zweiten Modifikation ist die Abtastleitung (18-1 und 18-2) jeweils für jedes Pixel einzeln vorgesehen, so dass die Gates der TFTs 14-1 und 15-1 gemeinsam mit der Abtastleitung 18-1 verbunden sind, während die Gates der Abtast-TFTs 14-2 und 15-2 gemeinsam mit der Abtastleitung 18-2 verbunden sind. In dieser Hinsicht unterscheidet sich diese modifizierte Pixelschaltung von der gemäß der ersten Ausführungsform, in der beide von zwei Abtastleitungen für jedes Pixel vorgesehen sind.
  • Im Betrieb wird eine zeilenweise Abtastung durch ein einzelnes Abtastsignal in der zweiten Modifikation im Gegensatz zur ersten Ausführungsform, in der eine zeilenweise Abtastung durch einen Satz von zwei Abtastsignalen (A und B) durchgeführt wird, durchgeführt. Die zweite Modifikation ist jedoch nicht nur in der Konfiguration der Pixelschaltung, sondern auch in deren Funktion zum erläuternden Beispiel äquivalent.
  • AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • 13 ist ein Schaltplan, der eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Pixelschaltung des Stromschreibtyps zeigt. Gleiche Bezugszeichen in 13 und 6 stellen gleiche oder entsprechende Elemente dar. Hier sind der Einfachheit der Erläuterung halber nur zwei benachbarte Pixel (Pixel 1 und 2) in einer Spalte gezeigt.
  • Im Vergleich zum erläuternden Beispiel, in dem ein Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt wird, weist die Pixelschaltung der Ausführungsform den ersten Abtast-TFT 14, der als erster Abtastschalter dient, der auch zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt wird, auf. Das heißt, hinsichtlich der "A"-Gruppe von Abtastleitungen ist eine Abtastleitung 18A zu jeweils zwei Pixeln vorgesehen, und das Gate des einzelnen Abtast-TFT 14 ist mit der Abtastleitung 18A verbunden und der Source des Abtast-TFT 14 ist mit dem Drain und dem Gate des Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 und mit den Drains der Abtast-TFTs 15-1 und 15-2, die als zweiter Abtastschalter dienen, verbunden.
  • Die Abtastleitung 18A der "A"-Gruppe, die in 13 gezeigt ist, wird mit einem Taktsignal scanA versorgt. Die Abtastleitung 18B-1 der B-Gruppe wird mit einem Taktsignal scanB 1 versorgt, während die Abtastleitung 18B-2 mit einem Taktsignal scanB-2 versorgt wird. Die OLED-Luminanzinformationen (Luminanzdaten) werden zur Datenleitung 17 geliefert. Der Stromtreiber CS speist einen Vorspannungsstrom Iw gemäß den aktiven Stromdaten auf der Basis der OLED-Luminanzinformationen in die Datenleitung 17 ein.
  • Schreiboperationen der Luminanzdaten in eine Pixelschaltung des Stromschreibtyps gemäß der vorstehend beschriebenen Ausführungsform werden nun beschrieben.
  • Zuerst soll das Schreiben von Luminanzdaten in das Pixel 1 betrachtet werden. In diesem Fall wird der Strom Iw mit der Datenleitung 17 gemäß den Luminanzdaten geliefert, wobei beide der Abtastleitungen 18A und 18B-1 ausgewählt werden (in dem hierin gezeigten Beispiel liegen die Abtastsignale scanA und scanB1 beide auf NIEDRIGEN Pegeln). Der Strom Iw wird zum TFT 16 über den gerade leitenden TFT 14 geliefert. Da der Strom Iw durch den TFT 16 fließt, wird eine Spannung entsprechend dem Strom Iw am Gate des TFT 16 erzeugt. Diese Spannung wird im Kondensator 13-1 gehalten.
  • Dies bewirkt, dass der Strom durch das OLED 11-1 über den TFT 12-1 in Reaktion auf die im Kondensator 13-1 gehaltene Spannung fließt. Folglich beginnt eine Emission von Licht im OLED 11-1. Das Schreiben der Luminanz daten in das Pixel 1 ist vollendet, wenn beide Abtastleitungen 18A und 18B-1 einen nicht ausgewählten Zustand annehmen (das Abtastsignal scanA und scanB 1 werden auf HOHE Pegel gesetzt). Während der vorstehend beschriebenen Folge von Schritten bleibt die Abtastleitung 18B-2 im nicht ausgewählten Zustand, so dass das OLED 11-2 des Pixels 2 weiterhin Licht mit der durch die im Kondensator 13-2 gehaltene Spannung bestimmten Luminanz emittiert, ohne durch das Schreiben in das Pixel 1 beeinflusst zu werden.
  • Als nächstes soll das Schreiben von Luminanzdaten in das Pixel 2 betrachtet werden. Dies kann durch Auswählen beider Abtastleitungen 18A und 18B-2 (wobei das Abtastsignal scanA und scanB-2 auf NIEDRIGEN Pegeln liegen) und durch Liefern des Stroms Iw zur Datenleitung 17 gemäß den Luminanzdaten durchgeführt werden. Da der Strom Iw durch den TFT 16 über den TFT 14 fließt, wird eine Spannung entsprechend dem Strom Iw am Gate des TFT 16 erzeugt. Diese Spannung wird im Kondensator 13-2 gehalten.
  • Der Strom, der der im Kondensator 13-2 gehaltenen Spannung entspricht, fließt durch das OLED 11-2 über den TFT 12-2, wodurch bewirkt wird, dass das OLED 11-2 Licht emittiert. Während der vorstehend beschriebenen Folge der Schritte hält die Abtastleitung 18B-1 den nicht ausgewählten Zustand aufrecht, so dass das OLED 11-1 des Pixels 1 weiterhin Licht mit der durch die im Kondensator 13-1 gehaltene Spannung bestimmten Luminanz emittiert, ohne durch das Schreiben in das Pixel 2 beeinflusst zu werden.
  • Obwohl die Abtastleitung 18A während des Schreibens in die Pixel 1 und 2 ausgewählt werden muss, wie vorstehend beschrieben, kann die Abtastleitung 18A mit einer geeigneten Zeitsteuerung nach der Vollendung des Schreibens in die zwei Pixel 1 und 2 in den nicht ausgewählten Zustand zurückgesetzt werden. Die Steuerung der Abtastleitung 18A wird nun beschrieben.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann eine Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, die in dem hierin gezeigten Beispiel eine organische EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs ist, durch Anordnen der obigen Pixelschaltungen gemäß der Ausführungsform in einer Matrixform ausgebildet werden. 14 ist ein Blockdiagramm, das eine solche organische EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs zeigt. Gleiche Bezugszeichen in 14 und 10 stellen gleiche oder entsprechende Elemente dar.
  • In der organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs gemäß der Ausführungsform sind die ersten Abtastleitungen 52A-1, 52A-2 ... für jede der Pixelschaltungen 51 vorgesehen, die in einer Matrix von m Spalten mal n Zeilen angeordnet sind, wobei eine Abtastleitung für jeweils zwei Zeilen vorhanden ist (d.h. eine Abtastleitung für zwei Pixel). Daher ist die Anzahl der ersten Abtastleitungen 52A-1, 52A-2 ... die Hälfte der Anzahl n der Pixel in einer vertikalen Richtung (= n/2).
  • Andererseits sind die zweiten Abtastleitungen 52B-1, 52B-2 ... mit einer Abtastleitung für jede Zeile vorgesehen. Daher ist die Anzahl der zweiten Abtastleitungen 52B-1, 52B-2, ... gleich n. In jedem Pixel ist das Gate des in 13 gezeigten Abtast-TFT 14 jeweils mit den ersten Abtastleitungen 52A-1, 52A-2 ... verbunden und die Gates der Abtast-TFTs 15 (15-1 und 15-2) sind jeweils mit den zweiten Abtastleitungen 52B-1, 52B-2... verbunden.
  • 15A–15G sind Ablaufpläne jeweils für Schreiboperationen in der obigen organischen EL-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs. Die Ablaufpläne stellen Schreiboperationen für vier Pixel in der 2k – 1-sten Zeile bis 2k + 1-sten Zeile (wobei k eine ganze Zahl ist), von oben nach unten gezählt, dar.
  • Beim Schreiben in die Pixel in der 2k – 1-sten und der 2k-ten Zeile wird das Abtastsignal scanA (k) auf den ausgewählten Zustand (der im hierin gezeigten Beispiel der NIEDRIGE Pegel ist) gesetzt, wie in 15A gezeigt. Während dieses Zeitraums ermöglicht das Auswählen des Abtastsignals scanB (2k – 1), wie in 15C gezeigt, und des Abtastsignals scanB (2k), wie in 15D gezeigt, der Reihe nach, dass das Schreiben in die zwei Pixel in diesen Zeilen durchgeführt wird. Beim Schreiben in die Pixel in den Zeilen 2k + 1 und 2k + 2 wird das Abtastsignal scanA (k + 1), wie in 15B gezeigt, als nächstes auf den ausgewählten Zustand (der im hierin gezeigten Beispiel der NIEDRIGE Pegel ist) gesetzt. Während dieses Zeitraums ermöglicht das sequentielle Auswählen des Abtastsignals scanB (2k + 1), wie in 15E gezeigt, und des Abtastsignals scanB (2k + 2), wie in 15F gezeigt, dass das Schreiben in die zwei Pixel in diesen Zeilen durchgeführt wird. 15G zeigt aktive Stromdaten im Stromtreiber CS 56.
  • Wie vorstehend beschrieben, werden in der Pixelschaltung gemäß der Ausführungsform der Abtast-TFT 14 und der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt. Daher ist die Anzahl von Transistoren pro zwei Pixel sechs, was um 2 geringer ist als jene der in 3 in Verbindung mit der früheren Anwendung gezeigten Pixelschaltung. Trotzdem kann die erfindungsgemäße Pixelschaltung dieselbe Schreiboperation wie die Pixelschaltung in Verbindung mit der früheren Anwendung erreichen.
  • Es wird angemerkt, dass wie der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16, damit der Abtast-TFT 14 mit einem äußerst großen Strom Iw im Vergleich zum Strom durch das OLED (organisches EL-Element) zurechtkommt, der TFT 14 große Abmessungen aufweisen muss und daher eine große Fläche im Pixel belegen muss. Daher hilft die in 13 gezeigte Schaltungskonfiguration der Ausführungsform vorteilhafterweise, die belegte Fläche in der Pixelschaltung zu minimieren, die von den TFTs belegt wird, da nicht nur der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16, sondern auch der Abtast-TFT 14 zwischen zwei Pixeln in dieser Konfiguration gemeinsam genutzt werden. Es ist folglich in der Ausführungsform möglich, eine viel höhere Auflösung zu erreichen als das erläuternde Beispiel, indem die Abmessungen des Lichtemissionsteils vergrößert werden oder die Pixelgröße verringert wird.
  • Obwohl in der Ausführungsform der Abtast-TFT 14 und der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 auch zwischen zwei Pixeln gemeinsam genutzt werden, ist es ersichtlich, dass sie zwischen mehr als zwei Pixelschaltungen gemeinsam genutzt werden können. In diesem Fall sind die Vorteile der Verringerung der Anzahl der Transistoren signifikant. Die gemeinsame Nutzung des Abtast-TFT 14 zwischen zu vielen Transistoren macht es jedoch schwierig, so viele OLED-Treibertransistoren (z.B. TFTs 12-1 und 12-2 von 13) nahe dem Strom-Spannungs-Umsetzungstransistor (z.B. TFT 16 von 13) in jeder Pixelschaltung anzuordnen.
  • In der hierin beschriebenen Ausführungsform werden der Abtast-TFT 14 und der Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFT 16 zwischen mehreren Pixeln gemeinsam genutzt.
  • MODIFIKATION DER AUSFÜHRUNGSFORM
  • 16 ist ein Schaltplan, der eine Modifikation der Pixelschaltung gemäß der Ausführungsform zeigt. Gleiche Bezugszeichen in 16 und 13 stellen gleiche oder entsprechende Elemente dar. Der Einfachheit der Darstellung halber sind wieder nur zwei Pixelschaltungen von zwei benachbarten Pixeln (mit Pixel 1 und 2 bezeichnet) in einer Spalte dargestellt.
  • In der Pixelschaltung gemäß dieser Modifikation sind die Pixelschaltungen P1 und P2 jeweils mit den Abtast-TFTs 14-1 und 14-2 und den Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFTs 16-1 und 16-2 versehen. Insbesondere sind die Gates der jeweiligen Abtast-TFTs 14-1 und 14-2 gemeinsam mit der Abtastleitung 18A verbunden. Die jeweiligen Drains und die Gates der als Diode verbundenen TFTs 16-1 und 16-2 sind zwischen den Pixelschaltungen P1 und P2 miteinander verbunden und ferner mit den Sources der Abtast-TFTs 14-1 und 14-2 verbunden.
  • Da, wie aus der obigen Verbindungsbeziehung ersichtlich ist, die Abtast-TFTs 14-1 und 14-2 und die Strom-Spannungs-Umsetzungs-TFTs 16-1 und 16-2 jeweils parallel geschaltet sind, sind sie zu einem einzelnen Transistorelement funktional äquivalent. In dieser Hinsicht ist die in 16 gezeigte Schaltung zu der in 13 gezeigten im Wesentlichen äquivalent.
  • In der Pixelschaltung gemäß dieser Modifikation ist die Anzahl von Transistoren dieselbe wie jene der Transistoren für zwei Pixel der in 3 in Verbindung mit der früheren Anwendung gezeigten Pixelschaltung. Da jedoch in dieser Konfiguration der Schreibstrom Iw durch den TFT 14-1 und TFT 14-2 und durch die TFTs 16-2 und 16-2 fließt, kann die Kanalbreite dieser Transistoren gleich derjenigen sein, auf die diejenige Pixelschaltung in Verbindung mit der früheren Anwendung halbiert wird. Wie in der Pixelschaltung gemäß der Ausführungsform kann die von den TFTs in der Pixelschaltung belegte Fläche folglich extrem verringert werden.
  • In der Ausführungsform und ihren Modifikationen, die vorstehend beschrieben wurden, sind die Transistoren, die Stromspiegelschaltungen bilden, wahrscheinlich N-Kanal-MOS-Transistoren und die Abtast-TFTs sind p-Kanal-MOS-Transistoren. Es sollte jedoch selbstverständlich sein, dass diese Ausführungsformen für Erläuterungs- und Beschreibungszwecke und nicht zur Begrenzung der Erfindung in der offenbarten Form dargestellt wurden.

Claims (9)

  1. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, mit einer Matrixanordnung aus in Zeilen und Spalten angeordneten elektrooptischen Elektrolumineszenzelementen (11-1, 11-2) einschließlich Pixelschaltungen (P1, P2), die so beschaffen sind, dass sie einen von einer Datenleitung (17) ankommenden Strom für die elektrooptischen Elektrolumineszenzelemente, deren Luminanz sich mit dem durch sie fließenden Strom ändert, bereitstellen, wobei die Pixelschaltungen (P1, P2) versehen sind mit: – einem ersten Abtastschalter (14), um den von der Datenleitung (17) bereitgestellten Strom wahlweise durchzulassen; – einem Umsetzungsmittel (16), um den durch den ersten Abtastschalter (14) bereitgestellten Strom in eine Spannung umzusetzen; – einem zweiten Abtastschalter (15, 15-1, 15-2), um die durch das Umsetzungsmittel (16) umgesetzte Spannung wahlweise durchzulassen; – einem Haltemittel (13-1, 13-2), um die über den zweiten Abtastschalter (15-1, 15-2) gelieferte Spannung zu halten, und – einem Treibermittel (12-1, 12-2), um die in dem Haltemittel (13-1, 13-2) gehaltene Spannung in einen Strom umzusetzen und um den umgesetzten Strom für das elektrooptische Element (11-1, 11-2) bereitzustellen, wobei das Umsetzungsmittel (16) mit dem zweiten Abtastschalter (15, 15-1, 15-2) von wenigstens zwei getrennten Pixelschaltungen (P1, P2), die zu derselben Spalte gehören, verbunden ist und der erste Abtastschalter (14) mit einer Elektrode des Umsetzungsmittels (16) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Abtastschalter (14) gemeinsam für die wenigstens zwei getrennten Pixelschaltungen (P1, P2), die zu derselben Spalte gehören, vorgesehen ist, um den von der Datenleitung (17) durchgelassenen Strom über das Umsetzungsmittel (16) zu den wenigstens zwei getrennten Pixelschaltungen (P1, P2) zu liefern.
  2. Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs nach Anspruch 1, bei der der erste Abtastschalter (14) gemeinsam für die Pixelschaltungen (P1, P2) in zwei benachbarten Zeilen vorgesehen ist.
  3. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der: – der erste Abtastschalter (14) einen ersten FET (14) aufweist, dessen Gate mit einer ersten Abtastzeile (18A) verbunden ist; – das Umsetzungsmittel (16) einen zweiten FET (16) aufweist, dessen Drain und dessen Gate kurzgeschlossen sind, um über dem Gate und der Source hiervon eine Spannung zu erzeugen, wenn von der Datenleitung (17) über den ersten Abtastschalter (14) ein Strom geliefert wird; – der zweite Abtastschalter einen dritten FET (15-1, 15-2) aufweist, dessen Gate mit einer zweiten Abtastzeile (18B-1, 18B-2) verbunden ist; – das Haltemittel (13-1, 13-2) einen Kondensator aufweist, um die über dem Gate und der Source des zweiten FET (16) erzeugte und über den dritten FET (15-1, 15-2) gelieferte Spannung zu halten; und – das Treibermittel (12-1, 12-2) einen vierten FET (12-1, 12-2) enthält, der mit dem elektrooptischen Element (11-1, 11-2) in Reihe geschaltet ist, um das elektrooptische Element in Übereinstimmung mit der Spannung, die in dem Kondensator des Haltemittels (13-1, 13-2) gehalten wird, anzusteuern.
  4. Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs nach Anspruch 3, bei der der zweite FET (16) und der vierte FET (12-1, 12-2) gemeinsam eine Stromspiegelschaltung bilden.
  5. Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs nach Anspruch 3, bei der der erste FET (14) oder der zweite FET (16) ein einzelnes Transistorelement ist.
  6. Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs nach Anspruch 3, bei der der erste FET (14-1, 14-2) oder der zweite FET (16-1, 16-2) mehrere Transistorelemente enthält, deren Drains und Gates miteinander verbunden sind.
  7. Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Anzeigevorrichtung eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ist.
  8. Verfahren zum Ansteuern einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs, mit einer Matrixanordnung aus in Zeilen und Spalten angeordneten elektrooptischen Elektrolumineszenzelementen (11-1, 11-2), die Pixelschaltungen (P1, P2) enthalten, die so beschaffen sind, dass sie einen von einer Datenleitung (17) ankommenden Strom für die elektrooptischen Elektrolumineszenzelemente, deren Luminanz sich mit dem durch sie fließenden Strom ändert, bereitstellen, wobei die Pixelschaltungen (P1, P2) versehen sind mit: – einem ersten Abtastschalter (14), um den von der Datenleitung (17) bereitgestellten Strom wahlweise durchzulassen; – einem Umsetzungsmittel (16), um den über den ersten Abtastschalter (14) bereitgestellten Strom in eine Spannung umzusetzen; – einem zweiten Abtastschalter (15, 15-1, 15-2), um die durch das Umsetzungsmittel (16) umgesetzte Spannung wahlweise durchzulassen; – einem Haltemittel (13-1, 13-2), um die über dem zweiten Abtastschalter (15, 15-1, 15-2) gelieferte Spannung zu halten; und – einem Treibermittel (12-1, 12-2), um die in dem Haltemittel (13-1, 13-2) gehaltene Spannung in einen Strom umzusetzen und um den umgesetzten Strom durch das elektrooptische Element (11-1, 11-2) durchzulassen, wobei der erste Abtastschalter (14) und das Umsetzungsmittel (16) für wenigstens zwei getrennte Pixelschaltungen (P1, P2), die zu derselben Spalte der Matrix-Anzeigevorrichtung gehören, gemeinsam vorgesehen sind, wobei der erste Abtastschalter (14) mit einer Elektrode des Umsetzungsmittels (16) verbunden ist, wobei das Verfahren gekennzeichnet ist durch den folgenden Schritt: Versetzen des ersten Abtastschalters (14) in einen ausgewählten Zustand und während einer Periode, in der der erste Abtastschalter (14) den ausgewählten Zustand beibehält, sequentielles Umschalten in einen ausgewählten Zustand des zweiten Abtastschalters (15-1) der ersten Pixelschaltung (P1) und des zweiten Abtastschalters (15-2) der anderen Pixelschaltung (P2).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ist.
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