JPH09208267A - 透明導電膜の電極加工方法 - Google Patents
透明導電膜の電極加工方法Info
- Publication number
- JPH09208267A JPH09208267A JP1694196A JP1694196A JPH09208267A JP H09208267 A JPH09208267 A JP H09208267A JP 1694196 A JP1694196 A JP 1694196A JP 1694196 A JP1694196 A JP 1694196A JP H09208267 A JPH09208267 A JP H09208267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- electrode
- surfactant
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/355—Temporary coating
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不溶化した銀膜は、エッチャント中において
溶解し難い残渣となって透明基板に再付着し、エッチン
グ不良が発生する。 【解決手段】 透明基板１の主表面上に、透明基板１側
から反射防止層２、銀層３、酸可溶性反射防止層４を順
次積層して透明導電膜５を構成し、この透明導電膜５表
面の一部をレジスト膜６で覆い、このレジスト膜６で覆
われない部分を化学エッチングすることにより所定形状
の電極７を形成する方法において、前記化学エッチング
は塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活
性剤０．０１〜１．０重量％及び残部が水からなるエッ
チング液を用いる。
溶解し難い残渣となって透明基板に再付着し、エッチン
グ不良が発生する。 【解決手段】 透明基板１の主表面上に、透明基板１側
から反射防止層２、銀層３、酸可溶性反射防止層４を順
次積層して透明導電膜５を構成し、この透明導電膜５表
面の一部をレジスト膜６で覆い、このレジスト膜６で覆
われない部分を化学エッチングすることにより所定形状
の電極７を形成する方法において、前記化学エッチング
は塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活
性剤０．０１〜１．０重量％及び残部が水からなるエッ
チング液を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
などのフラットディスプレイ用透明導電膜の電極加工方
法に関する。
などのフラットディスプレイ用透明導電膜の電極加工方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイなどに使用され
ているＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）透明電極は、
その可視光透過性と低抵抗の性質において優れているも
のの、液晶セルのセルギャップ狭化による電極膜厚の制
限やパネルの大面積化による更なる低抵抗化の要求か
ら、反射防止層／銀層／反射防止層の構造を有する透明
電極膜が提案されている（例えば、特公平６−３５０６
号）。そして、このような３層構造の電極膜を一括して
化学エッチングするためのエッチャントが提案されてい
る（例えば、特開平７−１１４８４１号）。このエッチ
ャントは、塩酸に対し比較的早い銀層のエッチングレイ
トを抑制するために、従来の一般的なエッチャントに硝
酸を若干添加したものであり、これにより銀層の表面が
不溶化するため、必要なパターンにおける銀層の線幅が
エッチング終了時まで保持されるというものである。
ているＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）透明電極は、
その可視光透過性と低抵抗の性質において優れているも
のの、液晶セルのセルギャップ狭化による電極膜厚の制
限やパネルの大面積化による更なる低抵抗化の要求か
ら、反射防止層／銀層／反射防止層の構造を有する透明
電極膜が提案されている（例えば、特公平６−３５０６
号）。そして、このような３層構造の電極膜を一括して
化学エッチングするためのエッチャントが提案されてい
る（例えば、特開平７−１１４８４１号）。このエッチ
ャントは、塩酸に対し比較的早い銀層のエッチングレイ
トを抑制するために、従来の一般的なエッチャントに硝
酸を若干添加したものであり、これにより銀層の表面が
不溶化するため、必要なパターンにおける銀層の線幅が
エッチング終了時まで保持されるというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において、
図４及び図５に示すように、３層構造の透明導電膜の電
極パターン１００の形成は可能であるものの、銀表面に
対するエッチャントの不溶化作用は、必要な電極パター
ン同士の隙間における除去すべき部分の銀膜をも一時的
に不溶化させてしまう。この不溶化した銀膜は、エッチ
ャント中において溶解し難い銀不溶化残渣１０１とな
り、その一部がエッチングによりパターンを形成中の基
板１０２表面に再付着するため、その部分がエッチング
不良となり残留欠陥１０３を生じやすいというプロセス
上重大な問題を有していた。
図４及び図５に示すように、３層構造の透明導電膜の電
極パターン１００の形成は可能であるものの、銀表面に
対するエッチャントの不溶化作用は、必要な電極パター
ン同士の隙間における除去すべき部分の銀膜をも一時的
に不溶化させてしまう。この不溶化した銀膜は、エッチ
ャント中において溶解し難い銀不溶化残渣１０１とな
り、その一部がエッチングによりパターンを形成中の基
板１０２表面に再付着するため、その部分がエッチング
不良となり残留欠陥１０３を生じやすいというプロセス
上重大な問題を有していた。
【０００４】本発明は、従来の技術が有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、銀不溶化層が透明導電膜表面上や基板表面上に
残渣として滞留して生じる欠陥が発生しない透明導電膜
の電極加工、とりわけ微細な寸法の電極を形成するのに
適した透明導電膜の電極加工方法を提供しようとするも
のである。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、銀不溶化層が透明導電膜表面上や基板表面上に
残渣として滞留して生じる欠陥が発生しない透明導電膜
の電極加工、とりわけ微細な寸法の電極を形成するのに
適した透明導電膜の電極加工方法を提供しようとするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、透明基板の主表面上に、反射防止層、銀層、酸
可溶性反射防止層を順次積層して透明導電膜を構成し、
この透明導電膜表面の一部をレジスト膜で覆い、このレ
ジスト膜で覆われない部分を化学エッチングすることに
より所定形状の電極を形成する方法において、前記化学
エッチングは塩酸主成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶
液に界面活性剤を少量添加したエッチング液を用いるも
のである。
発明は、透明基板の主表面上に、反射防止層、銀層、酸
可溶性反射防止層を順次積層して透明導電膜を構成し、
この透明導電膜表面の一部をレジスト膜で覆い、このレ
ジスト膜で覆われない部分を化学エッチングすることに
より所定形状の電極を形成する方法において、前記化学
エッチングは塩酸主成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶
液に界面活性剤を少量添加したエッチング液を用いるも
のである。
【０００６】また、前記エッチング液は、塩酸５〜４０
体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活性剤０．０１〜
１．０重量％及び残部が水からなるのが好ましい。
体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活性剤０．０１〜
１．０重量％及び残部が水からなるのが好ましい。
【０００７】また、前記界面活性剤としてはドデシルベ
ンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましく、前記化学エッ
チングは１５〜７０℃で行うのが好ましい。
ンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましく、前記化学エッ
チングは１５〜７０℃で行うのが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
透明導電膜の電極加工方法の作用説明図、図２は本発明
により形成した透明電極の上面図、図３は同じく断面図
である。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
透明導電膜の電極加工方法の作用説明図、図２は本発明
により形成した透明電極の上面図、図３は同じく断面図
である。
【０００９】本発明に係る透明導電膜の電極加工方法
は、図１乃至図３に示すように、透明基板１の主表面上
に、透明基板１側から反射防止層２、銀層３、酸可溶性
反射防止層４を順次積層して透明導電膜５を構成し、こ
の透明導電膜５表面の一部をレジスト膜６で覆い、この
レジスト膜６で覆われない部分を化学エッチングするこ
とにより所定形状の電極７を形成する方法である。
は、図１乃至図３に示すように、透明基板１の主表面上
に、透明基板１側から反射防止層２、銀層３、酸可溶性
反射防止層４を順次積層して透明導電膜５を構成し、こ
の透明導電膜５表面の一部をレジスト膜６で覆い、この
レジスト膜６で覆われない部分を化学エッチングするこ
とにより所定形状の電極７を形成する方法である。
【００１０】そして、化学エッチングにおいて、塩酸主
成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶液に、界面活性剤を
少量添加したエッチング液を用いるものである。ここ
で、エッチング液は、塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２
〜５体積％、界面活性剤０．０１〜１．０重量％及び残
部が水からなる溶液である。
成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶液に、界面活性剤を
少量添加したエッチング液を用いるものである。ここ
で、エッチング液は、塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２
〜５体積％、界面活性剤０．０１〜１．０重量％及び残
部が水からなる溶液である。
【００１１】透明基板１としては、一般的にソーダライ
ムガラスや硼珪酸ガラス（無アルカリガラス）などのガ
ラス基板が挙げられるが、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）やアクリル（ＰＭＭＡ）などの有機高分子に
よるプラスチック基板やプラスチックフィルムなどでも
よく、透明体であれば特に限定しない。
ムガラスや硼珪酸ガラス（無アルカリガラス）などのガ
ラス基板が挙げられるが、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）やアクリル（ＰＭＭＡ）などの有機高分子に
よるプラスチック基板やプラスチックフィルムなどでも
よく、透明体であれば特に限定しない。
【００１２】反射防止層２としては、Ｉn2Ｏ3、Ｓn
Ｏ2、Ｎd2Ｏ3、ＺnＯ、ＺrＯ2、ＣeＯ2、CdＯ、Ｓb
2Ｏ3、Ｔa2Ｏ5、Ｂi2Ｏ3、ＴiＯ2、Ａl2Ｏ3、ＳiＯ2、
ＺnＳ、ＺnＳe、ＣdＳ、Ｓb2Ｓ3などやそれら同士の化
合物、またこれらにＡlやＳnなどの荷電子の多い元素周
期表上の金属元素を若干量だけドーピングしたものが挙
げられる。また、これら反射防止層２の成膜方法は、Ｄ
Ｃスパッタリング法若しくはＲＦスパッタリング法が一
般的であるが、ＥＢ法やイオンプレーティング法など他
の方法でも構わず、膜質などが本発明の用途に適合して
いれば特に限定されない。
Ｏ2、Ｎd2Ｏ3、ＺnＯ、ＺrＯ2、ＣeＯ2、CdＯ、Ｓb
2Ｏ3、Ｔa2Ｏ5、Ｂi2Ｏ3、ＴiＯ2、Ａl2Ｏ3、ＳiＯ2、
ＺnＳ、ＺnＳe、ＣdＳ、Ｓb2Ｓ3などやそれら同士の化
合物、またこれらにＡlやＳnなどの荷電子の多い元素周
期表上の金属元素を若干量だけドーピングしたものが挙
げられる。また、これら反射防止層２の成膜方法は、Ｄ
Ｃスパッタリング法若しくはＲＦスパッタリング法が一
般的であるが、ＥＢ法やイオンプレーティング法など他
の方法でも構わず、膜質などが本発明の用途に適合して
いれば特に限定されない。
【００１３】また、反射防止層２は、エッチングによる
パターニング時に前記したエッチャント（エッチング
液）にてエッチングできることが望ましいが、エッチン
グが不可能で膜として残留する場合であっても、この膜
に導電性がない場合には、パターニングする必要がなく
エッチング時に残留させても構わない。
パターニング時に前記したエッチャント（エッチング
液）にてエッチングできることが望ましいが、エッチン
グが不可能で膜として残留する場合であっても、この膜
に導電性がない場合には、パターニングする必要がなく
エッチング時に残留させても構わない。
【００１４】電極７の主な導電層である銀層３の組成に
ついては、銀（Ａｇ）１００％であることがシート抵抗
として好ましいが、ディスプレイパネルに組立てた場合
の耐湿熱性などの経時安定性を向上させるため、パラジ
ウム（Ｐｄ）などの耐食性を向上させる材料を若干量だ
け銀に添加したものなど、銀を主成分とした他の元素周
期表上の金属や半導体材料との化合物でも、エッチング
に際して支障のないものであればよい。
ついては、銀（Ａｇ）１００％であることがシート抵抗
として好ましいが、ディスプレイパネルに組立てた場合
の耐湿熱性などの経時安定性を向上させるため、パラジ
ウム（Ｐｄ）などの耐食性を向上させる材料を若干量だ
け銀に添加したものなど、銀を主成分とした他の元素周
期表上の金属や半導体材料との化合物でも、エッチング
に際して支障のないものであればよい。
【００１５】また、銀層３の成膜方法は、室温でのＤＣ
スパッタリング法による成膜が好ましいが、ＥＢ法やイ
オンプレーティング法など他の方法でも構わず、特に限
定されない。しかし、銀層３の体積抵抗率は、１０．０
μΩｃｍ以下であることが好ましい。
スパッタリング法による成膜が好ましいが、ＥＢ法やイ
オンプレーティング法など他の方法でも構わず、特に限
定されない。しかし、銀層３の体積抵抗率は、１０．０
μΩｃｍ以下であることが好ましい。
【００１６】酸可溶性反射防止層４としては、酸化イン
ジウムまたは酸化インジウムの酸可溶性を損なわない程
度に他の成分を含有した化合物が本発明に適用できる。
そのようなものとしては、少量の酸化錫（いわゆるＩＴ
Ｏ）や酸化セリウムなどを含有させたものが挙げられ
る。また、ＳnＯ2やＺnＯを主成分とした材料で、導電
性と酸可溶性を本発明に適合させるため、Ａlなどの元
素周期表上の金属元素を若干量だけ添加したものでも構
わない。
ジウムまたは酸化インジウムの酸可溶性を損なわない程
度に他の成分を含有した化合物が本発明に適用できる。
そのようなものとしては、少量の酸化錫（いわゆるＩＴ
Ｏ）や酸化セリウムなどを含有させたものが挙げられ
る。また、ＳnＯ2やＺnＯを主成分とした材料で、導電
性と酸可溶性を本発明に適合させるため、Ａlなどの元
素周期表上の金属元素を若干量だけ添加したものでも構
わない。
【００１７】また、酸可溶性反射防止層４の成膜方法
は、ＤＣスパッタリング法若しくはＲＦスパッタリング
法が一般的であるが、ＥＢ法やイオンプレーティング法
など他の方法でも構わず、膜質などが本発明の用途に適
合していれば特に限定されない。
は、ＤＣスパッタリング法若しくはＲＦスパッタリング
法が一般的であるが、ＥＢ法やイオンプレーティング法
など他の方法でも構わず、膜質などが本発明の用途に適
合していれば特に限定されない。
【００１８】そして、界面活性剤としては、親水基と親
油基の両方を有する一般的な両親媒性物質が好ましく、
高級脂肪酸アルカリ塩、アルキル硫酸塩、アルキルスル
ホン酸塩、アルキルアリールスルホン酸塩やスルホコハ
ク酸エステル塩などが挙げられる。また、界面活性剤の
溶液中の形態による分類では、陰イオン活性剤が好まし
いが、陽イオン活性剤、非イオン活性剤の界面活性剤も
用いることができる。更に、塩酸５〜４０体積％と硝酸
０．２〜５体積％からなる酸の水溶液へのこれら界面活
性剤の混合方法についても特に限定されない。
油基の両方を有する一般的な両親媒性物質が好ましく、
高級脂肪酸アルカリ塩、アルキル硫酸塩、アルキルスル
ホン酸塩、アルキルアリールスルホン酸塩やスルホコハ
ク酸エステル塩などが挙げられる。また、界面活性剤の
溶液中の形態による分類では、陰イオン活性剤が好まし
いが、陽イオン活性剤、非イオン活性剤の界面活性剤も
用いることができる。更に、塩酸５〜４０体積％と硝酸
０．２〜５体積％からなる酸の水溶液へのこれら界面活
性剤の混合方法についても特に限定されない。
【００１９】界面活性剤の濃度については、０．０１〜
１．０重量％程度が好ましく、０．０２〜０．５重量％
であればさらに好ましい。そして、０．０１重量％を大
きく下回る場合には、界面活性剤としての作用、即ち不
溶化した銀が透明導電膜５表面に残渣として滞留するの
を防ぐことが困難になる。一方、１．０重量％を大きく
上回る場合には、泡の発生が生じ易くなり、更に界面活
性剤の凝集により電極加工を均質に行い難くなるので好
ましくない。そこで、最も好ましい界面活性剤として
は、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを挙げるこ
とができる。
１．０重量％程度が好ましく、０．０２〜０．５重量％
であればさらに好ましい。そして、０．０１重量％を大
きく下回る場合には、界面活性剤としての作用、即ち不
溶化した銀が透明導電膜５表面に残渣として滞留するの
を防ぐことが困難になる。一方、１．０重量％を大きく
上回る場合には、泡の発生が生じ易くなり、更に界面活
性剤の凝集により電極加工を均質に行い難くなるので好
ましくない。そこで、最も好ましい界面活性剤として
は、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを挙げるこ
とができる。
【００２０】このような界面活性剤を、電極加工時にお
いて使用する塩酸主成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶
液に僅かに添加することにより、図１に示すように、エ
ッチング時に不溶化し基板１から剥離した銀不溶化残渣
８の表面に界面活性剤が吸着し、エッチング中に銀不溶
化残渣８が透明基板１表面に再付着することを防止でき
る。９は界面活性剤の分子を表している。なお、電極７
のパターニング加工で用いる化学エッチングの手段につ
いては、浸漬法やスプレー法などを用いることができ
る。
いて使用する塩酸主成分、硝酸少量成分を含む酸の水溶
液に僅かに添加することにより、図１に示すように、エ
ッチング時に不溶化し基板１から剥離した銀不溶化残渣
８の表面に界面活性剤が吸着し、エッチング中に銀不溶
化残渣８が透明基板１表面に再付着することを防止でき
る。９は界面活性剤の分子を表している。なお、電極７
のパターニング加工で用いる化学エッチングの手段につ
いては、浸漬法やスプレー法などを用いることができ
る。
【００２１】以下の表１は、本発明における界面活性剤
の使用例とその結果を、実施例１〜実施例１１と従来技
術による比較例１を示してまとめたものである。
の使用例とその結果を、実施例１〜実施例１１と従来技
術による比較例１を示してまとめたものである。
【００２２】
【表１】
【００２３】ここでは、透明基板１として、縦３００ｍ
ｍ、横３７０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの単純マトリックス
ＬＣＤ用ソーダライムガラス基板を用い、これを洗浄し
た後にスパッタ成膜によりＩＴＯ膜／Ａｇ膜／ＩＴＯ膜
を夫々膜厚で５０ｎｍ／１５ｎｍ／５０ｎｍに形成し、
透明導電膜５とする。
ｍ、横３７０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの単純マトリックス
ＬＣＤ用ソーダライムガラス基板を用い、これを洗浄し
た後にスパッタ成膜によりＩＴＯ膜／Ａｇ膜／ＩＴＯ膜
を夫々膜厚で５０ｎｍ／１５ｎｍ／５０ｎｍに形成し、
透明導電膜５とする。
【００２４】次いで、フォトレジストをスピンコート法
で１μｍの膜厚にして透明導電膜５上に成膜し、レジス
ト膜６を得る。次いで、レジスト膜６をオーブンで乾燥
させ、パターニングのための所定のポジ用フォトマスク
を通して紫外線露光し、現像液にてレジスト膜６を現像
する。
で１μｍの膜厚にして透明導電膜５上に成膜し、レジス
ト膜６を得る。次いで、レジスト膜６をオーブンで乾燥
させ、パターニングのための所定のポジ用フォトマスク
を通して紫外線露光し、現像液にてレジスト膜６を現像
する。
【００２５】その後、塩酸２５体積％、硝酸２．０体積
％、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム０．１重量
％及び残部が水であるエッチャント（実施例１）を用い
て透明導電膜５のエッチングを行う。これにより、所定
パターンの電極７が得られる。なお、エッチングは、１
５〜７０℃で行う。
％、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム０．１重量
％及び残部が水であるエッチャント（実施例１）を用い
て透明導電膜５のエッチングを行う。これにより、所定
パターンの電極７が得られる。なお、エッチングは、１
５〜７０℃で行う。
【００２６】次いで、残っているレジスト膜６を剥離液
にて剥離すると、図２及び図３に示すように、透明基板
１上に電極７のパターンが形成される。そして、実施例
１のパターニング評価結果は、銀残渣不良：なし、他の
不良：なし、エッチレイト：良好である。
にて剥離すると、図２及び図３に示すように、透明基板
１上に電極７のパターンが形成される。そして、実施例
１のパターニング評価結果は、銀残渣不良：なし、他の
不良：なし、エッチレイト：良好である。
【００２７】表１に示すパターニング評価結果から、実
施例１〜実施例１１のように界面活性剤を用いることに
よって比較例１で発生する銀残渣不良がなくなり、更に
実施例１〜実施例７及び実施例１１のようにエッチング
液各成分の組成を前記した数値範囲に限定することによ
り、実施例８〜実施例１０で発生する線細りや凝集物な
どの不具合を抑制できる。
施例１〜実施例１１のように界面活性剤を用いることに
よって比較例１で発生する銀残渣不良がなくなり、更に
実施例１〜実施例７及び実施例１１のようにエッチング
液各成分の組成を前記した数値範囲に限定することによ
り、実施例８〜実施例１０で発生する線細りや凝集物な
どの不具合を抑制できる。
【００２８】従って、パターニング評価結果（銀残渣不
良、他の不良、エッチレイト）を考慮した好ましいエッ
チング液の組成は、実施例１〜実施例７が該当し、前記
したように塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２〜５体積
％、界面活性剤０．０１〜１．０重量％となる。なお、
表１において、「線細り」とは、膜のエッチング時に意
図した電極パターン幅より細くなる現象をいう。
良、他の不良、エッチレイト）を考慮した好ましいエッ
チング液の組成は、実施例１〜実施例７が該当し、前記
したように塩酸５〜４０体積％、硝酸０．２〜５体積
％、界面活性剤０．０１〜１．０重量％となる。なお、
表１において、「線細り」とは、膜のエッチング時に意
図した電極パターン幅より細くなる現象をいう。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ド
デシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどの界面活性剤
を用いることによってエッチング中に不溶化した銀膜が
透明基板に再付着することによるエッチング不良の発生
を防止できる。
デシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどの界面活性剤
を用いることによってエッチング中に不溶化した銀膜が
透明基板に再付着することによるエッチング不良の発生
を防止できる。
【００３０】また、エッチング液の組成を、塩酸５〜４
０体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活性剤０．０１
〜１．０重量％及び残部が水とすることにより、線細り
や凝集物発生などの不具合を抑制できる。
０体積％、硝酸０．２〜５体積％、界面活性剤０．０１
〜１．０重量％及び残部が水とすることにより、線細り
や凝集物発生などの不具合を抑制できる。
【図１】本発明に係る透明導電膜の電極加工方法の作用
説明図
説明図
【図２】本発明により形成した透明電極の上面図
【図３】本発明により形成した透明電極の断面図
【図４】従来の技術により形成した透明電極の断面図
【図５】従来の技術により形成した透明電極の上面図
１…透明基板、２…反射防止層、３…銀層、４…酸可溶
性反射防止層、５…透明導電膜、６…レジスト膜、７…
電極。
性反射防止層、５…透明導電膜、６…レジスト膜、７…
電極。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板の主表面上に、反射防止層、銀
層、酸可溶性反射防止層を順次積層して透明導電膜を構
成し、この透明導電膜表面の一部をレジスト膜で覆い、
このレジスト膜で覆われない部分を化学エッチングする
ことにより所定形状の電極を形成する方法において、前
記化学エッチングは塩酸主成分、硝酸少量成分を含む酸
の水溶液に界面活性剤を少量添加したエッチング液を用
いることを特徴とする透明導電膜の電極加工方法。 - 【請求項２】 前記エッチング液は、塩酸５〜４０体積
％、硝酸０．２〜５体積％、界面活性剤０．０１〜１．
０重量％及び残部が水からなる請求項１記載の透明導電
膜の電極加工方法。 - 【請求項３】 前記界面活性剤がドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウムである請求項１又は２記載の透明導電
膜の電極加工方法。 - 【請求項４】 前記化学エッチングを１５〜７０℃で行
う請求項１、２又は３記載の透明導電膜の電極加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1694196A JPH09208267A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 透明導電膜の電極加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1694196A JPH09208267A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 透明導電膜の電極加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09208267A true JPH09208267A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=11930164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1694196A Pending JPH09208267A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 透明導電膜の電極加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09208267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806206B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-10-19 | Sony Corporation | Etching method and etching liquid |
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100821884B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2008-04-16 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 에칭액 조성물 |
| CN103572291A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 苏州协鑫光伏科技有限公司 | 电镀金刚石线锯镀层用腐蚀液及线锯断线连接方法 |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP1694196A patent/JPH09208267A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100821884B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2008-04-16 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 에칭액 조성물 |
| US6806206B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-10-19 | Sony Corporation | Etching method and etching liquid |
| CN103572291A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 苏州协鑫光伏科技有限公司 | 电镀金刚石线锯镀层用腐蚀液及线锯断线连接方法 |
| CN103572291B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-09-30 | 苏州协鑫光伏科技有限公司 | 电镀金刚石线锯镀层用腐蚀液及线锯断线连接方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100579421B1 (ko) | 은 식각액 조성물 | |
| JP5115476B2 (ja) | 透明電極付きガラス基板とその製造方法 | |
| JPH09283866A (ja) | 透明導電膜付き基板 | |
| JPH1170610A (ja) | 透明導電膜、および透明電極の形成方法 | |
| JP3670577B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07114841A (ja) | 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法 | |
| CN110644003B (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法和金属图案的形成方法 | |
| KR20140063283A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR101406362B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 | |
| CN113026019A (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法 | |
| JP3611618B2 (ja) | 非晶質導電膜のパターニング方法 | |
| JP2006330130A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3513409B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR20010033690A (ko) | 구조 기판에 연속적으로 마스크없이 패턴을 형성하는 방법 | |
| CN109797396B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| JPH09208267A (ja) | 透明導電膜の電極加工方法 | |
| KR102343674B1 (ko) | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 화상표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102599939B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| CN110158088B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| JP2002107537A (ja) | 液晶表示装置用ブラックマトリクスおよびカラーフィルタ | |
| JPH0959787A (ja) | 多層導電膜のエッチング方法 | |
| JP4897148B2 (ja) | 透明導電膜のエッチング液 | |
| KR20190072408A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| JP3299167B2 (ja) | 埋設電極付き基板の製造方法 | |
| US7501071B2 (en) | Method of forming a patterned conductive structure |