DE60124473T2 - Ätzflüssigkeitszusammensetzung - Google Patents

Ätzflüssigkeitszusammensetzung Download PDF

Info

Publication number
DE60124473T2
DE60124473T2 DE60124473T DE60124473T DE60124473T2 DE 60124473 T2 DE60124473 T2 DE 60124473T2 DE 60124473 T DE60124473 T DE 60124473T DE 60124473 T DE60124473 T DE 60124473T DE 60124473 T2 DE60124473 T2 DE 60124473T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mass
acid
etching liquid
composition according
salts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60124473T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60124473D1 (de
Inventor
Norio Soka Ishikawa
Kiyoto Soka Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE60124473D1 publication Critical patent/DE60124473D1/de
Publication of DE60124473T2 publication Critical patent/DE60124473T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ätzflüssigkeit für transparente Elektrodenfilme von LCDs und anderen Anzeigeelementen.
  • HINTERGRUND ZU DER ERFINDUNG
  • Während Indium-Zinn-Oxid, Indiumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid etc. allesamt als transparente Elektroden von LCDs und elektrolumineszenten Anzeigeelementen verwendet werden, wird für diesen Zweck hauptsächlich Indium-Zinn-Oxid (hier nachstehend als ITO (Indium Tin Oxide) bezeichnet) eingesetzt. Beispiele für herkömmliche Ätzflüssigkeiten für ITO-Filme sind 1. wässrige Lösungen von Eisen(III)-Chlorid, 2. wässrige Lösungen von Jodsäure, 3. wässrige Lösungen von Phosphorsäure, 4. gemischte Lösungen von Salzsäure und Salpetersäure (Königswasser), 5. wässrige Lösungen von Oxalsäure, etc. Jedoch sind diese Ätzflüssigkeiten für den praktischen Einsatz aufgrund der folgenden Probleme nicht geeignet:
    • 1. Wässrige Lösungen von Eisen(III)-Chlorid sind kostengünstig und weisen eine hohe Ätzgeschwindigkeit auf; jedoch weisen sie den Nachteil auf, dass bei diesen Lösungen das Ausmaß der Seitenätzung hoch ist und dass sie Fe enthalten, das einen negativen Einfluss auf Halbleiter hat.
    • 2. Bei wässrigen Lösungen von Jodsäure, die gute Ätzeigenschaften haben, ist das Maß der Seitenätzung gering; Außer der Tatsache, dass sie teuer sind, fehlt ihnen jedoch auch die Stabilität, weil Jod leicht freigesetzt wird.
    • 3. Wässrige Lösungen von Phosphorsäure haben, zusätzlich zum Ätzen von Al, das auf elektrischen Leitungen verwendet wird, den Nachteil, dass nach dem Ätzen ein Rückstand verbleibt.
    • 4. Mischlösungen aus Salzsäure und Salpetersäure (Königswasser) verändern sich schnell mit der Zeit, was die Prozesssteuerung schwierig und Beförderung unmöglich macht.
    • 5. Wässrige Lösungen von Oxalsäure haben viele Vorteile, beispielsweise eine hervorragende Stabilität, geringe Kosten und die Tatsache, dass sie Al nicht ätzen, etc; jedoch verbleibt nach dem Ätzvorgang mit diesen Lösungen ein Rückstand.
  • Beispielsweise beschreibt EP 0 532 920 ein Verfahren zur Passivierung von Zirkonium und einer Zirkoniumlegierung, bei dem eine Oxalsäurelösung verwendet wird.
  • Hinsichtlich der Rückstände, die auftreten, wenn eine wässrige Lösung von Oxalsäure verwendet wird, beschreibt JP-A-7-141932 ein Verfahren zur Reduktion der Rückstände unter Verwendung von Dodecylbenzolsulfonsäure; jedoch weist dieses den Nachteil einer starken Schaumbildung auf.
  • Außerdem wird in diesen Jahren der Prozess der Erzeugung eines Siliziumnitrid-Films etc. auf einem Glassubstrat und der Erzeugung eines ITO-Films auf diesem untersucht, wobei sich die Struktur des Elementes verändert. Deshalb wird die Fähigkeit, den Rückstand zu beseitigen, unzureichend.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • [Aufgabe der Erfindung]
  • Somit ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die vorstehend erwähnten Probleme des Standes der Technik zu lösen und eine Ätzflüssigkeit für transparente leitfähige Filme zu schaffen, bei der die Schaumbildung unterdrückt ist und Rückstände nicht nach dem Ätzen auftreten.
  • [Mittel zum Erreichen des Ziels der Erfindung]
  • Durch Durchführung umfassender Studien haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung festgestellt, dass die vorstehend erwähnten Probleme gelöst werden können, indem in einer Ätzflüssigkeit für transparente leitfähige Filme eine Polysulfon-Säureverbindung und optional ein spezieller oberflächenaktiver Stoff eingesetzt wird, wobei sie als Ergebnis einer weiteren Recherche die vorliegende Erfindung vervollständigt haben.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Ätzflüssigkeitszusammensetzung für transparente leitfähige Filme geschaffen, die eine wässrige Lösung von Oxalsäure, deren Konzentration in dem Bereich von 0,1 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, liegt, und eine Komponente aufweist, die eine oder mehrere Polysulfon-Säureverbindungen umfasst.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorstehenden Erfindung sind in den beigefügten abhängigen Ansprüchen definiert.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner eine derartige Ätzflüssigkeitszusammensetzung für transparente leitfähige Filme, die ferner ein oder mehrere Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockpolymere aufweist.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die vorerwähnte Zusammensetzung, bei der der transparente leitfähige Film durch einen Indium-Zinn-Oxid(ITO, Indium Tin Oxid)-Film gebildet ist.
  • Vorzugsweise sind die Polysulfon-Säureverbindungen eine oder mehrere Verbindungen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, zu der Naphtalensulfonsäure-Formaldehyd-Kondensate und ihre Salze, Polystyrolsulfonsäure und ihre Salze sowie Lignosulfonsäure und ihre Salze gehören.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die vorerwähnten Zusammensetzungen, die darüber hinaus wasserlösliche niedrige Alkohole aufweisen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die vorerwähnte Zusammensetzung, wobei die wasserlöslichen niedrigen Alkohole durch eine oder mehrere Verbindungen gebildet sind, die aus der Gruppe ausgewählt ist bzw. sind, zu der Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol und n-Butanol gehören.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die vorerwähnten Zusammensetzungen, wobei die Konzentration der was serlöslichen niedrigen Alkohole in dem Bereich zwischen 1 und 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, liegt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist festgestellt worden, dass Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockpolymere den Effekt haben, dass sie die nach dem Ätzen eines ITO-Films verbleibenden Rückstände beseitigen, und dass überraschender Weise durch Kombination von Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymeren mit Polysulfonsäureverbindungen der Rückstandsbeseitigungseffekt sehr verstärkt wird. Es ist ferner festgestellt worden, dass Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere und wasserlösliche Alkohole den Effekt haben, dass sie die durch sulfonatartige anionische oberflächenaktive Stoffe herbeigeführte Schaumbildung unterdrücken.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • Nachstehend sind die besten Ausführungsformen der Erfindung in Einzelheiten beschrieben.
  • Erstens wird die Konzentration der in der vorliegenden Erfindung verwendeten Oxalsäure in einem Bereich festgesetzt, in dem Kristalle nicht ausgefällt werden und in dem die Ätzgeschwindigkeit ausreichend ist. Bei einer Konzentration von 0,1 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, oder weniger der Oxalsäure beträgt die Ätzgeschwindigkeit bei 50°C 10 nm/min (100 Å/min) oder weniger, was für den praktischen Gebrauch nicht ausreichend ist. Bei einer Konzentration von 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, oder mehr, kommt es bei 25°C oder weniger zum Aus fällen von Kristallen, was Probleme im Hinblick auf Haltbarkeitszeit und Beförderung mit sich bringt. Besonders bevorzugte Konzentrationen liegen in dem Bereich zwischen 0,5 und 5 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung.
  • Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Polysulfone sind hochmolekulare Verbindungen, wie beispielsweise Naphtalensulfonsäure-Formaldehyd-Kondensate und ihre Salze, Polystyrolsulfonsäuren und ihre Salze, Lignosulfonsäuren und ihre Salze, Polyethylsulfonsäuren und ihre Salze etc., und aromatische Polysulfonsäuren, beispielsweise 1,5-Naphthalindisulfonsäure, 1-Naphthol-3,6-Disulfonsäure, etc. und ihre Salze. Unter diesen sind Naphthalinsulfonsäure-Formaldehyd-Kondensate und ihre Salze, Polystyrolsulfonsäure und ihre Salze sowie Lignosulfonsäure und ihre Salze besonders bevorzugt.
  • Naphthalinsulfonsäure-Formaldehyd-Kondensate und ihre Salze sind unter den Handelsmarkennamen, wie Polystar NP-100 (von Nippon Oil & Fats Co., Ltd.), Runox 1000, 1000C, 1500A (von Toho Chemical Industry Co., Ltd.) Ionet D-2, Sanyo Levelon PHL (von Sanyo Chemical Industries, Ltd.), Loma PWA-40 (von Sannopku Co., Ltd.) Demol N, Demol AS (von KAO Soap Co., Ltd.), etc., kommerziell erhältlich. Loma PWA-40 und Demol AS, die Ammoniumsalze und freie Säuren sind, werden besonders bevorzugt. Polystyrolsulfonsäuren und ihre Salze sowie Lignosulfonsäuren und ihre Salze sind als Natriumsalz unter den Handelsbezeichnungen Polity 1900 (von Lion Corporation) bzw. Sorpol 9047K (von Toho Chemical Industriy Co., Ltd.) kommerziell erhältlich. Für Anwendungen in der Elektronikindustrie sind Natrium und andere Metalle nicht erwünscht; jedoch können diese Natriumsalze verwendet werden, wenn das Natrium durch eine Behandlung mit einem Ionenaustauscherharz etc. entfernt wird.
  • Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere haben nicht nur ihrerseits den Effekt, dass sie die nach der Ätzung eines ITO-Films verbleibenden Rückstände reduzieren, sondern haben ferner, zusätzlich zu diesen Entfernungs- bzw. Entzugseigenschaften, die durch deren Kombination mit den vorerwähnten Polysulfonsäureverbindungen stark verbessert sind, den Effekt der Reduktion einer Schaumbildung. Eine große Anzahl von Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymeren mit unterschiedlichen Molekulargewichten und unterschiedlichen Verhältnissen von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen ist von Herstellern oberflächenaktiver Substanzen kommerziell erhältlich. Dazu zählen z.B. diejenigen der Newpol PE-Serie (PE-61, 62, 64, 68, 71, 74, 75, 78, 108, 128) von Sanyo Chemical Industries Co., Ltd. und diejenigen der Epan-Serie (Epan 410, 420, 450, 485, 710, 720, 740, 750, 785) von Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. etc. Copolymere mit einem hohen Anteil von Polyoxypropylen, d.h. 80 bis 90 Massenprozent, haben gute Entschäumungs- bzw. Schaumverhinderungseigenschaften, während Copolymere mit 50 Massenprozent oder mehr von Polyoxyethylen zur Entfernung der nach der Ätzung verbleibenden Rückstände nützlich sind.
  • Beispiele für sulfonatartige anionische oberflächenaktive Substanzen umfassen Alkylbenzolsulfonsäuren, beispielsweise Dodezylbenzol-Sulfonsäure und ihre Salze, Alkylsulfatester und ihre Salze, Dialkylester von Sulfosuccinsäuren und ihre Salze, Polyoxyethylenalkylether-Sulfonsäuren und Polyoxyethylenallylether-Sulfonsäuren und ihre Salze, etc. Unter diesen werden Polyoxyethylenalkyl ether-Sulfonsäuren und Polyoxyethylenallylether-Sulfonsäuren und ihre Salze vorgezogen, weil ihre Schaumbildung verhältnismäßig unwesentlich ist. Diese sind unter den Handelsbezeichnungen, wie Newcol 560SF, Newcol 707SF von Nippon Nyukazai Co., Ltd. und Nissan Avanel S-Serie von Nippon Oil & Fats Co., Ltd. etc. kommerziell erhältlich. Diese sulfonatartigen anionischen oberflächenaktiven Stoffe haben, ähnlich den vorstehend erwähnten Polysulfonsäureverbindungen, die Fähigkeit, Ätzrückstände zu entfernen; Aufgrund ihrer Schaumbildungseigenschaften sind sie für sich alleine nicht ausreichend. Um eine Schaumbildung zu unterdrücken, können wasserlösliche niedrige Alkohole hinzugefügt werden. Als wasserlösliche niedrige Alkohole können Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol und n-Butanol verwendet werden. Vorzugsweise liegt die Konzentration der wasserlöslichen niedrigen Alkohole in dem Bereich von 1 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung. Wenn die Konzentration gering ist, kann der Nutzeffekt nicht erzielt werden, während ein Quellen des Abdecklacks und weitere Probleme auftreten, wenn die Konzentration zu hoch ist.
  • Die Konzentration dieser Polysulfonsäureverbindungen, sulfonatartigen anionischen oberflächenaktiven Substanzen und Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere liegt in dem Bereich von 0,0001 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, und vorzugsweise in dem Bereich von 0,001 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung. Bei der Kombination von Polysulfonsäureverbindungen mit Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymeren liegen die Polysulfonsäureverbindungen in dem Bereich von 0,001 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeits zusammensetzung, während die Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere in dem Bereich von 0,0001 bis 1 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, liegen. Die Polysulfonsäureverbindungen und die Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere können innerhalb dieser Konzentrationsbereiche frei dosiert werden. Wenn die Konzentration von Polysulfonsäureverbindungen, sulfonatartigen anionischen oberflächenaktiven Substanzen und Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymeren gering ist, ist der Rückstandsentfernungseffekt nicht ausreichend, während in dem Fall, wenn die Konzentration zu hoch ist, ein entsprechender, anteilsmäßiger Effekt nicht erwartet werden kann. Es ist erforderlich, diese Verbindungen in Abhängigkeit von dem Material der Substrate des ITO-Films ordentlich auszuwählen. Auf Glassubstraten beispielsweise haben Polysulfonsäureverbindungen ihre Wirkung bei 0,0001 bis 0,1 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, während sie auf Siliziumnitridfilmen ihre Wirkung nur dann haben, wenn die Konzentration auf 0,1 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, angehoben wird.
  • Nachstehende Beispiele der vorliegenden Erfindung sind gemeinsam mit Vergleichsbeispielen angegeben, um die vorliegenden Erfindung in größeren Einzelheiten zu beschreiben, ohne sie jedoch auf diese Beispiele zu beschränken.
  • BEISPIELE
  • Tabelle 1 veranschaulicht Ätzflüssigkeiten, einschließlich derjenigen gemäß der vorliegenden Erfindung, gemeinsam mit Ätzflüssigkeitszusammensetzungen, die zum Zwecke eines Vergleichs angegeben sind.
  • Tabelle 1
    Figure 00100001
  • Bemerkungen:
    • • Wasser wurde beigegeben, um eine Gesamtmasse von 100 zu bilden.
    • • Polity 1900: Durch Lion Corp. hergestelltes Polystyrolsulfonatnatriumsalz.
    • • Sorpol 9047K: Durch Toho Chemical Industry Corportion, Ltd. hergestelltes Lignosulfonsäure-Natriumsalz.
    • • Demol AS: Durch KAO Soap Corp., Ltd. hergestelltes Ammoniumsalz von Naphthalinsulfonatformalin-Kondensaten.
    • • Newcol 707SF: Durch Nippon Nyukazai Corp., Ltd. hergestelltes Ammonioumsalz von speziellem Polyoxyethylenallylsulfonat-Ammoniumsalz.
    • • Epan 485, 710, 785: Durch Daiichi Pharmaceutica Corp., Ltd. hergestellte Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere.
  • Im Hinblick auf die vorstehend veranschaulichten Ätzflüssigkeiten sind die folgenden Einzelheiten untersucht worden:
  • (Schaumbildung-Schaumhöhe-)
  • Eine Probe von 20 ml ist in ein 100 ml Kolorimeterrohr eingeführt worden, das in eine TS-artige Schüttelvorrichtung eingesetzt und zwei Minuten lang geschüttelt worden ist. Die Schaumbildung wurde durch Messen der Schaumhöhe 30 Sekunden und erneut 5 Min, nachdem das Schütteln aufgehört hat, ausgewertet.
  • (Ätzgeschwindigkeit)
  • Ein Substrat, auf dem ein Abdecklackmuster auf einem 150 nm (1500 Å) dicken amorphen ITO-Film ausgebildet worden ist, wurde eine Minute lang in eine Ätzflüssigkeit bei ei ner Temperatur von 50°C eingetaucht, und nach der Spülung und Trocknung des Substrats und dem Abziehen der Abdecklackmaske wurde das Ausmaß der Ätzung mit einem Tracer-Filmdickenmesser gemessen.
  • (Ätzrückstände)
    • 1. Die nach der Ätzung eines Glassubstrats, auf dem ein ITO-Film ausgebildet ist, verbleibenden Rückstände für die 1,8-malige reine Ätzzeit, die von der Ätzgeschwindigkeit berechnet wurde, wurden durch Beobachtung mit einem elektronischen Mikroskop ausgewertet.
    • 2. Die nach der Ätzung eines Glassubstrats, auf dem zuerst ein Siliziumnitridfilm und anschließend ein ITO-Film ausgebildet worden ist, verbleibenden Rückstände für die 1,8 malige reine Ätzzeit, die aus der Ätzgeschwindigkeit berechnet wurde, wurden durch Beobachtung mit einem elektronischen Mikroskop ausgewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 veranschaulicht.
  • Tabelle 2
    Figure 00130001
  • Bewertung von Rückständen:
    • x: Sehr viele Rückstände über der gesamten Oberfläche
    • o: Wenige Rückstände
    • +: Überhaupt keine Rückstände
    • 10 Å= 1 nm

Claims (9)

  1. Ätzflüssigkeitszusammensetzung für transparente leitfähige Filme mit einer wässrigen Lösung von Oxalsäure, deren Konzentration in dem Bereich von 0,1 bis 10 Massenprozent basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung liegt, und einer Komponente, die eine oder mehrere Polysulfon-Säureverbindungen umfasst.
  2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Zusammensetzung ferner ein oder mehrere Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere aufweist.
  3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der transparente leitfähige Film durch eine Indium-Zinn-Oxid(ITO)-Schicht gebildet ist.
  4. Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der transparente leitfähige Film durch eine Indium-Zinn-Oxid(ITO)-Schicht auf einer Silikon-Nitrid-Schicht gebildet ist.
  5. Zusammensetzung nach einem beliebigen der Ansprüche 1–4, wobei die Konzentration der einen oder mehreren Verbindungen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, zu der Polysulfon-Säureverbindungen und Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere gehören, in dem Bereich von 0,0001 bis 10 Massenprozent, basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung, liegt.
  6. Zusammensetzung nach einem beliebigen der Ansprüche 1–5, wobei die Polysulfon-Säureverbindungen eine oder meh rere Verbindungen sind, die aus der Gruppe ausgewählt sind, zu der Naphtalinsulfonsäure-Formaldehyd-Kondensate und ihre Salze, Polystyrolsulfonsäure und ihre Salze sowie Lignosulfonsäure und ihre Salze gehören.
  7. Zusammensetzung nach Anspruch 2, die ferner wasserlösliche niedrige Alkohole aufweist.
  8. Zusammensetzung nach Anspruch 7, wobei die wasserlöslichen niedrigen Alkohole eine oder mehrere Verbindungen sind, die aus der Gruppe ausgewählt sind, zu der Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol und n-Butanol gehören.
  9. Zusammensetzung nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Konzentration der wasserlöslichen niedrigen Alkohole in dem Bereich von 1 bis 10 Massenprozent basierend auf der Masse der Ätzflüssigkeitszusammensetzung liegt.
DE60124473T 2000-09-08 2001-09-05 Ätzflüssigkeitszusammensetzung Expired - Lifetime DE60124473T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000272528 2000-09-08
JP2000272528 2000-09-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60124473D1 DE60124473D1 (de) 2006-12-28
DE60124473T2 true DE60124473T2 (de) 2007-09-06

Family

ID=18758628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60124473T Expired - Lifetime DE60124473T2 (de) 2000-09-08 2001-09-05 Ätzflüssigkeitszusammensetzung

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6914039B2 (de)
EP (2) EP1187225B1 (de)
KR (1) KR100821884B1 (de)
CN (1) CN1253527C (de)
DE (1) DE60124473T2 (de)
SG (1) SG89419A1 (de)
TW (1) TWI252261B (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1187225B1 (de) * 2000-09-08 2006-11-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Ätzflüssigkeitszusammensetzung
US6943142B2 (en) * 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
TWI339680B (en) 2002-02-19 2011-04-01 Kanto Kagaku Washing liquid composition for semiconductor substrate
KR100519368B1 (ko) * 2002-03-29 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4375991B2 (ja) * 2003-04-09 2009-12-02 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
JP4085094B2 (ja) * 2004-02-19 2008-04-30 シャープ株式会社 導電素子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
TWI364072B (en) * 2004-03-18 2012-05-11 Dongjin Semichem Co Ltd Etching composition
KR101232249B1 (ko) * 2004-08-10 2013-02-12 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 반도체 기판 세정액 및 반도체 기판 세정방법
KR101167312B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
JP4816250B2 (ja) 2006-05-25 2011-11-16 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液組成物及びエッチング方法
CN101952485A (zh) * 2007-11-22 2011-01-19 出光兴产株式会社 蚀刻液组合物
WO2009091012A1 (ja) * 2008-01-15 2009-07-23 Mitsubishi Paper Mills Limited 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング前処理液およびエッチング方法
JP5354989B2 (ja) * 2008-08-14 2013-11-27 関東化学株式会社 透明導電膜用エッチング液組成物
JP6014985B2 (ja) * 2010-10-01 2016-10-26 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法
JP6261926B2 (ja) * 2013-09-18 2018-01-17 関東化學株式会社 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法
CN104587936B (zh) * 2015-01-30 2017-03-22 东莞佰鸿电子有限公司 一种光化学反应系统

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898141A (en) * 1974-02-08 1975-08-05 Bell Telephone Labor Inc Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors
US4344863A (en) * 1978-08-04 1982-08-17 Exxon Research & Engineering Co. Process for defoaming acid gas scrubbing solutions and defoaming solutions
US4532066A (en) * 1984-03-05 1985-07-30 Sterling Drug Inc. Stable mildly acidic aqueous polishing cleanser and preparation thereof
JPS63114132A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 Showa Denko Kk 表面処理液
JPH04338643A (ja) * 1991-05-16 1992-11-25 Seiko Epson Corp シリコンウェハーの加工方法
US5264109A (en) * 1991-09-16 1993-11-23 Siemens Power Corporation Zirconium and zirconium alloy passivation process
JP3289734B2 (ja) * 1992-05-13 2002-06-10 エルナー株式会社 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
DE69418458T2 (de) * 1993-02-04 2000-01-27 Daikin Ind Ltd Nassaetzungsverbindung fuer halbleiter mit ausgezeichneten befeuchtungseigenschaften
JPH07141932A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Kanto Chem Co Inc 透明導電膜のエッチング液組成物
US5489735A (en) * 1994-01-24 1996-02-06 D'muhala; Thomas F. Decontamination composition for removing norms and method utilizing the same
JPH09208267A (ja) * 1996-02-02 1997-08-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜の電極加工方法
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US5968848A (en) * 1996-12-27 1999-10-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment
KR100248113B1 (ko) * 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
US6284721B1 (en) * 1997-01-21 2001-09-04 Ki Won Lee Cleaning and etching compositions
JPH1129882A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Kanto Bussan Kk 基材のエッチング方法及びそれに用いる酸性インク
WO2000011107A1 (en) 1998-08-18 2000-03-02 Ki Won Lee Ito etching composition
SG78405A1 (en) * 1998-11-17 2001-02-20 Fujimi Inc Polishing composition and rinsing composition
JP4230631B2 (ja) * 1999-12-20 2009-02-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 透明導電膜のエッチング液組成物
US6310019B1 (en) * 2000-07-05 2001-10-30 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning agent for a semi-conductor substrate
EP1187225B1 (de) * 2000-09-08 2006-11-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Ätzflüssigkeitszusammensetzung

Also Published As

Publication number Publication date
US7507350B2 (en) 2009-03-24
US20050209119A1 (en) 2005-09-22
EP1646091A2 (de) 2006-04-12
SG89419A1 (en) 2002-06-18
EP1187225A2 (de) 2002-03-13
KR20020020654A (ko) 2002-03-15
TWI252261B (en) 2006-04-01
EP1646091A3 (de) 2006-04-19
CN1346864A (zh) 2002-05-01
US6914039B2 (en) 2005-07-05
KR100821884B1 (ko) 2008-04-16
EP1187225A3 (de) 2003-07-23
US20020055447A1 (en) 2002-05-09
DE60124473D1 (de) 2006-12-28
CN1253527C (zh) 2006-04-26
EP1187225B1 (de) 2006-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60124473T2 (de) Ätzflüssigkeitszusammensetzung
DE60024707T2 (de) Reinigungslösung für Substraten von elektronischen Anordnungen
DE69820397T2 (de) Ätzmittel und ihre Verwendung
DE69427165T3 (de) Zusammensetzung und verfahren zum polieren
DE60210833T2 (de) Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren
DE112010003217B4 (de) Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Struktur, die aus einem Metall, einem Metallnitrid oder einem Metalloxid gebildet ist, und Verfahren zur Herstellung der feinen Struktur, bei dem diese eingesetzt wird
DE68912351T2 (de) Ätzlösung für metallschicht mit photolackstruktur.
DE60305827T2 (de) Polierzusammensetzung
KR20110129880A (ko) 금속 적층막용 에칭액 조성물
DE2145952A1 (de) Verfahren zum Konzentrieren einer wässrigen Polytetrafluoräthylendispersion
AT503087A2 (de) Elektropolier-elektrolyt und verfahren zur planarisierung einer metallschicht unter verwendung desselben
DE2303798A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen
EP2612364A2 (de) Verfahren zum nasschemischen rückätzen eines emitters einer solarzelle
DE112015000396B4 (de) Verfahren zum selektiven Ätzen von Molybdän oder Titan auf einem Oxidhalbleiterfilm und Verfahren zur Herstellung eines Transistors
DE4033355C2 (de) Verfahren zum elektrolytischen Ätzen von Siliziumcarbid
EP0884772B1 (de) Verfahren zum Ätzen von Halbleiterscheiben
DE2239687B2 (de) Verfahren zum aetzen eines mehrschichtigen halbleiterkoerpers mit einem fluessigen aetzmittel
DE2635245A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrisch leitender indiumoxidmuster auf einem isolierenden traeger
DE69029228T2 (de) Oberflächenbehandlungsmittel für Präzisionsoberflächenbehandlung
CN110042393B (zh) 蚀刻液组合物
CN106701085A (zh) 一种ito返工蚀刻液及其制备方法
DE2028589A1 (de) Elektrolytisch aufgebrachte Magnet filme
EP0067984B1 (de) Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens
DE3416991C1 (de) AEtzloesung und Verfahren zum AEtzen von ferrimagnetischen Granatverbindungen
DE102013004848B4 (de) Behandlungsflüssigkeit zur Hemmung eines Musterzusammenbruchs in einer Mikrostruktur und Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur, bei der diese eingesetzt wird.

Legal Events

Date Code Title Description
8381 Inventor (new situation)

Inventor name: MORI, KIYOTO, SOKA, SAITAMA, JP

Inventor name: ISHIKAWA, NORIO, SOKA, SAITAMA, JP

8364 No opposition during term of opposition