WO2009091012A1 - 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング前処理液およびエッチング方法 - Google Patents

銅または銅合金用のエッチング液、エッチング前処理液およびエッチング方法 Download PDF

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copper
acid
copper alloy
pretreatment
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Makoto Kato
Yuji Toyoda
Kunihiro Nakagawa
Mariko Ishida
Yasuo Kaneda
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Mitsubishi Paper Mills Limited
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/18Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067Etchants
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0392Pretreatment of metal, e.g. before finish plating, etching
    • HELECTRICITY
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning

Definitions

  • the present invention relates to an etching solution for copper or a copper alloy suitable for manufacturing a high-density printed wiring board, an etching pretreatment solution for copper or a copper alloy, a copper using the etching solution or the etching pretreatment solution. Or it relates to the etching method of copper alloy.
  • a resist pattern is formed on a substrate to which copper foil is previously bonded by a method such as screen printing or optical lithography, and an etching solution such as an aqueous solution of iron chloride ( ⁇ ) is used.
  • an etching solution such as an aqueous solution of iron chloride ( ⁇ )
  • iron chloride
  • the so-called subtractive method is widely used in which a conductor pattern is produced by removing unnecessary copper foil.
  • the etching liquid flows around the back surface of the resist pattern, and the line width of the conductor pattern becomes narrower than that of the resist pattern, so-called side etching occurs. ing.
  • side etching occurs, the top width or bottom width of the conductor pattern becomes narrow, and the area required for component mounting cannot be secured.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductor pattern obtained by etching.
  • a conductor pattern having a thickness t is provided on the base material 3 with the copper foil 2.
  • an aqueous solution of iron chloride (II I) is used because of the advantages such as the narrower conductor pattern width (w 3 — W l and w 3 _ w 2 ). Widely used (for example, Printed Circuit Society, edited by Printed Circuit Technology Handbook, published by Nikkan Kogyo Shimbun, Ltd. 1 9 7 8 February 28, p
  • US Patent Application Publication No. 20 0 5/0 1 6 9 6 1 discloses that benzotriazole or the like is contained in an etching solution containing an oxidizing metal salt such as iron (III) chloride and an inorganic acid or an organic acid as components. It has been proposed to add an azole compound. However, this technology also has a serious problem in terms of environmental conservation, in that it has an insufficient ability to suppress side etching and uses an azole compound that is generally low in biodegradability.
  • etching solution mainly composed of iron (III) chloride or copper (II) chloride.
  • Etching solutions have been proposed, but such etching solutions are not intended for precise processing as required in recent years, and when used in the manufacture of printed wiring boards with fine pitches as described above, As the process progresses to some extent, the etching rate increases rapidly and the line width increases rapidly. It became thin and it was virtually impossible to control the etching. Disclosure of the invention
  • the object of the present invention is to prevent problems related to occupational health, pollution prevention, and environmental protection, and has been difficult to realize in the past.
  • An etching solution for copper or copper alloy, an etching pretreatment solution for copper or copper alloy, and a method for etching copper or copper alloy using the etching solution and the etching pretreatment solution suitable for producing high yield There is to do.
  • Etching pretreatment liquid for copper or copper alloy characterized in that it contains water as a main component and contains at least one component selected from a component that dissolves copper or copper alloy and an acid;
  • An etching pretreatment liquid for copper or copper alloy as described in 2 above which contains a component that dissolves copper or a copper alloy and has a pH of 3 or less.
  • etching pretreatment liquid for copper or copper alloy according to 2 or 5 above wherein the component that dissolves copper or copper alloy is iron chloride (III) or copper chloride (II), 7. Further, an etching pretreatment solution for copper or copper alloy according to any one of 2 to 6 above, which contains a surfactant,
  • etching solution for copper or copper alloy of the present invention containing at least one component selected from water and a component that dissolves copper or copper alloy and an acid, and the pretreatment liquid.
  • a defect in which copper or a copper alloy, which is a metal to be etched remains in a granular or streak pattern in a portion having no resist pattern (hereinafter referred to as “residual defect”). ) And thus the yield of manufactured products can be improved.
  • the acid contained in the pretreatment liquid of the present invention is a monovalent acid, residual defects can be highly suppressed. Even when the acid contained in the pretreatment liquid of the present invention is an aliphatic hydroxycarboxylic acid, residual defects are highly suppressed. can do. Residual defects can also be highly suppressed by the fact that the pretreatment liquid of the present invention contains a component that dissolves copper or a copper alloy and has a pH of 3 or less. The yield improvement effect can be improved by including the surfactant in the pretreatment liquid of the present invention.
  • the component that dissolves copper or copper alloy is iron chloride (I II) or copper chloride (II), thereby increasing side etch and complicating the manufacturing process. Yield can be improved.
  • the material to be etched is washed with water and then etched, so that the yield can be improved without increasing the side etch.
  • the subtractive method of a printed wiring board having a high circuit density which has been conventionally difficult, by the etching solution for copper or copper alloy of the present invention, the pretreatment solution for copper or copper alloy and the etching method of copper or copper alloy.
  • the etching solution of the present invention does not generate a toxic gas such as hydrogen sulfide, and since it consists only of components for which processing methods have been established, the processing after use can be easily and completely performed, and occupational health. In addition, it is easy to prevent pollution and avoid environmental problems.
  • a printed wiring board having a high circuit density can be produced with a good yield.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductor pattern obtained by the etching method.
  • Fig. 2 is a schematic diagram of a printed wiring board for yield evaluation.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic view of a part of a printed wiring board for yield evaluation. Reference numerals in FIGS. 1 to 3 will be described below.
  • etching solution for copper or copper alloy
  • pretreatment solution for etching copper or copper alloy
  • etching method for copper or copper alloy
  • the etching solution, pretreatment solution and etching method of the present invention are for copper or copper alloy.
  • the copper alloy in the present invention refers to an alloy containing 75% by mass or more of copper, and examples thereof include bronze, red copper, and white copper. Even if the etching method of the present invention is used for an alloy containing less than 75% by mass of copper, the effect of reducing the side etch is often not obtained.
  • the etching solution of the present invention contains iron (III) chloride as the first essential component.
  • the concentration of iron chloride (II I) in the etching solution of the present invention needs to be from 1 to 20% by mass, preferably from 2 to 10% by mass, based on the total amount of the etching solution.
  • concentration of iron chloride (II I) is lower than this, the etching rate is remarkably slow and impractical, and when the concentration of iron (III) chloride is higher than this, the side etch is not sufficiently suppressed. Because it becomes.
  • the etching solution of the present invention contains oxalic acid as the second essential component.
  • the addition amount of oxalic acid needs to be 5 to 100% by mass, preferably 5 to 50% by mass with respect to iron (III) chloride. If the amount of oxalic acid added is less than this, side etching will be insufficiently controlled. If the amount of oxalic acid added is higher than this, etching will take a very long time. This is because a problem arises that the fine space is not etched sufficiently.
  • oxalic acid used in preparing the etching solution of the present invention is not particularly limited. Even if an anhydrous or dihydrate solid is dissolved and used, commercially available oxalic acid is diluted as appropriate. May be used. Solid oxalic acid is usually supplied as dihydrate (formula 1 2 6. 0 7), but the calculation of oxalic acid concentration in the present invention is based on the anhydride (formula 9 0.04). Do as
  • the oxalic acid dihydrate is 1.0 kg X I. 0% X (
  • etching is performed using the etching solution of the present invention
  • it is preferable to use a spray etching method because it is advantageous for etching a fine pattern, and the amount of spray liquid per unit area is 25 to 200 mLZcm 2 'min It is more preferable to use the spray etching method. If the amount of sprayed liquid is smaller than this, the etching rate may be significantly reduced. If the amount of sprayed liquid is larger than this, the resist pattern may be destroyed and the line may be disconnected. It is.
  • the supply pressure of the etching liquid to the spray nozzle is preferably set to 5 0 to 5 0 0 k Pa, more preferably 1 0 0 k Pa to 3 0 0 k Pa. This is because if the supply pressure is too low, the etching rate may be significantly reduced, and if the supply pressure is too high, the resist pattern may be broken and the line may be disconnected.
  • the temperature of the etching solution is preferably 15 to 50 ° C, more preferably 25 to 45 ° C. This is because, when the temperature is lower than this, the etching rate of the fine space portion may be remarkably lowered, and when the temperature is higher than this, side etching may be insufficiently suppressed.
  • the etching solution of the present invention may contain a wetting accelerator such as a surfactant, an antifoaming agent, alcohol or glycol, but is not essential.
  • a wetting accelerator such as a surfactant, an antifoaming agent, alcohol or glycol, but is not essential.
  • etching solution of the present invention When the etching solution of the present invention is used, there is a problem that residual defects are likely to occur as compared with the case of using a conventional etching solution. When such a phenomenon occurs in the production of a printed wiring board, a defect that causes conduction between adjacent wiring patterns that should be insulated originally becomes a so-called short defect.
  • Purify the environment where the material to be etched is handled for example, handle the material to be etched in a clean environment such as a clean room, or purify it with ion-exchanged water or reverse osmosis membrane as water used in cleaning processes. This can be avoided by using water with a low content of impurities such as water, but these methods require a large amount of equipment and require a large amount of energy and labor for its maintenance and operation. There is.
  • sulfuric acid As the acid contained in the pretreatment liquid, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, succinic acid, maleic acid and the like can be used.
  • Monovalent acids or aliphatic hydroxycarboxylic acids are more preferably used because they have a high effect of suppressing short defects and can improve the yield. Examples of such monovalent acids include hydrochloric acid, nitric acid, amide sulfuric acid, formic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, benzensulfonic acid, and the like.
  • aliphatic hydroxycarboxylic acid that is, an aliphatic organic compound having both a carboxylic acid group and a hydroxyl group
  • aliphatic hydroxycarboxylic acid can be preferably used in that the effect of suppressing short defects is high and the yield can be further improved.
  • the aliphatic hydroxycarboxylic acid include lactic acid, glycolic acid, citrate, isocenoic acid, hydroxybutyric acid, phosphonic acid, darconic acid and the like, all of which are suitable in the present invention. used.
  • aliphatic hydroxycarboxylic acids can be suitably used regardless of their valence, but in order to obtain a high short-defect suppression effect, the number of carbon atoms per carboxylic acid group Is preferably 4 or less.
  • the amount of acid contained in the pretreatment liquid is preferably 0.5% by mass or more and less than 10% by mass, and more preferably 1 to 5% by mass. If the amount of acid is too small, the yield improvement effect may not be sufficient, and if the amount of acid is too large, not only will the economy be uneconomical, but the resist pattern may be affected by the action of acid during pretreatment or etching.
  • the acid contained in the pretreatment liquid may be one kind, or two or more kinds may be used in combination.
  • an aqueous solution containing a component that dissolves copper or a copper alloy means that when immersed in a pretreatment liquid for applying a material to be etched for 30 minutes, the metal or copper alloy to be etched has a thickness of 0.5 m. This refers to an aqueous solution to be dissolved.
  • the pretreatment liquid containing a component that dissolves copper or copper alloy examples include copper chloride (II) aqueous solution, iron chloride (III) aqueous solution, mixed aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, persulfate aqueous solution, nitric acid, excess Examples thereof include an aqueous solution of potassium iodate.
  • the concentration of the component that dissolves copper or the copper alloy contained in the pretreatment liquid is preferably 0.05% by mass or more and less than 20% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass.
  • the concentration is too low, the yield improvement effect may not be sufficient, and if the concentration is too high, the removal amount of the metal to be etched becomes uneven, and the line shape of the resist pattern is linear. However, waviness may occur in the line shape of the conductor pattern.
  • the amount of the acid is large. In order to avoid problems that may occur if the amount is too high, the amount of acid is preferably 5 mass ° / 0 or less.
  • aqueous solution containing an acid and the aqueous solution containing a component that dissolves copper or a copper alloy is more effective as a pretreatment liquid
  • contamination of the surface of the etching material is mild.
  • a higher yield can be obtained when an aqueous solution containing only an acid is used than when an aqueous solution containing only a component that dissolves copper or a copper alloy is used.
  • the material to be etched When the surface is severely contaminated, using an aqueous solution containing only acid may not provide a yield improvement effect, whereas copper often yields a certain degree of yield.
  • severe contamination refers to, for example, a state in which contaminants such as alkali earth metal ions are stuck on the surface of the material to be etched when left for a long time after formation of the resist pattern.
  • a pretreatment liquid containing a component that dissolves copper or a copper alloy when used, when the pH of the pretreatment liquid is 3 or less, contamination of the surface of the etching material is severe.
  • Including the surfactant in the pretreatment liquid of the present invention is preferable because the effect of improving the yield is further improved.
  • surfactants include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, alkylbenzene sulfonates, fatty acid salts, and other anionic surfactants, polyoxyethylene isocyanate resins, polyoxyethylenes Anorylene derivative, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene hydrogenated castor oil, polyoxyethylene alkyla Minol, Annoylalkyl alcohol, Polyoxyethylene Anolequinolene / Ninoleetenore, Polyoxyethylene-Polyoxypropylene block copolymer (so-called pull-mouth type surface activity
  • Nonionic surfactants such as fatty acid pentaerythri
  • carboxylic acid surfactants may not work effectively.
  • cationic surfactants and amphoteric surfactants are adsorbed on the surface of copper and later etched. It is preferable to use a nonionic surfactant since it may inhibit the chin.
  • a method for pretreating the etching material using the pretreatment liquid of the present invention a method of immersing the material to be etched in the pretreatment liquid, a cloth containing the pretreatment liquid, or the like is used to wipe the surface of the material to be etched.
  • a method a method of pouring a pretreatment liquid on the surface of the material to be etched, a method of spraying the pretreatment liquid on the surface of the material to be etched using a spray nozzle, and the like. It is preferably used because continuous treatment can be easily performed and the effect of improving the yield is enhanced.
  • aqueous solution other than an aqueous solution of iron (III) chloride or an aqueous solution of copper (II) chloride is used as the pretreatment liquid
  • the etching solution of the present invention When the etching solution of the present invention is discarded after use, it is contained by the process of adjusting the pH to a weak alkali by adding calcium hydroxide, which is one of the most basic heavy metal-containing wastewater treatment processes.
  • the chemical species iron ( ⁇ ) ion, iron (III) ion, copper (I)) ion, copper ( ⁇ )) ion and oxalate ion are all easily settled and removed to the extent that there is no problem in environmental conservation. Therefore, a special wastewater treatment process such as ozone oxidation, which is necessary for etching solutions containing thio compounds, azol compounds, and ammine compounds, is not required.
  • a positive liquid resist is applied to the surface of a copper-clad laminate with a 6 mm thick glass epoxy substrate (FR-4 standard) and a 12 ⁇ m thick electrolytic copper foil, and the thickness after drying is 6 Application and drying to ⁇ m.
  • an evaluation pattern having a line space width of 15 ⁇ m / 15 ⁇ m was exposed, and then developed and washed with water to form a resist pattern.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, an etching solution containing iron (III) chloride and oxalic acid at the concentrations shown in Tables 1 and 2 was prepared, and the same etching target as in Example 1 was prepared.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, etching solutions having the compositions shown in Tables 2 and 3 were prepared, and spray etching was performed on the same resist pattern-formed substrate as in Example 1 under the prescribed spraying conditions. A similar evaluation was made.
  • the present invention enables etching with very little side etch, which was difficult using a conventionally known etching solution.
  • the line width decreases when etching is continued for a long time after a sufficient space width is obtained.
  • the desired circuit pattern could be formed very stably.
  • FIG. 3 is an enlarged view of the wavy ellipse portion of FIG.
  • the comb wiring for evaluation is composed of 15 / X m / 15 ⁇ m in the rhino space.
  • the pretreatment liquid was sprayed onto the surface of the material to be etched 2 with a spray gun to perform etching pretreatment.
  • Example 2 Using the same spray etching apparatus as used in Example 1, the above etching solution was sprayed for 90 seconds onto the material to be etched 2 to produce a printed wiring board for evaluation.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 9 except that the composition of the pretreatment liquid was changed as shown in Table 4, and the yield was evaluated. [Example 2 1]
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 9 except that the pretreatment was not performed, and the yield was evaluated.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 9 except that the composition of the pretreatment liquid was changed as shown in Table 4, and the yield was evaluated.
  • defects that occur in printed circuit board circuit patterns include open defects, that is, defects that are not conductive between two points that should be normally conducted.
  • open defects that is, defects that are not conductive between two points that should be normally conducted.
  • the rate of occurrence of open defects under the etching conditions of Examples 9 to 23 is sufficiently small compared to the rate of occurrence of short defects, and it does not substantially affect the yield results of this evaluation. It has been confirmed.
  • the top width w of the line and the bottom width w 2 of the line were in the range of 12 to 15 ⁇ m, and etching with little side etch was performed. Table 4
  • aliphatic hydroxycarboxylic acid is more preferable as the acid used in the pretreatment liquid, and thus a better short circuit. Defect suppression effect can be obtained.
  • Example 9 and Example 18; Example 13 and Example 19; Example 15 and Example 20; a surfactant was added to the pretreatment liquid of the present invention.
  • the effect of suppressing short-circuit defects can be further enhanced. This is the first effect obtained when a surfactant is used in combination with an acid-containing pretreatment liquid.
  • the pretreatment liquid containing only the surfactant is highly short-circuited. Defect suppression effect cannot be obtained.
  • the material to be etched 2 was sprayed with the pretreatment liquid of Example 20, and after squeezing lightly, the mass was measured. As a result, it was found that 1.8 g of the pre-cleaning liquid adhered to one piece of material 2 to be etched. Therefore, as a simulation experiment corresponding to the case of etching without washing with water after the treatment with the pretreatment liquid, it corresponds to the amount mixed into the etching liquid when etching 100 pieces of the material 2 to be etched. 0 g of the pretreatment solution was added to the etching solution of Example 9 for etching.
  • Example 2 For the printed wiring board for evaluation produced in 0 and 24, the top width of the conductor pattern was measured for the bottom width w 2 of the conductive pattern. 6 ⁇ m / 1 4.2 ⁇ , the printed wiring board for evaluation of Example 24 is 11.4 ⁇ 3.8 ⁇ m. .
  • Example 2 5 As a simulation experiment corresponding to the case of etching after the treatment with the pretreatment liquid containing acid, etching was performed by adding 180 g of ion exchanged water to the etching liquid of Example 9. At this time, W i Z wz was 12.3 ⁇ m / 13.9 ⁇ m.
  • the material to be etched 2 of Example 9 was used as it was as the material to be etched with slight contamination. Further, as the material to be etched, which was severely contaminated, the material to be etched 2 of Example 9 was used, and the material to be etched 3 which was left on the test bench for 3 days without taking any pollution prevention measures was used.
  • the pretreatment liquid was sprayed with a spray gun for 20 seconds on each material to be etched to perform pretreatment for etching.
  • the pre-treated material to be etched was first washed with tap water, then washed with ion-exchanged water, stored in ion-exchanged water, and used for the next etching.
  • Example 9 Using the spray etching system, the same etching solution as in Example 9 was sprayed for 90 seconds on the pre-treated materials 2 and 3, and the evaluation prints were distributed. A wire board was produced.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of the pretreatment liquid was changed as shown in Table 1. In addition, when pH and copper dissolution amount of each pretreatment solution were measured, it was as shown in Table 5.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 26 except that the pretreatment liquid was water.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 26 except that no pretreatment was performed.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 44, except that the etching solution did not contain oxalic acid and the spraying time of the etching solution was 40 seconds.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 26 except that the etching solution did not contain oxalic acid and that the jetting time of the etching solution was 40 seconds.
  • the incidence of open defects in the etching conditions of Examples 26 to 44 is sufficiently small compared to the incidence of short defects, which has a substantial effect on the results of this evaluation. It has been confirmed that it does not give Further, in any of Examples 2 6 to 44, the line dove width The line bottom width w 2 is in the range of 12 to 15 ⁇ m, and the side etch is small. Yetching was taking place.
  • the edge shape of the formed conductor pattern is observed with a microscope, and if it is very straight, it is good. It was classified into 5 levels: good, slightly good, normal, slightly bad, and bad.
  • Iron (III) chloride 0.030% by mass
  • Example 28 4 0.6 hydrochloric acid 0.0020% by mass
  • Iron (III) chloride 0.050% by mass
  • Iron (III) chloride 0.50% by mass
  • Example 30 1 6.3 Hydrochloric acid 0.040% by mass
  • Example 33 4 0.5 Hydrochloric acid 0.0080% by mass
  • Iron (III) chloride 0.030% by mass
  • Example '39 ⁇ 1 9.0 Polyoxyethylene lauryl ether (HLB 12.1) 0.050 quality
  • Example 40 Hydrochloric acid 2.0 mass% ⁇ 1 0.0 Polyoxyethylene lauryl ether (HLB 12.1) 0.050 quality
  • Example 43 Water only 6 0.0
  • Example 44 None ⁇ ⁇ Comparative example 8 None ⁇ Hydrogen peroxide 5.0 mass%
  • Example 2 As can be seen from 6 to 39, when etching with an etching solution containing iron (III) chloride and oxalic acid, the material to be etched is a pretreatment solution containing a component that dissolves copper or a copper alloy. By treating with, the occurrence of short defects can be suppressed and the yield can be improved.
  • Example 43 using water as the pretreatment liquid and pretreatment were not performed.
  • Example 4 4 as compared with Examples 26 to 39, a short defect occurred and the yield was low.
  • an aqueous solution containing an acid that does not have a dissolving power with respect to copper or a copper alloy is used as a pretreatment liquid.
  • the material 2 to be etched is slightly contaminated, and the yield improvement effect is obtained, but the material 3 to be etched is insufficient in yield.
  • Comparative Example 8 etched with an aqueous solution of iron chloride (I II) containing no oxalic acid, treated with a pretreatment solution containing a component that dissolves copper or a copper alloy, and iron chloride containing no oxalic acid ( ⁇ ⁇ )
  • Comparative Example 9 etched with an aqueous solution, there were many significant side etches and many open defects resulting from it, and it was not possible to produce printed circuit boards with fine patterns (0% yield).
  • the pretreatment solution has a pH of 3 or less.
  • the yield can be improved at a high level.
  • a surfactant is added to the pretreatment liquid of the present invention containing a component that dissolves copper or a copper alloy.
  • a surfactant is used alone as the pretreatment liquid, the effect of improving the yield cannot be obtained.
  • the pretreatment liquid When using a solution containing a surfactant in an acid with a pH of 3 or less that does not have the ability to dissolve copper or a copper alloy, the material 2 to be etched has a large yield improvement effect. Although it was obtained, the yield improvement effect on the material 3 to be etched which was severely contaminated was insufficient.
  • the pretreatment liquid contains 10% by mass or more of acid. Examples 26, 27, and 20% by mass. Ingredients that dissolve more than copper or copper alloys In Examples 3 2 and 3 7 containing, even if the edge of the resist pattern was a straight line, there was a tendency for waviness to occur on the edge of the conductor pattern.
  • Example 26 The pretreated solution of Example 26 was sprayed on the material 2 to be etched that was slightly contaminated, and after squeezing lightly, the mass was measured. As a result, it was found that 1.8 g of pre-cleaning liquid adhered to the female material 2 to be etched. Therefore, as a simulation experiment corresponding to the case of etching without washing with water after the treatment with the pretreatment liquid, it corresponds to the amount mixed into the etching liquid when etching 100 pieces of the material 2 to be etched. 0 g of the pretreatment liquid of Example 26 was added to the etching liquid of Example 9, and a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner as in Example 26 except for other parts.
  • Example 26 and Example 26 were performed except that 180 g of ion-exchanged water was added to the etching liquid of Example 9.
  • a printed wiring board for evaluation was produced in the same manner.
  • W l Zw 2 of the printed wiring board for evaluation produced in this example was 1.2.2 ⁇ m / 13.8 / m.
  • a printed wiring board for evaluation was prepared in the same manner as in Examples 3 1 and 3 6 except that each pretreatment solution 180 g was added to the etching solution and etched as in Example 45. Produced.
  • the w 2 of the printed wiring board for evaluation produced in these examples is 1 2.4 ⁇ m / 1 3.9 im, 1 2.3 ⁇ m / 1 4.
  • Example 4 7 and 4 of the evaluation for a printed wiring board manufactured in 8 w ⁇ and w 2 Is almost the same as that of Example 46, and when an aqueous solution of iron (III) chloride or an aqueous solution of copper (II) chloride is used as the pretreatment liquid, it is not necessary to wash with water after the pretreatment process. It can be seen that the effects such as increase in side etch are less likely to occur.
  • Example 45 when the pretreatment liquid is not an iron (III) chloride aqueous solution or a copper chloride ( ⁇ ) aqueous solution, a slightly large side etch occurs in the produced printed wiring board for evaluation. I understand that. Industrial applicability
  • the etching solution of the present invention is highly applicable not only in the production of printed wiring boards but also in various other industrial applications such as lead frames, precision gears, precision leaf springs, encoder disks and stripes, and various stencils. It can be suitably used when controlled copper or copper alloy etching is required.

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Abstract

水を主成分とし、(1)1~20質量%の塩化鉄(III)および(2)塩化鉄に対して5~100質量%のシュウ酸を含有せしめたエッチング液、およびかかるエッチング液を用いたエッチング方法である。かかるエッチング方法において、銅または銅合金を溶解する成分及び酸から選択される少なくとも1種の成分を含む水溶液で前処理を行うことで、良好な歩留まりが実現できる。

Description

明細書 発明の名称
銅または銅合金用のェツチング液、 ェツチング前処理液および
エッチング方法 技術分野
本発明は、 高密度のプリント配線板製造に適した銅または銅合金用のェ ツチング液、 銅または銅合金用のエッチング前処理液、 該エッチング液ま たは該エツチング前処理液を用いた銅または銅合金のエツチング方法に関 する。 背景技術
近年、 電子機器の小型化高機能化が急速に進展し、 これら機器に内蔵さ れるプリ ント配線板に関しても、 高い回路密度を有するものが強く求めら れている。
プリント配線板の製造方法と しては、 あらかじめ銅箔を接着した基板上 にスクリーン印刷、 光リ ソグラフィ等の方法でレジス トパターンを形成し 、 塩化鉄 (Π Ι ) 水溶液等のエッチング液を用いて不要部分の銅箔を除去し て導体パターンを作製する、 いわゆるサブトラクティブ法が広く用いられ ている。 しかし、 この方法によりプリント配線板を製造する場合、 レジス トパターンの裏面にェツチング液が回りこみ、 導体パターンのライン幅が レジス トパターンのそれよりも細くなる、 いわゆるサイ ドエツチが生じる ことが知られている。 サイ ドエッチが生じると、 導体パターンのトップ幅 またはボトム幅が狭くなり、 部品の実装に必要な面積が確保できなくなる という問題があることから、 回路密度の高いプリント配線板をサブトラク ティブ法で製造することは困難であった。 以上のような問題から、 高い回路密度のプリント配線板を製造するた めには、 メツキにより回路を形成させるいわゆるアディティブ法が用いら れている。 しかしアディティブ法には、 工程が複雑であり、 かつ長い時間 を要するメツキ工程を経るため、 本質的にコス トが非常に高くなるという 問題がある。 エッチング時のサイ ドエッチさえ抑制されれば、 サブトラク ティブ法によっても高い回路密度のプリント配線板を製造できることから 、 サイ ドエツチが高度に抑制されたエッチングを可能ならしめる技術が強 く求められている。
図 1は、 エッチング法により得られる導体パターンの断面概略図であ る。 基材 3上に銅箔 2で厚み tの導体パターンが設けられている。 プリン ト配線板においては、 隣接導体パターンとの電気的絶縁を確保するために 、 導体パターンのトップとボトムの両方で適切なスペースが確保される必 要がある。 トップ幅 W lあるいはボトム幅 w 2が狭くなりすぎると、 十分な 電気的特性を維持することができない。 また、 トップ幅 W lが狭くなりすぎ た場合には、 表面への部品の実装が困難になるし、 導体パターンのトップ 幅 W lがレジス トパターンのライン幅 w 3よりも著しく狭くなった場合には 、 ェツチングの最中に銅箔 2からレジス トパターン 1が剥離して導体バタ ーンが断線する等の問題も生じる。 また、 ボトム幅 w 2が狭くなりすぎた場 合には、 基材 3から導体が剥離して導体パターンが断線する等の問題が生 じる。 かかる問題を生じさせないために、 導体パターンのトップ幅 W lおよ びボトム幅 w 2が、 レジス トパターンの幅 w 3と比較して狭くなりすぎない ことが求められるのである。
銅または銅合金のエッチングに用いるエッチング液としては、 導体パ ターン幅の細り (w 3W lおよび w 3 _ w 2 ) が比較的小さい等の利点から 、 塩化鉄 (II I) の水溶液が広く使われている (例えば、 プリント回路学会 編、 プリ ント回路技術便覧、 日刊工業新聞社発行 1 9 7 8年 2月 2 8 日、 p
6 4 9〜6 5 1参照) 。 しカゝし、 従来のエッチング技術による限り、 塩化 鉄 (III) 水溶液を用いても得られるエッチファクター (2 t / [w2- w J ) の絶対値は、 理想的な場合においても 5、 現実的には高々 4程度であ る。 すなわち、 導体厚みが 9 mの場合で w3 = w2となるまでエッチング を行った場合の w3W lは理想的な場合で 3. 6 μ πι、 現実的には 4. 5 μ πι以上はあった。 エッチファクターがこの程度の場合、 配線の微細化は 銅厚 9 μ mで 4 0 mピッチ、 すなわち隣接導体パターンの中心線間隔 4 0 μ mが限界であり、 これ以下のピッチを有する微細パターンを形成させ ることは不可能であった。
米国特許第 3 1 44 3 6 8号明細書では、 サイ ドエツチを抑制するため の技術として、 塩化鉄 (III) を主成分としチォ尿素を添加したエッチング 液を用いることが提案されている。 しかし、 本技術は、 近年求められてい る非常に高密度な基板製造に用いるにはサイ ドエツチ抑制能力が不十分で あるばかり力 、 発がん性が疑われるチォ尿素を使用したり、 さらにエッチ ング液の保存 ·使用中に、 有毒でかつ悪臭物質である硫化水素ガスが発生 したりという労働衛生上および公害防止上重大な問題を有している。
さらに、 米国特許出願公開第 20 0 5/0 1 6 9 6 1号公報では、 塩化 鉄(III)等の酸化性金属塩と無機酸あるいは有機酸を成分とするエッチング 液にベンゾトリァゾール等のァゾール化合物を添加することが提案されて いる。 しかし、 本技術もサイ ドエッチ抑制能力が不十分であるばかり力 、 生分解性が一般に低いァゾール化合物を使用するという環境保全上重大な 問題を有している。
さらに、 特開昭 5 3 _ 3 04 3 5号公報では、 塩化鉄(III)または塩化銅 (II)を主成分とするエッチング液に、 特定量のシュゥ酸またはォキシカル ボン酸を添加してなるエッチング液が提案されているが、 かかるエツチン グ液は近年求められているような精密な加工を目的としたものではなく、 上記の如きピッチの細かいプリント配線板の製造に用いた場合、 エツチン グがある程度進むと、 エッチング速度が急激に増大してライン幅が急激に 細くなり、 事実上エッチングを制御することが不可能であった。 発明の開示
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は、 労働衛生上、 公害防止上、 また環境保全上の問題を回 避することができ、 従来実現が困難であった、 サイ ドエッチが僅少であり 、 高い回路密度のプリント配線板を歩留まり良く製造するために適した銅 または銅合金用のェッチング液、 銅または銅合金用のェッチング前処理液 および該ェッチング液、 エツチング前処理液を用いた銅または銅合金のェ ツチング方法を提供することにある。 課題を解決するための手段
上記目的を達成する本発明は、
1 . 水を主成分とし、 ( 1 ) 1〜 2 0質量%の塩化鉄 (I II) および (2 ) 塩化鉄に対して 5〜 1 0 0質量。 /0のシュゥ酸を含有することを特徴とす る銅または銅合金用エッチング液、
2 . 水を主成分とし、 銅または銅合金を溶解する成分及び酸から選択さ れる少なく とも 1種の成分を含有することを特徴とする銅または銅合金用 エッチング前処理液、
3 . 酸が 1価の酸である上記 2記載の銅または銅合金用エッチング前処 理液、
4 . 酸が脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸である上記 2記載の銅または銅合 金用エッチング前処理液、
5 . 銅または銅合金を溶解する成分を含み、 かつ p Hが 3以下である上 記 2記載の銅または銅合金用エッチング前処理液、
6 . 銅または銅合金を溶解する成分が、 塩化鉄 (I I I) または塩化銅 (I I ) である上記 2または 5記載の銅または銅合金用エッチング前処理液、 7 . さらに、 界面活性剤を含有する上記 2〜 6のいずれか記載の銅また は銅合金用エツチング前処理液、
8 . 上記 1記載のエッチング液を用いて被エッチング材をエッチングす ることを特徴とする銅または銅合金エッチング方法、
9 . 上記 2〜 7のいずれか記載の前処理液を用いて被エッチング材の表 面を前処理し、 次いで、 上記 1記載のエッチング液を用いて被エッチング 材をエッチングすることを特徴とする銅または銅合金エッチング方法、 お よび
1 0 . 前処理後、 被エッチング材を水洗してからエッチングする上記 9 記載の銅または銅合金エッチング方法
を提供するものである。 発明の効果
水を主成分とし、 ( 1 ) 1〜2 0質量。 /0の塩化鉄 (III) および (2 ) 塩 化鉄に対して 5〜 1 0 0質量%のシュゥ酸を含有する本発明の銅または銅 合金用のエツチング液及び該ェッチング液を用いたエッチング方法によれ ば、 著しいサイ ドエツチを生じることなく銅または銅合金をエッチングす ることができる。 また、 水を主成分とし、 銅または銅合金を溶解する成分 及び酸から選択される少なく とも 1種の成分を含有する本発明の銅または 銅合金用のェツチング前処理液及び該前処理液により前処理を行うエッチ ング方法によれば、 エッチング後、 レジス トパターンの無い部分に、 被ェ ツチング金属である銅または銅合金が粒状や筋状に残存する欠陥 (以下、 「残存欠陥」 と記す) を防ぎ、 よってこれにより製造される製品の歩留ま りを向上させることができる。
本発明の前処理液に含まれる酸が、 1価の酸であることにより、 残存欠 陥を高度に抑制することができる。 本発明の前処理液に含まれる酸が、 脂 肪族ヒ ドロキシカルボン酸であることによつても、 残存欠陥を高度に抑制 することができる。 本発明の前処理液が、 銅または銅合金を溶解する成分 を含み、 かつ p Hが 3以下であることによつても、 残存欠陥を高度に抑制 することができる。 本発明の前処理液が、 界面活性剤を含有することによ つて、 歩留まり向上効果を向上させることができる。
本発明の前処理液において、 銅または銅合金を溶解する成分が、 塩化鉄 ( I II) または塩化銅 (I I) であることで、 サイ ドエッチを増大させること や、 製造工程を複雑にすることなく歩留まりを改善することができる。 前処理後、 被エッチング材を水洗してからエッチングを行うことで、 サ ィ ドエツチを増大させることなく歩留まりを改善することができる。
すなわち、 本発明の銅または銅合金用のエッチング液、 銅または銅合金 用の前処理液および銅または銅合金のエッチング方法により、 従来困難で あった高い回路密度を有するプリント配線板のサブトラクティブ法による 製造が可能になった。 しかも、 本発明のエッチング液は、 硫化水素のよう な有毒ガスを発生せず、 また処理方法が確立された成分のみからなること から使用後の処理も容易かつ完全に行うことができ、 労働衛生上、 公害防 止上、 また環境保全上の問題を回避することも容易である。 また、 本発明 の好ましい実施態様においては、 高い回路密度を有するプリント配線板を 、 良好な歩留まりで製造できるようになった。 図面の簡単な説明
図 1はェツチング法により得られる導体パターンの断面概略図である。 図 2は歩留まり評価用のプリント配線板のパターン概略図である。
図 3は歩留まり評価用のプリント配線板の一部分の拡大概略図である。 図 1〜図 3中の符号を以下に説明する。
W l 導体パターンにおけるラインのトップ幅
w 2 導体パターンにおけるラインのボトム幅 W g レジス トパターンのライン幅
t 導体パターンの厚み (銅厚)
1 レジス トパターン
2 銅箔 (導体パターン)
3 基材 発明を実施するための最良の形態
以下、 銅または銅合金用のエッチング液を 「エッチング液」 、 銅または 銅合金用のエッチング前処理液を 「前処理液」 、 銅または銅合金のエッチ ング方法を 「エッチング方法」 という。 本発明のエッチング液、 前処理液 およびエッチング方法は、 銅または銅合金用である。 本発明における銅合 金は、 銅を 7 5質量%以上含有する合金をいい、 その例としては、 青銅、 丹銅、 白銅等が挙げられる。 銅を 7 5質量%未満しか含有しない合金に本 発明のエッチング方法を用いても、 サイ ドエツチを小さくする効果は得ら れない場合が多い。
本発明のエッチング液は、 第一の必須成分として塩化鉄(III)を含む。 本 発明のエッチング液における塩化鉄( II I )の濃度はエッチング液の総量に対 して 1〜2 0質量%とすることが必要であり、 2 ~ 1 0質量%とすること が好ましい。 塩化鉄(II I)の濃度がこれより低い場合にはェツチングの速度 が著しく遅くなつて実用的でなく、 また塩化鉄(III)の濃度がこれより高い 場合にはサイ ドエツチの抑制が不十分になるからである。
本発明のエッチング液を調製するにあたり用いる塩化鉄(I I I)の形態は特 に限定されず、 無水物または六水和物の固体を溶解して用いても、 水溶液 として市販されている塩化鉄(I I I)を適宜希釈して用いても差し支えない。 なお、 固形の塩化鉄(II I)は通常六水和物(式量 2 7 0 . 3 0 )として供給さ れるが、 本発明における塩化鉄(I I I)濃度の計算は無水物(式量 1 6 2 . 2 1 )を基準として行う。 例えば、 塩化鉄(I I I) 1 0質量%を含む本発明のェ ツチング液 1. 0 k gを調製する場合には、 塩化鉄(III)六水和物はその 1 . 0 k g X 1 0 % X ( 2 7 0. 3 0/ 1 6 2. 2 1 ) = 1 6 7 gを用いる ことになる。
本発明のエッチング液は、 第二の必須成分としてシユウ酸を含む。 シュ ゥ酸の添加量は塩化鉄(III)に対して 5〜 1 0 0質量%とすることが必要で あり、 5〜5 0質量%とすることが好ましい。 シユウ酸の添加量がこれよ りも少ない場合にはサイ ドエッチの抑制が不十分になり、 また、 シユウ酸 の添加量がこれよりも多い場合にはエッチングに非常な長時間を必要とし たり、 微細スペースが十分にエッチングされなかったり という問題が生じ るからである。
本発明のエッチング液を調製するにあたり用いるシュゥ酸の形態は特に 限定されず、 無水物または二水和物の固体を溶解して用いても、 水溶液と して市販されているシユウ酸を適宜希釈して用いてもよい。 なお、 固形の シユウ酸は通常二水和物(式量 1 2 6. 0 7)として供給されるが、 本発明 におけるシユウ酸濃度の計算は無水物(式量 9 0. 0 4)を基準として行う
。 例えば、 シユウ酸 1. 0質量%を含む本発明のエッチング液 1. O k g を調製する場合には、 シユウ酸二水和物はその 1. 0 k g X I . 0 %X (
1 2 6. 0 7/ 9 0. 0 4) = 1 4 gを用いることになる。
本発明のエツチング液を用いてエッチングを行う場合、 微細なパターン のエッチングに有利という理由から、 スプレーエッチング法を用いること が好ましく、 単位面積当たりの噴射液量を 2 5〜2 00mLZc m2 ' m i nとしたスプレーェツチング法を用いることがより好ましい。 噴射液量が これよりも少ない場合にはエッチング速度が著しく低下する場合があり、 噴射液量がこれよりも多い場合にはレジス トパターンの破壊が発生してラ インが断線する場合があるからである。
また、 本発明のェツチング液を用いてスプレーェツチングを行う場合、 スプレーノズルへのエッチング液の供給圧 (ゲージ圧、 すなわち大気圧と の相対圧。 以下同じ) は、 5 0〜 5 0 0 k P a とすることが好ましく、 1 0 0 k P a〜3 0 0 k P a とすることがより好ましい。 該供給圧が低すぎ る場合にはエッチング速度が著しく低下する場合があり、 該供給圧が高す ぎる場合にはレジス トパターンの破壊が発生してラインが断線する場合が あるからである。
本発明のェツチング液を用いてェツチングを行う場合、 ェツチング液の 温度は 1 5〜 5 0 °Cとすることが好ましく、 2 5〜 4 5 °Cとすることがよ り好ましい。 該温度がこれよりも低い場合、 細かいスペース部のエツチン グ速度が著しく低下することがあり、 また該温度がこれよりも高い場合、 サイ ドエツチの抑制が不十分になることがあるからである。
本発明のエッチング液には、 界面活性剤、 消泡剤、 アルコール、 グリコ ール等の濡れ促進剤等を含有せしめることもできるが必須ではない。
本発明のエッチング液を用いる場合、 従来のエツチング液を用いる場合 と比較して、 残存欠陥が起こりやすい問題がある。 プリント配線板の製造 においてかかる現象が発生すると、 本来絶縁されているべき隣接配線パタ ーン間に導通が生じる欠陥、 いわゆるショート欠陥になる。 被エッチング 材を取り扱う環境を清浄にすること、 例えば、 被エッチング材をクリーン ルーム等の清浄な環境で取り扱うようにしたり、 洗浄等の工程に用いる水 としてイオン交換水や、 逆浸透膜によって精製した水等の不純物の含有量 が少ない水を用いたりすることで回避することができるが、 これらの方法 は大掛かりな設備を必要とし、 またその維持 ·運転にも多量のエネルギー や労力を要するという問題がある。
かかる問題を回避するための手段として、 エッチング前の被エッチング 材を、 前処理液として、 酸を含む水溶液により処理することが有効である 。 かかる前処理液による処理により歩留まりが向上する理由は明らかでは ないが、 シュゥ酸と不溶性の塩を形成し本発明のエッチング液によるエツ チングを阻害するアル力リ土類金属イオン等による被ェツチング材表面の 汚染物質が、 かかる前処理液により除去されるためと推定される。
かかる前処理液に含まれる酸としては、 硫酸、 リン酸、 シユウ酸、 コハ ク酸、 マレイン酸等を使用することができる。 ショート欠陥の抑制効果が 高く、 歩留まりをより向上させることができる点で、 1価の酸または脂肪 族ヒ ドロキシカルボン酸がより好ましく用いられる。 かかる 1価の酸とし ては、 塩酸、 硝酸、 アミ ド硫酸、 ギ酸、 酢酸、 トリフルォロ酢酸、 ベンゼ ンスルホン酸等が例示される。 また、 ショート欠陥の抑制効果が高く、 歩 留まりをより向上させることができる点で、 脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸 、 すなわちカルボン酸基と水酸基の双方を有する脂肪族有機化合物も好ま しく使用できる。 脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸の例としては乳酸、 グリ コ ール酸、 クェン酸、 イ ソクェン酸、 ヒ ドロキシ酪酸、 リ ンゴ酸、 ダルコン 酸等が挙げられ、 そのいずれもが本発明において好適に使用される。 本発 明において、 脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸はその価数を問わず好適に使用 することができるが、 高いショート欠陥の抑制作用を得るためには、 カル ボン酸基 1個あたりの炭素数については、 4以下であることが好ましい。 本発明において、 前処理液に含まれる酸の量は 0 . 5質量%以上 1 0質 量%未満が好ましく、 1〜5質量%がより好ましい。 酸の量が少なすぎる と歩留まり改善効果が十分でなくなる場合があり、 また酸の量が多すぎる と不経済になるのみならず、 前処理中あるいはエッチング中に酸の作用に より レジス トパターンが破損し、 オープン欠陥、 すなわち、 本来残存すベ き部分の被エッチング金属がエッチングされてしまう欠陥が発生しやすく なり、 かえって歩留まりが低下する場合があるからである。 あるいはォー プン欠陥を生じさせないまでも、 レジス トパターンと被エッチング金属の 境界に少量のエッチング液が浸入し、 レジス トパターンのライン形状が直 線的であっても、 導体パターンのライン形状にうねりが生じる場合がある からである。 また、 本発明において、 前処理液に含まれる酸は 1種でも良 いし、 2種以上を併用しても良い。 本発明における、 残存欠陥を回避するためのもう 1つの手段として、 ェ ツチング前の被エッチング材を、 前処理液として、 銅または銅合金を溶解 する成分を含む水溶液により処理することも有効である。 本発明における 、 銅または銅合金を溶解する成分を含む水溶液とは、 被エッチング材をか かる前処理液に 3 0分間浸漬したとき、 被エッチング金属である銅または 銅合金が厚み 0 . 5 m以上溶解される水溶液を言う。 かかる前処理液に よる処理により、 歩留まりが向上する理由は明らかではないが、 被エッチ ング材表面に存在する各種の汚染物質が、 被エッチング材の表層にある被 エッチング金属と共に除去されるためと推定される。
かかる銅または銅合金を溶解する成分を含有する前処理液としては、 塩 化銅 (II) 水溶液、 塩化鉄 (III) 水溶液、 硫酸と過酸化水素の混合水溶液 、 過硫酸塩水溶液、 硝酸、 過ヨウ素酸カリ ウム水溶液等が挙げられる。 本発明において、 前処理液に含まれる銅または銅合金を溶解する成分の 濃度は、 0 . 0 5質量%以上 2 0質量%未満が好ましく、 0 . 5〜 1 0質 量%がより好ましい。 濃度が低すぎると歩留まり改善効果が十分でなくな る場合があり、 また濃度が高すぎると、 被エッチング金属の除去量が不均 一になり、 レジス トパターンのライン形状が直線的であっても、 導体パタ ーンのライン形状にうねりが生じる場合がある。 なお、 本発明の前処理液 力 酸と銅または銅合金を溶解する成分の両方を含む場合や、 硝酸のよう に銅または銅合金を溶解する酸を含む場合には、 上記酸の量が多すぎる場 合に発生しうる問題を回避するために、 酸の量は 5質量 °/0以下であること が好ましい。
前処理液として、 酸を含む水溶液と、 銅または銅合金を溶解する成分を 含む水溶液とのいずれがより有効であるかは一概には言えないが、 被ェッ チング材表面の汚染が軽度である場合には、 銅または銅合金を溶解する成 分のみを含む水溶液を用いる場合よりも、 酸のみを含む水溶液を用いる場 合に、 より高い歩留まりが得られるので好ましい。 また、 被エッチング材 表面の汚染が重度の場合には、 酸のみを含む水溶液を用いる場合は歩留ま り改善効果がほとんど得られないことがあるのに対し、 ある程度の歩留ま りが得られることが多い銅または銅合金を溶解する成分を含む水溶液を用 いることがより好ましい。 ここで重度の汚染とは、 例えば、 レジス トパタ ーン形成後に長時間放置された場合に、 被エッチング材表面に前記したァ ルカリ土類金属イオン等による汚染物質がこびりついた状態等をいう。 本発明において、 銅または銅合金を溶解する成分を含む前処理液を用い る場合に、 かかる前処理液の p Hが 3以下であることにより、 被エツチン グ材表面の汚染が重度である場合にも、 さらに高い歩留まりを得ることが できることが多いので好ましい。
本発明の前処理液に界面活性剤を含ませることで、 歩留まり向上の効果 が更に向上することから好ましい。 かかる界面活性剤としては、 アルキル 硫酸エステル塩、 ポリォキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、 アルキルベンゼンスルホン酸塩、 脂肪酸塩、 等のァニオン性界面活性剤、 ポリオキシエチレンァノレキノレエ一テル、 ポリオキシァノレキレン誘導体、 ソ ルビタン脂肪酸エステル、 ポリォキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル 、 ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、 グリセリ ン脂肪酸ェ ステル、 ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、 ポリオキシエチレン硬化ヒ マシ油、 ポリオキシエチレンアルキルァミン、 ァノレキルアル力ノールアミ ド、 ポリオキシエチレンァノレキノレフヱニノレエーテノレ、 ポリオキシエチレン —ポリオキシプロピレンブロック共重合体 (いわゆる、 プル口ユック系界 面活性剤) 、 脂肪酸ペンタエリスリ トールエステル等のノニオン系界面活 性剤、 アルキルアミン塩、 第四級アンモニゥム塩等のカチオン系界面活性 剤、 アルキルべタイン等の両性界面活性剤を用いることができる。 特に本 発明の前処理液の p Hが 5以下である場合には、 ァニオン系の界面活性剤
、 特にカルボン酸系の界面活性剤は有効に作用しないことがある。 また、 カチオン系の界面活性剤、 両性界面活性剤は銅の表面に吸着して後のエツ チングを阻害することがあるから、 ノ二オン系の界面活性剤を用いること が好ましい。
本発明の前処理液を用いて被ェツチング材を前処理する方法としては、 被エッチング材を前処理液に浸漬する方法、 前処理液を含有する布帛等を 用いて被エッチング材の表面を拭く方法、 被エッチング材の表面に前処理 液をかけ流す方法、 スプレーノズルを用いて被エッチング材の表面に前処 理液を噴霧する方法等があるが、 これらのうちスプレーにより噴射する方 法が、 連続的な処理を容易に行うことができ、 かつ歩留まり向上の効果が 高くなることから好ましく用いられる。
本発明において、 前処理液として塩化鉄 (III) 水溶液または塩化銅 (II ) 水溶液以外の水溶液を用いた場合、 前処理液工程とエッチング工程の間 には水洗工程を含むことが好ましい。 ェツチング液への異なる化学種がェ ツチング液に混入し、 サイ ドエツチを増大させる等の問題を引き起こすこ とがあるからである。
前処理液として、 塩化鉄 (III) または塩化銅 (Π) を用いる場合にも、 前処理液工程とエッチング工程の間に被エッチング材を水洗しても良い。 ただし、 塩化鉄 (III) または塩化銅 (II) を用いた場合には、 エッチング 液に前処理液が混入してもサイ ドエツチが増大する等の問題が生じにくい ため、 水洗工程を除いて、 工程を簡略化できるという利点がある。
なお、 本発明のエッチング液を使用後に廃棄する場合、 最も基本的な重 金属含有排水の処理工程の 1種である水酸化カルシウムを添加して p Hを 弱アルカリに調整する工程により、 含有有害化学種である鉄 (Π) イオン 、 鉄 (III) イオン、 銅 ( I ) )イオン、 銅 (Π) )イオンおよびシユウ酸ィ オンの全てが環境保全上問題のない程度まで容易に沈降除去されるため、 チォ化合物、 ァゾール化合物、 ァミン化合物を含有するエッチング液が必 要とするような、 オゾン酸化等の特殊な排水処理工程は必要と しない。 実施例
以下本発明の実施例を示す。
[実施例 1 ]
くエッチング液の調製 >
市販の 4 0° ボーメの塩化鉄(III)水溶液 (濃度 3 7質量%) 2 7 g (無 水物として 1 0 g)、 シユウ酸二水和物 0. 7 0 g (無水物として 0. 5 0 g ) に水を加え 1 k gとし、 塩化鉄(III) 1. 0質量%、 シュゥ酸0. 0 5 0質量。 /0を含むェッチング液を調製した。
<被エッチング材 1の作製 >
厚み 1. 6 mmのガラスエポキシ基材 (F R— 4規格) と厚み 1 2 μ m の電解銅箔を接着した銅貼積層板の表面に、 ポジ型液状レジス トを、 乾燥 後の厚みが 6 μ mになるように塗布 ·乾燥した。 次いでライン スペース の幅がそれぞれ 1 5 μ m/ 1 5 μ mの評価用パターンを露光後、 現像 ·水 洗してレジス トパターンを形成し、 被エッチング材 1を作製した。
<エッチング >
3 0°Cに調整した上記エッチング液を、 噴射面の直径が 6. O c mの充 円錐型スプレーノズルを用いて、 ノズルへの液供給圧 1 5 0 k P a、 噴射 量 8 8 0 mL m i n (単位面積当たり S l mL/ c n^ ' m i n) で被ェ ツチング材 1に向け噴射してエッチングを行った。 噴射時間 1 2 0秒でラ インのボトム幅 (w2) が w3と同じ 1 5 mになった。 噴射時間を w2 = w 3となる時間の 1. 2倍( 1 4 4秒)にした場合の w 2は 1 4 M m、 ライン のトップ幅 (wj は 8 /z mであった。 さらに、 噴射時間を w2 = w3とな る時間の 2. 0 ( 2 4 0秒)にした場合の w2は 1 2 μ m、 1は8 1!1で あった。
[実施例 2〜 8]
実施例 1 と同様にして、 表 1および表 2に示す濃度の塩化鉄 (III) およ びシユウ酸を含むエッチング液を調製し、 実施例 1 と同一の被エッチング 材に、 それぞれ規定の噴射条件でスプレーエッチングを行って、 ( 1 ) w2 =w3 ( 1 5 // m) となる噴射時間 X (秒) 、 (2) 噴射時間を Xの 1. 2 倍とした場合の W lおよび w2、 (3 ) 噴射時間を Xの 2. 0倍とした場合 の W lおよび w2を測定し、 結果を表 1および 2に示した。
[比較例:!〜 7]
実施例 1 と同様にして、 表 2および表 3に示す濃度の組成のエッチング 液を調製し、 実施例 1 と同一のレジス トパターン形成済み基板に、 それぞ れ規定の噴射条件でスプレーエッチングを行って、 同様の評価を行った。
表 1
Figure imgf000018_0001
表 2
Figure imgf000019_0001
表 3
Figure imgf000020_0001
実施例 1〜 8で明らかになるように、 本発明により、 従来公知のエッチ ング液を使用することでは困難であった、 サイ ドエツチの発生が極めて少 ないエッチングが可能になった。 と りわけ実施例 3〜 6の如き、 本発明の うちでも特に好適な条件でェツチングを行った場合には、 十分なスペース 幅が得られた後になお長時間エッチングを継続した場合のライン幅減少が 微小であり、 きわめて安定に所望の回路パターンを形成させることができ た。
これに対し、 本発明の必須の成分であるシユウ酸を含まない比較例 1の エッチング液や、 特許文献 1及び 2に記載されている従来公知の添加剤を 添加した比較例 2、 3のエッチング液、 シユウ酸の添加量が本発明で提案 するものよりも少ない比較例 4のエッチング液では、 本発明のエッチング 液よりも大きなサイ ドエッチが生じた。 また、 本発明の量範囲を超えてシ ユウ酸を含有する比較例 5のエッチング液では、 エッチングが進行しなか つた。 また、 特許文献 3に記載されている塩化鉄 (I I I) の濃度が本発明で 提案するものよりも高い比較例 6、 7のエッチング液では、 噴射時間 Xを 越えた後のライン幅減少が急激であり、 大きなサイ ドエツチが生じた。 [実施例 9 ]
<エッチング液の調製 >
市販の 4 0° ボーメの塩化鉄 (III) 水溶液 (濃度 3 7質量%) 1 3. 5 k g (無水物として 5. 0 0 k g ) 、 シユウ酸二水和物 1 . 4 0 k g (無 水物として 1 . 0 0 k g ) に水を加え 1 0 0 k gとし、 塩化鉄 (III) 5. 0質量%、 シユウ酸 1 . 0質量%を含むエッチング液 1 0 0 k gを調製し た。
ぐ前処理液の調製 >
水 9 8 0 gに硫酸 (濃度 9 8質量%) 2 0 gを加え、 よく混合して濃度 2. 0質量%の前処理液を調製した。
<被エツチング材 2の作製 >
厚み 4 0 mのポリィミ ド絶縁材と厚み 9 μ m銅箔の電解銅箔を接着し た銅貼積層板に、 ポジ型液状レジス トを、 乾燥後の厚みが 6 mになるよ うに塗布 ·乾燥した。 ここに、 図 2に示す評価用く し型配線を 1区画とし たレジス トパターンを 1 0 0区画形成し、 被エッチング材 2を作製した。 図 3は、 図 2の波線楕円部分の拡大図である。 評価用く し型配線は、 ライ ンノスペースが 1 5 /X m/ 1 5 μ mで構成されている。
<前処理 >
被エッチング材 2の表面に、 上記前処理液をスプレーガンで噴霧し、 ェ ツチングの前処理を行った。
ぐェツチング〉
実施例 1で用いたものと同じスプレーェツチング装置を用い、 被ェツチ ング材 2に上記ェツチング液を 9 0秒噴射して評価用プリント配線板を作 製した。
[実施例 1 0〜 2 0 ]
前処理液の組成を表 4に示すように変更した以外は、 実施例 9と同様に して、 評価用プリント配線板を作製し、 歩留まりの評価を行った。 [実施例 2 1 ]
前処理を行わなかった以外には、 実施例 9と同様にして評価用プリント 配線板を作製し、 歩留まりの評価を行った。
[実施例 2 2〜2 3 ]
前処理液の組成を表 4に示すように変更した以外は、 実施例 9と同様に して評価用プリント配線板を作製し、 歩留まりの評価を行った。
ぐ評価 >
実施例 9〜 2 3で作製した評価用プリント配線板の各区画につき、 導体 部 Aと導体部 B間の導通の有無を検査し、 導体部 Aと導体部 Bの間に導通 がなかったものを良品、 導通があったものを不良品とし、 良品数 (良品 数 +不良品数) の計算で歩留まり (%) を求めた。 導体部 Aと導体部 Bの 間に導通があることは、 両導体部間のスペース部に残存欠陥が存在するこ とで、 ショート欠陥が生じていることを意味しており、 このような場合、 同様の条件で実用に供する配線板を製造しても同様のショート欠陥が発生 しゃすい。 なお、 プリント配線板の回路パターンに発生する欠陥には、 シ ョート欠陥の他に、 オープン欠陥、 すなわち本来導通しているべき 2点間 が導通していない欠陥もあるが、 光学的な検査の結果、 実施例 9〜2 3の エッチング条件におけるオープン欠陥の発生率はショート欠陥の発生率と 比較して十分に小さく、 本評価による歩留まりの結果に実質的な影響を与 えるものではないことが確認されている。 なお、 実施例 9〜2 3のいずれ においても、 ラインのトップ幅 w 、 ラインのボトム幅 w 2は 1 2〜 1 5 μ mの範囲にあり、 サイ ドエツチの少ないエッチングが行われていた。 表 4
Figure imgf000023_0001
実施例 9〜2 0と実施例 2 1〜2 3を比較して分かるように、 塩化鉄(I I I)およびシュゥ酸を含むエッチング液でエッチングする場合に、 酸を含む 前処理液で被エッチング材を前処理することによって、 ショート欠陥の発 生の発生を抑制し、 歩留まりを向上させることができる。
実施例 9〜 1 1 と実施例 1 2〜 1 5を比較すれば分かるように、 前処理 液に用いる酸としては 1価の酸が好ましく、 これにより良好なショート欠 陥の抑制効果を得ることができる。
さらに、 実施例 9〜 1 4と実施例 1 5〜 1 7を比較すればから分かるよ うに、 前処理液に用いる酸としては脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸がさらに 好ましく、 これによりさらに良好なショート欠陥の抑制効果を得ることが できる。
また、 実施例 9と実施例 1 8、 実施例 1 3と実施例 1 9、 実施例 1 5と 実施例 2 0とを比較して分かるように、 本発明の前処理液に界面活性剤を 含有せしめることでショート欠陥の抑制効果をさらに増強することができ る。 これは、 酸を含む前処理液に界面活性剤を併用した場合に初めて得ら れる効果であり、 実施例 2 3から分かるように、 界面活性剤のみを含有す る前処理液では高度なショート欠陥の抑制効果は得られない。
[実施例 2 4 ]
被エッチング材 2に、 実施例 2 0の前処理液を噴霧し、 軽く絞った後に 質量を測定した。 その結果、 1枚の被エッチング材 2にっき 1 . 8 gの前 洗浄液が付着していることが判明した。 そこで、 前処理液による処理後水 洗しないでエッチングする場合に相当する模擬実験として、 1 0 0 0枚の 被エッチング材 2をエッチングしたときにエツチング液に混入する量に相 当する 1 8 0 0 gの前処理液を実施例 9のェツチング液に添加してェツチ ングした。
ぐ評価 >
実施例 2 0および 2 4で作製した評価用プリント配線板につき、 導体パ ターンのトップ幅 導体パターンのボトム幅 w 2を測定したところ、 実 施例 2 0の評価用プリント配線板については 1 2 . 6 μ m / 1 4 . 2 μ τ 、 実施例 2 4の評価用プリント配線板については 1 1 . 4 μ η Ζ ΐ 3 . 8 μ mであつに。.
[実施例 2 5 ] 酸を含む前処理液による処理の後に、 水洗してからエツチングした場合 に相当する模擬実験として、 実施例 9のエッチング液に 1 8 0 0 gのィォ ン交換水を添加してエッチングした。 このときの W i Z w zは 1 2 . 3 μ m / 1 3 . 9 μ mであった。
実施例 2 4と 2 5を比較して分かるように、 酸を含む前処理液による処 理の後、 水洗してからエッチングすることで、 前処理液がエッチング液に 混入することによるサイ ドエツチの増大を避けることができ、 安定してェ ツチングすることができるようになる。 ' [実施例 2 6 ]
<前処理液の調製〉
7 2 8 gの水に、 過酸化水素 (濃度 3 0質量%) 1 6 7 g、 硫酸 (濃度 9 5 % ) 1 0 5 gを加え、 よく混合して過酸化水素濃度 5 . 0質量%、 硫 酸濃度 1 0質量%の前処理液を調製した。 この前処理液の p Hをガラス電 極 p H計で測定したところ 1未満であった。 また、 実施例 9で用いた銅貼 積層板をこの前処理液に 3 0 間浸漬した後、 銅厚の減少量を測定したと ころ、 6 . 3 μ mであった。
<前処理〉
汚染が軽度の被エッチング材としては、 実施例 9の被エッチング材 2を そのまま用いた。 また汚染が重度の被エッチング材としては、 実施例 9の 被エッチング材 2を、 実験台上に汚染防止措置を講ぜずに 3 日間放置した 被エッチング材 3ものを用いた。 それぞれの被エッチング材に、 前処理液 をスプレーガンで 2 0秒噴霧し、 エッチングの前処理を行った。 前処理後 の被エッチング材はまず水道水にて洗浄、 次いでイオン交換水で洗浄した 後イオン交換水中に保存し、 次のエッチングに用いた。
ぐエッチング >
前処理を行った被エッチング材 2および 3に、 スプレーエッチング装置 を用い、 実施例 9と同じエッチング液を 9 0秒噴射して評価用プリント配 線板を作製した。
[実施例 2 7〜4 2 ]
前処理液の組成を表 1に示すように変更した以外は、 実施例 1 と同様に して、 評価用プリ ン ト配線板を作製した。 また、 各前処理液の p Hおよび 銅溶解量を測定したところ、 表 5に示すようであった。
[実施例 4 3 ]
前処理液を水とした以外は、 実施例 2 6 と同様にして評価用プリント配 線板を作製した。
[実施例 4 4 ]
前処理を行わなかった以外は、 実施例 2 6と同様にして評価用プリント 配線板を作製した。
[比較例 8 ]
エッチング液がシュゥ酸を含まないこと、 およびエッチング液の噴射時 間を 4 0秒にしたこと以外は、 実施例 4 4と同様にして評価用プリント配 線板を作製した。
[比較例 9 ]
エッチング液がシュゥ酸を含まないこと、 およびエッチング液の噴射時 間を 4 0秒にしたこと以外は、 実施例 2 6と同様にして評価用プリント配 線板を作製した。
<評価〉
実施例 2 6〜 4 4と比較例 8〜 9で作製した各評価用プリ ン ト配線板に つき、 実施例 9〜 2 3に行ったのと同様の評価を行い、 歩留まりを求めた
。 なお、 光学的な検査の結果、 実施例 2 6〜4 4のエッチング条件におけ るオープン欠陥の発生率はショート欠陥の発生率と比較して十分に小さく 、 本評価の結果に実質的な影響を与えるものではないことが確認されてい る。 また、 実施例 2 6〜 4 4のいずれにおいても、 ラインのドッブ幅 ラインのボトム幅 w 2は 1 2〜 1 5 μ mの範囲にあり、 サイ ドエツチの少な ぃェツチングが行われていた。
さらに、 レジス トパターンの縁が直線である部分につき、 形成された導 体パターンの縁形状を顕微鏡で観察し、 非常に直線的である場合を良好、 明らかにうねりが生じている場合を不良とし、 良好、 やや良好、 普通、 や や不良、 不良の 5段階に分類した。
表 5
前処理液配合
溶解量
(量の表示は全て無水物換算) PH
(μπι) (残部は全て水)
過酸化水素 5.0質量%
実施例 26 <1 6.3 硫酸 10質量%
過硫酸ナトリウム 5.0質量%
実施例 27 <1 4.1 硫酸 10質量%
塩化鉄(III) 0.030質量%
実施例 28 4 0.6 塩酸 0.0020質量%
塩化鉄(III) 0.050質量%
実施例 29 3 0.7 塩酸 0.0040質量%
塩化鉄(III) 0.50質量%
実施例 30 ぐ 1 6.3 塩酸 0.040質量%
塩化鉄(III) 5.0質量%
実施例 31 <1 9.0 塩酸 0.40質量%
塩化鉄(III) 20質量%
実施例 32 <1 9.0 塩酸 1.6質量%
塩化銅(II) 0.030質量%
実施例 33 4 0.5 塩酸 0.0080質量%
塩化銅(II) 0.050質量%
実施例 34 3 0.6 塩酸 0.015質量%
塩化銅(II) 0.50質量%
実施例 35 <1 5.6 塩酸 0.15質量%
塩化銅(II) 5.0質量%
実施例 36 <1 9.0 塩酸 1.5質量%
塩化銅(II) 20質量%
実施例 37 <1 9.0 塩酸 6.0質量%
塩化鉄(III) 0.030質量%
塩酸 0.0020質量%
実施例 38 4 0.6 ポリオキシエチレンラウリルエーテル(HLB=12.1) 0.050質
量%
塩化鉄(III) 5.0質量%
塩酸 0.40質量%
実施例' 39 <1 9.0 ポリオキシエチレンラウリルエーテル(HLB=12.1) 0.050質 実施例 40 塩酸 2.0質量% <1 0.0 ポリオキシエチレンラウリルエーテル(HLB=12.1) 0.050質
実施例 41 6 0.0 量%
塩酸 2.0質量%
実施例 42 ポリオキシエチレンラウリルエーテル(HLB=12.1) 0.050質 <1 0.0 量%
実施例 43 水のみ 6 0.0 実施例 44 なし ― - 比較例 8 なし - 過酸化水素 5.0質量%
比較例 9 1 6.3 硫酸 10質量% 表 6
Figure imgf000029_0001
実施例 2 6〜 3 9からわかるように、 塩化鉄 (I I I) およびシユウ酸を含 むエッチング液でエッチングする場合に、 被エッチング材を、 銅または銅 合金を溶解する成分を含有する前処理液で処理することで、 ショート欠陥 の発生を抑制し、 歩留まりを向上させることができる。
それに対して、 前処理液として水を用いた実施例 4 3や前処理を行わな かった実施例 4 4では、 実施例 2 6〜 3 9と比較して、 ショート欠陥が発 生し、 歩留まりが低かった。 また、 実施例 2 6〜 3 9と、 実施例 4 0およ び 4 2の比較からわかるように、 銅または銅合金に対して溶解力をもたな い酸を含有する水溶液を前処理液として用いた場合では、 汚染が軽度の被 エッチング材 2では歩留まり改善効果が得られるが、 汚染が重度の被エツ チング材 3では歩留まり改善効果が不十分であった。 そして、 シユウ酸を 含んでいない塩化鉄 (I II) 水溶液でエッチングした比較例 8、 銅または銅 合金を溶解する成分を含有する前処理液で処理し、 シュゥ酸を含んでいな い塩化鉄 (Π Ι) 水溶液でエッチングした比較例 9では、 著しいサイ ドエツ チと、 それに起因するオープン欠陥が多数発生し、 微細なパターンを有す るプリント配線板を製造することはできなかった (歩留まり 0 % ) 。
また、 実施例 2 6〜 3 9において、 特に、 実施例 2 8と実施例 2 9、 実 施例 3 3と実施例 3 4との比較からわかるように、 前処理液として p H 3 以下の酸性溶液を用いることで、 高度な水準で歩留まりの向上が実現でき る。
さらに、 実施例 2 8と実施例 3 8、 実施例 3 1 と実施例 3 9の比較から わかるように、 銅または銅合金を溶解する成分を含有する本発明の前処理 液に界面活性剤を含ませることで、 界面活性剤を含まない前処理液を用い た場合よりも高度な歩留まりの向上が実現できる。 しかし、 実施例 4 1力 らわかるように、 前処理液として界面活性剤を単独で用いた場合は、 歩留 まり向上の効果は得られず、 実施例 4 2からわかるように、 前処理液とし て銅または銅合金に対して溶解力を持たない p H 3以下の酸に界面活性剤 を含ませた溶液を用いた場合は、 汚染が軽度の被エッチング材 2では大き な歩留まり改善効果が得られるが、 汚染が重度の被エッチング材 3に対す る歩留まり改善効果は不十分であった。
なお、 実施例 2 6〜 3 9のうち、 前処理液が 1 0質量%以上の酸を含む 実施例 2 6、 2 7や、 2 0質量。ん以上の銅または銅合金を溶解する成分を 含有する実施例 3 2、 3 7には、 レジス トパターンの縁が直線であっても 、 導体パターンの縁にうねりが生じる傾向があった。
[実施例 4 5 ]
汚染が軽度の被エッチング材 2に、 実施例 2 6の前処理液を噴霧し、 軽 く絞った後に質量を測定した。 その結果、 女の被エッチング材 2にっき 1 . 8 gの前洗浄液が付着していることが判明した。 そこで、 前処理液によ る処理後水洗しないでエッチングする場合に相当する模擬実験として、 1 0 0 0枚の被エッチング材 2をエッチングしたときにエッチング液に混入 する量に相当する 1 8 0 0 gの実施例 2 6の前処理液を実施例 9のェツチ ング液に添加し、 その他の部分は実施例 2 6と同様にして評価用プリント 配線板を作製した。 この評価用プリント配線板の導体パターンのトップ幅 W lZ導体パターンのボトム幅 w2を測定したところ、 実施例 2 6の評価用 プリント配線板の 1 2. 6 μ m/ 1 4. 2 i mに対し 1 1 . 4 μ mZ 1 3 . 9 μ mであった。
[実施例 4 6 ]
前処理液による処理の後に、 水洗してからエッチングした場合に相当す る模擬実験として、 実施例 9のエッチング液に 1 8 0 0 gのイオン交換水 を添加した以外は、 実施例 2 6と同様にして評価用プリント配線板を作製 した。 本実施例で作製した評価用プリント配線板の W lZw2は 1 2. 2 μ m/ 1 3. 8 // mであった。
[実施例 4 7および 4 8 ]
実施例 4 5の如く、 それぞれの前処理液 1 8 0 0 gをエッチング液に添 加してエッチングを行った以外には、 実施例 3 1、 3 6 と同様にして評価 用プリント配線板を作製した。 これらの実施例で作製した評価用プリント 配線板の w 2は 1 2. 4 μ m/ 1 3. 9 i m、 1 2. 3 μ m/ 1 4.
0 μ mであつ 7こ。
実施例 4 7および 4 8で作製した評価用プリント配線板の w〗および w 2 は、 実施例 4 6のそれとほぼ同じであり、 前処理液として、 塩化鉄 (I I I) 水溶液または塩化銅 (I I) 水溶液を用いた場合には、 前処理工程後の水洗 をしなくても、 サイ ドエツチが増大するなどの影響が生じにくいことが分 かる。 これに対し、 実施例 4 5の如く、 前処理液が塩化鉄 (I I I) 水溶液ま たは塩化銅 (Π) 水溶液でない場合には、 作製された評価用プリント配線 板にやや大きなサイ ドエツチが生じることが分かる。 産業上の利用可能性
本発明のエッチング液は、 プリント配線板の製造のみならず、 リードフ レーム、 精密歯車、 精密板ばね、 エンコーダ用ディスクやス トライプ、 各 種ステンシルの製造等のその他各種の産業用途においても、 高度に制御さ れた銅または銅合金のェツチングが必要な場合に好適に用いることができ る。

Claims

請求の範囲
1 . 水を主成分とし、 ( 1 ) 1〜2 0質量%の塩化鉄 (I II) および (2 ) 塩化鉄に対して 5〜 1 0 0質量%のシユウ酸を含有することを特徴とする 銅または銅合金用のエッチング液。
2 . 水を主成分とし、 銅または銅合金を溶解する成分及び酸から選択され る少なく とも 1種の成分を含有することを特徴とする銅または銅合金用の ェツチング前処理液。
3 . 酸が 1価の酸である請求項 2記載の銅または銅合金用のエッチング前 処理液。
4 . 酸が脂肪族ヒ ドロキシカルボン酸である請求項 2記載の銅または銅合 金用のエッチング前処理液。
5 . 銅または銅合金を溶解する成分を含み、 かつ p Hが 3以下である請求 項 2記載の銅または銅合金用のェツチング前処理液。
6 . 銅または銅合金を溶解する成分が、 塩化鉄 (II I) または塩化銅 (II) である請求項 2または 5記載の銅または銅合金用のェツチング前処理液。
7 . さらに、 界面活性剤を含有する請求項 2〜 6のいずれか記載の銅また は銅合金用のェツチング前処理液。
8 . 請求項 1記載のエッチング液を用いて被エッチング材をエッチングす ることを特徴とする銅または銅合金のェツチング方法。 9 · 請求項 2〜 7のいずれか記載の前処理液を用いて被ェツチング材の表 面を前処理し、 次いで、 請求項 1記載のエッチング液を用いて被エツチン グ材をェツチングすることを特徴とする銅または銅合金工ツチング方法。 1 0 . 前処理後、 被エッチング材を水洗してからエッチングする請求項 9 記載の銅または銅合金のエツチング方法。
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