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Technisches
Feld
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Die
Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung in Verbindung mit der
Lithographie von Strukturen im Nanometerbereich, welche ein erstes
Hauptbauteil mit einer ersten im wesentlichen ebenen Oberfläche und
ein zweites Hauptbauteil mit einer zweiten im wesentlichen ebenen
Oberfläche
enthält, und
bei der die erste und die zweite Oberfläche einander gegenüberliegen
und im wesentlichen parallel im Verhältnis zueinander mit einem
verstellbaren Intervall zwischen ihnen stehen, und bei der die erste und
die zweite Oberfläche
so angeordnet sind, einen Träger
für ein
Substrat beziehungsweise eine Maske oder umgekehrt zu bilden. Die
Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Verfahren in Verbindung
mit der Lithographie von Strukturen im Nanometerbereich. Die Erfindung
ist anwendbar in Verbindung mit Nanobedruck-Lithographie auf Halbleitermaterialien
wie Silicium, Indiumphosphid oder Galliumarsenid zur Herstellung
von Halbleiterkomponenten, aber auch in Verbindung mit Nanobedruck-Lithographie
auf anderen festen Materialien, wie keramische Materialien, Metalle
oder Polymere mit einer relativ hohen Glasübergangstemperatur, beispielsweise
zur Verwendung in Biosensoren.
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Stand der
Technik
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Der
Trend in der Mikroelektronik geht in Richtung immer kleinerer Dimensionen.
Die Entwicklung war im Prinzip so, dass die Dimensionen jedes dritte Jahr
halbiert wurden. Kommerzielle Komponenten werden jetzt mit Strukturen
einer Größe von ungefähr 200 nm
hergestellt, jedoch besteht die Notwendigkeit, mit den Dimensionen
noch weiter herunter zu gehen, bis unter 100 nm. Die Forschung,
die sich mit Komponenten befasst, die auf Quantumseffekten basieren,
ist zurzeit hochaktuell und es wird ein Bedarf geschaffen für eine kommerziell
anwendbare Herstellungstechnik für
Komponenten mit Dimensionen unter 10 nm. Diese Nanokomponenten können für Forschungszwecke
derzeit unter Benutzung einer seriellen Technologie in einzelnen
Exemplaren hergestellt werden, jedoch wird für die Massenproduktion eine
parallele Produktionsmethode benötigt.
Eine parallele Produktionsmethode dieser Art, die kürzlich entwickelt
wurde, ist Nanobedruck-Lithographie (NIL),
US 5772 905 , welche die grundlegenden
Voraussetzungen für
die Massenproduktion von Strukturen nahe des atomaren Maßstabs geschaffen
hat, siehe Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, Wei Zhang, Lingjie
Guo and Lei Zhuang: „Sub-10nm
imprint lithography and application", J. Vac. Sci, Technol. B, Vol. 15,
No. 6 (1997). Mehrere Forschungsberichte sind zu diesem Thema präsentiert
worden, jedoch war diese Methode bis jetzt auf Nanobedrucken auf
Komponenten mit einer kleinen Gesamtfläche, typischerweise nur ein
paar Quadratzentimetern beschränkt, siehe
Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, and Preston J, Renstorm: „Nanoimprint
lithography", J.
Vac. Sci, Technol. B, Vol. 14, 4129 (1996); K. Pfeiffer, G. Bleidiessel,
G. Gruetzner, H. Schulz, T. Hoffmann, H.-C. Scheer, C.M. Sotomayor
Torres and J. Ahopelto: „Suitability
of new polymer materials with adjustable glass temperature for nanoimprinting", Proceeding of Micro-
and Nano-Engineering Conference (1998); and Leuven, Bo Cui, Wei
Wu, Linshu Kong, Xiaoyun Sun and Stephen Y. Chou: „Perpendicular
quantized magnetic disks with 45 Gbits on a 4 × 4 cm
2 area", J. Appl. Phys.
Vol. 85, 5534 (1999).
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Dennoch
wurde noch keine kommerzielle Betriebsanlage für NIL präsentiert, was zum größten Teil
auf die Tatsache zurückzuführen ist,
dass ein völlig
neuer Ansatz für
die Herstellung von Strukturen im Nanometerbereich erforderlich
ist. Die Produktion derart kleiner Dimensionen stellt wesentlich
höhere Anforderungen
an alle einzelnen Prozessschritte als zuvor, wobei neue Prozessmaterialien,
neue Konzeptionen und neue technische Lösungen entwickelt werden müssen. Der
Bedarf für
Massenproduktion von Strukturen im Nanometerbereich ist jedoch groß, und ermöglicht völlig neue
Möglichkeiten
zur Entwicklung von kompakten Schaltkreisen und Sensoren für verschiedene
Anwendungen mit einer wesentlich größeren Empfindlichkeit als die
von heute.
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Das
grundlegende Prinzip von NIL ist die mechanische Deformation einer
dünnen
Filmschicht, die auf einer ebenen Siliciumplatte aufgetragen ist.
Der NIL-Prozess
kann mit dem Produktionsprozess von CDs verglichen werden und in
drei Stufen beschrieben werden:
- 1. Produktion
einer Maske: Eine Maske kann aus verschiedenen Materialien wie z.B.
Metallen, Halbleitern, Keramik oder verschiedenen Kunststoffen produziert
werden. Um eine dreidimensionale Struktur auf der Oberfläche der
Maske zu schaffen, können
verschiedene lithographische Methoden verwendet werden, abhängig von
den Anforderungen für
die Größe der Struktur
und ihre Auflösung.
Elektronenstrahl- und Röntgenstrahl-Lithographie
werden normalerweise für Strukturen
kleiner als 300 nm benutzt. Direkte Laser-Einwirkung und UV Lithographie
werden für größere Strukturen
verwendet.
- 2. Bedrucken: Eine dünne
Schicht eines Polymers, z.B. Polyamid, wird auf ein ebenes Siliciumsubstrat
aufgetragen. Die Schicht wird erhitzt und bei einer gewissen Temperatur,
der so genannten Bedruck-Temperatur, werden die vorher definierte Maske
und Substrat zusammengepresst, wobei das Negativ der Maskenstruktur
in die Polymerschicht auf das Substrat übertragen wird.
- 3. Strukturtransfer: In den Flächen, die in die Polymerschicht
gepresst werden, verbleibt eine dünne Polymerschicht. Der letzte
Schritt ist die Entfernung dieser dünnen übriggebliebenen Schicht auf dem
Substrat. Dies wird in einer so genannten „RIE" oder Sauerstoffplasmaeinheit durchgeführt. Je
dünner
diese übriggebliebene
Schicht ist, desto feiner sind die Strukturen, die unter Benutzung des
Nanobedruck-Prozesses erzeugt werden können.
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In
der Bedruck-Stufe (2) ist es unerlässlich, dass die Maske und
das Substrat absolut parallel in Bezug zueinander angeordnet sind.
Bei bekannten Vorrichtungen gibt es eine Vielzahl von Fehlerquellen,
welche Probleme wegen einer fehlenden Parallelität hervorrufen. In einigen der
bekannten Vorrichtungen, wie z.B. im „Flip-Chip-Bonder", wird die Parallelität daher
gemessen, davon gefolgt, dass eine mechanische Ausrichtung unter
Benutzung spezieller Vorrichtungen, wie zum Beispiel piezo-elektrischer
Komponenten, vorgenommen wird, um sicherzustellen, dass die Oberflächen parallel
in Bezug zueinander bleiben. Siehe Alberto Jaramillo-Nunez, Carlos
Robledo-Sanchez, and Alejandro Cornejo-Rodriguez: "Measuring the parallelism
of transparent and non-transparent plates", Optical Engineering – Dec. 96 – Vol. 35,
Issue 12, pp. 3437–3441.
Diese Art von Messung und Ausrichtung ist kompliziert, und ist selbst
mit Fehlerquellen behaftet, was die Parallelität zwischen der Maske und dem
Substrat erschwert.
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Des
weiteren sind strukturelle Variationen im Material auf der Oberfläche der
ebenen Platte vorhanden, oder, in anderen Worten, es existiert im
Nanometer-Maßstab eine
Unebenheit in der Oberfläche jeder
Platte (Maske und Substrat), selbst wenn die Platten poliert werden.
Diese Unebenheiten führen zu
einer unerwünschten
ungleichen Verteilung von Kräften über die
Oberflächen,
wenn die Maske und das Substrat zusammengepresst werden, was wiederum
in einer ungleichmäßig vertieften
Struktur auf dem Substrat resultiert. Dies ist besonders kritisch
für den
Druckprozess, wenn die Platten groß sind, z.B. wenn die Größe der Oberflächen über 50 mm
im Durchmesser ist.
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Es
sind daher zwei Hauptprobleme für
die kommerzielle Produktion von Strukturen im Nanometerbereich zu
lösen,
wenn die Bedruck-Technologie verwendet wird. Ein Problem ist die
parallele Ausrichtung der ebenen Oberflächen, die zusammengepresst
werden, und das andere Problem ist, eine gleichmäßige Verteilung der Kräfte über die
gesamte ebene Oberfläche
bereitzustellen. Die Lösung
dieser Probleme ist eine Voraussetzung für einen kommerziellen Nanobedruck-Lithographie-Prozess
für Materialien
von Halbleiterkomponenten auf Oberflächen mit Gesamtflächen, welche
größer als
ungefähr
7–20 cm2 groß sind.
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Kurze Darstellung
der Erfindung
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung und
ein Verfahren in Verbindung mit der Lithographie von Strukturen
im Nanometerbereich anzugeben, durch welche die oben genannten Probleme
bezüglich
der Parallelität
zwischen dem Substrat und der Maske sowie einer ungleichmäßigen Verteilung
von Kräften
beim Zusammendrücken gelöst werden.
Insbesondere sind die Vorrichtung und das Verfahren für Nanobedrucken
von Strukturen auf Materialien für
Halbleiterkomponenten entwickelt worden, welche Gesamtflächen, normalerweise kreisförmige Flächen, größer als
7–20 cm2 haben, können aber ebenso für Nanobedrucken
von Strukturen auf anderen Materialien angewendet werden, die eine
gewisse Starrheit haben, das heißt, dass sie nicht flexibel
sind. Natürlich
kann die Erfindung auch für
das Nanobedrucken von Strukturen auf Materialien angewendet werden,
die kleinere Gesamtflächen haben.
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Erfindungsgemäß wird eine
Vorrichtung entsprechend des Oberbegriffs präsentiert, dadurch gekennzeichnet,
dass das zweite Hauptbauteil ebenfalls eine Vertiefung für ein Medium,
und Mittel zum Einstellen des Drucks dieses Mediums enthält, und dass
eine Wand der Vertiefung aus einer flexiblen Membran besteht, von
der eine Seite, welche von der Vertiefung abgewandt ist, die zweite
Oberfläche
bildet.
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Gemäß der Erfindung
wird die Maske durch eine flexible Membran gestützt, welche an ihrer gegenüberliegenden
Seite, zur selben Zeit wie das Substrat oder umgekehrt, mit Druck
beaufschlagt und durch eine fixierte und stabile Oberfläche gehalten wird.
Hierdurch werden das Substrat und die Maske absolut parallel in
Bezug zueinander angeordnet, und zur gleichen Zeit wird die Verteilung
der Kraft beim Zusammenpressen des Substrats und der Maske über die
Oberflächen
des Substrats und der Maske absolut gleichmäßig. Die Erfindung baut, einfach aber
brillant, auf einer Benutzung physikalischer Prinzipien auf, welche
die Notwendigkeit für
zeitaufwendiges, teures und unzuverlässiges Messen und Ausrichten
der Parallelität
zwischen Substrat und Maske eliminiert.
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Gemäß eines
Aspekts der Erfindung besteht die Membran aus einem flexiblen Material,
vorzugsweise aus einem polymeren Material oder einem dünnen Metall,
besonders bevorzugt aus Kunststoff, Gummi oder dünnem Metall, wobei die Membran eine
Dicke von bis zu 10 mm, vorzugsweise bis 3 mm, und besonders bevorzugt
bis zu 1 mm aufweist. Es gibt keine untere Grenze für die Dicke
der Membran, abgesehen von einer praktischen, in der das Äußerste eine
Membran mit einer Dicke ist, die einer einzelnen Atomschicht entspricht,
was zumindest in der gegenwärtigen
Situation nahezu unmöglich
ist. Die Membran wird im Falle des zweiten Hauptbauteils am besten
am Rand der Membran, an den Kanten der Vertiefung, und ansonsten
auslenkbar befestigt.
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Gemäß eines
anderen Aspekts der Erfindung besteht das Medium aus einem Gas oder
einer Flüssigkeit
mit geringer Kompressibilität,
vorzugsweise aus einem Öl
und besonders bevorzugt aus Hydrauliköl. Es kann auch ein einfaches Öl, wie zum Beispiel
Bremsflüssigkeit,
verwendet werden. Die Vertiefung soll hydraulisch mit besagtem Medium
befüllt
werden, wobei die Vorrichtung ebenfalls Mittel zum Einstellen des
Drucks in der Vertiefung auf 1–500
bar (Überdruck),
bevorzugt 1– 200
bar, und besonders bevorzugt 1–100
bar während
der eigentlichen Bedruck-Stufe
beinhaltet. Während
dem Erhitzen des Substrats vor der Bedruck-Stufe, kann der Druck
hier eingestellt werden auf 1–5
bar, und im Anschluss an das Erhitzen, während der eigentlichen Bedruck-Stufe,
kann der Druck eingestellt werden auf 5–500 bar, bevorzugt 5–200 bar
und noch weiter bevorzugt 5–100
bar. Natürlich
kann der Druck auch auf null eingestellt werden.
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Gemäß eines
noch anderen Aspekts der Erfindung beinhaltet die Vorrichtung ebenfalls
Mittel zum Erhitzen, z.B. elektrische oder mechanische Mittel, oder
Mittel zur Bestrahlung, und Mittel zum Kühlen des Substrats, zum Beispiel
mittels eines Kühlmediums.
Erhitzen und Kühlen
können
so eingestellt werden, dass Substrattemperaturen typischerweise zwischen
30 und 300°C
erreicht werden.
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Mit
der Vorrichtung und dem Verfahren gemäß der Erfindung können auf
eine schnelle, einfache und billige Weise genau definierte Strukturen
im Nanometerbereich auf starren Materialien mit Gesamtflächen, welche
größer als
7–20 cm2 sind, zum Beispiel Materialien mit einer
maximalen Weite oder einem maximalen Durchmesser von bis zu 150
mm, vorzugsweise 250 mm, besonders bevorzugt 350 mm oder sogar länger erzeugt
werden. Ein Nanobedruck-Zyklus gemäß der Erfindung dauert typischerweise
weniger als 4 Minuten, oder weniger als 3 Minuten, oft um die 2
Minuten. Die Strukturen im Nanometerbereich können hier unter 100 nm in individuellen
Strukturen, oder unter 50 nm, oder sogar unter 10 nm herunter gehen.
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Die
Erfindung ist auf Nanobedruck-Lithographie auf Halbleitermaterialien,
wie Silicium, für
die Herstellung von Halbleiterkomponenten anwendbar. Überraschenderweise
ist herausgefunden worden, dass Nanobedruck-Lithographie durch Mittel
der Erfindung auf anderen Halbleitermaterialien wie zum Beispiel
Indiumphosphid (InP) oder Galliumarsenid (GaAs) durchgeführt werden
kann. Diese Materialien unterscheiden sich von Silicium dadurch,
dass sie wesentlich zerbrechlicher und daher wesentlich empfindlicher
gegenüber
einer ungleichmäßigen Kraftverteilung
durch Nanobedrucken sind. Kein anderes Verfahren oder andere Vorrichtung
ist zuvor präsentiert
worden, welche in der Lage ist, Nanobedrucken auf zerbrechlichen
Halbleitermaterialien wie Indiumphosphid und Galliumarsenid durchzuführen. Die
Erfindung kann jedoch auch in Verbindung mit Nanobedruck-Lithographie
auf anderen starren Materialien, wie zum Beispiel keramische Materialien,
Metalle oder Polymere mit einer relativ hohen Glasübergangstemperatur
beispielsweise zur Verwendung in Biosensoren angewendet werden.
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Beschreibung
der Zeichnungen
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Die
Erfindung wird detailliert in Bezug auf die Figuren beschrieben,
in welchen
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1 eine
erste Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
in einem seitlichen Querschnitt,
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2a eine
zweite Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
in einem seitlichen Querschnitt zeigt, und außerdem, wie das erste Hauptbauteil
der Vorrichtung verschoben werden kann,
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2b die
Ausführungsform
gemäß 2a in
einer perspektivischen Darstellung,
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3a & 3b die
Vorrichtung gemäß 1 oder 2 beim Zusammenpressen des Substrats und
der Maske,
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4 eine
erfindungsgemäße Vorrichtung, in
einem seitlichen Querschnitt zeigt, inklusive der Vorrichtungen
zum Erhitzen und Kühlen
des Substrats,
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5 eine
Vorderansicht der Vorrichtung gemäß 4 zum Erhitzen
des Substrats,
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6 eine
Vorderansicht der Vorrichtung gemäß 4 zum Kühlen des
Substrats,
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7 ein
alternatives Verfahren zum Erhitzen des Substrats,
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8a eine
Seitenansicht im Querschnitt einer Vorrichtung zum Halten des Substrats
oder der Maske durch Vakuum,
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8b eine
Vorderansicht der Vorrichtung in 8a,
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9a eine
Vorderansicht eines zweiten Hauptbauteil als gemäß der Erfindung zeigt, welche eine
Vorrichtung nach 8 umfasst,
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9b eine
Vorrichtung gemäß 9a,
gesehen von der Seite im Querschnitt,
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10a eine Vorderansicht einer alternativen Ausführungsform
eines zweiten Hauptbauteils gemäß der Erfindung,
welche eine Vorrichtung gemäß Figur
acht umfasst,
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10b eine Vorrichtung gemäß 10a, gesehen
von der Seite im Querschnitt,
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11a eine Vorderansicht einer alternativen Vorrichtung
zum Halten des Substrats und der Maske unter Vakuum,
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11b eine Seitenansicht im Querschnitt der Vorrichtung
gemäß 11a zeigt,
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11c eine Vorrichtung gemäß 11b in einer
Seitenansicht im Querschnitt mit Substrat und Maske darauf,
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12a eine Seitenansicht im Querschnitt einer wiederum
anderen Alternativen Vorrichtung zum Halten des Substrats und der
Maske unter Vakuum,
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12b die Vorrichtung gemäß 12a in einer
Seitenansicht im Querschnitt mit Substrat und Maske darauf,
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13 ein
Diagramm der Substratstemperaturen und druckt, als Funktion der
Zeit, für
einen Produktionszyklus,
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14a ein Rasterelektronenmikroskop-Bild der Maske,
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14b–d
Rasterelektronenmikroskop-Bilder verschiedener Strukturen im Nanometerbereich zeigt,
welche mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung
und des erfindungsgemäßen Verfahrens
erhalten wurden.
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Die
Bezugszeichennummer 1 in 1 repräsentiert
ein erstes Hauptbauteil in einer bevorzugten Ausführung einer
erfindungsgemäßen Vorrichtung. Dieses
erste Hauptbauteil 1 umfasst eine erste im wesentlichen
ebene Grundplatte 2, welche vorzugsweise so angeordnet
ist, dass sie in einer Richtung, die mit der Normalen ihrer Oberfläche 2a,
welche in die Richtung eines zweiten Hauptbauteils 3 zeigt, versetzt
werden kann. Eine im wesentlichen ebene Trägerplatte 4, auf der
das Substrat 5 platziert werden soll, kann auf dieser Oberfläche 2a befes tigt
werden. Alternativ kann das Substrat 5 direkt auf der Oberfläche 2a platziert
werden. Das Substrat umfasst beispielsweise, gemäß der bekannten Methode für Nanobedruck-Lithographie,
auf seiner Oberfläche 5a,
welche in Richtung des zweiten Hauptbauteil des 3 zeigt,
eine Siliciumplatte mit einer dünnen
Schicht, beispielsweise aus Polyamid, bevorzugt Polymethylmethacrylat
(PMMA). Das Substrat 5 ist vorzugsweise kreisförmig. Die
Hauptbauteile 1 und 3 haben vorzugsweise eine
rotationssymmetrische Gestaltung.
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Das
zweite Hauptbauteil 3 hat eine Vertiefung 6, welche
durch einen Boden 7 und, wie im Beispiel gezeigt, eine
kreisförmig-zylindrische
Seitenwand 8 gebildet wird. Als ein Dach für die Vertiefung 6,
ist eine ebene, flexible Membran 9 dem Boden 7 gegenüber angeordnet.
Diese Membran 9 besteht in dem gezeigten Beispiel aus einer
Gummimembran, einer Seite 9a, welche eine Lagerung für die Maske 10 bildet,
und einen Durchmesser oder eine maximale Weite von 25–400 mm,
bevorzugt 50–350
mm hat. Die Membran hat eine Dicke von bis zu 10 mm, bevorzugt bis
zu 3 mm und besonders bevorzugt bis zu einem Millimeter. Die Maske 10 besteht,
gemäß der bekannten
Methoden für
Nanobedruck-Lithographie, aus
einer Platte beispielsweise aus Metall, welche mit einem feinen
Strukturmuster mit Dimensionen im Nanometerbereich auf ihrer Oberfläche 10a,
welche in Richtung des ersten Hauptbauteils 1 zeigt, ausgestattet
ist.
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Die
Membran 9 ist auf dem zweiten Hauptbauteil 3 entlang
des Randes der Membran 9 an den Kanten der Vertiefung 6 mittels
einer Fixiervorrichtung befestigt. Ein Ring 11, welcher
im gezeigten Beispiel kreisförmig
ist, wird als Fixiervorrichtung benutzt und ist so angeordnet, dass
er die Kantenränder
der Membran 9 fest zwischen sich selbst und den freien Kanten
der Seitenwände 8 presst.
Entlang seiner inneren kreisförmigen
Kante, auf der Seite, die in Richtung der Membran zeigt, ist der
Ring 11 vorzugsweise abgefast 11a, um so eine
weiche Biegung für
die Membran 9 am Übergang
vom Ring 11 bereitzustellen. Das Risiko der Bildung von
Rissen oder Einkerbungen in der Membran 9 wird dadurch
reduziert und die Lebensdauer erhöht.
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Die
Vertiefung 6 ist dazu gedacht, ein Medium, vorzugsweise
Hydrauliköl,
aufzunehmen, welches durch einen Einlasskanal 12, der in
der Seitenwand 8 oder im Boden 7 der Vertiefung
(wie in 9b gezeigt) angeordnet sein
kann, mit Druck beaufschlagt werden kann. Die Druckbeaufschlagung geschieht
mittels einer Pumpe (nicht gezeigt), welche am besten so angepasst
ist, dass sie einen Druck mit sehr kleinen Variationen bereitstellt.
Dies kann beispielsweise mittels eines Proportionalventils erreicht werden.
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Das
zweite Hauptbauteil 3 beinhaltet ebenfalls eine zweite
im wesentlichen ebene Grundplatte 13, welche eine Lagerung
für den
Teil mit der Vertiefung 6 bildet.
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2a zeigt
eine zweite Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Vorrichtung,
eine im wesentlichen ebene Trägerplatte 14,
welche zwischen der Membran 9 und der Maske 10 angeordnet
ist. Die Trägerplatte 14 hat
eine Dicke von 0,1–30
mm, bevorzugt 0,1–20
mm, weiter bevorzugt 0,1–10
mm, und besonders bevorzugt 0,1–5
mm, und kann in Materialien wie einem Metall, einem Halbleitermaterial oder
einem keramischen Material, wie z.B. rostfreier Stahl, Siliciumcarbid
oder Aluminiumoxid ausgeführt werden.
Die oben genannte Trägerplatte 4 hat
am besten diese Dimensionen und ist am besten in Materialien des
selben Typs ausgeführt.
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Die
Trägerplatte 14 auf
dem zweiten Hauptbauteil 3 besteht vorteilhafter Weise
aus einem Material, das ein guter thermischer Isolator ist, das
heißt, welches
eine niedrige thermische Konduktivität besitzt.
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Die
Trägerplatte 14 bildet
eine Fixiervorrichtung für
die Maske 10, was im Detail in Verbindung mit 9 erklärt
ist. In dieser Ausführung
hat der Ring 11 vorzugsweise ein Distanzstück 11b und
eine Lippe 11c, welche verhindert, dass die Trägerplatte 14 vom
Hauptbauteil 3 herunterfällt, bevor beide Hauptbauteile
zusammengebracht werden, zumindest wenn das Hauptbauteil 3 über dem
Hauptbauteil 1 angeordnet ist.
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2a zeigt
außerdem
mittels der Pfeile, wie das Hauptbauteil 1 angeordnet ist,
um im Verhältnis
zum Hauptbauteil 3 in eine radiale Richtung versetzt zu
werden, das heißt,
in eine Richtung, die parallel zu den Oberflächen 2a und 9a auf
den Hauptbauteilen 1 und 3 ist. Die Grundplatte 2 kann
hier einen befestigten Teil 2b haben, der von der Oberfläche 2a und
einem beweglichen Teil 2 weg zeigt. Die Versetzung wird
in Verbindung mit dem Austausch von Maske und/oder Substrat ausgeführt. 2b zeigt
die Ausführungsform
gemäß 2a perspektivisch.
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3a und
b zeigen die Vorrichtung gemäß 1 oder 2, wenn der Druck in der Vertiefung 6 erhöht worden
ist, so dass die Maske 10 und Substrat 5 aufgrund
der Flexibilität
der Membran 9 zusammengepresst werden, zum Übergang
der Struktur im Nanometerbereich von der Oberfläche der Maske 10a auf
die Oberfläche 5a des
Substrats.
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4 zeigt,
dass das Hauptbauteil 1 für das Substrat 5 auch
Mittel 15 zum Erhitzen des Substrats, und Mittel 16 zum
Kühlen
des Substrats umfassen kann. Im bevorzugten gezeigten Beispiel bestehen
die entsprechenden Mittel 15, 16 zum Erhitzen und
Kühlen
aus Trägerplatten,
welche zwischen dem Substrat 5 und der Trägerplatte 2 angeordnet
sind, vorzugsweise in der Abfolge Substrat 5, Trägerplatte 4 (mit
Vakuum zum Halten des Substrats), Trägerplatte 16 zum Kühlen, Trägerplatte 15 zum
Erhitzen, und Grundplatte 2. Die Trägerplatte 15 zum Erhitzen des
Substrats besteht am besten aus einem Material, das eine gute thermische
Isolierkapazität
besitzt, wie zum Beispiel einem keramischen Material wie einem keramischen
Isolator oder einem keramischen Verbundwerkstoff, zum Beispiel Macor.
Die Trägerplatte 16 zum
Kühlen
des Substrats besteht am besten aus einem Material, das eine gute
thermische Konduktivität
besitzt, wie zum Beispiel Siliciumcarbid, rostfreier Stahl, Aluminium
oder Aluminiumoxid in beliebiger Form. Die Trägerplatten 15 und 16 haben
vorzugsweise eine Dicke im selben Bereich wie die Trägerplatte 14,
wie oben angegeben.
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5 zeigt,
wie die Trägerplatte 15 eine elektrische
Heizspule 17 beinhalten kann, welche in einer Vertiefung
in der Oberfläche
der Trägerplatte 15 verlegt
ist. Die Heizspule/Vertiefung 17 ist in der gezeigten Ausführungsform
als eine Doppelspule ausgeführt,
aber kann natürlich
auch andere Formen haben. Analog kann die Trägerplatte 16 gemäß 6 einen
Kanal 18 für
ein Kühlmedium,
zum Beispiel ein Gas wie Luft, Stickstoff oder ein anderes, oder
eine Kühlflüssigkeit
wie Wasser oder eine andere, beinhalten. Der Kanal 18 im
gezeigten Ausführungsbeispiel
ist als Doppelspule ausgebildet, aber kann natürlich auch andere Formen haben.
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7 zeigt
eine alternative Ausführungsform,
in welcher das Erhitzen des Substrats 5 per Bestrahlung
R' des Substrats über die
Grundplatte 2 und einer Trägerplatte 4 oder 16 durchgeführt wird. Die
verwendete Strahlung R' kann
zum Beispiel IR-Strahlung sein (die Trägerplatte 16 ist am
besten in Siliciumcarbid ausgeführt)
oder Strahlung, die Radiofrequenzen, das heißt Frequenzen von 10 MHz und
darüber,
benutzt, wobei die Vorrichtung Mittel (nicht dargestellt) für die Erzeugung
solcher Strahlung enthält.
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8a und
b zeigen, wie die Grundplatte 4 mit Vorrichtungen zum Halten
des Substrats 5 mit Vakuum ausgestattet sein kann. Die
Trägerplatte
hat eine Vertiefung 19 in beiden Oberflächen der Trägerplatte 4, eine
kreisförmige
Vertiefung im gezeigten Beispiel. Die beiden Vertiefungen 19 sind
miteinander an einem Punkt 20 mit mindestens einem Loch miteinander
verbunden, dass sich durch die Platte 4 fortsetzt. In der
Vertiefung 19 und Loch 20 wird ein Vakuum mittels
einer Verbindung (nicht dargestellt) zu einem Vakuumgebläse durch
die Grundplatte 2 erzeugt. Mit Hilfe dieser Vakuumvorrichtung
wird das Substrat 5 fest an die Grundplatte 4 angesaugt
und die Grundplatte 4 wird an die Trägerplatte 16 zum Kühlen oder
direkt an die Grundplatte 2 gesaugt. Es soll hier angemerkt
werden, dass auch, oder alternativ, die Grundplatte 15 zum
Erhitzen und/oder die Trägerplatte 16 zum
Kühlen
mit Vorrichtungen zum Halten durch Vakuum auf der Grundplatte 4 und
der Grundplatte 2 ausgestattet sein können.
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9a und 9b zeigen,
dass die Trägerplatte 14,
welche in diesem Fall zwischen der Maske 10 und der Membran 9 angeordnet
ist, auch aus einer Trägerplatte
mit einer Vakuumvorrichtung 19, 20 bestehen kann.
Für die
Vertiefung 19 und das Loch 20 ist in diesem Fall
ein Kanal 21 zur Verbindung zu einem Vakuumgebläse (nicht
dargestellt) vorgesehen, vorzugsweise direkt mit dem Loch 20 verbunden. Auch
in diesem Fall kann auf dem Ring 11 ein abgefastes Teil 11a vorgesehen
sein, welches zwischen der Membran 9 und der Vakuum-Trägerplatte 14 liegen
kann. 9a zeigt die Trägerplatte 14 ohne
eine Maske darauf, während 9b eine
Trägerplatte 14 mit
einer Maske darauf zeigt. Es wird auch gezeigt, wie der Einlasskanal 12 am
Boden des Hauptbauteils 3 die Grundplatte 13 durchdringend
angeordnet werden kann.
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Der
Herstellungszyklus für
Nanobedrucken eines Substrats 5 soll im folgenden ausgehend
von den Figuren beschrieben werden. In der Startphase werden beide
Hauptbauteile 1 und 3 gemäß 2 relativ
zueinander in einer axialen und radialen Richtung versetzt. Das
Substrat 5 ist auf der Trägerplatte 4 angeordnet
und die Maske 10 ist auf der Membran 9 oder Trägerplatte 14 angeordnet.
Das Substrat und die Maske werden am besten mittels eines Vakuums in
ihrer Position gehalten, jedoch sind auch andere Methoden denkbar.
Das erste Hauptbauteil 1 wird in einer radialen Richtung
in eine Position relativ zu dem zweiten Hauptbauteil 3 versetzt,
um dann in einer axialen Richtung in Richtung des selben versetzt zu
werden. Diesbezüglich
wird die Versetzung am besten in einer axialen Richtung ausgeführt, so
dass ein schmaler Intervall von z. B. bis zu 10 mm, bevorzugt bis
zu 5 mm und besonders bevorzugt bis zu 1 mm zwischen dem Ring 11 und
der Trägerplatte 4 oder
Grundplatte 2, wenn die Trägerplatte 4 fehlt, weiterhin
erhalten bleibt. Dies ist in 3a gezeigt. Alternativ
wird die axiale Versetzung so durchgeführt, dass der Ring 11 oder
seine Lippe 11c gegen die Trägerplatte 4 oder Grundplatte 2 anstößt. Dies
ist in 3b gezeigt, wobei die Dimensionen
der einzelnen Komponenten so angepasst sind, dass ein schmaler Intervall
entsprechend dem oben genannten Intervall zwischen dem Substrat 5 und
der Maske 10 weiterhin verbleibt, wenn die beiden Hauptbauteile 1 und 3 zusammenkommen.
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Nach
der axialen Versetzung der Hauptbauteile wird der Druck des Mediums
in der Vertiefung durch den Einlasskanal 12 auf ungefähr 1–5 bar erhöht, so dass
die Membran 9 sich so ausdehnt, dass das Substrat 5 und
Maske 10 leicht gegeneinander gepresst werden. Das Substrat 5 wird
mittels einer Vorrichtung erhitzt, beispielsweise gemäß 5 oder 7,
und dann wird der Druck des Mediums in der Vertiefung 6 auf
5–500
bar, vorzugsweise 5–200 bar
und besonders bevorzugt 5–100
bar durch den Einlasskanal 12 erhöht, so dass das Substrat 5 und die
Maske 10 mit einem entsprechenden Druck aneinander gepresst
werden, wobei der Druck über
die flexible Membran 9 übertragen
wird. Aufgrund der flexiblen Membran wird eine absolut gleichmäßige Verteilung
der Kraft über
die ganze Kontaktfläche
zwischen dem Substrat und der Maske erreicht, wobei diese so hergestellt
sind, dass sie sich selbst absolut parallel in Bezug zueinander
ausrichten und der Einfluss von Unregelmäßigkeiten in der Oberfläche des Substrats
unter der Maske eliminiert werden. Nach einer Kompressionszeit,
die von der Materialwahl, der Temperatur, vom Druck usw. abhängt, die
jedoch typischerweise unter 3 Minuten, vorzugsweise unter einer
Minute liegt, beginnt das Kühlen
des Substrats mittels einer Vorrichtung, die zum Beispiel von dem Typ
ist, der in 6 gezeigt ist. Nachdem das Kühlen abgeschlossen
ist, wird der Druck in der Vertiefung 6 reduziert und die
beiden Hauptbauteile 1 und 3 werden voneinander
getrennt, davon gefolgt, dass das Substrat 5 und die Maske 10 voneinander
getrennt werden. Danach wird das Substrat einer weiteren Behandlung
entsprechend der Kenntnisse für
Nanobedruck-Lithographie unterzogen. Diese weitere Behandlung ist
nicht Teil der vorliegenden Erfindung und wird daher nicht im Detail
beschrieben.
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10a zeigt eine Trägerplatte 14 ohne
eine Maske darauf, während 10b eine Trägerplatte 14 mit
einer Maske darauf zeigt. 10a und 10b zeigen eine alternative Ausführungsform der
Erfindung, in welcher das zweite Hauptbauteil 3 als ein
periskopisches Teil für
die axiale Versetzung desselben ausgeführt ist. Hier wird die Vertiefung 6 mit
ihrem Medium und entsprechender Pumpe (nicht dargestellt) auch für die periskopische
Versetzung verwendet. Außerhalb
der Seitenwände 8 sind äußere Wände 22 in
nur einem schmalen Zwischenraum 23 zwischen ihnen angeordnet.
Am Ende der Seitenwände 8 und
den entsprechenden äußeren Wänden 22 sind
entsprechende Gleitdichtungen 24a und 24b angeordnet.
Am besten ist es, wenn Vorrichtungen (nicht dargestellt) vorgesehen
werden, die verhindern, dass der Teil mit den Seitenwänden 8 so
weit versetzt wird, dass er von den äußeren Wänden 22 gelöst wird.
Die äußeren Wände 22 werden
an den anderen Enden durch den Boden der Vertiefung 7 unter
der Grundplatte 13 begrenzt. Der Einlasskanal 12 ist
in den äußeren Wänden 22 oder
in dem Boden 7, 13, das heißt, im Bereich außerhalb
des Zwischenraums 23 angeordnet. Im Bereich des Zwischenraums 23 ist
ein zweiter Einlasskanal 25 angeordnet, durch den die Menge
des Mediums im Zwischenraum 23 und sein Druck beeinflusst
werden kann. Die periskopische Versetzung des Hauptbauteils 3 oder
vielmehr der Membran 9 und Maske 10 wird dadurch
erreicht, dass der Druck in der Vertiefung 6 durch den Einlasskanal 12 zur
selben Zeit erhöht
wird, wie das Medium im Zwischenraum 23 durch den zweiten
Einlasskanal 25 heraus fließen kann. Wenn der Ring 11 oder
seine Lippe 11c gegen das erste Hauptbauteil 1 (in 10 nicht dargestellt) anschlägt, resultiert
eine kontinuierliche Druckerhöhung
in der Vertiefung dadurch, dass die Membran 9 den Druck
an die Maske überträgt, so dass
diese wie oben beschrieben mit dem Substrat zusammengepresst wird.
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Um
das periskopische Hauptbauteil 3 nach Abschluss des Bedruckens
einzufahren, wird der Druck in der Vertiefung 6 abgelassen
und der Druck im Zwischenraum 23 statt dessen durch den
zweiten Eintrittskandal 25 erhöht. Die Seitenwände 8 und
mit ihnen die Membran 9 und die Maske 10 in Richtung der
Grundplatte 13 werden dabei versetzt, während die Gleitdichtungen 24a und 24b gegen
die äußeren Wände 22 und
die entsprechenden Wände 8 gleiten.
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11a, b und c zeigen eine alternative Vorrichtung
zum Halten des Substrats und der Maske durch Vakuum, wobei diese
Vorrichtung aus einer Trägerplatte
desselben Typs wie zuvor besteht, die in Verbindung mit 1 Trägerplatte 4 genannt
und in dieser Figur mit 4' bezeichnet
wird. Die Trägerplatte 4' ist in derselben
Weise wie in 8 dargestellt, mit einer
Vertiefung 19 in beiden seiner ebenen Oberflächen und
einem Durchgangsloch 20 ausgestattet, welches zu einer
Vakuumverbindung (nicht dargestellt) verläuft, um ein Vakuum zu erzeugen,
welches das Substrat 5 fest auf einer Oberfläche der
Trägerplatte 4' und die Trägerplatte 4' fest auf einer
Grundlage hält,
zum Beispiel eine Trägerplatte
zum Kühlen des
Substrats 5, in dieser Figur nicht dargestellt. Nur auf
einer Seite der Trägerplatte 4' ist eine zweite
Vakuumvertiefung 26 außerhalb
der Vertiefung 19 angeordnet, wobei im Beispiel eine kreisförmige Vertiefung 26 mit
einem Durchmesser dargestellt ist, der größer als der Durchmesser der
Maske 10 und des Substrats 5 ist. In nicht dargestellter
Weise wird ein Kanal 28 zur Verbindung mit einem Vakuumgebläse für die Vertiefung 26,
am besten durch ein Loch 27, bereitgestellt. Das Substrat 5 kann
mit Hilfe der Trägerplatte 4' durch die erste
Vakuumvertiefung 19 festgehalten und die Maske 10 direkt
auf dem Substrat 5 platziert werden, und anschließend kann,
wie in 11c gezeigt, ein Film oder eine
Folie 29 z.B. aus Aluminium oder Gummi so platziert werden,
dass der Film oder die Folie die Maske und das Substrat komplett
bedecken oder um den Rand der Maske und des Substrats verlaufen,
wobei der Film oder die Folie gegen die Vakuumvertiefung 26 gesaugt
wird und dadurch die Maske 10 fest gegen das Substrat 5 hält. Aufgrund
der in 11 dargestellten Vorrichtung können das
Substrat 5 und Maske 10 zusammen auf einem Hauptbauteil 1, 3 der
Vorrichtung, wie in 11c gezeigt, platziert werden,
darin gefolgt, dass die Haupt bauteile in Bezug zueinander versetzt
werden, so dass sie übereinander
und nahe einander orientiert werden, wie vorher beschrieben. Nach
der Bedruckstufe kann das Vakuum in der Vertiefung 19 abgelassen
werden, während
das Vakuum in der Vertiefung 26 aufrechterhalten wird,
so dass die Trägerplatte 4' von der Vorrichtung
entfernt werden kann und die Maske und das Substrat für einen
einfachen Austausch des Substrats immer noch dort sind.
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12a und b zeigen noch eine weitere Vorrichtung
zum Halten des Substrats und der Maske unter Vakuum, wobei die Vorrichtung
aus einer Trägerplatte
desselben Typs wie zuvor besteht, welche in Verbindung mit 1 Trägerplatte 4 genannt
und in dieser Figur mit 4'' bezeichnet
wird. Die Trägerplatte 4'' ist in derselben Weise wie in 8 dargestellt mit einer Vertiefung 19 in
beiden ihrer ebenen Oberflächen
und einem Durchgangsloch 20 ausgestattet, welches zu einer
Vakuumverbindung (nicht dargestellt) verläuft, um ein Vakuum zu erzeugen,
welches das Substrat 5 fest auf einer Oberfläche der
Trägerplatte 4'' und die Trägerplatte 4'' fest auf einer Grundlage, zum
Beispiel eine Trägerplatte
zum Kühlen
des Substrats 5, hält,
was in dieser Figur nicht dargestellt ist. In der Trägerplatte 4'' ist eine erhöhte Kante 30 außerhalb
der Vertiefung 19 auf einer Seite der Trägerplatte
und eine Vertiefung 31 im Winkel zwischen der Kante 30 und
der Trägerplatte 4'' angeordnet, wobei Vertiefung 31 mit
einem Vakuumkanal 32 verbunden ist. 12a zeigt
eine Trägerplatte 4'' ohne eine Maske und Substrat darauf,
während 12b die eine Trägerplatte 4'' mit einer Maske 10 und
einem Substrat 5 innerhalb der Kante 30 zeigt.
Die Dimensionen sind so angepasst, dass nur ein kleiner Zwischenraum
zwischen der Kante 30 und dem Substrat/der Maske bestehen
bleibt, durch welchen Luft in den Vakuumkanal 32 gesaugt
wird. Sowohl die Maske als auch das Substrat werden hierdurch festgehalten,
wodurch dieselbe Funktion wie in 11 realisiert
werden kann. Die Kante 30 hat eine Höhe, welche die Dicke des Substrats 5 übersteigt
(oder die Maske 10, wenn diese in unmittelbarer Nähe zu der Trägerplatte 4'' platziert wird).
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Beispiele
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Bedruckversuche
gemäß der Erfindung
wurden entsprechend der folgenden Parameter durchgeführt: das
Substrat aus Si/SiO2 hatte einen Durchmesser
von 5,1 cm, mit einer Beschichtung von 950 K PMMA, welche bei 180°C und 24
Stunden in einem Ofen ausgeheizt wurde. Der maximale Druck betrug 60
bar, die maximale Temperatur 170°C
und die minimale Temperatur 80°C.
Die Maske Si/SiO2 hatte einen Durchmesser
von 5,1 cm mit Maskenstrukturen in der Form von Linien und Punkten
mit Linienweiten von 50,75, 100 und 150 Nanometern, und Durchmessern
von 50 nm mit einer Distanz von 25 nm zwischen den Punkten. Die
Maske war mit einer Schutzschicht aus Nickel mit einer Dicke von
20 nm ausgestattet, welche durch Verdampfen abgeschieden wurde.
Die Maske wurde vor dem Bedrucken durch Eintauchen in Aceton unter
dem Einfluss von Ultraschall gesäubert
und mit Stickstoffgas getrocknet.
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13 zeigt
ein Diagramm der Substrattemperaturen und -drücke als Funktion der Zeit für den Produktionszyklus,
welcher etwas mehr als 2 Minuten in einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
dauerte. Wie im Diagramm gezeigt, betrug die Zeit für die Temperaturerhöhung ungefähr 1 Minute. Über die Membran
wurde dann Druck angelegt, und sobald der gewünschte maximale Druck erreicht
war, wurde begonnen, das Substrat zu kühlen. Während des Kühlens wurde der Druck dem Sollwert
angepasst.
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Die
Versuche zeigten, dass ein Druck von ungefähr 60 bar einen Eindruck von
200 nm Tiefe in die PMMA-Schicht auf dem Substrat erzeugte. Wenn eine
größere Tiefe
erwünscht
ist, kann ein höherer Druck
benutzt werden.
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Nachdem
10 Zyklen mit derselben Maske beobachtet wurden, konnte bestätigt werden,
dass die gesamte Oberfläche
aller Substrate gleichmäßig bedruckt
wurde. Keine bedeutsamen Variationen in der Struktur in oder zwischen
den Bereichen mit unterschiedlicher Struktur konnten festgestellt
werden.
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Ungefähr 50 nm
PMMA blieb in den Eindrücken
zurück,
welches durch Ätzen
beseitigt wurde. Nach dem Ätzen
hatten die Profile auf der Oberfläche des Substrats ausreichend
vertikale Wände.
Nach dem Ätzen
wurde das Substrat in den Eindrücken
mit Cr durch Verdampfen beschichtet und dann eine Stufe zum Beseitigen
des übriggebliebenen
PMMA ausgeführt,
was in einem erfolgreichen Metallbeschichten in den Eindrücken resultierte.
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14a zeigt ein Rasterelektronemikroskop-Bild eines
Teils einer Maske mit Linien/Ausnehmungen mit einer Weite von 100
nm und einem Zwischenraum von 300 nm zwischen den Linien. Die totale
Oberfläche
der Maske betrug 25 cm2. 14b zeigt einen Teil eines Substrats, in welches
eine Schicht von PMMA mit der Maske in 14a in
einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
bedruckt wurde. Die erhaltene Struktur ist sehr gleichmäßig und
frei von Defekten.
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14c zeigt eine aluminium-metallisierte Oberfläche eines
Substrats aus Silicium, das in einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
bedruckt wurde, mit Linien von 100 nm, 200 nm und 500 nm Abstandsweiten
zwischen den Linien. Im gezeigten Bild wurde die bedruckte Oberfläche mit
Aluminium metallisiert und dann das PMMA entfernt. Die Gesamtoberfläche des
Substrats betrug 25 cm2.
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14d zeigt Aluminiumpunkte einer Größe von 50
nm, welche auf einem Siliciumsubstrat durch Bedrucken in PMMA in
einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
produziert wurden. Die Punkte wurden mit verschiedenen Abstandsweiten
auf einer Gesamtoberfläche
von 25 cm2 hergestellt. Im gezeigten Bild sind
die bedruckten Oberflächen
mit Aluminium metallisiert und das PMMA dann entfernt worden. Die minimale
Abstandsweite wird auf weniger als 25 nm geschätzt.
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Die
Vorrichtung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungen
und Beispiele beschränkt,
kann jedoch innerhalb des Schutzumfangs der folgenden Ansprüche variiert
werden. Es versteht sich auf einfache Art und Weise, dass zum Beispiel die
Position der Maske und des Substrats in den gezeigten Figuren ausgetauscht
werden kann. Auch versteht es sich, dass konventionelle Schritte
in Verbindung mit Nanobedrucken ausgeführt werden sollten, wie zum
Beispiel das Reinigen der Oberflächen des
Substrats und der Maske, und des Raumes dazwischen, unter Benutzung
von reinem partikelfreien Gas, wie zum Beispiel Stickstoffgas oder
ein anderes Gas. Des weiteren versteht sich, dass die Aufhängung der
Membran, die Erzeugung der Vertiefung etc. auf sehr unterschiedliche
Weise ausgeführt
werden kann, ohne dass von der erfindungsgemäßen Idee abgewichen wird.